JP2010098023A - セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 - Google Patents
セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010098023A JP2010098023A JP2008265983A JP2008265983A JP2010098023A JP 2010098023 A JP2010098023 A JP 2010098023A JP 2008265983 A JP2008265983 A JP 2008265983A JP 2008265983 A JP2008265983 A JP 2008265983A JP 2010098023 A JP2010098023 A JP 2010098023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- electronic component
- ceramic electronic
- intermediate layer
- external electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】セラミックス電子部品の周波数特性の劣化を抑制する。
【解決手段】セラミックスからなる複数の誘電体層9を積層して形成された誘電体10と、複数の誘電体層9間に形成された内部電極11と、誘電体10の表面に形成された外部電極12と、外部電極12の表面に形成されたメッキ13と、外部電極12と誘電体10との界面に配置されたBi、Cd、Cu、Vのうちいずれか一つの元素を主成分とする中間層14とを備え、誘電体層9は、中間層14の主成分となる元素を含むことを特徴とする。上記構成により、焼成工程において、中間層14を構成する元素が誘電体10の内部に拡散することを抑制し、中間層14の層厚を十分に得ることができる。その結果、セラミックス電子部品8をメッキ液に浸漬する際、メッキ液が、セラミックス電子部品8の内部に侵入することを防止し、セラミックス電子部品8の周波数特性の劣化を抑制するのである。
【選択図】図1
【解決手段】セラミックスからなる複数の誘電体層9を積層して形成された誘電体10と、複数の誘電体層9間に形成された内部電極11と、誘電体10の表面に形成された外部電極12と、外部電極12の表面に形成されたメッキ13と、外部電極12と誘電体10との界面に配置されたBi、Cd、Cu、Vのうちいずれか一つの元素を主成分とする中間層14とを備え、誘電体層9は、中間層14の主成分となる元素を含むことを特徴とする。上記構成により、焼成工程において、中間層14を構成する元素が誘電体10の内部に拡散することを抑制し、中間層14の層厚を十分に得ることができる。その結果、セラミックス電子部品8をメッキ液に浸漬する際、メッキ液が、セラミックス電子部品8の内部に侵入することを防止し、セラミックス電子部品8の周波数特性の劣化を抑制するのである。
【選択図】図1
Description
本発明は、各種電子機器に用いられるセラミックス電子部品とこれを用いた電子機器に関する。
従来から、携帯通信用や近距離無線通信用の高周波モジュールにセラミックス電子部品が搭載されている。図3に従来のセラミックス電子部品の構成を示す。
図3において、従来のセラミックス電子部品1は、セラミックスからなる複数の誘電体層2を積層して形成された誘電体3と、複数の誘電体層2間に形成された内部電極4と、誘電体3の外面に形成された外部電極5と、外部電極5の外面に形成されたメッキ6と、外部電極5と誘電体3との界面に形成されたBiを含む中間層7とを備える。
この中間層7により、製造工程において外部電極5と誘電体3との界面にメッキ液が侵入することを防止していた。
なお、この出願に関する先行技術文献としては、例えば、特許文献1、または特許文献2が知られている。
特開2000−40635号公報
特開平5−144317号公報
しかしながら、このような従来のセラミックス電子部品1の焼成工程において、中間層7を構成するBiが誘電体3の内部に拡散してしまい、中間層7の層厚が十分に得られないという課題があった。この為、セラミックス電子部品1をメッキ液に浸漬した際、メッキ液が、セラミックス電子部品1の内部に侵入し、セラミックス電子部品1の周波数特性が劣化するという問題があった。
