JP2003009003A - 撮像装置および撮像システム - Google Patents

撮像装置および撮像システム

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JP2003009003A JP2001191787A JP2001191787A JP2003009003A JP 2003009003 A JP2003009003 A JP 2003009003A JP 2001191787 A JP2001191787 A JP 2001191787A JP 2001191787 A JP2001191787 A JP 2001191787A JP 2003009003 A JP2003009003 A JP 2003009003A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 加算動作時の感度の低下、ノイズ発生を抑制
する。 【解決手段】 光電変換部PDと、光電変換部からの信
号を増幅して出力する増幅手段Amp1,I1と、増幅
手段の出力側に接続される容量CHと、を有する画素を
複数有し、複数の画素のうちの2以上の画素の容量間を
共通に接続するスイッチ手段SW10〜12を備える。
スイッチ手段を第1のスイッチ手段としたときに、容量
は増幅手段の出力側にクランプ容量として一方の端子が
接続されるとともに、他方の端子に該他方の端子をクラ
ンプ電位に設定するための第2のスイッチ手段が接続さ
れ、第1のスイッチ手段は前記2以上の画素の他方の端
子間に設けられている。容量は前記増幅手段の出力側に
一方の端子が接続されるとともに、他方の端子が固定電
位とされる保持容量である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置および撮像
システムに係わり、特に2以上の画素からの出力を加算
して出力可能な撮像装置および撮像システムに関する。
【0002】
【従来の技術】撮像装置としては、大別するとCCDセ
ンサとCMOSセンサがある。CCDセンサは光電変換
された電荷を垂直方向及び水平方向に順次転送するもの
であり、CMOSセンサは各画素に光電変換された信号
を増幅する増幅アンプを有し、増幅された信号を垂直走
査回路及び水平走査回路を用いて順次出力するものであ
る。
【0003】ところで、撮像装置の中には、全画素を読
み出す標準的な動作に加えて、解像度が低下しても速い
フレームレート(スピード)で読み出す動作が可能な方
式が要求されることがある。
【0004】上記CMOSセンサは垂直走査回路及び水
平走査回路の走査を制御することで、CMOSセンサの
ランダム・アクセス・スキャンが可能であり、画素を間
引いてスキャンする方法もあるが、この場合、読み飛ば
した画素の情報を捨ててしまうので感度的に不利とな
る。
【0005】そこで、隣接するフォトダイオード等の光
電変換部の出力側をスイッチで結合させて電荷を加算、
別の言い方をすると電位の平均値を求め、この情報を出
力する方式が提案されている。
【0006】図8(a)に撮像装置内の4画素を抜き出
した回路図を示す。図8(a)においては、フォトダイ
オードPDのリセット用スイッチは省略している。
【0007】図8(a)に示すように、4つのフォトダ
イオードPDのカソード側(出力側)を加算用スイッチ
SW30、31、32をオンすることにより結合し、電
荷を加算し、選択用スイッチSW20により画素を選択
してアンプAmp20から垂直出力線に電位の平均値を
出力する。
【0008】また、図8(b)に示すように、一度、容
量FDにフォトダイオードPDの電荷を転送用スイッチ
SW21を転送した後に、図8(a)と同様にフォトダ
イオードPDのカソード側(出力側)を加算用スイッチ
をオンすることにより結合し、電荷を加算し、選択用ス
イッチSW20により画素を選択してアンプAmp20
から垂直出力線に電位の平均値を出力する方法もある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】一般にフォトダイオー
ドPDの光による電荷は少ないので、高い電位を得たい
ため、フォトダイオードPDの容量もしくは図8(b)
に示す容量FDは極力小さくすることが望まれる。
【0010】その一方、加算用スイッチSWもしくは接
続用配線には、少なからず浮遊容量CSWが存在し、これ
により感度が低下する。また、kTCノイズが増すこと
になる。
【0011】また、加算用スイッチSWもしくは接続用
配線にはリーク電流ISWが存在する。これにより、重要
な光電荷がもれてしまう。さらに、リーク電流に伴うシ
ョットノイズでノイズが増大する。
【0012】つまり、感度を増す目的で付けた加算用ス
イッチSWや接続用配線で逆に感度の低下を招いてしま
うことになる。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の撮像装置は、光
電変換部と、該光電変換部からの信号を増幅して出力す
る増幅手段と、該増幅手段の出力側に接続される容量
と、を有する画素を複数有し、該複数の画素のうちの2
以上の画素の前記容量間を共通に接続するスイッチ手段
を備えた撮像装置である。
【0014】上記本発明の撮像装置の好適な形態は、前
