JP2001237100A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の半径方向に対する電界強度の変化
幅を小さくして、被処理体に対してより均一なプラズマ
処理を行えるようにする。 【解決手段】 プラズマ処理装置は、被処理体Ｗを収納
する処理容器１を備えている。処理容器１内の上部に、
被処理体Ｗと対向した対向面２０を有する略円板状の電
極板２が設けられている。高周波供給手段３は、ほぼ正
弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の
波形を有する高周波を供給する。高周波供給手段３から
供給された高周波は、電極板２の対向面２０において直
径方向で互いに逆向きに伝播して定在波を形成する。こ
の定在波の波形も、供給される高周波と同様、ほぼ正弦
波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状とな
る。従って、ほぼ正弦波の波形を有した高周波をそのま
ま用いる場合に比べて、被処理体の半径方向ｒに対する
電界強度Ｅの変化幅を小さくすることができる。
幅を小さくして、被処理体に対してより均一なプラズマ
処理を行えるようにする。 【解決手段】 プラズマ処理装置は、被処理体Ｗを収納
する処理容器１を備えている。処理容器１内の上部に、
被処理体Ｗと対向した対向面２０を有する略円板状の電
極板２が設けられている。高周波供給手段３は、ほぼ正
弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の
波形を有する高周波を供給する。高周波供給手段３から
供給された高周波は、電極板２の対向面２０において直
径方向で互いに逆向きに伝播して定在波を形成する。こ
の定在波の波形も、供給される高周波と同様、ほぼ正弦
波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状とな
る。従って、ほぼ正弦波の波形を有した高周波をそのま
ま用いる場合に比べて、被処理体の半径方向ｒに対する
電界強度Ｅの変化幅を小さくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極に高周波を供
給することで処理容器内にプラズマを生成するように構
成されたプラズマ処理装置に係り、とりわけ、電極に供
給する高周波の波形を改良したプラズマ処理装置に関す
る。
給することで処理容器内にプラズマを生成するように構
成されたプラズマ処理装置に係り、とりわけ、電極に供
給する高周波の波形を改良したプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）には、従来のプラズマ処理装
置の例が示されている。図４（ａ）に示すプラズマ処理
装置は、被処理体Ｗ（例えば、半導体ウエハやフラット
パネルディスプレイ基板等）を収納する処理容器１を備
えている。この処理容器１内の上部には、被処理体Ｗと
対向した対向面２０を有する電極板（上部電極）２が設
けられている。
置の例が示されている。図４（ａ）に示すプラズマ処理
装置は、被処理体Ｗ（例えば、半導体ウエハやフラット
パネルディスプレイ基板等）を収納する処理容器１を備
えている。この処理容器１内の上部には、被処理体Ｗと
対向した対向面２０を有する電極板（上部電極）２が設
けられている。
【０００３】また、このプラズマ処理装置は、電極板２
に高周波を供給するための高周波電源３０を備えてい
る。そして、処理容器１の上部中央には、高周波電源３
０からの高周波を電極板２に給電するための同軸構造の
給電経路部４が設けられている。
に高周波を供給するための高周波電源３０を備えてい
る。そして、処理容器１の上部中央には、高周波電源３
０からの高周波を電極板２に給電するための同軸構造の
給電経路部４が設けられている。
【０００４】また、このプラズマ処理装置は、処理容器
１の底部に設けられた略円筒形の載置台（下部電極）１
２を備えている。この載置台１２には、所定のＲＦバイ
アス電力を印加するＲＦバイアス電源１５が連結されて
いる。また、載置台１２の周囲に対応した処理容器１底
部には、当該処理容器１内を真空引きするための排気口
１３が形成されている。また、処理容器１上部の適当な
位置に、処理ガス等を導入するための導入管１４が設け
られている。
１の底部に設けられた略円筒形の載置台（下部電極）１
２を備えている。この載置台１２には、所定のＲＦバイ
アス電力を印加するＲＦバイアス電源１５が連結されて
いる。また、載置台１２の周囲に対応した処理容器１底
部には、当該処理容器１内を真空引きするための排気口
１３が形成されている。また、処理容器１上部の適当な
位置に、処理ガス等を導入するための導入管１４が設け
られている。
【０００５】そして、このプラズマ処理装置は、所定の
真空度にされた処理容器１内において、電極板２に印加
された高周波によって、処理ガスのプラズマを生成する
ように構成されている。そして、生成されたプラズマに
よって、載置台１２上の被処理体Ｗに対して、成膜処理
やエッチング処理等の目的に応じた種々のプラズマ処理
を行えるようになっている。
真空度にされた処理容器１内において、電極板２に印加
された高周波によって、処理ガスのプラズマを生成する
ように構成されている。そして、生成されたプラズマに
よって、載置台１２上の被処理体Ｗに対して、成膜処理
やエッチング処理等の目的に応じた種々のプラズマ処理
