JP7486442B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 216
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 138
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 112
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 127
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- -1 H3+ ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004356 Ti Raw Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010068 TiCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010062 TiCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000006298 dechlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L titanium(ii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ti+2] ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
まず、基本的な実施形態である第1の実施形態について説明する。
図1は第1の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。
プラズマ処理装置100は、基板Wに対してプラズマ処理を行うものであり、容量結合プラズマ処理装置として構成されている。基板Wとしては、例えば半導体ウエハを挙げることができるが、これに限定されない。
まず、ゲートバルブを開にして搬送装置(図示せず)により基板Wを搬入出口を介して処理容器1内に搬入し、基板載置台2上に載置する。搬送装置を退避させた後、ゲートバルブを閉じる。
次に、第2の実施形態について説明する。
図13は、第2の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。
第2の実施形態に係るプラズマ処理装置101は、第1の実施形態に係るプラズマ処理装置100と同様、基本的な実施形態である。本実施形態のプラズマ処理装置101は、第1の実施形態の電圧波形整形部33の代わりに、構造が異なる電圧波形整形部331を設けた点のみがプラズマ処理装置100とは異なっている。したがって、図13中、図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
次に、第3の実施形態について説明する。
図15は、第3の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。
第3の実施形態に係るプラズマ処理装置102は、第1の実施形態の電圧波形整形部33の代わりに、上部電極に印加される電圧を調整する電圧調整部としてツェナーダイオード381を有する電圧波形整形部332を設けた点のみが第1の実施形態のプラズマ処理装置100とは異なっている。したがって、図15中、図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
次に、第4の実施形態について説明する。
図19は、第4の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。
第4の実施形態に係るプラズマ処理装置103は、電圧調整部として抵抗383を有する電圧波形整形部334を設けた点のみが第1の実施形態のプラズマ処理装置100とは異なっている。したがって、図19中、図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
次に、第5の実施形態について説明する。
図21は、第5の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。
第5の実施形態に係るプラズマ処理装置104は、電圧調整部として電源385を有する電圧波形整形部336を設けた点のみが第1の実施形態のプラズマ処理装置100とは異なっている。したがって、図21中、図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
次に、具体的な実施形態である第6の実施形態について説明する。
本実施形態では、第1の実施形態に示した基本的構造のプラズマ処理装置を成膜装置に適用した例を示す。
プラズマ処理装置105は、基板Wに対してプラズマCVDによりTi膜を成膜するプラズマCVD装置であり、容量結合プラズマ処理装置として構成されている。基板Wとしては、例えば半導体ウエハを挙げることができるが、これに限定されない。
高周波電力周波数:450kHz
高周波パワー:40W
圧力:2.0Torr
電極間ギャップ:13.5mm
基板載置台温度:450℃
ガス:TiCl4/Ar/H2=25/2400/1000sccm
次に、具体的な実施形態である第7の実施形態について説明する。
図27は、第7の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す断面図である。
本実施形態のプラズマ処理装置105aは、高周波電源30の代わりに高周波パルス電源60を用いた点のみが図23の第6の実施形態に係るプラズマ処理装置105と異なっている。他は図23のプラズマ処理装置と同じ構成なので同じ符号を付して説明を省略する。
高周波電力周波数:450kHz
高周波パワー:100W
圧力:4.0Torr
電極間ギャップ:13.5mm
基板載置台温度:450℃
ガス:TiCl4/Ar/H2=25/2400/1000sccm
パルス周波数:10kHz
高周波電力周波数:450kHz
圧力:6.0Torr
電極間ギャップ:13.5mm
基板載置台温度:450℃
ガス:TiCl4/Ar/H2=25/2400/1000sccm
パルス周波数:10kHz
次に、具体的な実施形態である第8の実施形態について説明する。
本実施形態では、第1の実施形態に示した基本的構造のプラズマ処理装置をエッチング装置に適用した例を示す。
本実施形態に係るプラズマ処理装置106は、基板Wに存在する膜をエッチングするエッチング装置であり、容量結合プラズマ処理装置として構成されている。基板Wとしては、例えば半導体ウエハを挙げることができるが、これに限定されない。
基板:300mmSiウエハ
高周波電力周波数:450kHz
高周波パワー:300W
圧力:800mTorr
ガス:Ar/O2=1000/500sccm
電極間ギャップ:15mm
静電チャック温度:23℃~
フォーカスリング:Si(フローティング)
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
2,216;基板載置台(下部電極)
10,120,234;シャワーヘッド(上部電極)
20,130,250;ガス供給部
30;高周波電源
33,331,332,333,334,335,336,337;電圧波形整形部
34;キャパシタ
35;ダイオード
36,361,362,363,364,365,366,367;接地回路
37;スイッチング素子
60;高周波パルス電源
100,101,102,103,104,105,105a,106;プラズマ処理装置
112;基板載置台
114;下部電極
381,381a、381b、381c;ツェナーダイオード
383;抵抗
384;可変抵抗
385;電源
386;可変電源
W;基板
Claims (18)
- 基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板が載置される基板載置台と、
前記基板載置台に含まれる接地された下部電極と、
前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、
処理ガスを前記上部電極と前記基板載置台との間に供給するガス供給部と、
前記上部電極に高周波電力を印加して前記処理ガスのプラズマを生成する高周波電源と、
前記高周波電源と前記上部電極の間に設けられ、上部電極に印加される高周波電圧のうち正電圧を抑制するように高周波電源の電圧波形を整形する電圧波形整形部と、
を備える、プラズマ処理装置。 - 前記電圧波形整形部は、前記高周波電源の給電ラインに設けられたキャパシタと、前記給電ラインの前記キャパシタの下流側から分岐しダイオードを介して接地される接地回路と、を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電圧波形整形部は、前記高周波電源の給電ラインに設けられたキャパシタと、前記給電ラインの前記キャパシタの下流側から分岐し、前記上部電極に正電圧が印加された際に選択的に接地側へ電流を流すようにオン・オフするスイッチング素子を介して接地される接地回路と、を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地回路は、前記上部電極に印加される電圧を調整する電圧調整部をさらに有する、請求項2または請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電圧調整部は、ツェナーダイオードを含む、請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地回路は、ツェナー電圧が異なる接地された複数の線路と、前記複数の線路のいずれかに切り替えるスイッチとを有する、請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電圧調整部は抵抗を含む、請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記抵抗は可変抵抗である、請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電圧調整部は電源を含む、請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電源は可変電源である、請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給部は前記基板に向けて前記処理ガスを吐出するシャワーヘッドを有し、前記シャワーヘッドは前記上部電極を含む、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガスは、TiCl4とH2とArとを含み、
前記プラズマ処理は、前記基板の表面にTi膜を成膜する処理である、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記基板は、表面に結合エネルギーが相対的に小さい第1の材料部分と、相対的に結合エネルギーが大きい第2の材料部分とを有し、前記第1の材料部分に選択的にTi膜を成膜する、請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の材料部分は、SiまたはSiGeである、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の材料部分は、SiNまたはSiO2である、請求項13または請求項14に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電源は、パルス状の高周波電力を供給する高周波パルス電源である、請求項12から請求項15のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガスは、ArとO2とを含み、
前記プラズマ処理は、前記基板の表面部分をプラズマエッチングするエッチング処理である、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 請求項1から請求項17のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置を用いて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記基板載置台に基板を載置することと、
前記上部電極と前記基板載置台との間に処理ガスを供給することと、
前記高周波電源から高周波電力を前記上部電極に供給し、プラズマを生成することと、
前記プラズマにより前記基板にプラズマ処理を行うことと、
を有する、プラズマ処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110757947.7A CN113936985A (zh) | 2020-07-14 | 2021-07-05 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
KR1020210090109A KR20220008776A (ko) | 2020-07-14 | 2021-07-09 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US17/374,671 US20220020568A1 (en) | 2020-07-14 | 2021-07-13 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020120879 | 2020-07-14 | ||
JP2020120879 | 2020-07-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022018062A JP2022018062A (ja) | 2022-01-26 |
JP7486442B2 true JP7486442B2 (ja) | 2024-05-17 |
Family
ID=80186192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021007232A Active JP7486442B2 (ja) | 2020-07-14 | 2021-01-20 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7486442B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000306891A (ja) | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001237100A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006286812A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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2021
- 2021-01-20 JP JP2021007232A patent/JP7486442B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000306891A (ja) | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001237100A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006286812A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022018062A (ja) | 2022-01-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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