JP3831113B2 - 真空ポンプ - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スクリュウロータ形式のドライ真空ポンプに関するものであり、例えば、半導体製造装置等に使用され、プロセスガスの反応からポンプ内部に生成物が体積するハードプロセスに対して好適なドライ真空ポンプに関する。
【0002】
【従来の技術】
図5は真空ポンプの構造を示す縦断面図であり、ポンプケーシングは、主ケーシング1と、主ケーシング1の右端面に取付られる吸入側サイドケース2と、主ケーシング1の左端面に取付られる吐出側サイドケース3と、吐出側サイドケース3の左側に取付られるギヤケース4により構成され、ギヤケース4の左端面にモータ5が取付られる。
【0003】
主ケーシング1には、長手方向を貫通する内筒部1aと、外部から内筒部1aの右側に連通する吸入口6と、主ケーシング1の外壁面を冷却する冷却水室7が設けられる。
内筒部1aには、相互に噛み合った2本のスクリューロータ8(図5では1本のみを示す)が収容される。
【0004】
吸入側サイドケース2に設けられた2つの孔にそれぞれ軸受函9(図5では1個のみを示す)が嵌着され、軸受函9の内部に設けられたベアリング10に、2本のスクリューロータ8の右端部の軸部8aが回転可能に支承される。
吐出側サイドケース3に設けられた2つの孔にそれぞれ軸受函11(図5では1個のみを示す)が嵌着され、軸受函11の内部に設けられたベアリング12に、2本のスクリューロータ8の左端部の軸部8aが回転可能に支承される。
【0005】
2本のスクリューロータ8は、内筒部1aに収容され相互に噛み合う歯形部8bを有し、一方のスクリューロータ8は駆動側のスクリューロータであり、その左側の軸部8aの外面にタイミングギヤ24が嵌着され、その左側に挿着されたカプリング25がモータ5の出力軸5aに連結される。
他方の従動側のスクリューロータ8の左側の軸部8aには、タイミングギヤ24に噛み合うタイミングギヤ(図示しない)が設けられる。
スクリューロータ8が回転すると、吸入口6から吸引した流体(ガス)が吐出口13より送出される。
【0006】
真空ポンプは運転による発熱のために高温になり、軸封のオイルシールやリップシール並びにスクリュウロータの両端部を支承する軸受が高熱のために損傷したり、熱膨張によりスクリュウロータに焼付きが起こる等の不具合が生じるので冷却水による水冷が不可欠である。
従って、吐出側サイドケース3には、内筒部1aに連通する吐出口13が設けられ、吐出側サイドケース3の外壁面を冷却する冷却水室19が設けられる。
ギヤケース4は筒状であり、外壁面に冷却水室14が設けられ、モータ5の外壁面に冷却水室15が設けられる。
【0007】
真空ポンプの冷却水の流れは、図6に示すように、冷却水供給管16からモータ5の冷却水室15に供給されてモータ5を冷却した後に、接続管17を経由してギヤケース4の冷却水室14に送られてギヤケース4を冷却する。
ギヤケース4を冷却した冷却水は、接続管18を経由して吐出側サイドケース3の冷却水室19に送られ、吐出側サイドケース3を冷却した後に、接続管20を経由して主ケーシング1の冷却水室7に送られ、主ケーシング1を冷却した後に、接続管21を経由して吸入側サイドケース2の冷却水室22に送られ、吸入側サイドケース2を冷却した後に、排出管23より排出される。
このようにして、運転による発生熱が除去される。
【0008】
半導体製造プロセスで使用されるドライ真空ポンプは、一般に、到達真空度が1Pa(10-3Torrオーダ)程の真空度が必要とされ、体気圧放出の場合の圧縮は105 オーダの圧縮比を必要とするので、大量の圧縮熱が発生する。
従って、一般の真空ポンプと同様に冷却水による水冷は不可欠であるが、次のような課題が残されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ドライ真空ポンプのケーシングを冷却すると、主ケーシング1を内を流れるプロセスガスが簡単に冷却されてしまい、ガス中に含まれるALcL,NH3 CL等が固化して内筒部1aやスクリューロータ8に付着し、スクリューロータ8相互間の隙間およびスクリューロータ8と内筒部1aとの隙間が無くなり、回転不能になる事態が発生する。
【0010】
真空ポンプは半導体の製造段階で種々の用途に使用され、例えば、生成物が発生しない一般にクリーンと言われるプロセスを扱うロードロック用,スパッタリング用はライトプロセス用と言われており、この場合には従来技術で何ら問題は発生しないが、ウエハ上に薄膜を形成するCVD(Chemical Vapour Deposition)の中のNitride,Teosといったものや、Etching工程のALエッチングでは生成物が発生する。
【0011】
例えば、Nitride では
SiH2 CL + NH3 → Si3 N4 + NH4 CL
アルミエッチングでは
AL + CL2 → ALCL2
の反応で出来るNH4 CL,ALCL2 の固形物が付着する。
NH4 CLは、大気圧状態で、180℃以上になると固体からガスに昇華し、NH3 CLは338℃前後で昇華する。
【0012】
真空状態ではガスが希薄であり、生成物が発生しないので、N2 を真空度を破壊しない吐出側のスクリューロータにパージして生成物の発生を防止する方法も採られているが充分ではない。
又、ライトプロセスとハードプロセスとを同じ半導体プロセスを扱う場所で、種類の異なる真空ポンプを準備し、必要に応じて切り換えて扱うことは管理上からも大変である。
【0013】
本発明は、N2 のパージ方法に加熱する方法を併用するもので、加熱方法も、従来からある電気ヒータ等で加熱するのではなく、真空ポンプ運転時の圧縮熱を制御して生成物の発生を抑制するものであり、且つ、1台の真空ポンプをワンタッチでライトプロセス用,ハードプロセス用に使い分けられる便利なドライ真空ポンプを提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、
相互に噛み合うスクリューロータを収容する内筒部と、該内筒部の一側および他側に連通する吸入口及び吐出口とを有し、外壁面に冷却水室が設けられる主ケーシングと、該主ケーシングの一側に取付られ、外壁面に冷却水室が設けられる吸入側サイドケースと、上記主ケーシングの他側に取付られ、外壁面に冷却水室が設けられる吐出側サイドケースとを有する真空ポンプにおいて、
該吐出側サイドケースの冷却水室と上記主ケースの冷却水室とを連通する冷却水通路を設け、上記吐出側サイドケースの冷却水室の冷却水出口管を三方弁の入口に接続し、該三方弁の切替口を上記主ケースの冷却水室に接続し、上記三方弁の出口を上記吸入側サイドケースの冷却水室に接続し、吸入側サイドケースの冷却水室に接続する冷却水排出管に弁を設けた。
【0015】
上記冷却水排出管に設けられる弁は絞り弁とするとよい。
上記主ケーシングの温度が所定温度以上に上昇したことを検知する温度センサと、該温度センサの検知信号により、上記絞り弁の絞り操作を警告する警報装置を設けることができる。
或いは、上記主ケーシングの温度が所定温度以上に上昇したことを検知する温度センサと、該温度センサの検知信号により、上記絞り弁の絞りを自動的に行う制御装置を設けることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態の具体例を図面を参照して説明する。
図1は本発明のドライ真空ポンプの正面図、図2は図1の横断面図、図3は図1のX−X断面図、図4は冷却水の配管を説明する図面である。
ドライ真空ポンプの構造は従来例と同様であるので、主要部品には従来例と同一符号を付してその詳細説明を省略し、従来例との相違点のみを説明する。
【0017】
吐出側サイドケース3の冷却水室14と主ケーシング1の冷却水室7とを連通する冷却水通路26を設け、吐出側サイドケース3の冷却水室14に接続した冷却水出口管27を三方弁28の入口28aに接続する。
三方弁28の切替口28bに接続した管路29の端部を主ケーシング1の冷却水室7に接続し、三方弁28の出口28cに接続した管路30を吸入側サイドケース2の冷却水室22に接続し、冷却水室22に接続する冷却水排出管31に、冷却水の背圧を調整する絞り弁32を設ける。
【0018】
三方弁28の切替,絞り弁32の操作を手動で行う場合には、主ケーシング1の温度が所定温度以上に上昇したことを温度センサ(図示しない)が検知したときに、警報を発する警報装置(図示しない)を設ける。
三方弁28の切替,絞り弁32の操作を自動で行う場合には、温度センサの検知信号により、三方弁28の切替と絞り弁32の制御を行う制御装置を設ける。
【0019】
以上のように構成されたドライ真空ポンプの作用を、ライトプロセス使用時とハードプロセス使用時の順に説明する。
ライトプロセスの場合には、三方弁28の切替口28bを開き、入口28aを閉鎖した状態である。
このときの冷却水の流れは、冷却水供給管16,モータ5の冷却水室15,接続管17,ギヤケース4の冷却水室14,接続管18,吐出側サイドケース3の冷却室19の順に流れ、更に、冷却水通路26を通って主ケーシング1の冷却水室7に流れる。
【0020】
従って、主ケーシング1が冷却され、主ケーシング1を流れるガス温度は150℃前後になる。
冷却水室7を通過した冷却水は、管路29内を矢印F方向に流れ、三方弁28の切替口28bを経由して矢印Gで示すように管路30に流れ、管路30より吸入側サイドケース2の冷却水室22を通過し、冷却水排出管31より排出される。
【0021】
ハードプロセスを行うときには、三方弁28の切替口28bを閉じ、入口28aを開く。
これによって、冷却水は 吐出側サイドケース3の冷却室19から冷却水出口管27を通過し、矢印Hで示すように三方弁28の入口28aを経由して管路30に流れる。
主ケーシング1の冷却水室7内に停滞している水は、内筒部1a内のガスの圧縮熱によって100℃に上昇すると、蒸発が始まって冷却水室7内の圧力が上昇し、上昇圧分だけ冷却水通路26(図3参照)を通過して吐出側サイドケース3の冷却室19に浸入し、吐出側サイドケース3内の冷却水に混入する。
【0022】
このとき、絞り弁32を閉めて圧損を加えると、冷却水室7内の蒸気圧温度は100℃より更に高温になるので、主ケーシング1の温度を上昇させることができる。
主ケーシング1の温度を100〜120度に加熱することにより、主ケーシング1内の吐出ガス温度を350℃付近にコントロールすることができる。
ガス内に含まれるNH4 CL,ALCL2 等の昇華温度は350℃以下(760Torrにおいて)であるので、生成物が主ケーシング1内部で固化することはなく、従って、生成物の堆積によって運転が停止する問題は生じない。
【0023】
又、絞り弁32の調整により主ケーシング1の温度を必要以上に上昇させることを防止できるので、過度の加熱により真空ポンプの寿命を縮めたり、火傷をする危険性を防止することができる。
【0024】
主ケーシング1の冷却水室7内に、冷却水室7の内部温度が所定温度以上になったことを検知する温度センサ(図示しない)を設け、この温度センサの検知信号で警報を発する警報装置を設けておけば、警報を受けた運転員が絞り弁32を操作することにより、主ケーシング1内の吐出ガス温度を350℃付近にコントロールすることができる。
センサの検知信号を受けて絞り弁の開閉機構を自動的に制御する制御装置を設けらると、この運転員の手動絞り弁操作を自動化することができる。
【0025】
【発明の効果】
本発明は、以上述べたように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
(1) 本発明のドライ真空ポンプは、三方弁を切り換えることにより、ライトプロセス用とハードプロセス用に兼用することができる。
(2) ハードプロセスと使用する場合には、絞り弁の開度を調整して冷却水の背圧を調節し、ケーシング温度をコントロールすることができる。
ケーシング温度を適正温度にコントロールすることにより、生成物の堆積を防止することが可能になると共に、真空ポンプの過度の温度上昇を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のドライ真空ポンプの正面図である。
【図2】図1の横断面図である。
【図3】図1のX−X断面図である。
【図4】冷却水の配管を説明する図面である。
【図5】真空ポンプの内部構造を示す横断面図である。
【図6】従来の真空ポンプの冷却水の配管を説明する図面である。
【符号の説明】
1 主ケーシング
1a 内筒部
3 吐出側サイドケース
6 吸入口
7 冷却水室
8 スクリューロータ
14,15, 冷却水室
16 冷却水供給管
17,18 接続管
19,22 冷却水室
20,21 接続管
26 冷却水通路
27 冷却水出口管
28 三方弁
30 管路
31 冷却水排出管
32 絞り弁
【発明の属する技術分野】
本発明は、スクリュウロータ形式のドライ真空ポンプに関するものであり、例えば、半導体製造装置等に使用され、プロセスガスの反応からポンプ内部に生成物が体積するハードプロセスに対して好適なドライ真空ポンプに関する。
【0002】
【従来の技術】
図5は真空ポンプの構造を示す縦断面図であり、ポンプケーシングは、主ケーシング1と、主ケーシング1の右端面に取付られる吸入側サイドケース2と、主ケーシング1の左端面に取付られる吐出側サイドケース3と、吐出側サイドケース3の左側に取付られるギヤケース4により構成され、ギヤケース4の左端面にモータ5が取付られる。
【0003】
主ケーシング1には、長手方向を貫通する内筒部1aと、外部から内筒部1aの右側に連通する吸入口6と、主ケーシング1の外壁面を冷却する冷却水室7が設けられる。
内筒部1aには、相互に噛み合った2本のスクリューロータ8(図5では1本のみを示す)が収容される。
【0004】
吸入側サイドケース2に設けられた2つの孔にそれぞれ軸受函9(図5では1個のみを示す)が嵌着され、軸受函9の内部に設けられたベアリング10に、2本のスクリューロータ8の右端部の軸部8aが回転可能に支承される。
吐出側サイドケース3に設けられた2つの孔にそれぞれ軸受函11(図5では1個のみを示す)が嵌着され、軸受函11の内部に設けられたベアリング12に、2本のスクリューロータ8の左端部の軸部8aが回転可能に支承される。
【0005】
2本のスクリューロータ8は、内筒部1aに収容され相互に噛み合う歯形部8bを有し、一方のスクリューロータ8は駆動側のスクリューロータであり、その左側の軸部8aの外面にタイミングギヤ24が嵌着され、その左側に挿着されたカプリング25がモータ5の出力軸5aに連結される。
他方の従動側のスクリューロータ8の左側の軸部8aには、タイミングギヤ24に噛み合うタイミングギヤ(図示しない)が設けられる。
スクリューロータ8が回転すると、吸入口6から吸引した流体(ガス)が吐出口13より送出される。
【0006】
真空ポンプは運転による発熱のために高温になり、軸封のオイルシールやリップシール並びにスクリュウロータの両端部を支承する軸受が高熱のために損傷したり、熱膨張によりスクリュウロータに焼付きが起こる等の不具合が生じるので冷却水による水冷が不可欠である。
従って、吐出側サイドケース3には、内筒部1aに連通する吐出口13が設けられ、吐出側サイドケース3の外壁面を冷却する冷却水室19が設けられる。
ギヤケース4は筒状であり、外壁面に冷却水室14が設けられ、モータ5の外壁面に冷却水室15が設けられる。
【0007】
真空ポンプの冷却水の流れは、図6に示すように、冷却水供給管16からモータ5の冷却水室15に供給されてモータ5を冷却した後に、接続管17を経由してギヤケース4の冷却水室14に送られてギヤケース4を冷却する。
ギヤケース4を冷却した冷却水は、接続管18を経由して吐出側サイドケース3の冷却水室19に送られ、吐出側サイドケース3を冷却した後に、接続管20を経由して主ケーシング1の冷却水室7に送られ、主ケーシング1を冷却した後に、接続管21を経由して吸入側サイドケース2の冷却水室22に送られ、吸入側サイドケース2を冷却した後に、排出管23より排出される。
このようにして、運転による発生熱が除去される。
【0008】
半導体製造プロセスで使用されるドライ真空ポンプは、一般に、到達真空度が1Pa(10-3Torrオーダ)程の真空度が必要とされ、体気圧放出の場合の圧縮は105 オーダの圧縮比を必要とするので、大量の圧縮熱が発生する。
従って、一般の真空ポンプと同様に冷却水による水冷は不可欠であるが、次のような課題が残されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ドライ真空ポンプのケーシングを冷却すると、主ケーシング1を内を流れるプロセスガスが簡単に冷却されてしまい、ガス中に含まれるALcL,NH3 CL等が固化して内筒部1aやスクリューロータ8に付着し、スクリューロータ8相互間の隙間およびスクリューロータ8と内筒部1aとの隙間が無くなり、回転不能になる事態が発生する。
【0010】
真空ポンプは半導体の製造段階で種々の用途に使用され、例えば、生成物が発生しない一般にクリーンと言われるプロセスを扱うロードロック用,スパッタリング用はライトプロセス用と言われており、この場合には従来技術で何ら問題は発生しないが、ウエハ上に薄膜を形成するCVD(Chemical Vapour Deposition)の中のNitride,Teosといったものや、Etching工程のALエッチングでは生成物が発生する。
【0011】
例えば、Nitride では
SiH2 CL + NH3 → Si3 N4 + NH4 CL
アルミエッチングでは
AL + CL2 → ALCL2
の反応で出来るNH4 CL,ALCL2 の固形物が付着する。
NH4 CLは、大気圧状態で、180℃以上になると固体からガスに昇華し、NH3 CLは338℃前後で昇華する。
【0012】
真空状態ではガスが希薄であり、生成物が発生しないので、N2 を真空度を破壊しない吐出側のスクリューロータにパージして生成物の発生を防止する方法も採られているが充分ではない。
又、ライトプロセスとハードプロセスとを同じ半導体プロセスを扱う場所で、種類の異なる真空ポンプを準備し、必要に応じて切り換えて扱うことは管理上からも大変である。
【0013】
本発明は、N2 のパージ方法に加熱する方法を併用するもので、加熱方法も、従来からある電気ヒータ等で加熱するのではなく、真空ポンプ運転時の圧縮熱を制御して生成物の発生を抑制するものであり、且つ、1台の真空ポンプをワンタッチでライトプロセス用,ハードプロセス用に使い分けられる便利なドライ真空ポンプを提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、
相互に噛み合うスクリューロータを収容する内筒部と、該内筒部の一側および他側に連通する吸入口及び吐出口とを有し、外壁面に冷却水室が設けられる主ケーシングと、該主ケーシングの一側に取付られ、外壁面に冷却水室が設けられる吸入側サイドケースと、上記主ケーシングの他側に取付られ、外壁面に冷却水室が設けられる吐出側サイドケースとを有する真空ポンプにおいて、
該吐出側サイドケースの冷却水室と上記主ケースの冷却水室とを連通する冷却水通路を設け、上記吐出側サイドケースの冷却水室の冷却水出口管を三方弁の入口に接続し、該三方弁の切替口を上記主ケースの冷却水室に接続し、上記三方弁の出口を上記吸入側サイドケースの冷却水室に接続し、吸入側サイドケースの冷却水室に接続する冷却水排出管に弁を設けた。
【0015】
上記冷却水排出管に設けられる弁は絞り弁とするとよい。
上記主ケーシングの温度が所定温度以上に上昇したことを検知する温度センサと、該温度センサの検知信号により、上記絞り弁の絞り操作を警告する警報装置を設けることができる。
或いは、上記主ケーシングの温度が所定温度以上に上昇したことを検知する温度センサと、該温度センサの検知信号により、上記絞り弁の絞りを自動的に行う制御装置を設けることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態の具体例を図面を参照して説明する。
図1は本発明のドライ真空ポンプの正面図、図2は図1の横断面図、図3は図1のX−X断面図、図4は冷却水の配管を説明する図面である。
ドライ真空ポンプの構造は従来例と同様であるので、主要部品には従来例と同一符号を付してその詳細説明を省略し、従来例との相違点のみを説明する。
【0017】
吐出側サイドケース3の冷却水室14と主ケーシング1の冷却水室7とを連通する冷却水通路26を設け、吐出側サイドケース3の冷却水室14に接続した冷却水出口管27を三方弁28の入口28aに接続する。
三方弁28の切替口28bに接続した管路29の端部を主ケーシング1の冷却水室7に接続し、三方弁28の出口28cに接続した管路30を吸入側サイドケース2の冷却水室22に接続し、冷却水室22に接続する冷却水排出管31に、冷却水の背圧を調整する絞り弁32を設ける。
【0018】
三方弁28の切替,絞り弁32の操作を手動で行う場合には、主ケーシング1の温度が所定温度以上に上昇したことを温度センサ(図示しない)が検知したときに、警報を発する警報装置(図示しない)を設ける。
三方弁28の切替,絞り弁32の操作を自動で行う場合には、温度センサの検知信号により、三方弁28の切替と絞り弁32の制御を行う制御装置を設ける。
【0019】
以上のように構成されたドライ真空ポンプの作用を、ライトプロセス使用時とハードプロセス使用時の順に説明する。
ライトプロセスの場合には、三方弁28の切替口28bを開き、入口28aを閉鎖した状態である。
このときの冷却水の流れは、冷却水供給管16,モータ5の冷却水室15,接続管17,ギヤケース4の冷却水室14,接続管18,吐出側サイドケース3の冷却室19の順に流れ、更に、冷却水通路26を通って主ケーシング1の冷却水室7に流れる。
【0020】
従って、主ケーシング1が冷却され、主ケーシング1を流れるガス温度は150℃前後になる。
冷却水室7を通過した冷却水は、管路29内を矢印F方向に流れ、三方弁28の切替口28bを経由して矢印Gで示すように管路30に流れ、管路30より吸入側サイドケース2の冷却水室22を通過し、冷却水排出管31より排出される。
【0021】
ハードプロセスを行うときには、三方弁28の切替口28bを閉じ、入口28aを開く。
これによって、冷却水は 吐出側サイドケース3の冷却室19から冷却水出口管27を通過し、矢印Hで示すように三方弁28の入口28aを経由して管路30に流れる。
主ケーシング1の冷却水室7内に停滞している水は、内筒部1a内のガスの圧縮熱によって100℃に上昇すると、蒸発が始まって冷却水室7内の圧力が上昇し、上昇圧分だけ冷却水通路26(図3参照)を通過して吐出側サイドケース3の冷却室19に浸入し、吐出側サイドケース3内の冷却水に混入する。
【0022】
このとき、絞り弁32を閉めて圧損を加えると、冷却水室7内の蒸気圧温度は100℃より更に高温になるので、主ケーシング1の温度を上昇させることができる。
主ケーシング1の温度を100〜120度に加熱することにより、主ケーシング1内の吐出ガス温度を350℃付近にコントロールすることができる。
ガス内に含まれるNH4 CL,ALCL2 等の昇華温度は350℃以下(760Torrにおいて)であるので、生成物が主ケーシング1内部で固化することはなく、従って、生成物の堆積によって運転が停止する問題は生じない。
【0023】
又、絞り弁32の調整により主ケーシング1の温度を必要以上に上昇させることを防止できるので、過度の加熱により真空ポンプの寿命を縮めたり、火傷をする危険性を防止することができる。
【0024】
主ケーシング1の冷却水室7内に、冷却水室7の内部温度が所定温度以上になったことを検知する温度センサ(図示しない)を設け、この温度センサの検知信号で警報を発する警報装置を設けておけば、警報を受けた運転員が絞り弁32を操作することにより、主ケーシング1内の吐出ガス温度を350℃付近にコントロールすることができる。
センサの検知信号を受けて絞り弁の開閉機構を自動的に制御する制御装置を設けらると、この運転員の手動絞り弁操作を自動化することができる。
【0025】
【発明の効果】
本発明は、以上述べたように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
(1) 本発明のドライ真空ポンプは、三方弁を切り換えることにより、ライトプロセス用とハードプロセス用に兼用することができる。
(2) ハードプロセスと使用する場合には、絞り弁の開度を調整して冷却水の背圧を調節し、ケーシング温度をコントロールすることができる。
ケーシング温度を適正温度にコントロールすることにより、生成物の堆積を防止することが可能になると共に、真空ポンプの過度の温度上昇を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のドライ真空ポンプの正面図である。
【図2】図1の横断面図である。
【図3】図1のX−X断面図である。
【図4】冷却水の配管を説明する図面である。
【図5】真空ポンプの内部構造を示す横断面図である。
【図6】従来の真空ポンプの冷却水の配管を説明する図面である。
【符号の説明】
1 主ケーシング
1a 内筒部
3 吐出側サイドケース
6 吸入口
7 冷却水室
8 スクリューロータ
14,15, 冷却水室
16 冷却水供給管
17,18 接続管
19,22 冷却水室
20,21 接続管
26 冷却水通路
27 冷却水出口管
28 三方弁
30 管路
31 冷却水排出管
32 絞り弁
Claims (4)
- 相互に噛み合うスクリューロータを収容する内筒部と、該内筒部の一側および他側に連通する吸入口及び吐出口とを有し、外壁面に冷却水室が設けられる主ケーシングと、該主ケーシングの一側に取付られ、外壁面に冷却水室が設けられる吸入側サイドケースと、上記主ケーシングの他側に取付られ、外壁面に冷却水室が設けられる吐出側サイドケースとを有する真空ポンプにおいて、
該吐出側サイドケースの冷却水室と上記主ケースの冷却水室とを連通する冷却水通路を設け、上記吐出側サイドケースの冷却水室の冷却水出口管を三方弁の入口に接続し、該三方弁の切替口を上記主ケースの冷却水室に接続し、上記三方弁の出口を上記吸入側サイドケースの冷却水室に接続し、吸入側サイドケースの冷却水室に接続する冷却水排出管に弁を設けたことを特徴とする真空ポンプ。 - 上記冷却水排出管に設けられる弁は絞り弁であることを特徴とする請求項1記載の真空ポンプ。
- 上記主ケーシングの温度が所定温度以上に上昇したことを検知する温度センサと、該温度センサの検知信号により、上記絞り弁の絞り操作を警告する警報装置を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載の真空ポンプ。
- 上記主ケーシングの温度が所定温度以上に上昇したことを検知する温度センサと、該温度センサの検知信号により、上記絞り弁の絞りを自動的に行う制御装置を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載の真空ポンプ。
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