記容量は前記増幅手段の出力側に一方の端子が接続され
るとともに、他方の端子が固定電位とされる保持容量で
ある撮像装置である。
【0015】上記本発明の撮像装置の他の好適な形態
は、前記スイッチ手段を第1のスイッチ手段としたとき
に、前記容量は前記増幅手段の出力側にクランプ容量と
して一方の端子が接続されるとともに、他方の端子に該
他方の端子を一定の電位に設定するための第2のスイッ
チ手段が接続され、前記第1のスイッチ手段は前記2以
上の画素の該他方の端子間に設けられている撮像装置で
ある。
【0016】上記本発明の撮像装置において、前記増幅
手段はソースフォロワ回路であることが望ましい。
【0017】本発明では、画素内に光電荷を増幅する増
幅手段を持ち、この増幅手段に接続された容量に加算用
のスイッチ手段を設ける。本発明の好適な形態では、容
量にサンプルホールドの機能を兼ね備えた電位保持機能
を持たせた撮像装置とする。
【0018】また本発明の別の好適な形態ではクランプ
回路機能を兼ね備え、固定パターンノイズやkTCノイ
ズの小さな高感度の撮像装置とする。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて詳細に説明する。
【0020】(第1の実施形態)図1は本発明の撮像装
置の第1実施形態を示す4画素分の回路構成図である。
図2は画素をマトリスク状に配列して構成された撮像装
置の回路構成図である。なお、図1及び図2においては
画素のフォトダイオードのリセット用スイッチは省略し
ている。図2の領域Aは加算を行う4画素分の画素領域
を示す。
【0021】図1に示すように、一画素は、フォトダイ
オードPD、フォトダイオードPDのカソード側がゲー
トに接続され、フォトダイオードPDに蓄積された信号
を増幅して出力するアンプAmp1(MOSトランジス
タ)、アンプAmp1のドレイン側に接続される電流源
I1(アンプAmp1と電流源I1は増幅手段を構成す
る)、アンプAmp1のドレイン側に接続されるサンプ
リング用のスイッチSW1、スイッチSW1を介して転
送された信号を保持(ホールド)する容量CH、容量CH
に蓄積された信号を更に増幅して出力するアンプAmp
2(MOSトランジスタ)、アンプAmp2のソース側
に接続される画素選択用のスイッチSW2、アンプAm
p2のドレイン側に接続される電流源I2から構成さ
れ、アンプAmp2のドレイン側は垂直出力線VLに接
続される。
【0022】垂直出力線VLの長さ方向に隣接して配列
される画素どうしは、画素の容量CHとアンプAmp2
のゲートとの間で、スイッチSW10、12を介して接
続されている。また、垂直出力線の長さ方向と垂直な方
向に隣接して配列される画素どうしは、画素の容量CH
とアンプAmp2のゲートとの間で、スイッチSW11
を介して接続されている。
【0023】ADD信号をハイレベルにすることで、ス
イッチSW10、11、12は全てオンになり、スイッ
チSW10、11、12で接続される接続点(容量CH
とアンプAmp2のゲートとの間)は共通に接続され
る。
【0024】図3(a)は上記撮像装置の通常モードを
示すタイミングチャートである。通常モードにおいて
は、ADD信号を常にロウレベルとし、スイッチSW1
0、SW11、SW12をオフ状態としておく。
【0025】まず、サンプルホールド信号S/Hをハイ
レベルとして、フォトダイオードPDに蓄積された電荷
に対応する信号(増幅した信号)をスイッチSW1によ
りサンプリングし、容量CHに保持(ホールド)する。
ここでは全画素一括してサンプルホールド動作を行う。
【0026】次に垂直走査回路となるシフトレジスタ
(SR)から出力される選択信号SEL1,SEL2,
SEL3,・・・が順次ハイレベルとなって、各選択信
号が印加される水平方向に配列された画素群からそれぞ
れ垂直出力線VLに、容量CHにホールドされた信号が
増幅されて出力される。各垂直出力線に出力された信号
は、各選択信号がそれぞれハイレベルの間に水平走査回
路(Mux)により順次選択されて出力信号(out)
として出力される。
【0027】図3(b)は上記撮像装置の加算モードを
示すタイミングチャートである。
【0028】まず、サンプルホールド信号S/Hをハイ
レベルとして、フォトダイオードPDに蓄積された電荷
に対応する信号(増幅した信号)をスイッチSW1によ
りサンプリングし、容量CHに保持(ホールド)する。
ここでは全画素一括してサンプルホールド動作を行う。
【0029】次に、ADD信号をハイレベルとし、スイ
ッチSW10、SW11、SW12をオン状態とする。
すると、各画素の容量CHの電位は4画素単位で加算前
の4つの画素の容量CHの電位の平均電位となる。
【0030】次にシフトレジスタ(SR)から出力され
る選択信号SEL1,SEL3,SEL5,・・・が順
次ハイレベルとなって、各選択信号が印加される水平方
向に配列された画素群からそれぞれ垂直出力線に、容量
CHにホールドされた信号が増幅されて出力される。こ
の時、容量CHの電位は4画素単位で同電位なので、選
択信号SEL2,SEL4,SEL6,・・・をハイレ
ベルとする必要はない。
【0031】各垂直出力線に出力された信号は、各選択
信号がそれぞれハイレベルの間に水平走査回路(Mu