を行えるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなプラズ
マ処理装置においては、電極板２の対向面２０において
直径方向で互いに逆向きに伝播する高周波によって定在
波が形成される。そして、上記高周波電源３０から供給
される高周波は、一般に正弦波形状の波形を有してい
る。
マ処理装置においては、電極板２の対向面２０において
直径方向で互いに逆向きに伝播する高周波によって定在
波が形成される。そして、上記高周波電源３０から供給
される高周波は、一般に正弦波形状の波形を有してい
る。
【０００７】従って、当該高周波によって形成される定
在波も（振幅ゼロになる時点を除いて）ほぼ正弦波形状
の波形を有している。このため、当該定在波の波形に応
じて、載置台１２上において被処理体の半径方向に対す
る電界強度分布が生ずる。この電界強度分布は、例えば
図４（ｂ）に示すように、載置台１２の半径ｒ方向で中
心部から外周部に向かって次第に電界強度Ｅが低下する
ような形となる。このため、処理容器１内での被処理体
Ｗに対するプラズマ処理の均一性が低下するという問題
がある。
在波も（振幅ゼロになる時点を除いて）ほぼ正弦波形状
の波形を有している。このため、当該定在波の波形に応
じて、載置台１２上において被処理体の半径方向に対す
る電界強度分布が生ずる。この電界強度分布は、例えば
図４（ｂ）に示すように、載置台１２の半径ｒ方向で中
心部から外周部に向かって次第に電界強度Ｅが低下する
ような形となる。このため、処理容器１内での被処理体
Ｗに対するプラズマ処理の均一性が低下するという問題
がある。
【０００８】本発明は、このような点を考慮してなされ
たものであり、被処理体の半径方向に対する電界強度の
変化幅を小さくして、処理容器内でより均一なプラズマ
処理を行うことのできるようなプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。
たものであり、被処理体の半径方向に対する電界強度の
変化幅を小さくして、処理容器内でより均一なプラズマ
処理を行うことのできるようなプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の手段は、被処理体
を収納する処理容器と、この処理容器内に設けられた電
極と、この電極に高周波を供給するための高周波供給手
段とを備え、前記処理容器内において高周波によるプラ
ズマを生成するように構成されると共に、前記高周波供
給手段は、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平に
ならされた形状の波形を有する高周波を供給するように
構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置で
ある。
を収納する処理容器と、この処理容器内に設けられた電
極と、この電極に高周波を供給するための高周波供給手
段とを備え、前記処理容器内において高周波によるプラ
ズマを生成するように構成されると共に、前記高周波供
給手段は、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平に
ならされた形状の波形を有する高周波を供給するように
構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置で
ある。
【００１０】この第１の手段によれば、電極に形成され
る定在波の波形も、（振幅ゼロになる時点を除いて）ほ
ぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形
状となる。従って、ほぼ正弦波の波形を有した高周波を
そのまま用いる場合に比べて、被処理体の半径方向に対
する電界強度の変化幅を小さくすることができる。
る定在波の波形も、（振幅ゼロになる時点を除いて）ほ
ぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形
状となる。従って、ほぼ正弦波の波形を有した高周波を
そのまま用いる場合に比べて、被処理体の半径方向に対
する電界強度の変化幅を小さくすることができる。
【００１１】第２の手段は、第１の手段において、前記
高周波供給手段は、ほぼ正弦波の波形を有した主高周波
を生成する高周波発生源と、前記主高周波の一部に対し
て波形整形を施して、前記主高周波の波形の山と谷の頂
点側部分のみを取り出した形状の波形を有した副高周波
を生成する波形整形器と、この波形整形器によって生成
された副高周波の位相を前記主高周波の位相に対して１
８０度ずらす位相調整器と、この位相調整器によって位
相がずらされた前記副高周波と、前記主高周波とを重ね
合わせる加算器とを有するものである。
高周波供給手段は、ほぼ正弦波の波形を有した主高周波
を生成する高周波発生源と、前記主高周波の一部に対し
て波形整形を施して、前記主高周波の波形の山と谷の頂
点側部分のみを取り出した形状の波形を有した副高周波
を生成する波形整形器と、この波形整形器によって生成
された副高周波の位相を前記主高周波の位相に対して１
８０度ずらす位相調整器と、この位相調整器によって位
相がずらされた前記副高周波と、前記主高周波とを重ね
合わせる加算器とを有するものである。
【００１２】この第２の手段によれば、加算器における
副高周波と主高周波との重ね合わせによって、主高周波
