JP2000250478A - 電子源駆動装置と方法及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リーク電流による影響を排除し、映像信号に応
じた画像の輝度を正確に得ることを可能とするととも
に、輝度の変動なく画像を表示可能とする。 【解決手段】マトリクス画像表示パネル１は、複数の行
配線と列配線により複数の冷陰極素子をマトリクス状に
配線してなるマルチ電子源を備える。映像信号の表示期
間においては、走査シフトレジスタ８により行配線を順
次に選択しながら、変調信号駆動ドライバ７によって列
配線に映像信号に基づく駆動信号を印加して、マトリク
ス画像表示パネル１を表示駆動する。ブランキング期間
においては、各冷陰極素子を半駆動状態とする電圧−Ｖ
ｓｓを全走査行に印加し、７ｄ〜７ｆのフィードバック
回路が、このときのリーク電流を電圧制御電流源７ｇに
出力させるように設定する。こうして、駆動時には電流
源７ａによる素子の駆動電流と電流源７ｇによるリーク
電流の和が電子源に供給される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はテレビジョン画像信
号等に基づいて画像表示を行うための電子源駆動装置と
その方法に関し、特に、マトリクス駆動により画像表示
を行うための電子源駆動装置とその方法，及び該電子源
駆動装置を用いた画像形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば表面伝導型放出素子や、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型
放出素子（以下ＭＩＭ型と記す）、などが知られてい
る。

【０００３】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）や、後述する他の例が知られている。

【０００４】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎ
Ｏ₂薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］や、Ｉｎ₂Ｏ₃／Ｓ
ｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．
ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］や、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久 他：真空、第２６巻、第１
号、２２（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図３１に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図において、３００
１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸化
物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図
示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導電
性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成さ
れる。図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］，Ｗは、
０．１［ｍｍ］で設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。

【０００６】Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじ
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直
流電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっく
りとしたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、
導電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしく
は変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３０
０５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは
変形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、
亀裂が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜
３００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付
近において電子放出が行われる。

【０００７】また、ＦＥ型の例は、たとえば、Ｗ．Ｐ．
Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，“Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉ
ｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるい
は、Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉｃａｌ ｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅ
ｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ
ｍｏｌｙｂｄｅｎｉｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などが知
られている。

【０００８】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
３２に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。

【０００９】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図３
２のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。

【００１０】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，“Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｕ
ｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などが
知られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図３
３に示す。同図は断面図であり、図において、３０２０
は基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２は
厚さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０２
３は厚さ８０〜３００オングストローム程度の金属より
なる上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０２
３と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加することに
より、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせる
ものである。

【００１１】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒー
ターを必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構
造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、
基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱
溶融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒ
ーターの加熱により動作するため応答速度が遅いのとは
異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利
点もある。

【００１２】このため、冷陰極素子を応用するための研
究が盛んに行われてきている。

【００１３】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば本出願人による特開昭６４−３１
３３２において開示されるように、多数の素子を配列し
て駆動するための方法が研究されている。

【００１４】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、たとえば、画像表示装置、画像記録装置などの画像
形成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。

【００１５】特に、画像表示装置への応用としては、た
とえば本出願人によるＵＳＰ５，０６６，８８３や特開
平２−２５７５５１や特開平４−２８１３７において開
示されているように、表面伝導型放出素子と電子ビーム
の照射により発光する蛍光体とを組み合わせて用いた画
像表示装置が研究されている。表面伝導型放出素子と蛍
光体とを組み合わせて用いた画像表示装置は、従来の他
の方式の画像表示装置よりも優れた特性が期待されてい
る。たとえば、近年普及してきた液晶表示装置と比較し
ても、自発光型であるためバックライトを必要としない
点や、視野角が広い点が優れていると言える。

【００１６】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、たとえば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９
５に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応
用した例として、たとえば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報
告された平板型表示装置が知られている。［Ｒ．Ｍｅｙ
ｅｒ：“Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｎ
Ｍｉｃｒｏｔｉｐｓ Ｄｉｓｐｌａｙ ａｔ ＬＥＴ
Ｉ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ４ｔｈ Ｉｎ
ｔ． Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，ｐｐ．６〜９（１
９９１）］ また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装置に応用した
例は、たとえば本出願人による特開平３−５５７３８に
開示されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】このような状況で、本
発明者らはマルチ電子源について鋭意研究を行なった。
図３４はマルチ電子源の配線の一例を示す。図では合計
ｎ×ｍ個の冷陰極素子を二次元的にマトリクス状に配列
させている。図３４で、３０７４は冷陰極素子、３０７
２は行配線、３０７３は列配線、３０７５は行配線の配
線抵抗、３０７６は列配線の配線抵抗を示す。このよう
な配線法をマトリクス配線法と呼ぶ。このマトリクス配
線法は、構造が単純なため、製作が容易である。

【００１８】このマトリクス配線法によるマルチ電子源
を画像表示装置に応用する場合は、ｍ及びｎの値として
は数百以上が望まれる。そして、画像を正しい輝度で表
示するために、各冷陰極素子から所望の強度の電子ビー
ムを正確に出力可能なことが必要である。従来、マトリ
クス配線された多数の冷陰極素子を駆動する場合には、
マトリクス一行分の素子群を同時に駆動する方法が行な
われている。そして、駆動する行を次々と切り替えて全
ての行を走査していく。この方法によれば、一素子ずつ
順次駆動する方法と比較して、各素子に割り当てられる
駆動時間がｎ倍長く確保されるため、表示装置の輝度を
高くすることができる。

【００１９】その一例として、Parker et al.によりＥ
Ｆ素子を駆動する方法が開示されている（ＵＳＰ５，３
００，８６２）。図３５は、これらを説明するための図
である。ＵＳＰ５，３００，８６２ではＸ方向をｒｏ
ｗ、Ｙ方向をｃｏｌｕｍｎとして、説明してあるが、本
明細書の記載に合わせるために、Ｙ方向をｒｏｗ、Ｘ方
向をｃｏｌｕｍｎと表現することにする。

【００２０】図３５中、２２０１Ａ〜２２０１ＣはCont
rolled constant current source（制御定電流源）、２
２０２はswitching circuit（スイッチング回路）、２
２０３はvoltage source（電圧源）、２２０４Ａは列配
線、２２０４Ｂは行配線、２２０５はＥＦ型素子であ
る。スイッチング回路２２０２は行配線２２０４Ｂの中
の一本を選択して電圧源２２０３と接続する。また、制
御定電流源２２０１Ａ〜２２０１Ｃは列配線２２０４Ａ
の各々に電流を供給する。これらが、適宜に同期して行
なわれることにより、一行分のＦＥ素子が駆動される。

【００２１】しかしながら実際に上記駆動法でマトリク
ス配線されたマルチ電子源を駆動してみると、各冷陰極
から出力される電子ビームの強度が所望の値からずれて
しまう問題があった。このため表示画像の輝度にむらが
できたり変動したりしてしまい、画質が低下していた。

【００２２】以下、図３６、図３７、図３８、図３９を
もとに、これらの問題を説明する。

【００２３】図３６、図３８は、各々図３５の従来例で
マトリクス配線されたマルチ電子源を駆動した時の等価
回路であり、説明を容易にするために、２×２のマトリ
クスを用い、更に配線抵抗も省略化して示している。図
中のＣＣ１〜ＣＣ４は冷陰極素子である。

【００２４】図３６は、ＣＣ３だけを駆動する場合を示
している。一方図３８は、ＣＣ３とＣＣ４を駆動する場
合を示している。

【００２５】図３６の場合、冷陰極素子ＣＣ３を駆動す
るためにスイッチング回路２２０３は行配線Ｄｘ２を選
択して電圧源２２０３と接続している。一方制御定電流
源２２０１Ａは、冷陰極素子ＣＣ３を駆動するための電
流ＩＡを出力する。また制御定電流源２２０１Ｂは、電
流を出力しない。この場合、電流ＩＡは、電流ＩＣＣ３
と電流ＩＬに分流する。このうち、ＩＣＣ３は冷陰極素
子ＣＣ３を駆動するために実効的に作用する駆動電流で
あって、ＩＬはリーク電流である。ＩＣＣ３を計算する
ための等価回路を図３７に示す。説明を簡単にするた
め、各冷陰極素子の抵抗をＲｃとして示し、特にＣＣ３
の抵抗は丸で囲んだ。図中の式を解くと、 ＩＣＣ３＝３×（ＩＡ）／４ という結果が得られる。

【００２６】次に、図３８の場合、冷陰極素子ＣＣ３，
ＣＣ４を同時に駆動する。スイッチング回路２２０３は
行配線Ｄｘ２を選択して電圧源２２０３と接続してい
る。一方、制御定電流源２２０１Ａ，３３０１Ｂは、冷
陰極素子ＣＣ３，ＣＣ４を駆動するため各々電流ＩＡ，
ＩＢを出力する。簡単化のために、同じ電流値で冷陰極
素子を駆動する場合を考える。この場合ＩＡ＝ＩＢであ
るから、冷陰極素子にはリーク電流が流れない。したが
って、図３９の等価回路から明らかな様に、ＩＣＣ３＝
ＩＡとなる。

【００２７】このように、表示された画像の輝度は発光
パターンにより変化し、しかも不安定であった。このた
め画質を著しく低下させていた。

【００２８】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、リーク電流による影響を排除し、映像信号に
応じた画像の輝度を正確に得るとともに、輝度の変動な
く画像を表示可能とすることを目的とする。

【００２９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による電子源駆動装置はたとえば以下の構成
を備える。すなわち、複数の行配線と列配線により複数
の電子放出素子をマトリクス状に配線してなるマルチ電
子源を駆動する電子源駆動装置であって、行配線を順次
選択しながら列配線に映像信号に基づく駆動信号を印加
して前記マルチ電子源を表示駆動する駆動手段と、前記
駆動手段による表示駆動期間外の期間において、前記マ
ルチ電子源の各電子放出素子を消灯状態を保つ半駆動状
態として、このときに流れるリーク電流に基づいて前記
駆動手段の駆動信号を補正する補正手段とを備える。

【００３０】また、上記の目的を達成するための本発明
の画像形成装置は例えば以下の構成を備える。すなわ
ち、複数の行配線と列配線により複数の電子放出素子を
マトリクス状に配線してなるマルチ電子源と、上記の電
子源駆動装置と、前記マルチ電子源に対向して設けら
れ、該マルチ電子源から放出される電子ビームに応じて
可視光を発生する発光手段とを備える。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好適な実施形態を説明する。

【００３２】＜第１の実施形態＞ ［概要］本実施形態に係わる画像表示装置に使用する画
像表示パネルは、基本的には薄型の真空容器内に、基板
上に多数の電子源例えば冷陰極素子をマトリクス状に配
線してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源に対向し、
電子の照射により画像を形成する画像形成部材とを備え
ている。

【００３３】冷陰極素子は、例えばフォトリソグラフィ
ー・エッチングのような製造技術を用いれば基板上に精
密に位置決めして形成できるため、微小な間隔で多数個
を配列することが可能である。しかも、従来からＣＲＴ
等で用いられてきた熱陰極と比較すると、陰極自身や周
辺部が比較的低温な状態で駆動できるため、より微細な
配列ピッチのマルチ電子源を容易に実現できる。

【００３４】なお、本実施形態による画像表示パネルの
構成と製造法、マルチ電子源の構造と製造方法について
は後述する。

【００３５】まず、始めに、図１６を参照して本実施形
態の概要を解りやすく説明する。

【００３６】図１６は本実施形態による電子源の駆動法
の概念を説明するための図である。図１６はマルチ電子
源を駆動する際の等価回路を示しており、図３６、図３
８と同様に、説明を容易にするために、２×２のマトリ
クスを用い、更に配線抵抗も省略化して示している。図
中のＣＣ１〜ＣＣ４は冷陰極素子である。

【００３７】図１６において、冷陰極素子ＣＣ３を駆動
するためにスイッチング回路２２１２は行配線Ｄｘ２を
電圧源２２１３Ｂと、行配線Ｄｘ１を電圧源２２１３Ａ
と接続する。すなわち選択する行配線（Ｄｘ２）には電
位Ｖ１を、選択しない行配線（Ｄｘ１）には電位Ｖ２を
印加する。

【００３８】一方、制御定電流源２２１１Ａは、冷陰極
素子ＣＣ３を駆動するための電流（ＩＡ’＝ＩＡ＋ＩＬ
１）を出力する。また素子を駆動しない制御定電流源２
２１１Ｂは、不図示のスイッチ回路で電圧源２２１３Ａ
に接続され、Ｖ２なる電位になる。ここで電流ＩＡは、
冷陰極素子ＣＣ３に流れる駆動電流であり、ＩＬ１は冷
陰極素子ＣＣ１に流れるリーク電流である。制御定電流
源２２１１Ａの出力電流ＩＡ’は電流ＩＣＣ３と電流Ｉ
Ｌ１に分流する。そして所望の動作電流（ＩＣＣ３＝Ｉ
Ａ）を冷陰極素子ＣＣ３に流すことができる。

【００３９】本実施形態では、図１７に示した特性の冷
陰極素子を使用する。そして、電圧源２２１３Ａの電圧
Ｖ２を０Ｖ、電圧源２２１３Ｂの電圧Ｖ１を−８Ｖに選
んだ。また冷陰極素子に流す駆動電流は、図１７で素子
電圧が１６Ｖとなるように選ぶ。すなわち、列配線Ｄｙ
１、Ｄｙ２は、選択時（駆動時）＋８Ｖ、非選択時（非
駆動時）０Ｖとなるように駆動する。

【００４０】次にマルチ電子源の素子数が多い場合につ
いて説明する。

【００４１】図１８は本発明の駆動法の概要を説明する
ための図であり、マルチ電子源を駆動する時の概略の回
路図であり、説明を容易にするために配線抵抗も省略化
して示している。本実施形態は配線抵抗の影響が小きい
ときに、特に良好な効果をもたらすものである。

【００４２】図１８において、１はマトリクス画像表示
パネルであり、Ｓ_1,1〜Ｓ_240,1，…，Ｓ_1,480〜Ｓ
_240,480は冷陰極素子である。９６０１は複数の電流源
からなる変調信号駆動ドライバであり、９６０２は複数
のトランジスタスイッチ等からなる走査信号駆動ドライ
バである。電流源からなる変調信号駆動ドライバ９６０
１は、非駆動時、不図示のスイッチ回路でＧＮＤに接続
される（走査信号駆動ドライバ９６０２の非選択電位が
ＧＮＤである）。ここで各々の電流源の電流値は以下の
ように決める。なお、電流源Ｃｓ１〜Ｃｓ４８０は同様
の手順で電流値を決定すればよいので、以下ではｊ番目
の変調信号配線の電流源Ｃｓｊについて説明する。

【００４３】（１）走査配線の電圧を決める（例えば、
図１７の特性で素子電圧がＶｔｈである電圧：−８
Ｖ）。

【００４４】（２）各冷陰極素子に流す動作電流（If
0）を決める（例えば、図１７の特性で素子電圧が１６
Ｖになる電流：１．５ｍＡ）。

【００４５】（３）電流源Ｃｓjに接続する変調信号配
線に接続する冷陰極素子Ｓ_1,j〜Ｓ_{24 0,j}の半駆動状態に
おいて流れる電流の和を求め、これをIf1(j)とする。な
お、以下、半駆動状態において冷陰極素子に流れる電流
をリーク電流という。また、半駆動状態とは、冷陰極素
子の消灯状態が保たれる範囲の電圧が冷陰極素子に印加
された状態をいう。本実施形態では、半駆動状態を、素
子電圧を８Ｖとした状態とする。図１７の特性からわか
るように、素子電圧が８Ｖでは、冷陰極素子からの電子
放出は無い。この場合、If1(j)は次のように表わされ
る。すなわち、 If1(j)＝If1(S_1,j)+If1(S_2,j)+If1(S_3,j)+If1(S_4,j)+…
+If1(S_240,j) となる。ここで、上式において、Ｉｆ1（Ｓ_n，m）はｎ
行ｍ列目の冷陰極素子Sのリーク電流を表わす。

