JP2000322022A - 画像形成装置及び画像形成方法 - Google Patents
画像形成装置及び画像形成方法Info
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- JP2000322022A JP2000322022A JP2000107131A JP2000107131A JP2000322022A JP 2000322022 A JP2000322022 A JP 2000322022A JP 2000107131 A JP2000107131 A JP 2000107131A JP 2000107131 A JP2000107131 A JP 2000107131A JP 2000322022 A JP2000322022 A JP 2000322022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子放出素子を用いた画像形成装置における
消費電力を抑制する。 【解決手段】 複数の電子放出素子と、該電子放出素子
から放出される電子の照射により発光する発光体と、前
記複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択し
た電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える
電位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段
と、少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信
号に応じた電位を与える第２の電位印加手段とを有する
画像形成装置において、選択された電子放出素子に印加
される電圧を、該選択された電子放出素子からの電子の
照射による前記発光体の発光を要求されない時に、該電
子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光が
生じるか生じないかのしきい値の近傍とする。
消費電力を抑制する。 【解決手段】 複数の電子放出素子と、該電子放出素子
から放出される電子の照射により発光する発光体と、前
記複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択し
た電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える
電位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段
と、少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信
号に応じた電位を与える第２の電位印加手段とを有する
画像形成装置において、選択された電子放出素子に印加
される電圧を、該選択された電子放出素子からの電子の
照射による前記発光体の発光を要求されない時に、該電
子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光が
生じるか生じないかのしきい値の近傍とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光体への電子の
照射による画像形成装置、及び画像形成方法に関する。
照射による画像形成装置、及び画像形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より電子を発光体に照射して画像を
形成する技術が知られている。例えば、ＣＲＴがよく知
られている。
形成する技術が知られている。例えば、ＣＲＴがよく知
られている。
【０００３】また、電子放出素子として熱陰極素子と冷
陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰極素子
では、例えば表面伝導型放出素子や、電界放出型素子
（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型放出素
子（以下ＭＩＭ型と記す）などが知られている。
陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰極素子
では、例えば表面伝導型放出素子や、電界放出型素子
（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型放出素
子（以下ＭＩＭ型と記す）などが知られている。
【０００４】表面伝導型放出素子としては、例えば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６５）
や、後述する他の例が知られている。
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６５）
や、後述する他の例が知られている。
【０００５】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎ
Ｏ2 薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
〔Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）〕や、Ｉｎ２Ｏ３／
ＳｎＯ２薄膜によるもの〔Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎ
ｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）〕や、カ
ーボン薄膜によるもの〔荒木久 他：真空、第２６巻、
第１号、２２（１９８３）〕等が報告されている。
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎ
Ｏ2 薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
〔Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）〕や、Ｉｎ２Ｏ３／
ＳｎＯ２薄膜によるもの〔Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎ
ｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）〕や、カ
ーボン薄膜によるもの〔荒木久 他：真空、第２６巻、
第１号、２２（１９８３）〕等が報告されている。
【０００６】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図１７に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図においいて、３０
０１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸
化物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は
図示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導
電性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる
通電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成
される。図中の間隔Ｌは、０．５〜１〔ｍｍ〕，Ｗは、
０．１〔ｍｍ〕で設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。
典型的な例として、図１７に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図においいて、３０
０１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸
化物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は
図示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導
電性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる
通電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成
される。図中の間隔Ｌは、０．５〜１〔ｍｍ〕，Ｗは、
０．１〔ｍｍ〕で設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。
【０００７】Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじ
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、通電により電子放出部を形成するものであ
り、例えば前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流
電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくり
としたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導
電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは
変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００
５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは変
形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀
裂が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜３
００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近
において電子放出が行われる。
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、通電により電子放出部を形成するものであ
り、例えば前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流
電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくり
としたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導
電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは
変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００
５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは変
形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀
裂が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜３
００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近
において電子放出が行われる。
【０００８】また、ＦＥ形の例は、例えば、Ｗ．Ｐ．Ｄ
ｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅ−ｌｄ ｅｍｉ
ｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるいは
Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉｃａｌｐｒｏｐｅ
ｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｉｌｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ
ｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｉｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４７，５２４８（１９７６）などが知られてい
る。
ｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅ−ｌｄ ｅｍｉ
ｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるいは
Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉｃａｌｐｒｏｐｅ
ｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｉｌｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ
ｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｉｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４７，５２４８（１９７６）などが知られてい
る。
【０００９】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
１８に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。
１８に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。
【００１０】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図１
８のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。
８のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。
【００１１】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，“Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｕ
ｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，”Ｊ．
Ａｐｐｌ．ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）など
が知られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図
１９に示す。同図は断面図であり、図において、３０２
０は基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２
は厚さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０
２３は厚さ８０〜３００オングストローム程度の金属よ
りなる上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０
２３と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加すること
により、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせ
るものである。
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，“Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｕ
ｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，”Ｊ．
Ａｐｐｌ．ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）など
が知られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図
１９に示す。同図は断面図であり、図において、３０２
０は基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２
は厚さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０
２３は厚さ８０〜３００オングストローム程度の金属よ
りなる上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０
２３と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加すること
により、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせ
るものである。
【００１２】また例えば、表面伝導型放出素子は、冷陰
極素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であるこ
とから、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点が
ある。そこで、例えば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号公報において、開示されるように、多数の素子
を配列して駆動するための方法が研究されている。
極素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であるこ
とから、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点が
ある。そこで、例えば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号公報において、開示されるように、多数の素子
を配列して駆動するための方法が研究されている。
【００１３】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、例えば、画像表示装置、画像記録装置などの画像形
成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。
は、例えば、画像表示装置、画像記録装置などの画像形
成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。
【００１４】特に、画像表示装置への応用としては、例
えば本出願人によるＵＳＰ ５，０６６，８８３や特開
平２−２５７５５１号公報や特開平４−２８１３７号公
報において開示されているように、表面伝導型放出素子
と電子ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合わ
せて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導型
放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置
は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性が
期待されている。例えば、近年普及してきた液晶表示装
置と比較しても、自発光型であるためバックライトを必
要としない点や、視野角が広い点が優れていると言え
る。
えば本出願人によるＵＳＰ ５，０６６，８８３や特開
平２−２５７５５１号公報や特開平４−２８１３７号公
報において開示されているように、表面伝導型放出素子
と電子ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合わ
せて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導型
放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置
は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性が
期待されている。例えば、近年普及してきた液晶表示装
置と比較しても、自発光型であるためバックライトを必
要としない点や、視野角が広い点が優れていると言え
る。
【００１５】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、例えば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９５
に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応用
した例として、例えば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報告さ
れた平板型表示装置が知られている。〔Ｒ．Ｍｅｙｅ
ｒ：“Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｎＭ
ｉｃｒｏｔｉｐｓ Ｄｉｓｐｌａｙ ａｔ ＬＥＴ
Ｉ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ４ｔｈ Ｉｎ
ｔ．Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｃｒｏｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ．ｐｐ．６〜９（１
９９１）〕また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装置
に応用した例は、例えば本出願人による特開平３−５５
７３８号公報に開示されている。
法は、例えば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９５
に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応用
した例として、例えば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報告さ
れた平板型表示装置が知られている。〔Ｒ．Ｍｅｙｅ
ｒ：“Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｎＭ
ｉｃｒｏｔｉｐｓ Ｄｉｓｐｌａｙ ａｔ ＬＥＴ
Ｉ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ４ｔｈ Ｉｎ
ｔ．Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｃｒｏｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ．ｐｐ．６〜９（１
９９１）〕また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装置
に応用した例は、例えば本出願人による特開平３−５５
７３８号公報に開示されている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】発明者らは、上記従来
技術に記載したものをはじめとして、さまざまな材料、
製法、構造の冷陰極素子を試みてきた。さらに、多数の
冷陰極素子を配列したマルチ電源ビーム源、ならびにこ
のマルチ電子ビーム源を応用した画像表示装置について
研究を行ってきた。
技術に記載したものをはじめとして、さまざまな材料、
製法、構造の冷陰極素子を試みてきた。さらに、多数の
冷陰極素子を配列したマルチ電源ビーム源、ならびにこ
のマルチ電子ビーム源を応用した画像表示装置について
研究を行ってきた。
【００１７】発明者らは、例えば図２０に示す電気的な
配線方法によるマルチ電子ビーム源を試みてきた。すな
わち、冷陰極素子を２次元的に多数個配列し、これらの
素子を図示のようにマトリクス状に配線したマルチ電子
ビーム源である。
配線方法によるマルチ電子ビーム源を試みてきた。すな
わち、冷陰極素子を２次元的に多数個配列し、これらの
素子を図示のようにマトリクス状に配線したマルチ電子
ビーム源である。
【００１８】図中４００１は冷陰極素子を模式的に示し
たもの、４００２は行方向配線、４００３は列方向配線
である。行方向配線４００２および列方向配線４００３
は、実際には有限の電気抵抗を有するものであるが、図
においては配線抵抗４００４および４００５として示さ
れている。上述のような配線方法を、単純マトリクス配
線と呼ぶ。
たもの、４００２は行方向配線、４００３は列方向配線
である。行方向配線４００２および列方向配線４００３
は、実際には有限の電気抵抗を有するものであるが、図
においては配線抵抗４００４および４００５として示さ
れている。上述のような配線方法を、単純マトリクス配
線と呼ぶ。
【００１９】なお、図示の便宜上、６×６のマトリクス
で示しているが、マトリクスの規模はむろんこれに限っ
たわけではなく、例えば画像表示装置用のマルチ電子ビ
ーム源の場合には、所望の画像表示を行うのに足りるだ
けの素子を配列し配線するものである。
で示しているが、マトリクスの規模はむろんこれに限っ
たわけではなく、例えば画像表示装置用のマルチ電子ビ
ーム源の場合には、所望の画像表示を行うのに足りるだ
けの素子を配列し配線するものである。
【００２０】冷陰極素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源においては、所望の電子ビームを出力さ
せるため、行方向配線４００２および列方向配線４００
３に適宜の電気信号を印加する。例えば、マトリクスの
中の任意の１行の冷陰極素子を駆動するには、選択する
行の行方向配線４００２には選択電圧Ｖｓを印加し、同
時に非選択の行の行方向配線４００２には非選択電圧Ｖ
ｎｓを印加する。これと同期して列方向配線４００３に
電子ビームを出力するための駆動電圧Ｖｅを印加する。
この方法によれば、配線抵抗４００４および４００５に
よる電圧降下を無視すれば、選択する行の冷陰極素子に
は、Ｖｅ−Ｖｓの電圧が印加され、また非選択行の冷陰
極素子にはＶｅ−Ｖｎｓの電圧が印加される。Ｖｅ，Ｖ
ｓ，Ｖｎｓを適宜の大きさの電圧にすれば選択する行の
冷陰極素子だけから所望の強度の電子ビームが出力され
るはずであり、また列方向配線の各々に異なる駆動電圧
Ｖｅを印加すれば、選択する行の素子の各々から異なる
強度の電子ビームが出力されるはずである。また、駆動
電圧Ｖｅを印加する時間の長さを変えれば、電子ビーム
が出力される時間の長さも変えることができるはずであ
る。
チ電子ビーム源においては、所望の電子ビームを出力さ
せるため、行方向配線４００２および列方向配線４００
３に適宜の電気信号を印加する。例えば、マトリクスの
中の任意の１行の冷陰極素子を駆動するには、選択する
行の行方向配線４００２には選択電圧Ｖｓを印加し、同
時に非選択の行の行方向配線４００２には非選択電圧Ｖ
ｎｓを印加する。これと同期して列方向配線４００３に
電子ビームを出力するための駆動電圧Ｖｅを印加する。
この方法によれば、配線抵抗４００４および４００５に
よる電圧降下を無視すれば、選択する行の冷陰極素子に
は、Ｖｅ−Ｖｓの電圧が印加され、また非選択行の冷陰
極素子にはＶｅ−Ｖｎｓの電圧が印加される。Ｖｅ，Ｖ
ｓ，Ｖｎｓを適宜の大きさの電圧にすれば選択する行の
冷陰極素子だけから所望の強度の電子ビームが出力され
るはずであり、また列方向配線の各々に異なる駆動電圧
Ｖｅを印加すれば、選択する行の素子の各々から異なる
強度の電子ビームが出力されるはずである。また、駆動
電圧Ｖｅを印加する時間の長さを変えれば、電子ビーム
が出力される時間の長さも変えることができるはずであ
る。
【００２１】したがって、冷陰極素子を単純マトリクス
配線したマルチ電子ビーム源はいろいろな応用可能性が
あり、例えば画像情報に応じた電気信号を適宜印加すれ
ば、画像表示装置用の電子源として好適に用いることが
できる。
配線したマルチ電子ビーム源はいろいろな応用可能性が
あり、例えば画像情報に応じた電気信号を適宜印加すれ
ば、画像表示装置用の電子源として好適に用いることが
できる。
【００２２】本願においては、電子放出素子を用いた画
像形成の為の新しい装置及び方法を提供するものであ
る。
像形成の為の新しい装置及び方法を提供するものであ
