JP2000348972A

JP2000348972A - Ｌｃ複合部品

Info

Publication number: JP2000348972A
Application number: JP11160641A
Authority: JP
Inventors: Ken Takaoka; 建高岡
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-06-08
Filing date: 1999-06-08
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電体セラミック層を含むコンデンサ部分と
磁性体セラミック層を含むインダクタ部分とを一体焼成
して得られた部品本体を備えるＬＣ複合部品において、
焼成時に生じるコンデンサ部分とインダクタ部分との接
合界面での応力を緩和でき、クラックの発生や特性の劣
化のない、信頼性の高いＬＣ複合部品を提供する。【解決手段】誘電体セラミック層と磁性体セラミック
層とを９６０℃以下の温度で焼結可能とし、コンデンサ
部分２とインダクタ部分３との接合性を、誘電体セラミ
ック層および／または磁性体セラミック層に０．５〜９
０重量％の含有量をもって添加したガラスによって得る
ようにしながら、このガラスとして、結晶融解温度が６
００〜９００℃の結晶化ガラスを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、積層チップ型の
ＬＣ複合部品に関するもので、特に、コンデンサ部分と
インダクタ部分とを一体焼結させて得られるＬＣ複合部
品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、テレビジョン受像機、ビデオ
テープレコーダもしくはラジオ受信機等の入力用高周波
回路等において、あるいは、テレビゲーム機もしくはパ
ーソナルコンピュータ等におけるＥＭＩ除去用フィルタ
等の各種フィルタとして、インダクタとコンデンサとを
組み合わせて積層チップ型としたＬＣ複合部品が用いら
れている。

【０００３】このようなＬＣ複合部品は、磁性体グリー
ンシートおよび誘電体グリーンシートのそれぞれを積層
して得られる積層体、すなわちインダクタとなる磁性体
セラミック部分とコンデンサとなる誘電体セラミック部
分とを互いに重ね合わせた上で一体焼結させてなる部品
本体を備えている。

【０００４】しかしながら、種々ある誘電体セラミック
材料のうち、磁性体セラミック材料と直接に一体焼結し
得るものは限られている。それにも関わらず、ＬＣ複合
部品の需要者は、多様な用途に応えるため、あらゆる誘
電体セラミック材料が、ＬＣ複合部品における誘電体セ
ラミック部分において用いられ得ることを望んでいる。

【０００５】誘電体セラミック部分と磁性体セラミック
部分とを一体焼結させる技術を採用しながらも、上述の
要望に応えるためには、種類の異なる材料を組み合わせ
ても常に良好な接合が達成されるよう、焼結挙動および
拡散種を制御するとともに、一体焼結温度から常温に戻
す際等において接合界面に生じる応力を、誘電体セラミ
ックおよび磁性体セラミックの双方の破壊強度以下に制
御する必要がある。

【０００６】これに関して、興味ある技術として、特公
平８−８２０１号公報には、誘電体セラミックおよび／
または磁性体セラミックに、アルカリ土類酸化物を含有
するホウケイ酸ガラスを含有させて、誘電体セラミック
層と磁性体セラミック層との各々の線膨張率を互いに近
似させることが記載されている。この場合のガラスの添
加は、熱膨張係数の差によってもたらされる残留応力の
緩和を目的としている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、誘電
体セラミックおよび／または磁性体セラミックにホウケ
イ酸ガラスを添加することによって得ようとする効果
は、誘電体セラミックおよび磁性体セラミックの各熱膨
張係数とホウケイ酸ガラスの熱膨張係数とを合成するこ
とによって、コンデンサ部分とインダクタ部分との熱膨
張係数を制御しようとすることである。

【０００８】しかしながら、幅広い熱膨張係数に対応す
るには、ガラスの熱膨張係数を変化させる手法だけに頼
ることには無理ないしは限界がある。ホウケイ酸ガラス
の熱膨張係数を変化させるには、まず、ホウケイ酸ガラ
スの組成および組成比を変化させる必要がある。ホウケ
イ酸ガラスの組成および組成比を変化させると、ガラス
の物理的および化学的特性が変化し、その結果、コンデ
ンサ部分およびインダクタ部分の焼結性が変化する。こ
のため、熱膨張係数だけでなく、焼結温度までが変化し
ていまい、一体焼成したときには、かえって部品本体に
剥がれや反りなどの欠陥が生じやすくなってしまうこと
がある。