【００４６】（４）If0＋If1(j)を求め駆動電流値とす
る。

【００４７】ｋ行目の走査配線駆動時、走査信号駆動ド
ライバは走査配線Ｙｋのみ−８Ｖ、その他の走査配線を
０Ｖになるように駆動する。この時、ｋ行ｊ列目の冷陰
極素子Ｓ_k,jに流れる動作電流Ｉｆ（Ｓ_k,j）は、 If(S_k,j)≒{If0+If1(j)}-{If1(S_1,j)+If1(S_2,j)+…+If1
(S_k-j,1)+If1(S_{k+ 1,j})+…+If1(S_240,j)}≒If0+If1
(S_k,j) となる。ここで、冷陰極素子の特性からIf0＞＞Ｉｆ1
（Ｓ_k,j）であるので Ｉｆ（Ｓ_k,j）≒If0 となる。すなわち、動作電流（If0）で冷陰極素子Ｓ_k,j
を駆動できる。

【００４８】任意の走査配線で上式は成り立つので、電
流源の素子駆動時の電流値を、各冷陰極素子に流す動作
電流If0と第ｊ列における各冷陰極素子Ｓ_1,j〜Ｓ_240,j
のリーク電流の和If1(j)の和とすることにより、常に一
定の動作電流を各冷陰極素子Ｓ_1,j〜Ｓ_240,jに流すこと
ができる。

【００４９】変調信号駆動ドライバ９６０１内の電流源
Ｃｓ１〜Ｃｓ４８０についても同様に上式が成り立つの
で、上述のようにリーク電流の和を考慮した電流出力設
定とすることによりマトリクス画像表示パネル１の全て
の冷陰極素子に流す動作電流を一定にすることができ
る。

【００５０】本実施形態では、特別の調整装置を必要と
せず、少ないハードウエアでリアルタイムに各列の冷陰
極素子Ｓ_1,j〜Ｓ_240,jのリーク電流の和If1(j)を求め、
リーク電流の和If1(j)にしたがって駆動電流を補正する
装置を提供するものである。そして、このような駆動電
流の補正によって、映像信号に応じた輝度の画像を、変
動なく表示することを可能とする。また、これらのリー
ク電流の和If1(j)が時間や温度と共に変化する場合であ
っても、If1(j)をリアルタイムに求めることにより、良
好な画像を表示する画像表示装置を提供する。

【００５１】［表示パネルの駆動］以下、第１の実施形
態によるマトリクス画像表示パネルの駆動について詳細
に説明する。

【００５２】図１は、第１の実施形態によるマトリクス
画像表示パネルの駆動構成を示すブロック図である。図
１において、１は薄型の真空容器内に、基板上に多数の
電子源例えば冷陰極素子を配列してなるマルチ電子源を
持つマトリクス画像表示パネルであり、図１に示す様
に、例えば水平方向に４８０素子すなわち１６０画素
（ＲＧＢ）×３が配置されるとともに、垂直方向に２４
０素子が配置されている。本実施形態では、４８０素子
×２４０素子のマトリクス画像表示パネルの例を示す
が、素子数に関しては必要に応じて、すなわち製品用途
により決定されるものであり、この限りではない。

【００５３】マトリクス画像表示パネル１は、図１に示
す様にＲＧＢストライプ配列の画素配置をもつ。２はア
ナログディジタル変換器（Ａ／Ｄコンバータ）であり、
不図示のデコーダにより例えばＮＴＳＣ信号からＲＧＢ
信号にデコードされたアナログＲＧＢコンポーネント信
号を、各々例えば８ｂｉｔ幅のディジタルＲＧＢ信号に
変換する。３はデータ並び変え部であり、Ａ／Ｄコンバ
ータ２またはコンピュータ等のデジタルＲＧＢ信号（こ
れらのデータ並び変え部３へ入力される信号をＳ１とす
る）を入力し、マトリクス画像表示パネル１の画素配列
に合わせてディジタルデータを並べ変え出力する機能を
有する（データ並び変え部３の出力信号をＳ２とす
る）。４は輝度データ変換器で入力されたディジタルデ
ータを所望の輝度特性に変換する変換テーブルであり、
例えばガンマ変換を行なう（輝度データ変換器４の出力
信号をＳ３とする）。

【００５４】５はシフトレジスタであり輝度データ変換
器４から送られるシリアルデータ（Ｓ３）をシフトクロ
ック（ＳＣＬＫ）に従って順次シフト転送し、マトリク
ス画像表示パネル１のそれぞれの素子に対応したディジ
タルデータ（ＸＤ１〜ＸＤ４８０）を形成する。６は変
調信号発生部であり、シフトレジスタ５からのディジタ
ルデータに応じて、ＰＷＭクロック（ＰＣＬＫ）をもと
にパルス幅を決定し、決定されたパルス幅の信号（ＸＤ
Ｐ１〜ＸＤＰ４８０）を出力する。７は変調信号駆動ド
ライバであり、変調信号発生部６のパルス幅出力に応じ
て、マトリクス画像表示パネル１の変調信号線を駆動す
る（この駆動信号をＸ１〜Ｘ４８０とする）。

【００５５】また、８は走査シフトレジスタであり、水
平走査同期信号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画
像の走査線に対応するマトリクス画像表示パネル１の走
査配線を順次走査するデータを作る。９は走査切り替え
器であり、走査シフトレジスタ８の出力に従って走査配
線を選択する。なお、走査切り替え器９はＹＥＮ信号に
より全走査配線が選ばれている状態に切り換えることが
可能である（詳細は後述する）。１０は走査信号駆動ド
ライバであり、走査信号切り替え器９の出力に従ってマ
トリクス画像表示パネル１の走査配線を順次駆動、或い
は全走査配線を同時駆動する。１１はタイミング制御部
であり、各機能ブロックに必要なタイミングの制御信号
を入力画像の同期信号（ｓｙｎｃ）及びデータサンプリ
ングクロック（ＤＣＬＫ）等から生成する。

【００５６】図２は第１の実施形態による変調信号発生
部の構成を示すブロック図である。また、図３は、図２
に示した変調信号発生部の動作タイミングを示す図であ
る。図２において２０ａはダウンカウンタであり、図３
に示されるように、シフトレジスタ５からの出力である
例えば８ｂｉｔ幅のディジタルデータ（ＸＤ１〜ＸＤ４
８０）をロード信号（Ｌｄ）によってロードし、ＰＷＭ
クロック（ＰＣＬＫ）によりダウンカウントする。そし
て、例えば、ダウンカウンタのボロー出力（Borrow）を
パルス幅変調出力（PWMout）とする。すなわち、偏重信
号発生部６は、「ロードされたデータ（設定値）」×
「クロック（ＰＣＬＫ）周期」で決まるパルス幅を出力
する。

【００５７】図４は第１の実施形態によるパネル駆動部
分の構成を示すブロック図である。図４において７ａは
冷陰極素子に所望の駆動電流（図１７で、素子電圧１６
Ｖに相当する電流値：If0＝１．５ｍＡ）を流す電流
源、７ｂはリーク電流計測期間にＯＦＦとなるスイッ
チ、７ｃは変調信号発生部６が決めるパルス幅でＯＮ／
ＯＦＦするＭＯＳトランジスタ、７ｄは比較器、７ｅは
比較器７ｄの出力をリーク電流計測期間にサンプルし、
他の時間はホールドするサンプル／ホールド回路、７ｆ
はサンプル／ホールド回路７ｅの出力をバッファする増
幅器、７ｇは増幅器７ｆの出力電圧にしたがった電流を
出力する電圧制御電流源である。９ａはリーク電流計測
期間に全ての走査線を駆動するためのオア回路、１０ａ
は駆動ドライバ１０のスイッチ回路である。

【００５８】図５、図６は、第１の実施形態による画像
表示パネルの駆動タイミングを示すタイミングチャート
である。以下、各図に従って第１の実施形態の動作を説
明する。

【００５９】図１において、Ａ／Ｄコンバータ２は、不
図示のデコーダにより、例えばＮＴＳＣ信号からＲＧＢ
信号にデコードされたアナログＲＧＢコンポーネント信
号を、各々８ｂｉｔ幅のディジタルＲＧＢ信号に変換す
る。データ並び変え部３は、Ａ／Ｄコンバータ２の出力
信号またはコンピュータ等のデジタルＲＧＢ信号（Ｓ
１）を入力する。この際、１走査ライン（１Ｈ）のデー
タ数は、マトリクス画像表示パネル１の変調信号線側の
画素数で決めると処理が簡単になる。本実施形態の場合
は、マトリクス画像表示パネル１の変調信号入力側の画
素数を１６０に決めた。

【００６０】Ａ／Ｄコンバータ２または不図示のコンピ
ュータ等よりのデジタルＲＧＢ信号（Ｓ１）はデータサ
ンプリングクロック（ＤＣＬＫ）と同期して出力され
る。図５に示す様に、データ並び変え部３は、入力信号
（Ｓ１）であるＲＧＢパラレル信号をマトリクス画像表
示パネル１のＲＧＢ画素配列に従って並び替え、データ
サンプリングクロック（ＤＣＬＫ）の３倍の周波数のク
ロックであるシフトクロック（ＳＣＬＫ）のタイミング
で順次出力する。

【００６１】データ並び変え部３の出力信号（Ｓ２）
は、輝度データ変換器４に入力される。輝度データ変換
器４は、あらかじめ、所望のデータが記憶されている不
図示の変換テーブル（ＲＯＭ）により、データ並び変え
部３の出力信号（Ｓ２）を例えばＣＲＴのガンマ特性に
応じた輝度特性に変換し、出力信号（Ｓ３）として出力
する。

【００６２】輝度データ変換器４の出力信号Ｓ３は、シ
フトレジスタ５に送られ、シリアルデータをシフトクロ
ック（ＳＣＬＫ）で順次シフト転送し、マトリクス画像
表示パネル１のそれぞれの素子に対応したディジタルデ
ータ（ＸＤ１〜ＸＤ４８０）を水平走査時間単位で出力
する。この結果、例えば、８ｂｉｔ幅のディジタルデー
タ（ＸＤ１〜ＸＤ４８０）が変調信号発生部６に入力さ
れる。前述の説明通り、変調信号発生部６は、素子毎
に、入力されたディジタルデータ（ＸＤ１〜ＸＤ４８
０）とＰＷＭクロック（ＰＣＬＫ）に応じてパルス幅を
決定する。すなわち変調信号発生部６は、「ＰＷＭクロ
ック（ＰＣＬＫ）数」が「ディジタルデータの値」と等
くなるまでの時間で決まる幅のパルスを出力する。

【００６３】本実施形態に於いては、ＮＴＳＣ信号を２
４０本の走査ラインのマトリクス画像表示パネル１で表
示させるために、インターレースされている有効走査線
の４８５本の内４８０本をフィールド毎にマトリクス画
像表示パネル１に重ね書きし駆動した。ＮＴＳＣ信号の
１フィールドを画像表示パネル１では１フレームとして
扱った。すなわち画像表示パネル１をフレーム周波数６
０Ｈｚ、走査ライン２４０本の画像信号として駆動し
た。この時、図６に示す様に、フレーム毎に２４０本分
を走査している時間を表示期間、残りの２２．５本分の
時間をブランキング期間と呼ぶ。

【００６４】一方、１走査ラインの表示に要する時間
は、ＮＴＳＣ信号ではおおよそ６３．５μＳｅｃであ
り、その時間内の約５６．５μＳｅｃを駆動パルス（Ｘ
１〜４８０）の最大時間と決めた。ＰＷＭクロック（Ｐ
ＣＬＫ）は、ディジタルデータ（「設定値」）を８ｂｉ
ｔに選んだので、ＰＷＭクロック（ＰＣＬＫ）のパルス
数は、２５６個の時に約５６．５μＳｅｃとなるような
周波数を選んだ。すなわち１パルスのパルス幅は約２２
０ｎＳｅｃのクロック、約４．５ＭＨｚの周波数のクロ
ックをＰＷＭクロック（ＰＣＬＫ）とした。

【００６５】更に、図４に示したマトリクス画像表示パ
ネル１を駆動する部分の構成の動作について図６に示し
たタイミング図を用いて更に説明を行なう。なお、図４
において、マトリクス画像表示パネル１の各冷陰極素子
は、画像表示時の色に合わせ、Ｒ_n,m（ｍ＝１，４，
７，…）、Ｇ_n,m（ｍ＝２，５，８，…）、Ｂ_n,m（ｍ＝
３，６，９，…）で示した。各冷陰極素子は同等である
ので、以下の説明は各冷陰極素子Ｒ_n,mについてのみ行
なう。

【００６６】［ブランキング期間］ブランキング期間に
於いて第１の実施形態では、以下の動作を行ない、各列
配線ｊのリーク電流の和（If1(j)）を求める。 （１）フレーム毎、或いは必要に応じた任意のフレーム
内のブランキング期間内に設定されるリーク電流計測期
間において、タイミング制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮ
をアクティブにする。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮ入力がアクティブ
になることより、オア回路９ａの出力がアクティブにな
る。そして、走査信号駆動ドライバ１０により、全走査
配線を−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）で駆動する。 （３）ＣＥＮがアクティブであるのでスイッチ７ｂはＯ
ＦＦになる。そして、ＣＥＮがアクティブであるのでサ
ンプル／ホールド回路７ｅはサンプルモードになる。 （４）ＭＯＳトランジスタ７ｃは、ブランキング期間内
はＯＦＦとする。 （５）フィードバックループ（比較器７ｄ、サンプル／
ホールド回路７ｅ、増幅器７ｆ、電圧制御電流源７ｇ）
は比較器７ｄの電圧がＧＮＤになるようにフィードバッ
ク制御され、電圧制御電流源７ｇの電流値を決める。

【００６７】この時、増幅器７ｆにより設定される電圧
制御電流源７ｇの出力電流値は冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ
_240,j全てにＶｔｈ（８Ｖ）加えた時（すなわち、各冷
陰極素子を半駆動状態としたとき）の、各々の冷陰極素
子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jに流れるリーク電流の和（If1(j)）と
なる。

【００６８】なお、この時、マトリクス画像表示パネル
１の各冷陰極素子にはＶｔｈ（８Ｖ）なる電圧が加わる
が、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を
放出しない。そのため、リーク電流計測によってマトリ
クス画像表示パネル１が発光することはない。

【００６９】［表示期間］ブランキング期間に続く表示
期間に於いて、第１の実施形態では、以下の動作を行な
い、求めたリーク電流（If1(j)）により補正駆動を行な
う。

