JP2000335974A - 高周波透過体およびその製造方法 - Google Patents

高周波透過体およびその製造方法

Info

Publication number
JP2000335974A
JP2000335974A JP11151482A JP15148299A JP2000335974A JP 2000335974 A JP2000335974 A JP 2000335974A JP 11151482 A JP11151482 A JP 11151482A JP 15148299 A JP15148299 A JP 15148299A JP 2000335974 A JP2000335974 A JP 2000335974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
ppm
less
aluminum
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11151482A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3739028B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Fujita
光広 藤田
Yoshiaki Kobayashi
慶朗 小林
Shinichiro Aonuma
伸一朗 青沼
Shigeko Muramatsu
滋子 村松
Yukio Sato
幸夫 佐藤
Noriaki Kashiwaguma
憲章 柏熊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP15148299A priority Critical patent/JP3739028B2/ja
Publication of JP2000335974A publication Critical patent/JP2000335974A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3739028B2 publication Critical patent/JP3739028B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波を良好に透過し、熱衝撃による破損を
防止した高周波透過体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化アルミニウム結晶相を主体とする窒
化アルミニウム焼結体により形成されており、珪素含有
量が200ppm以下であり、誘電損失(tanδ)が
1×10-2以下である高周波透過体とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマエッチング装置等に用いられるマイクロ
波透過窓等を構成する窒化アルミニウム焼結体により形
成された高周波透過体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体製造工程において、電子サ
イクロトロン共鳴(ElectronCyclotro
n Resonance:以下ECRと省略する)を用
いたECRプラズマエッチング装置やECR気相成長装
置等が広く使用されている。これらの装置では高周波
(周波数が数MHz〜数十GHzのもの)が使用され、
例えばECRプラズマエッチング装置ではマイクロ波透
過窓を通して装置内部にマイクロ波を照射し、装置内の
ガス分子にプラズマを発生させる。このような高周波透
過体は高周波を良好に透過すること、つまり、誘電損失
が小さいことが要求されている。誘電損失が大きけれ
ば、装置内部に所定の高周波を照射することができない
のみならず、誘電損失は温度上昇に伴い増大するため、
高周波エネルギーの吸収による発熱に起因する更なる誘
電損失の増大や、熱衝撃による破損が生じる恐れがあっ
た。かかる不具合を解消し耐プラズマ性を高めるため
に、平均結晶粒子径が3μm以上であり、Si含有量が
1000ppm以下の窒化アルミニウム焼結体により形
成した耐プラズマ部材が提案されている(特開平10―
275524号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、平均結
晶粒径を3μm以上の3〜7μmとし、珪素含有量を1
000ppm以下の385ppmとした窒化アルミニウ
ム焼結体を作製し、レゾネータ法により共振周波数2.
45GHz、室温で誘電損失(tanδ)を測定したと
ころ、1×10-2を上回る値となり、誘電損失が非常に
大きくなった。また、マイクロ波エネルギーの吸収によ
る発熱に起因する更なる誘電損失の増大や、熱衝撃によ
る破損が生じた。
【0004】そこで、本発明は高周波を良好に透過し、
高周波エネルギーの吸収に起因する熱衝撃による破損を
防止した高周波透過体およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意研究した結果、窒化アルミニウム結晶
相を主体とする窒化アルミニウム焼結体により形成され
た高周波透過体に含まれる珪素は、比較的容易に窒化ア
ルミニウム結晶内に固溶し、その結果、窒化アルミニウ
ム結晶格子には歪みが導入され、印加される交流電場に
対する誘電分極のスイッチングが妨げられ、誘電損失が
増大することを知見し、本発明に至った。即ち、本発明
は、窒化アルミニウム結晶相を主体とする窒化アルミニ
ウム焼結体により形成された高周波透過体であって、珪
素含有量が200ppm以下であり、誘電損失(tan
δ)が1×10-2以下であることを特徴とする。前記窒
化アルミニウム結晶相内に存在する酸素量は10000
ppm以下であることが望ましい。また、高周波透過体
の熱伝導率は100W/mK以上であることが望まし
く、前記窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒子径が3
〜7μmであることが望ましい。
【0006】更に、高周波透過体が希土類酸化物相を含
有する場合には、前記窒化アルミニウム結晶相に対して
外率で10重量%以下含有していることが望ましく、前
記希土類酸化物相が2Y23・Al23を含む酸化イッ
トリウムアルミニウム相であり、かつ、X線回折分析に
よる2Y23・Al23の最強ピーク高さを100とし
た時、2Y23・Al23以外の酸化イットリウムアル
ミニウム相の最強ピーク高さの合計が200以下である
ことが望ましい。一方、高周波透過体の製造方法は、窒
化アルミニウム粉末を非酸化性雰囲気において1600
〜2000℃の温度で加圧焼成する窒化アルミニウム焼
結体により形成された高周波透過体の製造方法におい
て、前記窒化アルミニウム粉末に含まれる珪素量を30
0ppm以下とし、焼成により余剰の珪素を揮発させる
ことにより高周波透過体の珪素含有量を200ppm以
下とすることを特徴とし、高周波透過体の別の製造方法
は窒化アルミニウム粉末を成形し、成形体を脱脂し、脱
脂体を非酸化性雰囲気において1600〜2000℃の
温度で焼成する窒化アルミニウム焼結体により形成され
た高周波透過体の製造方法において、前記脱脂体に含ま
れる珪素量を300ppm以下とし、焼成により余剰の
珪素を揮発させることにより高周波透過体の珪素含有量
を200ppm以下とすることを特徴とする。
【0007】前記成形体又は脱脂体を脱脂温度以下で珪
素腐食性ガス含有雰囲気下に曝すことによって、前記脱
脂体に含まれる珪素量を300ppm以下としてもよ
い。また、窒化アルミニウム粉末に希土類化合物粉末を
焼成によって生成する希土類酸化物相が窒化アルミニウ
ム結晶相に対して外率で0.5〜10重量%となるよう
に添加することが望ましい。更に、前記希土類化合物粉
末としてアルミニウム及び酸素と反応して酸化イットリ
ウムアルミニウムを生成するイットリウム化合物粉末を
用い、前記脱脂体の窒化アルミニウム粉末に存在する酸
素量を酸化アルミニウム量に換算し、その酸化アルミニ
ウム換算量のアルミニウム元素に対して、イットリウム
元素が外率で60〜200mol%となるように、窒化
アルミニウム粉末に対して前記イットリウム化合物粉末
を添加することが望ましい。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の高周波透過体お
よびその製造方法を詳細に説明する。本発明の高周波透
過体は窒化アルミニウム結晶相を主体とする窒化アルミ
ニウム焼結体により形成されており、珪素含有量が20
0ppm以下であり、誘電損失(tanδ)を1×10
-2以下とするものである。窒化アルミニウム焼結体によ
り形成された高周波透過体に含まれる珪素量が200p
pmを越えると、誘電損失(tanδ)が著しく増大
し、1×10-2を越えてしまい、マイクロ波透過窓等の
高周波透過体としての使用が困難となるだけでなく、高
周波エネルギーの吸収による発熱に起因する熱衝撃によ
り、破損が生じる恐れがある。高周波透過体に含まれる
珪素量を100ppm以下とすると、誘電損失(tan
δ)を1×10-4〜1×10-3まで低減させることがで
き、好ましい。高周波透過体に含まれる珪素量は数pp
m程度まで低減させることができる。尚、本発明におけ
る誘電損失(tanδ)は、レゾネータ法により共振周
波数2.45GHz、室温で測定したものである。
【0009】窒化アルミニウム結晶相内に存在する酸素
量を10000ppm以下とすることにより、更に誘電
損失を低減させることができると共に熱伝導率を向上さ
せることができる。窒化アルミニウム結晶相内に存在す
る酸素量は好ましくは6000ppm以下とし、より好
ましくは5000ppm以下とする。窒化アルミニウム
結晶相内に存在する酸素量は500ppm程度まで低減
させることができる。尚、窒化アルミニウム結晶相内に
存在する酸素量は、窒化アルミニウム焼結体全体の酸素
量から、窒化アルミニウム焼結体の粒界成分の酸素量を
差し引くことによって求められる。具体的には、窒化ア
ルミニウム焼結体をX線回折分析によって同定し、粒界
成分の組成を確認する。例えば、粒界成分が3Y23
5Al 23であったとする。次いで、誘導結合プラズマ
(以下ICPと省略する)発光分光分析によりイットリ
ウム元素量を定量し、粒界成分の酸素量を算出する。窒
化アルミニウム焼結体全体の酸素量を赤外線吸収法によ
り求め、先に求めた粒界成分の酸素量を差し引くことに
より求めることができる。ここで、赤外線吸収法とは、
カーボン容器にサンプルを収納し、加熱することにより
発生したCOの赤外線吸収スペクトル強度を測定するこ
とにより酸素量を求める方法である。
【0010】高周波透過体の熱伝導率を100W/mK
以上とすることにより、高周波エネルギーの吸収による
