JP2000315659A - 温度制御式排気及びコールドトラップ一体化アセンブリ - Google Patents

温度制御式排気及びコールドトラップ一体化アセンブリ

Info

Publication number
JP2000315659A
JP2000315659A JP2000089099A JP2000089099A JP2000315659A JP 2000315659 A JP2000315659 A JP 2000315659A JP 2000089099 A JP2000089099 A JP 2000089099A JP 2000089099 A JP2000089099 A JP 2000089099A JP 2000315659 A JP2000315659 A JP 2000315659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cold trap
exhaust assembly
temperature
exhaust
trap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000089099A
Other languages
English (en)
Inventor
P Umotoi Salvador
ピー． ウモトイ サルヴァドール
Lawrence Chung-Lai Lei
チャン−ライ レイ ローレンス
Russell C Ellwanger
シー． エルワンガー ラッセル
L Rose Ronald
エル． ローズ ロナルド
Huston Joel
ヒューストン ジョエル
Jin-Ron Chan James
ジン−ロン チャン ジェイムズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2000315659A publication Critical patent/JP2000315659A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D8/00—Cold traps; Cold baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S55/00—Gas separation
    • Y10S55/15—Cold traps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S55/00—Gas separation
    • Y10S55/30—Exhaust treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コールドトラップ能力を持つ温度制御式排気
アセンブリを提供する。 【解決手段】 排気アセンブリの一実施形態は、独立の
マルチゾーン閉ループ温度制御を可能にするマルチヒー
タ設計を使える。別の実施形態は、簡易化された閉ルー
プ温度制御用の単一ヒータを組み込んだコンパクトな多
弁単体設計を備える。コールドトラップは、望ましくな
い堆積物を最少にするために、トラップの入口での温度
制御のためのヒータを組み込んでいる。一つの実施形態
はまた、多段コールドトラップと粒子トラップとを備え
ている。取り外し可能なユニットとして、このコールド
トラップは吸着した凝縮性物質のハンドリングと処分に
おける更なる安全を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本出願は、１９９８年１２月１４日提出
の、通常的に譲渡された米国特許出願第09/211,998号、
発明の名称「高温化学的気相成長チャンバ」、に関係す
る主題を含み、その内容は本明細書に援用される。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ処
理システム用の温度制御式排気アセンブリに関し、より
詳細には、コールドトラップ能力を持つ温度制御装置を
有する一体化排気アセンブリに関する。
【０００３】
【従来の技術】デバイス製造用ウェーハ処理装置の開発
では、排気システムの設計がプロセスチャンバに対する
設計と同様に重要であろう。半導体デバイス製造に用い
られるプロセスの大部分ではないにしてもその多くが、
腐食性か又は有毒な化学前駆物質の何れかを含んでい
る。往々にして、プロセス反応は同様に有毒な副生成物
をもたらすか、或いはチャンバ及び／又は排気アセンブ
リの内部表面に望ましくない堆積物を残す。従って、排
気システムの設計は、システムコンポーネントのメンテ
ナンスの容易さに対するニーズはもとより、環境的関心
と作業者に対する安全配慮に注意を向けなければならな
い。
【０００４】各種の化学物質を捕捉するために排気管路
で使用される様々なタイプのトラップが市販されてい
る。例として、化学吸着によって働く分子ふるいトラッ
プと凝縮性物質を捕捉する冷温トラップとを含む。常備
のコールドトラップは通常、単段の設計しか含まないの
で、一定の処理要求を満たすための充分な捕捉効果を持
たないかもしれない。既存のコールドトラップの能力を
超えるプロセスの一例は、４塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）
とアンモニア（ＮＨ3 ）間の反応から生じる窒化チタン
（ＴｉＮ）の堆積である。反応生成物の窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）、窒素（Ｎ 2 ）、及び塩化水素（ＨＣｌ）に加え
て、アダクトアンモニア塩などの他の副生成物が形成さ
れる。既存の単段コールドトラップは、ある運転及びポ
ンプ排気条件下で反応副生成物を効果的に捕捉できない
ことが分かっており、設計士の追加補償のニーズをもた
らす。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴｉＣｌ4 反応からの
材料堆積の性質は温度依存性なので、別のレベルの複雑
さも生じる。従って、ＴｉＮ膜堆積は、好ましくは６０
０℃以上の温度で行われることが多い。高温反応を使用
するＴｉＮ堆積チャンバの設計では、作業者の安全を保
証するために、外部チャンバ壁をより低い温度に維持す
ることも望ましい。このようなＴｉＮ膜堆積用高温化学
的気相成長チャンバは、１９９８年１２月１４日提出
の、通常的に譲渡された米国特許出願第 09/211,998
号、発明の名称「高温化学的気相成長チャンバ」、に記
載されており、これは本明細書に援用される。この高温
チャンバは、チャンバ外部が約６０℃の温度に保たれる
ようにチャンバ本体から熱的に隔離された加熱ライナを
備えている。ＴｉＮ膜や反応副生成物はチャンバの内部
表面にも堆積するので、信頼性あるプロセス性能を維持
するためには定期的なチャンバ洗浄が必要となる。Ｔｉ
Ｃｌ4 ／ＮＨ3 ベースの化学反応では、少量のＴｉＮ膜
が１５０〜２５０℃の間の温度で形成されることがこの
分野で知られている。１５０℃以下では、しかしなが
ら、アダクト塩粉末の堆積が形成されるが、それは塩素
ベースの洗浄プロセスに対して耐性がある。従って、定
常的なチャンバ洗浄とシステムメンテナンスを容易にす
るために、チャンバと排気アセンブリの内部壁を１５０
〜２５０℃の間の温度に保ことが極めて望ましい。
【０００６】従って、温度制御式排気システムのニーズ
がこの分野で存在する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、コールドトラ
ップ能力を持つ温度制御式排気アセンブリであって、様
々な半導体ウェーハ処理用途に対する各種のプロセスチ
ャンバに関連して使用できる。具体的には、本発明の排
気アセンブリは、少なくとも一つの取り付けられたヒー
タと温度センサを有する排気ガス用のコンジットと、そ
のコンジットに接続されたコールドトラップとを含む。
コンジットの温度を特定プロセスのための適切な範囲内
に保つことによって、コンジットの内壁上での堆積物形
成を制御して定常的なチャンバメンテナンスの頻度を減
らすことができる。排気ポンプシステムに先立って排気
ガスからの凝縮性物質を吸着するために、水冷コールド
トラップも設けられる。本発明は、ＴｉＣｌ4 ／ＮＨ3
化学反応を使用するＴｉＮ膜堆積のための高温の化学的
気相成長チャンバに関連して使用された。この反応から
の堆積の性質と特性は温度依存性なので、最適なプロセ
ス及びチャンバ性能を獲得するために、チャンバ温度を
入念に制御することが重要である。例えば、チャンバメ
ンテナンスは、排気アセンブリを約１５０〜２５０℃の
範囲の温度内に維持することによって大いに促進される
が、それは、排気アセンブリの内部表面に形成されるＴ
ｉＮ堆積が塩素ベースのチャンバ洗浄プロセスによって
容易に除去できるからである。塩化水素（ＨＣｌ）など
の凝縮性物質や排気ガスからの他の反応副生成物を吸着
するために、コールドトラップも提供される。
【０００８】本発明の一実施形態は、マルチヒータ設計
から成り、排気アセンブリの様々な部分を加熱するため
に合計６個の外部ヒータを組み込んでいる。各ヒータも
また、コントローラによる独立の閉ループフィードバッ
クを可能にするための関連温度センサを持つ。更に、こ
の実施形態は、排気アセンブリの一体化コンポーネント
として単段マルチループコイル・コールドトラップを組
み込む。コールドトラップは、トラップの入口近くに配
置された単体バッフル板と、約２０〜２５℃の温度の冷
却水を導通するマルチループ冷却コイルとを備えてい
る。排気ガスからの凝縮性物質はバッフル板とコイルの
表面に吸着される。ＴｉＣｌ4 ／ＮＨ3 化学反応を使用
するＴｉＮ堆積チャンバに関連して用いられるときは、
排気アセンブリ全体が１５０〜２００℃の温度範囲内に
維持される。この特定用途は様々な温度の使用によるマ
ルチヒータ設計を充分に利用していないが、この実施形
態は、独立のマルチゾーン温度制御によるプロセス制御
のフレキシビリティを提供する可能性があることが認め
られている。
【０００９】別の実施形態は、アセンブリの温度を制御
する単体ヒータを持つコンパクトな一体化された多弁単
体アセンブリを備えている。幾つもの弁が、熱電ヒータ
と温度センサも収容する単体のアルミニウム本体に取り
付けられる。単一範囲内の温度制御を要する用途に対し