【００７０】（１）表示期間に先だって（または同時
に）リーク電流計測期間が終了する。そして、タイミン
グ制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮをノンアクティブにす
る。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンアクティブ
になるので、オア回路９ａは走査シフトレジスタ８の出
力をそのまま出力するようになる。そして、走査信号駆
動ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から−Ｖ
ｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）とし、他の配線を０Ｖとして
駆動する。 （３）ＣＥＮがノンアクティブであるのでサンプル／ホ
ールド回路７ｅはホールドモードになる。その結果、電
圧制御電流源７ｇは、リーク電流計測期間に得た冷陰極
素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和（If1(j)）に出力
電流値が固定される。 （４）同時に、ＣＥＮがノンアクティブになるので、ス
イッチ７ｂはＯＮになる。そして電流源７ａによる所望
の電流出力（例えば、図１７の特性で素子電圧が１６Ｖ
になる電流：If0＝１．５ｍＡ）はワイヤード加算され
る。 （５）ＭＯＳトランジスタ７ｃのゲートには変調信号発
生部６の出力ＸＤＰ１〜ＸＤＰ４８０が入力され、変調
信号発生部６が作るディジタルデータに応じたパルス幅
で、ワイヤード加算された電流出力（If0＋If1(j)）を
制御し、冷陰極素子を駆動する。 （６）一方、走査シフトレジスタ８は、水平走査同期信
号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画像の送られて
くるディジタルデータに対応するマトリクス画像表示パ
ネル１の走査配線を、順次走査するデータを作る。 （７）そして、走査切り替え器９は、ＹＥＮがノンアク
ティブであるので、オア回路９ａによって走査シフトレ
ジスタ８の出力がそのまま出力される。そして、走査信
号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から
−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）に、他の配線を０Ｖに駆
動する。

【００７１】変調信号駆動ドライバ７の電流出力がＯＮ
の時、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線を順
次１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線
を０Ｖ）で駆動する。そのため、変調信号配線の電圧
は、選択された走査配線と冷陰極素子の駆動電流で決ま
る電圧になる。この場合、変調信号配線の電圧は＋８Ｖ
になり、電流源７ａの電流値（If0）は駆動電流とし
て、選択された冷陰極素子に流れる。そしてリーク電流
計測期間に求めた各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ240,jのリ
ーク電流の和（If1(j)）が、選択されなかった冷陰極素
子にリーク電流として流れる。選択されなかった冷陰極
素子にはほぼ８Ｖの電圧が加わるが、図１７を見て明ら
かな様に、選択されなかった冷陰極素子は電子を放出し
ない。そのためマトリクス画像表示パネル１の対応する
箇所が発光することはない。

【００７２】また、変調信号駆動ドライバ７の電流出力
がＯＦＦの時、変調信号配線の電圧は０Ｖであり、選択
された走査配線の冷陰極素子には８Ｖの電圧が加わる。
しかし、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電
子を放出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１
は発光することはない。

【００７３】以上から、走査信号駆動ドライバ１０で選
択されている行配線上の各素子に、変調信号駆動ドライ
バ７の電流出力が所望の輝度に比例したパルス幅で加え
られる。そして駆動電圧は順次走査され、マトリクス画
像表示パネル１に画像を形成する。

【００７４】以上の説明で解るように、リーク電流計測
期間で走査信号駆動ドライバは、全ての走査配線の電圧
を−８Ｖに駆動した。この電圧は、表示期間における変
調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの時の変調信号配
線の電圧とほぼ同じであり、このように設定することに
よって、表示駆動時のリーク電流の和（If1(j)）が計測
できる。

【００７５】その結果、本実施形態によれば、特別の調
整装置を必要とせず、少ないハードウエアでリアルタイ
ムに（ブランキング期間を利用して）各冷陰極素子のリ
ーク電流の和If1(j)を求め、リーク電流の和If1(j)にし
たがって駆動電流を補正する装置を提供できる。すなわ
ち、各列配線毎に動作電流にリーク電流を加えて駆動電
流とすることにより、画像の輝度を正確に確定すること
ができる。また、ブランキング期間毎にもしくは任意の
ブランキング期間毎にリーク電流を計測できるので、素
子の経時変化に影響されず、変動なく表示する画像表示
装置を提供できるようになる。

【００７６】＜第２の実施形態＞第２の実施形態につい
て、以下に詳細を示す。図７は、第２の実施形態による
パネル駆動部分の構成を示すブロック図である。なお、
図７において図４と同様の構成には同一の参照番号を付
してある。第１の実施形態ではリーク電流計測期間にお
いて電流源７ａの出力を遮断状態とするのにスイッチ７
ｂを用いていたが、第２の実施形態では、ＭＯＳトラン
ジスタ７ｈとダイオード７ｉを用いる。他の構成は第１
の実施形態（図１）と同様であり、また、各部の動作タ
イミングについても第１の実施形態（図５、図６）と同
様である。

【００７７】図７において７ａは冷陰極素子に所望の駆
動電流（図１７で、素子電圧１６Ｖに相当する電流値：
If0＝１．５ｍＡ）を流す電流源、７ｈはリーク電流計
測期間にＯＮとなるＭＯＳトランジスタ、７ｉはダイオ
ード、７ｃは変調信号発生部６が決めるパルス幅で電流
源をＯＮ／ＯＦＦするＭＯＳトランジスタ、７ｄは比較
器、７ｅは比較器７ｄの出力をリーク電流計測期間にサ
ンプル動作を行ない、他の時間はホールドするサンプル
／ホールド回路、７ｆはサンプル／ホールド回路７ｅの
出力をバッファする増幅器、７ｇは増幅器７ｆの出力電
圧にしたがった電流を出力する電圧制御電流源である。
９ａはリーク電流計測期間に全ての走査線を駆動するた
めのオア回路、１０ａは走査信号駆動ドライバ１０にお
けるスイッチ回路である。以下、第１の実施形態と同じ
構成については説明を省略し、第２の実施形態に特有な
部分について説明する。

【００７８】［ブランキング期間］ブランキング期間に
於いて第２の実施形態では、以下の動作を行ないリーク
電流の和（If1(j)）を求める。

【００７９】（１）フレーム毎、或いは必要に応じた任
意のフレーム内のブランキング期間内に設定されるリー
ク電流計測期間内で、タイミング制御部１１は、ＣＥ
Ｎ、ＹＥＮをアクティブにする。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮ入力がアクティブ
になることによりオア回路９ａの出力がアクティブにな
る。そして、走査信号駆動ドライバ１０により、全走査
配線を−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）で駆動する。 （３）また、このとき、ＣＥＮがアクティブであるので
ＭＯＳトランジスタ７ｈはＯＮする、そのため、ダイオ
ード７ｉには順バイアスがかからないので、電流源７ａ
の電流はマトリクス画像表示パネル１に流れない。ま
た、ＣＥＮがアクティブであるのでサンプル／ホールド
回路７ｅはサンプルモードになる。 （４）ＭＯＳトランジスタ７ｃは、ブランキング期間内
はＯＦＦである。 （５）フィードバックループ（比較器７ｄ、サンプル／
ホールド回路７ｅ、増幅器７ｆ、電圧制御電流源７ｇ）
は比較器７ｄの電圧がＧＮＤになるようにフィードバッ
ク制御され、電圧制御電流源７ｇの電流値を決める。こ
の時、電圧制御電流源７ｇの出力電流値は冷陰極素子Ｒ
_1,j〜Ｒ_240,jの全てに−Ｖｔｈ（−８Ｖ）加えた時の、
各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和（If
1(j)）である。

【００８０】この時、マトリクス画像表示パネル１の各
冷陰極素子にはＶｔｈ（８Ｖ）なる電圧が加わるが、図
１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を放出し
ない。そのため、リーク電流計測期間においてマトリク
ス画像表示パネル１が発光することはない。

【００８１】［表示期間］ブランキング期間に続く表示
期間に於いて、第２の実施形態では、以下の動作を行な
い、求めたリーク電流（If1(j)）により補正駆動を行な
う。

【００８２】（１）表示期間に先だって（または同時
に）リーク電流計測期間が終了する。そして、タイミン
グ制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮをノンアクティブにす
る。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンアクティブ
になるので、オア回路９ａは走査シフトレジスタ８の出
力をそのまま出力することになる。そして、走査信号駆
動ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から−Ｖ
ｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆動す
る。 （３）ＣＥＮがノンアクティブであるのでサンプル／ホ
ールド回路７ｅはホールドモードになる。そして電圧制
御電流源７ｇは、リーク電流計測期間に得た冷陰極素子
Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和（If1(j)）に電流値を
固定して出力する。 （４）同時に、ＣＥＮがノンアクティブになるのでＭＯ
Ｓトランジスタ７ｈはＯＦＦする。したがって電流源７
ａの所望の電流出力（例えば、図１７の特性で素子電圧
が１６Ｖになる電流：If0＝１．５ｍＡ）はダイオード
７ｉを流れ、電圧制御電流源７ｇの出力電流（リーク電
流計測期間に得た冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_{240 ,j}のリーク電
流の和（If1(j)）にワイヤード加算される。 （５）ＭＯＳトランジスタ７ｃのゲートには変調信号発
生部６の出力ＸＤＰ１〜４８０が入力され、変調信号発
生部６が作るディジタルデータに応じたパルス幅で、ワ
イヤード加算された電流出力（If0＋If1(j)）を制御
し、冷陰極素子を駆動する。 （６）一方、走査シフトレジスタ８は、水平走査同期信
号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画像の送られて
くるディジタルデータに対応するマトリクス画像表示パ
ネル１の走査配線を、順次走査するデータを作る。 （７）そして、走査切り替え器９は、ＹＥＮがノンアク
ティブであるので、オア回路９ａは、走査シフトレジス
タ８の出力をそのまま出力する。そして、走査信号駆動
ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から−Ｖｓ
ｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆動す
る。

【００８３】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの
時、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次
１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を
０Ｖ）で駆動する。そのため、変調信号配線の電圧は、
選択された走査配線と冷陰極素子の駆動電流で決まる電
圧になる。この場合、変調信号配線の電圧は＋８Ｖにな
り、電流源７ａの電流値（If0）は駆動電流として、選
択された冷陰極素子に流れる。そしてリーク電流計測期
間に求めた各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電
流の和（If1(j)）が、選択されなかった冷陰極素子にリ
ーク電流として流れる。選択されなかった冷陰極素子に
はほぼ８Ｖの電圧が加わるが、図１７を見て明らかな様
に、選択されなかった冷陰極素子は電子を放出しない。
そのためマトリクス画像表示パネル１の対応する箇所が
発光することはない。

【００８４】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＦＦ
の時、変調信号配線の電圧は、０Ｖであり、選択された
走査配線の冷陰極素子には８Ｖの電圧が加わる。しか
し、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を
放出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１の対
応箇所が発光することはない。

【００８５】以上から、走査信号駆動ドライバ１０で選
択されている行配線上の各素子に、変調信号駆動ドライ
バ７の電流出力が所望の輝度に比例したパルス幅で加え
られる。そして駆動電圧は順次走査され、マトリクス画
像表示パネル１に画像を形成する。

【００８６】説明で解るように、リーク電流計測期間で
走査信号駆動ドライバは、全ての走査配線の電圧を−８
Ｖに駆動した。この電圧は、表示期間における変調信号
駆動ドライバの電流出力がＯＮの時の変調信号配線の電
圧とほぼ、同じにすることによって、リーク電流の和
（If1(j)）が計測できる。

【００８７】その結果、第１の実施形態と同様に、特別
の調整装置を必要とせず、少ないハードウエアでリアル
タイムに各冷陰極素子のリーク電流の和If1(j)を求め、
リーク電流の和If1(j)にしたがって駆動電流を補正する
装置を提供できる。その結果、画像の輝度を正しく確定
し、しかも変動なく表示する画像表示装置を提供でき
る。

【００８８】＜第３の実施形態＞第３の実施形態につい
て、以下に詳細を示す。なお、マトリクス画像表示パネ
ル１を駆動するための構成は第１の実施形態（図１）と
同様であるので図示を省略する。図８は第３の実施形態
のパネル駆動部分のブロック図である。図８において第
１の実施形態（図４）と同様の構成には同一の参照番号
を付してある。また、図９は第３の実施形態による画像
表示パネルの駆動タイミングを示すタイミングチャート
である。また、図５に示されるタイミングはそのまま第
３の実施形態にも適用され得る。

【００８９】第３の実施形態と第１の実施形態との違い
は、比較器７ｄのプラス入力が不図示の基準電源（基準
電圧：＋ＶＬ１）に、走査信号駆動ドライバ１０に、不
図示の２種類の電源（電圧：−Ｖｓｓ、−ＶＬ２）を切
り換えるスイッチ１０ｂが追加された点である。そし
て、図９に示されるように、リーク電流計測期間におい
てＹ１〜Ｙ２４０の各行配線に対して、ＧＮＤではな
く、−ＶＬ２の電位が印加される。

【００９０】図８において７ａは冷陰極素子に所望の駆
動電流（図１７で、素子電圧１６Ｖに相当する電流値：
If0＝１．５ｍＡ）を流す電流源、７ｂはリーク電流計
測期間にＯＦＦとなるスイッチ、７ｃは変調信号発生部
６が決めるパルス幅で電流源をＯＮ／ＯＦＦするＭＯＳ
トランジスタ、７ｄは比較器、７ｅは比較器７ｄの出力
をリーク電流計測期間にサンプル動作を行ない、他の時
間はホールドするサンプル／ホールド回路、７ｆはサン
プル／ホールド回路７ｅの出力をバッファする増幅器、
７ｇは増幅器７ｆの出力電圧にしたがった電流を出力す
る電圧制御電流源である。９ａはリーク電流計測期間に
全ての走査線を駆動するためのオア回路、１０ａは駆動
ドライバであるスイッチ回路、１０ｂはリーク電流計測
期間に電源（−ＶＬ２）、それ以外の期間で電源（−Ｖ
ｓｓ）を選択するスイッチ回路である。

【００９１】［ブランキング期間］ブランキング期間に
於いて第３の実施形態では、以下の動作を行ないリーク
電流の和（If1(j)）を求める。

【００９２】（１）フレーム毎、或いは必要に応じた任
意のフレーム内のブランキング期間内に設定されるリー
ク電流計測期間内で、タイミング制御部１１は、ＣＥ
Ｎ、ＹＥＮをアクティブにする。 （２）走査切り替え器９において、ＹＥＮがアクティブ
になることにより、全オア回路９ａの出力がアクティブ
になる。また、スイッチ１０ｂは電圧−ＶＬ２を供給す
る電源（不図示）に接続を切り換える。こうして、走査
信号駆動ドライバ１０により、全走査配線を−ＶＬ２で
駆動する。 （３）ＣＥＮがアクティブであるのでスイッチ７ｂはＯ
ＦＦになる。そして、ＣＥＮがアクティブであるのでサ
ンプル／ホールド回路７ｅはサンプルモードになる。 （４）ＭＯＳトランジスタ７ｃは、ブランキング期間内
はＯＦＦである。 （５）フィードバックループ（比較器７ｄ、サンプル／
ホールド回路７ｅ、増幅器７ｆ、電圧制御電流源７ｇ）
は比較器７ｄの基準電圧が＋ＶＬ１になるようにフィー
ドバック制御され、電圧制御電流源７ｇの電流値を決め
る。

【００９３】この時、電圧制御電流源７ｇの出力電流値
は冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,j全てに電圧（ＶＬ１−（−
ＶＬ２））を加えた時の、各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ
_240,jのリーク電流の和（If1(j)）である。

【００９４】この時、マトリクス画像表示パネル１の各
冷陰極素子には（ＶＬ１−（−ＶＬ２））の値として素
子を半駆動状態とする電圧、例えばＶｔｈ（８Ｖ）なる
電圧を加える。図１７の特性から明らかな様に、各冷陰
極素子は電子を放出しない。そのためマトリクス画像表
示パネル１が、このブランキング期間内で発光すること
はない。

