JP2000339637A - 磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲ素子／ＧＭＲ素子の再生ギャップの絶縁
耐圧を損なうことがなく、耐圧歩留の良いＭＲヘッド／
ＧＭＲヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 ＭＲ素子／ＧＭＲ素子のリード上に引き
出し導体を形成する前に行うリード表面の酸化物層を除
去するためのイオンミリングを、中間シールドのシード
膜をギャップ層上に形成した後に行う。
耐圧を損なうことがなく、耐圧歩留の良いＭＲヘッド／
ＧＭＲヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 ＭＲ素子／ＧＭＲ素子のリード上に引き
出し導体を形成する前に行うリード表面の酸化物層を除
去するためのイオンミリングを、中間シールドのシード
膜をギャップ層上に形成した後に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置な
どの薄膜磁気ヘッドなどで、磁気ディスク上の情報を再
生するのに用いられる磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッドある
いは巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）ヘッドの製造方法に関
し、特に薄膜リードへの導電性スタッドあるいは中間シ
ールドなどの導体の形成に関するものである。
どの薄膜磁気ヘッドなどで、磁気ディスク上の情報を再
生するのに用いられる磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッドある
いは巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）ヘッドの製造方法に関
し、特に薄膜リードへの導電性スタッドあるいは中間シ
ールドなどの導体の形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧＭＲヘッドはＭＲヘッドに比して高記
録密度の磁気記録に対応できるものであるが、本発明は
ＧＭＲヘッドとＭＲヘッドの両方に同様に適用できるの
で、以下の説明ではＧＭＲヘッドあるいはＧＭＲ素子
（層）等として説明する。
録密度の磁気記録に対応できるものであるが、本発明は
ＧＭＲヘッドとＭＲヘッドの両方に同様に適用できるの
で、以下の説明ではＧＭＲヘッドあるいはＧＭＲ素子
（層）等として説明する。
【０００３】ＧＭＲヘッドのＧＭＲ素子はよく知られて
いるように、２層の強磁性膜が銅などの非磁性体膜を介
して積層されており、その一方の強磁性体膜の一面に反
強磁性体膜を積層することによってその強磁性体膜の磁
化方向を固定あるいはピン止している。他方の強磁性体
膜の磁化は外部磁界によって方向が変わるいわゆる自由
状態となっており、磁気ディスク上の情報をＧＭＲヘッ
ドで読むときに、磁気ディスク上の情報によってこの強
磁性体膜の磁化の方向が変えられる。両強磁性体膜の磁
化が平行であるか、反平行であるかによって、その間に
挟まれている非磁性体膜の電気抵抗が大きく変わるの
で、磁気情報を電気情報に変換することができる。
いるように、２層の強磁性膜が銅などの非磁性体膜を介
して積層されており、その一方の強磁性体膜の一面に反
強磁性体膜を積層することによってその強磁性体膜の磁
化方向を固定あるいはピン止している。他方の強磁性体
膜の磁化は外部磁界によって方向が変わるいわゆる自由
状態となっており、磁気ディスク上の情報をＧＭＲヘッ
ドで読むときに、磁気ディスク上の情報によってこの強
磁性体膜の磁化の方向が変えられる。両強磁性体膜の磁
化が平行であるか、反平行であるかによって、その間に
挟まれている非磁性体膜の電気抵抗が大きく変わるの
で、磁気情報を電気情報に変換することができる。
【０００４】ＧＭＲヘッドでは、２枚のシールド膜の間
にＧＭＲ素子が挟まれていて、各シールド膜とＧＭＲ素
子の間にはアルミナなどでできた再生用磁気ギャップ層
が設けられている。またＧＭＲ素子の両端からは磁気検
出用電流をＧＭＲ素子に供給するために、リードが設け
られていて、各々のリードはスタッドなどと呼ばれる導
体部分を介してＧＭＲヘッドの外部端子に導かれてい
る。
にＧＭＲ素子が挟まれていて、各シールド膜とＧＭＲ素
子の間にはアルミナなどでできた再生用磁気ギャップ層
が設けられている。またＧＭＲ素子の両端からは磁気検
出用電流をＧＭＲ素子に供給するために、リードが設け
られていて、各々のリードはスタッドなどと呼ばれる導
体部分を介してＧＭＲヘッドの外部端子に導かれてい
る。
【０００５】ＧＭＲヘッドは記録再生分離型薄膜磁気ヘ
ッドの再生部分として用いられることが多く、磁気ヘッ
ドスライダーとなっている基板の上にＧＭＲヘッドが形
成され、その上に記録用の誘導ヘッドが積層されて形成
されているのが一般である。そのような構造の場合、基
板上に形成されたアルミナなどの上に、上記シールド膜
のうち一方（「下部シールド」と呼ぶ）が形成されてい
て、その上に再生用磁気ギャップ層（「第一のギャップ
層」と呼ぶ）、ＧＭＲ層、再生用磁気ギャップ層（「第
二のギャップ層」と呼ぶ）、他方のシールド膜（「中間
シールド」と呼ぶ）が順次積層された構造をしている。
ＧＭＲ層の両端にはリードが形成されており、リードか
ら上で述べた導体が引き出されている。
ッドの再生部分として用いられることが多く、磁気ヘッ
ドスライダーとなっている基板の上にＧＭＲヘッドが形
成され、その上に記録用の誘導ヘッドが積層されて形成
されているのが一般である。そのような構造の場合、基
板上に形成されたアルミナなどの上に、上記シールド膜
のうち一方（「下部シールド」と呼ぶ）が形成されてい
て、その上に再生用磁気ギャップ層（「第一のギャップ
層」と呼ぶ）、ＧＭＲ層、再生用磁気ギャップ層（「第
二のギャップ層」と呼ぶ）、他方のシールド膜（「中間
シールド」と呼ぶ）が順次積層された構造をしている。
ＧＭＲ層の両端にはリードが形成されており、リードか
ら上で述べた導体が引き出されている。
【０００６】ＧＭＲヘッドの製造プロセスを図７〜９に
平面図で、図１０には図７〜９の１０−１０断面図で示
している。図７〜１０を参照しながらＧＭＲヘッドの製
造プロセスを説明する。アルミナチタンカーバイドなど
からなる基板上に形成されたアルミナなどの絶縁膜上に
下部シールドとなる軟磁性体膜、第一の絶縁補強膜、第
一のギャップ層が形成された上に、一様にＧＭＲ素子と
なるＧＭＲ層の４層膜が形成されている。
平面図で、図１０には図７〜９の１０−１０断面図で示
している。図７〜１０を参照しながらＧＭＲヘッドの製
造プロセスを説明する。アルミナチタンカーバイドなど
からなる基板上に形成されたアルミナなどの絶縁膜上に
下部シールドとなる軟磁性体膜、第一の絶縁補強膜、第
一のギャップ層が形成された上に、一様にＧＭＲ素子と
なるＧＭＲ層の４層膜が形成されている。
【０００７】ＧＭＲの４層膜上に、フォトレジスト膜を
付けて、ＧＭＲ素子となる部分に続いているリードを形
成する個所にあるフォトレジストを露光し、続いて現像
および水洗処理を施してリードの形状が抜けたレジスト
とする。この上からイオンミリングをしてリード部分の
ＧＭＲ層を除去した後、そこにリードとなる導電体金属
材料をスパッタリングして、リード第一層を形成する。
この状態が図７の（ａ）であり、ＧＭＲ層１０のなかに
リード第一層２１が形成されている。その１０−１０断
面図は図１０の（Ａ）にあるように、ＧＭＲ素子１１を
残すべき部分にはＧＭＲ層１０があり、薄膜リード部分
にはリード第一層２１となっていて、リード第一層２１
の終わったところには、ＧＭＲ層１０が残っている。
付けて、ＧＭＲ素子となる部分に続いているリードを形
成する個所にあるフォトレジストを露光し、続いて現像
および水洗処理を施してリードの形状が抜けたレジスト
とする。この上からイオンミリングをしてリード部分の
ＧＭＲ層を除去した後、そこにリードとなる導電体金属
材料をスパッタリングして、リード第一層を形成する。
この状態が図７の（ａ）であり、ＧＭＲ層１０のなかに
リード第一層２１が形成されている。その１０−１０断
面図は図１０の（Ａ）にあるように、ＧＭＲ素子１１を
残すべき部分にはＧＭＲ層１０があり、薄膜リード部分
にはリード第一層２１となっていて、リード第一層２１
の終わったところには、ＧＭＲ層１０が残っている。
【０００８】ＧＭＲ素子１１の部分とリード第一層２１
にレジストを形成し、イオンミリングして外周部のＧＭ
Ｒ層１０を除去して、除去した部分に保護アルミナ層３
１を形成しレジストを除去した状態が図７の（ｂ）であ
り、その１０−１０断面図が図１０の（Ｂ）である。
にレジストを形成し、イオンミリングして外周部のＧＭ
Ｒ層１０を除去して、除去した部分に保護アルミナ層３
１を形成しレジストを除去した状態が図７の（ｂ）であ
り、その１０−１０断面図が図１０の（Ｂ）である。
【０００９】薄膜リードのリード第二層２２をリード第
一層２１の上に形成したものが図８の（ａ）に平面図、
その１０−１０断面図が図１０の（Ｃ）である。薄膜リ
ードのリード第二層２２の上で導体を形成する部分２３
とＧＭＲ素子の上とにレジストを残して全面にアルミナ
などの第二の絶縁補強膜４１を形成し、リード第二層２
２に導体を形成する部分２３とＧＭＲ素子の近くとに窓
４２、４３を形成した状態が図８の（ｂ）であり、その
１０−１０断面図が図１０の（Ｄ）である。
一層２１の上に形成したものが図８の（ａ）に平面図、
その１０−１０断面図が図１０の（Ｃ）である。薄膜リ
ードのリード第二層２２の上で導体を形成する部分２３
とＧＭＲ素子の上とにレジストを残して全面にアルミナ
などの第二の絶縁補強膜４１を形成し、リード第二層２
２に導体を形成する部分２３とＧＭＲ素子の近くとに窓
４２、４３を形成した状態が図８の（ｂ）であり、その
１０−１０断面図が図１０の（Ｄ）である。
【００１０】通常はこの上に第二のギャップ層が形成さ
れるので、リード第二層２２に導体を形成する部分２３
にレジストを形成し、その上に第二のギャップ層５１と
なるアルミナなどをスパッタリングして、リード第二層
２２に導体を形成する窓４２を残して、全面に第二のギ
ャップ層５１を付ける。この平面図が図９の（ａ）であ
り、その１０−１０断面図が図１０の（Ｅ）である。こ
のときすでにリード第二層２２の上部は酸化されていて
酸化物層２４となっている。
れるので、リード第二層２２に導体を形成する部分２３
にレジストを形成し、その上に第二のギャップ層５１と
なるアルミナなどをスパッタリングして、リード第二層
２２に導体を形成する窓４２を残して、全面に第二のギ
ャップ層５１を付ける。この平面図が図９の（ａ）であ
り、その１０−１０断面図が図１０の（Ｅ）である。こ
のときすでにリード第二層２２の上部は酸化されていて
酸化物層２４となっている。
【００１１】この上に中間シールドとなる軟磁性体膜を
形成する。中間シールド形成のときに、導体のスタッド
部分も一緒に形成するが、スタッド部分はリード第二層
の表面にできた酸化物層の上に形成すると、抵抗が数１
０〜数１００オームと大きくなるので、第二のギャップ
層５１の上からイオンミリングして酸化物層２４を図１
０の（Ｆ）に断面で示しているように除去する。その上
でシード膜６０をスパッタリングして形成し、その上に
中間シールド部分とスタッド部分（リード第二層に導体
を接続する部分）とを除いてレジストを形成して、中間
シールド６５とスタッド部分６６をメッキでシード膜上
に成長させた上で、レジストを除去するとともに、中間
シールドとスタッド部分以外のシード膜をイオンミリン
グで除いて、図９の（ｂ）や図１０の（Ｇ）に示すよう
に、中間シールドまでのプロセスを完成する。
形成する。中間シールド形成のときに、導体のスタッド
部分も一緒に形成するが、スタッド部分はリード第二層
の表面にできた酸化物層の上に形成すると、抵抗が数１
０〜数１００オームと大きくなるので、第二のギャップ
層５１の上からイオンミリングして酸化物層２４を図１
０の（Ｆ）に断面で示しているように除去する。その上
でシード膜６０をスパッタリングして形成し、その上に
中間シールド部分とスタッド部分（リード第二層に導体
を接続する部分）とを除いてレジストを形成して、中間
シールド６５とスタッド部分６６をメッキでシード膜上
に成長させた上で、レジストを除去するとともに、中間
シールドとスタッド部分以外のシード膜をイオンミリン
グで除いて、図９の（ｂ）や図１０の（Ｇ）に示すよう
に、中間シールドまでのプロセスを完成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたＧＭＲヘッ
ドの製造プロセスは一般的なものであるが、薄膜リード
のリード第二層２２の表面の酸化物層２４をイオンミリ
ングして除去するときに、図１０の（Ｆ）に断面図で示
しているように、第二のギャップ層５１の肩の部分（矢