x)により1本飛ばしで選択されて、4画素の平均出力
が出力信号(out)として出力される。
【0032】図3(a)に示す通常モードでは、全画素
の出力を水平走査回路(Mux)が出力するのに対し、
図3(b)に示す加算モードでは、全画素の1/4に相
当する出力のみ出力するため、1フレームに必要な時間
はおよそ1/4ですむ。つまり、フレーム・レートを約
4倍にすることができる。
【0033】また、容量CHは大きくしてもアンプAm
pが電圧出力のため電位が小さくなることはない。さら
に、加算用スイッチSWもしくは配線に浮遊容量があっ
ても電位が低下することはない。
【0034】また容量CHを大きくすることができるた
め、加算用スイッチもしくは配線でリーク電流があって
も感度低下を招くことはないし、ノイズが増大すること
もない。この場合、容量CHはフォトダイオードPDの
持つ容量より大きければ効果が高くなる。
【0035】本実施形態では、増幅手段となる、アンプ
Ampと電流源はソースフォロワ回路を構成し、電圧は
増幅していないが電荷を増幅することになる。勿論、電
圧を増幅するタイプであっても本発明の効果があること
は明らかである。この場合、電圧の増幅率とCHとの積
がフォトダイオードPDの持つ容量より大きければ効果
が高くなる。
【0036】また別の効果として容量CHを大きくする
ことができるため、垂直出力線に出力するためのソース
・フォロワ用のMOSトランジスタ(Amp2)も大き
くできる。従来はこのMOSトランジスタを大きくする
とMOSトランジスタのゲート容量が感度の低下を招く
ため大きくすることは困難であった。MOSトランジス
タのショットノイズは(チャネル幅W)×(チャネル長
L)の1/2乗に反比例するためMOSトランジスタの
チャネル幅Wを大きくすれば垂直出力線に出力するため
のソース・フォロワのノイズを無視できるほど小さくす
ることができる。
【0037】また、さらに別の効果としてフォトダイオ
ードの出力を受けるソース・フォロワのMOSトランジ
スタ(Amp1)のショットノイズや1/fノイズも低
減することができる。このMOSトランジスタのゲート
容量の影響で感度が低下させたくない理由から小さくす
ることが望まれるため、ある程度ショットノイズや1/
fノイズが発生してしまう。
【0038】通常モード時は、このノイズが出力に出て
しまうが、加算モード時にはこのノイズを持った個別画
素の電位を加算用スイッチSWにより平均化できるので
ノイズ電圧は小さくなる。個々のランダムノイズを平均
化するため、4画素の平均の場合は1/4の1/2乗、
つまり1/2にノイズが減じられることになる。
【0039】本実施形態では4画素を加算しているが、
もっと多くの画素を加算する構成であればさらにこの効
果が大きくなるは明らかである。
【0040】以下、本発明による撮像装置について図8
に示す従来の撮像装置とを対比して説明する。撮像装置
の性能は一般的に(感度/ノイズ)、つまりS/Nで評
価される。ここでは、n画素の加算を行うとする。
【0041】従来例の感度Spは、本来の1つのフォト
ダイオードPDの感度Ssに対して、加算用スイッチの
容量による低下率をα(α<1)とすると、 Sp=α・Ss となる。
【0042】従来例のノイズNpは、加算前の1つのフ
ォトダイオードPDのノイズNsとソースフォロワのM
OSトランジスタのノイズNmに対して、 Np=Np**(1/n)+Nm (**はべき乗の演算
子) となる。Nmが変化しない理由は加算後のフォトダイオ
ードを出力するため、必ず1つのソース・フォロワを通
過するからである。
【0043】本実施形態の感度Siは加算用スイッチS
Wの低下がないので、 Si=Ss である。
【0044】本実施形態のノイズNiは先に述べたよう
に垂直出力線への出力用ソース・フォロワのノイズは無
視でき、フォトダイオードに接続されたソース・フォロ
ワのMOSトランジスタのノイズをNmとすると、 Ni=(Ns+Nm)**(1/n) すなわち、 Sp<Si、 Np>Ni となり、性能の指針であるS/Nは、 Sp/Np << Si/Ni となる。従って、本実施形態の効果は明らかである。
【0045】本実施形態では、上述したS/Nの効果の
みならず、S/H(サンプル&ホールド)回路が1画素
内に入っているため、1つの撮像装置内のどの行の画素
においても全画素と同じタイミングで検出光を蓄積する
ことができ、1つの撮像装置内で像が歪んだり、多数枚
の撮像装置を貼り合わせた大判のセンサパネルにおいて
隣接する撮像装置で画像が不連続になることはない。
【0046】(第2の実施形態)図4は本発明の撮像装
置の第2実施形態を示す4画素分の回路構成図である。
なお、図4においては画素のフォトダイオードのリセッ
ト用スイッチは省略しているが、フォトダイオードのカ
ソード側にリセット用のMOSトランジスタを接続し、
リセット用のMOSトランジスタをオンすることでフォ
トダイオードをリセットする構成となっている。
【0047】図4に示すように、本実施形態では一画素
内のフォトダイオードPDからの信号を増幅して出力す
る増幅用ソースフォロワ(Amp1,電流源I1)と垂
直出力線用ソースフォロワ(Amp2,電流源I2)の
間にクランプ用容量CCLを設けている。このクランプ用
容量CCLはフォトダイオードPDのリセット時における