ては、この単体ヒータ設計は閉ループ温度制御運転を大
幅に簡易化する。独特でコンパクトな多弁単体設計は、
高温ＴｉＮ堆積チャンバに関連して用いられるとき、約
１５０〜２００℃の温度範囲内の容易な制御を可能にす
る。
【００１０】弁本体は、多段コールドトラップと粒子ト
ラップを組み込んだ取外し式多段トラップアセンブリに
適合するための真空ポートも備えている。コールドトラ
ップは一連の冷温バッフル板による多段吸着を提供す
る。バッフル板は、互いにオフセットして配置されたア
パーチャを含む。かくして、ガス分子とバッフル板表面
との間の衝突の確率が高まり、ＨＣｌなどの凝縮性物質
や他の反応副生成物の捕捉効率が大幅に改善される。
【００１１】この実施形態は、多段トラップが排気アセ
ンブリの残部から容易に隔離されて取り外しできるの
で、更なる運転フレキシビリティを提供する。トラップ
の入口と出口にそれぞれ設けられた２個のコンパクトな
閉止弁を閉じることによって、吸着された凝縮性物質を
トラップ内へ安全に封じ込めるとともに、他の場所に運
んで適切に処分することができる。そのフレキシブル温
度制御とコンパクト設計によって、この排気及びトラッ
プアセンブリを、各種プロセス用途のどんな真空チャン
バとの使用に対しても、容易に取り付けて適合させるこ
とができる。
【００１２】本発明の教示は、下記の詳細な説明を添付
図面と共に考察することによって、容易に理解すること
ができる。
【００１３】理解を容易にするために、可能な場合は同
一の符号を使用して、各図面に共通な同一要素を表示し
た。
【００１４】
【発明の実施の形態】「マルチゾーン加熱を伴う排気ア
センブリ」図１（ａ）は、温度制御式排気アセンブリ１
００と、それをプロセスチャンバ（図示せず）に連結す
るために用いられる関連真空適合コンポーネント１１０
との一実施形態の断面図を示す。これらの真空適合コン
ポーネント１１０は、アダプタプレート１０１、熱イン
シュレータ１０２、排気チューブ（コンジット）１０
３、バンドヒータ１０５、カバープレート１０４、２０
トールバラトロン（20torr Baratron）１０６、及び漸
縮管１０７を備えている。環状アダプタプレート１０１
はプロセスチャンバ（図示せず）の側面開口部１９２に
直接に接合して、側面開口部１９２内に部分的に延びる
排気チューブ１０３の外側のまわりにはまっている。熱
インシュレータ１０２は、プロセスチャンバ外部壁１９
１から離れた側でアダプタ１０１に隣接して取り付けら
れる。この熱インシュレータ１０２は、加熱式排気アセ
ンブリ１００（例えば約１５０℃の温度に保たれる）と
プロセスチャンバ外部壁１９１（約６０〜６５℃の温度
に保たれる）の間の絶縁を提供する。ステンレス鋼製バ
ンドヒータ１０５は、排気チューブ１０３の外部壁の実
質的な部分を取り囲んでいる。環状カバープレート１０
４は、インシュレータ１０２、バンドヒータ１０５、及
び残りの排気チューブ１０３の外側にはまっている。別
の実施形態では、単体のフレキシブルヒータ（図示せ
ず）を使用して排気チューブ１０３と漸縮管１０７の両
方を加熱してもよい。シリコン材料製の断熱ジャケット
１０９が環状カバープレート１０４と漸縮管とにはめら
れて、作業者に対する傷害の可能性を防止する。漸縮管
１０７は、その大径開口部１１７で排気チューブ１０３
の（プロセスチャンバから離れた）遠端１１３に接続さ
れ、小径開口部１２７で排気アセンブリ１００の別のコ
ンポーネントに接続されている。２０トールバラトロン
圧力計１０６が漸縮管１０７の側壁を通して接続され
て、排気アセンブリ１００内の圧力をモニタするように
なっている。
【００１５】この実施形態では、排気アセンブリ１００
はまた、ポンプ運転を制御するための幾つもの真空弁１
２０、１４０、１６０、１７０に加えて、コールドトラ
ップ１５０を備えている。かくして、各種真空コンポー
ネント（例えば、排気チューブ１０３、漸縮管１０７、
コールドトラップ１５０、及び真空弁１２０、１６０、
１７０）が排気アセンブリ内の排気ガス用の通路、つま
りコンジットを集合的に画成する。排気アセンブリ１０
０のマルチゾーン温度制御は、排気アセンブリ１００の
様々な場所の多数のヒータによって提供される。これら
のフレキシブルヒータはシリコン材料製であり、排気ア
センブリ１００の外部壁のまわりに、それらのそれぞれ
の絶縁繊維ジャケットの下に巻かれており、これらのヒ
ータ／ジャケットの組合せは、図１（ａ）で１２５、１
４５、１５５、１６５、１７５として表示される。熱電
対温度センサ（図１（ａ）には図示せず）はまた、これ
らのヒータと共に設けられて、コントローラ１９３を備
えた制御コンソール１９９（図１（ｂ）参照）を介して
ヒータ温度の閉ループフィードバック制御のために使用
してもよい。
【００１６】図１（ｂ）は、一連の温度センサ１９７、
１９７1 、１９７2 、・・・、１９７5 （集合的にセン
サ１９７i ）と、関連ヒータ１９８1 、１９８2 、・・
・、１９８5 （集合的に１９８i ）に接続される制御コ
ンソール１９９を概略的に示す。この特定実施形態で
は、各ヒータ１９８i はまた、サーモスタットスイッチ
１９６i を介して電源１９５に接続される。ヒータ１９
８i と温度センサ１９７ i とは、下記に説明するよう
に、例えば、排気アセンブリ１００の各種弁や真空コン
ポーネントのまわりに配置される。図１（ｂ）に示すよ
うに、ヒータ１９８ i は全て、それらを制御コンソール
１９９へ直列接続することによって、同一の温度設定に
保たれる。制御コンソール１９９は、例えば、Watlow 9
65 ＰＵＤコントローラ１９３と、幾つもの調節式温度
インタロック１９６とを備えている。現在のＴｉＮチャ
ンバ用途では、排気アセンブリ全体１００に対する単一
ポイント温度制御が適切であることが判っている。例え
ば、効果的な閉ループ温度制御は、手動弁１２０のまわ
りに配置された温度センサ１９７2 をモニタすることに
よって達成される。安全対策として、他のセンサ１９７
1 、１９７3 、１９７4、１９７5 をヒータ１９８1 、
１９８2 、１９８4 、１９８5 （図１（ａ）のヒータ１
０５、１２５、１５５、１６５に対応）と共に設けて、
「加熱 (over temperature) 」制御用の温度インタロッ
ク１９４に関連して使用される。本発明の設計フレキシ
ビリティは、図１（ｂ）に示す実施形態で更に説明する
が、この場合、ヒータ１９８2 （弁１２０用ヒータ１２
５に対応）及び１９８3 （弁１４０用ヒータ１５５に対
応）用の加熱保護が単一センサ１９７3 によって効果的
に提供される。このような「共用」保護は、ヒータ１２
５と１４５の相互の近接によって可能となる。制御コン
ソール１９９に対する接続を変更することによって、ヒ
ータ１９８はまた、追加の電源１９５（図示せず）に独
立に接続されて、異なる温度設定による独立の温度制御
が可能となる。ヒータ、温度センサ、及び制御コンソー
ル１９９は現在の用途のために特製されたもので、Appl
ied Materialsの部品番号 1410-01304、又は Nor-Cal
部品番号 NC-000001-2 として入手できる。
【００１７】ＴｉＣｌ4 ／ＮＨ3 化学反応を用いる高温
ＴｉＮ堆積チャンバに関連して使用されるとき、排気ア
センブリ１００は、コールドトラップ１５０を除いて、
望ましくない堆積物が排気アセンブリ１００の内部を被
覆するのを少なくするために、ほぼ１５０〜２００℃の
温度に保たれる。この実施形態は、排気アセンブリ１０
０の異なる部分の個別の温度制御を必要とする他の用途
に特に適している。例えば、ヒータ１２５（図１（ｂ）
の１９８2 など）を使って、排気アセンブリ１００用の
入口弁として働くアングル弁１２０を加熱する。アング
ル弁１２０は三つの真空ポート１２１、１２２、１２３
を備えている。弁１２０は入口ポート１２１の漸縮管１
０７を介してプロセスチャンバ（図示せず）に接続さ
れ、出口ポート１２２で、それ自体のヒータ１５５、例
えば図１（ｂ）の１９８4 を備えたコールドトラップ１
５０に接続される。適当な変更によって、アングル弁１
２０とコールドトラップ１５０とを、必要なら、独立し
て温度制御できる。
【００１８】アングル弁１２０の側面の真空ポート１２
３は手動弁１４０のポート１４１に接続される。図１
（ｂ）の１９８3のような独立ヒータ１４５に取り付け
られた手動弁１４０を使って、ポート１４２を介して、
リークディテクタや残留ガスアナライザ（ＲＧＡ）など
の他の真空アクセサリやプロセス診断装置に接続しても
よい。
【００１９】コールドトラップ１５０はその入口１５１
で弁１２０に接続され、その出口１５２で隔離弁１６０
に接続される。コールドトラップ１５０はバッフル板１
５９とマルチループ冷却コイル１５６とを格納する。ハ
ウジング１５０とバッフル板１５９は共に、ニッケルメ
ッキされたステンレス鋼製であるが、使用プロセスガス
に対して化学的な耐性があれば他の材料も許容される。
バッフル板１５９はコールドトラップ１５０の入口１５
１の近くに取り付けられ、ステンレス鋼スペーサ１５７
（バッフル板１５９にねじ止めされるかろう付けされ
る）によってコールドトラップ１５０の上部１５０Ｔか
ら懸架される。コールドトラップ１５０の内部に懸架さ
れた冷却コイル１５６はコールドトラップ１５０の下部
１５０Ｂにろう付けされる。冷却コイル１５６は入口１
５６i と出口１５６o とを持つ。循環する伝熱流体、例
えば冷却水は入口１５６i 経由でコールドトラップ１５
０に入り、出口１５６o 経由でトラップを出る。マルチ
ループコイル１５６は排気ガスからの凝縮性物質を捕捉
するための大きな冷温表面積を提供する。例えば、約２
０〜２５℃の入口水温を使って、ＴｉＣｌ4 ／ＮＨ3 ベ
ースのＴｉＮ堆積プロセスから発生した凝縮性物質を捕
捉してもよい。勿論、他の冷却媒体も、特に低温用途が
望まれる場合、適宜使用できる。現在の実施形態はマル
チループコイルを使用しているが、冷却金属ストリップ
やひれ状構造等、他の設計を使用してもよい。要点は、
コールドトラップの捕捉効率を増すために、より大きな
冷却表面積が好ましいことである。
【００２０】図１（ａ）に示すように、外部ヒータ１５
５（例えば図１（ｂ）の１９８4 ）もまた、コールドト
ラップ１５０のまわりの温度制御に使用される。例え