印のところ）のミリング速度が早いために、第二のギャ
ップ層５１の厚さが薄くなってしまう。この後に中間シ
ールド６５を形成しているので、中間シールドとリード
第一層２１の間の絶縁耐圧が不足するという問題があっ
た。
ドの製造プロセスは一般的なものであるが、薄膜リード
のリード第二層２２の表面の酸化物層２４をイオンミリ
ングして除去するときに、図１０の（Ｆ）に断面図で示
しているように、第二のギャップ層５１の肩の部分（矢
印のところ）のミリング速度が早いために、第二のギャ
ップ層５１の厚さが薄くなってしまう。この後に中間シ
ールド６５を形成しているので、中間シールドとリード
第一層２１の間の絶縁耐圧が不足するという問題があっ
た。
【００１３】そこで本発明はギャップ層の絶縁耐圧が大
きく、耐圧歩留の良いＧＭＲヘッドおよびＭＲヘッドの
製造方法を提供することを目的としている。
きく、耐圧歩留の良いＧＭＲヘッドおよびＭＲヘッドの
製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果ヘ
ッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法は、下部シー
ルド上に第一のギャップ層を介して磁気抵抗効果層ある
いは巨大磁気抵抗効果層と薄膜リードを形成し、それら
の上に第二のギャップ層を形成した上で、中間シールド
を形成する磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造において、第二のギャップ層上に金属保護膜を
形成した上で、薄膜リード表面の酸化物層を除去するこ
とを特徴とする。ここで、金属保護膜は中間シールドの
シード膜とすることが好ましい。
ッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法は、下部シー
ルド上に第一のギャップ層を介して磁気抵抗効果層ある
いは巨大磁気抵抗効果層と薄膜リードを形成し、それら
の上に第二のギャップ層を形成した上で、中間シールド
を形成する磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造において、第二のギャップ層上に金属保護膜を
形成した上で、薄膜リード表面の酸化物層を除去するこ
とを特徴とする。ここで、金属保護膜は中間シールドの
シード膜とすることが好ましい。
【００１５】上記本発明の磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法において、第二のギャップ
層上に、中間シールドのシード第一膜を形成した上で、
薄膜リード上の導体を形成する部分で、第二のギャップ
層とシード第一膜をイオンミリングで除去した上で薄膜
リード上の当該部分の酸化物層を除去し、その上にシー
ド第二膜を形成し、中間シールドを形成することができ
る。
気抵抗効果ヘッドの製造方法において、第二のギャップ
層上に、中間シールドのシード第一膜を形成した上で、
薄膜リード上の導体を形成する部分で、第二のギャップ
層とシード第一膜をイオンミリングで除去した上で薄膜
リード上の当該部分の酸化物層を除去し、その上にシー
ド第二膜を形成し、中間シールドを形成することができ
る。
【００１６】また本発明の磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法において、薄膜リード上の
導体を形成する部分に窓ができるように第二のギャップ
層を形成し、同じ部分に窓ができるようにシード第一膜
を形成した上で、その窓部の薄膜リード上の酸化物層を
除去した上で、その上にシード第二膜を形成し、中間シ
ールドを形成することが好ましい。
気抵抗効果ヘッドの製造方法において、薄膜リード上の
導体を形成する部分に窓ができるように第二のギャップ
層を形成し、同じ部分に窓ができるようにシード第一膜
を形成した上で、その窓部の薄膜リード上の酸化物層を
除去した上で、その上にシード第二膜を形成し、中間シ
ールドを形成することが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の磁気抵抗効果ヘッド／巨
大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の実施態様を、図面を