kTCノイズと固定パターンノイズ(FPN)を除去す
るためのものである。
【0048】ノイズ除去は次のような動作により行うこ
とができる。スイッチSW3をオンしてクランプ用容量
CLのアンプAmp2側の電極を一定の電位にする。こ
の状態で、不図示のリセット用スイッチによりフォトダ
イオードPDをリセットすると、ノイズ成分がクランプ
用容量CCLのアンプAmp1側の電極に蓄積される。ス
イッチSW3をオフした後フォトダイオードPDの信号
電荷蓄積を行うと、クランプ用容量CCLのアンプAmp
1側の電極の電位はフォトダイオードの信号(ノイズ成
分を含む)からノイズ成分が引かれた分変動し、クラン
プ用容量CCLのアンプAmp2側にもノイズ成分が除去
された分電位が変動することになる。こうして、クラン
プ用容量CCLにはノイズ成分が除去された信号が保持さ
れることになる。
【0049】クランプ用容量CCLのアンプAmp2側に
は第1の実施形態と同様に、加算用スイッチ10、1
1、12が接続され、加算用スイッチ10、11、12
をオンすることで各画素のクランプ容量CCLの電位は4
画素単位で加算前の4つの画素のクランプ容量CCLの電
位の平均電位となる。本実施例においてもクランプ容量
CLを大きくすることができるため、加算用スイッチも
しくは配線でリーク電流があっても感度の低下を招くこ
とはないし、ノイズが増大することもない。この場合、
クランプ容量CCLはフォトダイオードPDの持つ容量よ
り大きければ効果が高くなる。そして、本実施形態にお
いてもS/Nに関しては第1の実施形態と同等の効果を
得ることができ、Sp/Np << Si/Niである。
【0050】また本実施形態では、フォトダイオードの
リセット時におけるkTCノイズと固定パターンノイズ
(FPN)が除去が可能であり、さらなる感度の向上が
図れる。
【0051】(第3の実施形態)図5は本発明の撮像装
置の第3実施形態を示す1画素分の回路構成図である。
【0052】図5においては、画素のフォトダイオード
PDのリセット用スイッチMRを設けており、フォトダ
イオードPDのカソード側にリセット用のMOSトラン
ジスタMRを接続し、リセット用のMOSトランジスタ
RをオンすることでフォトダイオードPDをリセット
する構成となっている。なお第1及び第2の実施形態に
おいては、画素のフォトダイオードのリセット用スイッ
チを示していないが、本実施形態のフォトダイオードの
リセット用スイッチMRと同様なリセット用スイッチを
設けることができる。
【0053】図5に示すように、本実施形態では、第2
の実施形態と同様のクランプ用容量CCLを設けるととも
に、信号のサンプルホールド用の容量CHSとノイズのサ
ンプルホールド用の容量CHNとを設けている。容量CHS
へは転送用のMOSトランジスタM4Sを介して増幅さ
れた信号が転送されて蓄積され、容量CHNへは転送用の
MOSトランジスタM4Nを介して増幅されたノイズが
転送されて蓄積される。垂直出力線へはそれぞれ選択用
MOSトランジスタM5S,M5Nをオンすることで転送
することができる。転送用のMOSトランジスタM4
S,M4Nをオフすることで、フォトトランジスタPDと
容量CHS,容量CHNと電気的に分離することができるの
で、フォトトランジスタPDの信号蓄積動作と容量CH
S,容量CHNからの信号読み出し動作とを独立して行う
ことができる。MOSトランジスタM1(第1アンプ)
とそれと接続される電流源とは第1のソースフォロワ回
路を構成し、MOSトランジスタM2(第2アンプ)と
それと接続される電流源とは第2のソースフォロワ回路
を構成し、MOSトランジスタM3S(第3アンプ)と
それと接続される電流源及びMOSトランジスタM3N
(第3アンプ)とそれと接続される電流源は第3のソー
スフォロワ回路を構成する。
【0054】クランプ用容量CCLのMOSトランジスタ
M2側には第2の実施形態と同様に、加算用スイッチS
W10、11、12(SW12は不図示)が接続されて
いる。そして、本実施形態においてもS/Nに関しては
第1の実施形態と同等の効果を得ることができ、Sp/
Np << Si/Niである。
【0055】本実施形態においては、フォトダイオード
のリセット時におけるkTCノイズと固定パターンノイ
ズ(FPN)が除去でき、信号蓄積動作と信号読み出し
動作とを独立して行うことができるので、全画素のフォ
トダイオードの蓄積タイミングを等しくすることができ
る。また、サンプルホールド回路を信号用とノイズ用の
2回路設けているので、MOSトランジスタM1,M2
の変動を除去することができる。
【0056】(第4の実施形態)図6は本発明の撮像装
置の第4実施形態を示す1画素分の回路構成図である。
本実施形態は図5に示す第3の実施形態の構成におい
て、2系統のサンプルホールドの信号用容量CHSとノイ
ズ用容量CHNの出力側にそれぞれ加算用スイッチSW1
0S,SW11S,SW12S、加算用スイッチSW10
N,SW11N,SW12N(SW12S,SW12Nは不
図示)を設けたものである。
【0057】本実施形態においては、第3の実施形態と
比較して、さらにMOSトランジスタM2のショットノ
イズ、1/fノイズが、 (1/n)**(1/2) (nは加算数) になり、さらに低ノイズ化される。