ば、高温度ＴｉＮ堆積チャンバに関連して使用されると
きは、外部ヒータ１５５はトラップ１５０の入口１５１
のまわりの加熱を提供する。ヒータ１５５を約１５０℃
の温度に調節するとともに冷却コイル温度を約２０〜２
５℃にした状態で、バッフル板１５９の温度を４０〜７
０℃の範囲内に維持できる。この設計のヒータ１５５と
冷却コイル１５６の配置によって、温度勾配がコールド
トラップ１５０の円筒形側面１５０Ｓに沿って確立され
ることになる。例えば、トラップ１５０の上部１５０Ｔ
は約７０℃の温度を持つのに対して（中間距離で約４５
℃まで低下する）、トラップ１５０の下部１５０Ｂは約
３０℃の温度を持つ。ヒータ１５５は、入口１５１とバ
ッフル板１５９間の堆積物を最少にするのに役立つ。ト
ラップ１５０の下部１５０Ｂの、より低い温度によっ
て、凝縮性物質は最初、そこに堆積する傾向がある。従
って、この特定設計は、さもなければ捕捉性能の劣化を
招くであろうトラップ１５０の入口１５１の方向の過剰
な堆積の生成を最少にするのに役立つ。
【００２１】排気ガスが、コールドトラップ１５０の中
心軸に沿って配置される入口１５１を通ってコールドト
ラップ１５０に入るときに、ガスはバッフル板１５９に
よって向きを変えられて、コールドトラップ１５０の円
筒側面１５０Ｓの方向に半径方向外方に流される。凝縮
性物質の一部はバッフル板１５９に捕捉されるが、その
大部分はマルチループ冷却コイル１５６の冷温表面に捕
捉される。残りの排気ガスは、軸方向に配置されたチュ
ーブ状チャネル１５８を通ってポンプ排気された後、出
口１５２経由でコールドトラップ１５０を出る。
【００２２】隔離弁１６０はコールドトラップ１５０の
出口１５２とスロットル弁１７０の間を接続する。この
隔離弁１６０を使って、排気及びコールドトラップアセ
ンブリ１００をポンプ前管路１９０から隔離できる。隔
離弁１６０はまた、スロットル弁１７０に関連して使用
されて、プロセスとポンプダウンサイクル時の適切な順
序付け(seqencing) と圧力制御を可能にする。更に、隔
離弁１６０とスロットル弁１７０は共に外部ヒータ１６
５、１７５を備えている。ヒータ１６５は、例えば、図
１（ｂ）に示す１９８5 に対応する。この実施形態で使
用されるヒータ１７５は内蔵サーモスタット制御装置を
備えており、制御コンソール１９９には接続されない。
排気ガスからのすべての凝縮性物質を捕捉する場合にコ
ールドトラップ１５０は１００％有効ではないので、弁
１６０と１７０の内部の望ましくない粉末堆積の形成を
防止するために、ヒータ１６５と１７５が必要になる。
ヒータジャケット１２９、１１９ａ、１１９ｂ、１１９
ｃ、１１９ｄを、これまた排気アセンブリ１００のアン
グル弁１２０と各種クランプ部分のまわりに設けて、熱
損失を最少化するとともに安全な作業環境を提供するよ
うにする。
【００２３】塩素ベースのチャンバ洗浄プロセスは、各
ウェーハ堆積後に排気アセンブリ１００の内部の効率的
な乾式洗浄を提供するが、粉末堆積は長期間のウェーハ
処理（例えば５０００個のウェーハ）の後で集積する傾
向がある。これらの堆積は定期メンテナンス時に水又は
過酸化水素による洗浄で容易に除去できる。加熱式排気
アセンブリ１００の使用は、洗浄に要する時間を削減し
てチャンバ洗浄間の期間を延長することによって、装置
の使用可能時間に貢献する。 「一体化排気アセンブリ」本発明の別の実施形態は、図
２の斜視図に示す一体化された単体排気アセンブリ２０
０を備えている。この実施形態では、単一の弁本体２０
５が、取り外し式コールドトラップ３００に適合するよ
うに、幾つもの弁２１０、２２０、２３０、２４０と、
真空ポート２１２、２３１とを格納する。弁本体２０５
は凹部２０１内に単一カートリッジヒータ（図示せず）
を備えるとともに、凹部２０２内に温度モニタと制御用
の熱電対センサ（図示せず）を備える。この実施形態は
独特なコンパクト設計を含み、その大きさは図１（ａ）
に示すマルチヒータ設計のほぼ１／３に縮小されてい
る。わずか一個のヒータと一個の温度センサを使って、
この新設計は、単一温度制御だけを必要とする用途に対
する簡易化された電気制御と温度管理のシステムを提供
する。更なるプロセスのフレキシビリティと安全性がこ
の取外し式多段トラップ３００によって達成されるが、
その多段トラップは、アセンブリ２００からトラップ３
００を取り外す前に弁３９１、３９２を閉じることによ
って、弁本体２０５から隔離できる。
【００２４】４個の弁２１０、２２０、２３０、２４０
は、アルミニウムの中実ブロックから作られた弁本体２
０５に取り付けられ、ブロック内部には弁用のポートと
ボアが孔明けされている。これらの弁は：１）プロセス
チャンバ（図示せず）を排気アセンブリ２００から隔離
する手動操作弁２１０、２）他のウェーハ処理システム
アクセサリ（図示せず）に連結するためのアングル弁２
２０；３）排気アセンブリ２００を排気ポンプ管路（図
示せず）から隔離する空気圧弁２３０、及び４）空気圧
弁２３０と、真空チューブ（コンジット）２５０に接続
する排気ポンプシステム（図示せず）の間に配置された
スロットル弁２４０を含む。プロセス及びポンプダウン
サイクル時の適切な圧力制御と順序付けを確実にするた
めに、隔離弁２３０の操作がスロットル弁２４０と同期
化される。もっとも、その同期操作は排気アセンブリ２
００の適切な運転を達成するために必ずしも絶対に必要
ではない。先に説明した実施形態と同様に、弁２１０、
２２０、２３０、２４０、弁本体２０５などの各種コン
ポーネントが排気アセンブリ２００内の排気ガス用通
路、つまりコンジットを集合的に画成する。
【００２５】弁取付け本体２０５の上部に設けられた直
角弁２２０は、洩れ検査やその他のプロセス診断の目的
のために、他のアクセサリを排気ガス流路に接続できる
ようにする。例えば、リークディテクタユニットや残留
ガスアナライザ（図示せず）を、真空洩れの検出や排気
ガス組成の分析のために、直角弁２２０のサイドポート
２２２に接続できる。チャンバ閉鎖弁２１０は、プロセ
スチャンバ（図示せず）に接続される入口ポート２１１
と、閉止弁３９１を介して多段トラップ３００に接続さ
れる出口ポート２１２とを持つ。
【００２６】二つの凹開口部２０１、２０２を弁取付け
本体２０５に設けて、カートリッジヒータ（図示せず）
と熱電対温度センサ（図示せず）とを収容するようにな
っている。熱伝導性ペーストを使って開口部の内部をラ
イニングして、ヒータ（図示せず）と弁本体２０５間の
良好な熱接触を確実にする。同様に、熱電対を、ヒータ
に隣接して第２開口部２０２に挿入する。ヒータと熱電
対制御装置とはフィードバック回路の一部として、図１
（ｂ）と同様に、制御ユニットに接続されて、プロセス
チャンバと排気アセンブリ２００の運転の総合的な制御
を行う。この単体弁本体設計は単一のヒータと熱電対の
使用を可能にするので、排気アセンブリ２００用の閉ル
ープ温度制御手順を大幅に簡易化する。異なるヒータや
熱電対センサを使用することによって、異なるプロセス
用途に対する幅広い温度にわたる温度制御が達成され
る。例えば、ＴｉＣｌ4 ／ＮＨ3 反応を使用するＴｉＮ
膜堆積の場合、排気アセンブリは約１５０℃の温度に保
たれる。排気アセンブリ２００の内部表面に堆積された
ＴｉＮ膜は、熱塩素ベースの洗浄プロセスによって容易
に除去される。しかしながら、長期間のウェーハ処理の
後、白色の粉末堆積が排気アセンブリ２００の内部に集
積する傾向がある。この粉末堆積は、定期メンテナンス
時に水又は過酸化水素よって容易に洗浄できる。 「多段コールドトラップ」図３（ａ）と図３（ｂ）はそ
れぞれ、コールドトラップハウジング３６０とコールド
トラップカバー３６８内に収容される多段バッフル構造
体３５０を備えた多段コールドトラップ３００の分解斜
視図と側面図である。凝縮性副生成物の捕捉効率の増加
は、ガス分子と、多段バッフル構造体３００を構成する
各種バッフル板との間の衝突を増加させることによって
達成される。図３（ａ）に示すように、多段バッフル構
造体３５０は、バッフル構造体３５０に溶接された冷却
コイル３９９の内部に伝熱媒体を循環させることによっ
て冷却される。バッフル構造体３５０は、二つの取付け
プレート３９６によって、複数のねじ３９４を使ってコ
ールドトラップカバー３６８に取り付けられる。冷却コ
イルの入口３９９i と出口３９９o とはトラップカバー
３６８の二つの開口部３６５を貫通して突出し、２個の
ビトンＯリング３９３が内側からトラップカバー３６８
を真空シールするようになっている。多段バッフル構造
体３５０は、コールドトラップカバー３６８を複数のね
じ３９８でハウジング３６０に取り付けることによっ
て、コールドトラップ３００の内部に固定される。この
目的のために、コールドトラップカバー３６８の１４個
のクリアランスホール３６７と、ハウジング３６０の外
周３６０Ｐのまわりの対応するねじ孔３６６とが設けら
れる。ビトンＯリング３９７は、コールドトラップハウ
ジング３６０とコールドトラップカバー３６８間の真空
シールを提供する。かくして、コールドトラップ３００
は容易に分解できるので、定期メンテナンス時の洗浄を
容易にする。
【００２７】図３（ｂ）はコールドトラップ３００の内
部の各種コンパートメント、つまりチャンバ３０１〜３
１０の側面図を示す。これらのコンパートメント３０１
〜３１０は通常、四つの表面によって画成され、その表
面は、ハウジング３６０の内部壁（例えば３６０ＴＷ、
３６０ＦＴ）か、３６１や３６２などのバッフル板の何
れかでよい。コールドトラップ３００は三つの部分、即
ち上部３００Ｔ、中央部３００Ｍ、及び下部３００Ｂに
分割した状態で明示できる。プロセスチャンバからの排
気ガスは、コールドトラップ３００の上部３００Ｔに入
口ポート３５１経由で進入する。上部３００Ｔは、二つ
の垂直バッフル板３６１、３６２によって分離された三
つのコンパートメント３０１、３０２、３０３から成
る。第１コンパートメント３０１は「入口」コンパート
メントと見なされる。それは、トラップハウジング３６
０の前部壁３６０ＦＷ、トラップハウジング３６０の上
部壁３６０ＴＷ、垂直バッフル板３６１及び水平バッフ
ル板３８２によって画成される。コールドトラップ３０
０のこの上部３００Ｔで、ハウジング３６０の前部壁３
６０ＦＷは入口ポート３５１の位置に開口部３５１ａ
（図３（ｂ）に想像線で示す）を持ち、コールドトラッ
プ３００への入口として働く。外部ヒータ３９５をコー
ルドトラップ３００の入口ポート３５１の外部のまわり
に配置して、約１５０℃の温度を保つようにする。これ
は、望ましくない堆積物が入口３５１内に形成されるの
を最少にするのに役立つ。
【００２８】第１垂直バッフル板３６１はハウジング３
６０の上部壁３６０ＴＷから下部壁３６０ＢＷまで延び
るが、第２バッフル板３６２は、上部壁３６０ＴＷから
ハウジング３６０の長さに沿って約１／３の中間距離ま
で延びる。第１垂直プレート３６１は図４（ａ）（コー
ルドトラップ３００の「前面」からの図を示す）に示す
ように配置された３個の孔、つまりアパーチャ３６１
ａ、３６１ｂ、３６１ｃを持つ。トラップ３００の入口
に対応する入口開口部１５１ａは、第１バッフル板３６
１内の３個のアパーチャ３６１ａ、３６１ｂ、３６１ｃ
に対する相対位置を表すように想像線で示す。このオフ
セット設計では、それぞれのアパーチャ付表面からのア
パーチャは、任意のアパーチャの部分がそのアパーチャ
を含む表面に垂直な方向に沿って投影されたときに、
「垂直投影された部分」が、同一コンパートメントを画
成する別のアパーチャ付表面の何れかのアパーチャと、
望ましくは、重なったり交差してはならないように配置
される。即ち、ハウジング３６０の入口開口部３５１ａ
に対応する投影部分は、望ましくは、第１垂直バッフル
板３６１のアパーチャ３６１ａ、３６１ｂ、３６１ｃに
何れにも重なってはならない。このような「オフセッ
ト」設計は、チャンバ弁２１０から出てコールドトラッ
プ３００に入るガス分子が第１垂直バッフル板３６１の
開口部、つまりアパーチャ３６１ａ、３６１ｂ、３６１
ｃを通ってポンプ排気される前に第１垂直バッフル板３
６１に衝突する確率を高める。ガス分子のコールドバッ
フル板３６１との衝突によって分子は運動エネルギを失
い、バッフル板３６１の前面３６１Ｆへの分子の捕捉を
許す。勿論、異なるアパーチャ間のある程度のオーバラ
ップは本発明から排除されない。
【００２９】図４（ｂ）は、第１垂直バッフル板３６１
の三つのアパーチャ３６１ａ、３６１ｂ、３６１ｃから
それぞれオフセットして配置された二つのアパーチャ３
６２ａ、３６２ｂを持つ第２垂直バッフル板３６２を示
す。第１垂直プレート３６１の三つのアパーチャ３６１
ａ、３６１ｂ、３６１ｃの「垂直投影部分」を想像線で
示す。本発明に用いられるバッフル板アパーチャは直径
が約２インチ（５０．８ｍｍ）である。本実施形態で引
用される寸法はもっぱら説明の目的であって、他のバリ
エーションも本発明の精神から逸脱することなく使用で
きる。最適な捕捉効率のためには、このオフセット設計
を使って、トラップ１３０間の各開口部やアパーチャを
位置決めしなければならない。
【００３０】図３（ｂ）に戻って説明すると、コールド
トラップ３００の中央部分３００Ｍは、ハウジング３６
０の下部壁３６０ＢＷ、第１垂直プレート３６１、及び
四つの水平プレート３７１、３７２、３７３、３７４の
うちの二つの異なる組合せによってそれぞれ画成された
三つのコンパートメント３０４、３０５、３０６から成
る。
【００３１】最初（上部）と最後（下部）の水平プレー
ト３７１、３７４は設計が同一で、トラップアセンブリ
ハウジング３６０の幅全体を横切って延びる。第２と第
３のプレート３７２、３７３はハウジング３６０を部分
的に横切るのみで−−下部３６０ＢＷから幅の約２／３
まで延びて、そこで第１垂直バッフル板３６１にろう付
けされる。これらのプレートは互いにねじで取付けでき
るが、ろう付けが望ましいのは、それがコールドトラッ
プ３００のコンポーネント間の効率的な熱伝導を保証す
るからである。垂直バッフル板３６１、３６２と同様
に、水平プレート３７１〜３７４もアパーチャを備えて
おり、アパーチャは連続又は隣接プレートのアパーチャ
からオフセットして配置されている。第１水平バッフル
板３７１の上面図を図５ａに示し、第２水平バッフル板
３７２のアパーチャ３７２ａを想像線で示す。
【００３２】別のコンパートメント３１０が水平プレー
ト３８１、３８２、第１垂直バッフル板３６１、及びハ
ウジング３６０の前部壁３６ＦＷによって画成される。
このコンパートメント３１０は「出口」コンパートメン
トと見なされるが、それは、ハウジング壁３６０ＦＷの
開口部３５２ａ経由で、出口３５２と閉止弁３９２を介
して排気アセンブリ１００に接続されるからである。入
口弁３９１経由で多段コールドトラップ３００に入る排
気ガスは、出口３５２経由でコールドトラップを出る前
に、各種のコンパートメント３０１〜３１０の中を移動
する。
【００３３】図３（ａ）、３（ｂ）に示すように、冷却
コイル３９９は、ハウジング３６０の一方の側から始ま
って他方の側に横切る垂直及び水平バッフル板３６１、
３６２、３７１、３７２、３７３、３７４に曲折したパ
ターンで溶接されるかろう付けされるが、バッフル板３
６１、３６２、３７１、３７２、３７３、３７４に沿っ
て類似の曲折したパターンを備えている。これによっ
て、冷却水などの伝熱媒体が、下部プレート３７４に隣
接する冷却剤入口３９９i から上部水平バッフル板３７
１まで、図３（ｂ）の矢印３で示される方向に沿って移
動することができる。伝熱媒体は、続いてハウジング３
６０の反対側（図示せず）にわたって出口開口部（図示
せず）から出る。この実施形態では、冷却コイル３９９
はニッケルメッキされたアルミニウム製であるが、それ
は、チャンバ洗浄プロセスで使用される塩素に対する耐
性のニーズのためである。勿論、良好な熱伝導度と排気
及び洗浄プロセスガスとの化学的耐性の要件を満たす限
り、他の適当な材料も使用できる。入口水温が約２０〜
２５℃の場合、バッフル板の温度は２０〜２５℃の間に
維持できるが、トラップ本体の温度は４５〜７０℃の間
である。
【００３４】コールドトラップ３００の下部３００Ｂ
は、二つの垂直バッフル板３６３、３６１によって分離
された三つのコンパートメント３０７、３０８、３０９
から成る。これらの垂直バッフル板３６３、３６１は、
上部３００Ｔのプレート３６２、３６１に対して先に説
明したのと同様に設計、配置される。即ち、排気ガス分
子は、一つのコンパートメントから次のコンパートメン
トへ移動するにつれて、隣接するバッフル板へ次々に衝
突することになる。この多段設計では、コールドトラッ
プ３００は、２ミクロンサイズの粒子に対して９５％近
い捕捉効率を提供する。
【００３５】本発明のすべてのバッフル板３６１〜３６
３、３７１〜３７３、及びハウジング３６０は、チャン
バ洗浄プロセスで用いられる塩素に対する化学的耐性を
保証するために、ニッケルメッキされたアルミニウムで
作られる。勿論、特定のプロセス用途によって、必要な
化学的耐性とコールドトラップ用途に適した熱特性を持
つ限り、ステンレス鋼などの他の材料も使用できる。従
って、この実施形態で用いられる材料はもっぱら説明的
なものであって、本発明の固有の制約を意味するもので
はない。
【００３６】本発明のバッフル板３６１〜３６３、３７
１〜３７３は垂直及び水平方向に配置されているが、そ
れは決して唯一の可能な構成ではない。実際、トラップ
３００内のコンパートメント３０１〜３１０はそれぞ
れ、ハウジング３６０のバッフル板や内部壁の異なる組
合せによって画成してもよい。例えば、コンパートメン
ト６０１は、図６の断面図で示すように、三つの表面だ
けで形成してもよい。これらの表面の中の二つは、それ
ぞれ少なくとも一つのアパーチャ６１１ａ、６１２ａを
有するバッフル板６１１、６１２でもよく、第３の表面
６１３はバッフル板６１１に対して角度θで配置しても
よい。バッフル板６１１のアパーチャ６１１ａを通って
このコンパートメント６０１に入るガス分子は、第３表
面６１３に衝突する。一部の分子は表面６１３に吸着さ
れるだろうが、他の分子は拡散して、更にバッフル板６
１１か６１２に衝突するだろう。アパーチャ６１２ａの
位置は、望ましくは、分子が表面６１１、６１２、６１
３との複数の衝突の後でのみアパーチャ６１２ａ経由で
出ることができるように選択しなければならない。従っ
て、本発明は、排気ガス分子と冷温表面間の衝突を最少
にしようとする設計は勿論のこと、分子が直接的な非衝
突経路を経由してトラップ構造を通過する確率を最小に
しようとする設計バリエーションを含む。
【００３７】図３（ｂ）に戻って説明すると、排気ガス
は、コールドトラップ３００のコンパートメント３０９
を出た後、幾つものスロット３８１ａ、３８１ｂ、３８
１ｃ、３８１ｄ（プレート３８１の上面図としての図５
（ｃ）参照）を持つ下部フィルタプレート３８１と、中
実の上部フィルタプレート３８２とから成る粒子フィル
タ３８０に入る。排気ガス中の粒子は、下部と上部のフ
ィルタプレート３８１、３８２間に置かれた、２ミクロ
ン以上の直径を持つ粒子を捕捉するのに効果的な細密ス
テンレス鋼ガーゼパッドなどのフィルタ材に捕捉され
る。このフィルタ材は定常メンテナンス時に取り替えら
れる。一般に、異なるタイプのフィルタ材を選択して各
種サイズの粒子を捕捉することができる。粒子フィルタ
３８０へのアクセスは、コールドトラップハウジング３
６０の側面３６０Ｓ上のアクセスポート３８５によって
提供される（図３（ａ）参照）。フィルタカバー３８８
は複数のねじ３８４によってアクセスポート３８５の上
に取り付けられ、ビトンＯリング３８６を使用してフィ
ルタカバー３８８とコールドトラップハウジング３６０
間のシールが提供される。 「閉止弁」排気アセンブリ２００からトラップ３００を
シールするために、２個の特製閉止弁３９１、３９２を
トラップ３００の入口３５１と出口３５２に設ける。こ
れは、捕捉された副生成物を安全に内部に封じ込めた状
態でコールドトラップ３００の取り外しと運搬を可能に
することによって、定期洗浄手順を容易にする。ＴｉＮ
堆積プロセスの場合は、反応生成物の一つは塩化水素
（ＨＣｌ）で、これが空気中の水分に曝されると塩酸に
変わる。従って、この閉止弁３９１、３９２は、メンテ
ナンス時のコールドトラップ３００の安全なハンドリン
グを可能にする。その他に、コールドトラップ能力を必
要としないプロセス用途では、弁３９１、３９２を閉じ
ることによって、コールドトラップ３００を排気アセン
ブリ２００から容易に隔離できる。
【００３８】閉止弁３９１は非常にコンパクトな設計
で、厚さはわずか約０．７５インチ（１９．１ｍｍ）で
ある。かくして、閉止弁は設計のフレキシギリティを提
供するとともに、どの既存のチャンバにも容易に取り付
けることができる。現行モデルは手動で操作されるが、
弁の動きを容易にするためにモータ付き、又はソレノイ
ドアクチュエータを追加することによって、容易に電子
制御に適合させることができる。
【００３９】図７（ａ）は、ゲート弁設計を採用した閉
止弁３９１（弁３９２も同一）の分解図を示し、図７
（ｂ）は、組み立てられた弁３９１の開位置の断面図で
ある。
【００４０】弁３９１は上部プレート７００、ゲート７
２７、下部プレート７４０、及びハンドル７６０を備え
ている。２本の平行シャフト７２１、７２２を介してハ
ンドル７６０に取り付けられたゲート７２７は、上部プ
レート７００と下部プレート７４０間にはまった楔形の
プレートである。弁３９１は、ハンドル７６０と、従っ
てゲート７２７を矢印７７７で示す方向に沿ってスライ
ドさせることによって、開閉できる。
【００４１】図７（ａ）に示すように、上部プレート７
００は形状が実質的に長方形で、一方の側に弧状端部７
０２を持つとともに、他方の側に長方形端部７０１を持
つ。弁３９１の入口として働く開口部７０５は、丸形端
部７０２から離れた方向にわずかに中心をずらして配置
されている。小さな突出部分７０８が上部プレート７０
０の外周部のまわりに設けられる一方、上部プレート７
００の内側面７０７には逃がし部分７０９がある。開口
部７０５のまわりで、内側面７０７は外側面７０３に対
して（図７（ｂ）のＡ−Ｂで示す長さに沿って）傾斜が
付いており、溝７０８を内側面７０７の開口部７０５の
まわりに設けてＯリング７９８を収容するようになって
いる。
【００４２】下部プレート７４０も、弁３９１の出口と
して働く開口部７４５を備えている。下部プレート７４
０の内側面７４７は突出部分７４９を持ち、これまた下
部プレートの外側面７４３に対して（図７（ｂ）のＣ−
Ｄで示す長さに沿って）傾斜が付いている。Ｏリング溝
７４８が、内側面７４７の突出部分４７９の開口部７４
５のまわりに配置されてＯリングを収容するようになっ
ている。
【００４３】弁３９１が組み立てられると、上部プレー
ト７００の逃がし部分７０９が下部プレート７４０の突
出部分７４９とはめ合わされるので、上部と下部プレー
ト７００、７４０の間にスペース７５５が形成される
（図７（ｂ）参照）。側面から見ると（図７（ｂ））、
スペース７５５はＡ−ＢとＣ−Ｄの間でテーパ断面を持
ち、スペース７５５の残りの部分では長方形断面を持
つ。スペース７５５は、ゲート７２７とシャフト７２
１、７２２とを収容して矢印７７７の方向に沿って上部
プレート７００と下部プレート７４０間を自由にスライ
ドさせるだけの大きさがある。弁３９１がゲート７２７
を開口部７０５と７４５の間で動かすことによって閉じ
られると、内側溝７８０、７４８に配置された二つのＯ
リング７９８は、ゲート７２９に対する上部プレート７
００と下部プレート７４０のシールを提供する。上部プ
レート７００の突出部分７０８は、上部プレート７００
と下部プレート７４０間のシール用のＯリング７７４を
収容するための別の溝７７６を持つ。上部と下部のプレ
ート７００、７４０とは、上部プレート７００のクリア
ランスホール７８６と、下部プレート７４０のねじ孔７
８５を通る多数のねじ７９７を使って一体に保持され
る。
【００４４】図７（ａ）に示すように、ゲート７２７は
２本の円筒シャフト７２１、７２２にねじ止めされてい
る。シャフト７２１、７２２の他端７２５、７２６は、
上部プレート７００の突出部分７０８にある２個の孔７
１５、７１６にはまっている。２本のねじ７９５はハン
ドル７６０の２個のクリアランスホール７６５を通っ
て、シャフト７２１、７２２の端部７２５、７２６にね
じ込まれる。かくして、ハンドル７６０はゲート７２７
に取り付けられて、ゲート７２７を、弁３９１のスペー
ス７５５の内側で、矢印７７７の方向に沿って動かすこ
とができる。ゲート７２７は楔形で、ハンドル７６０の
方向にテーパが付いている（図７（ｂ）参照）。ゲート
７２７のテーパは上部プレート７００と下部プレート７
４０の傾斜部分（Ａ−ＢとＣ−Ｄで示す）に合致して、
Ｏリング７９８に対する効果的なシールを保証する。こ
の楔形シール面の設計はゲート弁３９１の重要な特徴で
ある。ゲート７２７とＯリング７９８間の摩擦の低減に
よって、弁３９１を、さもなければあり得るであろうよ
りはるかに小さな力で開閉できるようにすると同時に、
ゲート７２７をシールするときのＯリング７９８に対す
る磨耗も減少させる。
【００４５】図７（ｂ）は、クランプ７９１によって適
切に保持される二つのＫＦフランジ７９０、７９４に連
結された組立弁３９１を示す。Ｏリング溝７０６が上部
プレート７００の外側面７０３の開口部７０５のまわり
に設けられる。Ｏリング７９６は、排気アセンブリ２０
０の弁本体２００に溶接されたＫＦタイプのフランジな
どのフランジ７９０をシールする。同様に、下部プレー
ト７４０の外側面７４３の溝７４６によって、Ｏリング
７９６がフランジ７９４をシールできるようにする。本
実施形態では、ＫＦフランジ７９０が排気アセンブリ２
００の弁本体２００に溶接されるが、他方のＫＦフラン
ジ７９４はコールドトラップハウジング３６０に溶接さ
れて、コールドトラップ３００の入口３５１を形成す
る。同様の構成を使用して、コールドトラップ３００の
弁本体２０５と出口間に別の弁３９２が連結される。こ
れらのＫＦフランジ７９０、７９４は、二つのフランジ
クランプ７９１によって弁３９１に固定される。図７
（ａ）は、蝶ナットファスナ７９２とねじ付きスタッド
７０４によって上部プレート７００の外側面７０３に取
り付けられた二つのフランジクランプ７９１を示す。フ
ランジクランプ７９１は、ねじ７９３がクリアランスホ
ール７８８を通って上部プレート７００の外側面７０３
の対応するねじ孔７８７に締め付けられると、ＫＦフラ
ンジ７９０を定位置に固定する。ねじ７９３を外してフ
ァスナ７９２を弛めた状態で、クランプ７９１はＫＦフ
ランジ７９０から自由に揺動できるので、弁３９１、３
９２とコールドトラップ３００とを独立シールユニット
(self-contained sealed unit)として排気アセンブリ２
００から分離することができる。
【００４６】この実施形態の弁３９１は、チャンバ洗浄
プロセスで用いられる塩素への耐性を与えるためにニッ
ケルメッキされたアルミニウムで作られ、また、すべて
のＯリングはビトンで作られる。勿論、特定のプロセス
用途に使用される薬品物質と温度に対して耐性がある限
り、他の材料（例えば、弁にはステンレス鋼）も使用で
きる。
【００４７】図７（ｂ）に示す開位置では、ゲート７２
７は弁３９１の丸形端部７０２の方向に位置して、開口
部７０５、７４５を閉塞しないので、ガスは弁３９１を
通過することができる。シャフト７２１、７２２は上部
プレート７００と下部プレート７４０間に収納される。
弁３９１がハンドル７６０を引き出すことによって閉じ
られると、シャフト７２１、７２２は上部プレート７０
０の開口部７１５、７１６を貫通して突出し、弁３９１
は、ピン（図示せず）をシャフト７２１、７２２の孔７
７５（その一つを図７（ｂ）に示す）を通して挿入する
ことによって、その閉鎖位置に固定できる。両弁３９
１、３９２を閉じた状態で、コールドトラップ３００を
排気アセンブリ２００のＫＦフランジ７９０から隔離及
び分離して、洗浄のために安全に取り外すことができ
る。 「コールドトラップの動作」運転中、排気ガスは入口３
５１経由でコールドトラップ３００の入口コンパートメ
ント３０１に入る。一部の分子は、垂直バッフル板３６
１の前面３６１Ｆと衝突したときに吸着される。ガスは
次に、第１垂直バッフル板３６１のアパーチャ３６１
ａ、３６１ｂ、３６１ｃを通って、隣接するコンパート
メント３０２に送り込まれる。第１及び第２垂直バッフ
ル板３６１、３６２の、オフセットしたアパーチャ設計
によって、隣のコンパートメント３０２に入るガス分子
の大部分は、第２垂直バッフル板３６２の前面３６２Ｆ
と衝突して、凝縮性分子の更なる吸着をもたらす。排気
ガスは一つのコンパートメントから次のコンパートメン
トへと送られるので、バッフル板の冷温表面との分子の
衝突によって更なる吸着が起こる。この多段プロセス
が、市販の単段設計に比べてコールドトラップ３００の
吸着効率を大幅に向上させる。最後に、排気ガス流中の
粒子は、コールドトラップ３００から出る前に、コンパ
ートメント３１０の粒子トラップ３８０によって捕捉さ
れる。
【００４８】加熱式排気アセンブリ１００、２００の二
つの実施形態をＴｉＣｌ4 ／ＮＨ3ベースのＴｉＮ堆積
チャンバに関連する使用に対して説明したが、それらを
各種のプロセスチャンバに一般的に適合できることを強
調しなければならない。実際、堆積物を形成するか、或
いは凝縮性物質を含む排気ガスを発生させるどんなプロ
セスも、本発明の使用によって利益を得るだろう。適切
な温度制御によって、堆積物や凝縮性物質の大部分をコ
ールドトラップ１５０、３００に封じ込めることができ
るし、排気アセンブリ１００、２００の他の部品に対す
るそのような堆積物を最少にできる。これは、高度に腐
食性か有毒なガスがしばしば存在するエッチング、堆
積、又は注入などの半導体製造のプロセスでは特に貴重
である。温度制御式排気アセンブリの使用が真空システ
ムコンポーネントの寿命を延長するばかりでなく、定常
メンテナンスを大いに容易にして、安全な作業環境を提
供する。
【００４９】本発明の教示による各種実施形態を本明細
書に図示して詳しく説明したが、この分野に精通する者
は、これらの教示を具体化する他の多くの変更実施例を
容易に考案することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、閉ループ温度制御式排気及びコール
ドトラップアセンブリの第１の実施形態の断面図であ
り、（ｂ）は、閉ループ温度制御用の概略線図である。
【図２】図２は、一体化された温度制御式排気装置と多
段コールドトラップとを備える、本発明の第２の実施形
態の斜視図である。
【図３】（ａ）は、図２に示す多段コールドトラップの
分解斜視図であり、（ｂ）は、図２に示す多段コールド
トラップの側面図である。