参照しながら以下詳細に説明する。図１、２は本発明の
第一の実施態様によるＭＲヘッド／ＧＭＲヘッドの製造
方法を説明する平面図で、図３は図１、２の３−３断面
図である。図４，５は本発明の他の実施態様によるＭＲ
ヘッド／ＧＭＲヘッドの製造方法を説明する平面図で、
図６は図４，５の６−６断面図である。これらの図面お
よび一般の製造方法を説明している図７〜９の平面図、
図１０の断面図で共通部分は同じ参照符号を用いて示し
ている。
大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の実施態様を、図面を
参照しながら以下詳細に説明する。図１、２は本発明の
第一の実施態様によるＭＲヘッド／ＧＭＲヘッドの製造
方法を説明する平面図で、図３は図１、２の３−３断面
図である。図４，５は本発明の他の実施態様によるＭＲ
ヘッド／ＧＭＲヘッドの製造方法を説明する平面図で、
図６は図４，５の６−６断面図である。これらの図面お
よび一般の製造方法を説明している図７〜９の平面図、
図１０の断面図で共通部分は同じ参照符号を用いて示し
ている。
【００１８】本発明の第一の実施態様によるＭＲヘッド
／ＧＭＲヘッドの製造方法を示している図１の（ａ）、
図３の（Ａ）は、リード第二層２２をリード第一層２１
の上に形成した上に、リード第二層２２の上で導体を形
成する部分２３とＧＭＲ素子１１の上とにレジストを残
して全面にアルミナなどの第二の絶縁補強膜４１を形成
し、リード第二層２２の上で導体を形成する部分２３と
ＧＭＲ素子１１の近くとに窓４２、４３を形成したもの
であり、図８の（ｂ）、図１０の（Ｄ）と同じ状態を示
しているものである。ここまでの製造プロセスは一般の
製造方法と同じである。
／ＧＭＲヘッドの製造方法を示している図１の（ａ）、
図３の（Ａ）は、リード第二層２２をリード第一層２１
の上に形成した上に、リード第二層２２の上で導体を形
成する部分２３とＧＭＲ素子１１の上とにレジストを残
して全面にアルミナなどの第二の絶縁補強膜４１を形成
し、リード第二層２２の上で導体を形成する部分２３と
ＧＭＲ素子１１の近くとに窓４２、４３を形成したもの
であり、図８の（ｂ）、図１０の（Ｄ）と同じ状態を示
しているものである。ここまでの製造プロセスは一般の
製造方法と同じである。
【００１９】図１の（ｂ）および図３の（Ｂ）にあるよ
うに、この上に第二のギャップ層５１をアルミナなどを
スパッタリングして形成し、その上に中間シールドのシ
ード第一膜６１を形成している。リード第一層２２の上
で導体を形成する部分２３に作ってあった窓４２および
ＧＭＲ素子の周辺にある窓４３にも、第二のギャップ層
５１とシード第一膜６１が積層される。次にリード第二
層２２の上で導体を形成する部分の窓４２のところを除
いてレジストを付けて、この部分をイオンミリングして
シード第一膜６１と第二のギャップ層５１とを除去す
る。この部分に、リード第二層２２が現われる（図３の
（Ｃ）参照）。
うに、この上に第二のギャップ層５１をアルミナなどを
スパッタリングして形成し、その上に中間シールドのシ
ード第一膜６１を形成している。リード第一層２２の上
で導体を形成する部分２３に作ってあった窓４２および
ＧＭＲ素子の周辺にある窓４３にも、第二のギャップ層
５１とシード第一膜６１が積層される。次にリード第二
層２２の上で導体を形成する部分の窓４２のところを除
いてレジストを付けて、この部分をイオンミリングして
シード第一膜６１と第二のギャップ層５１とを除去す
る。この部分に、リード第二層２２が現われる（図３の
（Ｃ）参照）。
【００２０】次に、シード第二膜６２を全面にスパッタ
リングして形成する。このスパッタリングの前に、スパ
ッター装置内でイオンミリングをかけて、リード第二層
２２上の酸化物層２４を除去する。その後、その上に中
間シールド部分と導体を形成する部分（リード第二層に
導体を接続する部分）とを除いてレジストを形成して、
中間シールド６５と導体６６をシード膜上に成長させた
（図３の（Ｄ）参照）上で、レジストを除去するととも
に、中間シールドと導体部分以外のシード膜をイオンミ
リングで除いて、図２の（ａ）や図３の（Ｅ）のよう
に、中間シールドまでのプロセスを完成する。この上に
通常のようにアルミナなどをスパッタリングしてケミカ
ルメカニカル研磨をして平坦化し、誘導ヘッドをその上
に形成する。