発熱に起因する熱衝撃による破損を防止することができ
る。好ましい熱伝導率は150W/mK以上である。
尚、本発明における熱伝導率は室温(20℃±2℃)で
測定したものである。高周波透過体を形成する窒化アル
ミニウム焼結体の平均結晶粒子径は3〜7μmであるこ
とが好ましい。窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒子
径を3μm以上とすることにより、誘電損失をより低減
させることができる。一方、7μmを越えると、強度が
低下し、耐熱衝撃性が低下する。尚、本発明における平
均結晶粒子径はJeffries法により測定したもの
である。高周波透過体を後述する希土類化合物粉末を焼
結助剤として添加する方法により製造した場合、焼成時
に生成された希土類酸化物は、長時間焼成を行い揮発除
去することも可能であるが、通常、粒界成分として残存
することとなる。
【0011】高周波透過体を形成する窒化アルミニウム
焼結体に含まれる希土類酸化物相が窒化アルミニウム結
晶相に対して外率で10重量%を越えると、希土類酸化
物相が窒化アルミニウム焼結体中で3次元的なネットワ
ークを形成するようになり、フォノン伝導を阻害するた
め、熱伝導率が低下するおそれがある。好ましくは5重
量%以下、より好ましくは3重量%以下とする。前記希
土類酸化物相は、例えば3Y23・5Al23(以下Y
AGと省略する)、2Y23・Al23(以下YAMと
省略する)、Y23・Al23(以下YAPと省略す
る)等からなる酸化イットリウムアルミニウム相とする
ことができる。前記希土類酸化物相がYAMを含む酸化
イットリウムアルミニウム相であり、かつ、X線回折分
析によるYAMの最強ピーク高さを100とした時、Y
AM以外の酸化イットリウムアルミニウム相、つまりY
AGやYAP等の最強ピーク高さの合計が200以下で
あると、理由は明らかではないが、誘電損失をより低減
させることができ、更に、熱伝導率を150W/mK以
上に向上させることができ、好ましい。YAMを含む酸
化イットリウムアルミニウム相は、X線回折分析による
YAMの最強ピーク高さを100とした時、YAM以外
の結晶相の最強ピーク高さの合計が150以下となるこ
とが好ましく、より好ましくは100以下とする。高周
波透過体に含まれるアルミニウム、窒素、珪素、酸素及
び希土類元素以外の不純物量は100ppm以下である
ことが好ましい。高周波透過体を形成する窒化アルミニ
ウム焼結体の相対密度は98%以上が好ましく、より好
ましくは99%以上とする。
【0012】次に本発明の高周波透過体の製造方法につ
いて説明する。通常、窒化アルミニウム焼結体は窒化ア
ルミニウム粉末若しくはその造粒粉を型に入れ、加圧焼
成を行うか、窒化アルミニウム粉末を成形し、成形体を
脱脂し、得られた脱脂体を加圧焼成、常圧焼成もしくは
減圧焼成することによって得られる。脱脂体を作製せず
に窒化アルミニウム粉末若しくはその造粒粉を加圧焼成
する場合は、窒化アルミニウム粉末に含まれる珪素量を
300ppm以下とすることにより、焼成時に余剰の珪
素を揮発させ、高周波透過体の珪素含有量を200pp
m以下とすることができる。窒化アルミニウム粉末に含
まれる珪素量が300ppmを越えると、長時間焼成を
行って珪素を揮発させようとしても、得られる高周波透
過体の珪素含有量を200ppm以下とすることは困難
である。
【0013】また、珪素を300ppm含有する窒化ア
ルミニウム粉末を焼成により、珪素含有量200ppm
以下の焼結体とするためには、数十時間、通常20時間
程度の焼成が必要となる。そのため、窒化アルミニウム
粉末に含まれる珪素含有量を200ppm以下とし、余
剰の珪素をなるべく含有させないことが好ましい。一
方、窒化アルミニウム粉末を成形し、成形体を脱脂し、
得られた脱脂体を焼成する場合は、この脱脂体に含まれ
る珪素量を300ppm以下とすることにより、焼成時
に余剰の珪素を揮発させ、高周波透過体の珪素含有量を
200ppm以下とすることができる。脱脂体に含まれ
る珪素量が300ppmを越えると、長時間焼成を行っ
て珪素を揮発させようとしても、得られる高周波透過体
の珪素含有量を200ppm以下とすることは困難であ
る。また、珪素を300ppm含有する脱脂体を焼成に
より、珪素含有量200ppm以下の焼結体とするため
には、数十時間、通常20時間程度の焼成が必要とな
る。そのため、脱脂体に含まれる珪素含有量を200p
pm以下とし、余剰の珪素をなるべく含有させないこと
が好ましい。珪素含有量が300ppm以下の窒化アル
ミニウム粉末を用いるか、前記成形体又は脱脂体を脱脂
温度以下でハロゲン化水素ガス等の珪素腐食性ガス含有
雰囲気下に曝し、珪素を除去することによって、脱脂体
に含まれる珪素量を300ppm以下とすることができ
る。後者の方法の場合、温度は常温でもよいが、200
℃以上、脱脂温度以下で加熱処理を行うことが好まし
い。
【0014】珪素含有量が300ppm以下の窒化アル
ミニウム粉末としては、市販の高純度品を用いればよい
が、珪素含有量の多い窒化アルミニウム粉末をフッ酸等
の珪素腐食性溶液とアルコール、例えばメタノールとの
混合溶液に浸漬して珪素を除去した後、溶液を濾過によ
り除去し、得られた粉末をメタノールですすぎ、乾燥さ
せることにより珪素含有量を300ppm以下の粉末と
することができる。また、珪素含有量の多い窒化アルミ