【0058】次に上記撮像装置を用いた撮像システムに
ついて説明する。図7に基づいて、本発明の固体撮像素
子をスチルカメラに適用した場合の一実施形態について
詳述する。
【0059】図7は本発明の撮像装置を“スチルビデオ
カメラ”に適用した場合を示すブロック図である。
【0060】図7において、101はレンズのプロテク
トとメインスイッチを兼ねるバリア、102は被写体の
光学像を固体撮像素子104に結像させるレンズ、10
3はレンズ102を通った光量を可変するための絞り、
104はレンズ102で結像された被写体を画像信号と
して取り込むための固体撮像素子、106は固体撮像素
子104より出力される画像信号のアナログ−ディジタ
ル変換を行うA/D変換器、107はA/D変換器10
6より出力された画像データに各種の補正を行ったりデ
ータを圧縮する信号処理部、108は固体撮像素子10
4、撮像信号処理回路105、A/D変換器106、信
号処理部107に、各種タイミング信号を出力するタイ
ミング発生部、109は各種演算とスチルビデオカメラ
全体を制御する全体制御・演算部、110は画像データ
を一時的に記憶するためのメモリ部、111は記録媒体
に記録または読み出しを行うためのインターフェース
部、112は画像データの記録または読み出しを行うた
めの半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、113は外
部コンピュータ等と通信するためのインターフェース部
である。
【0061】次に、前述の構成における撮影時のスチル
ビデオカメラの動作について、説明する。
【0062】バリア101がオープンされるとメイン電
源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、さ
らに、A/D変換器106などの撮像系回路の電源がオ
ンされる。
【0063】それから、露光量を制御するために、全体
制御・演算部109は絞り103を開放にし、固体撮像
素子104から出力された信号はA/D変換器106で
変換された後、信号処理部107に入力される。そのデ
ータを基に露出の演算を全体制御・演算部109で行
う。
【0064】この測光を行った結果により明るさを判断
し、その結果に応じて全体制御・演算部109は絞りを
制御する。
【0065】次に、固体撮像素子104から出力された
信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離
の演算を全体制御・演算部109で行う。その後、レン
ズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判
断したときは、再びレンズを駆動し測距を行う。
【0066】そして、合焦が確認された後に本露光が始
まる。露光が終了すると、固体撮像素子104から出力
された画像信号はA/D変換器106でA−D変換さ
れ、信号処理部107を通り全体制御・演算109によ
りメモリ部に書き込まれる。その後、メモリ部110に
蓄積されたデータは、全体制御・演算部109の制御に
より記録媒体制御I/F部を通り半導体メモリ等の着脱
可能な記録媒体112に記録される。又外部I/F部1
13を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を
行ってもよい。
【0067】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば撮
像装置の加算動作時の感度の低下、ノイズ発生を抑制す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の撮像装置の第1実施形態を示す4画素
分の回路構成図である。
【図2】画素をマトリスク状に配列して構成された撮像
装置の回路構成図である。
【図3】本発明の第1実施形態の撮像装置の動作を示す
タイミングチャートである。
【図4】本発明の撮像装置の第2実施形態を示す4画素
分の回路構成図である。
【図5】本発明の撮像装置の第3実施形態を示す1画素
分の回路構成図である。
【図6】本発明の撮像装置の第4実施形態を示す1画素
分の回路構成図である。
【図7】本発明の固体撮像装置をスチルビデオカメラに
適用した場合を示すブロック図である。
【図8】従来の撮像装置内の画素構成を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
PD フォトダイオード Amp1,Amp2 アンプ I1,I2 電流源 SW1,SW2,SW10,SW11,SW12 スイ
ッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田代 和昭 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 4M118 AA01 AA05 AA10 AB01 BA14 CA02 DD12 FA06 FA40 FA42 FA50 5C024 BX01 CX04 EX42 GX03 GY35 GY39 HX09 HX23 HX28 HX50 HX58

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換部と、該光電変換部からの信号
    を増幅して出力する増幅手段と、該増幅手段の出力側に
    接続される容量と、を有する画素を複数有し、該複数の
    画素のうちの2以上の画素の前記容量間を共通に接続す
    るスイッチ手段を備えた撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記容量は前記増幅手段の出力側に一方の端子が接続され
    るとともに、他方の端子が固定電位とされる保持容量で
    ある撮像装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記スイッチ手段を第1のスイッチ手段としたときに、 前記容量は前記増幅手段の出力側にクランプ容量として
    一方の端子が接続されるとともに、他方の端子に該他方
    の端子を一定の電位に設定するための第2のスイッチ手
    段が接続され、 前記第1のスイッチ手段は前記2以上の画素の該他方の
    端子間に設けられている撮像装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記増幅手段はソースフォロワ回路である撮像装置。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載の撮像装置において、前
    記増幅手段を第1の増幅手段としたときに、 前記容量の他方の端子は第2の増幅手段の入力側に接続
    され、該第2の増幅手段の出力側には、前記光電変換部
    からの信号に基づく該第2の増幅手段からの出力を保持
    する信号保持用容量と、該第2の増幅手段からのノイズ
    出力を保持するノイズ保持用容量とが接続されている撮
    像装置。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記スイッチ手段を第1のスイッチ手段、前記増幅手段を
    第1の増幅手段としたときに、 前記容量は前記増幅手段の出力側にクランプ容量として
    一方の端子が接続されるとともに、他方の端子に該他方
    の端子を一定の電位に設定するための第2のスイッチ手
    段が接続され、 前記容量の他方の端子は第2の増幅手段の入力側に接続
    され、該第2の増幅手段の出力側には、前記光電変換部
    からの信号に基づく該第2の増幅手段からの出力を保持
    する信号保持用容量と、該第2の増幅手段からのノイズ
    出力を保持するノイズ保持用容量とが接続され、 前記第1のスイッチ手段は複数の画素のうちの2以上の
    画素の、前記信号保持用容量間を共通に接続するスイッ
    チ手段と前記信号保持用容量間を共通に接続するスイッ
    チ手段とからなる撮像装置。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかの請求項に記載
    の撮像装置と、該撮像装置へ光を結像する光学系と、該
    撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有
    することを特徴とする撮像システム。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006211653A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Magnachip Semiconductor Ltd 隣接画素のセンシングノードを共有するcmosイメージセンサ
WO2008096434A1 (ja) * 2007-02-08 2008-08-14 Fujitsu Limited 信号読み出し方法、信号読み出し回路及びイメージセンサ
JP2008546313A (ja) * 2005-06-01 2008-12-18 イーストマン コダック カンパニー 選択的ビニング機構を備えたcmosイメージセンサの画素
JP2009141838A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Shimadzu Corp 撮像素子
JP2010199989A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Konica Minolta Business Technologies Inc 固体撮像素子およびそれを備えた撮像装置
WO2010103464A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-16 New Imaging Technologies Capteur matriciel a faible consommation
GB2474014A (en) * 2009-09-24 2011-04-06 Selex Sensors & Airborne Sys IR detector system and method
JP2012501578A (ja) * 2008-08-26 2012-01-19 オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド 電荷領域加算を有するイメージセンサ画素