【００９５】［表示期間］ブランキング期間に続く表示
期間に於いて、第３の実施形態では、以下の動作を行な
い、求めたリーク電流（If1(j)）により補正駆動を行な
う。

【００９６】（１）表示期間に先だって（または同時
に）リーク電流計測期間が終了する。そして、タイミン
グ制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮをノンアクティブにす
る。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンアクティブ
になるので、オア回路９ａが走査シフトレジスタ８の出
力をそのまま出力するようになる。また、ＹＥＮのノン
アクティブを受けて、スイッチ１０ｂは電圧−Ｖｓｓを
供給する電圧源（不図示）に接続を切り換える。そし
て、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次
１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を
０Ｖ）で駆動する。 （３）ＣＥＮがノンアクティブであるのでサンプル／ホ
ールド回路７ｅはホールドモードになる。そして電圧制
御電流源７ｇは、リーク電流計測期間に得た冷陰極素子
Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和（If1(j)）に電流値を
固定して出力する。 （４）同時に、ＣＥＮがノンアクティブになるのでスイ
ッチ７ｂはＯＮになる。そして電流源７ａの所望の電流
出力（例えば、図１７の特性で素子電圧が１６Ｖになる
電流：If0＝１．５ｍＡ）はワイヤード加算される。 （５）ＭＯＳトランジスタ７ｃのゲートには変調信号発
生部６の出力ＸＤＰ１〜４８０が入力され、変調信号発
生部６が作るディジタルデータに応じたパルス幅で、ワ
イヤード加算された電流出力（If0＋If1(j)）を制御
し、冷陰極素子を駆動する。 （６）一方、走査シフトレジスタ８は、水平走査同期信
号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画像の送られて
くるディジタルデータに対応するマトリクス画像表示パ
ネル１の走査配線を、順次走査するデータを作る。 （７）そして、走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンア
クティブであるので、オア回路９ａが走査シフトレジス
タ８の出力をそのまま出力する。そして、走査信号駆動
ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から−Ｖｓ
ｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆動す
る。

【００９７】変調信号駆動ドライバ７の電流出力がＯＮ
の時、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線が順
次１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線
を０Ｖ）で駆動される。そのため、変調信号配線の電圧
は、選択された走査配線と冷陰極素子の駆動電流で決ま
る電圧になる。この場合、変調信号配線の電圧は＋８Ｖ
になり、電流源７ａの電流値（If0）は駆動電流とし
て、選択された冷陰極素子に流れる。そしてリーク電流
計測期間に求めた各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_{240 ,j}のリ
ーク電流の和（If1(j)）が選択されなかった冷陰極素子
にリーク電流として流れる。選択されなかった冷陰極素
子にはほぼ８Ｖの電圧が加わるが、図１７を見て明らか
な様に、選択されなかった冷陰極素子は電子を放出しな
い。そのためマトリクス画像表示パネル１の対応する箇
所が発光することはない。

【００９８】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＦＦ
の時、変調信号配線の電圧は、０Ｖであり、選択された
走査配線の冷陰極素子には８Ｖの電圧が加わる。しか
し、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を
放出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１の対
応箇所が発光することはない。

【００９９】以上から、走査信号駆動ドライバ１０で選
択されている行配線上の各素子に、変調信号駆動ドライ
バ７の電流出力が所望の輝度に比例したパルス幅で加え
られる。そして駆動電圧は順次走査され、マトリクス画
像表示パネル１に画像を形成する。

【０１００】説明で解るように、リーク電流計測期間で
走査信号駆動ドライバ１０は、全ての走査配線の電圧を
−ＶＬ２に駆動する。そして、変調信号駆動ドライバ７
は信号配線電圧が基準電圧＋ＶＬ１になるようにフィー
ドバック制御される。すなわち、第３の実施形態では、
リーク電流計測期間に各冷陰極素子に（ＶＬ１−（−Ｖ
Ｌ２））なる電圧が加わったときの、列配線ｊ上のリー
ク電流の和（If1(j)）を計測記憶する。この電圧を、表
示期間における変調信号駆動ドライバ７の電流出力がＯ
Ｎの時の変調信号配線の電圧とほぼ、同じにすることに
よって、表示期間におけるリーク電流の和（If1(j)）を
補正できる。

【０１０１】その結果、第３の実施形態によれば、第１
の実施形態と同様、特別の調整装置を必要とせず、少な
いハードウエアでリアルタイムに各冷陰極素子のリーク
電流の和If1(j)を求め、リーク電流の和If1(j)にしたが
って駆動電流を補正する装置を提供できる。そして、画
像の輝度を確定し、しかも変動なく表示する画像表示装
置を提供できる。

【０１０２】また、第１の実施形態、第２の実施形態
は、第３の実施形態の基準電圧（＋ＶＬ１）が、０Ｖで
あり、リーク電流計測期間に走査信号駆動ドライバ１０
が、全ての走査配線の駆動する電圧（−ＶＬ２）が−８
Ｖである、特別の場合であると考えることもできる。

【０１０３】＜第４の実施形態＞第４の実施形態につい
て、以下に詳細を示す。なお、マトリクス画像表示パネ
ル１を駆動するための構成は第１の実施形態（図１）と
同様であるので図示を省略する。図１０は第４の実施形
態のパネル駆動部分のブロック図である。図１０におい
て第１の実施形態（図４）と同様の構成には同一の参照
番号を付してある。また、第４の実施形態による画像表
示パネルの駆動タイミングは、第１の実施形態（図５、
図６）で示したとおりである。

【０１０４】第１の実施形態では、冷陰極素子の動作電
流を発生する電流源とリーク電流を発生する電流源とを
別個の電流源として補正された駆動電流を得ているが、
第４の実施形態では１つの電流源によって補正された駆
動電流を発生する。従って、第４の実施形態では、変調
信号駆動ドライバ７の電流源７ａとワイヤード加算が加
算器７ｊと電圧源７ｋになった点である。

【０１０５】図１０において７ｃは変調信号発生部６が
決めるパルス幅で電流源をＯＮ／ＯＦＦするＭＯＳトラ
ンジスタ、７ｄは比較器、７ｅは比較器７ｄの出力をリ
ーク電流計測期間にサンプル動作を行ない、他の時間は
ホールドするサンプル／ホールド回路、７ｆはサンプル
／ホールド回路７ｅの出力をバッファする増幅器、７ｊ
は加算器、７ｇは加算器７ｊの出力電圧にしたがった電
流を出力する電圧制御電流源、７ｋは増幅器７ｆの出力
が０の時に電圧制御電流源７ｇの出力電流を所望の駆動
電流（図１７で、素子電圧１６Ｖに相当する電流値：If
0＝１．５ｍＡ）に制御する電圧を発生する電圧源、７
ｍはリーク電流計測期間以外では電圧源７ｋを選択し、
リーク電流計測期間にＧＮＤを選択するスイッチであ
る。

【０１０６】［ブランキング期間］ブランキング期間に
於いて第４の実施形態では、以下の動作を行ないリーク
電流の和（If1(j)）を求める。

【０１０７】（１）フレーム毎、或いは必要に応じた任
意のフレーム内のブランキング期間内に設定されるリー
ク電流計測期間内で、タイミング制御部１１は、ＣＥ
Ｎ、ＹＥＮをアクティブにする。 （２）走査切り替え器９は、ＹＥＮのアクティブ入力に
より全オア回路９ａの出力をアクティブにする。この結
果、走査信号駆動ドライバ１０により、全走査配線を−
Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）で駆動される。 （３）ＣＥＮがアクティブであるのでスイッチ７ｍはＧ
ＮＤに接続する。そして、ＣＥＮがアクティブであるの
でサンプル／ホールド回路７ｅはサンプルモードにな
る。 （４）ＭＯＳトランジスタ７ｃは、ブランキング期間内
はＯＦＦである。 （５）フィードバックループ（比較器７ｄ、サンプル／
ホールド回路７ｅ、増幅器７ｆ、加算器７ｊ、電圧制御
電流源７ｇ）において、加算器７ｊは０Ｖを加算する
（入力電圧をそのまま出力する）ことになるので、比較
器７ｄのマイナス入力端子の電圧がＧＮＤになるように
フィードバック制御され、電圧制御電流源７ｇの電流値
を決める。

【０１０８】この時、電圧制御電流源７ｇの出力電流値
は冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,j全てに−Ｖｔｈ（−８Ｖ）
加えた時の、各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク
電流の和（If1(j)）である。

【０１０９】この時、マトリクス画像表示パネル１の各
冷陰極素子にはＶｔｈ（８Ｖ）なる電圧が加わるが、図
１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を放出し
ない。そのためマトリクス画像表示パネル１は発光する
ことはない。

【０１１０】［表示期間］ブランキング期間に続く表示
期間に於いて、第４の実施形態では、以下の動作を行な
い、求めたリーク電流（If1(j)）により補正駆動を行な
う。

【０１１１】（１）表示期間に先だって（または同時
に）リーク電流計測期間が終了する。そして、タイミン
グ制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮをノンアクティブにす
る。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンアクティブ
になるので、オア回路９ａが走査シフトレジスタ８の出
力をそのまま出力するようになる。この結果、走査信号
駆動ドライバ１０により、走査配線は順次１番目から−
Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆動
される。 （３）ＣＥＮがノンアクティブであるのでサンプル／ホ
ールド回路７ｅはホールドモードになる。そして増幅器
７ｆはリーク電流計測期間に得た冷陰極素子Ｒ_{1, j}〜Ｒ
_240,jのリーク電流の和（If1(j)）に相当する電圧を固
定して出力する。 （４）同時に、ＣＥＮがノンアクティブになるのでスイ
ッチ７ｍはＧＮＤから電圧源７ｋを選択する。電圧源７
ｋの電圧値は、電圧制御電流源７ｇに冷陰極素子の動作
電流を出力させるように設定されている。従って、加算
器７ｊは、所望の動作電流（図１７で、素子電圧１６Ｖ
に相当する電流値：If0＝１．５ｍＡ）に制御する電圧
を発生する電圧源７ｋの電圧値と、増幅器７ｆより出力
される、電圧制御電流源７ｇにリーク電流If1(j)を発生
させるための電圧値とを加算する。そして、電圧制御電
流源７ｇは、所望の動作電流If0に冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ
_{240, j}のリーク電流の和（If1(j)）を出力する。 （５）ＭＯＳトランジスタ７ｃのゲートには変調信号発
生部６の出力ＸＤＰ１〜４８０が入力され、変調信号発
生部６が作るディジタルデータに応じたパルス幅で、加
算された電流出力（If0＋If1(j)）を制御し、冷陰極素
子を駆動する。 （６）一方、走査シフトレジスタ８は、水平走査同期信
号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画像の送られて
くるディジタルデータに対応するマトリクス画像表示パ
ネル１の走査配線を、順次走査するデータを作る。 （７）そして、走査切り替え器９において、ＹＥＮがノ
ンアクティブであるので、オア回路９ａは、走査シフト
レジスタ８の出力をそのまま出力する。そして、走査信
号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から
−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆
動する。

【０１１２】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの
時、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次
１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を
０Ｖ）で駆動する。そのため、変調信号配線の電圧は、
選択された走査配線と冷陰極素子の駆動電流で決まる電
圧になる。この場合、変調信号配線の電圧は＋８Ｖにな
り、電流源７ｇの電流値（If0）は駆動電流として、選
択された冷陰極素子に流れる。そしてリーク電流計測期
間に求めた各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電
流の和（If1(j)）が、選択されなかった冷陰極素子にリ
ーク電流として流れる。選択されなかった冷陰極素子に
はほぼ８Ｖの電圧が加わるが、図１７を見て明らかな様
に、選択されなかった冷陰極素子は電子を放出しない。
そのためマトリクス画像表示パネル１の対応箇所が発光
することはない。

【０１１３】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＦＦ
の時、変調信号配線の電圧は、０Ｖであり、選択された
走査配線の冷陰極素子には８Ｖの電圧が加わる。しか
し、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を
放出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１の対
応箇所が発光することはない。

【０１１４】以上から、走査信号駆動ドライバ１０で選
択されている行配線上の各素子に、変調信号駆動ドライ
バ７の電流出力が所望の輝度に比例したパルス幅で加え
られる。そして駆動電圧は順次走査され、マトリクス画
像表示パネル１に画像を形成する。

【０１１５】以上の説明から解るように、リーク電流計
測期間で走査信号駆動ドライバは、全ての走査配線の電
圧を−８Ｖに駆動している。この電圧は、表示期間にお
ける変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの時の変調
信号配線の電圧とほぼ同じであるので、リーク電流の和
（If1(j)）が計測できる。

【０１１６】その結果、第１の実施形態と同様に、特別
の調整装置を必要とせず、少ないハードウエアでリアル
タイムに各冷陰極素子のリーク電流の和If1(j)を求め、
リーク電流の和If1(j)にしたがって駆動電流を補正する
装置を提供できる。そして、画像の輝度を確定し、しか
も変動なく表示する画像表示装置を提供できる。

【０１１７】なお、第４の実施形態は第１の実施形態に
おける電流源７ａと７ｇの電流加算を、電圧源７ｋと増
幅器７ｆの電圧加算に置き替えたものである。このよう
な電圧加算への置き換えは、例えば第３の実施形態にも
適用可能である。すなわち、第３の実施形態のように、
比較器７ｄのプラス入力に基準電源（電圧：ＶＬ１）を
加え、リーク電流計測時間内で走査信号駆動ドライバ１
０は全ての走査配線の電圧を−ＶＬ２に駆動し、各冷陰
極素子に（ＶＬ１−（−ＶＬ２））なる電圧が加わった
ときのリーク電流の和（If1(j)）を計測記憶するように
第４の実施形態を構成しても良い。

【０１１８】＜第５の実施形態＞第５の実施形態につい
て、以下に詳細を示す。なお、マトリクス画像表示パネ
ル１を駆動するための構成は第１の実施形態（図１）と
同様であるので図示を省略する。図１１は第５の実施形
態によるパネル駆動部分のブロック図である。図１１に
おいて第１の実施形態（図４）と同様の構成には同一の
参照番号を付してある。また、第４の実施形態による画
像表示パネルの駆動タイミングは、第１の実施形態（図
５、図６）で示したとおりである。

【０１１９】第５の実施形態と第１の実施形態との違い
は、第１の実施形態で示されたスイッチ７ｂが省略さ
れ、オア回路７ｎ、及び電流検出用抵抗７ｏが追加され
た点である。

【０１２０】図１１において７ａは冷陰極素子に所望の
駆動電流（図１７で、素子電圧１６Ｖに相当する電流
値：If0＝１．５ｍＡ）を流す電流源、７ｃは変調信号
発生部６が決めるパルス幅で電流源をＯＮ／ＯＦＦする
ＭＯＳトランジスタ、７ｎはＣＥＮ信号とＸＤＰｎ信号
とをＯＲし、ＭＯＳトランジスタ７ｃのゲート信号とし
て提供するオア回路、７ｏは信号配線の駆動電流を検出
する電流検出抵抗、７ｐは増幅器、７ｅは増幅器７ｐの
出力をリーク電流計測期間にサンプル動作を行ない、他
の時間はホールドするサンプル／ホールド回路、７ｆは
サンプル／ホールド回路７ｅの出力をバッファする増幅
器、７ｇは増幅器７ｆの出力電圧にしたがった電流を出
力する電圧制御電流源である。