【図４】（ａ）は、図３（ｂ）に示す第１垂直バッフル
板の正面図であり、（ｂ）は、図３（ｂ）に示す第２垂
直バッフル板の正面図である。
【図５】（ａ）は、図３（ｂ）に示す第１水平バッフル
板の上面図であり、（ｂ）は、図３（ｂ）に示す第２水
平バッフル板の上面図であり、（ｃ）は、図３（ｂ）に
示す下部フィルタ板の上面図である。
【図６】図６は、多段トラップの内部のバッフル板の別
の配置の断面図である。
【図７】（ａ）は、図３（ｂ）の多段コールドトラップ
と共に使用される閉止弁の分解図であり、（ｂ）は、図
７（ａ）に示す組立閉止弁の断面図である。
【符号の説明】
１００…温度制御式排気アセンブリ、１０１…アダプタ
プレート、１０２…熱インシュレータ、１０３…排気チ
ューブ（コンジット）、１０５…バンドヒータ、１１０
…真空適合コンポーネント、１５０…コールドトラッ
プ、１５５…外部ヒータ、１５６…冷却コイル、１５９
…バッフル板、１９７…温度センサ、１９８…ヒータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サルヴァドール ピー． ウモトイ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， アンティオーク， ワイルドフラワー ド ライヴ 2801 (72)発明者 ローレンス チャン−ライ レイ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ミルピタス， カントリー クラブ ドラ イヴ 1594 (72)発明者 ラッセル シー． エルワンガー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ワン バティスタ， ミッション ヴィンヤード ロード 565 (72)発明者 ロナルド エル． ローズ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， ユニオン アヴェニュー 226 (72)発明者 ジョエル ヒューストン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， バード アヴェニュー 1090 ナンバー203 (72)発明者 ジェイムズ ジン−ロン チャン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， マドリッド ドライヴ 3560

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも一つのヒータと一つの温度セ
    ンサとが取り付けられた排気ガス用コンジット、及び第
    １温度に加熱された入口と第２温度に冷却された表面と
    を備える、前記コンジットに接続されたコールドトラッ
    プ、を備える、半導体処理チャンバ用の排気アセンブ
    リ。
  2. 【請求項２】 前記排気アセンブリが、閉ループ制御ユ
    ニットに接続された複数のヒータと温度センサとを有し
    て前記複数のヒータを所定温度に保つ、請求項１記載の
    排気アセンブリ。
  3. 【請求項３】 前記コールドトラップが更に、前記コー
    ルドトラップの入口のまわりに配置されたヒータと温度
    センサとを備え、前記ヒータと温度センサとは閉ループ
    制御ユニットに接続されて前記入口を約１５０〜２００
    ℃の範囲内の温度に保つ、請求項１記載の排気アセンブ
    リ。
  4. 【請求項４】 前記コンジットが約１５０〜２００℃の
    範囲内の温度に保たれる、請求項１記載の排気アセンブ
    リ。
  5. 【請求項５】 前記コールドトラップが：相互に連結さ
    れた複数のチャンバ、及びチャンバの少なくとも一つの
    壁に当接する冷却コイル、を備える、請求項１記載の排
    気アセンブリ。
  6. 【請求項６】 前記コールドトラップが、入口開口部、
    出口開口部、及び前記ハウジングの内部で前記入口開口
    部と前記出口開口部の間に配置された多段吸着構造体を
    備える、請求項１記載の排気アセンブリ。
  7. 【請求項７】 前記多段吸着構造体が、 複数のコンパートメントを形成するように前記ハウジン
    グの内部に配置された複数のバッフル板を備え、 前記複数のコンパートメントはそれぞれ、複数の表面に
    よって画成され、第１表面には少なくとも第１アパーチ
    ャが画成されるとともに、第２表面には少なくとも第２
    アパーチャが画成される、請求項６記載の排気アセンブ
    リ。
  8. 【請求項８】 前記コールドトラップは更に、 前記入口開口部で前記ハウジングに接続された第１弁
    と、前記出口開口部で前記ハウジングに接続された第２
    弁とを備え、 前記コールドトラップは、前記第１及び第２弁を閉じる
    ことによって、前記排気アセンブリの前記コンジットか
    ら隔離可能であり、また前記隔離されたコールドトラッ
    プ、前記第１及び第２弁は、前記コンジットから取り外
    し可能な単体シール式アセンブリを形成する、請求項６
    記載の排気アセンブリ。
  9. 【請求項９】 単体弁本体、及び前記単体弁本体と前記
    トラップアセンブリとの間に配置された少なくとも一つ
    の隔離弁を有する、前記単体弁本体に接続された多段ト
    ラップアセンブリ、を備える、半導体ウェーハ処理シス
    テム用の排気アセンブリ。
  10. 【請求項１０】 前記排気アセンブリが更に、 前記単体弁本体内に配設されたヒータと温度センサ、及
    び前記ヒータと前記温度センサに接続されて前記コンジ
    ットを所定温度に保つ閉ループ制御ユニット、を備え
    る、請求項９記載の排気アセンブリ。
  11. 【請求項１１】 前記多段トラップアセンブリが、第１
    開口部と第２開口部とを有するハウジング、多段コール
    ドトラップ、及び粒子トラップを備える、請求項９記載
    の排気アセンブリ。
JP2000089099A 1999-03-29 2000-03-28 温度制御式排気及びコールドトラップ一体化アセンブリ Withdrawn JP2000315659A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/281,998 US6206971B1 (en) 1999-03-29 1999-03-29 Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly
US09/281998 1999-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000315659A true JP2000315659A (ja) 2000-11-14

Family

ID=23079654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000089099A Withdrawn JP2000315659A (ja) 1999-03-29 2000-03-28 温度制御式排気及びコールドトラップ一体化アセンブリ

Country Status (4)

Country Link
US (3) US6206971B1 (ja)
JP (1) JP2000315659A (ja)
KR (1) KR100706582B1 (ja)
TW (1) TW452861B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422064A (zh) * 2009-05-07 2012-04-18 应用材料公司 遮蔽的闸阀
JP2014159630A (ja) * 2013-01-17 2014-09-04 Air Products And Chemicals Inc 六フッ化タングステンの回収及び再利用のためのシステム及び方法

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
US6206971B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly
US6458212B1 (en) * 2000-03-13 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Mesh filter design for LPCVD TEOS exhaust system
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
US6821489B1 (en) * 2000-10-10 2004-11-23 International Business Machines Corporation System and method for abating the simultaneous flow of silane and arsine
US6488745B2 (en) * 2001-03-23 2002-12-03 Mks Instruments, Inc. Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
JP2003074468A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Toshiba Corp 真空排気システム及びその監視・制御方法
US6746566B1 (en) 2001-12-11 2004-06-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
US6528420B1 (en) * 2002-01-18 2003-03-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Double acting cold trap
US6901808B1 (en) 2002-02-12 2005-06-07 Lam Research Corporation Capacitive manometer having reduced process drift