WO2012073916A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Image capture apparatus
JP2014022824A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Canon Inc 撮像装置、撮像システム、及びそれらの駆動方法。
JP2015019366A (ja) * 2014-07-07 2015-01-29 キヤノン株式会社 放射線撮像装置
JP2015136119A (ja) * 2010-11-30 2015-07-27 富士フイルム株式会社 放射線検出素子及び放射線画像撮影装置
US9420208B2 (en) 2012-07-13 2016-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for image pickup apparatus and driving method for image pickup system
WO2017085848A1 (ja) * 2015-11-19 2017-05-26 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP2019212920A (ja) * 2011-07-15 2019-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ
JP2020092335A (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
US10819931B2 (en) 2018-03-29 2020-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, imaging system and mobile body
JP2020188441A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006211653A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Magnachip Semiconductor Ltd 隣接画素のセンシングノードを共有するcmosイメージセンサ
US8625017B2 (en) 2005-01-31 2014-01-07 Intellectual Ventures Ii Llc CMOS image sensor with shared sensing mode
US9728574B2 (en) 2005-01-31 2017-08-08 Asml Netherlands B.V. CMOS image sensor with shared sensing node
JP2008546313A (ja) * 2005-06-01 2008-12-18 イーストマン コダック カンパニー 選択的ビニング機構を備えたcmosイメージセンサの画素
WO2008096434A1 (ja) * 2007-02-08 2008-08-14 Fujitsu Limited 信号読み出し方法、信号読み出し回路及びイメージセンサ
US8120687B2 (en) 2007-02-08 2012-02-21 Fujitsu Limited Signal reading method, signal reading circuit, and image sensor
JP2009141838A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Shimadzu Corp 撮像素子
JP2012501578A (ja) * 2008-08-26 2012-01-19 オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド 電荷領域加算を有するイメージセンサ画素
JP2010199989A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Konica Minolta Business Technologies Inc 固体撮像素子およびそれを備えた撮像装置
US8487232B2 (en) 2009-02-25 2013-07-16 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Solid state image sensor adapted to remove noise
FR2943178A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-17 New Imaging Technologies Sas Capteur matriciel a faible consommation
JP2012520599A (ja) * 2009-03-13 2012-09-06 ニュー イメージング テクノロジーズ 低消費マトリックスセンサ
WO2010103464A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-16 New Imaging Technologies Capteur matriciel a faible consommation