る。
【００２３】また、より具体的には以下の様な課題もあ
る。
る。
【００２４】課題高画質表示をおこなうために、素子
の数を増大させる必要がある。それにともない多数の素
子を駆動するための駆動回路部の集積化が望まれ、その
ために駆動部の低消費電力化が強く望まれていた。
の数を増大させる必要がある。それにともない多数の素
子を駆動するための駆動回路部の集積化が望まれ、その
ために駆動部の低消費電力化が強く望まれていた。
【００２５】課題発光／非発光のしきい値電圧が、放
出電子ビームの加速電圧やパネルのロットなどによりわ
ずかに変動することがある。
出電子ビームの加速電圧やパネルのロットなどによりわ
ずかに変動することがある。
【００２６】課題本画像表示装置が設置される場所の
周囲の明るさや使用者の好みに応じてピーク輝度を変化
させたい場合がある。
周囲の明るさや使用者の好みに応じてピーク輝度を変化
させたい場合がある。
【００２７】また、画像表示装置の消費電力抑制を行な
いたい場合にピーク輝度を低く設定したい場合もある。
いたい場合にピーク輝度を低く設定したい場合もある。
【００２８】課題本画像表示装置が例えばＴＶ信号や
コンピュータの出力画像信号など複数の画像信号を表示
する場合、対応する入力画像信号に応じてピーク輝度を
設定したい場合がある。
コンピュータの出力画像信号など複数の画像信号を表示
する場合、対応する入力画像信号に応じてピーク輝度を
設定したい場合がある。
【００２９】課題通常ＴＶ信号はＣＲＴを用いた受像
機を対象に考えており、ＣＲＴが有するガンマ特性（輝
度信号−発光輝度特性の非線形な特性）を送出側であら
かじめ補正して（以後ガンマ補正と呼ぶ）出力される。
機を対象に考えており、ＣＲＴが有するガンマ特性（輝
度信号−発光輝度特性の非線形な特性）を送出側であら
かじめ補正して（以後ガンマ補正と呼ぶ）出力される。
【００３０】すなわち本画像表示装置のようにＣＲＴ以
外の表示デバイスを用いた表示装置がＴＶ信号を受信す
る場合、ＣＲＴの非線形な発光特性に合わせるような発
光特性変換手段が必要である。
外の表示デバイスを用いた表示装置がＴＶ信号を受信す
る場合、ＣＲＴの非線形な発光特性に合わせるような発
光特性変換手段が必要である。
【００３１】課題本画像装置でカラー表示を行なう場
合、例えば赤色、緑色、青色に発光する３種類の蛍光体
を有する表示パネルを形成すればよい。しかし電子ビー
ム照射を受け発光する蛍光体の発光量は使用する蛍光体
の種類や電子ビーム加速電圧により変動し、赤色、緑
色、青色３種類の蛍光体に同じ量の電子ビーム照射を行
なえば好適な色再現特性が得られるとは限らず、加速電
圧や使用する蛍光体に応じて照射ビーム量を制御したい
場合がある。
合、例えば赤色、緑色、青色に発光する３種類の蛍光体
を有する表示パネルを形成すればよい。しかし電子ビー
ム照射を受け発光する蛍光体の発光量は使用する蛍光体
の種類や電子ビーム加速電圧により変動し、赤色、緑
色、青色３種類の蛍光体に同じ量の電子ビーム照射を行
なえば好適な色再現特性が得られるとは限らず、加速電
圧や使用する蛍光体に応じて照射ビーム量を制御したい
場合がある。
【００３２】また本画像表示装置が設置される場所の周
囲光の色合いや使用者の好みに応じて本画像表示装置の
発光の色合いを変化させたい場合や、画像表示装置に入
力される信号の種類に応じて発光の色合いを変化させた
い場合もある。ここで言う発光の色合いとはより具体的
には、入力信号の輝度レベルが小さく黒に近い状態の発
光色及び入力信号の輝度レベルが大きく最大発光輝度に
近いレベルでの発光色また黒から白まで入力輝度信号が
変化するときの発光色などである。
囲光の色合いや使用者の好みに応じて本画像表示装置の
発光の色合いを変化させたい場合や、画像表示装置に入
力される信号の種類に応じて発光の色合いを変化させた
い場合もある。ここで言う発光の色合いとはより具体的
には、入力信号の輝度レベルが小さく黒に近い状態の発
光色及び入力信号の輝度レベルが大きく最大発光輝度に
近いレベルでの発光色また黒から白まで入力輝度信号が
変化するときの発光色などである。
【００３３】課題本発明のように電子放出素子、特に
は冷陰極素子、特には表面伝導型放出素子を用いて画像
表示装置を構成する場合、前述のように素子印加電圧を
制御することにより、放出電子ビーム変調すなわち輝度
変調を実現することが出来る。しかしながら、電子放出
素子においてはある電圧値以上の素子印加電圧を加える
と特性が劣化するもしくは素子特性が保証できなくなる
という定格電圧が存在する。したがいこのような画像表
示においては、定格以上の素子電圧が印加されないため
の保護手段が望まれる。
は冷陰極素子、特には表面伝導型放出素子を用いて画像
表示装置を構成する場合、前述のように素子印加電圧を
制御することにより、放出電子ビーム変調すなわち輝度
変調を実現することが出来る。しかしながら、電子放出
素子においてはある電圧値以上の素子印加電圧を加える
と特性が劣化するもしくは素子特性が保証できなくなる
という定格電圧が存在する。したがいこのような画像表
示においては、定格以上の素子電圧が印加されないため
の保護手段が望まれる。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本願に関わる画像形成装
置の発明の一つは以下のように構成される。
置の発明の一つは以下のように構成される。
【００３５】複数の第１配線と複数の第２配線とを用い
てマトリクス配線した複数の電子放出素子と、該電子放
出素子から放出される電子の照射により発光する発光体
と、前記複数の第１配線のそれぞれを順次選択し、選択
した第１配線に選択していない第１配線の電位と異なる
所定の電位を与える第１配線駆動回路と、前記複数の第
２配線のそれぞれに、画像信号に応じた電位を与える第
２配線駆動回路と、を有する画像形成装置であって、前
記第１配線駆動回路によって選択された第１配線に接続
される電子放出素子であって、該電子放出素子からの電
子の照射による前記発光体の発光を要求されない電子放
出素子における、前記第１配線と第２配線によってそれ
ぞれ与えられる電位間の電位差が、該電子放出素子から
の電子の照射による前記発光体の発光が生じるか生じな
いかのしきい値の近傍であることを特徴とする画像形成
装置。
てマトリクス配線した複数の電子放出素子と、該電子放
出素子から放出される電子の照射により発光する発光体
と、前記複数の第１配線のそれぞれを順次選択し、選択
した第１配線に選択していない第１配線の電位と異なる
所定の電位を与える第１配線駆動回路と、前記複数の第
２配線のそれぞれに、画像信号に応じた電位を与える第
２配線駆動回路と、を有する画像形成装置であって、前
記第１配線駆動回路によって選択された第１配線に接続
される電子放出素子であって、該電子放出素子からの電
子の照射による前記発光体の発光を要求されない電子放
出素子における、前記第１配線と第２配線によってそれ
ぞれ与えられる電位間の電位差が、該電子放出素子から
の電子の照射による前記発光体の発光が生じるか生じな
いかのしきい値の近傍であることを特徴とする画像形成
装置。
【００３６】この構成においては、消費電力を低減する
ことが可能となる。本願発明者は、画像信号に応じて変
化する電位を出力する回路における消費電力と、複数の
配線（第１配線）それぞれを順次選択するための回路に
おける消費電力とでは、前者の方が大きくなりがちで有
ることを見出した。これは、画像信号に応じ変化する電
位を出力する回路においては、例えば所望の輝度に応じ
て変化する電位を出力する必要があるのに対して、複数
の配線（第１配線）のそれぞれを順次選択するための回
路においては、より単純な制御でいいからである。（例
えば、選択と非選択を２値の電位で切りかえる時には、
トランジスタなどのスイッチ回路で構成できる。）本願
発明者は、この知見に基づき、第１配線駆動部によって
選択された第１配線に接続される電子放出素子であっ
て、該電子放出素子からの電子の照射による前記発光体
の発光を要求されない電子放出素子における、前記第１
配線と第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電
位差を、該電子放出素子からの電子の照射による前記発
光体の発光が生じるか生じないかのしきい値の近傍に設
定することにより、消費電力を低減できることを想到し
た。これは該構成により画像信号に応じて変化する電位
を出力する回路の出力電位の変化範囲を抑制できるため
である。
ことが可能となる。本願発明者は、画像信号に応じて変
化する電位を出力する回路における消費電力と、複数の
配線（第１配線）それぞれを順次選択するための回路に
おける消費電力とでは、前者の方が大きくなりがちで有
ることを見出した。これは、画像信号に応じ変化する電
位を出力する回路においては、例えば所望の輝度に応じ
て変化する電位を出力する必要があるのに対して、複数
の配線（第１配線）のそれぞれを順次選択するための回
路においては、より単純な制御でいいからである。（例
えば、選択と非選択を２値の電位で切りかえる時には、
トランジスタなどのスイッチ回路で構成できる。）本願
発明者は、この知見に基づき、第１配線駆動部によって
選択された第１配線に接続される電子放出素子であっ
て、該電子放出素子からの電子の照射による前記発光体
の発光を要求されない電子放出素子における、前記第１
配線と第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電
位差を、該電子放出素子からの電子の照射による前記発
光体の発光が生じるか生じないかのしきい値の近傍に設
定することにより、消費電力を低減できることを想到し
た。これは該構成により画像信号に応じて変化する電位
を出力する回路の出力電位の変化範囲を抑制できるため
である。
【００３７】ここで、前記しきい値とは、少なくとも以
下のいずれかひとつを用いて決めることができる。 １）第１配線と第２配線それぞれによって電位差を電子
放出素子に与えた時に、該電子放出素子に対応する発光
体の発光位置の輝度が有意な値を持った時の電位差をし
きい値とする。輝度が有意な値を持った時とは、例えば
暗室内などの周囲の明るさが非常に暗い条件で発光体の
発光が目視でようやく認められる程度になった時であ
る。 ２） しきい値を、輝度が周囲光による輝度を越えた時
の電位差とする。 文献；コロナ社「テレビジョン画像
の評価技術」第８３頁から８５頁によれば、一般家庭に
おける周囲光による受像機の表示面輝度は２〜３ｃｄ／
ｍ２程度と推定されている。輝度は輝度計を用いて計測
できる。 ３） 輝度が２ｃｄ／ｍ２となる電位差をしきい値とす
る。輝度は輝度計を用いて計測できる。 ４）コントラスト比からこのしきい値を決める。
下のいずれかひとつを用いて決めることができる。 １）第１配線と第２配線それぞれによって電位差を電子
放出素子に与えた時に、該電子放出素子に対応する発光
体の発光位置の輝度が有意な値を持った時の電位差をし
きい値とする。輝度が有意な値を持った時とは、例えば
暗室内などの周囲の明るさが非常に暗い条件で発光体の
発光が目視でようやく認められる程度になった時であ
る。 ２） しきい値を、輝度が周囲光による輝度を越えた時
の電位差とする。 文献；コロナ社「テレビジョン画像
の評価技術」第８３頁から８５頁によれば、一般家庭に
おける周囲光による受像機の表示面輝度は２〜３ｃｄ／
ｍ２程度と推定されている。輝度は輝度計を用いて計測
できる。 ３） 輝度が２ｃｄ／ｍ２となる電位差をしきい値とす
る。輝度は輝度計を用いて計測できる。 ４）コントラスト比からこのしきい値を決める。
【００３８】表示装置のピーク輝度がＬ ｃｄ／ｍ２で
あり、コントラスト比がｋであるとき、輝度がＬ／ｋ
ｃｄ／ｍ２になった時の電位差をしきい値とする。なお
上記文献によれば、家庭内での使用条件下ではコントラ
スト比が３０以上が望ましいとされている。また、外光
の影響を受けない暗室条件下でのコントラスト比は１０
０以上が望まれることが多い。例えば、ピーク輝度が３
００ｃｄ／ｍ２、暗室内で求められるコントラスト比の
仕様が２００であれば、輝度が１．５ｃｄ／ｍ２になる
電位差をしきい値とする。また、コントラストの観点か
らは、前記発光が要求されない電子放出素子に第１配線
及び第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電位
差は、該しきい値以下であることが望ましい。
あり、コントラスト比がｋであるとき、輝度がＬ／ｋ
ｃｄ／ｍ２になった時の電位差をしきい値とする。なお
上記文献によれば、家庭内での使用条件下ではコントラ
スト比が３０以上が望ましいとされている。また、外光
の影響を受けない暗室条件下でのコントラスト比は１０
０以上が望まれることが多い。例えば、ピーク輝度が３
００ｃｄ／ｍ２、暗室内で求められるコントラスト比の
仕様が２００であれば、輝度が１．５ｃｄ／ｍ２になる
電位差をしきい値とする。また、コントラストの観点か
らは、前記発光が要求されない電子放出素子に第１配線
及び第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電位
差は、該しきい値以下であることが望ましい。
【００３９】また、選択された第1配線に接続される電
子放出素子であって、該電子放出素子からの電子の照射
による前記発光体の発光を要求されない電子放出素子に
与えられる電位差をしきい値の近傍にするとは、該電位
差としきい値との差がしきい値の10％以内、より好まし
くは5％以内、更に好ましくは1％以内におさまる範囲で
ある。本願発明の実施の形態としては、前記電位差をし
きい値よりも大きくする構成もとりうるが、その場合
も、該電位差としきい値との差をしきい値の10％以内、
より好ましくは5％以内、更に好ましくは1％以内におさ
まる範囲にするとよい。
子放出素子であって、該電子放出素子からの電子の照射
による前記発光体の発光を要求されない電子放出素子に
与えられる電位差をしきい値の近傍にするとは、該電位
差としきい値との差がしきい値の10％以内、より好まし
くは5％以内、更に好ましくは1％以内におさまる範囲で
ある。本願発明の実施の形態としては、前記電位差をし
きい値よりも大きくする構成もとりうるが、その場合
も、該電位差としきい値との差をしきい値の10％以内、
より好ましくは5％以内、更に好ましくは1％以内におさ
まる範囲にするとよい。
【００４０】また、電子放出素子に印加される電位は、
配線に印加される電位と該配線の抵抗と該配線に流れる
電流値により求めることができる。
配線に印加される電位と該配線の抵抗と該配線に流れる
電流値により求めることができる。
【００４１】また、上記発明において、前記選択した第
１配線に与えられる所定の電位は所定の基準電位よりも
所定の値低い電位であり、前記第２配線のそれぞれに与
えられる電位は前記基準電位に等しいかもしくはより高
い電位であるか、もしくは、前記選択した第１配線に与
えられる所定の電位は所定の基準電位よりも所定の値高
い電位であり、前記第２配線のそれぞれに与えられる電
位は前記基準電位に等しいかもしくはより低い電位であ
り、前記第１配線駆動部は、選択した第１配線に前記所
定の電位を与え、選択していない第１配線には前記基準
電位を与えるものであり、該基準電位と、選択した第１
配線に与えられる前記所定の電位との電位差が、前記し
きい値の近傍であるようにする構成をとることができ
る。該基準電位としては、例えばグランド電位を好適に
採用しうる。
１配線に与えられる所定の電位は所定の基準電位よりも
所定の値低い電位であり、前記第２配線のそれぞれに与
えられる電位は前記基準電位に等しいかもしくはより高
い電位であるか、もしくは、前記選択した第１配線に与
えられる所定の電位は所定の基準電位よりも所定の値高
い電位であり、前記第２配線のそれぞれに与えられる電
位は前記基準電位に等しいかもしくはより低い電位であ
り、前記第１配線駆動部は、選択した第１配線に前記所
定の電位を与え、選択していない第１配線には前記基準
電位を与えるものであり、該基準電位と、選択した第１
配線に与えられる前記所定の電位との電位差が、前記し
きい値の近傍であるようにする構成をとることができ
る。該基準電位としては、例えばグランド電位を好適に
採用しうる。
【００４２】前記第2配線に与えられる電位の変化の範
囲のうち、選択された第1配線に印加される電位に最も
近い電位と、選択していない第1配線に与えられる電位
とを概略等しくする構成は、例えば第１の実施形態に例
示されており、そこでは、前記基準電位として０ボル
ト、選択された第１配線（即ち行配線）に与えられる電
位が−１１ボルト、として与えられている。第２配線
（列配線）のそれぞれに与えられる画像信号に応じた電
位としては０ボルトから４ボルトの範囲となっている。
囲のうち、選択された第1配線に印加される電位に最も
近い電位と、選択していない第1配線に与えられる電位
とを概略等しくする構成は、例えば第１の実施形態に例
示されており、そこでは、前記基準電位として０ボル
ト、選択された第１配線（即ち行配線）に与えられる電
位が−１１ボルト、として与えられている。第２配線
（列配線）のそれぞれに与えられる画像信号に応じた電
位としては０ボルトから４ボルトの範囲となっている。
【００４３】また、最初に記載した発明において、前記
第２配線のそれぞれに、所定の電位を与える手段を有し
ており、該第２配線のそれぞれに与えられる該所定の電
位と、選択された第１配線に与えられる前記所定の電位
との電位差が、前記しきい値の近傍である様にする構成
をとることができる。前記第1の配線駆動回路によって
選択された第1配線に接続される電子放出素子であっ
て、該電子放出素子からの電子の照射による発光を要求
されない電子放出素子が接続される前記第2の配線およ
び／もしくは画像信号に応じた電位が与えられない時の
第2配線にも所定の電位を与えることによって、第2配線
の電位が不定な状態になるのを回避することが出来る。
第２配線のそれぞれに、所定の電位を与える手段を有し
ており、該第２配線のそれぞれに与えられる該所定の電
位と、選択された第１配線に与えられる前記所定の電位
との電位差が、前記しきい値の近傍である様にする構成
をとることができる。前記第1の配線駆動回路によって
選択された第1配線に接続される電子放出素子であっ
て、該電子放出素子からの電子の照射による発光を要求
されない電子放出素子が接続される前記第2の配線およ
び／もしくは画像信号に応じた電位が与えられない時の
第2配線にも所定の電位を与えることによって、第2配線
の電位が不定な状態になるのを回避することが出来る。
【００４４】前記第1の配線駆動回路によって選択され
た第1配線に接続される電子放出素子であって、該電子
放出素子からの電子の照射による発光を要求されない電
子放出素子が接続される前記第2の配線に印加する電位
と、選択されていない第1配線に印加する電位とを異な
らせる構成も好適に採用しうる。この場合の、選択され
た第1配線に接続される電子放出素子であって、該電子
放出素子からの電子の照射による発光を要求されない電
子放出素子が接続される前記第2の配線に印加する電位
と、選択されていない第1配線に印加する電位との電位
差は、発光体の輝度には実質的には寄与しない。この電
位差をオフセット電圧という。このオフセット電圧のた
めの電位を与える回路は、第2配線に与える電位を輝度
階調に応じて制御する回路とは別個に設けると好適であ
る。
た第1配線に接続される電子放出素子であって、該電子
放出素子からの電子の照射による発光を要求されない電
子放出素子が接続される前記第2の配線に印加する電位
と、選択されていない第1配線に印加する電位とを異な
らせる構成も好適に採用しうる。この場合の、選択され
た第1配線に接続される電子放出素子であって、該電子
放出素子からの電子の照射による発光を要求されない電
子放出素子が接続される前記第2の配線に印加する電位
と、選択されていない第1配線に印加する電位との電位
差は、発光体の輝度には実質的には寄与しない。この電
位差をオフセット電圧という。このオフセット電圧のた
めの電位を与える回路は、第2配線に与える電位を輝度
階調に応じて制御する回路とは別個に設けると好適であ
る。
【００４５】この構成は、例えば第２の実施形態に例示
されており、選択された第１配線に与えられる電位が−
１０．５ボルト、第２配線のそれぞれに与えられる所定
の電位が０．５ボルト、として与えられている。この第
２の実施形態においても画像信号に応じた電位の制御の
範囲は第１の実施形態と同様に０ボルトから４ボルトの
範囲としており、第２配線には所定の電位の０．５ボル
トと合わせて、０．５ボルトから４．５ボルトの電位変
化が与えられている。
されており、選択された第１配線に与えられる電位が−
１０．５ボルト、第２配線のそれぞれに与えられる所定
の電位が０．５ボルト、として与えられている。この第
２の実施形態においても画像信号に応じた電位の制御の
範囲は第１の実施形態と同様に０ボルトから４ボルトの
範囲としており、第２配線には所定の電位の０．５ボル
トと合わせて、０．５ボルトから４．５ボルトの電位変
化が与えられている。
【００４６】また、上記各発明において、前記第１配線
駆動回路によって選択された第１配線に接続される電子
放出素子であって、該電子放出素子からの電子の照射に
よる前記発光体の発光を要求されない電子放出素子にお
ける、前記第１配線と第２配線によってそれぞれ与えら
れる電位間の電位差を調整する手段を有する様にしても
よい。ここで、該電位差の調整は、選択された第1配線
に与えられる前記所定の電位を調整することによって行
うことが出来る。また、前記オフセット電圧を印加する
構成においては、オフセット電圧を与えるためのオフセ
ット電位を調整することによって行うこともできる。
駆動回路によって選択された第１配線に接続される電子
放出素子であって、該電子放出素子からの電子の照射に
よる前記発光体の発光を要求されない電子放出素子にお
ける、前記第１配線と第２配線によってそれぞれ与えら
れる電位間の電位差を調整する手段を有する様にしても
よい。ここで、該電位差の調整は、選択された第1配線
に与えられる前記所定の電位を調整することによって行
うことが出来る。また、前記オフセット電圧を印加する
構成においては、オフセット電圧を与えるためのオフセ
ット電位を調整することによって行うこともできる。
【００４７】また、上記各発明において、前記画像信号
に応じた電位の変化範囲を調整する手段を有するように
してもよい。画像信号に応じた電位の変化範囲を調整で
きるようにすることによって、ピーク輝度を調整するこ
とができる。それにより、画像形成装置の周辺の明るさ
や、使用者の好み、によって、もしくは消費電力の抑制
のためにピーク輝度を調整することが可能になる。
に応じた電位の変化範囲を調整する手段を有するように
してもよい。画像信号に応じた電位の変化範囲を調整で
きるようにすることによって、ピーク輝度を調整するこ
とができる。それにより、画像形成装置の周辺の明るさ
や、使用者の好み、によって、もしくは消費電力の抑制
のためにピーク輝度を調整することが可能になる。
【００４８】また、上述の各発明において、入力される
画像信号の種類を判別し、その判別結果に基づき、前記
画像信号に応じた電位の変化範囲を調整する手段を有す
る様にしてもよい。この構成によって、入力画像信号の
種類、例えばＴＶ信号やコンピュータの出力画像信号、
に応じてピーク輝度を調整することができる。入力され
る画像信号の種類を判別する手段を設けてもよい。
画像信号の種類を判別し、その判別結果に基づき、前記
画像信号に応じた電位の変化範囲を調整する手段を有す
る様にしてもよい。この構成によって、入力画像信号の
種類、例えばＴＶ信号やコンピュータの出力画像信号、
に応じてピーク輝度を調整することができる。入力され
る画像信号の種類を判別する手段を設けてもよい。
【００４９】また、上述の各発明において、電子放出素
子を介して流れる電流値を検出する回路を設け、該検出
した結果に基づき、前記画像信号に応じた電位の変化範
囲を調整する手段を有する様にしてもよい。電子放出素
子を介して流れる電流値を検出する構成としては、電子
放出素子が放出する電流を検出する構成を好適に採用し
うる。例えば、放出する電流値が大きくなりすぎた時
に、電流値を抑制することができる。
子を介して流れる電流値を検出する回路を設け、該検出
した結果に基づき、前記画像信号に応じた電位の変化範
囲を調整する手段を有する様にしてもよい。電子放出素
子を介して流れる電流値を検出する構成としては、電子
放出素子が放出する電流を検出する構成を好適に採用し
うる。例えば、放出する電流値が大きくなりすぎた時
に、電流値を抑制することができる。
【００５０】また、上述の各発明において、入力される
画像信号の平均輝度レベルを検出し、その検出結果に基
づき、前記画像信号に応じた電位の変化範囲を調整する
手段を有するようにしてもよい。この構成によって、平
均輝度レベルに応じてピーク輝度を調整することができ
る。特には、平均輝度レベルが高い時には、ピーク輝度
を下げるように調整することによって、消費電力を抑制
することが可能となる。入力される画像信号の平均輝度
レベルを検出する手段を設けてもよい。
画像信号の平均輝度レベルを検出し、その検出結果に基
づき、前記画像信号に応じた電位の変化範囲を調整する
手段を有するようにしてもよい。この構成によって、平
均輝度レベルに応じてピーク輝度を調整することができ
る。特には、平均輝度レベルが高い時には、ピーク輝度
を下げるように調整することによって、消費電力を抑制
することが可能となる。入力される画像信号の平均輝度
レベルを検出する手段を設けてもよい。
【００５１】また、上述の各発明において、選択された
第１配線に与えられる電位、もしくは画像信号に応じ
た電位の変化範囲、もしくは、第２配線のそれぞれに
所定の電位（オフセット電圧印加のための電位を含む）
を与えることができる構成においては、該所定の電位
、の内の少なくともいずれか一つ、もしくは複数を調
整すると、全体として電子放出素子に印加される電圧が
許容範囲を越えてしまい、電子放出素子の特性が劣化し
たり、電位放出特性を保証できなくなる可能性がある。
それを避けるためには、電子放出素子に印加される電圧
の上限を規定する手段を設けるとよい。また、上記〜
のうちのいずれかの変化に応じて、他のいずれかを調
整する手段を設けてもよい。
第１配線に与えられる電位、もしくは画像信号に応じ
た電位の変化範囲、もしくは、第２配線のそれぞれに
所定の電位（オフセット電圧印加のための電位を含む）
を与えることができる構成においては、該所定の電位
、の内の少なくともいずれか一つ、もしくは複数を調
整すると、全体として電子放出素子に印加される電圧が
許容範囲を越えてしまい、電子放出素子の特性が劣化し
たり、電位放出特性を保証できなくなる可能性がある。
それを避けるためには、電子放出素子に印加される電圧
の上限を規定する手段を設けるとよい。また、上記〜
のうちのいずれかの変化に応じて、他のいずれかを調
整する手段を設けてもよい。
【００５２】また、上述の各発明において、前記電子放
出素子に対して、前記第１配線と第２配線によってそれ
ぞれ与えられる電位間の電位差を、該電位差と該電位差
を与えられた電子放出素子からの電子の照射による前記
発光体の発光輝度との間の関係に基づいて補正する手段
を有する様にしてもよい。この補正手段を設けることに
より、より正確な画像形成を行うことができる。特に
は、通常のＴＶ信号は、ＣＲＴが有するガンマ特性（輝
度信号−発光輝度間の非線型な関係）をあらかじめ補正
して（以後ガンマ補正と呼ぶ）出力されている。そこ
で、その信号に対して、例えば使用する電子放出素子や
発光体の特性に応じた補正をかけることによりより正確
な画像形成を行うことができる。
出素子に対して、前記第１配線と第２配線によってそれ
ぞれ与えられる電位間の電位差を、該電位差と該電位差
を与えられた電子放出素子からの電子の照射による前記
発光体の発光輝度との間の関係に基づいて補正する手段
を有する様にしてもよい。この補正手段を設けることに
より、より正確な画像形成を行うことができる。特に
は、通常のＴＶ信号は、ＣＲＴが有するガンマ特性（輝
度信号−発光輝度間の非線型な関係）をあらかじめ補正
して（以後ガンマ補正と呼ぶ）出力されている。そこ
で、その信号に対して、例えば使用する電子放出素子や
発光体の特性に応じた補正をかけることによりより正確
な画像形成を行うことができる。
【００５３】また、上述の各発明において、多色表示を
行う場合、発光体を各色毎に設ければよい。特には、
赤、緑、青の３種類の発光体を配置し、各色毎の輝度を
調整する構成にすると好適である。多色表示を行う場
合、電子ビーム照射を受け発光する発光体の発光量は使
用する発光体の種類や電子ビーム加速電圧により変化
し、異なる種類の発光体に同じ量の電子ビーム照射を行
えば所望の表示が得られるとは限らない。その場合に
は、電子放出素子に第２の配線によって与えられる電位
を、各電子放出素子が対応する色に応じて調整するとよ
い。より具体的には、第２の配線によって与えられる電
位の可変の範囲を各色毎に調整するとよい。また、第２
配線のそれぞれに所定のの電位（オフセット電圧印加の
ための電位を含む）を与えることができる構成において
は、該所定の電位を各色毎に調整してもよい。また、上
述の補正を各色毎に行ってもよい。また、一つの第１配
線が選択されている間に、該選択された第１配線に接続
された電子放出素子に第２配線によって発光に関わる電
位が与えられる時間の実効的な長さを、各電子放出素子
が対応する色に応じて調整してもよい。
行う場合、発光体を各色毎に設ければよい。特には、
赤、緑、青の３種類の発光体を配置し、各色毎の輝度を
調整する構成にすると好適である。多色表示を行う場
合、電子ビーム照射を受け発光する発光体の発光量は使
用する発光体の種類や電子ビーム加速電圧により変化
し、異なる種類の発光体に同じ量の電子ビーム照射を行
えば所望の表示が得られるとは限らない。その場合に
は、電子放出素子に第２の配線によって与えられる電位
を、各電子放出素子が対応する色に応じて調整するとよ
い。より具体的には、第２の配線によって与えられる電
位の可変の範囲を各色毎に調整するとよい。また、第２
配線のそれぞれに所定のの電位（オフセット電圧印加の
ための電位を含む）を与えることができる構成において
は、該所定の電位を各色毎に調整してもよい。また、上
述の補正を各色毎に行ってもよい。また、一つの第１配
線が選択されている間に、該選択された第１配線に接続
された電子放出素子に第２配線によって発光に関わる電
位が与えられる時間の実効的な長さを、各電子放出素子
が対応する色に応じて調整してもよい。
【００５４】また、上述の各発明において、入力される
画像信号の種類を判別し、その判別結果に基づき、一つ
の前記第１配線が選択されている間に、該選択された第
１配線に接続される電子放出素子に、前記第２の配線に
よって発光に関わる電位が与えられる時間の実効的な長
さが調整されるようにしてもよい。
画像信号の種類を判別し、その判別結果に基づき、一つ
の前記第１配線が選択されている間に、該選択された第
１配線に接続される電子放出素子に、前記第２の配線に
よって発光に関わる電位が与えられる時間の実効的な長
さが調整されるようにしてもよい。
【００５５】また、上述の各発明において、入力される
画像信号の平均輝度レベルを検出し、その検出結果に基
づき、一つの前記第１配線が選択されている間に、該選
択された第１配線に接続される電子放出素子に、前記第
２の配線によって発光に関わる電位が与えられる時間の
実効的な長さが調整されるようにしてもよい。
画像信号の平均輝度レベルを検出し、その検出結果に基
づき、一つの前記第１配線が選択されている間に、該選
択された第１配線に接続される電子放出素子に、前記第
２の配線によって発光に関わる電位が与えられる時間の
実効的な長さが調整されるようにしてもよい。
【００５６】また、上述の各発明において、電子放出素
子を介して流れる電流値を検出し、該検出結果に基づ
き、一つの前記第１配線が選択されている間に、該選択
された第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２
の配線によって発光に関わる電位が与えられる時間の実
効的な長さが調整されるようにしてもよい。
子を介して流れる電流値を検出し、該検出結果に基づ
き、一つの前記第１配線が選択されている間に、該選択
された第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２
の配線によって発光に関わる電位が与えられる時間の実
効的な長さが調整されるようにしてもよい。
【００５７】これらの構成における、第２配線によって
発光に関わる電位が与えられる時間の実効的な長さの調
整を、画像信号の種類や、平均輝度レベルに応じて調整
し、且つその調整を発光体の色毎に行ってもよい。
発光に関わる電位が与えられる時間の実効的な長さの調
整を、画像信号の種類や、平均輝度レベルに応じて調整
し、且つその調整を発光体の色毎に行ってもよい。
【００５８】また、上述の各発明において、前記電子放
出素子が冷陰極素子であってもよい。冷陰極素子の場
合、熱陰極素子を比較して低温で電子放出を得ることが
できるため、加熱用ヒータがなくてもよい。熱陰極素子
よりも構造が単純化しやすく、微細な素子を作成しやす
い。また、多数の素子を配置する時でも、高密度に配置
しやすい。高密度に配置した時には特に熱の問題が生じ
易いが、その問題も発生しにくい。また、熱陰極素子が
加熱により動作するため応答速度が遅いのに対して、冷
陰極素子の場合は応答速度がより速くなる。
出素子が冷陰極素子であってもよい。冷陰極素子の場
合、熱陰極素子を比較して低温で電子放出を得ることが
できるため、加熱用ヒータがなくてもよい。熱陰極素子
よりも構造が単純化しやすく、微細な素子を作成しやす
い。また、多数の素子を配置する時でも、高密度に配置
しやすい。高密度に配置した時には特に熱の問題が生じ
易いが、その問題も発生しにくい。また、熱陰極素子が
加熱により動作するため応答速度が遅いのに対して、冷
陰極素子の場合は応答速度がより速くなる。
【００５９】また、上述の各発明において、前記電子放
出素子が表面伝導型放出素子であってもよい。表面伝導
型放出素子の場合は特に構造が単純で製造しやすいた
め、有利である。
出素子が表面伝導型放出素子であってもよい。表面伝導
型放出素子の場合は特に構造が単純で製造しやすいた
め、有利である。
【００６０】また、上述の各発明において、前記第2配
線に与えられる前記画像信号に応じた電位は、輝度階調
に応じて制御されるものであるとよい。
線に与えられる前記画像信号に応じた電位は、輝度階調
に応じて制御されるものであるとよい。
【００６１】また、上述の各発明において、前記第1配
線駆動回路によって選択された第1配線に接続される電
子放出素子に対して、輝度階調表示のために前記第2配
線によって与えられる電位の変化の範囲が、該電位の変
化範囲内の電位のうちの前記選択された第1配線に与え
られる電位に最も近い電位と該選択された第1配線に与
えられる電位との電位差よりも小さいと好適である。
線駆動回路によって選択された第1配線に接続される電
子放出素子に対して、輝度階調表示のために前記第2配
線によって与えられる電位の変化の範囲が、該電位の変
化範囲内の電位のうちの前記選択された第1配線に与え
られる電位に最も近い電位と該選択された第1配線に与
えられる電位との電位差よりも小さいと好適である。
【００６２】また、本願に関わる画像形成装置の発明の
一つは以下のように示される。
一つは以下のように示される。
【００６３】複数の電子放出素子と、該電子放出素子か
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信号に
応じた電位を与える第２の電位印加手段と、を有する画
像形成装置であって、前記選択された電子放出素子に第
１の電位印加手段と第２の電位印加手段によってそれぞ
れ与えられる電位間の電位差が、該選択された電子放出
素子からの電子の照射による前記発光体の発光を要求さ
れない時に、該電子放出素子からの電子の照射による前
記発光体の発光が生じるか生じないかのしきい値の近傍
であることを特徴とする画像形成装置。
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信号に
応じた電位を与える第２の電位印加手段と、を有する画
像形成装置であって、前記選択された電子放出素子に第
１の電位印加手段と第２の電位印加手段によってそれぞ
れ与えられる電位間の電位差が、該選択された電子放出
素子からの電子の照射による前記発光体の発光を要求さ
れない時に、該電子放出素子からの電子の照射による前
記発光体の発光が生じるか生じないかのしきい値の近傍
であることを特徴とする画像形成装置。
【００６４】また、本願に関わる画像形成装置の発明の
一つは以下のように示される。
一つは以下のように示される。
【００６５】複数の電子放出素子と、該電子放出素子か
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第1の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、輝度階調表
示のために画像信号に応じた電位を与える第2の電位印
加手段と、を有する画像形成装置であって、前記輝度階
調表示の際の最低輝度が発光レベルであることを特徴と
する画像形成装置。
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第1の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、輝度階調表
示のために画像信号に応じた電位を与える第2の電位印
加手段と、を有する画像形成装置であって、前記輝度階
調表示の際の最低輝度が発光レベルであることを特徴と
する画像形成装置。
【００６６】上述した各発明における電子放出素子は、
少なくとも2つの電位が与えられ、それらの電位間の電
位差で電子を放出できる物であればよい。また、電子放
出素子の数としては、所望の画像形成のために必要な程
度の数の電子放出素子があるとよい。一つの画素に一つ
の電子放出素子が対応していると好適である。
少なくとも2つの電位が与えられ、それらの電位間の電
位差で電子を放出できる物であればよい。また、電子放
出素子の数としては、所望の画像形成のために必要な程
度の数の電子放出素子があるとよい。一つの画素に一つ
の電子放出素子が対応していると好適である。
【００６７】また、本願に関わる画像形成方法の発明の
一つは以下のように構成される。
一つは以下のように構成される。
【００６８】複数の第１配線と複数の第２配線とを用い
てマトリクス配線した複数の電子放出素子と、該電子放
出素子から放出される電子の照射により発光する発光体
と、前記複数の第１配線のそれぞれを順次選択し、選択
した第１配線に選択していない第１配線の電位と異なる
所定の電位を与える第１配線駆動回路と、前記複数の第
２配線のそれぞれに、画像信号に応じた電位を与える第
２配線駆動回路と、を有する画像形成装置における画像
形成方法であって、前記第１配線駆動回路によって選択
された第１配線に接続される電子放出素子であって、該
電子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光
を要求されない電子放出素子における、前記第１配線と
第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電位差
が、該電子放出素子からの電子の照射による前記発光体
の発光が生じるか生じないかのしきい値の近傍であり、
前記複数の第１配線を順次選択しながら、前記複数の第
２配線のそれぞれに画像信号に応じた電位を与えること
によって画像を形成すること特徴とする画像形成方法。
てマトリクス配線した複数の電子放出素子と、該電子放
出素子から放出される電子の照射により発光する発光体
と、前記複数の第１配線のそれぞれを順次選択し、選択
した第１配線に選択していない第１配線の電位と異なる
所定の電位を与える第１配線駆動回路と、前記複数の第
２配線のそれぞれに、画像信号に応じた電位を与える第
２配線駆動回路と、を有する画像形成装置における画像
形成方法であって、前記第１配線駆動回路によって選択
された第１配線に接続される電子放出素子であって、該
電子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光
を要求されない電子放出素子における、前記第１配線と
第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電位差
が、該電子放出素子からの電子の照射による前記発光体
の発光が生じるか生じないかのしきい値の近傍であり、
前記複数の第１配線を順次選択しながら、前記複数の第
２配線のそれぞれに画像信号に応じた電位を与えること
によって画像を形成すること特徴とする画像形成方法。
【００６９】また本願に関わる画像形成方法の発明の一
つは以下のように構成される。
つは以下のように構成される。
【００７０】複数の電子放出素子と、該電子放出素子か
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信号に
応じた電位を与える第２の電位印加手段と、を有する画
像形成装置における画像形成方法であって、前記選択さ
れた電子放出素子に第１の電位印加手段と第２の電位印
加手段によってそれぞれ与えられる電位間の電位差を、
該選択された電子放出素子からの電子の照射による前記
発光体の発光を要求されない時に、該電子放出素子から
の電子の照射による前記発光体の発光が生じるか生じな
いかのしきい値の近傍とすることを特徴とする画像形成
方法。
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信号に
応じた電位を与える第２の電位印加手段と、を有する画
像形成装置における画像形成方法であって、前記選択さ
れた電子放出素子に第１の電位印加手段と第２の電位印
加手段によってそれぞれ与えられる電位間の電位差を、
該選択された電子放出素子からの電子の照射による前記
発光体の発光を要求されない時に、該電子放出素子から
の電子の照射による前記発光体の発光が生じるか生じな
いかのしきい値の近傍とすることを特徴とする画像形成
方法。
【００７１】また本願に関わる画像形成方法の発明の一
つは以下のように構成される。
つは以下のように構成される。
【００７２】複数の電子放出素子と、該電子放出素子か
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、輝度階調表
示のために画像信号に応じた電位を与える第２の電位印
加手段と、を有する画像形成装置における画像形成方法
であって、前記輝度階調表示の際の最低輝度が発光レベ
ルであることを特徴とする画像形成方法。
ら放出される電子の照射により発光する発光体と、前記
複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択した
電子放出素子に選択していない電子放出素子に与える電
位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段と、
少なくとも選択された前記電子放出素子に、輝度階調表
示のために画像信号に応じた電位を与える第２の電位印
加手段と、を有する画像形成装置における画像形成方法
であって、前記輝度階調表示の際の最低輝度が発光レベ
ルであることを特徴とする画像形成方法。
【００７３】
【発明の実施の形態】〔第１の実施形態〕図１に第１の
実施形態のブロック図を示す。
実施形態のブロック図を示す。
【００７４】Ｐ２０００はｍ＊ｎ個の表面伝導型放出素
子（Ｐ２００１）が、垂直ｍ行（Ｐ２００２）の行配線
と水平ｎ列の列配線（Ｐ２００３）によりマトリクス配
線され、各表面伝導型放出素子（Ｐ２００１）からの放
出電子ビームがＰ１０高圧電源部から印加される高圧電
圧により加速され不図示の蛍光体に照射されることによ
り発光を得る表示パネルであり、図２に示すような表面
伝導型放出素子（Ｐ２００１）駆動電圧−発光輝度特性
を各画素は有する。
子（Ｐ２００１）が、垂直ｍ行（Ｐ２００２）の行配線
と水平ｎ列の列配線（Ｐ２００３）によりマトリクス配
線され、各表面伝導型放出素子（Ｐ２００１）からの放
出電子ビームがＰ１０高圧電源部から印加される高圧電
圧により加速され不図示の蛍光体に照射されることによ
り発光を得る表示パネルであり、図２に示すような表面
伝導型放出素子（Ｐ２００１）駆動電圧−発光輝度特性
を各画素は有する。
【００７５】Ｐ１は映像信号入力部であり、図４（第１
の実施形態のタイミング概要図）のＴ１０１に示される
波形のような輝度レベルが振幅変調された輝度信号と同
期信号が重畳された映像信号が入力される。別の形式の
映像信号が入力される場合は、Ｐ１映像信号入力部の前
段にＴ１０１のような形式に変換する信号変換部を備え
ればよい。
の実施形態のタイミング概要図）のＴ１０１に示される
波形のような輝度レベルが振幅変調された輝度信号と同
期信号が重畳された映像信号が入力される。別の形式の
映像信号が入力される場合は、Ｐ１映像信号入力部の前
段にＴ１０１のような形式に変換する信号変換部を備え
ればよい。
【００７６】Ｐ２は同期分離部であり、図４Ｔ１０１の
入力信号から図４Ｔ１０２のような水平同期信号と垂直
同期信号（不図示）を分離しＣＬＫ発生部Ｐ４及びタイ
ミング発生部Ｐ５に出力する。ＣＬＫとはクロックのこ
とを指す。
入力信号から図４Ｔ１０２のような水平同期信号と垂直
同期信号（不図示）を分離しＣＬＫ発生部Ｐ４及びタイ
ミング発生部Ｐ５に出力する。ＣＬＫとはクロックのこ
とを指す。
【００７７】アナログ処理部Ｐ３は、入力された映像信
号をタイミング発生部Ｐ５からのクランプパルスを受け
直流再生したり、必要な帯域の信号のみ通過させるため
のローパスフィルタ処理を行ったり、輝度信号の振幅レ
ベル調整などのアナログ信号処理を行う。
号をタイミング発生部Ｐ５からのクランプパルスを受け
直流再生したり、必要な帯域の信号のみ通過させるため
のローパスフィルタ処理を行ったり、輝度信号の振幅レ
ベル調整などのアナログ信号処理を行う。
【００７８】ＣＬＫ発生部Ｐ４は、図４Ｔ１０３のよう
な基準となるＣＬＫ信号を発生するユニットであり、例
えば外部電圧により発振周波数が制御される発信器であ
るＶＣＯとＶＣＯ出力ＣＬＫを分周する分周器と同期分
離部Ｐ２からの水平同期信号Ｔ１０２の位相を比較する
位相比較部と位相比較部出力をフィルタ処理してＶＣＯ
制御を行う。というようなＰＬＬ回路で構成され、入力
映像信号に同期した安定したＣＬＫ信号Ｔ１０３を出力
する。
な基準となるＣＬＫ信号を発生するユニットであり、例
えば外部電圧により発振周波数が制御される発信器であ
るＶＣＯとＶＣＯ出力ＣＬＫを分周する分周器と同期分
離部Ｐ２からの水平同期信号Ｔ１０２の位相を比較する
位相比較部と位相比較部出力をフィルタ処理してＶＣＯ
制御を行う。というようなＰＬＬ回路で構成され、入力
映像信号に同期した安定したＣＬＫ信号Ｔ１０３を出力
する。
【００７９】タイミング発生部Ｐ５は、同期分離部Ｐ２
から水平同期信号、垂直同期信号をＣＬＫ発生部Ｐ４か
らＣＬＫ信号を受け、アナログ処理部Ｐ３・輝度信号サ
ンプル部Ｐ６・列配線駆動部Ｐ７・行配線駆動部Ｐ９で
必要なタイミング信号を発生する。
から水平同期信号、垂直同期信号をＣＬＫ発生部Ｐ４か
らＣＬＫ信号を受け、アナログ処理部Ｐ３・輝度信号サ
ンプル部Ｐ６・列配線駆動部Ｐ７・行配線駆動部Ｐ９で
必要なタイミング信号を発生する。
【００８０】Ｐ８はバッファアンプであり、アナログ処
理部Ｐ３からの出力輝度信号を輝度信号サンプル部Ｐ６
に出力する。
理部Ｐ３からの出力輝度信号を輝度信号サンプル部Ｐ６
に出力する。
【００８１】輝度信号サンプル部Ｐ６は、１水平期間連
続して点順次に送られてくるバッファアンプＰ８からの
輝度信号を表示パネルＰ２０００の列方向の画素数ｎ個
の輝度データとしてサンプルを行うところである（ここ
でｎ個の輝度データにサンプルすると言ったがもちろん
パネル画素数と輝度データサンプル数は一致する必要は
なく、表示したい仕様に応じてサンプル数は決定され
る。ここでは簡単のためｎ個サンプルで説明する）。
続して点順次に送られてくるバッファアンプＰ８からの
輝度信号を表示パネルＰ２０００の列方向の画素数ｎ個
の輝度データとしてサンプルを行うところである（ここ
でｎ個の輝度データにサンプルすると言ったがもちろん
パネル画素数と輝度データサンプル数は一致する必要は
なく、表示したい仕様に応じてサンプル数は決定され
る。ここでは簡単のためｎ個サンプルで説明する）。
【００８２】１水平期間毎にｎ個の輝度サンプルデータ
を得るために、１ｂｉｔ＊ｎ段の例えばフリップフロッ
プ回路などで構成されるＸシフトレジスタがＰ５からの
水平周期毎のトリガ信号とシフトＣＬＫを受け、１水平
期間の有効映像期間を図４Ｔ１０４のようなｎ個に分割
したｎ個のサンプルパルスを発生する。各列配線毎に備
えられるｎ個のサンプルスイッチＳＷｓがそれぞれＸシ
フトレジスタからのサンプルパルスの期間導通し輝度信
号をサンプルコンデンサＣｓに充電する。
を得るために、１ｂｉｔ＊ｎ段の例えばフリップフロッ
プ回路などで構成されるＸシフトレジスタがＰ５からの
水平周期毎のトリガ信号とシフトＣＬＫを受け、１水平
期間の有効映像期間を図４Ｔ１０４のようなｎ個に分割
したｎ個のサンプルパルスを発生する。各列配線毎に備
えられるｎ個のサンプルスイッチＳＷｓがそれぞれＸシ
フトレジスタからのサンプルパルスの期間導通し輝度信
号をサンプルコンデンサＣｓに充電する。
【００８３】このように１水平期間の有効映像期間にｎ
個の輝度データを順にサンプルしていき、非有効映像期
間の間に図４Ｔ１０５のようなホールドパルスによりホ
ールドスイッチＳＷｈがｎ個同時に導通しホールドコン
デンサＣｈにｎ個の輝度サンプルデータを転送する。
個の輝度データを順にサンプルしていき、非有効映像期
間の間に図４Ｔ１０５のようなホールドパルスによりホ
ールドスイッチＳＷｈがｎ個同時に導通しホールドコン
デンサＣｈにｎ個の輝度サンプルデータを転送する。
【００８４】列配線駆動部Ｐ７は前述のように輝度信号
サンプル部Ｐ６において水平周期毎に線順次化されたｎ
個の並列輝度データを各列配線毎に備えられたスイッチ
ＳＷｄおよびバッファＢｕｆ２を介して表示パネル列配
線Ｐ２００３に出力する。ＳＷｄはタイミング発生部Ｐ
５より図４Ｔ１０６に示す出力イネーブルパルスＸＥＮ
Ａを受けその期間中列配線を輝度サンプルデータに応じ
た波高値で駆動する。図４Ｔ１０７にｎ列中の任意の１
列の駆動波形例を示す。
サンプル部Ｐ６において水平周期毎に線順次化されたｎ
個の並列輝度データを各列配線毎に備えられたスイッチ
ＳＷｄおよびバッファＢｕｆ２を介して表示パネル列配
線Ｐ２００３に出力する。ＳＷｄはタイミング発生部Ｐ
５より図４Ｔ１０６に示す出力イネーブルパルスＸＥＮ
Ａを受けその期間中列配線を輝度サンプルデータに応じ
た波高値で駆動する。図４Ｔ１０７にｎ列中の任意の１
列の駆動波形例を示す。
【００８５】行配線駆動部Ｐ９は、列配線駆動部Ｐ７か
らのｎ個１行分の駆動電圧でどの行を発光させるかを制
御するユニットであり、発光させる行にＰ１１定電圧源
からの出力−Ｖｙの電位を印加し非発光行にＧＮＤレベ
ルの電位を印加する。この実施形態においては、パネル
行配線を１行づつ上から下に順次走査していく例で説明
する。
らのｎ個１行分の駆動電圧でどの行を発光させるかを制
御するユニットであり、発光させる行にＰ１１定電圧源
からの出力−Ｖｙの電位を印加し非発光行にＧＮＤレベ
ルの電位を印加する。この実施形態においては、パネル
行配線を１行づつ上から下に順次走査していく例で説明
する。
【００８６】タイミング発生部Ｐ５より垂直同期信号を
もとに作られる垂直方向の映像表示をスタートされるト
リガパルスと水平周期のシフトロックが１ｂｉｔ＊ｍ段
の例えばフリップフロップ回路などで構成されるＹシフ
トレジスタに出力される。これを受けＹシフトレジスタ
は１垂直期間の有効映像期間をｍ個に分割したおよそ１
水平期間幅の選択パルスを発生する。この選択パルスに
より各行配線数毎に備えられた行駆動スイッチＳＷｙは
図４Ｔ１０８に示すように１行目から順に−Ｖｙの波高
値の選択パルスを印加していく。
もとに作られる垂直方向の映像表示をスタートされるト
リガパルスと水平周期のシフトロックが１ｂｉｔ＊ｍ段
の例えばフリップフロップ回路などで構成されるＹシフ
トレジスタに出力される。これを受けＹシフトレジスタ
は１垂直期間の有効映像期間をｍ個に分割したおよそ１
水平期間幅の選択パルスを発生する。この選択パルスに
より各行配線数毎に備えられた行駆動スイッチＳＷｙは
図４Ｔ１０８に示すように１行目から順に−Ｖｙの波高
値の選択パルスを印加していく。
【００８７】図２に示すように表面伝導型素子を用いた
表示パネルＰ２０００の電圧−発光輝度特性はあるしき
い値電圧以上で輝度が単調増加していく特性を示す。こ
こでいう電圧とは素子に対して行配線と列配線によって
与えられる電位差のことである。本実施形態ではこのし
きい値ぎりぎりに行選択パルスの波高値−Ｖｙを選び列
配線出力がゼロのときは発光せず列配線出力電位上昇と
ともに発光輝度が増加していくように、行・列配線電位
を規定する。
表示パネルＰ２０００の電圧−発光輝度特性はあるしき
い値電圧以上で輝度が単調増加していく特性を示す。こ
こでいう電圧とは素子に対して行配線と列配線によって
与えられる電位差のことである。本実施形態ではこのし
きい値ぎりぎりに行選択パルスの波高値−Ｖｙを選び列
配線出力がゼロのときは発光せず列配線出力電位上昇と
ともに発光輝度が増加していくように、行・列配線電位
を規定する。
【００８８】図２で分かるように、行選択パルスの波高
値−Ｖｙをしきい値ぎりぎりに設定することにより、列
配線駆動部の出力電位振幅を少なくすることが出来る。
値−Ｖｙをしきい値ぎりぎりに設定することにより、列
配線駆動部の出力電位振幅を少なくすることが出来る。
【００８９】さらに具体的な一例として、図３のように
行・列配線駆動出力電位を規定する。この例では、最大
表面伝導型素子印加電圧は１５Ｖであり、素子印加電圧
約１１Ｖ〜１５Ｖの範囲で発光を得る特性の表示パネル
である。
行・列配線駆動出力電位を規定する。この例では、最大
表面伝導型素子印加電圧は１５Ｖであり、素子印加電圧
約１１Ｖ〜１５Ｖの範囲で発光を得る特性の表示パネル
である。
【００９０】このとき行配線にＧＮＤレベルから−１１
Ｖの選択パルスを印加し、列配線に輝度信号に応じてＧ
ＮＤレベルから最大４Ｖまで変化する駆動パルスを印加
する。
Ｖの選択パルスを印加し、列配線に輝度信号に応じてＧ
ＮＤレベルから最大４Ｖまで変化する駆動パルスを印加
する。
【００９１】このような表示パネルの発光特性は、表示
伝導型素子の製法や加速高圧電圧・使用する蛍光体など
により変化するが、その時々で最適に設定すれば好適な
表示画像を得ることが出来る。
伝導型素子の製法や加速高圧電圧・使用する蛍光体など
により変化するが、その時々で最適に設定すれば好適な
表示画像を得ることが出来る。
【００９２】具体的には、Ｐ１１（−Ｖｙ電圧発生部）
の出力電位を制御する手段をさらに備えることでパネル
に応じたしきい値電圧を与えることが実現出来る。
の出力電位を制御する手段をさらに備えることでパネル
に応じたしきい値電圧を与えることが実現出来る。
【００９３】〔第２の実施形態〕図５に第２の実施形態
のブロック図を示す。図５において表示パネルＰ２００
０、映像信号入力部Ｐ１、同期分離部Ｐ２、アナログ信
号処理部Ｐ３、ＣＬＫ発生部Ｐ４、行配線駆動部Ｐ９は
第１の実施形態と同様の構成のものである。
のブロック図を示す。図５において表示パネルＰ２００
０、映像信号入力部Ｐ１、同期分離部Ｐ２、アナログ信
号処理部Ｐ３、ＣＬＫ発生部Ｐ４、行配線駆動部Ｐ９は
第１の実施形態と同様の構成のものである。
【００９４】タイミング発生部Ｐ５は第１実施形態同様
に動作する他、Ａ／Ｄコンバータ部Ｐ１２にサンプルＣ
ＬＫ信号を、Ｓ−Ｐ変換部Ｐ１６にシフトクロック、Ｌ
Ｄパルスなどを出力する。
に動作する他、Ａ／Ｄコンバータ部Ｐ１２にサンプルＣ
ＬＫ信号を、Ｓ−Ｐ変換部Ｐ１６にシフトクロック、Ｌ
Ｄパルスなどを出力する。
【００９５】Ａ／Ｄコンバータ部Ｐ１２はタイミング発
生部Ｐ５からのサンプルＣＬＫ信号を受けアナログ処理
部Ｐ３からの輝度信号を水平期間毎にｎ個の輝度データ
として必要な階調数で量子化する。本実施形態では８ｂ
ｉｔで説明する。
生部Ｐ５からのサンプルＣＬＫ信号を受けアナログ処理
部Ｐ３からの輝度信号を水平期間毎にｎ個の輝度データ
として必要な階調数で量子化する。本実施形態では８ｂ
ｉｔで説明する。
【００９６】図８Ｔ２０４のようなＡ／Ｄコンバータ部
Ｐ１２からのｎ個の時間的に連続したシリアル輝度デー
タは、バッファＰ１４を介してＳ−Ｐ変換部Ｐ１６内シ
フトレジスタに出力される。このシフトレジスタは８ｂ
ｉｔ幅＊ｎ段のフリップフロップ回路などで構成され図
８Ｔ２０５のＰ５からのシフトクロックにて、Ａ／Ｄコ
ンバータ部Ｐ１２からのｎ個の時間的に連続したシリア
ル輝度データをシフトレジスタに読み込む。シフトレジ
スタに読み込まれた輝度データは水平周期毎にシフトク
ロックが無効な期間に図８Ｔ２０６のＰ５からのＬＤパ
ルスを受け、ｎ個同時にラッチ部に転送される。このよ
うにしてｎ個のシリアル輝度データは水平周期毎にｎ個
のパラレルデータに変換される。
Ｐ１２からのｎ個の時間的に連続したシリアル輝度デー
タは、バッファＰ１４を介してＳ−Ｐ変換部Ｐ１６内シ
フトレジスタに出力される。このシフトレジスタは８ｂ
ｉｔ幅＊ｎ段のフリップフロップ回路などで構成され図
８Ｔ２０５のＰ５からのシフトクロックにて、Ａ／Ｄコ
ンバータ部Ｐ１２からのｎ個の時間的に連続したシリア
ル輝度データをシフトレジスタに読み込む。シフトレジ
スタに読み込まれた輝度データは水平周期毎にシフトク
ロックが無効な期間に図８Ｔ２０６のＰ５からのＬＤパ
ルスを受け、ｎ個同時にラッチ部に転送される。このよ
うにしてｎ個のシリアル輝度データは水平周期毎にｎ個
のパラレルデータに変換される。
【００９７】列配線駆動部Ｐ１７は、列配線毎にＤＡＣ
手段・加算器・バッファ部を備えている。ＤＡＣ部はＰ
１６内ラッチ手段からの輝度データとリファレンス電圧
（Ｖｒｅｆ）発生部Ｐ１９からの基準電位を受け図７に
示すような入力データ−出力電圧特性を有する。図７か
ら分かるようにＧＮＤレベルから基準電位Ｖｒｅｆまで
の範囲を入力輝度データに応じてリニアに変化する特性
である。ＤＡＣ部は、水平周期毎の図８Ｔ２０７のイネ
ーブル信号ＤＡ ＥＮＡ受けＰ１６から輝度データを読
み込む期間ＤＡＣ出力を行わないように制御される。ま
た加算手段は、図８Ｔ２０８のある列配線駆動出力波形
例のように、ＤＡＣ部からの輝度信号に応じた電圧振幅
を有する出力と、オフセット電圧発生部Ｐ１８からのオ
フセット電位Ｖｂを加算し、バッファを介して列配線を
駆動する。
手段・加算器・バッファ部を備えている。ＤＡＣ部はＰ
１６内ラッチ手段からの輝度データとリファレンス電圧
（Ｖｒｅｆ）発生部Ｐ１９からの基準電位を受け図７に
示すような入力データ−出力電圧特性を有する。図７か
ら分かるようにＧＮＤレベルから基準電位Ｖｒｅｆまで
の範囲を入力輝度データに応じてリニアに変化する特性
である。ＤＡＣ部は、水平周期毎の図８Ｔ２０７のイネ
ーブル信号ＤＡ ＥＮＡ受けＰ１６から輝度データを読
み込む期間ＤＡＣ出力を行わないように制御される。ま
た加算手段は、図８Ｔ２０８のある列配線駆動出力波形
例のように、ＤＡＣ部からの輝度信号に応じた電圧振幅
を有する出力と、オフセット電圧発生部Ｐ１８からのオ
フセット電位Ｖｂを加算し、バッファを介して列配線を
駆動する。
【００９８】図６に第２の実施形態における行配線出力
と列配線出力のパネル駆動バイアスの印加例を示す。図
６のとおり行配線選択パルスの波高値Ｖｙとオフセット
電圧Ｖｂの和がパネルが発光しないしきい値電圧に設定
され、輝度データに応じた出力Ｖｘにより無発光状態か
らあるレベルまでの発光値の間で振幅変調される。
と列配線出力のパネル駆動バイアスの印加例を示す。図
６のとおり行配線選択パルスの波高値Ｖｙとオフセット
電圧Ｖｂの和がパネルが発光しないしきい値電圧に設定
され、輝度データに応じた出力Ｖｘにより無発光状態か
らあるレベルまでの発光値の間で振幅変調される。
【００９９】さらに具体的な一例として図９のように行
列配線出力を規定する。この例では、最大表面伝導型素
子印加電圧は１５Ｖであり、素子印加電圧約１１Ｖ〜１
５Ｖの範囲で発光を得る特性の表示パネルである。
列配線出力を規定する。この例では、最大表面伝導型素
子印加電圧は１５Ｖであり、素子印加電圧約１１Ｖ〜１
５Ｖの範囲で発光を得る特性の表示パネルである。
【０１００】このとき行配線にＧＮＤレベルから−１
０．５Ｖの選択パルスを印加し、列配線にはＧＮＤレベ
ルからオフセット電位０．５Ｖを与え、輝度信号に応じ
て０．５Ｖ（オフセット電位）から最大４．５Ｖまで変
化する駆動パルスを印加する。（ＤＡＣ部の基準電位Ｖ
ｒｅｆ＝４Ｖ）。
０．５Ｖの選択パルスを印加し、列配線にはＧＮＤレベ
ルからオフセット電位０．５Ｖを与え、輝度信号に応じ
て０．５Ｖ（オフセット電位）から最大４．５Ｖまで変
化する駆動パルスを印加する。（ＤＡＣ部の基準電位Ｖ
ｒｅｆ＝４Ｖ）。
【０１０１】このようなバイアス設定することにより好
適な表示画像を得ることが出来る。
適な表示画像を得ることが出来る。
【０１０２】本実施形態に示されるオフセット電圧発生
部Ｐ１８は、出力オフセット電位を可変出来る制御部を
持つことが可能である。表示パネルの発光特性は表面伝
導型素子の製法や加速高圧電圧・使用する蛍光体などに
より変化するが、このオフセット電位制御部により、パ
ネルによるしきい値の違いに対応することができる。
部Ｐ１８は、出力オフセット電位を可変出来る制御部を
持つことが可能である。表示パネルの発光特性は表面伝
導型素子の製法や加速高圧電圧・使用する蛍光体などに
より変化するが、このオフセット電位制御部により、パ
ネルによるしきい値の違いに対応することができる。
【０１０３】図９の例で説明するならば、０．５Ｖ与え
ているオフセットレベルを０Ｖ〜１Ｖくらいの間で可変
出来るようにすることで対応できる。
ているオフセットレベルを０Ｖ〜１Ｖくらいの間で可変
出来るようにすることで対応できる。
【０１０４】また画像表示装置使用者が黒レベル（画像
表示のための最低輝度レベル）を発光させたい場合にも
オフセット電位制御部により対応できる。
表示のための最低輝度レベル）を発光させたい場合にも
オフセット電位制御部により対応できる。
【０１０５】同様のことは、Ｐ１１（−Ｖｙ電圧発生
部）の出力電位を制御する手段を備えることでも実現出
来る。
部）の出力電位を制御する手段を備えることでも実現出
来る。
【０１０６】本実施形態に示されるリファレンス電圧
（Ｖｒｅｆ）発生部Ｐ１９は出力基準電位Ｖｒｅｆを可
変出来る制御部を持つことが可能である。Ｖｒｅｆを変
化させることにより輝度信号に応じた素子印加電圧範囲
を変えることができ、その結果パネルのピーク輝度を変
化させることが可能になる。
（Ｖｒｅｆ）発生部Ｐ１９は出力基準電位Ｖｒｅｆを可
変出来る制御部を持つことが可能である。Ｖｒｅｆを変
化させることにより輝度信号に応じた素子印加電圧範囲
を変えることができ、その結果パネルのピーク輝度を変
化させることが可能になる。
【０１０７】さらに具体的には、この画像表示装置の使
用者が操作できる明るさ調整部を別に設けてその明るさ
調整部によりＶｒｅｆ電圧が制御できるように構成する
ことにより、画像表示装置が置かれる周囲の明るさや使
用者の好みに応じたピーク輝度の設定が可能となる。
用者が操作できる明るさ調整部を別に設けてその明るさ
調整部によりＶｒｅｆ電圧が制御できるように構成する
ことにより、画像表示装置が置かれる周囲の明るさや使
用者の好みに応じたピーク輝度の設定が可能となる。
【０１０８】また、入力映像信号の平均輝度検出部をさ
らに有し、入力輝度信号の平均レベルに応じてＶｒｅｆ
を制御する（入力映像信号の平均輝度レベルが高いとき
にＶｒｅｆを下げる）ことにより、入力映像信号の平均
輝度レベルが高く消費電力が増大しそうなときに画像表
示装置のピーク輝度を抑制することができる。
らに有し、入力輝度信号の平均レベルに応じてＶｒｅｆ
を制御する（入力映像信号の平均輝度レベルが高いとき
にＶｒｅｆを下げる）ことにより、入力映像信号の平均
輝度レベルが高く消費電力が増大しそうなときに画像表
示装置のピーク輝度を抑制することができる。
【０１０９】同様に、高圧電源Ｐ１０の電流検出部を設
け、高圧電源の電流値に応じてＶｒｅｆを制御する（入
力映像信号の平均輝度レベルが高い時、すなわち高圧電
源の電流値が大きい時Ｖｒｅｆをさげる）ことにより、
消費電力が増大する場合に画像表示装置のピーク輝度を
抑制することができる。
け、高圧電源の電流値に応じてＶｒｅｆを制御する（入
力映像信号の平均輝度レベルが高い時、すなわち高圧電
源の電流値が大きい時Ｖｒｅｆをさげる）ことにより、
消費電力が増大する場合に画像表示装置のピーク輝度を
抑制することができる。
【０１１０】また、入力信号の種類を判別する手段をさ
らに有し、入力信号の種類に応じてＶｒｅｆを制御する
手段を備えることにより、例えばパーソナルコンピュー
タの映像など視距離が短い用途のときにピーク輝度を抑
え、ＴＶ信号のように離れて見る場合にはピーク輝度を
上げるなど好適なピーク輝度制御が出来る。
らに有し、入力信号の種類に応じてＶｒｅｆを制御する
手段を備えることにより、例えばパーソナルコンピュー
タの映像など視距離が短い用途のときにピーク輝度を抑
え、ＴＶ信号のように離れて見る場合にはピーク輝度を
上げるなど好適なピーク輝度制御が出来る。
【０１１１】〔第３の実施形態〕図１０に第３の実施形
態を示す。
態を示す。
【０１１２】第２の実施形態に、階調特性補正テーブル
Ｐ１３が追加された構成である。
Ｐ１３が追加された構成である。
【０１１３】図１１に本実施形態で用いる表示パネルの
駆動電圧−発光輝度特性と、発光するしきい値電圧（１
１Ｖ）を原点としたγ＝２．２乗のカーブを重ねた図で
ある。
駆動電圧−発光輝度特性と、発光するしきい値電圧（１
１Ｖ）を原点としたγ＝２．２乗のカーブを重ねた図で
ある。
【０１１４】第１実施形態、第２実施形態においては発
光階調特性の補正を行わなかったが、一般にいわれるＣ
ＲＴの発光特性γ＝２．２乗の曲線に近い発光特性を有
していることから、補正なしでもほぼ良好な表示画像が
得られる。
光階調特性の補正を行わなかったが、一般にいわれるＣ
ＲＴの発光特性γ＝２．２乗の曲線に近い発光特性を有
していることから、補正なしでもほぼ良好な表示画像が
得られる。
【０１１５】この実施形態においては、さらに厳密に発
光特性をＣＲＴのそれに近づけ非常に良好な表示画像を
得るための応用例である。
光特性をＣＲＴのそれに近づけ非常に良好な表示画像を
得るための応用例である。
【０１１６】すなわち、階調特性補正テーブルＰ１３に
図１１のふたつの曲線（本実施形態の表示パネルの駆動
電圧−発光輝度特性曲線と、γ＝２．２乗曲線）の差分
の特性データを格納し、Ａ／ＤコンバータＰ１２からの
輝度データを非線形に補正することで、発光特性をＣＲ
Ｔに表示する場合と同等にするものである。
図１１のふたつの曲線（本実施形態の表示パネルの駆動
電圧−発光輝度特性曲線と、γ＝２．２乗曲線）の差分
の特性データを格納し、Ａ／ＤコンバータＰ１２からの
輝度データを非線形に補正することで、発光特性をＣＲ
Ｔに表示する場合と同等にするものである。
【０１１７】ここでγ＝２．２乗の例で説明したが、た
とえばγ＝２．０乗などべつの発光特性に修正すること
も当然可能である。
とえばγ＝２．０乗などべつの発光特性に修正すること
も当然可能である。
【０１１８】〔第４の実施形態〕図１２に第４の実施形
態を、図１３にそのタイミング図を示す。
態を、図１３にそのタイミング図を示す。
【０１１９】Ｐ２１００はｍ＊ｎ個の表面伝導型放出素
子（Ｐ２００１）が、垂直ｍ行の行配線（Ｐ２００２）
と水平ｎ列の列配線（Ｐ２００３）によりマトリクス配
線され、各表面伝導型放出素子（Ｐ２００１）からの放
出電子ビームがＰ１０高圧電源部から印加される高圧電
圧により加速され不図示の蛍光体に照射されることによ
り発光を得る表示パネルであり、図１２に示すようにＲ
ＧＢ３原色の蛍光体を縦ストライプ状に順に配列してい
る。この色配列は一例であり、他の色配列に対しても以
下に説明する同様の構成で実現出来る。
子（Ｐ２００１）が、垂直ｍ行の行配線（Ｐ２００２）
と水平ｎ列の列配線（Ｐ２００３）によりマトリクス配
線され、各表面伝導型放出素子（Ｐ２００１）からの放
出電子ビームがＰ１０高圧電源部から印加される高圧電
圧により加速され不図示の蛍光体に照射されることによ
り発光を得る表示パネルであり、図１２に示すようにＲ
ＧＢ３原色の蛍光体を縦ストライプ状に順に配列してい
る。この色配列は一例であり、他の色配列に対しても以
下に説明する同様の構成で実現出来る。
【０１２０】Ｐ１はＲＧＢ３原色信号毎に備えられた映
像信号入力部であり、図１３（第４の実施形態のタイミ
ング概要図）のＴ４０１に示される波形のような輝度レ
ベルが振幅変調された輝度信号と同期信号が重畳された
映像信号が入力される。別の形式の映像信号の場合でも
映像信号入力部Ｐ１の前段にＴ４０１のようなＲＧＢ原
色信号形式に変換する信号変換部を備えれば受信するこ
とは可能である。
像信号入力部であり、図１３（第４の実施形態のタイミ
ング概要図）のＴ４０１に示される波形のような輝度レ
ベルが振幅変調された輝度信号と同期信号が重畳された
映像信号が入力される。別の形式の映像信号の場合でも
映像信号入力部Ｐ１の前段にＴ４０１のようなＲＧＢ原
色信号形式に変換する信号変換部を備えれば受信するこ
とは可能である。
【０１２１】同期分離部Ｐ２、アナログ信号処理部Ｐ
３、ＣＬＫ発生部Ｐ４は第１の実施形態と同様の構成の
ものであり、タイミング発生部Ｐ５は第２の実施形態と
同様の構成のものである。
３、ＣＬＫ発生部Ｐ４は第１の実施形態と同様の構成の
ものであり、タイミング発生部Ｐ５は第２の実施形態と
同様の構成のものである。
【０１２２】ＲＧＢ各色信号毎に備えられたＡ／Ｄコン
バータ部Ｐ１２はタイミング発生部Ｐ５からのサンプル
ＣＬＫ信号を受けアナログ処理部Ｐ３からの輝度信号を
水平期間毎にｎ／３個の輝度データとして必要な階調数
で量子化する。本実施形態では８ｂｉｔで説明する。ま
たサンプル数はｎ／３で説明するが、当然これに限定さ
れるものではない。
バータ部Ｐ１２はタイミング発生部Ｐ５からのサンプル
ＣＬＫ信号を受けアナログ処理部Ｐ３からの輝度信号を
水平期間毎にｎ／３個の輝度データとして必要な階調数
で量子化する。本実施形態では８ｂｉｔで説明する。ま
たサンプル数はｎ／３で説明するが、当然これに限定さ
れるものではない。
【０１２３】図１３Ｔ４０１の波形が、Ａ／Ｄコンバー
タ部Ｐ１２の出力データに相当する。
タ部Ｐ１２の出力データに相当する。
【０１２４】Ｐ１３は、第３実施形態で述べた階調補正
テーブルと同様のものである。ＲＧＢ３色同じ補正を行
う場合は、色毎に備える必要はない。ＲＧＢ蛍光体の発
光特性の相違や発光の色合いを変えたい場合に色毎の階
調補正を変化させることで対応できる。
テーブルと同様のものである。ＲＧＢ３色同じ補正を行
う場合は、色毎に備える必要はない。ＲＧＢ蛍光体の発
光特性の相違や発光の色合いを変えたい場合に色毎の階
調補正を変化させることで対応できる。
【０１２５】Ｐ２０は、水平周期毎にＲＧＢ並列に送ら
れてくる８ｂｉｔ幅のｎ／３個のシリアル輝度データ
を、水平周期毎にｎ個の８ｂｉｔ幅のシリアル輝度デー
タに変換するＰ−Ｓ変換部である。Ｐ−Ｓ変換部Ｐ２０
において、並列ＲＧＢ入力データはパネル蛍光体の色配
列に合うような順で並べられ３倍の周波数でｎ個のシリ
アル輝度データとして出力される。図１３Ｔ４０４の波
形がこれに相当する。
れてくる８ｂｉｔ幅のｎ／３個のシリアル輝度データ
を、水平周期毎にｎ個の８ｂｉｔ幅のシリアル輝度デー
タに変換するＰ−Ｓ変換部である。Ｐ−Ｓ変換部Ｐ２０
において、並列ＲＧＢ入力データはパネル蛍光体の色配
列に合うような順で並べられ３倍の周波数でｎ個のシリ
アル輝度データとして出力される。図１３Ｔ４０４の波
形がこれに相当する。
【０１２６】Ｐ−Ｓ変換部Ｐ２０ｎ個の時間的に連続し
たシリアル輝度データは、第２の実施形態同様の処理に
てバッファＰ１４を介してＳ−Ｐ変換部Ｐ１６に出力さ
れ、水平周期毎にｎ個のパラレルデータに変換される。
たシリアル輝度データは、第２の実施形態同様の処理に
てバッファＰ１４を介してＳ−Ｐ変換部Ｐ１６に出力さ
れ、水平周期毎にｎ個のパラレルデータに変換される。
【０１２７】列配線駆動部Ｐ１７も第２の実施形態同
様、列配線毎にＤＡＣ手段・加算器、バッファ部を備え
ている。第２実施形態との相違は、リファレンス電圧
（Ｖｒｅｆ）発生部がＲｒｅｆ電圧発生部Ｐ２４、Ｇｒ
ｅｆ電圧発生部Ｐ２５、Ｂｒｅｆ電圧発生部Ｐ２６とＲ
ＧＢ毎に３つ備えられたことと、各列配線の発光色毎に
そのリファレンス電圧が供給されることである。オフセ
ット電圧発生部も同様であり、Ｒオフセット電圧発生部
Ｐ２１、Ｇオフセット電圧発生部Ｐ２２、Ｂオフセット
電圧発生部Ｐ２３とＲＧＢ毎に３つ備えられ、色毎に加
算手段に供給される。
様、列配線毎にＤＡＣ手段・加算器、バッファ部を備え
ている。第２実施形態との相違は、リファレンス電圧
（Ｖｒｅｆ）発生部がＲｒｅｆ電圧発生部Ｐ２４、Ｇｒ
ｅｆ電圧発生部Ｐ２５、Ｂｒｅｆ電圧発生部Ｐ２６とＲ
ＧＢ毎に３つ備えられたことと、各列配線の発光色毎に
そのリファレンス電圧が供給されることである。オフセ
ット電圧発生部も同様であり、Ｒオフセット電圧発生部
Ｐ２１、Ｇオフセット電圧発生部Ｐ２２、Ｂオフセット
電圧発生部Ｐ２３とＲＧＢ毎に３つ備えられ、色毎に加
算手段に供給される。
【０１２８】このように発光色毎にオフセット電位を設
定できる手段を備えることにより、色毎に発光するしき
い値電位の設定が可能になる。
定できる手段を備えることにより、色毎に発光するしき
い値電位の設定が可能になる。
【０１２９】すなわち入力信号の輝度レベルが小さく黒
に近い状態の色合いの調整を行うことが出来る。
に近い状態の色合いの調整を行うことが出来る。
【０１３０】また、色毎にリファレンス電圧を設定でき
る手段を備えることにより、色毎に輝度データに対応し
て変化する駆動電圧振幅の設定が可能となる。
る手段を備えることにより、色毎に輝度データに対応し
て変化する駆動電圧振幅の設定が可能となる。
【０１３１】すなわち入力信号の輝度レベルが大きく最
大発光レベルに近い状態における色合い調整を行うこと
ができる。
大発光レベルに近い状態における色合い調整を行うこと
ができる。
【０１３２】また第２実施形態同様に、この画像表示装
置の使用者が操作できる明るさ調整部を別に備えその明
るさ調整部によりＰ２４，２５，２６各色のＶｒｅｆ電
圧をトラッキング制御できるように構成することによ
り、画像表示装置が置かれる周囲の明るさや使用者の好
みに応じたピーク輝度の設定が可能となる。
置の使用者が操作できる明るさ調整部を別に備えその明
るさ調整部によりＰ２４，２５，２６各色のＶｒｅｆ電
圧をトラッキング制御できるように構成することによ
り、画像表示装置が置かれる周囲の明るさや使用者の好
みに応じたピーク輝度の設定が可能となる。
【０１３３】また、入力映像信号の平均輝度検出部をさ
らに有し、入力輝度信号の平均レベルに応じてＰ２４，
２５，２６各色のＶｒｅｆを同じ割合で制御する（入力
映像信号の平均輝度レベルが高いときにＶｒｅｆを下げ
る）ことにより、入力映像信号の平均輝度レベルが高く
消費電力が増大しそうなときに画像表示装置のピーク輝
度を抑制することができる。
らに有し、入力輝度信号の平均レベルに応じてＰ２４，
２５，２６各色のＶｒｅｆを同じ割合で制御する（入力
映像信号の平均輝度レベルが高いときにＶｒｅｆを下げ
る）ことにより、入力映像信号の平均輝度レベルが高く
消費電力が増大しそうなときに画像表示装置のピーク輝
度を抑制することができる。
【０１３４】また、入力信号の種類を判別する手段をさ
らに有し、入力信号の種類に応じてＰ２４，２５，２６
各色のｒｅｆを同じ割合で制御する手段を備えることに
より、例えばパーソナルコンピュータの映像など視距離
が短い用途のときにピーク輝度を抑え、ＴＶ信号のよう
に離れて見る場合にはピーク輝度を上げるなど好適なピ
ーク輝度制御が出来る。
らに有し、入力信号の種類に応じてＰ２４，２５，２６
各色のｒｅｆを同じ割合で制御する手段を備えることに
より、例えばパーソナルコンピュータの映像など視距離
が短い用途のときにピーク輝度を抑え、ＴＶ信号のよう
に離れて見る場合にはピーク輝度を上げるなど好適なピ
ーク輝度制御が出来る。
【０１３５】Ｐ２７はシステムコントロール部であり、
Ｐ２１〜Ｐ２３各ＲＧＢオフセット電圧発生部からの出
力電位制御、Ｐ２４〜Ｐ２６各ＲＧＢリファレンス電圧
発生部からの出力電位制御および階調特性補正テーブル
Ｐ１３の制御を行う。さらに具体的には上記のように非
図示の明るさ調整部、入力映像信号の平均輝度検出部や
入力信号の種類を判別する手段などからの信号を受け好
適な制御を行う。
Ｐ２１〜Ｐ２３各ＲＧＢオフセット電圧発生部からの出
力電位制御、Ｐ２４〜Ｐ２６各ＲＧＢリファレンス電圧
発生部からの出力電位制御および階調特性補正テーブル
Ｐ１３の制御を行う。さらに具体的には上記のように非
図示の明るさ調整部、入力映像信号の平均輝度検出部や
入力信号の種類を判別する手段などからの信号を受け好
適な制御を行う。
【０１３６】行配線駆動部Ｐ９は、第１実施形態のもの
と同様のものであるが、第１実施形態内で記述した行駆
動スイッチＳＷｙをｐｎｐトランジスタ（Ｐ１００６）
とｎｍｏｓＦＥＴ（Ｐ１００４）とそれらの駆動回路部
であるプリドライバ部Ｐ１００３で構成した。行選択時
Ｐ１００４のＦＥＴがＯＮしＰ１１の出力電圧−Ｖｙを
選択行に印加し、非選択時には、ＧＮＤ電位をＰ１００
６のトランジスタがＯＮすることにより印加する。この
実施形態においては、非発光時ＧＮＤバイアスを行配線
に印加しているが、非発光の範囲で適当なバイアス電位
を与えてもよい。
と同様のものであるが、第１実施形態内で記述した行駆
動スイッチＳＷｙをｐｎｐトランジスタ（Ｐ１００６）
とｎｍｏｓＦＥＴ（Ｐ１００４）とそれらの駆動回路部
であるプリドライバ部Ｐ１００３で構成した。行選択時
Ｐ１００４のＦＥＴがＯＮしＰ１１の出力電圧−Ｖｙを
選択行に印加し、非選択時には、ＧＮＤ電位をＰ１００
６のトランジスタがＯＮすることにより印加する。この
実施形態においては、非発光時ＧＮＤバイアスを行配線
に印加しているが、非発光の範囲で適当なバイアス電位
を与えてもよい。
【０１３７】また本発明の表示パネルに用いられる表面
伝導型放出素子はある電圧値以上の素子印加電圧を加え
ると特性が劣化するもしくは素子特性が保証できなくな
るという定格電圧が存在する。
伝導型放出素子はある電圧値以上の素子印加電圧を加え
ると特性が劣化するもしくは素子特性が保証できなくな
るという定格電圧が存在する。
【０１３８】上記のようにオフセット電圧やリファレン
ス電圧を自在に可変できるように構成すると、例えばオ
フセット電圧もリファレンス電圧も最大に設定した場合
のように素子印加電圧が定格電圧を超えてしまう恐れが
ある。
ス電圧を自在に可変できるように構成すると、例えばオ
フセット電圧もリファレンス電圧も最大に設定した場合
のように素子印加電圧が定格電圧を超えてしまう恐れが
ある。
【０１３９】システムコントロール部Ｐ２７は、この保
護機能を備えることが可能である。例えばオフセット電
圧を上げる要求があるときに現在のリファレンス電圧設
定値を参照し、定格電圧を超えない範囲ではそのまま上
げてゆき、超えそうになったらリファレンス電圧を下げ
るなどの動作を行うことにより保護することができる。
護機能を備えることが可能である。例えばオフセット電
圧を上げる要求があるときに現在のリファレンス電圧設
定値を参照し、定格電圧を超えない範囲ではそのまま上
げてゆき、超えそうになったらリファレンス電圧を下げ
るなどの動作を行うことにより保護することができる。
【０１４０】ここでは定格電圧を超えないための保護制
御をシステムコントロール部Ｐ２７が行う例で説明をし
たが、例えば図１６に示すように他の手段でも実現でき
る。図１６はある１色の列配線駆動部の定格電圧を超え
ないための保護回路構成例であり、リファレンス電圧が
振幅調整電圧とオフセット電圧の演算結果（図１６では
減算で示した）により決定されることにより、オフセッ
ト電位が上昇すればリファレンス電位が減少するという
保護制御を実現している。
御をシステムコントロール部Ｐ２７が行う例で説明をし
たが、例えば図１６に示すように他の手段でも実現でき
る。図１６はある１色の列配線駆動部の定格電圧を超え
ないための保護回路構成例であり、リファレンス電圧が
振幅調整電圧とオフセット電圧の演算結果（図１６では
減算で示した）により決定されることにより、オフセッ
ト電位が上昇すればリファレンス電位が減少するという
保護制御を実現している。
【０１４１】さらにオフセット電圧が変化すると、輝度
信号に応じた発光量の非線形特性がずれることがある。
このような場合にシステムコントロール部Ｐ２７が適応
的に階調特性補正テーブルＰ１３内データを制御し、好
適な発光特性を保つこともできる。
信号に応じた発光量の非線形特性がずれることがある。
このような場合にシステムコントロール部Ｐ２７が適応
的に階調特性補正テーブルＰ１３内データを制御し、好
適な発光特性を保つこともできる。
【０１４２】〔第５の実施形態〕図１４に第５の実施形
態を、図１５にそのタイミング図を示す。
態を、図１５にそのタイミング図を示す。
【０１４３】第４の実施形態との相違は、ＲＧＢ毎に備
えていたリファレンス電圧発生部が一種類のリファレン
ス電圧発生部Ｐ１９になったことと、Ｒ Ｅパルス発生
部Ｐ２８、Ｇ Ｅパルス発生部Ｐ２９、Ｂ Ｅパルス発
生部を備えた事Ｐ３０、列配線駆動部Ｐ１７が、同駆動
部内にＰ２８〜３０からのパルス信号を受け加算手段に
ＤＡＣ出力電圧を出力するか出力しないかを決めるＳＷ
手段を有したことである。
えていたリファレンス電圧発生部が一種類のリファレン
ス電圧発生部Ｐ１９になったことと、Ｒ Ｅパルス発生
部Ｐ２８、Ｇ Ｅパルス発生部Ｐ２９、Ｂ Ｅパルス発
生部を備えた事Ｐ３０、列配線駆動部Ｐ１７が、同駆動
部内にＰ２８〜３０からのパルス信号を受け加算手段に
ＤＡＣ出力電圧を出力するか出力しないかを決めるＳＷ
手段を有したことである。
【０１４４】Ｐ２８〜３０のパルス信号は、対応する色
の列配線に接続されており、ＲＧＢ発光色毎に表面伝導
型放出素子に列配線出力電圧が印加される時間幅が決定
される。
の列配線に接続されており、ＲＧＢ発光色毎に表面伝導
型放出素子に列配線出力電圧が印加される時間幅が決定
される。
【０１４５】Ｐ２８〜３０のパルス発生部はたとえば図
１５Ｔ５０３のＣＬＫを計数するカウンタ手段とシステ
ムコントロール部Ｐ２７から設定されるパルス数データ
（パルス幅を意味する）とカウンタ手段のカウンタ数と
パルス数データを比較する手段からなり、水平周期毎
に、カウント開始からカウンタ数とパルスデータが一致
するまでの時間幅を有するパルス信号を出力する。
１５Ｔ５０３のＣＬＫを計数するカウンタ手段とシステ
ムコントロール部Ｐ２７から設定されるパルス数データ
（パルス幅を意味する）とカウンタ手段のカウンタ数と
パルス数データを比較する手段からなり、水平周期毎
に、カウント開始からカウンタ数とパルスデータが一致
するまでの時間幅を有するパルス信号を出力する。
【０１４６】このようにシステムコントロール部Ｐ２７
により、ＲＧＢ個別にあるいはＲＧＢ同時に列配線から
出力される輝度信号に応じた振幅電圧パルスのパルス幅
を制御できる。
により、ＲＧＢ個別にあるいはＲＧＢ同時に列配線から
出力される輝度信号に応じた振幅電圧パルスのパルス幅
を制御できる。
【０１４７】たとえばＲＧＢ個別にパルス幅を制御する
ことにより、パネル発光の色合い調整を行うことができ
る。
ことにより、パネル発光の色合い調整を行うことができ
る。
【０１４８】また第２の実施形態同様に、この画像表示
装置の使用者が操作できる明るさ調整部を別に備えてそ
の明るさ調整部によりＰ２８〜３０の出力パルス幅をト
ラッキング制御できるように構成することにより、画像
表示装置が置かれる周囲の明るさや使用者の好みに応じ
たピーク輝度の設定が可能となる。
装置の使用者が操作できる明るさ調整部を別に備えてそ
の明るさ調整部によりＰ２８〜３０の出力パルス幅をト
ラッキング制御できるように構成することにより、画像
表示装置が置かれる周囲の明るさや使用者の好みに応じ
たピーク輝度の設定が可能となる。
【０１４９】また、入力映像信号の平均輝度検出部をさ
らに有し、入力輝度信号の平均レベルに応じてＰ２８〜
３０の出力パルス幅を同じ割合で制御する（入力映像信
号の平均輝度レベルが高いときにパルス幅を短くする）
ことにより、入力映像信号の平均輝度レベルが高く消費
電力が増大しそうなときに画像表示装置のピーク輝度を
抑制することができる。
らに有し、入力輝度信号の平均レベルに応じてＰ２８〜
３０の出力パルス幅を同じ割合で制御する（入力映像信
号の平均輝度レベルが高いときにパルス幅を短くする）
ことにより、入力映像信号の平均輝度レベルが高く消費
電力が増大しそうなときに画像表示装置のピーク輝度を
抑制することができる。
【０１５０】同様に、高圧電源Ｐ１０の電流検出部を設
け、高圧電源の電流値に応じてＰ２８〜Ｐ３０の出力パ
ルス幅を同じ割合で制御する（入力映像信号の平均輝度
レベルが高い時、すなわち高圧電源の電流値が大きい時
パルス幅を短くする）ことにより、消費電力が増大する
場合に画像表示装置のピーク輝度を抑制することができ
る。
け、高圧電源の電流値に応じてＰ２８〜Ｐ３０の出力パ
ルス幅を同じ割合で制御する（入力映像信号の平均輝度
レベルが高い時、すなわち高圧電源の電流値が大きい時
パルス幅を短くする）ことにより、消費電力が増大する
場合に画像表示装置のピーク輝度を抑制することができ
る。
【０１５１】また、入力信号の種類を判別する手段をさ
らに有し、入力信号の種類に応じてＰ２８〜３０の出力
パルス幅を同じ割合で制御する手段を備えることによ
り、例えばパーソナルコンピュータの映像など視距離が
短い用途のときにピーク輝度を抑え、ＴＶ信号のように
離れて見る場合にはピーク輝度を上げるなど好適なピー
ク輝度制御が出来る。
らに有し、入力信号の種類に応じてＰ２８〜３０の出力
パルス幅を同じ割合で制御する手段を備えることによ
り、例えばパーソナルコンピュータの映像など視距離が
短い用途のときにピーク輝度を抑え、ＴＶ信号のように
離れて見る場合にはピーク輝度を上げるなど好適なピー
ク輝度制御が出来る。
【０１５２】〔周辺及び全体の構成例〕 （表示パネルの構成と製造法）次に、本発明を適用した
画像表示装置の表示パネルの構成と製造法について、具
体的な例を示して説明する。
画像表示装置の表示パネルの構成と製造法について、具
体的な例を示して説明する。
【０１５３】図２１は、実施形態に用いた表示パネルの
斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの１部を切
り欠いて示している。
斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの１部を切
り欠いて示している。
【０１５４】図中、１００５はリアプレート、１００６
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、例えばフリットガ
ラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、例えばフリットガ
ラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。
【０１５５】リアプレート１００５には、基板１００１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１００２
がＮｘＭ個形成されている。（Ｎ，Ｍは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。本実施形態において
は、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。）前記ＮｘＭ
個の冷陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の
列方向配線１００４により単純マトリクス配線されてい
る。前記、１００１〜１００４によって構成される部分
をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、マルチ電子ビーム
源の製造方法や構造については、後で詳しく述べる。
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１００２
がＮｘＭ個形成されている。（Ｎ，Ｍは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。本実施形態において
は、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。）前記ＮｘＭ
個の冷陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の
列方向配線１００４により単純マトリクス配線されてい
る。前記、１００１〜１００４によって構成される部分
をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、マルチ電子ビーム
源の製造方法や構造については、後で詳しく述べる。
【０１５６】本実施形態においては、気密容器のリアプ
レート１００５にマルチ電子ビーム源の基板１００１を
固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０
０１が十分な強度を有するものである場合には、気密容
器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０
０１自体を用いてもよい。
レート１００５にマルチ電子ビーム源の基板１００１を
固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０
０１が十分な強度を有するものである場合には、気密容
器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０
０１自体を用いてもよい。
【０１５７】また、フェースプレート１００７の下面に
は、蛍光膜１００８が形成されている。本実施形態はカ
ラー表示装置であるため、蛍光膜１００８の部分にはＣ
ＲＴの分野で用いられる赤、緑、青、の３原色の蛍光体
が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図２
２（Ａ）に示すようにストライプ状に塗り分けられ、蛍
光体のストライプの間には黒色の導電体１０１０が設け
てある。黒色の導電体１０１０を設ける目的は、電子ビ
ームの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが
生じないようにする事や、外光の反射を防止して表示コ
ントラストの低下を防ぐ事、電子ビームによる蛍光膜の
チャージアップを防止する事などである。黒色の導電体
１０１０には、黒鉛を主成分として用いたが、上記の目
的に適するものであればこれ以外の材料を用いても良
い。
は、蛍光膜１００８が形成されている。本実施形態はカ
ラー表示装置であるため、蛍光膜１００８の部分にはＣ
ＲＴの分野で用いられる赤、緑、青、の３原色の蛍光体
が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図２
２（Ａ）に示すようにストライプ状に塗り分けられ、蛍
光体のストライプの間には黒色の導電体１０１０が設け
てある。黒色の導電体１０１０を設ける目的は、電子ビ
ームの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが
生じないようにする事や、外光の反射を防止して表示コ
ントラストの低下を防ぐ事、電子ビームによる蛍光膜の
チャージアップを防止する事などである。黒色の導電体
１０１０には、黒鉛を主成分として用いたが、上記の目
的に適するものであればこれ以外の材料を用いても良
い。
【０１５８】また、３原色の蛍光体の塗り分け方は前記
図２２（Ａ）に示したストライプ状の配列に限られるも
のではなく、たとえば図２２（Ｂ）に示すようなデルタ
状配列や、それ以外の配列であってもよい。
図２２（Ａ）に示したストライプ状の配列に限られるも
のではなく、たとえば図２２（Ｂ）に示すようなデルタ
状配列や、それ以外の配列であってもよい。
【０１５９】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合は、単色の蛍光体材料を蛍光膜１００８に用いれ
ばよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。
る場合は、単色の蛍光体材料を蛍光膜１００８に用いれ
ばよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。
【０１６０】また、蛍光膜１００８のリアプレート側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。メタルパック１００９を設けた目的は、
蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１００
８を保護する事や、電子ビーム加速電圧を印加するため
の電極として作用させる事や、蛍光膜１００８を励起し
た電子の導電路として作用させる事などである。メタル
バック１００９は、蛍光膜１００８をフェースプレート
基板１００７上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理
し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合には、メタルバック１００９は用いない。
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。メタルパック１００９を設けた目的は、
蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１００
８を保護する事や、電子ビーム加速電圧を印加するため
の電極として作用させる事や、蛍光膜１００８を励起し
た電子の導電路として作用させる事などである。メタル
バック１００９は、蛍光膜１００８をフェースプレート
基板１００７上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理
し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合には、メタルバック１００９は用いない。
【０１６１】また、本実施形態では用いなかったが、加
速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェースプレート基板１００７と蛍光膜１００８との間
に、たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよ
い。
速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェースプレート基板１００７と蛍光膜１００８との間
に、たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよ
い。
【０１６２】また、Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙ
ｎおよびＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路と
を電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用
端子である。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行
方向配線１００３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｍはマルチ電子ビー
ム源の列方向配線１００４と、Ｈｖはフェースプレート
のメタルバック１００９と電気的に接続している。
ｎおよびＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路と
を電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用
端子である。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行
方向配線１００３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｍはマルチ電子ビー
ム源の列方向配線１００４と、Ｈｖはフェースプレート
のメタルバック１００９と電気的に接続している。
【０１６３】また、気密容器内部を真空排気するには、
気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプ
とを接続し、気密容器内を１０マイナス７乗〔Ｔｏｒ
ｒ〕程度の真空度まで排気する。その後、排気管を封止
するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の
直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッタ
ー膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たとえば
Ｂａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高
周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲ
ッター膜の吸着作用により気密容器内は、１ｘ１０マイ
ナス５乗ないしは１ｘ１０マイナス７乗〔Ｔｏｒｒ〕の
真空度に維持される。
気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプ
とを接続し、気密容器内を１０マイナス７乗〔Ｔｏｒ
ｒ〕程度の真空度まで排気する。その後、排気管を封止
するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の
直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッタ
ー膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たとえば
Ｂａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高
周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲ
ッター膜の吸着作用により気密容器内は、１ｘ１０マイ
ナス５乗ないしは１ｘ１０マイナス７乗〔Ｔｏｒｒ〕の
真空度に維持される。
【０１６４】以上、本発明実施形態の表示パネルの基本
構成と製法を説明した。
構成と製法を説明した。
【０１６５】次に、前記実施形態の表示パネルに用いた
マルチ電子ビーム源の製造方法にいついて説明する。本
発明の画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、様
々な電子放出素子を用いることができる。たとえば表面
伝導型放出素子やＦＥ型、あるいはＭＩＭ型などの冷陰
極素子を用いることができる。
マルチ電子ビーム源の製造方法にいついて説明する。本
発明の画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、様
々な電子放出素子を用いることができる。たとえば表面
伝導型放出素子やＦＥ型、あるいはＭＩＭ型などの冷陰
極素子を用いることができる。
【０１６６】ただし、表示画面が大きくてしかも安価な
表示装置が求められる状況のもとでは、これらの素子の
中でも、冷陰極素子、特には、表面伝導型放出素子が好
ましい。すなわち、ＦＥ型ではエミッタコーンとゲート
電極の相対位置や形状が電子放出特性を大きく左右する
ため、極めて高精度の製造技術を必要とするが、これは
大面積化や製造コストの低減を達成するには不利な要因
となる。また、ＭＩＭ型では、絶縁層と上電極の膜厚を
薄くてしかも均一にする必要があるが、これも大面積化
や製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。
その点、表面伝導型放出素子は、比較的製造方法が単純
なため、大面積化や製造コストの低減が容易である。ま
た、発明者らは、表面伝導型放出素子の中でも、電子放
出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成したものが
とりわけ電子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行え
ることを見いだしている。したがって、高輝度で大画面
の画像表示装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最
も好適であると言える。そこで、上記実施形態の表示パ
ネルにおいては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒
子膜から形成した表面伝導型放出素子を用いた。そこ
で、まず好適な表面伝導型放出素子について基本的な構
成と製法および特性を説明し、その後で多数の素子を単
純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造につい
て述べる。
表示装置が求められる状況のもとでは、これらの素子の
中でも、冷陰極素子、特には、表面伝導型放出素子が好
ましい。すなわち、ＦＥ型ではエミッタコーンとゲート
電極の相対位置や形状が電子放出特性を大きく左右する
ため、極めて高精度の製造技術を必要とするが、これは
大面積化や製造コストの低減を達成するには不利な要因
となる。また、ＭＩＭ型では、絶縁層と上電極の膜厚を
薄くてしかも均一にする必要があるが、これも大面積化
や製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。
その点、表面伝導型放出素子は、比較的製造方法が単純
なため、大面積化や製造コストの低減が容易である。ま
た、発明者らは、表面伝導型放出素子の中でも、電子放
出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成したものが
とりわけ電子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行え
ることを見いだしている。したがって、高輝度で大画面
の画像表示装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最
も好適であると言える。そこで、上記実施形態の表示パ
ネルにおいては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒
子膜から形成した表面伝導型放出素子を用いた。そこ
で、まず好適な表面伝導型放出素子について基本的な構
成と製法および特性を説明し、その後で多数の素子を単
純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造につい
て述べる。
【０１６７】（表面伝導型放出素子の好適な素子構成と
製法）電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型
と垂直型の２種類があげられる。
製法）電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型
と垂直型の２種類があげられる。
【０１６８】（平面型の表面伝導型放出素子）まず最初
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と製法につ
いて説明する。
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と製法につ
いて説明する。
【０１６９】図２３に示すのは、平面型の表面伝導型放
出素子の構成を説明するための平面図（ａ）および断面
図（ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と１
１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５は
通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１１
１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。
出素子の構成を説明するための平面図（ａ）および断面
図（ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と１
１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５は
通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１１
１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。
【０１７０】基板１１０１としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ２を材料とする絶縁層
を積層した基板、などを用いることができる。
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ２を材料とする絶縁層
を積層した基板、などを用いることができる。
【０１７１】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるいはＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２をはじめとする金属
酸化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜
材料を選択して用いればよい。電極を形成するには、た
とえば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィ
ー、エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて
用いれば容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえ
ば印刷技術）を用いて形成してもさしつかえない。
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるいはＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２をはじめとする金属
酸化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜
材料を選択して用いればよい。電極を形成するには、た
とえば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィ
ー、エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて
用いれば容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえ
ば印刷技術）を用いて形成してもさしつかえない。
【０１７２】素子電極１１０２と１１０３の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百マイクロメーターの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも表示装置に応用するために好
ましいのは数マイクロメーターより数十マイクロメータ
ーの範囲である。また、素子電極の厚さｄについては、
通常は数百オングストロームから数マイクロメーターの
範囲から適当な数値が選ばれる。
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百マイクロメーターの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも表示装置に応用するために好
ましいのは数マイクロメーターより数十マイクロメータ
ーの範囲である。また、素子電極の厚さｄについては、
通常は数百オングストロームから数マイクロメーターの
範囲から適当な数値が選ばれる。
【０１７３】また、導電性薄膜１１０４の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。
【０１７４】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、などである。具体的には、
数オングストロームから数千オングストロームの範囲の
なかで設定するが、なかでも好ましいのは１０オングス
トロームから５００オングストロームの間である。
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、などである。具体的には、
数オングストロームから数千オングストロームの範囲の
なかで設定するが、なかでも好ましいのは１０オングス
トロームから５００オングストロームの間である。
【０１７５】また、微粒子膜を形成するのに用いられる
材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，ＳＮ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ，などをはじめとする金属や、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＰｂＯ，Ｓｂ２Ｏ３，などをはじ
めとする酸化物や、ＨｆＢ２，ＺｒＢ２，ＬａＢ６，Ｃ
ｅＢ６，ＹＢ４，ＧｄＢ４，などをはじめとする硼化物
や、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，
などをはじめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ，などをはじめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などを
はじめとする半導体や、カーボン、などがあげられ、こ
れらの中から適宜選択される。
材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，ＳＮ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ，などをはじめとする金属や、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＰｂＯ，Ｓｂ２Ｏ３，などをはじ
めとする酸化物や、ＨｆＢ２，ＺｒＢ２，ＬａＢ６，Ｃ
ｅＢ６，ＹＢ４，ＧｄＢ４，などをはじめとする硼化物
や、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，
などをはじめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ，などをはじめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などを
はじめとする半導体や、カーボン、などがあげられ、こ
れらの中から適宜選択される。
【０１７６】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０の３乗から１０の７乗〔オーム／ｓｑ〕の範囲に含
まれるよう設定した。
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０の３乗から１０の７乗〔オーム／ｓｑ〕の範囲に含
まれるよう設定した。
【０１７７】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図２３の例においては、
下から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電
極、の順序で積層してもさしつかえない。
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図２３の例においては、
下から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電
極、の順序で積層してもさしつかえない。
【０１７８】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有している。亀
裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通電フォ
ーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂内に
は、数オングストロームから数百オングストロームの粒
径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電子放
出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困難な
ため、図２３においては模式的に示した。
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有している。亀
裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通電フォ
ーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂内に
は、数オングストロームから数百オングストロームの粒
径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電子放
出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困難な
ため、図２３においては模式的に示した。
【０１７９】また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。
【０１８０】薄膜１１１３は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は５００〔オングストロ
ーム〕以下とするが、３００〔オングストローム〕以下
とするのがさらに好ましい。
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は５００〔オングストロ
ーム〕以下とするが、３００〔オングストローム〕以下
とするのがさらに好ましい。
【０１８１】なお、実際の薄膜１１１３の位置や形状を
精密に図示するのは困難なため、図２３においては模式
的に示した。また、平面図（ａ）においては、薄膜１１
１３の一部を除去した素子を図示した。
精密に図示するのは困難なため、図２３においては模式
的に示した。また、平面図（ａ）においては、薄膜１１
１３の一部を除去した素子を図示した。
【０１８２】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施形態においては以下のような素子を用いた。
が、実施形態においては以下のような素子を用いた。
【０１８３】すなわち、基板１１０１には青板ガラスを
用い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００〔オングストロー
ム〕、電極間隔Ｌは２〔マイクロメーター〕とした。
用い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００〔オングストロー
ム〕、電極間隔Ｌは２〔マイクロメーター〕とした。
【０１８４】微粒子膜の主要材料としてＰｄはもしくは
ＰｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００〔オングスト
ローム〕、幅Ｗは１００〔マイクロメータ〕とした。
ＰｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００〔オングスト
ローム〕、幅Ｗは１００〔マイクロメータ〕とした。
【０１８５】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【０１８６】図２４の（ａ）〜（ｄ）は、表面伝導型放
出素子の製造工程を説明するための断面図で、各部材の
表記は前記図２３と同一である。
出素子の製造工程を説明するための断面図で、各部材の
表記は前記図２３と同一である。
【０１８７】１）まず、図２４（ａ）に示すように、基
板１１０１上に素子電極１１０２および１１０３を形成
する。
板１１０１上に素子電極１１０２および１１０３を形成
する。
【０１８８】形成するにあたっては、あらかじめ基板１
１０１を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、
素子電極の材料を堆積させる。（堆積する方法として
は、たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術
を用いればよい。）その後、堆積した電極材料を、フォ
トリソグラフィー・エッチング技術を用いてパターニン
グし、（ａ）に示した一対の素子電極（１１０２と１１
０３）を形成する。
１０１を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、
素子電極の材料を堆積させる。（堆積する方法として
は、たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術
を用いればよい。）その後、堆積した電極材料を、フォ
トリソグラフィー・エッチング技術を用いてパターニン
グし、（ａ）に示した一対の素子電極（１１０２と１１
０３）を形成する。
【０１８９】２）次に、同図（ｂ）に示すように、導電
性薄膜１１０４を形成する。
性薄膜１１０４を形成する。
【０１９０】形成するにあたっては、まず前記（ａ）の
基板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理し
て微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッ
チングにより所定の形状にパターニングする。ここで、
有機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を
主要元素とする有機金属化合物の溶液である。（具体的
には、本実施形態では主要元素としてＰｄを用いた。ま
た、実施形態では塗布方法として、ディッピング法を用
いたが、それ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法
を用いてもよい。） また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成膜方法として
は、本実施形態で用いた有機金属溶液の塗布による方法
以外の、例えば真空蒸着法やスパッタ法、あるいは化学
的気相堆積法などを用いる場合もある。
基板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理し
て微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッ
チングにより所定の形状にパターニングする。ここで、
有機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を
主要元素とする有機金属化合物の溶液である。（具体的
には、本実施形態では主要元素としてＰｄを用いた。ま
た、実施形態では塗布方法として、ディッピング法を用
いたが、それ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法
を用いてもよい。） また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成膜方法として
は、本実施形態で用いた有機金属溶液の塗布による方法
以外の、例えば真空蒸着法やスパッタ法、あるいは化学
的気相堆積法などを用いる場合もある。
【０１９１】３）次に、同図（ｃ）に示すように、フォ
ーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１１０
３の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を
行って、電子放出部１１０５を形成する。
ーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１１０
３の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を
行って、電子放出部１１０５を形成する。
【０１９２】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。
【０１９３】通電方法をより詳しく説明するために、図
２５に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄
膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ま
しく、本実施形態の場合には同図に示したようにパルス
幅Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加
した。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆ、順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。
２５に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄
膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ま
しく、本実施形態の場合には同図に示したようにパルス
幅Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加
した。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆ、順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。
【０１９４】実施形態においては、たとえば１０のマイ
ナス５乗〔ｔｏｒｒ〕程度の真空雰囲気下において、た
とえばパルス幅Ｔ１を１〔ミリ秒〕、パルス間隔Ｔ２を
１０〔ミリ秒〕とし、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに
０．１〔Ｖ〕ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス
印加するたびに１回の割りで、モニターパルスＰｍを挿
入した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがない
ように、モニターパルスの電圧Ｖｐｍは０．１〔Ｖ〕に
設定した。そして、素子電極１１０２と１１０３の間の
電気抵抗が１ｘ１０の６乗〔オーム〕になった段階、す
なわちモニターパルス印加時に電流計１１１１で計測さ
れる電流が１ｘ１０のマイナス７乗〔Ａ〕以下になった
段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。
ナス５乗〔ｔｏｒｒ〕程度の真空雰囲気下において、た
とえばパルス幅Ｔ１を１〔ミリ秒〕、パルス間隔Ｔ２を
１０〔ミリ秒〕とし、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに
０．１〔Ｖ〕ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス
印加するたびに１回の割りで、モニターパルスＰｍを挿
入した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがない
ように、モニターパルスの電圧Ｖｐｍは０．１〔Ｖ〕に
設定した。そして、素子電極１１０２と１１０３の間の
電気抵抗が１ｘ１０の６乗〔オーム〕になった段階、す
なわちモニターパルス印加時に電流計１１１１で計測さ
れる電流が１ｘ１０のマイナス７乗〔Ａ〕以下になった
段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。
【０１９５】なお、上記の方法は、本実施形態の表面伝
導型放出素子に関する好ましい方法であり、例えば微粒
子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌなど表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
通電の条件を適宜変更するのが望ましい。
導型放出素子に関する好ましい方法であり、例えば微粒
子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌなど表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
通電の条件を適宜変更するのが望ましい。
【０１９６】４）次に、図２４の（ｄ）に示すように、
活性化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３
の間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、
電子放出特性の改善を行う。
活性化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３
の間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、
電子放出特性の改善を行う。
【０１９７】通電活性化処理とは、前記通電フォーミン
グ処理により形成された電子放出部１１０５に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物
を堆積せしめる処理のことである。（図においては、炭
素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材１１１３と
して模式的に示した。）なお、通電活性化処理を行うこ
とにより、行う前と比較して、同じ印加電圧における放
出電流を典型的には１００倍以上に増加させることがで
きる。
グ処理により形成された電子放出部１１０５に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物
を堆積せしめる処理のことである。（図においては、炭
素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材１１１３と
して模式的に示した。）なお、通電活性化処理を行うこ
とにより、行う前と比較して、同じ印加電圧における放
出電流を典型的には１００倍以上に増加させることがで
きる。
【０１９８】具体的には、１０のマイナス４乗ないし１
０のマイナス５乗〔ｔｏｒｒ〕の範囲内の真空雰囲気中
で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰
囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは
炭素化合物を堆積させる。堆積物１１１３は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は５００
〔オングストローム〕以下、より好ましくは３００〔オ
ングストローム〕以下である。
０のマイナス５乗〔ｔｏｒｒ〕の範囲内の真空雰囲気中
で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰
囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは
炭素化合物を堆積させる。堆積物１１１３は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は５００
〔オングストローム〕以下、より好ましくは３００〔オ
ングストローム〕以下である。
【０１９９】通電方法をより詳しく説明するために、図
２６の（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適
宜の電圧波形の一例を示す。本実施形態においては、一
定電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行
ったが、具体的には、矩形波の電圧Ｖａｃは１４
〔Ｖ〕，パルス幅Ｔ３は１〔ミリ秒〕，パルス間隔Ｔ４
は１０〔ミリ秒〕とした。なお、上述の通電条件は、本
実施形態の表面伝導型放出素子に関する好ましい条件で
あり、表面伝導型放出素子の設計を変更した場合には、
それに応じて条件を適宜変更するのが望ましい。
２６の（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適
宜の電圧波形の一例を示す。本実施形態においては、一
定電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行
ったが、具体的には、矩形波の電圧Ｖａｃは１４
〔Ｖ〕，パルス幅Ｔ３は１〔ミリ秒〕，パルス間隔Ｔ４
は１０〔ミリ秒〕とした。なお、上述の通電条件は、本
実施形態の表面伝導型放出素子に関する好ましい条件で
あり、表面伝導型放出素子の設計を変更した場合には、
それに応じて条件を適宜変更するのが望ましい。
【０２００】図２４の（ｄ）に示す１１１４は該表面伝
導型放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉するた
めのアノード電極で、直流高電圧電源１１１５および電
流計１１１６が接続されている。（なお、基板１１０１
を、表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う
場合には、表示パネルの蛍光面をアノード電源１１１４
として用いる。） 活性化用電源１１１２から電圧を印加する間、電流計１
１１６で放出電流Ｉｅを計測して通電活性化処理の進行
状況をモニターし、活性化用電源１１１２の動作を制御
する。電流計１１１６で計測された放出電流Ｉｅの一例
を図２６（ｂ）に示すが、活性化電源１１１２からパル
ス電圧を印加しはじめると、時間の経過とともに放出電
流Ｉｅは増加するが、やがて飽和してほとんど増加しな
くなる。このように、放出電流Ｉｅがほぼ飽和した時点
で活性化用電源１１１２からの電圧印加を停止し、通電
活性化処理を終了する。
導型放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉するた
めのアノード電極で、直流高電圧電源１１１５および電
流計１１１６が接続されている。（なお、基板１１０１
を、表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う
場合には、表示パネルの蛍光面をアノード電源１１１４
として用いる。） 活性化用電源１１１２から電圧を印加する間、電流計１
１１６で放出電流Ｉｅを計測して通電活性化処理の進行
状況をモニターし、活性化用電源１１１２の動作を制御
する。電流計１１１６で計測された放出電流Ｉｅの一例
を図２６（ｂ）に示すが、活性化電源１１１２からパル
ス電圧を印加しはじめると、時間の経過とともに放出電
流Ｉｅは増加するが、やがて飽和してほとんど増加しな
くなる。このように、放出電流Ｉｅがほぼ飽和した時点
で活性化用電源１１１２からの電圧印加を停止し、通電
活性化処理を終了する。
【０２０１】なお、上述の通電条件は、本実施形態の表
面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
条件を適宜変更するのが望ましい。
面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
条件を適宜変更するのが望ましい。
【０２０２】以上のようにして、図２４（ｅ）に示す平
面型の表面伝導型放出素子を製造した。
面型の表面伝導型放出素子を製造した。
【０２０３】（垂直型の表面伝導型放出素子）次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。
【０２０４】図２７は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１
２０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部
材、１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
２１３は通電活性化処理により形成した薄膜、である。
めの模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１
２０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部
材、１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
２１３は通電活性化処理により形成した薄膜、である。
【０２０５】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方（１２０２）が段差形成部材
１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０４が段
差形成部材１２０６の側面を被覆している点にある。し
たがって、前記図２３の平面型における素子電極間隔Ｌ
は、垂直型においては段差形成部材１２０６の段差高Ｌ
ｓとして設定される。なお、基板１２０１、素子電極１
２０２及び１２０３、微粒子膜を用いた導電性薄膜１２
０４、については、前記平面型の説明中に列挙した材料
を同様に用いることが可能である。また、段差形成部材
１２０６には、たとえばＳｉＯ２のような電気的に絶縁
性の材料を用いる。
は、素子電極のうちの片方（１２０２）が段差形成部材
１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０４が段
差形成部材１２０６の側面を被覆している点にある。し
たがって、前記図２３の平面型における素子電極間隔Ｌ
は、垂直型においては段差形成部材１２０６の段差高Ｌ
ｓとして設定される。なお、基板１２０１、素子電極１
２０２及び１２０３、微粒子膜を用いた導電性薄膜１２
０４、については、前記平面型の説明中に列挙した材料
を同様に用いることが可能である。また、段差形成部材
１２０６には、たとえばＳｉＯ２のような電気的に絶縁
性の材料を用いる。
【０２０６】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図２８の（ａ）〜（ｆ）は、製造工
程を説明するための断面図で、各部材の表記は前記図２
７と同一である。
について説明する。図２８の（ａ）〜（ｆ）は、製造工
程を説明するための断面図で、各部材の表記は前記図２
７と同一である。
【０２０７】１）まず、図２８（ａ）に示すように、基
板１２０１上に素子電極１２０３を形成する。
板１２０１上に素子電極１２０３を形成する。
【０２０８】２）次に、同図（ｂ）に示すように、段差
形成部材を形成するための絶縁層を積層する。絶縁層
は、たとえばＳｉＯ２をスパッタ法で積層すればよい
が、たとえば真空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法を
用いてもよい。
形成部材を形成するための絶縁層を積層する。絶縁層
は、たとえばＳｉＯ２をスパッタ法で積層すればよい
が、たとえば真空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法を
用いてもよい。
【０２０９】３）次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁
層の上に素子電極１２０２を形成する。
層の上に素子電極１２０２を形成する。
【０２１０】４）次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁
層の一部を、たとえばエッチング法を用いて除去し、素
子電極１２０３を露出させる。
層の一部を、たとえばエッチング法を用いて除去し、素
子電極１２０３を露出させる。
【０２１１】５）次に、同図（ｅ）に示すように、微粒
子膜を用いた導電性薄膜１２０４を形成する。形成する
には、前記平面型の場合と同じく、例えば塗布法などの
成膜技術を用いればよい。
子膜を用いた導電性薄膜１２０４を形成する。形成する
には、前記平面型の場合と同じく、例えば塗布法などの
成膜技術を用いればよい。
【０２１２】６）次に、前記平面型の場合と同じく、通
電フォーミング処理を行い、電子放出部を形成する。
（図２４（ｃ）を用いて説明した平面型の通電フォーミ
ング処理と同様の処理を行えばよい。） ７）次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処理
を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆
積させる。（図２４（ｄ）を用いて説明した平面型の通
電活性化処理と同様の処理を行えばよい。） 以上のようにして、図２８（ｆ）に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。
電フォーミング処理を行い、電子放出部を形成する。
（図２４（ｃ）を用いて説明した平面型の通電フォーミ
ング処理と同様の処理を行えばよい。） ７）次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処理
を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆
積させる。（図２４（ｄ）を用いて説明した平面型の通
電活性化処理と同様の処理を行えばよい。） 以上のようにして、図２８（ｆ）に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。
【０２１３】（表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性）以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。
特性）以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。
【０２１４】図２９に、表示装置に用いた素子の、（放
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。
【０２１５】表示装置に用いた素子は、放出電流Ｉｅに
関して以下に述べる３つの特性を有している。
関して以下に述べる３つの特性を有している。
【０２１６】第一に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖｔｈ
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。
【０２１７】すなわち、放出電流Ｉｅに関して、明確な
閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。
閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。
【０２１８】第二に、放出電流Ｉｅは素子に印加する電
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。
【０２１９】第三に、素子に印加する電圧Ｖｆに対して
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。
【０２２０】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表
示装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面を
順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、
駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Ｖｔ
ｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値
電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次
切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表
示を行うことが可能である。
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表
示装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面を
順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、
駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Ｖｔ
ｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値
電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次
切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表
示を行うことが可能である。
【０２２１】また、第二の特性かまたは第三の特性を利
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、諧調表示を行うことが可能である。
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、諧調表示を行うことが可能である。
【０２２２】（多数素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造）次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
チ電子ビーム源の構造）次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
【０２２３】図３０に示すのは、前記図２１の表示パネ
ルに用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上
には、前記図２３で示したものと同様な表面伝導型放出
素子が配列され、これらの素子は行方向配線電極１００
３と列方向配線電極１００４により単純マトリクス状に
配線されている。行方向配線電極１００３と列方向配線
電極１００４の交差する部分には、電極間に絶縁層（不
図示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれてい
る。
ルに用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上
には、前記図２３で示したものと同様な表面伝導型放出
素子が配列され、これらの素子は行方向配線電極１００
３と列方向配線電極１００４により単純マトリクス状に
配線されている。行方向配線電極１００３と列方向配線
電極１００４の交差する部分には、電極間に絶縁層（不
図示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれてい
る。
【０２２４】図３０のＡ−Ａ′に沿った断面を、図３１
に示す。
に示す。
【０２２５】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１００３、列方向配
線電極１００４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１００３および列方向配線電極１００４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電
活性化処理を行うことにより製造した。
あらかじめ基板上に行方向配線電極１００３、列方向配
線電極１００４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１００３および列方向配線電極１００４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電
活性化処理を行うことにより製造した。
【０２２６】図３２は、前記説明の表面伝導型放出素子
を電子ビーム源として用いたディスプレイパネルに、た
とえばテレビジョン放送をはじめとする種々の画像情報
源より提供される画像情報を表示できるように構成した
表示装置の一例を示すための図である。
を電子ビーム源として用いたディスプレイパネルに、た
とえばテレビジョン放送をはじめとする種々の画像情報
源より提供される画像情報を表示できるように構成した
表示装置の一例を示すための図である。
【０２２７】図中２１００はディスプレイパネル、２１
０１はディスプレイパネルの駆動回路、２１０２はディ
スプレイコントローラ、２１０３はマルチプレクサ、２
１０４はデコーダ、２１０５は入出力インターフェース
回路、２１０６はＣＰＵ、２１０７は画像生成回路、２
１０８および２１０９および２１１０は画像メモリーイ
ンターフェース回路、２１１１は画像入力インターフェ
ース回路、２１１２および２１１３はＴＶ信号受信回
路、２１１４は入力部である（なお、本表示装置は、た
とえばテレビジョン信号のように映像情報と音声情報の
両方を含む信号を受信する場合には、当然映像の表示と
同時に音声を再生するものであるが、本発明の特徴と直
接関係しない音声情報の受信、分離、再生、処理、記憶
などに関する回路やスピーカーなどについては説明を省
略する）。
０１はディスプレイパネルの駆動回路、２１０２はディ
スプレイコントローラ、２１０３はマルチプレクサ、２
１０４はデコーダ、２１０５は入出力インターフェース
回路、２１０６はＣＰＵ、２１０７は画像生成回路、２
１０８および２１０９および２１１０は画像メモリーイ
ンターフェース回路、２１１１は画像入力インターフェ
ース回路、２１１２および２１１３はＴＶ信号受信回
路、２１１４は入力部である（なお、本表示装置は、た
とえばテレビジョン信号のように映像情報と音声情報の
両方を含む信号を受信する場合には、当然映像の表示と
同時に音声を再生するものであるが、本発明の特徴と直
接関係しない音声情報の受信、分離、再生、処理、記憶
などに関する回路やスピーカーなどについては説明を省
略する）。
【０２２８】以下、画像信号の流れに沿って各部の機能
を説明してゆく。
を説明してゆく。
【０２２９】まず、ＴＶ信号受信回路２１１３は、たと
えば電波や空間光通信などのような無線伝送系を用いて
伝送されるＴＶ画像信号を受信する為の回路である。受
信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、た
とえば、ＮＴＳＣ方式、ＰＡＬ方式、ＳＲＣＡＭ方式な
どの諸方式でもよい。また、これらよりさらに多数の走
査線よりなるＴＶ信号（たとえばＭＵＳＥ方式をはじめ
とするいわゆる高品位ＴＶ）は、大面積化や大画素数化
に適した前記ディスプレイパネルの利点を生かすのに好
適な信号源である。ＴＶ信号受信回路２１１３で受信さ
れたＴＶ信号は、デコーダ２１０４に出力される。
えば電波や空間光通信などのような無線伝送系を用いて
伝送されるＴＶ画像信号を受信する為の回路である。受
信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、た
とえば、ＮＴＳＣ方式、ＰＡＬ方式、ＳＲＣＡＭ方式な
どの諸方式でもよい。また、これらよりさらに多数の走
査線よりなるＴＶ信号（たとえばＭＵＳＥ方式をはじめ
とするいわゆる高品位ＴＶ）は、大面積化や大画素数化
に適した前記ディスプレイパネルの利点を生かすのに好
適な信号源である。ＴＶ信号受信回路２１１３で受信さ
れたＴＶ信号は、デコーダ２１０４に出力される。
【０２３０】また、ＴＶ信号受信回路２１１２は、たと
えば同軸ケーブルや光ファイバーなどのような有線伝送
系を用いて伝送されるＴＶ画像信号を受信するための回
路である。前記ＴＶ信号受信回路２１１３と同様に、受
信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、ま
た本回路で受信されたＴＶ信号もデコーダ２１０４に出
力される。
えば同軸ケーブルや光ファイバーなどのような有線伝送
系を用いて伝送されるＴＶ画像信号を受信するための回
路である。前記ＴＶ信号受信回路２１１３と同様に、受
信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、ま
た本回路で受信されたＴＶ信号もデコーダ２１０４に出
力される。
【０２３１】また、画像入力インターフェース回路２１
１１は、たとえばＴＶカメラや画像読み取りスキャナー
などの画像入力装置から供給される画像信号を取り込む
ための回路で、取り込まれた画像信号はデコーダ２１０
４に出力される。
１１は、たとえばＴＶカメラや画像読み取りスキャナー
などの画像入力装置から供給される画像信号を取り込む
ための回路で、取り込まれた画像信号はデコーダ２１０
４に出力される。
【０２３２】また、画像メモリーインターフェース回路
２１１０は、ビデオテープレコーダー（以下ＶＴＲと略
す）に記憶されている画像信号を取り込むための回路
で、取り込まれた画像信号はデコーダ２１０４に出力さ
れる。
２１１０は、ビデオテープレコーダー（以下ＶＴＲと略
す）に記憶されている画像信号を取り込むための回路
で、取り込まれた画像信号はデコーダ２１０４に出力さ
れる。
【０２３３】また、画像メモリーインターフェース回路
２１０９は、ビデオディスクに記憶されている画像信号
を取り込むための回路で、取り込まれた画像信号はデコ
ーダ２１０４に出力される。
２１０９は、ビデオディスクに記憶されている画像信号
を取り込むための回路で、取り込まれた画像信号はデコ
ーダ２１０４に出力される。
【０２３４】また、画像メモリーインターフェース回路
２１０８は、いわゆる静止画ディスクのように、静止画
像データを記憶している装置から画像信号を取り込むた
めの回路で、取り込まれた静止画像データはデコーダ２
１０４に出力される。
２１０８は、いわゆる静止画ディスクのように、静止画
像データを記憶している装置から画像信号を取り込むた
めの回路で、取り込まれた静止画像データはデコーダ２
１０４に出力される。
【０２３５】また、入出力インターフェース回路２１０
５は、本表示装置と、外部のコンピュータもしくはコン
ピュータネットワークもしくはプリンターなどの出力装
置とを接続するための回路である。画像データや文字・
図形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合によ
っては本表示装置の備えるＣＰＵ２１０６と外部との間
で制御信号や数値データの入出力などを行うことも可能
である。
５は、本表示装置と、外部のコンピュータもしくはコン
ピュータネットワークもしくはプリンターなどの出力装
置とを接続するための回路である。画像データや文字・
図形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合によ
っては本表示装置の備えるＣＰＵ２１０６と外部との間
で制御信号や数値データの入出力などを行うことも可能
である。
【０２３６】また、画像生成回路２１０７は、前記入出
力インターフェース回路２１０５を介して外部から入力
される画像データや文字・図形情報や、あるいはＣＰＵ
２１０６より出力される画像データや文字・図形情報に
もとずき表示用画像データを生成するための回路であ
る。本回路の内部には、たとえば画像データや文字・図
形情報を蓄積するための書き換え可能メモリーや、文字
コードに対応する画像パターンが記憶されている読み出
し専用メモリーや、画像処理を行うためのプロセッサー
などをはじめとして画像の生成に必要な回路が組み込ま
れている。
力インターフェース回路２１０５を介して外部から入力
される画像データや文字・図形情報や、あるいはＣＰＵ
２１０６より出力される画像データや文字・図形情報に
もとずき表示用画像データを生成するための回路であ
る。本回路の内部には、たとえば画像データや文字・図
形情報を蓄積するための書き換え可能メモリーや、文字
コードに対応する画像パターンが記憶されている読み出
し専用メモリーや、画像処理を行うためのプロセッサー
などをはじめとして画像の生成に必要な回路が組み込ま
れている。
【０２３７】本回路により生成された表示用画像データ
は、デコーダ２１０４に出力されるが、場合によっては
前記入出力インターフェース回路２１０５を介して外部
のコンピュータネットワークやプリンターに出力するこ
とも可能である。
は、デコーダ２１０４に出力されるが、場合によっては
前記入出力インターフェース回路２１０５を介して外部
のコンピュータネットワークやプリンターに出力するこ
とも可能である。
【０２３８】また、ＣＰＵ２１０６は、主として本表示
装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関わ
る作業を行う。
装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関わ
る作業を行う。
【０２３９】たとえば、マルチプレクサ２１０３に制御
信号を出力し、ディスプレイパネルに表示する画像信号
を適宜選択したり組み合わせたりする。また、その際に
は表示する画像信号に応じてディスプレイパネルコント
ローラ２１０２に対して制御信号を発生し、画面表示周
波数や走査方法（たとえばインターレースかノンインタ
ーレースか）や一画面の走査線の数など表示装置の動作
を適宜制御する。
信号を出力し、ディスプレイパネルに表示する画像信号
を適宜選択したり組み合わせたりする。また、その際に
は表示する画像信号に応じてディスプレイパネルコント
ローラ２１０２に対して制御信号を発生し、画面表示周
波数や走査方法（たとえばインターレースかノンインタ
ーレースか）や一画面の走査線の数など表示装置の動作
を適宜制御する。
【０２４０】また、前記画像生成回路２１０７に対して
画像データや文字・図形情報を直接出力したり、あるい
は前記入出力インターフェース回路２０１５を介して外
部のコンピュータやメモリーをアクセスして画像データ
や文字・図形情報を入力する。
画像データや文字・図形情報を直接出力したり、あるい
は前記入出力インターフェース回路２０１５を介して外
部のコンピュータやメモリーをアクセスして画像データ
や文字・図形情報を入力する。
【０２４１】なお、ＣＰＵ２１０６は、むろんこれ以外
の目的の作業にも関わるものであって良い。たとえば、
パーソナルコンピュータやワードプロセッサなどのよう
に、情報を生成したり処理する機能に直接関わっても良
い。
の目的の作業にも関わるものであって良い。たとえば、
パーソナルコンピュータやワードプロセッサなどのよう
に、情報を生成したり処理する機能に直接関わっても良
い。
【０２４２】あるいは、前述したように入出力インター
フェース回路２１０５を介して外部のコンピュータネッ
トワークと接続し、たとえば数値計算などの作業を外部
機器と協同して行っても良い。
フェース回路２１０５を介して外部のコンピュータネッ
トワークと接続し、たとえば数値計算などの作業を外部
機器と協同して行っても良い。
【０２４３】また、入力部２１１４は、前記ＣＰＵ２１
０６に使用者が命令やプログラム、あるいはデータなど
を入力するためのものであり、たとえばキーボードやマ
ウスのほか、ジョイスティック、バーコードリーダー、
音声認識装置など多様な入力機器を用いる事が可能であ
る。
０６に使用者が命令やプログラム、あるいはデータなど
を入力するためのものであり、たとえばキーボードやマ
ウスのほか、ジョイスティック、バーコードリーダー、
音声認識装置など多様な入力機器を用いる事が可能であ
る。
【０２４４】また、デコーダ２１０４は、前記２１０７
ないし２１１３より入力される種々の画像信号を３原色
信号、または輝度信号とＩ信号、Ｑ信号に逆変換するた
めの回路である。なお、同図中に点線で示すように、デ
コーダ２１０４は内部に画像メモリーを備えるのが望ま
しい。これは、たとえばＭＵＳＥ方式をはじめとして、
逆変換するに際して画像メモリーを必要とするようなテ
レビ信号を扱うためである。また、画像メモリーを備え
る事により、静止画の表示が容易になる、あるいは前記
画像生成回路２１０７およびＣＰＵ２１０６と協同して
画像の間引き、補間、拡大、縮小、合成をはじめとする
画像処理や編集が容易に行えるようになるという利点が
生まれるからである。
ないし２１１３より入力される種々の画像信号を３原色
信号、または輝度信号とＩ信号、Ｑ信号に逆変換するた
めの回路である。なお、同図中に点線で示すように、デ
コーダ２１０４は内部に画像メモリーを備えるのが望ま
しい。これは、たとえばＭＵＳＥ方式をはじめとして、
逆変換するに際して画像メモリーを必要とするようなテ
レビ信号を扱うためである。また、画像メモリーを備え
る事により、静止画の表示が容易になる、あるいは前記
画像生成回路２１０７およびＣＰＵ２１０６と協同して
画像の間引き、補間、拡大、縮小、合成をはじめとする
画像処理や編集が容易に行えるようになるという利点が
生まれるからである。
【０２４５】また、マルチプレクサ２１０３は、前記Ｃ
ＰＵ２１０６より入力される制御信号にもとづき表示画
像を適宜選択するものである。すなわち、マルチプレク
サ２１０３はデコーダ２１０４から入力される逆変換さ
れた画像信号のうちから所望の画像信号を選択して駆動
回路２１０１に出力する。その場合には、一画面表示時
間内で画像信号を切り替えて選択することにより、いわ
ゆる多画面テレビのように、一画面を複数の領域に分け
て領域によって異なる画像を表示することも可能であ
る。
ＰＵ２１０６より入力される制御信号にもとづき表示画
像を適宜選択するものである。すなわち、マルチプレク
サ２１０３はデコーダ２１０４から入力される逆変換さ
れた画像信号のうちから所望の画像信号を選択して駆動
回路２１０１に出力する。その場合には、一画面表示時
間内で画像信号を切り替えて選択することにより、いわ
ゆる多画面テレビのように、一画面を複数の領域に分け
て領域によって異なる画像を表示することも可能であ
る。
【０２４６】また、ディスプレイパネルコントローラ２
１０２は、前記ＣＰＵ２１０６より入力される制御信号
にもとづき駆動回路２１０１の動作を制御するための回
路である。
１０２は、前記ＣＰＵ２１０６より入力される制御信号
にもとづき駆動回路２１０１の動作を制御するための回
路である。
【０２４７】まず、ディスプレイパネルの基本的な動作
に関わるものとして、たとえばディスプレイパネルの駆
動用電源（図示せず）の動作シーケンスを制御するため
の信号を駆動回路２１０１に対して出力する。
に関わるものとして、たとえばディスプレイパネルの駆
動用電源（図示せず）の動作シーケンスを制御するため
の信号を駆動回路２１０１に対して出力する。
【０２４８】また、ディスプレイパネルの駆動方法に関
わるものとして、たとえば画面表示周波数や走査方法
（たとえばインターレースかノンインターレースか）を
制御するための信号を駆動回路２１０１に対して出力す
る。
わるものとして、たとえば画面表示周波数や走査方法
（たとえばインターレースかノンインターレースか）を
制御するための信号を駆動回路２１０１に対して出力す
る。
【０２４９】また、場合によっては表示画像の輝度やコ
ントラストや色調やシャープネスといった画質の調整に
関わる制御信号を駆動回路２１０１に対して出力する場
合もある。
ントラストや色調やシャープネスといった画質の調整に
関わる制御信号を駆動回路２１０１に対して出力する場
合もある。
【０２５０】また、駆動回路２１０１は、ディスプレイ
パネル２１００に印加する駆動信号を発生するための回
路であり、前記マルチプレクサ２１０３から入力される
画像信号と、前記ディスプレイパネルコントローラ２１
０２より入力される制御信号にもとずいて動作するもの
である。
パネル２１００に印加する駆動信号を発生するための回
路であり、前記マルチプレクサ２１０３から入力される
画像信号と、前記ディスプレイパネルコントローラ２１
０２より入力される制御信号にもとずいて動作するもの
である。
【０２５１】以上、各部の機能を説明したが、図３２に
例示した構成により、本表示装置においては多様な画像
情報源より入力される画像情報をディスプレイパネル２
１００に表示する事が可能である。
例示した構成により、本表示装置においては多様な画像
情報源より入力される画像情報をディスプレイパネル２
１００に表示する事が可能である。
【０２５２】すなわち、テレビジョン放送をはじめとす
る各種の画像信号はデコーダ２１０４において逆変換さ
れた後、マルチプレクサ２１０３において適宜選択さ
れ、駆動回路２１０１に入力される。一方、ディスプレ
イコントローラ２１０２は、表示する画像信号に応じて
駆動回路２１０１の動作を制御するための制御信号を発
生する。駆動回路２１０１は、上記画像信号と制御信号
にもとずいてディスプレイパネル２１００に駆動信号を
印加する。
る各種の画像信号はデコーダ２１０４において逆変換さ
れた後、マルチプレクサ２１０３において適宜選択さ
れ、駆動回路２１０１に入力される。一方、ディスプレ
イコントローラ２１０２は、表示する画像信号に応じて
駆動回路２１０１の動作を制御するための制御信号を発
生する。駆動回路２１０１は、上記画像信号と制御信号
にもとずいてディスプレイパネル２１００に駆動信号を
印加する。
【０２５３】これにより、ディスプレイパネル２１００
において画像が表示される。これらの一連の動作は、Ｃ
ＰＵ２１０６により統括的に制御される。
において画像が表示される。これらの一連の動作は、Ｃ
ＰＵ２１０６により統括的に制御される。
【０２５４】また、本表示装置においては、前記デコー
ダ２１０４に内蔵する画像メモリや、画像生成回路２１
０７およびＣＰＵ２１０６が関与することにより、単に
複数の画像情報の中から選択したものを表示するだけで
なく、表示する画像情報に対して、たとえば拡大、縮
小、回転、移動、エッジ強調、間引き、補間、色変換、
画像の縦横比変換などをはじめとする画像処理や、合
成、消去、接続、入れ換え、はめ込みなどをはじめとす
る画像編集を行う事も可能である。また、本実施形態の
説明では特に触れなかったが、上記画像処理や画像編集
と同様に、音声情報に関しても処理や編集を行うための
専用回路を設けても良い。
ダ２１０４に内蔵する画像メモリや、画像生成回路２１
０７およびＣＰＵ２１０６が関与することにより、単に
複数の画像情報の中から選択したものを表示するだけで
なく、表示する画像情報に対して、たとえば拡大、縮
小、回転、移動、エッジ強調、間引き、補間、色変換、
画像の縦横比変換などをはじめとする画像処理や、合
成、消去、接続、入れ換え、はめ込みなどをはじめとす
る画像編集を行う事も可能である。また、本実施形態の
説明では特に触れなかったが、上記画像処理や画像編集
と同様に、音声情報に関しても処理や編集を行うための
専用回路を設けても良い。
【０２５５】したがって、本表示装置は、テレビジョン
放送の表示機器、テレビ会議の端末機器、静止画像およ
び動画像を扱う画像編集機器、コンピュータの端末機
器、ワードプロセッサをはじめとする事務用端末機器、
ゲーム機などの機能を一台で兼ね備えることが可能で、
産業用あるいは民生用として極めて応用範囲が広い。
放送の表示機器、テレビ会議の端末機器、静止画像およ
び動画像を扱う画像編集機器、コンピュータの端末機
器、ワードプロセッサをはじめとする事務用端末機器、
ゲーム機などの機能を一台で兼ね備えることが可能で、
産業用あるいは民生用として極めて応用範囲が広い。
【０２５６】なお、上記図３２は、表面伝導型放出素子
を電子ビーム源とするディスプレイパネルを用いた表示
装置の構成の一例を示したにすぎず、これのみに限定さ
れるものでない事は言うまでもない。たとえば、図３２
の構成要素のうち使用目的上必要のない機能に関わる回
路は省いても差し支えない。またこれとは逆に、使用目
的によってはさらに構成要素を追加しても良い。たとえ
ば、本表示装置をテレビ電話機として応用する場合に
は、テレビカメラ、音声マイク、照明機、モデムを含む
送受信回路などを構成要素に追加するのが好適である。
を電子ビーム源とするディスプレイパネルを用いた表示
装置の構成の一例を示したにすぎず、これのみに限定さ
れるものでない事は言うまでもない。たとえば、図３２
の構成要素のうち使用目的上必要のない機能に関わる回
路は省いても差し支えない。またこれとは逆に、使用目
的によってはさらに構成要素を追加しても良い。たとえ
ば、本表示装置をテレビ電話機として応用する場合に
は、テレビカメラ、音声マイク、照明機、モデムを含む
送受信回路などを構成要素に追加するのが好適である。
【０２５７】本表示装置においては、とりわけ表面伝導
型放出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルが
容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを小さ
くすることが可能である。それに加えて、表面伝導型放
出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルは大画
面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるため、本
表示装置は臨場感にあふれ迫力に富んだ画像を視認性良
く表示する事が可能である。
型放出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルが
容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを小さ
くすることが可能である。それに加えて、表面伝導型放
出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルは大画
面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるため、本
表示装置は臨場感にあふれ迫力に富んだ画像を視認性良
く表示する事が可能である。
【０２５８】課題で述べたように、駆動部の低消費電
力化が望まれている。本実施形態によれば、列配線駆動
出力振幅を極力小さくすることにより、列配線駆動部の
低消費電力化が実現出来る。また出力振幅電圧が小さく
なり消費電力も低くなれば集積回路で構成する場合、そ
の集積度を上げることも可能となる。
力化が望まれている。本実施形態によれば、列配線駆動
出力振幅を極力小さくすることにより、列配線駆動部の
低消費電力化が実現出来る。また出力振幅電圧が小さく
なり消費電力も低くなれば集積回路で構成する場合、そ
の集積度を上げることも可能となる。
【０２５９】課題で述べたように発光／非発光のしき
いち電圧が、放出電子ビームの加速電圧やパネルのロッ
トによりわずかに変動することがあるが、行選択電圧−
Ｖｙを可変する手段、もしくは、列配線駆動部が水平周
期毎に輝度信号サンプル手段からの複数の輝度信号を受
け第１の基準電圧レベルとの電位差がＶｂである第２の
基準電圧レベルから最大Ｖｘの波高値までの電圧振幅範
囲内で出力する構成において、第１の基準電圧レベルと
第２の基準電圧レベルの電位差Ｖｂを可変できる手段を
さらに備えたことにより、そのしきい値電圧の変動を吸
収することができる。
いち電圧が、放出電子ビームの加速電圧やパネルのロッ
トによりわずかに変動することがあるが、行選択電圧−
Ｖｙを可変する手段、もしくは、列配線駆動部が水平周
期毎に輝度信号サンプル手段からの複数の輝度信号を受
け第１の基準電圧レベルとの電位差がＶｂである第２の
基準電圧レベルから最大Ｖｘの波高値までの電圧振幅範
囲内で出力する構成において、第１の基準電圧レベルと
第２の基準電圧レベルの電位差Ｖｂを可変できる手段を
さらに備えたことにより、そのしきい値電圧の変動を吸
収することができる。
【０２６０】（課題）列配線駆動部の（輝度信号に応
じて変化する）出力波高値の範囲を可変する手段を備
え、使用者の要求もしくは消費電力抑制要求に従い出力
波高値を変化させることで、好適な表示画像を得ること
が出来る。
じて変化する）出力波高値の範囲を可変する手段を備
え、使用者の要求もしくは消費電力抑制要求に従い出力
波高値を変化させることで、好適な表示画像を得ること
が出来る。
【０２６１】（課題）入力される映像信号の種類を判
別する手段を備え、その判別結果に基づき列配線駆動部
の出力波高値の範囲を決定することにより、好適な表示
画像を得ることが出来る。
別する手段を備え、その判別結果に基づき列配線駆動部
の出力波高値の範囲を決定することにより、好適な表示
画像を得ることが出来る。
【０２６２】（課題）本実施形態によれば、ＣＲＴに
近い好適な表示画像を得ることが出来る。
近い好適な表示画像を得ることが出来る。
【０２６３】（課題）本実施形態によれば、入力信号
の輝度レベルが小さく黒に近い状態の発光色、及び入力
信号の輝度レベルが大きく最大発光輝度に近いレベルで
の発光色、また黒から白まで入力輝度信号が変化すると
きの発光色、などをそれぞれ好適に制御し、良好な表示
画像を得ることが出来る。
の輝度レベルが小さく黒に近い状態の発光色、及び入力
信号の輝度レベルが大きく最大発光輝度に近いレベルで
の発光色、また黒から白まで入力輝度信号が変化すると
きの発光色、などをそれぞれ好適に制御し、良好な表示
画像を得ることが出来る。
【０２６４】（課題）本実施形態によれば、定格以上
の素子電圧が印加されないための保護が実現でき、良好
な表示画像を得ることが出来る。
の素子電圧が印加されないための保護が実現でき、良好
な表示画像を得ることが出来る。
【０２６５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、好
適な画像形成装置もしくは画像形成方法が実現できる。
適な画像形成装置もしくは画像形成方法が実現できる。
【図１】第１の実施形態の装置構成を示す図。
【図２】表面伝導型放出素子を用いた表示パネルの駆動
電圧発光輝度特性の例を示す図。
電圧発光輝度特性の例を示す図。
【図３】図２の表示パネルを用いたときの駆動電圧の一
例を示す図。
例を示す図。
【図４】第１の実施形態におけるタイミング図。
【図５】第２の実施形態の装置構成を示す図。
【図６】第２の実施形態における駆動電圧設定の例を示
す図。
す図。
【図７】第２の実施形態の列駆動手段に用いるＤ／Ａコ
ンバータ手段の出力特性を示す図。
ンバータ手段の出力特性を示す図。
【図８】第２の実施形態におけるタイミング図。
【図９】図６のさらに具体的な駆動電圧設定例を示す
図。
図。
【図１０】第３の実施形態の装置構成を示す図。
【図１１】表面伝導型放出素子を用いた表示パネルの駆
動電圧発光輝度特性の一例を示す図。
動電圧発光輝度特性の一例を示す図。
【図１２】第４の実施形態の装置構成を示す図。
【図１３】第４の実施形態におけるタイミング図。
【図１４】第５の実施形態の装置構成を示す図。
【図１５】第５の実施形態におけるタイミング図。
【図１６】第４の実施形態における定格電圧保護のため
の別の構成例を示す図。
の別の構成例を示す図。
【図１７】電子放出素子の一例を示す図。
【図１８】電子放出素子の一例を示す図。
【図１９】電子放出素子の一例を示す図。
【図２０】電子放出素子のマトリクス配置の例を示す
図。
図。
【図２１】本発明の実施形態である画像表示装置の、表
示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図。
示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図。
【図２２】表示パネルのフェースプレートの蛍光体配列
を例示した平面図。
を例示した平面図。
【図２３】実施形態で用いた平面型の表面伝導型放出素
子の平面図（ａ），断面図（ｂ）。
子の平面図（ａ），断面図（ｂ）。
【図２４】平面型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図。
す断面図。
【図２５】通電フォーミング処理の際の印加電圧波形を
示す図。
示す図。
【図２６】通電活性化処理の際の印加電圧波形（ａ），
放出電流Ｉｅの変化（ｂ）。
放出電流Ｉｅの変化（ｂ）。
【図２７】実施形態で用いた垂直型の表面伝導型放出素
子の断面図。
子の断面図。
【図２８】垂直型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図。
す断面図。
【図２９】実施形態で用いた表面伝導型放出素子の典型
的な特性を示すグラフ。
的な特性を示すグラフ。
【図３０】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の平面図。
の平面図。
【図３１】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の一部断面図。
の一部断面図。
【図３２】本発明の実施形態である画像表示装置を用い
た多機能画像表示装置のブロック図。
た多機能画像表示装置のブロック図。
Ｐ２００１ 電子放出素子 Ｐ２００２，Ｐ２００３ 配線 Ｐ３ アナログ処理部 ＰＳ タイミング発生部 Ｐ１０ 高圧電源部 Ｐ１８ オフセット電圧発生部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｊ Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｃ Ｈ０４Ｎ 5/68 Ｈ０４Ｎ 5/68 Ｂ 9/12 9/12 Ａ
Claims (43)
- 【請求項１】 複数の第１配線と複数の第２配線とを用
いてマトリクス配線した複数の電子放出素子と、 該電子放出素子から放出される電子の照射により発光す
る発光体と、 前記複数の第１配線のそれぞれを順次選択し、選択した
第１配線に選択していない第１配線の電位と異なる所定
の電位を与える第１配線駆動回路と、 前記複数の第２配線のそれぞれに、画像信号に応じた電
位を与える第２配線駆動回路と、 を有する画像形成装置であって、 前記第１配線駆動回路によって選択された第１配線に接
続される電子放出素子であって、該電子放出素子からの
電子の照射による前記発光体の発光を要求されない電子
放出素子における、前記第１配線と第２配線によってそ
れぞれ与えられる電位間の電位差が、該電子放出素子か
らの電子の照射による前記発光体の発光が生じるか生じ
ないかのしきい値の近傍であることを特徴とする画像形
成装置。 - 【請求項２】 前記選択した第１配線に与えられる所定
の電位は所定の基準電位よりも所定の値低い電位であ
り、前記第２配線のそれぞれに与えられる電位は前記基
準電位に等しいかもしくはより高い電位であるか、もし
くは、前記選択した第１配線に与えられる所定の電位は
所定の基準電位よりも所定の値高い電位であり、前記第
２配線のそれぞれに与えられる電位は前記基準電位に等
しいかもしくはより低い電位であり、 前記第１配線駆動回路は、選択した第１配線に前記所定
の電位を与え、選択していない第１配線には前記基準電
位を与えるものであり、該基準電位と、選択した第１配
線に与えられる前記所定の電位との電位差が、前記しき
い値の近傍である請求項１に記載の画像形成装置。 - 【請求項３】 前記第２配線のそれぞれに、所定の電位
を与える手段を有しており、該第２配線のそれぞれに与
えられる該所定の電位と、選択された第１配線に与えら
れる前記所定の電位との電位差が、前記しきい値の近傍
である請求項１に記載の画像形成装置。 - 【請求項４】 前記第1の配線駆動回路によって選択さ
れた第1配線に接続される電子放出素子であって、該電
子放出素子からの電子の照射による発光を要求されない
電子放出素子が接続される前記第2の配線に印加する電
位と、選択されていない第1配線に印加する電位とが異
ならせてある請求項1乃至3いずれかに記載の画像形成装
置。 - 【請求項５】 前記第１配線駆動回路によって選択され
た第１配線に接続される電子放出素子であって、該電子
放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光を要
求されない電子放出素子における、前記第１配線と第２
配線によってそれぞれ与えられる電位間の電位差を調整
する手段を有する請求項１乃至４いずれかに記載の画像
形成装置。 - 【請求項６】 前記画像信号に応じた電位を調整する手
段を有する請求項１乃至５いずれかに記載の画像形成装
置。 - 【請求項７】 入力される画像信号の種類を判別し、そ
の判別結果に基づき、前記画像信号に応じた電位の変化
範囲を調整する手段を有する請求項１乃至６いずれかに
記載の画像形成装置。 - 【請求項８】 入力される画像信号の平均輝度レベルを
検出し、その検出結果に基づき、前記画像信号に応じた
電位の変化範囲を調整する手段を有する請求項１乃至７
いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項９】 前記電子線放出素子を介して流れる電流
を検出する回路を有しており、該検出した電流値に基づ
き、前記画像信号に応じた電位の変化範囲を調整する請
求項1乃至8いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１０】 前記選択された第１配線に接続される
電子放出素子に対して、第１配線と第２配線によってそ
れぞれ与えられる電位間の電位差の上限を規定する手段
を有する請求項１乃至９いずれかに記載の画像形成装
置。 - 【請求項１１】 前記電子放出素子に対して、前記第１
配線と第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電
位差を、該電位差と該電位差を与えられた電子放出素子
からの電子の照射による前記発光体の発光輝度との間の
関係に基づいて補正する手段を有する請求項１乃至１０
のいずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１２】 前記発光体は、それぞれが互いに異な
る色で発光する複数種類の発光体であり、前記選択され
た第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２の配
線によって与えられる電位が、各電子放出素子が対応す
る色に応じて調整されている請求項１乃至１１いずれか
に記載の画像形成装置。 - 【請求項１３】 前記発光体は、それぞれが互いに異な
る色で発光する複数種類の発光体であり、前記選択され
た第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２の配
線によって与えられる電位が、前記電子放出素子に対し
て、前記第１配線と第２配線によってそれぞれ与えられ
る電位間の電位差を、該電位差と該電位差を与えられた
電子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光
輝度との間の関係に基づいて補正するように調整される
請求項１乃至１２いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１４】 前記発光体は、それぞれが互いに異な
る色で発光する複数種類の発光体であり、一つの前記第
１配線が選択されている間に、該選択された第１配線に
接続される電子放出素子に、前記第２の配線によって発
光に関わる電位が与えられる時間の実効的な長さが、各
電子放出素子が対応する色に応じて調整される請求項１
乃至１３いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１５】 入力される画像信号の種類を判別し、
その判別結果に基づき、一つの前記第１配線が選択され
ている間に、該選択された第１配線に接続される電子放
出素子に、前記第２の配線によって発光に関わる電位が
与えられる時間の実効的な長さが調整される請求項１乃
至１４いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１６】 入力される画像信号の平均輝度レベル
を検出し、その検出結果に基づき、一つの前記第１配線
が選択されている間に、該選択された第１配線に接続さ
れる電子放出素子に、前記第２の配線によって発光に関
わる電位が与えられる時間の実効的な長さが調整される
請求項１乃至１５いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１７】 前記電子放出素子を介して流れる電流
値を検出する回路を有しており、その検出結果に基づ
き、一つの前記第１配線が選択されている間に、該選択
された第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２
の配線によって発光に関わる電位が与えられる時間の実
効的な長さが調整される請求項１乃至１６いずれかに記
載の画像形成装置。 - 【請求項１８】 前記電子放出素子が冷陰極素子である
請求項１乃至１７いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項１９】 前記電子放出素子が表面伝導型放出素
子である請求項１乃至１８いずれかに記載の画像形成装
置。 - 【請求項２０】 前記第2配線に与えられる前記画像信
号に応じた電位は、輝度階調に応じて制御される請求項
1乃至１９いずれかに記載の画像形成装置。 - 【請求項２１】 前記第1配線駆動回路によって選択さ
れた第1配線に接続される電子放出素子に対して、輝度
階調表示のために前記第2配線によって与えられる電位
の変化の範囲が、該電位の変化範囲内の電位のうちの前
記選択された第1配線に与えられる電位に最も近い電位
と該選択された第1配線に与えられる電位との電位差よ
りも小さい請求項1乃至２０いずれかに記載の画像形成
装置。 - 【請求項２２】 複数の電子放出素子と、 該電子放出素子から放出される電子の照射により発光す
る発光体と、 前記複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択
した電子放出素子に選択していない電子放出素子に与え
る電位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段
と、 少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信号に
応じた電位を与える第２の電位印加手段と、 を有する画像形成装置であって、 前記選択された電子放出素子に第１の電位印加手段と第
２の電位印加手段によってそれぞれ与えられる電位間の
電位差が、該選択された電子放出素子からの電子の照射
による前記発光体の発光を要求されない時に、該電子放
出素子からの電子の照射による前記発光体の発光が生じ
るか生じないかのしきい値の近傍であることを特徴とす
る画像形成装置。 - 【請求項２３】 複数の電子放出素子と、 該電子放出素子から放出される電子の照射により発光す
る発光体と、 前記複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択
した電子放出素子に選択していない電子放出素子に与え
る電位と異なる所定の電位を与える第1の電位印加手段
と、 少なくとも選択された前記電子放出素子に、輝度階調表
示のために画像信号に応じた電位を与える第2の電位印
加手段と、 を有する画像形成装置であって、 前記輝度階調表示の際の最低輝度が発光レベルであるこ
とを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２４】 複数の第１配線と複数の第２配線とを
用いてマトリクス配線した複数の電子放出素子と、 該電子放出素子から放出される電子の照射により発光す
る発光体と、 前記複数の第１配線のそれぞれを順次選択し、選択した
第１配線に選択していない第１配線の電位と異なる所定
の電位を与える第１配線駆動回路と、 前記複数の第２配線のそれぞれに、画像信号に応じた電
位を与える第２配線駆動回路と、 を有する画像形成装置における画像形成方法であって、 前記第１配線駆動回路によって選択された第１配線に接
続される電子放出素子であって、該電子放出素子からの
電子の照射による前記発光体の発光を要求されない電子
放出素子における、前記第１配線と第２配線によってそ
れぞれ与えられる電位間の電位差が、該電子放出素子か
らの電子の照射による前記発光体の発光が生じるか生じ
ないかのしきい値の近傍であり、前記複数の第１配線を
順次選択しながら、前記複数の第２配線のそれぞれに画
像信号に応じた電位を与えることによって画像を形成す
ること特徴とする画像形成方法。 - 【請求項２５】 前記選択した第１配線に与えられる所
定の電位は所定の基準電位よりも所定の値低い電位であ
り、前記第２配線のそれぞれに与えられる電位は前記基
準電位に等しいかもしくはより高い電位であるか、もし
くは、前記選択した第１配線に与えられる所定の電位は
所定の基準電位よりも所定の値高い電位であり、前記第
２配線のそれぞれに与えられる電位は前記基準電位に等
しいかもしくはより低い電位であり、 前記第１配線駆動回路によって、選択した第１配線に前
記所定の電位を与え、選択していない第１配線には前記
基準電位を与え、該基準電位と、選択した第１配線に与
えられる前記所定の電位との電位差が、前記しきい値の
近傍である請求項２４に記載の画像形成方法。 - 【請求項２６】 前記選択された第１配線に接続される
電子放出素子であって、該電子放出素子からの電子の照
射による前記発光体の発光を要求されない電子放出素子
における、前記第１配線と第２配線によってそれぞれ与
えられる電位間の電位差を調整する過程を有する請求項
24もしくは25に記載の画像形成方法。 - 【請求項２７】 前記画像信号に応じた電位の変化範囲
を調整する過程を有する請求項２４乃至２６いずれかに
記載の画像形成方法。 - 【請求項２８】 入力される画像信号の種類を判別し
て、該判別した結果に基づいて、前記画像信号に応じた
電位の変化範囲を調整する過程を有する請求項２４乃至
２７いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項２９】 入力される画像信号の平均輝度レベル
を検出し、その検出結果に基づき、前記画像信号に応じ
た電位の変化範囲を調整する過程を有する請求項２４乃
至２８いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３０】 前記電子放出素子を介して流れる電流
値を検出し、該検出結果に基づき、前記画像信号に応じ
た電位の変化範囲を調整する過程を有する請求項24乃至
29いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３１】 前記選択された第１配線に接続される
電子放出素子に対して、第１配線と第２配線によってそ
れぞれ与えられる電位間の電位差の上限を設けて第１配
線に与えられる電位か第２配線に与えられる電位かもし
くはその両方を制御する請求項２４乃至３０いずれかに
記載の画像形成方法。 - 【請求項３２】 前記電子放出素子に対して、前記第１
配線と第２配線によってそれぞれ与えられる電位間の電
位差を、該電位差と該電位差を与えられた電子放出素子
からの電子の照射による前記発光体の発光輝度との間の
関係に基づいて補正する過程を有する請求項２４乃至３
１いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３３】 前記発光体は、それぞれが互いに異な
る色で発光する複数種類の発光体であり、前記選択され
た第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２の配
線によって与えられる電位が、各電子放出素子が対応す
る色に応じて調整されている請求項２４乃至３２いずれ
かに記載の画像形成方法。 - 【請求項３４】 前記発光体は、それぞれが互いに異な
る色で発光する複数種類の発光体であり、前記選択され
た第１配線に接続される電子放出素子に、前記第２の配
線によって与えられる電位を、前記電子放出素子に対し
て前記第１配線と第２配線によってそれぞれ与えられる
電位間の電位差が、該電位差と該電位差を与えられた電
子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光輝
度との間の関係に基づいて補正されるように調整する請
求項２４乃至３３いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３５】 前記発光体は、それぞれが互いに異な
る色で発光する複数種類の発光体であり、一つの前記第
１配線が選択されている間に、該選択された第１配線に
接続される電子放出素子に、前記第２の配線によって発
光に関わる電位が与えられる時間の実効的な長さが、各
電子放出素子が対応する色に応じて調整される請求項２
４乃至３４いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３６】 入力される画像信号の種類を判別し、
その判別結果に基づき、一つの前記第１配線が選択され
ている間に、該選択された第１配線に接続される電子放
出素子に、前記第２の配線によって発光に関わる電位が
与えられる時間の実効的な長さを調整する請求項２４乃
至３５いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３７】 入力される画像信号の平均輝度レベル
を検出し、その検出結果に基づき、一つの前記第１配線
が選択されている間に、該選択された第１配線に接続さ
れる電子放出素子に、前記第２の配線によって発光に関
わる電位が与えられる時間の実効的な長さを調整する請
求項２４乃至３６いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３８】 前記電子放出素子を介して流れる電流
値を検出し、該検出結果に基づき、一つの前記第１配線
が選択されている間に、該選択された第１配線に接続さ
れる電子放出素子に、前記第２の配線によって発光に関
わる電位が与えられる時間の実効的な長さを調整する請
求項２４乃至３７いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項３９】 前記第1配線駆動回路によって選択さ
れた第1配線に接続される電子放出素子であって、該電
子放出素子からの電子の照射による前記発光体の発光を
要求されない電子放出素子が接続される前記第2配線に
印加する電位と、選択されていない第1配線に印加する
電位とを異ならせる請求項24乃至38いずれかに記載の画
像形成方法。 - 【請求項４０】 前記第2配線に与えられる前記画像信
号に応じた電位は、輝度階調に応じて制御される請求項
24乃至39いずれかに記載の画像形成方法。 - 【請求項４１】 前記第1配線駆動回路によって選択さ
れた第1配線に接続される電子放出素子に対して、輝度
階調表示のために前記第2配線によって与えられる電位
の変化の範囲が、該電位の変化範囲内の電位のうちの前
記選択された第1配線に与えられる電位に最も近い電位
と該選択された第1配線に与えられる電位との電位差よ
りも小さい請求項24乃至40いずれかに記載の画像形成方
法。 - 【請求項４２】 複数の電子放出素子と、 該電子放出素子から放出される電子の照射により発光す
る発光体と、 前記複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択
した電子放出素子に選択していない電子放出素子に与え
る電位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段
と、 少なくとも選択された前記電子放出素子に、画像信号に
応じた電位を与える第２の電位印加手段と、 を有する画像形成装置における画像形成方法であって、 前記選択された電子放出素子に第１の電位印加手段と第
２の電位印加手段によってそれぞれ与えられる電位間の
電位差を、該選択された電子放出素子からの電子の照射
による前記発光体の発光を要求されない時に、該電子放
出素子からの電子の照射による前記発光体の発光が生じ
るか生じないかのしきい値の近傍とすることを特徴とす
る画像形成方法。 - 【請求項４３】 複数の電子放出素子と、 該電子放出素子から放出される電子の照射により発光す
る発光体と、 前記複数の電子放出素子のそれぞれを順次選択し、選択
した電子放出素子に選択していない電子放出素子に与え
る電位と異なる所定の電位を与える第１の電位印加手段
と、 少なくとも選択された前記電子放出素子に、輝度階調表
示のために画像信号に応じた電位を与える第２の電位印
加手段と、 を有する画像形成装置における画像形成方法であって、 前記輝度階調表示の際の最低輝度が発光レベルであるこ
とを特徴とする画像形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15742398 | 1998-06-05 | ||
| JP10-157423 | 1998-06-05 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11153806A Division JP2000056730A (ja) | 1998-06-05 | 1999-06-01 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000322022A true JP2000322022A (ja) | 2000-11-24 |
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ID=15649320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000107131A Withdrawn JP2000322022A (ja) | 1998-06-05 | 2000-04-07 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000322022A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002268602A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Canon Inc | 駆動装置、駆動方法及び画像形成装置 |
| WO2004064030A1 (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 表示装置及びその制御方法 |
| JP2005148679A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Sony Corp | 表示素子、表示装置、半導体集積回路及び電子機器 |
| US7123221B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
| US7253813B2 (en) | 2002-02-01 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US7304654B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-12-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic EL display luminance control method and luminance control circuit |
| JP5296213B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2013-09-25 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000107131A patent/JP2000322022A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002268602A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Canon Inc | 駆動装置、駆動方法及び画像形成装置 |
| US7304654B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-12-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic EL display luminance control method and luminance control circuit |
| US7123221B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
| US7253813B2 (en) | 2002-02-01 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US7394442B2 (en) | 2002-02-01 | 2008-07-01 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
| US7593008B2 (en) | 2002-02-01 | 2009-09-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
| WO2004064030A1 (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 表示装置及びその制御方法 |
| US7397452B2 (en) | 2003-01-08 | 2008-07-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display apparatus and its control method |
| JP2005148679A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Sony Corp | 表示素子、表示装置、半導体集積回路及び電子機器 |
| JP5296213B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2013-09-25 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
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