US7252011B2 (en) * 2002-03-11 2007-08-07 Mks Instruments, Inc. Surface area deposition trap
US7311942B2 (en) 2002-08-29 2007-12-25 Micron Technology, Inc. Method for binding halide-based contaminants during formation of a titanium-based film
US6908499B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Cold trap for CVD furnace
US7048777B2 (en) * 2003-06-09 2006-05-23 Air Liquide America, L.P. Method and apparatus for removing waxy materials from a gas stream
US7044997B2 (en) * 2003-09-24 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Process byproduct trap, methods of use, and system including same
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US20050150452A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Soovo Sen Process kit design for deposition chamber
US7394339B1 (en) 2004-06-30 2008-07-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
KR100558562B1 (ko) * 2005-02-01 2006-03-13 삼성전자주식회사 반도체 설비용 부산물 포집장치
US7585141B2 (en) * 2005-02-01 2009-09-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Load lock system for ion beam processing
US20060211248A1 (en) * 2005-02-25 2006-09-21 Brabant Paul D Purifier for chemical reactor
GB0506089D0 (en) * 2005-03-24 2005-05-04 Boc Group Plc Trap device
US7412872B2 (en) * 2005-03-31 2008-08-19 Intel Corporation Process for screening outgas emissions in semiconductor processing
KR100575847B1 (ko) * 2005-04-29 2006-05-03 이앙구 반도체 및 평판디스플레이 설비의 부산물 포집방법
WO2007016226A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Cerdes Julius W Engine and method for removal of moisture from turbocharged intake air
US20070107595A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Myung-Soo Na Method and apparatus for collecting chemical compounds from semiconductor processing
US7628845B2 (en) * 2006-03-10 2009-12-08 Macronix International Co., Ltd. Filtering device and filtering method thereof and semiconductor fabricating method
JP2010504436A (ja) * 2006-09-22 2010-02-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 希釈ガスを再循環させるための粒子トラップ／フィルタを含むシステム及び方法
US20080072929A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 White John M Dilution gas recirculation
US20080072822A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 White John M System and method including a particle trap/filter for recirculating a dilution gas
JP5656184B2 (ja) 2006-11-22 2015-01-21 ソイテック 三塩化ガリウムの噴射方式
US20090223441A1 (en) * 2006-11-22 2009-09-10 Chantal Arena High volume delivery system for gallium trichloride
US9580836B2 (en) * 2006-11-22 2017-02-28 Soitec Equipment for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials
US9481943B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gallium trichloride injection scheme
EP2094406B1 (en) 2006-11-22 2015-10-14 Soitec Method, apparatus and gate valve assembly for forming monocrystalline group iii-v semiconductor material
WO2008064077A2 (en) 2006-11-22 2008-05-29 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
JP5575482B2 (ja) * 2006-11-22 2014-08-20 ソイテック 単結晶ｉｉｉ−ｖ族半導体材料のエピタキシャル堆積法、及び堆積システム
US9481944B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same
JP2011508428A (ja) * 2007-12-20 2011-03-10 エス． オー． アイ． テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ 半導体材料を大量生産するためのｉｎ−ｓｉｔｕチャンバ洗浄プロセスの方法
JP5461786B2 (ja) * 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
US20090314208A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Pedestal heater for low temperature pecvd application
JP5281146B2 (ja) * 2009-03-13 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法
US20100320187A1 (en) * 2009-06-17 2010-12-23 Drs Test & Energy Management, Llc Heat Sink and Thermal Plate Apparatus for Electronic Components
WO2011016223A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 キヤノンアネルバ株式会社 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法
WO2011057245A2 (en) * 2009-11-09 2011-05-12 Suturepro Technologies, Inc. Devices, systems and methods for meniscus repair
JP5254279B2 (ja) * 2010-06-29 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
US8486192B2 (en) 2010-09-30 2013-07-16 Soitec Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods
US8133806B1 (en) 2010-09-30 2012-03-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition
JP5171969B2 (ja) * 2011-01-13 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
ITPD20110076A1 (it) * 2011-03-09 2012-09-10 Mta Spa Apparato modulare di scambio termico per gas compressi
JP5728341B2 (ja) * 2011-09-13 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 排気トラップ
CN103975055B (zh) * 2011-10-10 2016-05-04 德国达斯其普信息与程序技术有限公司 包括生物反应器的生物技术装置、用于生物反应器的排出气体温度控制装置以及用于处理生物技术装置中的排出气流的方法