KR101361743B1 (ko) * 2009-03-13 2014-02-21 뉴 이미징 테크놀로지스 저 소비 매트릭스 센서
US8884205B2 (en) 2009-03-13 2014-11-11 New Imaging Technologies Low consumption matrix sensor
GB2474014A (en) * 2009-09-24 2011-04-06 Selex Sensors & Airborne Sys IR detector system and method
US9060141B2 (en) 2009-09-24 2015-06-16 Selex Es Ltd IR detector system and method
GB2474014B (en) * 2009-09-24 2015-04-15 Selex Es Ltd IR detection system and method
JP2015136119A (ja) * 2010-11-30 2015-07-27 富士フイルム株式会社 放射線検出素子及び放射線画像撮影装置
US8928774B2 (en) 2010-12-03 2015-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Image capture apparatus
JP2012120127A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Canon Inc 撮像装置
WO2012073916A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Image capture apparatus
JP2019212920A (ja) * 2011-07-15 2019-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ
JP2021002673A (ja) * 2011-07-15 2021-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ
JP2014022824A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Canon Inc 撮像装置、撮像システム、及びそれらの駆動方法。
US9420208B2 (en) 2012-07-13 2016-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for image pickup apparatus and driving method for image pickup system
JP2015019366A (ja) * 2014-07-07 2015-01-29 キヤノン株式会社 放射線撮像装置
WO2017085848A1 (ja) * 2015-11-19 2017-05-26 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US10602088B2 (en) 2015-11-19 2020-03-24 Olympus Corporation Solid-state imaging device and imaging apparatus
JPWO2017085848A1 (ja) * 2015-11-19 2018-09-06 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US10819931B2 (en) 2018-03-29 2020-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, imaging system and mobile body
JP2020092335A (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
JP7281895B2 (ja) 2018-12-06 2023-05-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
US11997400B2 (en) 2018-12-06 2024-05-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and electronic apparatus
JP2020188441A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP7329963B2 (ja) 2019-05-17 2023-08-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US12052522B2 (en) 2019-05-17 2024-07-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus and electronic device

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