【０１２１】［ブランキング期間］ブランキング期間に
於いて第５の実施形態では、以下の動作を行ないリーク
電流の和（If1(j)）を求める。

【０１２２】（１）フレーム毎、或いは必要に応じた任
意のフレーム内のブランキング期間内に設定されるリー
ク電流計測期間内で、タイミング制御部１１は、ＣＥ
Ｎ、ＹＥＮをアクティブにする。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮのアクティブ入力
により全てのオア回路９ａの出力がアクティブとなる。
この結果、走査信号駆動ドライバ１０により、全走査配
線が−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）で駆動される。 （３）ＣＥＮがアクティブであるのでＭＯＳトランジス
タ７ｃはオア回路７ｎの出力によってＯＮする。そのた
め、変調信号配線の電圧はほぼ０Ｖとなる。そして、Ｃ
ＥＮがアクティブであるのでサンプル／ホールド回路７
ｅはサンプルモードになる。 （４）増幅器７ｐは電流検出抵抗７ｏの電圧を増幅し、
マトリクス画像表示パネル１に流れる電流値に相当する
電圧を出力する。増幅器７ｆはサンプル／ホールド回路
７ｅの電圧をバッファ増幅し電圧制御電流源７ｇの電流
値が電流検出抵抗７ｏに流れる電流と同じにする。この
時、電圧制御電流源７ｇの出力電流値は冷陰極素子Ｒ
_1,j〜Ｒ_240,j全てに−Ｖｔｈ（−８Ｖ）を加えた時の、
各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和（If
1(j)）である。

【０１２３】この時、マトリクス画像表示パネル１の各
冷陰極素子にはＶｔｈ（８Ｖ）なる電圧が加わるが、図
１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を放出し
ない。そのためマトリクス画像表示パネル１は発光する
ことはない。

【０１２４】［表示期間］ブランキング期間に続く表示
期間に於いて、第５の実施形態では、以下の動作を行な
い、求めたリーク電流（If1(j)）により補正駆動を行な
う。

【０１２５】（１）表示期間に先だって（または同時
に）リーク電流計測期間が終了する。そして、タイミン
グ制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮをノンアクティブにす
る。 （２）走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンアクティブ
になるので、オア回路９ａは走査シフトレジスタ８の出
力をそのまま出力することになる。そして、走査信号駆
動ドライバ１０により、走査配線を順次１番目から−Ｖ
ｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆動す
る。 （３）ＣＥＮがノンアクティブであるのでサンプル／ホ
ールド回路７ｅはホールドモードになる。そして電圧制
御電流源７ｇは、リーク電流計測期間に得た冷陰極素子
Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和（If1(j)）に電流値を
固定して出力する。 （４）電流源７ａの所望の電流出力（例えば、図１７の
特性で素子電圧が１６Ｖになる電流：If0＝１．５ｍ
Ａ）は電圧制御電流源７ｇの出力電流（リーク電流計測
期間に得た冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和
（If1(j)）にワイヤード加算される。 （５）ＣＥＮがノンアクティブであるので、オア回路７
ｎの出力は変調信号発生部６の出力ＸＤＰ１〜４８０が
そのまま出力される。従って、変調信号発生部６が作る
ディジタルデータに応じたパルス幅で、ワイヤード加算
された電流出力（If0＋If1(j)）を制御し、冷陰極素子
を駆動する。 （６）一方、走査シフトレジスタ８は、水平走査同期信
号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画像の送られて
くるディジタルデータに対応するマトリクス画像表示パ
ネル１の走査配線を、順次走査するデータを作る。 （７）そして、走査切り替え器９では、ＹＥＮがノンア
クティブであるので、オア回路９ａは走査シフトレジス
タ８の出力をそのまま出力する。その結果、走査信号駆
動ドライバ１０により、走査配線が順次１番目から−Ｖ
ｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０Ｖ）で駆動さ
れる。

【０１２６】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの
時、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次
１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を
０Ｖ）で駆動する。そのため、変調信号配線の電圧は、
選択された走査配線と冷陰極素子の駆動電流で決まる電
圧になる。この場合、変調信号配線の電圧は＋８Ｖにな
り、電流源７ａの電流値（If0）は駆動電流として、選
択された冷陰極素子に流れる。そしてリーク電流計測期
間に求めた各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電
流の和（If1(j)）が、選択されなかった冷陰極素子にリ
ーク電流として流れる。選択されなかった冷陰極素子に
はほぼ８Ｖの電圧が加わることになるが、図１７を見て
明らかな様に、選択されなかった冷陰極素子は電子を放
出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１の対応
箇所が発光することはない。

【０１２７】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＦＦ
の時、変調信号配線の電圧は、０Ｖであり、選択された
走査配線の冷陰極素子には８Ｖの電圧が加わる。しか
し、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を
放出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１の対
応箇所が発光することはない。

【０１２８】以上から、走査信号駆動ドライバ１０で選
択されている行配線上の各素子に、変調信号駆動ドライ
バ７の電流出力が所望の輝度に比例したパルス幅で加え
られる。そして駆動電圧は順次走査され、マトリクス画
像表示パネル１に画像を形成する。

【０１２９】以上の説明で解るように、リーク電流計測
期間で走査信号駆動ドライバは、全ての走査配線の電圧
を−８Ｖに駆動した。この電圧は、表示期間における変
調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの時の変調信号配
線の電圧とほぼ同じであり、このようにすることによっ
て表示駆動時のリーク電流の和（If1(j)）が計測でき
る。

【０１３０】その結果、第１の実施形態と同様に、特別
の調整装置を必要とせず、少ないハードウエアでリアル
タイムに各冷陰極素子のリーク電流の和If1(j)を求め、
リーク電流の和If1(j)にしたがって駆動電流を補正する
装置を提供できる。そして、画像の輝度を確定し、しか
も変動なく表示する画像表示装置を提供できる。

【０１３１】＜第６の実施形態＞第６の実施形態につい
て、以下に詳細を示す。

【０１３２】図１２は第６の実施形態によるマトリクス
画像表示パネルの駆動構成を示すブロック図である。図
１２において、第６の実施形態と第５の実施形態との違
いは、走査信号切り換え器９が省略されている点であ
る。また、図１３は第６の実施形態によるパネル駆動部
分の構成を示すブロック図である。図１３において、第
６の実施形態と第５の実施形態との違いは、走査信号切
り換え器９、オア回路７ｎが省略されていること、新た
にスイッチ７ｑ及び電圧源７ｒが追加された点である。
また、図１４は第６の実施形態による画像表示パネルの
駆動タイミングを示す図である。また、図５に示される
タイミングはそのまま第６の実施形態にも適用される。
第５の実施形態ではリーク電流計測期間においてＹ１〜
Ｙ２４０の全てに選択電位−Ｖｓｓを印加した。これに
対して、第６の実施形態では、図１３、図１４からわか
るように、リーク電流計測期間においてＹ１〜Ｙ２４０
の全てにＧＮＤ電位を印加し、列配線毎に電圧源７ｒの
電圧値を印加してリーク電流の計測を行う。

【０１３３】図１３において７ａは冷陰極素子に所望の
駆動電流（図１７で、素子電圧１６Ｖに相当する電流
値：If0＝１．５ｍＡ）を流す電流源、７ｒは例えば、
図１７においてＶｔｈ（＋８Ｖ）なる電圧を出力する電
圧源、７ｑはスイッチでリーク電流計測期間に前記電圧
源７ｒに切り換える。７ｃは変調信号発生部６が決める
パルス幅で電流源をＯＮ／ＯＦＦするＭＯＳトランジス
タ、７０は信号配線の駆動電流を検出する電流検出抵
抗、７ｐは増幅器、７ｅは増幅器７ｐの出力をリーク電
流計測期間にサンプル動作を行ない、他の時間はホール
ドするサンプル／ホールド回路、７ｆはサンプル／ホー
ルド回路７ｅの出力をバッファする増幅器、７ｇは増幅
器７ｆの出力電圧にしたがった電流を出力する電圧制御
電流源である。１０ａは駆動ドライバであるスイッチ回
路である。

【０１３４】［ブランキング期間］ブランキング期間に
於いて第６の実施形態では、以下の動作を行ないリーク
電流の和（If1(j)）を求める。

【０１３５】（１）フレーム毎、或いは必要に応じた任
意のフレーム内のブランキング期間内に設定されるリー
ク電流計測期間内で、タイミング制御部１１は、ＣＥ
Ｎ、ＹＥＮをアクティブにする。 （２）表示期間ではないので、走査シフトレジスタ８の
全出力がノンアクティブとなり、走査信号駆動ドライバ
１０は全走査配線をＧＮＤ（０Ｖ）に駆動する。 （３）ＣＥＮがアクティブであるのでスイッチ７ｑは電
圧源７ｒを選び、Ｖｔｈ（＋８Ｖ）を変調信号線に供給
する。そして、ＣＥＮがアクティブであるのでサンプル
／ホールド回路７ｅはサンプルモードになる。 （４）ＭＯＳトランジスタ７ｃは、ブランキング期間内
はＯＦＦである。 （５）増幅器７ｐは電流検出抵抗７ｏの電圧を増幅し、
マトリクス画像表示パネル１に流れる電流値に相当する
電圧を出力する。増幅器７ｆはサンプル／ホールド回路
７ｅの出力電圧をバッファ増幅し電圧制御電流源７ｇの
電流値が電流検出抵抗７ｏに流れる電流と同じになるよ
うに制御する。この時、電圧制御電流源７ｇの出力電流
値は冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,j全てにＶｔｈ（８Ｖ）加
えた時の、各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電
流の和（If1(j)）である。

【０１３６】この時、マトリクス画像表示パネル１の各
冷陰極素子にはＶｔｈ（８Ｖ）なる電圧が加わるが、図
１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を放出し
ない。そのためマトリクス画像表示パネル１は発光する
ことはない。

【０１３７】［表示期間］ブランキング期間に続く表示
期間に於いて、第６の実施形態では、以下の動作を行な
い、求めたリーク電流（If1(j)）により補正駆動を行な
う。

【０１３８】（１）表示期間に先だって（または同時
に）リーク電流計測期間が終了する。そして、タイミン
グ制御部１１は、ＣＥＮ、ＹＥＮをノンアクティブにす
る。 （２）走査信号駆動ドライバ１０は、走査配線を順次１
番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を０
Ｖ）で駆動する。 （３）電流源７ａの所望の電流出力（例えば、図１７の
特性で素子電圧が１６Ｖになる電流：If0＝１．５ｍ
Ａ）は電圧制御電流源７ｇの出力電流（リーク電流計測
期間に得た冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電流の和
（If1(j)）にワイヤード加算される。 （４）ＣＥＮがノンアクティブであるのでスイッチ７ｑ
は電流源７ａ，７ｇを選ぶ。そして、ＭＯＳトランジス
タ７ｃによって、変調信号発生部６が作るディジタルデ
ータに応じたパルス幅でワイヤード加算された電流出力
（If0＋If1(j)）を制御し、冷陰極素子を駆動する。 （５）一方、走査シフトレジスタ８は、水平走査同期信
号（ＨＤ）をシフトクロックとし、入力画像の送られて
くるディジタルデータに対応するマトリクス画像表示パ
ネル１の走査配線を、順次走査するデータを作る。 （６）そして、走査信号駆動ドライバ１０により、走査
配線を順次１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）
（他の配線を０Ｖ）で駆動する。

【０１３９】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＮの
時、走査信号駆動ドライバ１０により、走査配線を順次
１番目から−Ｖｓｓ（−Ｖｔｈ：−８Ｖ）（他の配線を
０Ｖ）で駆動する。そのため、変調信号配線の電圧は、
選択された走査配線と冷陰極素子の駆動電流で決まる電
圧になる。この場合、変調信号配線の電圧は＋８Ｖにな
り、電流源７ａの電流値（If0）は駆動電流として、選
択された冷陰極素子に流れる。そしてリーク電流計測期
間に求めた各々の冷陰極素子Ｒ_1,j〜Ｒ_240,jのリーク電
流の和（If1(j)）が、選択されなかった冷陰極素子にリ
ーク電流として流れる。選択されなかった冷陰極素子に
はほぼ８Ｖの電圧が加わるが、図１７を見て明らかな様
に、選択されなかった冷陰極素子は電子を放出しない。
そのためマトリクス画像表示パネル１は発光することは
ない。

【０１４０】変調信号駆動ドライバの電流出力がＯＦＦ
の時、変調信号配線の電圧は、０Ｖであり、選択された
走査配線の冷陰極素子には８Ｖの電圧が加わる。しか
し、図１７を見て明らかな様に、各冷陰極素子は電子を
放出しない。そのためマトリクス画像表示パネル１は発
光することはない。

【０１４１】以上から、走査信号駆動ドライバ１０で選
択されている行配線上の各素子に、変調信号駆動ドライ
バ７の電流出力が所望の輝度に比例したパルス幅で加え
られる。そして駆動電圧は順次走査され、マトリクス画
像表示パネル１に画像を形成する。

【０１４２】なお、第４の実施形態で示したように、電
流源７ａと電圧制御電流源７ｇとのワイヤード加算を、
電圧源と加算器及び電圧制御電流源に置き換えても何ら
差し支えはない。

【０１４３】以上のように，第６の実施形態によれば，
第１の実施形態と同様に、特別の調整装置を必要とせ
ず、少ないハードウエアでリアルタイムに各冷陰極素子
のリーク電流の和If1(j)を求め、リーク電流の和If1(j)
にしたがって駆動電流を補正する装置を提供できる。そ
して、画像の輝度を確定し、しかも変動なく表示する画
像表示装置を提供できる。

【０１４４】以上の説明で解るように、リーク電流計測
期間で走査信号駆動ドライバは、全ての走査配線の電圧
を０Ｖに駆動し、変調信号配線をＶｔｈ（＋８Ｖ）に駆
動した。この電圧を、表示期間における変調信号駆動ド
ライバの電流出力がＯＮの時の変調信号配線の電圧とほ
ぼ同じにすることによって、リーク電流の和（If1(j)）
を計測できる。

【０１４５】また、第３の実施形態で示したように、電
圧源７ｒの電圧をＶＬ１とし、リーク電流計測時間内で
走査信号駆動ドライバ１０は、全ての走査配線の電圧を
−ＶＬ２に駆動し、各冷陰極素子に（ＶＬ１−（−ＶＬ
２））なる電圧が加わったときのリーク電流の和（If1
(j)）を計測記憶しても良い。この場合、電圧（ＶＬ１
−（−ＶＬ２））を、表示期間における変調信号駆動ド
ライバの電流出力がＯＮの時の変調信号配線の電圧とほ
ぼ同じにするのは言うまでもない。

【０１４６】＜第７の実施形態＞第７の実施形態につい
て、以下に詳細を示す。図１５は第７の実施形態による
パネル駆動部分の構成を示すブロック図である。第７の
実施形態は第６の実施形態の構成に変更を加えたもので
あり、その違いは、図１５に於いて、サンプル／ホール
ド回路７ｅ（図１３）による処理をディジタル的に行な
う点にある。すなわち、サンプル／ホールド回路７ｅの
代わりに、アナログディジタルコンバータ７ｓ、ラッチ
回路７ｔ、ディジタルアナログコンバータ７ｕを使用し
たことである。なお、回路の動作は第６の実施形態と同
様なので説明は省略する。