リングして形成する。このスパッタリングの前に、スパ
ッター装置内でイオンミリングをかけて、リード第二層
２２上の酸化物層２４を除去する。その後、その上に中
間シールド部分と導体を形成する部分（リード第二層に
導体を接続する部分）とを除いてレジストを形成して、
中間シールド６５と導体６６をシード膜上に成長させた
（図３の（Ｄ）参照）上で、レジストを除去するととも
に、中間シールドと導体部分以外のシード膜をイオンミ
リングで除いて、図２の（ａ）や図３の（Ｅ）のよう
に、中間シールドまでのプロセスを完成する。この上に
通常のようにアルミナなどをスパッタリングしてケミカ
ルメカニカル研磨をして平坦化し、誘導ヘッドをその上
に形成する。
【００２１】ここで説明したように、この実施態様によ
ればリード第二層上の酸化物層を除去するためのイオン
ミリングを、シード第一膜を付けた後に行っているの
で、ＧＭＲ素子上の第二のギャップ層がこのイオンミリ
ングで損なわれることがなく、ギャップ部分の絶縁耐圧
の大きなものとすることができる。
ればリード第二層上の酸化物層を除去するためのイオン
ミリングを、シード第一膜を付けた後に行っているの
で、ＧＭＲ素子上の第二のギャップ層がこのイオンミリ
ングで損なわれることがなく、ギャップ部分の絶縁耐圧
の大きなものとすることができる。
【００２２】本発明の他の実施態様によるＭＲヘッド／
ＧＭＲヘッドの製造方法を示している図４の（ａ）、図
６の（Ａ）は、図８の（ｂ）、図１０の（Ｄ）と同じ状
態を示したもので、ここまでの製造プロセスは一般の製
造方法および第一の実施態様と同じである。
ＧＭＲヘッドの製造方法を示している図４の（ａ）、図
６の（Ａ）は、図８の（ｂ）、図１０の（Ｄ）と同じ状
態を示したもので、ここまでの製造プロセスは一般の製
造方法および第一の実施態様と同じである。
【００２３】図４の（ｂ）、図６の（Ｂ）にあるよう
に、リード第二層２２の上で導体を形成する部分に作っ
てあった窓４２のところにレジストを残して、第二のギ
ャップ層５１をスパッタリングで形成し、レジストを除
去して、レジスト部分の第二のギャップ層をリフトオフ
して窓を付ける。次に図５の（ａ）、図６の（Ｃ）にあ
るようにシード第一膜６１を上の窓４２を除いてスパッ
タリングして、シード第一膜６１を第二のギャップ層５
１の上に形成する。第二のギャップ層５１の窓のところ
でシード第一膜６１は、リード第二層２２の上にも接続
されているように形成される。
に、リード第二層２２の上で導体を形成する部分に作っ
てあった窓４２のところにレジストを残して、第二のギ
ャップ層５１をスパッタリングで形成し、レジストを除
去して、レジスト部分の第二のギャップ層をリフトオフ
して窓を付ける。次に図５の（ａ）、図６の（Ｃ）にあ
るようにシード第一膜６１を上の窓４２を除いてスパッ
タリングして、シード第一膜６１を第二のギャップ層５
１の上に形成する。第二のギャップ層５１の窓のところ
でシード第一膜６１は、リード第二層２２の上にも接続
されているように形成される。
【００２４】次に、第一の実施態様と同じ様に、シード
第二膜６２を全面にスパッタリング形成する前に、スパ
ッター装置内でイオンミリングをかけて、リード第二層
２２上の酸化物層２４を除去する。その後、その上に中
間シールド部分と導体を形成する部分（リード第二層に
導体を接続する部分）とを除いてレジストを形成して、
中間シールド６５と導体６６をシード膜上に成長させた
（図６の（Ｄ）（Ｅ）参照）上で、上と同様にその後の
プロセスを続けてＧＭＲヘッドを完成する。
第二膜６２を全面にスパッタリング形成する前に、スパ
ッター装置内でイオンミリングをかけて、リード第二層
２２上の酸化物層２４を除去する。その後、その上に中
間シールド部分と導体を形成する部分（リード第二層に
導体を接続する部分）とを除いてレジストを形成して、
中間シールド６５と導体６６をシード膜上に成長させた
（図６の（Ｄ）（Ｅ）参照）上で、上と同様にその後の
プロセスを続けてＧＭＲヘッドを完成する。
【００２５】他の実施態様によるものも、リード第二層
上の酸化物層を除去するためのイオンミリングをシード
第一膜を付けた後に行っているので、ＧＭＲ素子上の第
二のギャップ層がこのイオンミリングで損なわれること
がない。更に、他の実施態様によれば、シード第一膜が
リード第二層と接続されているので、リード第二層上の
酸化物層を除去するためのイオンミリングのときに、シ
ード第一膜とリード第二層間とに電位差が生じる恐れが
ない。
上の酸化物層を除去するためのイオンミリングをシード
第一膜を付けた後に行っているので、ＧＭＲ素子上の第
二のギャップ層がこのイオンミリングで損なわれること
がない。更に、他の実施態様によれば、シード第一膜が
リード第二層と接続されているので、リード第二層上の
酸化物層を除去するためのイオンミリングのときに、シ
ード第一膜とリード第二層間とに電位差が生じる恐れが
ない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＭＲヘッド
／ＧＭＲヘッドの製造方法によれば、リード上に導体を
形成する前に行う、リード表面の酸化物層を除去するた
めのイオンミリングを、金属保護膜好ましくは中間シー
ルドのシード膜をギャップ層上に形成した後に行ってい
るので、このイオンミリングによってギャップ層が損な
われることがなく、得られたＭＲヘッド／ＧＭＲヘッド
のギャップ層の絶縁耐圧の大きなものとなる。ひいては
絶縁耐圧歩留の良い製造方法となる。
／ＧＭＲヘッドの製造方法によれば、リード上に導体を
形成する前に行う、リード表面の酸化物層を除去するた
めのイオンミリングを、金属保護膜好ましくは中間シー
ルドのシード膜をギャップ層上に形成した後に行ってい
るので、このイオンミリングによってギャップ層が損な
われることがなく、得られたＭＲヘッド／ＧＭＲヘッド
のギャップ層の絶縁耐圧の大きなものとなる。ひいては
絶縁耐圧歩留の良い製造方法となる。
【図１】本発明の第一の実施態様によるＭＲヘッド／Ｇ
ＭＲヘッドの製造方法を説明する平面図である。
ＭＲヘッドの製造方法を説明する平面図である。
【図２】本発明の第一の実施態様によるＭＲヘッド／Ｇ
ＭＲヘッドの製造方法を図１から続いて説明する平面図
である。
ＭＲヘッドの製造方法を図１から続いて説明する平面図
である。
【図３】図１、２の３−３断面図である。
【図４】本発明の他の実施態様によるＭＲヘッド／ＧＭ
Ｒヘッドの製造方法を説明する平面図である。
Ｒヘッドの製造方法を説明する平面図である。
【図５】本発明の他の実施態様によるＭＲヘッド／ＧＭ
Ｒヘッドの製造方法を図４から続いて説明する平面図で
ある。
Ｒヘッドの製造方法を図４から続いて説明する平面図で
ある。
【図６】図４，５の６−６断面図である。
【図７】一般のＭＲヘッド／ＧＭＲヘッドの製造方法を
説明する平面図である。
説明する平面図である。
【図８】一般のＭＲヘッド／ＧＭＲヘッドの製造方法を
図７から続いて説明する平面図である。
図７から続いて説明する平面図である。
【図９】一般のＭＲヘッド／ＧＭＲヘッドの製造方法を
図７、８から続いて説明する平面図である。
図７、８から続いて説明する平面図である。
【図１０】図７〜９の１０−１０断面図である。
１０ ＧＭＲ層 １１ ＧＭＲ素子 ２１ リード第一層 ２２ リード第二層 ２３ 導体を形成する部分 ２４ 酸化物層 ３１ 保護アルミナ層 ４１ 第二の絶縁補強膜 ４２、４３ 窓 ５１ 第二のギャップ層 ６０ シード膜 ６１ シード第一膜 ６２ シード第二膜 ６５ 中間シールド ６６ スタッド部分（導体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 美馬 宏行 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 (72)発明者 藤井 重男 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 (72)発明者 武藤 賢二 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 (72)発明者 高橋 秀治 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 (72)発明者 富谷 忠史 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA09 BA17 BA21 BB08 DA07
Claims (4)
- 【請求項１】 下部シールド上に第一のギャップ層を介
して磁気抵抗効果層あるいは巨大磁気抵抗効果層と薄膜
リードを形成し、それらの上に第二のギャップ層を形成
した上で、中間シールドを形成する磁気抵抗効果ヘッド
／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造において、 第二のギャップ層上に金属保護膜を形成した上で、薄膜
リード表面の酸化物層を除去することを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記金属保護膜は中間シールドのシード
膜であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 第二のギャップ層上に、中間シールドの
シード第一膜を形成した上で、薄膜リード上の導体を形
成する部分で、第二のギャップ層とシード第一膜をイオ
ンミリングで除去した上で薄膜リード上の当該部分の酸
化物層を除去し、その上にシード第二膜を形成し、中間
シールドを形成することを特徴とする請求項２記載の磁
気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方
法。 - 【請求項４】 薄膜リード上の導体を形成する部分に窓
ができるように第二のギャップ層を形成し、同じ部分に
窓ができるようにシード第一膜を形成した上で、その窓
部の薄膜リード上の酸化物層を除去した上で、その上に
シード第二膜を形成し、中間シールドを形成することを
特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153213A JP2000339637A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153213A JP2000339637A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339637A true JP2000339637A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15557531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11153213A Pending JP2000339637A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 磁気抵抗効果ヘッド／巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000339637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008120320A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Limited | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法ならびに磁気記録装置 |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP11153213A patent/JP2000339637A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008120320A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Limited | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法ならびに磁気記録装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040205 |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040225 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040310 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050228 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050502 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |