JP2000323460A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000323460A5
JP2000323460A5 JP1999129696A JP12969699A JP2000323460A5 JP 2000323460 A5 JP2000323460 A5 JP 2000323460A5 JP 1999129696 A JP1999129696 A JP 1999129696A JP 12969699 A JP12969699 A JP 12969699A JP 2000323460 A5 JP2000323460 A5 JP 2000323460A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
high frequency
frequency
plasma
applying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999129696A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4831853B2 (ja
JP2000323460A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP12969699A external-priority patent/JP4831853B2/ja
Priority to JP12969699A priority Critical patent/JP4831853B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to US09/959,745 priority patent/US7537672B1/en
Priority to PCT/JP2000/002770 priority patent/WO2000068985A1/ja
Priority to EP00922892A priority patent/EP1193746B1/en
Priority to DE60043505T priority patent/DE60043505D1/de
Priority to KR20017014080A priority patent/KR100880767B1/ko
Priority to KR1020057007269A priority patent/KR100748798B1/ko
Priority to TW089108548A priority patent/TW462092B/zh
Publication of JP2000323460A publication Critical patent/JP2000323460A/ja
Priority to US10/984,943 priority patent/US20050061445A1/en
Publication of JP2000323460A5 publication Critical patent/JP2000323460A5/ja
Priority to US12/195,842 priority patent/US8080126B2/en
Priority to US12/879,926 priority patent/US20100326601A1/en
Publication of JP4831853B2 publication Critical patent/JP4831853B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US13/728,634 priority patent/US20130112666A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP12969699A 1999-05-06 1999-05-11 容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法 Expired - Lifetime JP4831853B2 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12969699A JP4831853B2 (ja) 1999-05-11 1999-05-11 容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法
US09/959,745 US7537672B1 (en) 1999-05-06 2000-04-27 Apparatus for plasma processing
PCT/JP2000/002770 WO2000068985A1 (fr) 1999-05-06 2000-04-27 Appareil de traitement au plasma
EP00922892A EP1193746B1 (en) 1999-05-06 2000-04-27 Apparatus for plasma processing
DE60043505T DE60043505D1 (de) 1999-05-06 2000-04-27 Apparat für die plasma-behandlung
KR20017014080A KR100880767B1 (ko) 1999-05-06 2000-04-27 플라즈마 처리 장치
KR1020057007269A KR100748798B1 (ko) 1999-05-06 2000-04-27 플라즈마 에칭 장치
TW089108548A TW462092B (en) 1999-05-06 2000-05-04 Plasma processing system
US10/984,943 US20050061445A1 (en) 1999-05-06 2004-11-10 Plasma processing apparatus
US12/195,842 US8080126B2 (en) 1999-05-06 2008-08-21 Plasma processing apparatus
US12/879,926 US20100326601A1 (en) 1999-05-06 2010-09-10 Plasma processing apparatus
US13/728,634 US20130112666A1 (en) 1999-05-06 2012-12-27 Plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12969699A JP4831853B2 (ja) 1999-05-11 1999-05-11 容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000323460A JP2000323460A (ja) 2000-11-24
JP2000323460A5 true JP2000323460A5 (zh) 2006-06-22
JP4831853B2 JP4831853B2 (ja) 2011-12-07

Family

ID=15015944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12969699A Expired - Lifetime JP4831853B2 (ja) 1999-05-06 1999-05-11 容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4831853B2 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103773A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Tokyo Electron Limited Dry-etcching method
JP4753276B2 (ja) 2002-11-26 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP4482308B2 (ja) 2002-11-26 2010-06-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7405521B2 (en) * 2003-08-22 2008-07-29 Lam Research Corporation Multiple frequency plasma processor method and apparatus
US7169256B2 (en) * 2004-05-28 2007-01-30 Lam Research Corporation Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies
JP5036143B2 (ja) * 2004-06-21 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2005124844A1 (ja) 2004-06-21 2005-12-29 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置及び方法
US7740737B2 (en) 2004-06-21 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP4672455B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7988816B2 (en) 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7951262B2 (en) 2004-06-21 2011-05-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP4523352B2 (ja) 2004-07-20 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20060037704A1 (en) 2004-07-30 2006-02-23 Tokyo Electron Limited Plasma Processing apparatus and method
JP4699127B2 (ja) * 2004-07-30 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7692916B2 (en) 2005-03-31 2010-04-06 Tokyo Electron Limited Capacitive coupling plasma processing apparatus and method
JP4704087B2 (ja) * 2005-03-31 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7993489B2 (en) 2005-03-31 2011-08-09 Tokyo Electron Limited Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same
JP4515950B2 (ja) * 2005-03-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法およびコンピュータ記憶媒体
JP2007234770A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4827567B2 (ja) * 2006-03-16 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4754374B2 (ja) * 2006-03-16 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US8157953B2 (en) 2006-03-29 2012-04-17 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP5192209B2 (ja) 2006-10-06 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100819020B1 (ko) * 2006-11-27 2008-04-02 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치
US8262847B2 (en) 2006-12-29 2012-09-11 Lam Research Corporation Plasma-enhanced substrate processing method and apparatus
US8222156B2 (en) * 2006-12-29 2012-07-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a substrate using plasma
US8360003B2 (en) 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
JP5312369B2 (ja) * 2010-02-22 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5702968B2 (ja) * 2010-08-11 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法
JP5982129B2 (ja) * 2011-02-15 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 電極及びプラズマ処理装置
JP5367000B2 (ja) * 2011-03-24 2013-12-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20160028601A (ko) * 2014-09-03 2016-03-14 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
JP2022067569A (ja) * 2020-10-20 2022-05-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000323460A5 (zh)
ATE430376T1 (de) Plasmareaktor zur behandlung von grossflächigen substraten
TW200913056A (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium
JP2002043286A (ja) プラズマ処理装置
TW201207932A (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JPH02281734A (ja) プラズマ表面処理法
KR101108737B1 (ko) 진공 플라즈마 처리된 작업편의 제조 방법 및 작업편의진공 플라즈마 처리 시스템
JPH11283940A (ja) プラズマ処理方法
JPH10326772A (ja) ドライエッチング装置
JPH1131685A (ja) プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法
KR20160074397A (ko) 플라즈마 에칭 방법
KR100878467B1 (ko) 반도체 기판 처리장치
JP3350973B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JPS597212B2 (ja) プラズマ・エッチング方法
KR20040096380A (ko) 산화 금속막 증착 챔버의 세정 방법 및 이를 수행하기위한 증착 장치
JP3485013B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP2001237100A (ja) プラズマ処理装置
JP4576011B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI566644B (zh) A radio frequency system for controllable harmonics of a plasma generator
JP3940467B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置及び方法
CN113035677A (zh) 等离子体处理设备以及等离子体处理方法
JP2000323297A (ja) Ｖｈｆプラズマ生成用電極装置
JP2001144077A (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP3368743B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20130024294A (ko) 비정질 탄소막 형성 방법