【０００９】また、コンデンサ部分とインダクタ部分と
の接合界面に生じ得る応力は、上述したようなコンデン
サ部分とインダクタ部分との熱膨張係数の差にのみ起因
するわけではない。ＢａＴｉＯ₃やＴｉＯ₂等の誘電体
セラミック材料とフェライト等の磁性体セラミック材料
とは、焼成時の収縮曲線、特に収縮開始温度が異なるた
め、各材料をそれぞれ含む層を積層して同時に焼成しよ
うとすると、焼成時の収縮差（収縮開始温度の差）が現
れる。この収縮開始温度の差によっても、コンデンサ部
分とインダクタ部分との接合界面に応力を生じさせるこ
とになり、これが原因となっても、部品本体に反りが生
じたり、コンデンサ部分とインダクタ部分と間の接合界
面で剥離が生じたりして、不良品を多発させている。

【００１０】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得るＬＣ複合部品を提供しようとすることであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体セラ
ミック層と電極層との積層構造を有するコンデンサ部分
と、磁性体セラミック層と電極層との積層構造を有する
インダクタ部分とを一体焼成して得られた部品本体を備
える、ＬＣ複合部品に向けられるものであって、上述し
た技術的課題を解決するため、次のような構成を採用し
たことを特徴としている。

【００１２】すなわち、この発明は、上述した技術的課
題を解決するため、誘電体セラミック層と磁性体セラミ
ック層との各々の熱膨張係数を互いに近似させる手段に
よるのではなく、むしろ、各々の焼成時の収縮開始温度
を互いに近似させる手段によることを特徴としていて、
より詳細には、誘電体セラミック層および磁性体セラミ
ック層は、ともに、９６０℃以下の温度で焼結が可能で
あり、誘電体セラミック層および磁性体セラミック層の
少なくとも一方に、誘電体セラミック層と磁性体セラミ
ック層との各々の焼成時の収縮開始温度を互いに近似さ
せるため、結晶融解温度が６００〜９００℃の結晶化ガ
ラスを含有させることを特徴としている。

【００１３】上述のように、誘電体セラミック層および
磁性体セラミック層が、ともに、９６０℃以下の温度で
焼結が可能であるとされたのは、ＬＣ複合部品の電極層
は、たとえば、金、銀または銅を主成分とする比抵抗の
低い金属をもって構成する必要があるが、このことを可
能にするためには、誘電体セラミック層および磁性体セ
ラミック層の双方が９６０℃以下の温度で焼成されなけ
ればならない、との理由による。

【００１４】また、誘電体セラミック層と磁性体セラミ
ック層との各々の焼成時の収縮開始温度を互いに近似さ
せるために添加される結晶化ガラスとして、結晶融解温
度が６００〜９００℃のものを用いるとされたのは、次
の理由による。

【００１５】まず、結晶融解温度が９００℃以下の結晶
化ガラスを用いることによって、前述したように、誘電
体セラミック層および磁性体セラミック層の双方が９６
０℃以下の温度で焼成されることが可能となる。他方、
結晶融解温度が６００℃未満の結晶化ガラスを用いる
と、電極層に含まれる金属材料が当該結晶化ガラス中に
拡散してしまい、それによって、誘電体セラミック層お
よび／または磁性体セラミック層において比抵抗の不所
望な増大を招き、そのため、ＬＣ複合部品の信頼性を低
下させる。したがって、添加される結晶化ガラスの結晶
融解温度は、６００〜９００℃でなければならない。

【００１６】なお、一般的に、固相反応接合では、たと
えば、約１０mm角の接合面を９００℃で接合しようとし
たとき、接合されるべき材料のヤング率やポアソン比に
よって若干の違いがあるが、熱膨張係数の差が０．５×
１０^-6／℃より大きくなると、接合界面にクラックが生
じやすいことがわかっている。これに関連して、この発
明において添加される結晶融解温度が６００〜９００℃
の結晶化ガラスは、コンデンサ部分とインダクタ部分と
の熱膨張係数の差が０．５×１０^-6／℃よりも大きくて
も、焼成後の残留応力を緩和して、これらコンデンサ部
分とインダクタ部分との接合界面でのクラックの発生を
抑制するようにも作用する。

【００１７】このような作用をより確実に働かせるよう
にするには、上述したような結晶融解温度が６００〜９
００℃の結晶化ガラスは、誘電体セラミック層および磁
性体セラミック層の少なくとも一方に０．５〜９０重量
％の含有量をもって含有されるのが好ましい。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１には、この発明の一実施形態
によるＬＣ複合部品１の外観が斜視図で示されている。
ＬＣ複合部品１は、コンデンサ部分２とインダクタ部分
３とを一体焼成して得られた部品本体４を備え、部品本
体４の端面上には、複数の外部電極５が形成されてい
る。

【００１９】詳細には図示しないが、コンデンサ部分２
は、誘電体セラミック層と電極層との積層構造を有し、
インダクタ部分３は、磁性体セラミック層と電極層との
積層構造を有している。

【００２０】上述した誘電体セラミック層および／また
は磁性体セラミック層には、誘電体セラミック層と磁性
体セラミック層との各々の焼成時の収縮開始温度を互い
に近似させるための結晶化ガラスが含有されている。

【００２１】このような構成のＬＣ複合部品１におい
て、コンデンサ部分２とインダクタ部分３との接合性
は、主に誘電体セラミック層および／または磁性体セラ
ミック層に添加された上述した結晶化ガラスによって得
ることができる。

【００２２】また、ＬＣ複合部品１のコンデンサ部分２
およびインダクタ部分３にそれぞれ備える電極層は、
金、銀または銅を主成分とする比抵抗の低い金属をもっ
て構成される。そのため、誘電体セラミック層および磁
性体セラミック層は、ともに、９６０℃以下の温度で焼
結可能である。

【００２３】また、このように９６０℃以下といった比
較的低い温度で誘電体セラミック層および磁性体セラミ
ック層の焼結を可能とすれば、コンデンサ部分２とイン
ダクタ部分３との間で熱膨張係数にある程度の差があっ
ても、焼成後の残留応力を緩和することができ、焼成後
の部品本体４にクラックを発生することを防止できる。
また、比較的低い温度での焼成は、電極層の金属材料の
拡散または蒸発を抑制する効果も期待でき、これによる
ＬＣ複合部品１の直流抵抗の増加や断線不良を生じにく
くすることができる。

【００２４】また、上述のように、誘電体セラミック層
および磁性体セラミック層の双方が９６０℃以下の温度
で焼成されることを可能にするため、誘電体セラミック
層および／または磁性体セラミック層に添加される結晶
化ガラスとしては、結晶融解温度が９００℃以下のもの
が用いられる。

【００２５】また、上述のように、結晶化ガラスは、結
晶融解温度が９００℃以下でなければならないと言って
も、結晶融解温度が６００℃未満であると、電極層に含
まれる金属材料が結晶化ガラス中に拡散してしまい、そ
れによって、誘電体セラミック層および／または磁性体
セラミック層の比抵抗の不所望な増大を招き、そのた
め、ＬＣ複合部品の信頼性を低下させるので、結晶融解
温度は、６００℃以上でなければならない。

【００２６】また、上述したような結晶融解温度が６０
０〜９００℃の範囲にある結晶化ガラスは、誘電体セラ
ミック層および／または磁性体セラミック層において、
０．５〜９０重量％の範囲で含有するように添加される
のが好ましい。このように、結晶化ガラスを０．５〜９
０重量％の範囲で含有するように添加することにより、
結晶化ガラスは、コンデンサ部分２とインダクタ部分３
との熱膨張係数の差による焼成後の残留応力を確実に緩
和するように作用して、コンデンサ部分２とインダクタ
部分３との熱膨張係数の差がたとえ０．５×１０^-6／℃
よりも大きくても接合界面にクラックが生じにくくする
ことができる。

【００２７】

【実施例１】誘電体セラミック材料として、ＢａＴｉＯ
₃系材料を用い、磁性体セラミック材料として、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｃｕフェライト材料を用いた。これらＢａＴｉＯ
₃系材料および／またはＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト材
料に添加するガラスとして、以下の表１に示すようなガ
ラスＡ〜Ｌを用意した。ここで、ガラスＡおよびＦ〜Ｋ
は、この発明の比較例として用意されたこの発明の範囲
外のものであり、より具体的には、ガラスＡ、Ｆ、Ｈお
よびＫは、結晶融解温度が６００〜９００℃の範囲から
外れ、また、ガラスＧ、ＩおよびＪは、結晶化されない
ものである。

【００２８】

【表１】

【００２９】次に、ＢａＴｉＯ₃系誘電体セラミック材
料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤ととも
に、ガラスＡ〜Ｌの各々を、表２に示す割合で添加し、
これらを混練して誘電体材料のスラリーを得た。また、
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト材料には、適当量のバイン
ダ、可塑剤および溶剤とともに、ガラスＡ〜ＦおよびＬ
の各々を、同じく表２に示す割合で添加し、これらを混
練して磁性体材料のスラリーを得た。

【００３０】このようにして得られた誘電体スラリーお
よび磁性体スラリーのそれぞれを、ドクターブレード法
により厚さ１００μｍ以下のシート状に成形した。成形
されたセラミックグリーンシートを縦１２mm、横１２mm
の寸法にカットし、誘電体グリーンシートには静電容量
取得のための内部電極パターンを、磁性体グリーンシー
トにはインダクタンス取得のためのコイル電極パターン
を、それぞれ、Ａｇペーストで印刷した。

【００３１】次いで、コンデンサ部分とインダクタ部分
とからなる部品本体を得るべく、誘電体グリーンシート
と磁性体グリーンシートとをそれぞれ積み重ね、この積
層体を３ｍｍの厚さになるようにプレスした。このと
き、コンデンサ部分の厚さとインダクタ部分の厚さとは
同等とした。

【００３２】このようにして得られた積層体を、次い
で、９６０℃以下の温度で２時間焼成し、部品本体を得
た。なお、焼成温度が９６０℃を超える場合には、部品
本体の内部の電極層に含まれるＡｇ（融点＝９６０℃）
が融解または蒸発してしまい、断線または比抵抗不良が
発生した。

【００３３】次いで、この部品本体の端面に外部電極を
付与した。この外部電極の付与にあたっては、Ａｇ粉末
にガラスフリットおよび有機ビヒクルを加えた導電性ペ
ーストを塗布し、８００℃で３０分間焼き付けることを
行なった。

【００３４】このようにして、図１に示すような外観を
有するＬＣ複合部品を得た。このＬＣ複合部品に関し
て、焼結性、ならびに、接合性、熱膨張係数差Δα（＝
α₂−α₁：α₁は誘電体セラミック材料の熱膨張係
数、α₂は磁性体セラミック材料の熱膨張係数）、収縮
開始温度差ΔＴ（＝｜Ｔ１−Ｔ２｜：Ｔ１は誘電体セラ
ミック材料の収縮開始温度、Ｔ２は磁性体セラミック材
料の収縮開始温度）、および接合界面でのクラックの有
無といった機械的特性、さらには、断線または直流抵抗
の不良率といった電気的特性をそれぞれ評価し、これら
を表２に併せて示した。

【００３５】

【表２】

【００３６】表２において、誘電体セラミック材料にの
みガラスを添加した試料１〜１２について参照すると、
試料２〜５および１２では、焼結性および接合性がとも
に良好（「○」）であり、また、クラックが「なし」
で、かつ、電気的特性についても良好（断線または直流
抵抗の不良率が「０％」）であった。

【００３７】これら試料２〜５および１２は、この発明
の範囲内にある、ガラスＢ〜ＥまたはＬを１８重量％添
加したものである。試料２〜５および１２では、誘電体
セラミック層と磁性体セラミック層との間での焼成時の
収縮開始温度差ΔＴが比較的小さくなっている。

【００３８】他方、結晶融解温度が９００℃を超えるガ
ラスＡ、ＦまたはＨを添加した試料１、６および８で
は、焼結性および接合性がそれほど良好でない
（「△」）か悪く（「×」）、特に、結晶融解温度が９
００℃を大幅に超えるガラスＦまたはＨを添加した試料
６および８では、コンデンサ部分とインダクタ部分との
接合界面にクラックが発生した。

【００３９】これら試料１、６および８では、誘電体セ
ラミック層と磁性体セラミック層との間での焼成時の収
縮開始温度差ΔＴが比較的大きくなっている。特に、試
料６および８では、収縮開始温度差ΔＴだけでなく、熱
膨張係数差Δαも比較的大きくなっているが、試料１で
は、熱膨張係数差Δαが試料２〜５および１２とほぼ同
等であるにも関わらず、収縮開始温度差ΔＴが比較的大
きくなっており、それほど良好な接合性が得られていな
い。

【００４０】このことから、誘電体セラミック層と磁性
体セラミック層との間で良好な接合性を得るためには、
誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との各々の熱
膨張係数を互いに近似させることよりは、むしろ、各々
の焼成時の収縮開始温度を互いに近似させることがより
重要であることがわかる。

【００４１】また、結晶融解温度が６００℃未満のガラ
スＫを添加した試料１１では、焼結性および接合性やク
ラック有無のような機械的特性は良好であったが、内部
の電極層のＡｇがガラス中へ拡散してしまい、直流抵抗
不良や断線不良が３０％の試料において発生した。

【００４２】このことから、ＬＣ複合部品の電気的特性
に関する信頼性を維持するためには、結晶融解温度が６
００℃以上のガラスを添加しなければならないことがわ
かる。

【００４３】また、結晶化しないガラスＧ、ＩまたはＪ
を添加した試料７、９および１０では、上述のガラスＫ
を添加した試料１１よりもさらに多量に内部の電極層の
Ａｇがガラス中へ拡散してしまい、直流抵抗不良や断線
不良が１００％の試料において発生した。また、これら
試料７、９および１０では、収縮開始温度差ΔＴも大き
い値を示した。

【００４４】この発明の範囲内にある試料２〜５および
１２における熱膨張係数差Δαは、この発明の範囲外に
ある試料１、７および９〜１１とほぼ同等で、０．５×
１０ ^-6／℃よりも大きい。それにも関わらず、この発明
の範囲内にある試料２〜５および１２が、前述のよう
に、良好な接合性が得られかつクラックも発生しなかっ
た。このことは、上述したような結晶融解温度が６００
〜９００℃の範囲にある結晶化ガラスが誘電体セラミッ
ク層において０．５〜９０重量％の範囲で含有するよう
に添加されたことによる焼成後の残留応力緩和の効果を
も実証するもので、結晶化ガラスはコンデンサ部分とイ
ンダクタ部分との熱膨張係数の差による焼成後の残留応
力を確実に緩和するようにも作用していることがわか
る。

【００４５】なお、表２の残りの部分において示すよう
に、以上のような傾向と同様の傾向が、磁性体セラミッ
ク材料にガラスを添加した試料１３〜２４においても現
れることが確認できた。

【００４６】

【実施例２】誘電体セラミック材料として、Ａｌ₂Ｏ₃
系材料を用いた。他方、磁性体セラミック材料として
は、実施例１と同様、、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト材
料を用いた。また、Ａｌ₂Ｏ₃系材料およびＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕフェライト材料にそれぞれ添加するガラスとして
は、前の表１に示すようなガラスＡ〜Ｌを用いた。

【００４７】次に、Ａｌ₂Ｏ₃系誘電体セラミック材料
には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤とともに、
ガラスＡ〜Ｌの各々を、表３に示す割合で添加し、これ
らを混練して誘電体材料のスラリーを得た。また、Ｎｉ
−Ｚｎ−Ｃｕフェライト材料には、適当量のバインダ、
可塑剤および溶剤とともに、ガラスＡ〜ＦおよびＬの各
々を、同じく表３に示す割合で添加し、これらを混練し
て磁性体材料のスラリーを得た。

【００４８】このようにして得られた誘電体スラリーお
よび磁性体スラリーをそれぞれ用いて、実施例１と同様
の手法により、内部電極パターンが印刷された誘電体グ
リーンシートおよびコイル電極パターンが印刷された磁
性体グリーンシートをそれぞれ作製し、これらグリーン
シートを積み重ね、プレスして、積層体を得た。

【００４９】次いで、この積層体を、９００℃の温度で
２時間焼成し、部品本体を得た。そして、この部品本体
の端面に、実施例１と同様、外部電極を付与して、図１
に示すような外観を有するＬＣ複合部品を得た。このＬ
Ｃ複合部品に関して、実施例１と同様、焼結性、ならび
に、接合性、熱膨張係数差Δα、収縮開始温度差ΔＴ、
および接合界面でのクラックの有無といった機械的特
性、さらには、断線または直流抵抗の不良率といった電
気的特性をそれぞれ評価し、これらを表３に併せて示し
た。

【００５０】

【表３】

【００５１】表３において、誘電体セラミック材料にの
みガラスを添加した試料２５〜３６について参照する
と、試料２６〜２９および３６では、焼結性および接合
性がともに良好（「○」）であり、また、クラックが
「なし」で、かつ、電気的特性についても良好（断線ま
たは直流抵抗の不良率が「０％」）であった。

【００５２】これら試料２６〜２９および３６は、この
発明の範囲内にある、ガラスＢ〜ＥまたはＬを１８重量
％添加したものである。試料２６〜２９および３６で
は、誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との間で
の収縮開始温度差ΔＴが比較的小さくなっている。

【００５３】他方、結晶融解温度が９００℃を超えるガ
ラスＡ、ＦまたはＨを添加した試料２５、３０および３
２では、焼結性および接合性がそれほど良好でない
（「△」）か悪く（「×」）、特に、結晶融解温度が９
００℃を大幅に超えるガラスＦまたはＨを添加した試料
３０および３２では、コンデンサ部分とインダクタ部分
との接合界面にクラックが発生した。

【００５４】これら試料２５、３０および３２では、誘
電体セラミック層と磁性体セラミック層との間での焼成
時の収縮開始温度差ΔＴが比較的大きくなっている。特
に、試料３０および３２では、収縮開始温度差ΔＴだけ
でなく、熱膨張係数差Δαも比較的大きくなっている
が、試料２５では、熱膨張係数差Δαが試料２６〜２９
および３６とほぼ同等であるにも関わらず、収縮開始温
度差ΔＴが比較的大きくなっており、それほど良好な接
合性が得られていない。

【００５５】このことから、誘電体セラミック層と磁性
体セラミック層との間で良好な接合性を得るためには、
誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との各々の熱
膨張係数を互いに近似させることよりは、むしろ、各々
の焼成時の収縮開始温度を互いに近似させることがより
重要であることがわかる。

【００５６】また、結晶融解温度が６００℃未満のガラ
スＫを添加した試料３５では、焼結性および接合性やク
ラック有無のような機械的特性は良好であったが、内部
の電極層のＡｇがガラス中へ拡散してしまい、直流抵抗
不良や断線不良が３０％の試料において発生した。

【００５７】このことから、ＬＣ複合部品の電気的特性
に関する信頼性を維持するためには、結晶融解温度が６
００℃以上のガラスを添加しなければならないことがわ
かる。

【００５８】また、結晶化しないガラスＧ、ＩまたはＪ
を添加した試料３１、３３および３４では、上述のガラ
スＫを添加した試料３５よりもさらに多量に内部の電極
層のＡｇがガラス中へ拡散してしまい、直流抵抗不良や
断線不良が１００％の試料において発生した。また、こ
れら試料３１、３３および３４では、収縮開始温度差Δ
Ｔも大きい値を示した。

【００５９】この発明の範囲内にある試料２６〜２９お
よび３６における熱膨張係数差Δαは、この発明の範囲
外にある試料２５、３１および３３〜３５とほぼ同等
で、０．５×１０^-6／℃よりも大きい。それにも関わら
ず、この発明の範囲内にある試料２６〜２９および３６
が、前述のように、良好な接合性が得られかつクラック
も発生しなかった。このことは、上述したような結晶融
解温度が６００〜９００℃の範囲にある結晶化ガラスが
誘電体セラミック層において０．５〜９０重量％の範囲
で含有するように添加されたことによる焼成後の残留応
力緩和の効果をも実証するもので、結晶化ガラスはコン
デンサ部分とインダクタ部分との熱膨張係数の差による
焼成後の残留応力を確実に緩和するようにも作用してい
ることがわかる。

【００６０】なお、表３の残りの部分において示すよう
に、以上のような傾向と同様の傾向が、磁性体セラミッ
ク材料にガラスを添加した試料３７〜４８においても現
れることが確認できた。

【００６１】

【発明の効果】以上のように、コンデンサ部分とインダ
クタ部分との一体焼結体からなる部品本体を備えるＬＣ
複合部品において、この発明によれば、コンデンサ部分
とインダクタ部分との接合性は、コンデンサ部分におけ
る誘電体セラミック層およびインダクタ部分における磁
性体セラミック層の少なくとも一方に添加されたガラス
によって得られ、このガラスは、結晶融解温度が６００
〜９００℃の結晶化ガラスであって、９６０℃以下の温
度で誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との双方
を焼結可能としながら、誘電体セラミック層と磁性体セ
ラミック層との焼成時における各収縮開始温度を互いに
近似させるように作用するので、コンデンサ部分とイン
ダクタ部分との間で熱膨張係数にある程度の差があって
も、焼成後の残留応力を緩和することができる。また、
同時焼成される内部の電極層中のたとえばＡｇの拡散ま
たは蒸発による直流抵抗の増加や断線不良を生じにくく
することができる。

【００６２】したがって、一体焼結状態を得るために組
み合わせることが可能な誘電体セラミック材料および磁
性体セラミック材料の幅が広がり、それゆえ、多種類の
複合化されたＬＣ複合部品を得ることがより容易にな
る。

【００６３】この発明において、誘電体セラミック層お
よび磁性体セラミック層の少なくとも一方における、上
述したような結晶融解温度が６００〜９００℃の結晶化
ガラスの含有量を０．５〜９０重量％とすれば、コンデ
ンサ部分とインダクタ部分とにおける焼成後の残留応力
を緩和する作用がより確実に働き、したがって、コンデ
ンサ部分とインダクタ部分との熱膨張係数の差がたとえ
０．５×１０^-6／℃よりも大きくても、これらコンデン
サ部分とインダクタ部分との接合界面でのクラックの発
生をより確実に抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態によるＬＣ複合部品１の
外観を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ＬＣ複合部品２コンデンサ部分３インダクタ部分４部品本体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体セラミック層と電極層との積層構
造を有するコンデンサ部分と、磁性体セラミック層と電
極層との積層構造を有するインダクタ部分とを一体焼成
して得られた部品本体を備える、ＬＣ複合部品であっ
て、前記誘電体セラミック層および前記磁性体セラミック層
は、ともに、９６０℃以下の温度で焼結可能であり、か
つ、前記誘電体セラミック層および前記磁性体セラミック層
の少なくとも一方には、前記誘電体セラミック層と前記
磁性体セラミック層との各々の焼成時の収縮開始温度を
互いに近似させるため、結晶融解温度が６００〜９００
℃の結晶化ガラスが含有されていることを特徴とする、
ＬＣ複合部品。
【請求項２】前記結晶化ガラスは、前記誘電体セラミ
ック層および前記磁性体セラミック層の少なくとも一方
に０．５〜９０重量％含有していることを特徴とする、
請求項１に記載のＬＣ複合部品。