US8728240B2 (en) * 2012-05-02 2014-05-20 Msp Corporation Apparatus for vapor condensation and recovery
WO2014138638A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 M-I L.L.C. Demister for capturing moist fine particulates
CN105027269B (zh) * 2013-03-15 2018-01-12 应用材料公司 通过聚合物管理提高蚀刻系统的生产率
US20160186320A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Metal Industries Research And Development Centre Apparatus for continuously forming a film through chemical vapor deposition
JP2017183603A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 東芝メモリ株式会社 エピタキシャル成長装置
WO2019116082A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 Arcelormittal Vacuum deposition facility and method for coating a substrate
KR102583118B1 (ko) 2018-10-22 2023-09-25 오마크론 인텔렉튜얼 프로퍼티 아이엔씨. 공기 처리 장치
KR102274459B1 (ko) 2019-12-27 2021-07-07 한국기계연구원 플라즈마 세정장치 및 이를 구비한 반도체 공정설비
US20210404059A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Processing system and method of controlling conductance in a processing system
US11602707B2 (en) * 2020-09-25 2023-03-14 Toledo Molding & Die, Llc Pressure tank condensation separator
US20220170151A1 (en) * 2020-12-01 2022-06-02 Applied Materials, Inc. Actively cooled foreline trap to reduce throttle valve drift

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US809219A (en) * 1903-07-25 1906-01-02 Raoul Pierre Pictet Apparatus for dehydrating compressed gases.
US1316330A (en) * 1917-12-28 1919-09-16 P E Miller Gas-purifier.
US2386298A (en) * 1943-01-30 1945-10-09 Nat Res Corp Diffusion pump
US2487115A (en) * 1945-09-25 1949-11-08 Joseph L Dyke Air cleaner
US3963466A (en) * 1975-02-18 1976-06-15 Hynes William M Compressed gas drying apparatus
US4488887A (en) * 1983-10-17 1984-12-18 R. J. Reynolds Tobacco Company Cold trap
US5271963A (en) 1992-11-16 1993-12-21 Materials Research Corporation Elimination of low temperature ammonia salt in TiCl4 NH3 CVD reaction
AT398708B (de) * 1993-07-26 1995-01-25 Hiross Int Corp Bv Einrichtung zur verringerung des feuchtigkeitsgehalts eines gasförmigen mediums
US5451258A (en) 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
JP3246708B2 (ja) * 1995-05-02 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
US5820641A (en) * 1996-02-09 1998-10-13 Mks Instruments, Inc. Fluid cooled trap
US5928426A (en) * 1996-08-08 1999-07-27 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors
US6156107A (en) * 1996-11-13 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
JP3991375B2 (ja) * 1996-11-13 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
US5912368A (en) * 1998-03-30 1999-06-15 Ford Motor Company Air filter assembly for automotive fuel vapor recovery system
US6206971B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422064A (zh) * 2009-05-07 2012-04-18 应用材料公司 遮蔽的闸阀
CN102422064B (zh) * 2009-05-07 2015-11-25 应用材料公司 遮蔽的闸阀
JP2014159630A (ja) * 2013-01-17 2014-09-04 Air Products And Chemicals Inc 六フッ化タングステンの回収及び再利用のためのシステム及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6206971B1 (en) 2001-03-27
US20010004879A1 (en) 2001-06-28
KR100706582B1 (ko) 2007-04-11
US6517592B2 (en) 2003-02-11
TW452861B (en) 2001-09-01
KR20010014648A (ko) 2001-02-26
US20010050053A1 (en) 2001-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000315659A (ja) 温度制御式排気及びコールドトラップ一体化アセンブリ
CN110709974B (zh) 用于将液体和固体流出物收集并随后反应成气体流出物的设备
JP6119060B2 (ja) ガス流分布が改善された熱反応器
US6202656B1 (en) Uniform heat trace and secondary containment for delivery lines for processing system
JP3125207B2 (ja) 真空処理装置
US20150168059A1 (en) Methods and apparatus for drying electronic devices
JP2008535642A (ja) トラップ装置
KR19990063409A (ko) 열처리장치
TWI453297B (zh) 捕捉裝置
US5704214A (en) Apparatus for removing tramp materials and method therefor
US20020100417A1 (en) Heating-type trap device and film-deposition apparatus
EP1030089A2 (en) Method and apparatus for removing processing liquid from a processing liquid path
US7044997B2 (en) Process byproduct trap, methods of use, and system including same
US6821378B1 (en) Pump baffle and screen to improve etch uniformity
JP4621373B2 (ja) 半導体ウェーハ処理チャンバーから装置をシールドするための装置
US20060249702A1 (en) Isolation valve for energetic and high temperature gases
JP6875048B2 (ja) 真空ポンプ、真空ポンプの冷却装置、真空ポンプの冷却方法、真空排気システム、及び、真空ポンプのメンテナンス方法
TW202334476A (zh) 用於將膜沉積至粒子上的旋轉反應器
JP4576230B2 (ja) 基板処理装置
JPH07135182A (ja) 熱処理装置
JP2007260557A (ja) オゾンガス分解装置および処理システム
JP2001004505A (ja) ゲートバルブ，それを備える試料処理装置及び試料処理方法
KR100858046B1 (ko) 반도체 제조장비용 트랩
JP2003093867A (ja) 真空成膜装置
JPH0532902B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070605