の波形の山と谷の頂点側部分が相殺され、第１の手段に
あるような、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平
にならされた形状の波形を有する高周波を得ることがで
きる。
副高周波と主高周波との重ね合わせによって、主高周波
の波形の山と谷の頂点側部分が相殺され、第１の手段に
あるような、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部分が略水平
にならされた形状の波形を有する高周波を得ることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の一
実施形態について説明する。図１乃至図３は本発明によ
るプラズマ処理装置の実施の形態を示す図である。な
お、図１に示す本発明の実施の形態において、図４に示
す従来例と同一の構成部分には同一符号を付して説明す
る。
実施形態について説明する。図１乃至図３は本発明によ
るプラズマ処理装置の実施の形態を示す図である。な
お、図１に示す本発明の実施の形態において、図４に示
す従来例と同一の構成部分には同一符号を付して説明す
る。
【００１４】［全体の構成］まず、図１（ａ）により、
本実施形態のプラズマ処理装置の全体構成について説明
する。図１（ａ）に示すプラズマ処理装置は、被処理体
Ｗ（例えば、半導体ウエハやフラットパネルディスプレ
イ基板等）を収納する金属製の処理容器１を備えてい
る。この処理容器１内の上部には、被処理体Ｗと対向し
た対向面２０を有する略円板状の電極板（上部電極）２
が設けられている。
本実施形態のプラズマ処理装置の全体構成について説明
する。図１（ａ）に示すプラズマ処理装置は、被処理体
Ｗ（例えば、半導体ウエハやフラットパネルディスプレ
イ基板等）を収納する金属製の処理容器１を備えてい
る。この処理容器１内の上部には、被処理体Ｗと対向し
た対向面２０を有する略円板状の電極板（上部電極）２
が設けられている。
【００１５】また、このプラズマ処理装置は、電極板２
に高周波を供給するための高周波供給手段３を備えてい
る。この高周波供給手段３は、後述するように、ほぼ正
弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の
波形を有する高周波を供給するように構成されている。
そして、高周波供給手段３から供給された高周波は、電
極板２の対向面２０において直径方向で互いに逆向きに
伝播して定在波を形成するようになっている。
に高周波を供給するための高周波供給手段３を備えてい
る。この高周波供給手段３は、後述するように、ほぼ正
弦波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の
波形を有する高周波を供給するように構成されている。
そして、高周波供給手段３から供給された高周波は、電
極板２の対向面２０において直径方向で互いに逆向きに
伝播して定在波を形成するようになっている。
【００１６】なお、処理容器１の上部中央には、高周波
供給手段３からの高周波を電極板２に給電するための同
軸構造の給電経路部４が設けられている。この給電経路
部４は、電極板２の中心部に連結された中心導体４０
と、この中心導体４０を囲む円筒状の外部導体４２とを
有している。後者の外部導体４２は、処理容器１の上面
部分１０に連結されている。また、中心導体４０と外部
導体４２との間には、誘電体４４が介在されている。こ
の誘電体４４は、処理容器１の上面部分１０と電極板２
との間にも介在されている。
供給手段３からの高周波を電極板２に給電するための同
軸構造の給電経路部４が設けられている。この給電経路
部４は、電極板２の中心部に連結された中心導体４０
と、この中心導体４０を囲む円筒状の外部導体４２とを
有している。後者の外部導体４２は、処理容器１の上面
部分１０に連結されている。また、中心導体４０と外部
導体４２との間には、誘電体４４が介在されている。こ
の誘電体４４は、処理容器１の上面部分１０と電極板２
との間にも介在されている。
【００１７】また、このプラズマ処理装置は、処理容器
１の底部に設けられた略円筒形の載置台（下部電極）１
２を備えている。この載置台１２には、所定のＲＦバイ
アス電力を印加するＲＦバイアス電源１５が連結されて
いる。また、載置台１２の周囲に対応した処理容器１底
部には、当該処理容器１内を真空引きするための排気口
１３が形成されている。また、処理容器１上部の適当な
位置に、処理ガス等を導入するための導入管１４が設け
られている。
１の底部に設けられた略円筒形の載置台（下部電極）１
２を備えている。この載置台１２には、所定のＲＦバイ
アス電力を印加するＲＦバイアス電源１５が連結されて
いる。また、載置台１２の周囲に対応した処理容器１底
部には、当該処理容器１内を真空引きするための排気口
１３が形成されている。また、処理容器１上部の適当な
位置に、処理ガス等を導入するための導入管１４が設け
られている。
【００１８】そして、このプラズマ処理装置は、所定の
真空度にされた処理容器１内において、電極板２に印加
された高周波（対向面２０に形成された定在波）によっ
て、処理ガスのプラズマを生成するように構成されてい
る。そして、生成されたプラズマによって、載置台１２
上の被処理体Ｗに対して、成膜処理やエッチング処理等
の目的に応じた種々のプラズマ処理を行えるようになっ
ている。
真空度にされた処理容器１内において、電極板２に印加