ニウム粉末をハロゲン化水素ガス等の珪素腐食性ガス含
有雰囲気下に曝し、珪素を除去することによっても珪素
含有量300ppm以下の粉末とすることができる。後
者の方法の場合、温度は常温でもよいが、好ましくは2
00℃以上、脱脂温度以下で加熱処理を行う。窒化アル
ミニウム粉末は、珪素、酸素、希土類元素以外の不純物
量が100ppm以下であることが好ましい。窒化アル
ミニウム粉末の粒径は特に限定されないが、焼結性や取
り扱いの観点から、0.05〜1μmが好ましい。加圧
焼成を行う場合、焼結助剤の添加が不要であるため、純
度99.0%以上の高純度の窒化アルミニウム焼結体を
得ることができるが、焼結助剤と窒化アルミニウム粉末
に含まれるアルミニウム−酸素成分との反応による酸素
除去効果が得られない。そのため、酸素含有量が1重量
%以下の窒化アルミニウム粉末を用い、かつ、酸化雰囲
気への暴露を最小限に留めることによって、得られる高
周波透過体の窒化アルミニウム結晶相内に存在する酸素
量を10000ppm以下とすることができる。窒化ア
ルミニウム粉末の好ましい酸素含有量は6000ppm
以下である。
【0015】焼成は窒化アルミニウム粉末若しくは窒化
アルミニウム粉末の造粒粉を型に入れ、非酸化性雰囲気
において、1MPa以上で加圧しながら行う。また、脱
脂体を非酸化性雰囲気において、1MPa以上で加圧し
ながら焼成を行ってもよい。常圧、減圧焼成の場合、焼
結助剤の添加が必要となる。焼結助剤は希土類化合物粉
末等の公知のものを用いることができ、特に限定されな
いが、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、YAG
等のイットリウム化合物粉末が通常用いられる。YAG
以外のイットリウム化合物、つまり、酸化イットリウ
ム、フッ化イットリウム等は、窒化アルミニウム粉末に
存在するアルミニウム−酸素成分と、焼成時に反応し、
液相成分である酸化イットリウムアルミニウム相を生成
する。これによって、窒化アルミニウムの液相焼結によ
る緻密化と、窒化アルミニウム結晶相内からの酸素成分
の除去が起こる。そのため、脱脂体に酸素が多く含まれ
ていても、それに見合う量の焼結助剤を添加することに
よって、窒化アルミニウム結晶相内に存在する酸素量を
10000ppm以下とすることができ、逆に液相成分
を生成させるために必要な量の酸素を脱脂体が含んでい
ることが必要である。
【0016】焼結助剤として、YAGを選択した場合、
YAG自体が焼成中に液相となるため、酸化イットリウ
ムのような酸素除去効果は得られない。そのため、酸素
含有量が1重量%以下の窒化アルミニウム粉末を用い、
かつ、酸化雰囲気への暴露を最小限に留めることによっ
て、得られる高周波透過体の窒化アルミニウム結晶相内
に存在する酸素量を10000ppm以下とすることが
できる。窒化アルミニウム粉末の好ましい酸素含有量は
6000ppm以下である。窒化アルミニウム粉末に希
土類化合物粉末を焼成によって生成する希土類酸化物
相、つまり液相が窒化アルミニウム結晶相に対して外率
で0.5〜10重量%となるように添加する。焼成によ
って生成する希土類酸化物相が前記窒化アルミニウム結
晶相に対して外率で0.5重量%未満となるようである
と、窒化アルミニウムの焼結に必要な液相が不足し、焼
結が進行しないため緻密な窒化アルミニウム焼結体を得
られない。一方、外率で10重量%を越えると、焼成中
における窒化アルミニウム焼成体の強度が低下し、変形
が生じて所望形状の焼結体が得られない。また、焼成工
程における若干の液相の揮発はあるものの、液相であっ
た成分が焼結体中に粒界相として残存し、熱伝導率の低
下を招く。そのため、好ましくは5重量%以下、より好
ましくは3重量%以下とする。焼結助剤として、酸化イ
ットリウム、フッ化イットリウム等のようにアルミニウ
ム及び酸素と反応して酸化イットリウムアルミニウム相
を生成するイットリウム化合物粉末を用いた場合、イッ
トリウム化合物粉末の添加量に応じて、YAG、YA
M、YAP等の各結晶相の生成量が異なってくる。YA
Mを含み、かつ、X線回折分析によるYAMの最強ピー
ク高さを100とした時、YAM以外の酸化イットリウ
ムアルミニウム相の最強ピーク高さの合計が200以下
となるような酸化イットリウムアルミニウム相を生成し
たい場合には、脱脂体の窒化アルミニウム粉末に存在す
る酸素を全て酸化アルミニウムであると仮定して酸化ア
ルミニウム量に換算し、その酸化アルミニウム換算量の
アルミニウム元素に対してイットリウム元素が外率で6
0〜200mol%となるように、窒化アルミニウム粉
末に対してイットリウム化合物粉末を添加する。尚、窒
化アルミニウム粉末に存在する酸素とは、窒化アルミニ
ウム粉末の内部および表面に存在する酸素という意味で
ある。脱脂体の窒化アルミニウム粉末に存在する酸素量
は、窒化アルミニウム原料粉末にもともと存在する酸素
量だけでなく、成形、脱脂工程でどの程度酸化されるか
によって決定される。
【0017】脱脂雰囲気によって窒化アルミニウム粉末
が酸化される程度は大きく異なるが、原料粉末に含まれ
る酸素量に、脱脂工程で酸化される分を加えて脱脂体の
窒化アルミニウム粉末に存在するであろう酸素量を求め
ておき、イットリウム化合物粉末を上記範囲となるよう
に添加する。酸化アルミニウム換算量のアルミニウム元
素に対して、イットリウム元素が外率で60mol%未