【０１４７】また、このサンプル／ホールド回路７ｅの
代わりに、アナログディジタルコンバータ７ｓ、ラッチ
回路７ｔ、ディジタルアナログコンバータ７ｕを使用す
ることは、当然第１の実施形態から第５の実施形態全て
に対応できるのは言うまでもない。

【０１４８】（その他の実施形態）また、本発明は、冷
陰極型電子放出素子で、構成を説明したが、むろん、Ｅ
Ｌ素子や、いずれの電子放出素子に対しても通用でき
る。

【０１４９】例えば、前記冷陰極型電子源は、表面伝導
型放出素子或いは、ＦＥ型放出素子或いは、ＭＩＭ型放
出素子で構成されていても問題なく本発明は適応でき
る。

【０１５０】＜各実施形態に適用可能な電子源と表示パ
ネルについて＞本実施形態における画像表示装置は基本
的には、薄型の真空容器内に、基板上に多数の電子源例
えば冷陰極素子を配列してなるマルチ電子源と、電子の
照射により画像を形成する画像形成部材とを対向して備
えている。

【０１５１】冷陰極素子は、例えばフォトリソグラフィ
ー・エッチングのような製造技術を用いれば基板上に精
密に位置決めして形成できるため、微小な間隔で多数個
を配列することが可能である。しかも、従来からＣＲＴ
等で用いられてきた熱陰極と比較すると、陰極自身や周
辺部が比較的低温な状態で駆動できるため、より微細な
配列ピッチのマルチ電子源を容易に実現できる。

【０１５２】本実施形態は、上述した冷陰極素子をマル
チ電子源として用いた画像形成装置に係わるものであ
る。

【０１５３】また、冷陰極素子の中でもとりわけ好まし
いのは、表面伝導型電子放出素子（ＳＣＥ）である。す
なわち、冷陰極素子のうち、ＭＩＭ型素子は絶縁層や上
部電極の厚さを比較的精密に制御する必要があり、また
ＦＥ型素子は針状の電子放出部の先端形状を精密に制御
する必要がある。そのため、これらの素子は比較的製造
コストが高かったり、製造プロセス上の制限から大面積
のものを作成するのが困難となる場合があった。これに
対して、ＳＣＥは構造が単純で製造が簡単であり、大面
積のものも容易に作成できる。近年、特に大面積で安価
な表示装置が求められる状況においては、とりわけ好適
な冷陰極素子であるといえる。

【０１５４】（表示パネルの構成と製造法）次に、本実
施形態に用いたマトリクス画像表示パネルの構成と製造
法について、具体的な例を示して説明する。

【０１５５】図１９は、実施形態に用いたマトリクス画
像表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパ
ネルの１部を切り欠いて示している。

【０１５６】図中、１００５はリアプレート、１００６
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、たとえばフリット
ガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。

【０１５７】リアプレート１００５には、基板１００１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１００２
がＮ×Ｍ個形成されている。（Ｎ，Ｍは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。本実施形態において
は、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。）前記Ｎ×Ｍ
個の冷陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の
列方向配線１００４により単純マトリクス配線されてい
る。前記、１００１〜１００４によって構成される部分
をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、マルチ電子ビーム
源の製造方法や構造については、後で詳しく述べる。

【０１５８】本実施形態においては、気密容器のリアプ
レート１００５にマルチ電子ビーム源の基板１００１を
固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０
０１が十分な強度を有するものである場合には、気密容
器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０
０１自体を用いてもよい。

【０１５９】また、フェースプレート１００７の下面に
は、蛍光膜１００８が形成されている。本実施形態はカ
ラー表示装置であるため、蛍光膜１００８の部分にはＣ
ＲＴの分野で用いられる赤、緑、青、の３原色の蛍光体
が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図２
０の（Ａ）に示すようにストライプ状に塗り分けられ、
蛍光体のストライプの間には黒色の導電体１０１０が設
けてある。黒色の導電体１０１０を設ける目的は、電子
ビームの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれ
が生じないようにする事や、外光の反射を防止して表示
コントラストの低下を防ぐ事、電子ビームによる蛍光膜
のチャージアップを防止する事などである。黒色の導電
体１０１０には、黒鉛を主成分として用いたが、上記の
目的に適するものであればこれ以外の材料を用いても良
い。

【０１６０】また、３原色の蛍光体の塗り分け方は前記
図２０（Ａ）に示したストライプ状の配列に限られるも
のではなく、たとえば図２０（Ｂ）に示すようなデルタ
状配列や、それ以外の配列であってもよい。

【０１６１】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜１００８に用い
ればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。

【０１６２】また、蛍光膜１００８のリアプレート側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。メタルバック１００９を設けた目的は、
蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光利用
率を向上させる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１００
８を保護する事や、電子ビーム加速電圧を印加するため
の電極として作用させる事や、蛍光膜１００８を励起し
た電子の導電路として作用させる事などである。メタル
バック１００９は、蛍光膜１００８をフェースプレート
基板１００７上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理
し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合には、メタルバック１００９は用いない。

【０１６３】また、本実施形態では用いなかったが、加
速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェースプレート基板１００７と蛍光膜１００８との間
に、たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよ
い。

【０１６４】また、Ｄx1〜ＤxmおよびＤy1〜Ｄynおよび
Ｈｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的
に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子であ
る。Ｄx1〜Ｄxmはマルチ電子ビーム源の行方向配線１０
０３と、Ｄy1〜Ｄynはマルチ電子ビーム源の列方向配線
１００４と、Ｈｖはフェースプレートのメタルバック１
００９と電気的に接続している。

【０１６５】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を１０のマイナス７乗［Ｔ
ｏｒｒ］程度の真空度まで排気する。その後、排気管を
封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封
止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲ
ッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たと
えばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしく
は高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１×１０マ
イナス５乗ないしは１×１０マイナス７乗［Ｔｏｒｒ］
の真空度に維持される。

【０１６６】以上、本発明実施形態の表示パネルの基本
構成と製法を説明した。

【０１６７】（マルチ電子ビーム源の製造方法）次に、
前記実施形態の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源
の製造方法について説明する。本発明の画像表示装置に
用いるマルチ電子ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリ
クス配線した電子源であれば、冷陰極素子の材料や形状
あるいは製法に制限はない。したがって、たとえば表面
伝導型放出素子やＦＥ型、あるいはＭＩＭ型などの冷陰
極素子を用いることができる。

【０１６８】ただし、表示画面が大きくてしかも安価な
表示装置が求められる状況のもとでは、これらの冷陰極
素子の中でも、表面伝導型放出素子が特に好ましい。す
なわち、ＦＥ型ではエミッタコーンとゲート電極の相対
位置や形状が電子放出特性を大きく左右するため、極め
て高精度の製造技術を必要とするが、これは大面積化や
製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。ま
た、ＭＩＭ型では、絶縁層と上電極の膜厚を薄くてしか
も均一にする必要があるが、これも大面積化や製造コス
トの低減を達成するには不利な要因となる。その点、表
面伝導型放出素子は、比較的製造方法が単純なため、大
面積化や製造コストの低減が容易である。また、発明者
らは、表面伝導型放出素子の中でも、電子放出部もしく
はその周辺部を微粒子膜から形成したものがとりわけ電
子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行えることを見
いだしている。したがって、高輝度で大画面の画像表示
装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最も好適であ
ると言える。そこで、上記実施形態の表示パネルにおい
ては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成した表面伝導型放出素子を用いた。そこで、まず好適
な表面伝導型放出素子について基本的な構成と製法およ
び特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリクス
配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。

【０１６９】（表面伝導型放出素子の好適な素子構成と
製法）電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型
と垂直型の２種類があげられる。

【０１７０】（平面型の表面伝導型放出素子）まず最初
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と製法につ
いて説明する。図２１に示すのは、平面型の表面伝導型
放出素子の構成を説明するための平面図（ａ）および断
面図（ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と
１１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
１１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【０１７１】基板１１０１としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ₂を材料とする絶縁層
を積層した基板、などを用いることができる。

【０１７２】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるいはＩｎ₂Ｏ₃ −ＳｎＯ₂をはじめとする金属酸
化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜材
料を選択して用いればよい。電極を形成するには、たと
えば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィー、
エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて用い
れば容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえば印
刷技術）を用いて形成してもさしつかえない。

【０１７３】素子電極１１０２と１１０３の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百マイクロメーターの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも表示装置に応用するために好
ましいのは数マイクロメーターより数十マイクロメータ
ーの範囲である。また、素子電極の厚さｄについては、
通常は数百オングストロームから数マイクロメーターの
範囲から適当な数値が選ばれる。

【０１７４】また、導電性薄膜１１０４の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。

【０１７５】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、などである。

【０１７６】具体的には、数オングストロームから数千
オングストロームの範囲のなかで設定するが、なかでも
好ましいのは１０オングストロームから５００オングス
トロームの間である。

【０１７７】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，
Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ，などをはじめとする金属や、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，Ｓｂ₂Ｏ₃，などをはじめと
する酸化物や、ＨｆＢ₂，ＺｒＢ₂，ＬａＢ₆，ＣｅＢ₆，
ＹＢ₄，ＧｄＢ₄，などをはじめとする硼化物や、Ｔｉ
Ｃ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ，などをは
じめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ，などを
はじめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などをはじめとす
る半導体や、カーボン、などがあげられ、これらの中か
ら適宜選択される。

【０１７８】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０の３乗から１０の７乗［オーム／ｓｑ］の範囲に含
まれるよう設定した。

【０１７９】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図２１の例においては、
下から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電
極、の順序で積層してもさしつかえない。

【０１８０】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。亀裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通
電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂
内には、数オングストロームから数百オングストローム
の粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電
子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困
難なため、図２１においては模式的に示した。

【０１８１】また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。

【０１８２】薄膜１１１３は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は５００［オングストロ
ーム］以下とするが、３００［オングストローム］以下
とするのがさらに好ましい。

【０１８３】なお、実際の薄膜１１１３の位置や形状を
精密に図示するのは困難なため、図２１においては模式
的に示した。また、平面図（ａ）においては、薄膜１１
１３の一部を除去した素子を図示した。

【０１８４】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施形態においては以下のような素子を用いた。

【０１８５】すなわち、基板１１０１には青板ガラスを
用い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００［オングストロー
ム］、電極間隔Ｌは２［マイクロメーター］とした。

【０１８６】微粒子膜の主要材料としてＰｄもしくはＰ
ｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００［オングストロ
ーム］、幅Ｗは１００［マイクロメータ］とした。

【０１８７】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。図２２の（ａ）〜（ｄ）
は、表面伝導型放出素子の製造工程を説明するための断
面図で、各部材の表記は前記図２１と同一である。

【０１８８】１）まず、図２２（ａ）に示すように、基
板１１０１上に素子電極１１０２および１１０３を形成
する。形成するにあたっては、あらかじめ基板１１０１
を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、素子電
極の材料を堆積させる。（堆積する方法としては、たと
えば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術を用れば
よい。）その後、堆積した電極材料を、フォトリソグラ
フィー・エッチング技術を用いてパターニングし、
（ａ）に示した一対の素子電極（１１０２と１１０３）
を形成する。

【０１８９】２）次に、同図（ｂ）に示すように、導電
性薄膜１１０４を形成する。形成するにあたっては、ま
ず前記（ａ）の基板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、
加熱焼成処理して微粒子膜を成膜した後、フォトリソグ
ラフィー・エッチングにより所定の形状にパターニング
する。ここで、有機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる
微粒子の材料を主要元素とする有機金属化合物の溶液で
ある。（具体的には、本実施形態では主要元素としてＰ
ｄを用いた。また、実施形態では塗布方法として、ディ
ッピング法を用いたが、それ以外のたとえばスピンナー
法やスプレー法を用いてもよい。）。

【０１９０】また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成
膜方法としては、本実施形態で用いた有機金属溶液の塗
布による方法以外の、たとえば真空蒸着法やスパッタ
法、あるいは化学的気相堆積法などを用いる場合もあ
る。

【０１９１】３）次に、同図（ｃ）に示すように、フォ
ーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１１０
３の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を
行って、電子放出部１１０５を形成する。

【０１９２】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。

【０１９３】通電方法をより詳しく説明するために、図
２３に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄
膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ま
しく、本実施形態の場合には同図に示したようにパルス
幅Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加
した。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆを、順
次昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモ
ニターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三
角波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計
１１１１で計測した。

【０１９４】実施形態においては、たとえば１０のマイ
ナス５乗［ｔｏｒｒ］程度の真空雰囲気下において、た
とえばパルス幅Ｔ１を１［ミリ秒］、パルス間隔Ｔ２を
１０［ミリ秒］とし、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに
０．１［Ｖ］ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス
印加するたびに１回の割りで、モニターパルスＰｍを挿
入した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがない
ように、モニターパルスの電圧Ｖｐｍは０．１［Ｖ］に
設定した。そして、素子電極１１０２と１１０３の間の
電気抵抗が１ｘ１０の６乗［オーム］になった段階、す
なわちモニターパルス印加時に電流計１１１１で計測さ
れる電流が１ｘ１０のマイナス７乗［Ａ］以下になった
段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。

【０１９５】なお、上記の方法は、本実施形態の表面伝
導型放出素子に関する好ましい方法であり、たとえば微
粒子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌなど表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て通電の条件を適宜変更するのが望ましい。

【０１９６】４）次に、図２２の（ｄ）に示すように、
活性化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３
の間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、
電子放出特性の改善を行う。

【０１９７】通電活性化処理とは、前記通電フォーミン
グ処理により形成された電子放出部１１０５に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物
を堆積せしめる処理のことである。（図においては、炭
素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材１１１３と
して模式的に示した。）なお、通電活性化処理を行うこ
とにより、行う前と比較して、同じ印加電圧における放
出電流を典型的には１００倍以上に増加させることがで
きる。

【０１９８】具体的には、１０のマイナス４乗ないし１
０のマイナス５乗［ｔｏｒｒ］の範囲内の真空雰囲気中
で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰
囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは
炭素化合物を堆積させる。堆積物１１１３は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は５００
［オングストローム］以下、より好ましくは３００［オ
ングストローム］以下である。

【０１９９】通電方法をより詳しく説明するために、図
２４の（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適
宜の電圧波形の一例を示す。本実施形態においては、一
定電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行
ったが、具体的には，矩形波の電圧Ｖａｃは１４
［Ｖ］，パルス幅Ｔ３は１［ミリ秒］，パルス間隔Ｔ４
は１０［ミリ秒］とした。なお、上述の通電条件は、本
実施形態の表面伝導型放出素子に関する好ましい条件で
あり、表面伝導型放出素子の設計を変更した場合には、
それに応じて条件を適宜変更するのが望ましい。

【０２００】図２２の（ｄ）に示す１１１４は該表面伝
導型放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉するた
めのアノード電極で、直流高電圧電源１１１５および電
流計１１１６が接続されている。（なお、基板１１０１
を、表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う
場合には、表示パネルの蛍光面をアノード電極１１１４
として用いる。）活性化用電源１１１２から電圧を印加
する間、電流計１１１６で放出電流Ｉｅを計測して通電
活性化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源１１
１２の動作を制御する。電流計１１１６で計測された放
出電流Ｉｅの一例を図２４（ｂ）に示すが、活性化電源
１１１２からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経
過とともに放出電流Ｉｅは増加するが、やがて飽和して
ほとんど増加しなくなる。このように、放出電流Ｉｅが
ほぼ飽和した時点で活性化用電源１１１２からの電圧印
加を停止し、通電活性化処理を終了する。