された高周波（対向面２０に形成された定在波）によっ
て、処理ガスのプラズマを生成するように構成されてい
る。そして、生成されたプラズマによって、載置台１２
上の被処理体Ｗに対して、成膜処理やエッチング処理等
の目的に応じた種々のプラズマ処理を行えるようになっ
ている。
【００１９】［高周波供給手段の構成］次に、図２及び
図３により、上記高周波供給手段３の具体的な構成につ
いて説明する。
図３により、上記高周波供給手段３の具体的な構成につ
いて説明する。
【００２０】図２において、高周波供給手段３は、ほぼ
正弦波の波形を有した主高周波（図３（ａ））を生成す
る高周波電源３０を有している。この高周波電源３０の
活線側には、波形整形器３２と加算器３６とが並列に接
続されている。また、波形整形器３２に対しては位相調
整器３４が接続されると共に、この位相調整器３４は上
記加算器３６に対して接続されている。
正弦波の波形を有した主高周波（図３（ａ））を生成す
る高周波電源３０を有している。この高周波電源３０の
活線側には、波形整形器３２と加算器３６とが並列に接
続されている。また、波形整形器３２に対しては位相調
整器３４が接続されると共に、この位相調整器３４は上
記加算器３６に対して接続されている。
【００２１】上記波形整形器３２は、主高周波の一部に
対して波形整形を施して、図３（ｂ）に示すような、主
高周波の波形の山と谷の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2のみを取り
出した形状の波形を有した副高周波を生成するように構
成されている。また、上記位相調整器３４は、波形整形
器３２によって生成された副高周波の位相を主高周波の
位相に対して１８０度ずらす（図３（ｃ））ように構成
されている。
対して波形整形を施して、図３（ｂ）に示すような、主
高周波の波形の山と谷の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2のみを取り
出した形状の波形を有した副高周波を生成するように構
成されている。また、上記位相調整器３４は、波形整形
器３２によって生成された副高周波の位相を主高周波の
位相に対して１８０度ずらす（図３（ｃ））ように構成
されている。
【００２２】そして、上記加算器３６は、位相調整器３
４によって位相がずらされた副高周波と、主高周波とを
重ね合わせるように構成されている。この加算器３６に
おける副高周波と主高周波との重ね合わせによって、主
高周波の波形の山と谷の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2（図３
（ａ））が相殺され、図３（ｄ）に示すような、ほぼ正
弦波の山と谷の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2が略水平にならされ
た形状の波形を有する高周波（合成高周波）が得られ
る。
４によって位相がずらされた副高周波と、主高周波とを
重ね合わせるように構成されている。この加算器３６に
おける副高周波と主高周波との重ね合わせによって、主
高周波の波形の山と谷の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2（図３
（ａ））が相殺され、図３（ｄ）に示すような、ほぼ正
弦波の山と谷の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2が略水平にならされ
た形状の波形を有する高周波（合成高周波）が得られ
る。
【００２３】なお、加算器３６には、重ね合わせによっ
て得られた合成高周波を増幅するための増幅器３８が接
続されている。そして、増幅器３８によって増幅された
合成高周波が給電経路部４を通じて電極板２に供給され
るようになっている。
て得られた合成高周波を増幅するための増幅器３８が接
続されている。そして、増幅器３８によって増幅された
合成高周波が給電経路部４を通じて電極板２に供給され
るようになっている。
【００２４】［作用効果］次に、このような構成よりな
る本実施形態の作用効果について説明する。
る本実施形態の作用効果について説明する。
【００２５】本実施形態によれば、電極板２の対向面２
０に形成される定在波の波形も、（振幅ゼロになる時点
を除いて）上記合成高周波と同様、ほぼ正弦波の山と谷
の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2が略水平にならされた形状とな
る。従って、図１（ｂ）に示すように、ほぼ正弦波の波
形を有した高周波をそのまま用いる場合（図４（ｂ））
に比べて、被処理体の半径方向ｒに対する電界強度Ｅの
変化幅を小さくすることができる。このため、処理容器
１内で被処理体Ｗに対するより均一なプラズマ処理を行
うことが可能となる。
０に形成される定在波の波形も、（振幅ゼロになる時点
を除いて）上記合成高周波と同様、ほぼ正弦波の山と谷
の頂点側部分Ｐ1，Ｐ2が略水平にならされた形状とな
る。従って、図１（ｂ）に示すように、ほぼ正弦波の波
形を有した高周波をそのまま用いる場合（図４（ｂ））
に比べて、被処理体の半径方向ｒに対する電界強度Ｅの
変化幅を小さくすることができる。このため、処理容器
１内で被処理体Ｗに対するより均一なプラズマ処理を行
うことが可能となる。
【００２６】［変形例］上記実施形態において、高周波
供給手段３は、上述した構成のものに限らず、ほぼ正弦
波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の波
形（改良波形）を有する高周波を供給できるものであれ
ば、他の構成のものであってもよい。また、給電経路部
４は、上述した同軸構造に限らず、周波供給手段３から
の高周波を電極板２に給電可能なものであれば、他の構
造を有していてもよい。
供給手段３は、上述した構成のものに限らず、ほぼ正弦
波の山と谷の頂点側部分が略水平にならされた形状の波
形（改良波形）を有する高周波を供給できるものであれ
ば、他の構成のものであってもよい。また、給電経路部
４は、上述した同軸構造に限らず、周波供給手段３から
の高周波を電極板２に給電可能なものであれば、他の構
造を有していてもよい。
【００２７】次に、電極板（上部電極）２の方に、上記
改良波形を有する高周波を印加する場合について説明し
たが、本発明はこれに限られるものではない。すなわ
ち、載置台（下部電極）１２の方に、上記改良波形を有
する高周波を印加するようにしてもよい。また、電極板
（上部電極）２と載置台（下部電極）１２の両方に、上
記改良波形を有する高周波を印加するようにしてもよ
い。後者の場合、電極板（上部電極）２および載置台
（下部電極）１２のための高周波供給手段としては、両
方に共通のものを用いても、それぞれに固有のものを用
いてもよい。
改良波形を有する高周波を印加する場合について説明し
たが、本発明はこれに限られるものではない。すなわ
ち、載置台（下部電極）１２の方に、上記改良波形を有
する高周波を印加するようにしてもよい。また、電極板
（上部電極）２と載置台（下部電極）１２の両方に、上
記改良波形を有する高周波を印加するようにしてもよ
い。後者の場合、電極板（上部電極）２および載置台
（下部電極）１２のための高周波供給手段としては、両
方に共通のものを用いても、それぞれに固有のものを用
いてもよい。
【００２８】さらに、電極板（上部電極）２と載置台
（下部電極）１２のうち、いずれか一方を接地して、他
方に上記改良波形を有する高周波を印加するように構成
してもよい。
（下部電極）１２のうち、いずれか一方を接地して、他
方に上記改良波形を有する高周波を印加するように構成
してもよい。
【００２９】また、電極板（上部電極）２および載置台
（下部電極）１２として水平断面が円形のもの（略円板
状および円柱状のもの）を用いる場合について説明した
が、水平断面が矩形等の他の形状のものを用いてもよ
い。
（下部電極）１２として水平断面が円形のもの（略円板
状および円柱状のもの）を用いる場合について説明した
が、水平断面が矩形等の他の形状のものを用いてもよ
い。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ほぼ正弦波の波形を有
した高周波をそのまま用いる場合に比べて、被処理体の
半径方向に対する電界強度の変化幅を小さくすることが
できる。このため、処理容器内で被処理体に対するより
均一なプラズマ処理を行うことが可能となる。
した高周波をそのまま用いる場合に比べて、被処理体の
半径方向に対する電界強度の変化幅を小さくすることが
できる。このため、処理容器内で被処理体に対するより
均一なプラズマ処理を行うことが可能となる。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一実施形態を
示す図であって、（ａ）は当該装置の構造を模式的に示
す縦断面図、（ｂ）は当該装置の載置台上における半径
方向の電界強度分布を示すグラフ。
示す図であって、（ａ）は当該装置の構造を模式的に示
す縦断面図、（ｂ）は当該装置の載置台上における半径
方向の電界強度分布を示すグラフ。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置における、高周波
供給手段の構成例を示すブロック図。
供給手段の構成例を示すブロック図。
【図３】図２に示す高周波供給手段における高周波の波
形の一例を示す図であって、（ａ）は主高周波、（ｂ）
は位相変化前の副高周波、（ｃ）は位相変化後の副高周
波、（ｄ）は重ね合わせにより得られた合成高周波の各
波形を示す図。
形の一例を示す図であって、（ａ）は主高周波、（ｂ）
は位相変化前の副高周波、（ｃ）は位相変化後の副高周
波、（ｄ）は重ね合わせにより得られた合成高周波の各
波形を示す図。
【図４】従来のプラズマ処理装置を示す図であって、
（ａ）は当該装置の構造を模式的に示す縦断面図、
（ｂ）は当該装置の載置台上における半径方向の電界強
度分布を示すグラフ。
（ａ）は当該装置の構造を模式的に示す縦断面図、
（ｂ）は当該装置の載置台上における半径方向の電界強
度分布を示すグラフ。
１ 処理容器 １２ 載置台（下部電極） ２ 電極板（上部電極） ２０ 対向面 ３ 高周波供給手段 ３０ 高周波電源 ３２ 波形整形器 ３４ 位相調整器 ３６ 加算器 ３８ 増幅器 ４ 給電経路部 ４０ 中心導体 ４２ 外部導体 ４４ 誘電体 Ｗ 被処理体 Ｐ1 （高周波の波形における）山の頂点側部分 Ｐ2 （高周波の波形における）谷の頂点側部分
Claims (2)
- 【請求項１】被処理体を収納する処理容器と、 この処理容器内に設けられた電極と、 この電極に高周波を供給するための高周波供給手段とを
備え、前記処理容器内において高周波によるプラズマを
生成するように構成されると共に、 前記高周波供給手段は、ほぼ正弦波の山と谷の頂点側部
分が略水平にならされた形状の波形を有する高周波を供
給するように構成されている、ことを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項２】前記高周波供給手段は、 ほぼ正弦波の波形を有した主高周波を生成する高周波発
生源と、 前記主高周波の一部に対して波形整形を施して、前記主
高周波の波形の山と谷の頂点側部分のみを取り出した形
状の波形を有した副高周波を生成する波形整形器と、 この波形整形器によって生成された副高周波の位相を前
記主高周波の位相に対して１８０度ずらす位相調整器
と、 この位相調整器によって位相がずらされた前記副高周波
と、前記主高周波とを重ね合わせる加算器とを有する、
ことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048001A JP2001237100A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | プラズマ処理装置 |
| US09/789,612 US6404134B2 (en) | 2000-02-24 | 2001-02-22 | Plasma processing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048001A JP2001237100A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237100A true JP2001237100A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18570156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000048001A Pending JP2001237100A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6404134B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001237100A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7486442B2 (ja) | 2020-07-14 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806201B2 (en) * | 2000-09-29 | 2004-10-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method using active matching |
| US7160954B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-01-09 | Acushnet Company | Golf ball compositions neutralized with ammonium-based and amine-based compounds |
| JP6640608B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| US11373845B2 (en) | 2020-06-05 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for symmetrical hollow cathode electrode and discharge mode for remote plasma processes |
| US11655540B2 (en) | 2020-06-26 | 2023-05-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for adjusting wafer performance using multiple RF generators |
| CN113936985A (zh) * | 2020-07-14 | 2022-01-14 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770922A (en) * | 1996-07-22 | 1998-06-23 | Eni Technologies, Inc. | Baseband V-I probe |
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000048001A patent/JP2001237100A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-22 US US09/789,612 patent/US6404134B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7486442B2 (ja) | 2020-07-14 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010017524A1 (en) | 2001-08-30 |
| US6404134B2 (en) | 2002-06-11 |
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