満であると、YAGの生成量が多くなってしまい、X線
回折分析によるYAMの最強ピーク高さを100とした
時、YAM以外の酸化イットリウムアルミニウム相の最
強ピーク高さの合計が200以下となるような酸化イッ
トリウムアルミニウム相を生成できない。一方、200
mol%を越えると、アルミニウム−酸素成分と反応で
きなかったイットリウム化合物粉末が窒化アルミニウム
焼結体中に残留し、熱伝導率を低下させてしまう。好ま
しくは、酸化アルミニウム換算量のアルミニウム元素に
対して、イットリウム元素が外率で100〜200mo
l%となるようにする。窒化アルミニウム粉末と焼結助
剤とに、溶媒、バインダ等を添加し、混合してスラリー
状とし、造粒し、成形して得られた成形体は脱脂を行
う。脱脂雰囲気は特に限定されず、大気中、非酸化性雰
囲気中のいずれでもよい。焼結助剤としてYAGを用い
た場合には、焼成中に焼結助剤が窒化アルミニウム結晶
相内の酸素成分を除去しないので、非酸化性雰囲気で脱
脂を行うことが好ましい。
【0018】得られた脱脂体は、減圧中やアルゴン、窒
素等の不活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気において焼
成される。加圧焼成、減圧焼成、常圧焼成いずれの場合
でも1600〜2000℃の温度で焼成を行う。焼成温
度が1600℃未満であると、窒化アルミニウムの焼結
が進行しにくいため緻密な窒化アルミニウム焼結体が得
られない。一方、2000℃を越えると、過焼結による
粒子の異常成長やコスト高を招く。望ましくは1750
〜1950℃で焼成を行う。焼成温度、焼成時間を調整
することにより、高周波透過体に含まれる珪素量や窒化
アルミニウム焼結体の結晶粒子径を制御することができ
る。焼成温度は高いほど、焼成時間は長いほど、珪素の
揮発は進行し、結晶粒子径は大きくなる。加圧焼成は特
別な装置が必要であり、珪素の揮発は焼結助剤を用いる
方が進行しやすく、酸素除去効果を持つ焼結助剤を用い
れば酸素量の低減も容易に行えることから、減圧焼成、
常圧焼成の方が好ましい。
【0019】
【実施例】以下、本発明について具体的な実施例及び比
較例を参照して説明する。 (実施例1〜8)先ず、珪素含有量が30ppm(以下
原料粉末Aとする)、500ppm(以下原料粉末Bと
する)である窒化アルミニウム粉末を表1に示す割合で
混合し(以下原料混合粉末とする)、これらに焼結助剤
として酸化イットリウム粉末を窒化アルミニウム粉末に
対して外率で1重量%添加すると共に、これらに適量の
メタノールを加え、窒化アルミニウムボールを用いて1
8時間ボールミルによって混合した後、バインダとして
ポリビニールブチラールのメタノール溶液を、窒化アル
ミニウム粉末に対しポリビニルブチラール量が外率で3
重量%となるように調整して加え、しかる後に、バイン
ダを十分混合するために上記ボールミルによって更に1
時間混合し、各種のスラリーを得た。次いで、各スラリ
ーをスプレードライヤーによって乾燥、造粒し、30M
Paの圧力で一軸金型成形し、更に100MPaの圧力
で冷間等方静水圧プレスを行って各種成形体を得た後、
各成形体を大気雰囲気中において600℃の温度で脱脂
し、得られた各脱脂体を窒素ガス雰囲気において190
0℃の温度で焼成し、表1に示す各種の高周波透過体を
得た。
【0020】(比較例1〜2)比較例1〜2の高周波透
過体は、表1に示す割合で原料粉末A、Bを混合する以
外は実施例1〜8と同様の製造方法で得た。得られた窒
化アルミニウム焼結体の平均結晶粒子径をJeffri
es法により測定したところ、実施例、比較例共に3〜
7μmであった。実施例、比較例の原料混合粉末、得ら
れた脱脂体及び高周波透過体の珪素含有量をICP発光
分光分析によって測定した。又、窒化アルミニウム焼結
体をX線回折分析によって同定したところ、粒界成分は
全てYAGであった。ICP発光分光分析によりイット
リウム元素量を定量し、YAG量、YAGの酸素量を算
出し、窒化アルミニウム焼結体全体の酸素量を赤外線吸
収法により求め、先に求めた粒界成分の酸素量を差し引
き、窒化アルミニウム結晶中に含まれる酸素量を求め
た。その結果、窒化アルミニウムに対するYAGの外率
は1.7重量%であり、酸素量は2000〜6000p
pmであった。また、実施例、比較例の高周波透過体に
ついて、誘電損失を共振周波数2.45GHz、室温の
測定条件でレゾネータ法によって測定し、室温の熱伝導
率をレーザフラッシュ法によって測定し、共振周波数
2.45GHz、出力1kWのマイクロ波を照射し、破
損状況を調べた。各測定値を表1に示す。
【0021】
【表1】 1)珪素含有量30ppmの窒化アルミニウム粉末 2)珪素含有量500ppmの窒化アルミニウム粉末
【0022】表1から明らかなように、高周波透過体に
含まれる珪素量を200ppm以下とした実施例1〜8
は誘電損失(tanδ)が1×10-2以下であり、か
つ、高い熱伝導率(100W/mK以上)を実現でき
た。その結果、マイクロ波を照射しても破損は見られな
かった。特に、珪素量を100ppm以下とすることに
より誘電損失(tanδ)を1×10-3〜1×10-4
で低減させることができた。珪素量が200ppmを越
える比較例1〜2は誘電損失(tanδ)が1×10-2
を越え、マイクロ波を照射したところ、熱衝撃により亀
裂が発生してしまった。
【0023】(実施例9〜13)実施例9〜13の高周