【０２０１】なお、上述の通電条件は、本実施形態の表
面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝
導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて
条件を適宜変更するのが望ましい。

【０２０２】以上のようにして、図２２（ｅ）に示す平
面型の表面伝導型放出素子を製造した。

【０２０３】（垂直型の表面伝導型放出素子）次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。

【０２０４】図２５は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１
２０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部
材、１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
２１３は通電活性化処理により形成した薄膜、である。

【０２０５】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方（１２０２）が段差形成部材
１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０４が段
差形成部材１２０６の側面を被覆している点にある。し
たがって、前記図２１の平面型における素子電極間隔Ｌ
は、垂直型においては段差形成部材１２０６の段差高Ｌ
ｓとして設定される。なお、基板１２０１、素子電極１
２０２および１２０３、微粒子膜を用いた導電性薄膜１
２０４、については、前記平面型の説明中に列挙した材
料を同様に用いることが可能である。また、段差形成部
材１２０６には、たとえばＳｉＯ2 のような電気的に絶
縁性の材料を用いる。

【０２０６】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図２６の（ａ）〜（ｆ）は、製造工
程を説明するための断面図で、各部材の表記は前記図２
５と同一である。 （１）まず、図２６（ａ）に示すように、基板１２０１
上に素子電極１２０３を形成する。 （２）次に、同図（ｂ）に示すように、段差形成部材を
形成するための絶縁層を積層する。絶縁層は、たとえば
ＳｉＯ2 をスパッタ法で積層すればよいが、たとえば真
空蒸着法や印刷法などの他の成膜方法を用いてもよい。 （３）次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁層の上に素
子電極１２０２を形成する。 （４）次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁層の一部
を、たとえばエッチング法を用いて除去し、素子電極１
２０３を露出させる。 （５）次に、同図（ｅ）に示すように、微粒子膜を用い
た導電性薄膜１２０４を形成する。形成するには、前記
平面型の場合と同じく、たとえば塗布法などの成膜技術
を用いればよい。 （６）次に、前記平面型の場合と同じく、通電フォーミ
ング処理を行い、電子放出部を形成する。（図２２
（ｃ）を用いて説明した平面型の通電フォーミング処理
と同様の処理を行えばよい。） （７）次に、前記平面型の場合と同じく、通電活性化処
理を行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を
堆積させる。（図２２（ｄ）を用いて説明した平面型の
通電活性化処理と同様の処理を行えばよい。） 以上のようにして、図２６（ｆ）に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。

【０２０７】（表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性）以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。

【０２０８】図２７に、表示装置に用いた素子の、（放
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。

【０２０９】表示装置に用いた素子は、放出電流Ｉｅに
関して以下に述べる３つの特性を有している。

【０２１０】第一に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖｔｈ
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。

【０２１１】すなわち、放出電流Ｉｅに関して、明確な
閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。

【０２１２】第二に、放出電流Ｉｅは素子に印加する電
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。

【０２１３】第３に、素子に印加する電圧Ｖｆに対して
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。

【０２１４】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表
示装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面を
順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、
駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Ｖｔ
ｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値
電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次
切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表
示を行うことが可能である。

【０２１５】また、第二の特性かまたは第３の特性を利
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、諧調表示を行うことが可能である。

【０２１６】（多数素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造）次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。

【０２１７】図２８に示すのは、前記図１９の表示パネ
ルに用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上
には、前記図２１で示したものと同様な表面伝導型放出
素子が配列され、これらの素子は行方向配線電極１００
３と列方向配線電極１００４により単純マトリクス状に
配線されている。行方向配線電極１００３と列方向配線
電極１００４の交差する部分には、電極間に絶縁層（不
図示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれてい
る。

【０２１８】図２８のＡ−Ａ’に沿った断面を、図２９
に示す。

【０２１９】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１００３、列方向配
線電極１００４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１００３および列方向配線電極１００４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電
活性化処理を行うことにより製造した。

【０２２０】図３０は、前記説明の表面伝導型放出素子
を電子ビーム源として用いたディスプレイパネルに、た
とえばテレビジョン放送をはじめとする種々の画像情報
源より提供される画像情報を表示できるように構成した
多機能表示装置の一例を示すための図である。図中、２
１００はディスプレイパネル、２１０１はディスプレイ
パネルの駆動回路、２１０２はディスプレイコントロー
ラ、２１０３はマルチプレクサ、２１０４はデコーダ、
２１０５は入出力インターフェース回路、２１０６はＣ
ＰＵ、２１０７は画像生成回路、２１０８および２１０
９および２１１０は画像メモリインターフェース回路、
２１１１は画像入力インターフェース回路、２１１２お
よび２１１３はＴＶ信号受信回路、２１１４は入力部で
ある。

【０２２１】（なお、本表示装置は、たとえばテレビジ
ョン信号のように映像情報と音声情報の両方を含む信号
を受信する場合には、当然映像の表示と同時に音声を再
生するものであるが、本発明の特徴と直接関係しない音
声情報の受信，分離，再生，処理，記憶などに関する回
路やスピーカなどについては説明を省略する。）以下、
画像信号の流れに沿って各部の機能を説明してゆく。

【０２２２】まず、ＴＶ信号受信回路２１１３は、たと
えば電波や空間光通信などのような無線伝送系を用いて
伝送されるＴＶ画像信号を受信するための回路である。
受信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、
たとえば、ＮＴＳＣ方式、ＰＡＬ方式、ＳＥＣＡＭ方式
などの諸方式でもよい。また、これらよりさらに多数の
走査線よりなるＴＶ信号（たとえばＭＵＳＥ方式をはじ
めとするいわゆる高品位ＴＶ）は、大面積化や大画素数
化に適した前記ディスプレイパネルの利点を生かすのに
好適な信号源である。ＴＶ信号受信回路２１１３で受信
されたＴＶ信号は、デコーダ２１０４に出力される。

【０２２３】また、ＴＶ信号受信回路２１１２は、たと
えば同軸ケーブルや光ファイバーなどのような有線伝送
系を用いて伝送されるＴＶ画像信号を受信するための回
路である。前記ＴＶ信号受信回路２１１３と同様に、受
信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、ま
た本回路で受信されたＴＶ信号もデコーダ２１０４に出
力される。

【０２２４】また、画像入力インターフェース回路２１
１１は、たとえばＴＶカメラや画像読み取りスキャナな
どの画像入力装置から供給される画像信号を取り込むた
めの回路で、取り込まれた画像信号はデコーダ２１０４
に出力される。

【０２２５】また、画像メモリインターフェース回路２
１１０は、ビデオテープレコーダ（以下ＶＴＲと略す）
に記憶されている画像信号を取り込むための回路で、取
り込まれた画像信号はデコーダ２１０４に出力される。

【０２２６】また、画像メモリインターフェース回路２
１０９は、ビデオディスクに記憶されている画像信号を
取り込むための回路で、取り込まれた画像信号はデコー
ダ２１０４に出力される。

【０２２７】また、画像メモリインターフェース回路２
１０８は、いわゆる静止画ディスクのように、静止画像
データを記憶している装置から画像信号を取り込むため
の回路で、取り込まれた静止画像データはデコーダ２１
０４に出力される。

【０２２８】また、入出力インターフェース回路２１０
５は、本表示装置と、外部のコンピュータもしくはコン
ピュータネットワークもしくはプリンタなどの出力装置
とを接続するための回路である。画像データや文字デー
タ・図形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合
によっては本表示装置の備えるＣＰＵ２１０６と外部と
の間で制御信号や数値データの入出力などを行うことも
可能である。

【０２２９】また、画像生成回路２１０７は、前記入出
力インターフェース回路２１０５を介して外部から入力
される画像データや文字・図形情報や、あるいはＣＰＵ
２１０６より出力される画像データや文字・図形情報に
基づき表示用画像データを生成するための回路である。
本回路の内部には、たとえば画像データや文字・図形情
報を蓄積するための書き換え可能メモリや、文字コード
に対応する画像パターンが記憶されている読みだし専用
メモリや、画像処理を行うためのプロセッサなどをはじ
めとして画像の生成に必要な回路が組み込まれている。
本回路により生成された表示用画像データは、デコーダ
２１０４に出力されるが、場合によっては前記入出力イ
ンターフェース回路２１０５を介して外部のコンピュー
タネットワークやプリンタ入出力することも可能であ
る。

【０２３０】また、ＣＰＵ２１０６は、主として本表示
装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関わ
る作業を行う。

【０２３１】たとえば、マルチプレクサ２１０３に制御
信号を出力し、ディスプレイパネルに表示する画像信号
を適宜選択したり組み合わせたりする。また、その際に
は表示する画像信号に応じてディスプレイパネルコント
ローラ２１０２に対して制御信号を発生し、画面表示周
波数や走査方法（たとえばインターレースかノンインタ
ーレースか）や一画面の走査線の数など表示装置の動作
を適宜制御する。

【０２３２】また、前記画像生成回路２１０７に対して
画像データや文字・図形情報を直接出力したり、あるい
は前記入出力インターフェース回路２１０５を介して外
部のコンピュータやメモリをアクセスして画像データや
文字・図形情報を入力する。

【０２３３】なお、ＣＰＵ２１０６は、むろんこれ以外
の目的の作業にも関わるものであっても良い。たとえ
ば、パーソナルコンピュータやワードプロセッサなどの
ように、情報を生成したり処理する機能に直接関わって
も良い。

【０２３４】あるいは、前述したように入出力インター
フェース回路２１０５を介して外部のコンピュータネッ
トワークと接続し、たとえば数値計算などの作業を外部
機器と協同して行っても良い。

【０２３５】また、入力部２１１４は、前記ＣＰＵ２１
０６に使用者が命令やプログラム、あるいはデータなど
を入力するためのものであり、たとえばキーボードやマ
ウスのほか、ジョイスティック，バーコードリーダー，
音声認識装置など多様な入力機器を用いる事が可能であ
る。

【０２３６】また、デコーダ２１０４は、前記２１０７
ないし２１１３より入力される種々の画像信号を３原色
信号、または輝度信号とＩ信号，Ｑ信号に逆変換するた
めの回路である。なお、同図中に点線で示すように、デ
コーダ２１０４は内部に画像メモリを備えるのが望まし
い。これは、たとえばＭＵＳＥ方式をはじめとして、逆
変換するに際して画像メモリを必要とするようなテレビ
信号を扱うためである。また、画像メモリを備えること
により、静止画の表示が容易になる、あるいは前記画像
生成回路２１０７およびＣＰＵ２１０６と協同して画像
の間引き，補間，拡大，縮小，合成をはじめとする画像
処理や編集が容易に行えるようになるという利点が生ま
れるからである。

【０２３７】また、マルチプレクサ２１０３は、前記Ｃ
ＰＵ２１０６より入力される制御信号に基づき表示画像
を適宜選択するものである。すなわち、マルチプレクサ
２１０３はデコーダ２１０４から入力される逆変換され
た画像信号のうちから所望の画像信号を選択して駆動回
路２１０１に出力する。その場合には、一画面表示時間
内で画像信号を切り替えて選択することにより、いわゆ
る多画面テレビのように、一画面を複数の領域に分けて
領域によって異なる画像を表示することも可能である。

【０２３８】また、ディスプレイパネルコントローラ２
１０２は、前記ＣＰＵ２１０６より入力される制御信号
に基づき駆動回路２１０１の動作を制御するための回路
である。

【０２３９】まず、ディスプレイパネルの基本的な動作
にかかわるものとして、たとえばディスプレイパネルの
駆動用電源（図示せず）の動作シーケンスを制御するた
めの信号を駆動回路２１０１に対して出力する。また、
ディスプレイパネルの駆動方法に関わるものとして、た
とえば画面表示周波数や走査方法（たとえばインターレ
ースかノンインターレースか）を制御するための信号を
駆動回路２１０１に対して出力する。

【０２４０】また、場合によっては表示画像の輝度やコ
ントラストや色調やシャープネスといった画質の調整に
関わる制御信号を駆動回路２１０１に対して出力する場
合もある。

【０２４１】また、駆動回路２１０１は、ディスプレイ
パネル２１００に印加する駆動信号を発生するための回
路であり、前記マルチプレクサ２１０３から入力される
画像信号と、前記ディスプレイパネルコントローラ２１
０２より入力される制御信号に基づいて動作するもので
ある。

【０２４２】以上、各部の機能を説明したが、図３０に
例示した構成により、本表示装置においては多様な画像
情報源より入力される画像情報をディスプレイパネル２
１００に表示する事が可能である。すなわち、テレビジ
ョン放送をはじめとする各種の画像信号はデコーダ２１
０４において逆変換された後、マルチプレクサ２１０３
において適宜選択され、駆動回路２１０１に入力され
る。一方、ディスプレイコントローラ２１０２は、表示
する画像信号に応じて駆動回路２１０１の動作を制御す
るための制御信号を発生する。駆動回路２１０１は、上
記画像信号と制御信号に基づいてディスプレイパネル２
１００に駆動信号を印加する。これにより、ディスプレ
イパネル２１００において画像が表示される。これらの
一連の動作は、ＣＰＵ２１０６により統括的に制御され
る。

【０２４３】また、本表示装置においては、前記デコー
ダ２１０４に内蔵する画像メモリや、画像生成回路２１
０７およびＣＰＵ２１０６が関与することにより、単に
複数の画像情報の中から選択したものを表示するだけで
なく、表示する画像情報に対して、たとえば拡大，縮
小，回転，移動，エッジ強調，間引き，補間，色変換，
画像の縦横比変換などをはじめとする画像処理や、合
成，消去，接続，入れ換え，はめ込みなどをはじめとす
る画像編集を行う事も可能である。また、本実施形態の
説明では特に触れなかったが、上記画像処理や画像編集
と同様に、音声情報に関しても処理や編集を行うための
専用回路を設けても良い。

【０２４４】したがって、本表示装置は、テレビジョン
放送の表示機器，テレビ会議の端末機器，静止画像およ
び動画像を扱う画像編集機器，コンピュータの端末機
器，ワードプロセッサをはじめとする事務用端末機器，
ゲーム機などの機能を一台で兼ね備える事が可能で、産
業用あるいは民生用として極めて応用範囲が広い。

【０２４５】なお、上記図３０は、表面伝導型放出素子
を電子ビーム源とするディスプレイパネルを用いた表示
装置の構成の一例を示したにすぎず、これのみに限定さ
れるものではない事は言うまでもない。たとえば、図３
０の構成要素のうち使用目的上必要のない機能に関わる
回路は省いても差し支えない。またこれとは逆に、使用
目的によってはさらに構成要素を追加しても良い。たと
えば、本表示装置をテレビ電話機として応用する場合に
は、テレビカメラ，音声マイク，照明機，モデムを含む
送受信回路などを構成要素に追加するのが好適である。

【０２４６】本表示装置においては、とりわけ表面伝導
型放出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルが
容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを小さ
くすることが可能である。それに加えて、表面伝導型放
出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルは大画
面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるため、本
表示装置は臨場感あふれ迫力に富んだ画像を視認性良く
表示する事が可能である。

【０２４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リーク電流による影響を排除し、映像信号に応じた画像
の輝度を正確に得ることができるとともに、輝度の変動
なく画像を表示できる。

【０２４８】また，本発明によれば，特別の調整装置を
必要とせず、簡易なハードウエアでリアルタイムに各冷
陰極素子のリーク電流の和を求め、リーク電流の和にし
たがって駆動電流を補正することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態によるマトリクス画像表示パネ
ルの駆動構成を示すブロック図である。