そこで本発明は、セラミックス電子部品の周波数特性の劣化を抑制することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のセラミックス電子部品は、セラミックスからなる複数の誘電体層を積層して形成された誘電体と、複数の誘電体層間に形成された内部電極と、内部電極に電気的に接続されると共に誘電体の外面に形成された外部電極と、外部電極の外面に形成されたメッキと、外部電極と前記誘電体との界面に形成されたBi、Cd、Cu、Vのうちいずれか一つの元素を主成分とする中間層とを備え、誘電体層は、中間層の主成分となる元素を含むことを特徴とする。
上記構成により、本発明のセラミックス電子部品は、焼成工程において、中間層を構成する元素が誘電体の内部に拡散することを抑制し、中間層の層厚を十分に得ることができる。その結果、セラミックス電子部品をメッキ液に浸漬した際、メッキ液が、セラミックス電子部品の内部に侵入することを防止し、セラミックス電子部品の周波数特性の劣化を抑制するのである。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1のセラミックス電子部品について、図面を用いて説明する。図1は、実施の形態1のセラミックス電子部品の断面模式図である。
以下、実施の形態1のセラミックス電子部品について、図面を用いて説明する。図1は、実施の形態1のセラミックス電子部品の断面模式図である。
図1において、セラミックス電子部品8は、セラミックスからなる複数の誘電体層9を積層して形成された誘電体10と、複数の誘電体層9間に形成された内部電極11と、内部電極11に電気的に接続されると共に誘電体10の表面に形成された外部電極12と、外部電極12の表面に形成されたメッキ13と、外部電極12と誘電体10との界面に形成されたBi等を含む中間層14とを備える。
尚、このセラミックス電子部品8を搭載した電子機器は、外部電極12に接続されて復調機能やデコード機能等を有する半導体集積回路(図示せず)と、この半導体集積回路に接続されたスピーカ、液晶画面等の再生部(図示せず)を備える。
誘電体10は、ガラスセラミックスなど1000℃までの低温で焼結できる材質から成るが、ガラスセラミックス以外のセラミックス材料でも構わない。ガラスセラミックスは、低温で焼結が可能で、内部電極11としてAgやCuなどの高周波特性の優れた金属を用いることができるという長所がある。また、ビアや配線パターンなどの内部電極11により、共振器、コンデンサ、インダクタなどの機能部品が誘電体10の内部に三次元的に構成される。さらに、この機能部品は、外部電極12により外部に接続される。この誘電体10は、一般的に、均一な組成のものを用いるが、一部の層に他の層より誘電率の高いものや透磁率の大きいものを用いても良い。
外部電極12は、半田を用いてマザーボード(図示せず)に電気的に接続される。この外部電極12の材料として、例えば、AgやCuといった低抵抗導体を用いる。外部電極12がAgやCuの場合、外部電極12の半田喰われ(電極材の半田への溶出)を防止するために、外部電極12の表面にメッキ13が形成される。
このメッキ13は、例えば、外部電極12の外面に半田喰われ防止の為に形成されたNi層と、このNi層の外面に半田濡れ性向上の為に形成されたAu層、又はSn層を有する。また、メッキ13は、Ni層とAu層との間にNi層とAu層の界面密着性を向上させる為に形成されたPd層を有しても良い。
中間層14は、Bi、Cd、Cu、Vのうちいずれか一つの元素を主成分とし、メッキ浸漬工程において外部電極12と誘電体10との界面にメッキ液が侵入することを抑制する。即ち、誘電体10と外部電極12の界面近傍では、誘電体10と外部電極12との焼成収縮挙動の違いや熱膨張係数の差異から生じる残留応力が内在する為、中間層14がなければ、誘電体10と外部電極12の界面近傍がメッキ液に侵食され、フィルタ通過帯域が大きくシフトし、所定のフィルタ特性が得られなくなってしまう。そこで、外部電極12と誘電体10との界面に中間層14を形成することにより、外部電極12と誘電体10の界面の密着性を良好に保つことができ、メッキ浸漬工程におけるメッキ液の侵入から生じるフィルタ特性の悪化を防止することができるのである。
上記のような中間層14を形成する手法としては、焼成過程で導体金属粉末の焼結に伴い、界面に排出され、酸化物として偏析するような、液相生成成分(例えば、B、P、As、Sb、Bi、Sn、Pb、Cd、Cu、またはVなどの酸化物)をあらかじめ導体ペースト中に均質に含有させておく手法が一般的であるが、導体ペースト塗布前に、上記液相生成成分を主原料とするペーストを塗布しておくことでも形成可能である。また誘電体10となるガラスセラミックスの焼成時に、本来の緻密化温度よりも若干高い温度で焼成する(過焼成する)ことにより、ガラスセラミックス中の液相生成成分を外部電極12となる導体と誘電体10の界面に偏析させることでも形成することができる。