波透過体は、窒化アルミニウム粉末として珪素含有量が
30ppmである原料粉末Aを用い、表2に示す割合で
酸化イットリウム粉末を添加する以外は実施例1〜8と
同様の製造方法で得た。尚、表2における酸化イットリ
ウムの添加量は、脱脂体の窒化アルミニウム粉末に存在
する酸素を全て酸化アルミニウムであると仮定して酸化
アルミニウム量に換算し、その酸化アルミニウム換算量
のアルミニウム元素に対する酸化イットリウムのイット
リウム元素の外率(mol%)で表している。得られた
窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒子径をJeffr
ies法により測定したところ、実施例、比較例共に3
〜7μmであった。実施例、比較例の脱脂体及び高周波
透過体の珪素含有量をICP発光分光分析によって測定
したところ、いずれも脱脂体、高周波透過体共に30p
pm未満であった。実施例、比較例の高周波透過体につ
いて、誘電損失を共振周波数2.45GHz、室温の測
定条件でレゾネータ法によって測定し、室温の熱伝導率
をレーザフラッシュ法によって測定した。また、窒化ア
ルミニウム焼結体を粉砕して粉末X線回折分析によって
分析したところ、粒界成分は実施例、比較例いずれも、
YAM、YAG、YAPの混合相であった。そこで、粒
界成分の各結晶相の最強ピーク高さを検出し、YAMの
最強ピーク高さを100とした時のYAG、YAPの最
強ピーク高さを求めた。次いで、ICP発光分光分析に
よりイットリウム元素量を定量し、その結果と各結晶相
の最強ピーク高さの割合からYAG、YAM及びYAP
量の合計量、YAG、YAM及びYAPの酸素の合計量
を算出し、窒化アルミニウム焼結体全体の酸素量を赤外
線吸収法により求め、先に求めた粒界成分の酸素量を差
し引き、窒化アルミニウム結晶中に含まれる酸素量を求
めた。その結果、窒化アルミニウムに対する酸化イット
リウムアルミニウム相の外率は1〜2重量%であり、酸
素量は2000〜6000ppmであった。各測定値を
表2に示す。
【0024】
【表2】 3)脱脂体の窒化アルミニウム粉末に存在する酸素量を
酸化アルミニウム量に換算した酸化アルミニウム換算量
のアルミニウム元素に対する酸化イットリウムのイット
リウム元素の外率(mol%) 4)YAMの最強ピーク高さを100とした時のYAG
の最強ピーク高さ 5)YAMの最強ピーク高さを100とした時のYAP
の最強ピーク高さ
【0025】表2から明らかなように、高周波透過体に
含まれる珪素量はいずれも200ppm以下であるた
め、誘電損失(tanδ)が1×10-2以下であり、か
つ、熱伝導率が100W/mK以上であるが、X線回折
分析によるYAMの最強ピーク高さを100とした時、
YAM以外の酸化イットリウムアルミニウム相の最強ピ
ーク高さの合計が200以下となるような酸化イットリ
ウムアルミニウム相を有する実施例9〜11は、実施例
12や珪素含有量が同程度である実施例2に比して、誘
電損失をより低減させることができ、更に、熱伝導率を
150W/mK以上に向上させることができた。また、
酸化アルミニウム換算量のアルミニウム元素に対して、
酸化イットリウムのイットリウム元素が外率で200m
ol%を越える実施例13では、アルミニウム−酸素成
分と反応できなかった酸化イットリウム粉末が窒化アル
ミニウム焼結体中に残留し、粒界成分の各結晶相の割合
が同程度である実施例11に比して誘電損失がやや増加
し、熱伝導率がやや低下した。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波透
過体とその製造方法によれば、誘電損失が低く、高周波
を良好に透過し、高周波エネルギーの吸収に起因する熱
衝撃による破損を防止することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青沼 伸一朗 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 村松 滋子 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 佐藤 幸夫 千葉県東金市小沼田字戌開1573番8 東芝 セラミックス株式会社東金工場内 (72)発明者 柏熊 憲章 千葉県東金市小沼田字戌開1573番8 東芝 セラミックス株式会社東金工場内 Fターム(参考) 4G001 BA09 BA36 BA71 BA73 BB01 BB09 BB36 BB71 BB73 BC42 BC52 BC54 BD03 BD23 BE01 BE22

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 窒化アルミニウム結晶相を主体とする窒
    化アルミニウム焼結体により形成された高周波透過体で
    あって、珪素含有量が200ppm以下であり、誘電損
    失(tanδ)が1×10-2以下であることを特徴とす
    る高周波透過体。
  2. 【請求項2】 前記窒化アルミニウム結晶相内に存在す
    る酸素量が10000ppm以下であることを特徴とす
    る請求項1記載の高周波透過体。
  3. 【請求項3】 熱伝導率が100W/mK以上であるこ
    とを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波透