【図２】第１の実施形態による変調信号発生部の構成を
示すブロック図である。

【図３】図２に示した変調信号発生部の動作タイミング
を示す図である。

【図４】第１の実施形態によるパネル駆動部分の構成を
示すブロック図である。

【図５】第１の実施形態による画像表示パネルの駆動タ
イミングを示すタイミングチャートである。

【図６】第１の実施形態による画像表示パネルの駆動タ
イミングを示すタイミングチャートである。

【図７】第２の実施形態によるパネル駆動部分の構成を
示すブロック図である。

【図８】第３の実施形態のパネル駆動部分のブロック図
である。

【図９】第３の実施形態による画像表示パネルの駆動タ
イミングを示すタイミングチャートである。

【図１０】第４の実施形態のパネル駆動部分のブロック
図である。

【図１１】第５の実施形態によるパネル駆動部分のブロ
ック図である。

【図１２】第６の実施形態によるマトリクス画像表示パ
ネルの駆動構成を示すブロック図である。

【図１３】第６の実施形態によるパネル駆動部分の構成
を示すブロック図である。

【図１４】第６の実施形態による画像表示パネルの駆動
タイミングを示す図である。

【図１５】第７の実施形態によるパネル駆動部分の構成
を示すブロック図である。

【図１６】本実施形態による電子源の駆動法の概念を説
明するための図である。

【図１７】本実施形態で使用した冷陰極素子の特性図で
ある。

【図１８】本実施形態の概要を示す図である。

【図１９】本実施形態による画像表示装置の、表示パネ
ルの一部を切り欠いて示した斜視図である。

【図２０】表示パネルのフェースプレートの蛍光体配列
を例示した平面図である。

【図２１】実施形態で用いた平面型の表面伝導型放出素
子の平面図（ａ），断面図（ｂ）である。

【図２２】平面型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図である。

【図２３】通電フォーミング処理の際の印加電圧波形を
示す図である。

【図２４】通電活性化処理の際の印加電圧波形（ａ），
放出電流Ｉｅの変化（ｂ）図である。

【図２５】実施形態で用いた垂直型の表面伝導型放出素
子の断面図である。

【図２６】垂直型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図である。

【図２７】実施形態で用いた表面伝導型放出素子の典型
的な特性を示す図である。

【図２８】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の平面図である。

【図２９】実施形態で用いたマルチ電子ビーム源の基板
の一部断面図である。

【図３０】本実施形態による画像表示装置を用いた多機
能画像表示装置のブロック図である。

【図３１】一般的な表面伝導型放出素子の一例を示す図
である。

【図３２】一般的なＦＥ型素子の一例を示す図である。

【図３３】一般的なＭＩＭ型素子の一例を示す図であ
る。

【図３４】マルチ電子源の配列の一例を示す図である。

【図３５】マルチ電子源の従来の駆動例を示す図であ
る。

【図３６】従来の駆動を示す図１である。

【図３７】従来の駆動を示す等価回路１図である。

【図３８】従来の駆動を示す図２である。

【図３９】従来の駆動を示す等価回路２図である。

【符号の説明】 １ マトリクス画像表示パネル ２ アナログディジタル変換器 ３ データ並び変え部 ４ 輝度データ変換器 ５ シフトレジスタ ６ 変調信号発生部 ７ 変調信号駆動ドライバ ８ 走査シフトレジスタ ９ 走査切り換え器 １０ 走査信号駆動ドライバ １１ タイミング制御部 ２０ａ ダウンカウンタ ７ａ 電流源 ７ｂ スイッチ ７ｃ ＭＯＳトランジスタ ７ｄ 比較器 ７ｅ サンプル／ホールド回路 ７ｆ 増幅器 ７ｇ 電圧制御電流源 ７ｈ ＭＯＳトランジスタ ７ｉ ダイオード ７ｊ 加算器 ７ｋ 電圧源 ７ｍ スイッチ ７ｎ オア回路 ７ｏ 電流検出用抵抗 ７ｐ 増幅器 ７ｑ スイッチ ７ｒ 電圧源 ７ｓ アナログディジタルコンバータ ７ｔ ラッチ回路 ７ｕ ディジタルアナログコンバータ ９ａ オア回路 １０ａ，１０ｂ スイッチ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｇ０９Ｇ 3/30

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の行配線と列配線により複数の電子
   放出素子をマトリクス状に配線してなるマルチ電子源を
   駆動する電子源駆動装置であって、 行配線を順次選択しながら列配線に映像信号に基づく駆
   動信号を印加して前記マルチ電子源を表示駆動する駆動
   手段と、 前記駆動手段による表示駆動期間外の期間において、前
   記マルチ電子源の各電子放出素子を消灯状態を保つ半駆
   動状態として、このときに流れるリーク電流に基づいて
   前記駆動手段の駆動信号を補正する補正手段とを備える
   ことを特徴とする電子源駆動装置。
2. 【請求項２】 前記補正手段は、１フレーム或いは１フ
   ィールド内のブランキング期間を利用して前記リーク電
   流の検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子
   源駆動装置。
3. 【請求項３】 前記補正手段は、前記ブランキング期間
   の都度、前記リーク電流の検出を行うことを特徴とする
   請求項２に記載の電子源駆動装置。
4. 【請求項４】 前記駆動手段は、 前記行配線を順次選択する走査手段と、 前記走査手段による行配線の選択に同期して駆動電流を
   印加する印加手段とを備え、 前記補正手段は、前記検出手段によって検出されたリー
   ク電流を映像信号に基づく動作電流に加えて前記駆動電
   流とすることを特徴とする請求項１に記載の電子源駆動
   装置。
5. 【請求項５】 前記印加手段は、前記駆動電流を発生す
   る第１電流出力手段と、前記リーク電流を発生する第２
   電流出力手段とを備え、 前記補正手段は、前記複数の行配線の全てに前記半駆動
   電圧を印加し、前記第１電流出力手段の出力を実質的に
   遮断した状態で、前記複数の列配線の各々の端子電位が
   ０となるように前記第２電流出力手段の出力を設定する
   ことを特徴とする請求項４に記載の電子源駆動装置。
6. 【請求項６】 前記印加手段は、前記駆動電流を発生す
   る第１電流出力手段と、前記リーク電流を発生する第２
   電流出力手段とを備え、 前記補正手段は、前記複数の行配線の全てに第１電位の
   電圧を印加し、前記第１電流出力手段の出力を実質的に
   遮断した状態で、前記複数の列配線の各々の端子電位が
   第２電位となるように前記第２電流出力を設定し、ここ
   で、該第１の電位と第２の電位との和が半駆動電圧とな
   ることを特徴とする請求項４に記載の電子源駆動装置。
7. 【請求項７】 前記印加手段は、 入力電圧値に応じた電流出力を行う電流出力手段と、 前記電流出力手段に前記駆動電流を出力させる電圧値を
   発生する第１電圧供給手段と、 前記電流出力手段に前記リーク電流を出力させる電圧値
   を発生する第２電圧供給手段と、 前記第１及び第２電圧供給手段より発生される電圧値を
   加算して前記電流出力手段の入力電圧として供給する加
   算手段とを備え、 前記補正手段は、前記複数の行配線の全てに前記半駆動
   電圧を印加し、前記第１電圧供給手段による電圧値を０
   Ｖとした状態で、前記電流出力手段の出力による出力電
   流によって前記列配線の端子電位が０となるように前記
   第２電圧供給手段の出力電圧値を設定することを特徴と
   する請求項４に記載の電子源駆動装置。
8. 【請求項８】 前記印加手段は、前記駆動電流を発生す
   る第１電流出力手段と、前記リーク電流を発生する第２
   電流出力手段とを備え、 前記補正手段は、前記複数の行配線の全てに前記半駆動
   電圧を印加し、前記第１電流出力手段の出力を実質的に
   遮断した状態で、前記複数の列配線の各々に流れる電流
   量を監視し、該電流量が０となるように前記第２電流出
   力手段の出力を設定することを特徴とする請求項４に記
   載の電子源駆動装置。
9. 【請求項９】 前記補正手段は、前記駆動手段の駆動を
   補正するための信号をデジタルデータにて保持すること
   を特徴とする請求項１に記載の電子源駆動装置。
10. 【請求項１０】 前記印加手段は、前記駆動電流を発生
    する第１電流出力手段と、前記リーク電流を発生する第
    ２電流出力手段とを備え、 前記補正手段は、前記複数の行配線の全てに０Ｖ電位を
    印加し、前記第１電流出力手段の出力を実質的に遮断し
    た状態で前記列方向配線の各々を前記半駆動電圧で駆動
    し、前記複数の列配線の各々に流れる電流量が相殺され
    るように前記第２電流出力手段の出力を設定することを
    特徴とする請求項４に記載の電子源駆動装置。
11. 【請求項１１】 前記第２電流出力手段は入力電圧値に
    応じた電流をリーク電流として出力し、 前記補正手段は、前記第２電流出力手段に検出したリー
    ク電流を発生させるための電圧値をデジタルデータで保
    持することを特徴とする請求項５、６及び８のいずれか
    に記載の電子源駆動装置。
12. 【請求項１２】 前記電流出力手段は入力電圧値に応じ
    た電流を出力し、 前記補正手段は、前記電流出力手段に検出したリーク電
    流を発生させるための電圧値をデジタルデータで保持す
    ることを特徴とする請求項７に記載の電子源駆動装置。
13. 【請求項１３】 前記電子放出素子がＥＬ素子であるこ
    と特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の電子
    源駆動装置。
14. 【請求項１４】 前記電子放出素子は、表面伝導型放出
    素子であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれ
    かに記載の電子源駆動装置。
15. 【請求項１５】 前記電子放出素子は、ＦＥ型放出素子
    であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに
    記載の電子源駆動装置。
16. 【請求項１６】 前記電子放出素子は、ＭＩＭ型放出素
    子であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか
    に記載の電子源駆動装置。
17. 【請求項１７】 複数の行配線と列配線により複数の電
    子放出素子をマトリクス状に配線してなるマルチ電子源
    を駆動する電子源駆動方法であって、 行配線を順次選択しながら列配線に映像信号に基づく駆
    動信号を印加して前記マルチ電子源を表示駆動する駆動
    工程と、 前記駆動工程による表示駆動期間外の期間において、前
    記マルチ電子源の各電子放出素子を消灯状態を保つ半駆
    動状態として、このときに流れるリーク電流に基づいて
    前記駆動工程における駆動信号を補正する補正工程とを
    備えることを特徴とする電子源駆動方法。
18. 【請求項１８】 前記補正工程は、１フレーム或いは１
    フィールド内のブランキング期間を利用して前記リーク
    電流の検出を行うことを特徴とする請求項１７に記載の
    電子源駆動方法。
19. 【請求項１９】 前記補正工程は、前記ブランキング期
    間の都度、前記リーク電流の検出を行うことを特徴とす
    る請求項１８に記載の電子源駆動方法。
20. 【請求項２０】 前記駆動工程は、 前記行配線を順次選択する走査工程と、 前記走査工程による行配線の選択に同期して駆動電流を
    印加する印加工程とを備え、 前記補正工程は、前記検出工程によって検出されたリー
    ク電流を映像信号に基づく動作電流に加えて前記駆動電
    流とすることを特徴とする請求項１７に記載の電子源駆
    動方法。
21. 【請求項２１】 前記印加工程は、前記駆動電流を発生
    する第１電流出力工程と、前記リーク電流を発生する第
    ２電流出力工程とを備え、 前記補正工程は、前記複数の行配線の全てに前記半駆動
    電圧を印加し、前記第１電流出力工程の出力を実質的に
    遮断した状態で、前記複数の列配線の各々の端子電位が
    ０となるように前記第２電流出力工程の出力を設定する
    ことを特徴とする請求項２０に記載の電子源駆動方法。
22. 【請求項２２】 前記印加工程は、前記駆動電流を発生
    する第１電流出力工程と、前記リーク電流を発生する第
    ２電流出力工程とを備え、 前記補正工程は、前記複数の行配線の全てに第１電位の
    電圧を印加し、前記第１電流出力工程の出力を実質的に
    遮断した状態で、前記複数の列配線の各々の端子電位が
    第２電位となるように前記第２電流出力を設定し、ここ
    で、該第１の電位と第２の電位との和が半駆動電圧とな
    ることを特徴とする請求項２０に記載の電子源駆動方
    法。
23. 【請求項２３】 前記印加工程は、 入力電圧値に応じた電流出力を行う電流出力工程と、 前記電流出力工程に前記駆動電流を出力させる電圧値を
    発生する第１電圧供給工程と、 前記電流出力工程に前記リーク電流を出力させる電圧値
    を発生する第２電圧供給工程と、 前記第１及び第２電圧供給工程より発生される電圧値を
    加算して前記電流出力工程の入力電圧として供給する加
    算工程とを備え、 前記補正工程は、前記複数の行配線の全てに前記半駆動
    電圧を印加し、前記第１電圧供給工程による電圧値を０
    Ｖとした状態で、前記電流出力工程の出力による出力電
    流によって前記列配線の端子電位が０となるように前記
    第２電圧供給工程の出力電圧値を設定することを特徴と
    する請求項２０に記載の電子源駆動方法。
24. 【請求項２４】 前記印加工程は、前記駆動電流を発生
    する第１電流出力工程と、前記リーク電流を発生する第
    ２電流出力工程とを備え、 前記補正工程は、前記複数の行配線の全てに前記半駆動
    電圧を印加し、前記第１電流出力工程の出力を実質的に
    遮断した状態で、前記複数の列配線の各々に流れる電流
    量を監視し、該電流量が０となるように前記第２電流出
    力工程の出力を設定することを特徴とする請求項２０に
    記載の電子源駆動方法。
25. 【請求項２５】 前記補正工程は、前記駆動工程の駆動
    を補正するための信号をデジタルデータにて保持するこ
    とを特徴とする請求項１７に記載の電子源駆動方法。
26. 【請求項２６】 前記印加工程は、前記駆動電流を発生
    する第１電流出力工程と、前記リーク電流を発生する第
    ２電流出力工程とを備え、 前記補正工程は、前記複数の行配線の全てに０Ｖ電位を
    印加し、前記第１電流出力工程の出力を実質的に遮断し
    た状態で前記列方向配線の各々を前記半駆動電圧で駆動
    し、前記複数の列配線の各々に流れる電流量が相殺され
    るように前記第２電流出力工程の出力を設定することを
    特徴とする請求項２０に記載の電子源駆動方法。
27. 【請求項２７】 前記第２電流出力工程は入力電圧値に
    応じた電流をリーク電流として出力し、 前記補正工程は、前記第２電流出力工程に検出したリー
    ク電流を発生させるための電圧値をデジタルデータで保
    持することを特徴とする請求項２１、２２及び２４のい
    ずれかに記載の電子源駆動方法。
28. 【請求項２８】 前記電流出力工程は入力電圧値に応じ
    た電流を出力し、 前記補正工程は、前記電流出力工程に検出したリーク電
    流を発生させるための電圧値をデジタルデータで保持す
    ることを特徴とする請求項２３に記載の電子源駆動方
    法。
29. 【請求項２９】 複数の行配線と列配線により複数の電
    子放出素子をマトリクス状に配線してなるマルチ電子源
    と、 請求項１乃至１６のいずれかに記載の電子源駆動装置
    と、 前記マルチ電子源に対向して設けられ、該マルチ電子源
    から放出される電子ビームに応じて可視光を発生する発
    光手段とを備えることを特徴とする画像形性装置。