さらに、上記のセラミックス電子部品8は、誘電体層9が中間層14主成分となる元素を含むことを特徴とする。例えば、中間層14が、Biを主成分としている場合、誘電体層9は、Biを含む。
上記構成により、本実施の形態1のセラミックス電子部品8は、焼成工程において、中間層14を構成する元素が誘電体10の内部に拡散することを抑制し、中間層14の層厚を十分に得ることができる。その結果、セラミックス電子部品8をメッキ液に浸漬する際、メッキ液が、セラミックス電子部品8の内部に侵入することを防止し、セラミックス電子部品8の周波数特性の劣化を抑制するのである。なお、この中間層は膜厚0.1μm以上の均質層として、極力連続的に形成されていることがより望ましいが、非連続的、部分的に中間層が形成されていても、セラミックス電子部品をメッキ液に浸漬した際、メッキ液の部品内部への侵入を有効に阻止できるものである。
また、中間層14は、中間層14の主成分となる元素の酸化物を含むことが望ましい。例えば、中間層14の主成分がBiの場合、中間層14はBi2O3を含む。このように、結晶質である酸化物を含むことにより、セラミックス電子部品8をメッキ液に浸漬する際、誘電体10と中間層9との界面において耐薬性が向上するのである。
尚、外部電極12は、実質的にガラス成分を含まないことが望ましい。これにより、中間層14に外部電極12からガラス成分が析出しないので、セラミックス電子部品8をメッキ液に浸漬する際、誘電体10と中間層14との界面において耐薬性が向上するのである。
以下、本実施の形態1のセラミックス電子部品8の比較実験について説明する。
誘電体層9を構成する第1成分であるガラスセラミックス作製の原料として、高純度(99重量%)のBaCO3、Nd2O3、TiO2、およびBi2O3を用いる。ガラスセラミックスの組成をxBaO−yNd2O3−zTiO2−wBi2O3で(x+y+z+w=100、x、y、z、wは各々モル比)で表した場合、12≦x≦16、12≦y≦16、65≦z≦69、2≦w≦5の組成範囲であることが好ましい。なお、ここでは希土類としてNd2O3を使用したが、La2O3、Sm2O3等、他の希土類酸化物を使用してもよい。またNdの一部を他の希土類元素で置換することも可能である。上記粉末と純水とを、ボールミル中で18時間混合後、スラリーを乾燥し、アルミナ坩堝中、1200〜1400℃で2時間仮焼した。この仮焼粉末を解砕した後、ボールミルで粉砕、乾燥させ、第1成分の粉末とした。更に、比較としてxBaO−yNd2O3−zTiO2(x+y+z=100、x、y、z、は各々モル比、13≦x≦17、13≦y≦17、68≦z≦72)の仮焼粉末も、上記同様の手法にて作製した。
次に第2成分として上記仮焼粉末に添加する助剤成分について述べる。上記仮焼粉末に、ガラスおよび酸化物の焼結助剤粉末を添加、混合することで、1000℃以下の低温域で焼結可能なガラスセラミックス粉末を得た。その混合比率を、(表1)に示す。添加したガラス粉末は、SiO2−B2O3−RO−La2O3系ガラス(Rはアルカリ土類金属)であり、SiO2が33〜46重量%、B2O3が2〜8重量%、RO(特にはBaO)が20〜40重量%、La2O3が8〜12重量%の組成であることが好ましい。上記以外にAl2O3、ZnO、アルカリ金属酸化物等を含有してもよい。ガラス組成を上記範囲にすることにより、焼成中に結晶化し、中間層14としてBaSi2O5等の結晶相が析出し易くなり、焼成後の材料のQ値が高くなるのみならず、La含有により高温でのガラス融液の流動性が高まり、液相焼結が促進される効果がある。なお、ここでは一例として上記ガラス組成系を示したが、これ以外の組成系のガラス粉末であっても、類似の効果が得られるものであれば使用可能である。
上記第1成分、第2成分よりなる混合粉砕粉末にポリビニルブチラールやアクリル樹脂等のバインダ、ジブチルフタレート等の可塑剤、および有機溶剤を加えて、混合、分散してスラリーとし、ドクターブレード法やダイコーティング法等によりPETフィルム等のベースフィルム上に前記スラリーを塗布することで誘電体層9となるセラミックスグリーンシートを作製した。上記セラミックスグリーンシート上にAgペーストをスクリーン印刷して所望の電極パターンを形成し、これらを所望枚数積層、熱圧着することで内層もしくは表層に内部電極11となる電極パターンを有するグリーンシート積層体を得た。この積層体を切断により個片化し、これを900〜940℃で焼成することによって、焼成後寸法が横2.0mm、縦1.25mm、厚み0.8mmのセラミックス積層体を形成した。この両端部にローラー転写等の手法を用いて、Agペーストを塗布し、更に850〜920℃で焼成することにより、外部電極12を形成し、セラミックス積層部品を得た。その際使用したAgペースト中の無機粉末の混合比率を(表2)に示す。なお、このセラミックス電子部品8は、内部電極11からなるストリップラインを相互に電磁界結合させることでバンドパスフィルタとして機能するものである。
上記セラミックス積層部品の周波数特性をネットワークアナライザーを用いて測定し、2.40〜2.55GHz帯における挿入損失が2.75dB以下の部品を選別した。その選別した部品より、無作為に3〜5個を抽出し、これらを硬化樹脂中に埋め込み、断面鏡面研磨した後、SEMにて外部電極12と誘電体10との界面を高倍観察した。その界面において、0.2μm以上の中間層14が形成されている部位があるか否かを判別した結果を、(表3)に示す。
上記の選別した部品500〜600個に電解メッキ処理を施すことにより、外部電極12上に、順にNi層、Sn層とからなる2層のメッキ13を形成した。その後、メッキ13の形成済の部品全数について、周波数特性を再度測定し、上述と同様、所定周波数帯における挿入損失が2.75dB以下の部品を選別し、所定周波数特性を満たさない(挿入損失が2.75GHzを上回る)不良品の数量から、不良率(=不良品数/測定全数)を算出した。その結果を(表3)に併せて示す。尚、(表3)におけるガラスセラミックスNo(ナンバー)のサンプルは、誘電体層9として(表1)のNo(ナンバー)のガラスセラミックスを用い、(表3)におけるペーストNo(ナンバー)のサンプルは、外部電極12として(表2)のNo(ナンバー)のペースト材料を用いた。
(表3)よりBi、Cuといった液相生成成分を外部電極12用Agペーストに添加した場合において、特に誘電体層9に外部電極12の液相生成成分と同一元素が含有されていれば、メッキ処理を施した後に顕著な不良率低減効果が見られることがわかる。これは、焼成工程において、中間層14を構成する元素の誘電体10の内部への拡散が効果的に抑制され、中間層14の層厚を十分に得ることができるためである。なお、(表3)のNo.9〜12のサンプルは中間層が形成されているにもかかわらず、メッキ後の不良率において、良好な結果が得られていないが、これは形成された中間層が主にガラス成分よりなるため、界面の耐薬性が劣ることによるものと思われる。(表3)のNo.1のサンプルの外部電極近傍のSEM写真を図2に示すが、界面に十分に中間層14が形成されていることがわかる。その結果として、セラミックス電子部品8のメッキ後の周波数特性の劣化を抑制できたものと考えられる。
本発明にかかるセラミックス電子部品は、周波数特性の劣化が抑制されるという効果を有し、携帯電話等の電子機器において有用である。
8 セラミックス電子部品
9 誘電体層
10 誘電体
11 内部電極
12 外部電極
13 メッキ
14 中間層
9 誘電体層
10 誘電体
11 内部電極
12 外部電極
13 メッキ
14 中間層
Claims (5)
- セラミックスからなる複数の誘電体層を積層して形成された誘電体と、
前記複数の誘電体層間に形成された内部電極と、
前記内部電極に電気的に接続されると共に前記誘電体の外面に形成された外部電極と、
前記外部電極の外面に形成されたメッキと、
前記外部電極と前記誘電体との界面に形成されてBi、Cd、Cu、Vのうちいずれか一つの元素を主成分とする中間層とを備え、
前記誘電体層は、前記中間層の主成分となる元素を含むセラミックス電子部品。 - 前記中間層は、前記中間層の主成分となる元素の酸化物を含む請求項1に記載のセラミックス電子部品。
- 前記外部電極は、実質的にガラス成分を含まない請求項1に記載のセラミックス電子部品。
- 前記中間層の主成分となる元素がBiの場合、
前記誘電体は、BaO−Nd2O3−TiO2−Bi2O3系セラミックスからなる請求項1に記載のセラミックス電子部品。 - 請求項1に記載のセラミックス電子部品と、
前記セラミックス電子部品に接続された半導体集積回路と、
前記半導体集積回路に接続された再生部とを備えた電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008265983A JP2010098023A (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008265983A JP2010098023A (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010098023A true JP2010098023A (ja) | 2010-04-30 |
Family
ID=42259520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008265983A Pending JP2010098023A (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010098023A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022712A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
WO2023248562A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びに回路基板 |
-
2008
- 2008-10-15 JP JP2008265983A patent/JP2010098023A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022712A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
WO2023248562A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びに回路基板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011040604A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2010123647A (ja) | セラミックス電子部品、及びこれを用いた電子機器 | |
CN109076709B (zh) | 多层陶瓷基板 | |
JP4802039B2 (ja) | セラミックス組成物及び積層セラミック回路装置 | |
JPH1095686A (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
US8231961B2 (en) | Low temperature co-fired ceramic material, low temperature co-fired ceramic body, and multilayer ceramic substrate | |
JP2010098023A (ja) | セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 | |
JP2008204980A (ja) | 多層セラミック基板とその製造方法 | |
JP2006013219A (ja) | チップ型電子部品およびその製法 | |
JP5780035B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JP4844317B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2006120779A (ja) | 多層基板及びその製造方法 | |
JP4442135B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2945529B2 (ja) | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3981270B2 (ja) | 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板、並びに、多層基板の製造方法 | |
JP2005285968A (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP2008030995A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに多層セラミック基板作製用複合グリーンシート | |
JP2006273676A (ja) | セラミック組成物 | |
JP2010109133A (ja) | セラミックス電子部品、及びこれを用いた電子機器 | |
JP2006093484A (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP2020015635A (ja) | セラミックス組成物及び当該セラミックス組成物を用いた電子部品 | |
JP4419487B2 (ja) | 酸化物磁器組成物、セラミック多層基板およびセラミック電子部品 | |
JP2005335986A (ja) | セラミック原料組成物、セラミック基板およびその製造方法 | |
JP2006056762A (ja) | セラミック原料組成物、セラミック基板およびその製造方法 | |
JP2010114341A (ja) | セラミックス電子部品とこれを用いた電子機器 |