    過体。
  4. 【請求項4】 前記窒化アルミニウム焼結体の平均結晶
    粒子径が3〜7μmであることを特徴とする請求項1乃
    至請求項3のいずれか1項に記載の高周波透過体。
  5. 【請求項5】 希土類酸化物相を前記窒化アルミニウム
    結晶相に対して外率で10重量%以下含有していること
    を特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記
    載の高周波透過体。
  6. 【請求項6】 前記希土類酸化物相が2Y23・Al2
    3を含む酸化イットリウムアルミニウム相であり、か
    つ、X線回折分析による2Y23・Al23の最強ピー
    ク高さを100とした時、2Y23・Al23以外の酸
    化イットリウムアルミニウム相の最強ピーク高さの合計
    が200以下であることを特徴とする請求項5記載の高
    周波透過体。
  7. 【請求項7】 窒化アルミニウム粉末を非酸化性雰囲気
    において1600〜2000℃の温度で加圧焼成する窒
    化アルミニウム焼結体により形成された高周波透過体の
    製造方法において、前記窒化アルミニウム粉末に含まれ
    る珪素量を300ppm以下とし、焼成により余剰の珪
    素を揮発させることにより高周波透過体の珪素含有量を
    200ppm以下とすることを特徴とする高周波透過体
    の製造方法。
  8. 【請求項8】 窒化アルミニウム粉末を成形し、成形体
    を脱脂し、脱脂体を非酸化性雰囲気において1600〜
    2000℃の温度で焼成する窒化アルミニウム焼結体に
    より形成された高周波透過体の製造方法において、前記
    脱脂体に含まれる珪素量を300ppm以下とし、焼成
    により余剰の珪素を揮発させることにより高周波透過体
    の珪素含有量を200ppm以下とすることを特徴とす
    る高周波透過体の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記成形体又は脱脂体を脱脂温度以下で
    珪素腐食性ガス含有雰囲気下に曝すことを特徴とする請
    求項8記載の高周波透過体の製造方法。
  10. 【請求項10】 焼成によって生成する希土類酸化物相
    が窒化アルミニウム結晶相に対して外率で0.5〜10
    重量%となるように、前記窒化アルミニウム粉末に希土
    類化合物粉末を添加することを特徴とする請求項8また
    は請求項9記載の高周波透過体の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記希土類化合物粉末としてアルミニ
    ウム及び酸素と反応して酸化イットリウムアルミニウム
    を生成するイットリウム化合物粉末を用い、前記脱脂体
    の窒化アルミニウム粉末に存在する酸素量を酸化アルミ
    ニウム量に換算し、その酸化アルミニウム換算量のアル
    ミニウム元素に対してイットリウム元素が外率で60〜
    200mol%となるように、窒化アルミニウム粉末に
    対して前記イットリウム化合物粉末を添加することを特
    徴とする請求項10記載の高周波透過体の製造方法。
JP15148299A 1999-05-31 1999-05-31 高周波透過体およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3739028B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15148299A JP3739028B2 (ja) 1999-05-31 1999-05-31 高周波透過体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15148299A JP3739028B2 (ja) 1999-05-31 1999-05-31 高周波透過体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000335974A true JP2000335974A (ja) 2000-12-05
JP3739028B2 JP3739028B2 (ja) 2006-01-25

Family

ID=15519477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15148299A Expired - Fee Related JP3739028B2 (ja) 1999-05-31 1999-05-31 高周波透過体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3739028B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131298A (ja) * 2001-08-20 2004-04-30 Ngk Insulators Ltd 低誘電正接材料および炭化珪素焼結体の誘電正接を制御する方法
JP2005158675A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp プラズマ処理装置
WO2009145129A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 住友電気工業株式会社 AlxGa1-xN単結晶および電磁波透過体
WO2022201925A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 デンカ株式会社 セラミック焼結体、及びセラミック焼結体の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131298A (ja) * 2001-08-20 2004-04-30 Ngk Insulators Ltd 低誘電正接材料および炭化珪素焼結体の誘電正接を制御する方法
JP2005158675A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp プラズマ処理装置
WO2009145129A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 住友電気工業株式会社 AlxGa1-xN単結晶および電磁波透過体
WO2022201925A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 デンカ株式会社 セラミック焼結体、及びセラミック焼結体の製造方法
JP7186930B1 (ja) * 2021-03-26 2022-12-09 デンカ株式会社 セラミック焼結板、及びセラミック焼結板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3739028B2 (ja) 2006-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101400598B1 (ko) 반도체 제조 장치용 내식성 부재 및 그 제법
JP4679366B2 (ja) Y2o3質焼結体、耐食性部材およびその製造方法並びに半導体・液晶製造装置用部材
JP4987238B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP5836522B2 (ja) 窒化ケイ素基板の製造方法
JP4780932B2 (ja) 耐食性部材とその製造方法および半導体・液晶製造装置用部材
JP4683783B2 (ja) 半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法
JP4386695B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2002249379A (ja) 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材
JP2000335974A (ja) 高周波透過体およびその製造方法
JP5434583B2 (ja) 金属ホウ化物焼結体の製造方法
US20030087751A1 (en) Ceramic member for semiconductor manufacturing equipment
JP6720053B2 (ja) 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP2002220282A (ja) 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法
JP4065589B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JP4651148B2 (ja) 耐プラズマ部材及びプラズマ装置
JP2000327424A (ja) 窒化アルミニウム基焼結体とその製造方法及びそれを用いたサセプター
JP3752526B2 (ja) 窒化ケイ素質焼結体とその製造方法
JP2742600B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JP4181359B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びに窒化アルミニウム焼結体を用いた電極内蔵型サセプタ
JP2003292377A (ja) 半導体装置用セラミックス部材
JP2001270779A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法
JP2883207B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JP2001151575A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法
JP2003146760A (ja) 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法
JPH107465A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050526

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051028

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051028

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees