JP4621373B2 - 半導体ウェーハ処理チャンバーから装置をシールドするための装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ処理チャンバーに関し、より詳細には、半導体ウェーハ処理チャンバー内に発生した熱エネルギーからポンプのような装置をシールドするため熱シールドに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体処理システムの処理チャンバーで半導体ウェーハを処理するために十分な真空を作り出すため、第1及び第2ステージのポンプダウンが行われる。一般に、第1段階では、チャンバーは空気を抜かれ、第1真空レベルに導かれる。大部分の空気がチャンバーから除去され、真空が確立され、第2段階が開始される。第2段階の間、低温ポンプ(通常、クライオポンプと呼ばれる)が使用され、処理チャンバー内に高真空レベルを達成する。クライオポンプを使用し、高真空度を達成するシステムは、10−9トルのオーダーで、ベース圧力(すなわち、充填する意図なくガスをスパッタリングする)を要求する物理的気相成長法(PVD)システムを含み、最適処理条件及び処理性能を得る。
【0003】
一般に、クライオポンプは、第1段階のポンプダウンの後、チャンバー雰囲気内に残っている分子及び他のガスを除去することによりチャンバー内に高真空度を発生させる。一般に、クライオポンプは複数の羽根配列を備えている。各配列のそれぞれの羽根は、低温度において、ポンピング処理の間に羽根と接触するようになる分子及び他のガスを吸収する材料から製作される。有限数の分子だけがクライオポンプにより吸収可能であり、容量ポンプをチャンバー雰囲気以外の源からのローディングに敏感にさせる。処理地点で、好ましくは、かなり多数のウェーハが真空雰囲気で処理された後、クライオポンプは加熱され、ポンピングの間に吸収され収集された分子及び他のガスを排出、すなわち、吸収又は排気する。一般に述べられているように、クライオポンプは冷却時にガスを吸収し、その後、クライオポンプがガスを吸収する温度に達するまで、クライオポンプの温度が増加するに連れて、ガスを吸収する能力を徐々に失う。そのように、ポンプの温度は、高真空度を達成すると共に維持するクライオポンプの能力に直接影響を及ぼす(クライオポンプは高真空度を有効に達成するため冷却状態のままでなければならない)。
【0004】
通常、クライオポンプはエルボー管を介して処理チャンバーの出入口に接続されている。エルボー管は、チャンバー内のランプ、台ヒータ、プラズマ及び他の熱源によりチャンバー内で生じた熱からクライオポンプを保護するように機能する。エルボー管は、クライオポンプをチャンバーからの加熱効果があまりひどくないチャンバーから一定の距離に置くことによりクライオポンプを断熱する。さらに、管のエルボー形状は、出入口を通ってチャンバーを出る放射エネルギーの直接の範囲外にクライオポンプを置く。出入口はまた、通常、シールドに取付けられ、処理チャンバー内に発生した放射エネルギーを反射する。
【0005】
処理チャンバーが半導体ウェーハを処理するために使用される前、チャンバーは「焼出し」として公知な処理を経験し、チャンバーはランプにより加熱され、チャンバー内部に晒された表面から揮発分子を吸収すると共に蒸発される。これらの分子の除去は、高真空度を達成すると共にチャンバー内に処理された基板の汚染を最小にするために重要である。
【0006】
一度、揮発分子がチャンバーから汲み出されると、チャンバーは冷却期間として公知な一定期間に亘り公称温度まで冷却される。焼出しと冷却の両方のサイクルが完了した後、チャンバーが8×10−9から5×10−9トルのオーダの真空度を達成すると共に維持することができる時、チャンバーはウェーハを処理する資格があると考えられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
高真空度を達成すると共に維持する困難性の一因となるクライオポンプを使用するシステムにおいて、複数の問題が認められる。1つの問題は、揮発性物質及びエルボー管からの他の汚染物資を吸収する困難性である。チャンバー及びクライオポンプの中間のエルボー管の位置は、焼出しの間にエルボー表面からの汚染物質を除去するために要求されるエルボー表面の加熱を妨げる。結果として、エルボー管は、高真空度が達成される前にクライオポンプに負荷を掛ける材料を除気してもよく、すなわち、チャンバー表面の除気がかなり低い割合に達する時に、それはかなり高い割合で除気し続けてもよい。その上さらに、エルボー管の湾曲した外形は、出入口を通ってチャンバーを出る時に、分子及び他の汚染物質をエルボー管の内部に衝突させる。これらの分子及び汚染物質は後に取り除かれ、クライオポンプが所望の真空レベルに達することができないようにさせ、又は除気されたエルボー材料からクライオポンプの分子ローディングのため、真空圧力をドリフトさせる。
【0008】
別の問題は、熱シールドが通常、アルミニウム製であることである。アルミニウムの熱シールドは急速に熱くなり、結局、ポンプにシールドが近接しているため、クライオポンプに対する熱源になる。アルミニウムシールド内の流体路、又は冷却のためのシールド取付フランジは、流体が漏出した場合に真空雰囲気内に置かれた流体路が破滅的なチャンバー汚染となるから、嫌われている。
【0009】
これらの問題は統合し、チャンバーの焼出しの間の長い制限回数の要因となり、クライオポンプの性能を抑制し、高真空度レベルに達すると共にそれを維持する。これは、ツール性能を減少させ、その結果、製造スループットを低減させると共に製造コストを減少させる。
【0010】
そのため、当技術分野において、半導体ウェーハ処理チャンバー内に生じた熱エネルギーからポンプをシールドすることによりクライオポンプの性能を向上させる熱シールドのための必要性がある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
従来技術に関連した不利益は、クライオポンプのような装置の入口に配置された本発明の装置により克服され、半導体ウェーハ処理システムの処理チャンバーからクライオポンプをシールドする。特に、その装置は取付フランジに結合されたシールド部材を備えている。取付フランジはシール領域の外側に置かれた流体路を備え、シールの失敗が処理チャンバーの汚染とならないようになっている。
流体路は流体を流すようになっており、シールド部材間で熱を伝達する。
【0012】
本発明の1つの特徴では、発明の装置は処理チャンバー内で発生した熱エネルギーを反射し、熱シールドにより吸収された熱エネルギーを熱搬送流体に伝える。したがって、発明のシールドはクライオポンプをチャンバーの近くに取付させ、クライオポンプの効率を増加させることによりチャンバー内を高真空度に維持することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の教示は、添付した図面と関連させて以下の詳細な説明を考えることにより容易に理解できる。
【0014】
理解の容易のため、図面に共通の同一要素を示すため、可能な場合、同一の参照数字が使用されている。
【0015】
図1は、半導体ウェーハ処理システム100に組込まれた本発明の熱シールド体118を示す簡略化された概略図である。本発明は、効果的に、半導体処理システム100の処理チャンバー116内で発生した熱エネルギーから設備をシールドする。本発明は、一般に、半導体ウェーハ処理システムの真空チャンバーに適用可能であり、例えば、物理的気相成長チャンバー(PVD)又はスパッタリングチャンバー、化学的気相成長チャンバー(CVD)、装置の熱シールドが所望される高温度チャンバー(HTC)及び他のチャンバーを備えている。
【0016】
例として、図1はPVD又はスパッタリングシステム100を概略的に示している。システム100は、低温ポンプ(クライオポンプ)190、ラフポンプ体140、処理チャンバー116、熱シールド体118及び流体源176を備えている。
【0017】
例示の処理チャンバー106はチャンバー壁114及びターゲット板116を含んでいる。ターゲット板106はチャンバー壁114の頂部に配置され、処理チャンバー116を囲っている。板106は環状絶縁物(図示せず)によりチャンバー壁から電気的に絶縁されている。一般に、チャンバー116内に完全な真空を保証するため、Oリング(図示せず)が絶縁物の上方及び下方に使用され、真空シールを供給する。ターゲット板106は堆積材料となる材料製であってもよく、又は堆積材料の被覆を含んでいてもよい。スパッタリング処理を容易にするため、高電圧のDC電源102がターゲット106とチャンバー壁114の間に接続されている。
【0018】
チャンバー壁114及びターゲット106はチャンバー容量117を規定する。チャンバー壁114はさらに第1出入口108及び第2出入口111を備えている。第1出入口108はラフポンプ体140になめらかに結合されている。ラフポンプ体140は、通常、シャットオフバルブ144及びラフポンプ142を備えている。シャットオフバルブ144はラフポンプ142と第1出入口108との間に結合されている。シャットオフバルブ144が始動され、例えば、チャンバー116内で第1レベルの真空度が達せられると、チャンバー容量117からラフポンプを絶縁する。
【0019】
第2出入口111はクライオポンプ190と流体が連通するチャンバー容量に配列される。シャットオフバルブ185は第2出入口111とクライオポンプ190の間に結合されている。シャットオフバルブ185は、ポンプが使用されていない時、クライオポンプ190を絶縁する。
【0020】
台135はチャンバー116内に配置され、基板120を保持すると共に支持する。台135は、加熱されてもよいが、エレベータシステム(図示せず)により昇降され、ターゲット板106に対して基板120を配置する。
【0021】
シールド体118は処理チャンバー116の第2出入口の近くに配置され、クライオポンプ190をシールドする。代わりに、シールド体は、プローブ、センサー等のような、温度に敏感な他の装置をシールドするために使用されてもよい。シールド体118は支持部材204により熱シールド206に結合された取付部分202を備えている。取付部分202はチャンバー壁114に接続され、熱シールドはチャンバー容量117内に配置されている。
【0022】
図2はシールド体118の分解斜視図を示している。第1の実施例に取付フランジとして示されている取付部分202は、通常、熱伝導材料、例えば、銅製である。一般に、好適な実施例では、取付部分202は通常は環状のリングを備え、そのリングはそれが第1表面210及び対向する第2表面と取付けられるチャンバー開口部と同じ円周外形を有するように構成されている。複数の取付孔208はボルト回りに均等に間隔を置いた取付部分202を通過する。溝216は、内面及び外面の両面に、取付孔208の放射状内側に供給されている。そのようなそれぞれの表面210,212の溝216は、シールリング217を受け入れるため供給されている。シールリング217はシール面214を有し、一般に、取付部分202の面210,210と同一平面上に露出されている。ナイフエッジ216はシールリング217の露出した周囲の回りのシール面214から外側に延びている。シールリング217はステンレス鋼等の材料製である。一般に、シールリング217の材料は、シールド体118と近くの構成部品の間で使用されるガスケット材料(306及び308、図3参照)より硬くなるように選択され、信頼性のある気密性を保証し、シールド体118の処理チャンバー116からの取外し後に再使用する。接着剤及び締りばめのような他の厳重なシール方法が代わりに使用されてもよいが、好ましくは、シールリング217は真空蝋付けにより溝215内に貼付される。
【0023】
取付孔208から放射状外側で取付部分202内に、流路220が配置され、したがって、シールリング217の位置から完全に放射状外側に配置される。流路220は、実質的に、取付部分202に外接され、入口222で始まり、ボルト回りの外側で取付部分202の周囲内に延び、出口224で終わる。入口222及び出口224は、好ましくは、NPT又は他のスレッド形式で通され、そこに商業上の流体コネクター(図示せず)を受け入れる。流路は入口222及び出口224を通って(図1に示された)流体源176に結合され、そこから流体が供給され、流路220を流れる。流体は、取付部分202を通って流体に伝導された熱を抜き取る(又は、代わりに、シールド体118の加熱又は冷却が望まれるかどうかにより、熱を導入する)ことにより、シールド体118の温度を調節する。流体が取付部分202を通って流体源176から循環する時、シールド体118から取り除かれた熱量は、流体、流量割合又は流体の入口温度を変えることにより制御され、したがって、シールド体118を所定温度に維持させる。
【0024】
流体は、液体及び又はガス状流体であってもよいが、1実施例では、消イオン水及び又はエチレングリコールのような液体である。液体又はガス状窒素又はフレオンのような他の流体も使用可能である。
【0025】
1実施例では、流路220は、取付部分202の第2表面212に導管226を形成することにより製作される。その後、プラグ228は第2表面212と同一平面の導管226に取付けられ、流路220を形成する。プラグ228は、例えば、締りばめ、接着剤、溶接、蝋付け、及びこれらの部分を接続する他の方法を使用し、流路220内を流れる流体の漏れを防止する方法で導管226に貼付される。
【0026】
支持部材204は、一般に、良好な熱伝導性を有する材料製、例えば、銅製である。支持部材204は、第2出入口111を通過するガスの流路を塞ぐ突出領域を最小にする間、熱シールド206を支持する。支持部材204は、クロス部材230、支持ロッド234及び取付ブロック232を備えている。クロス部材230は取付部分202にその端部で結合され、好ましくは、通常は環状の取付部分202の直径と同一直線状に延びている。支持ロッド234はクロス部材230から垂直に、好ましくは、クロス部材230の端部の間の中程に延び、取付ブロック232で終わる。
【0027】
一般に、支持ブロック232は矩形形状であり、取付ブロック232の支持ロッド234との接続部の反対に配置された溝236を含んでいる。取付ブロック232はさらに、溝236に直交して取付ブロック232を通過すると共に溝236の回りに間隔を空けた複数の孔を有している。
【0028】
一般に、熱シールド206は良好な熱伝導体、例えば、銅製である。熱シールド206は熱反射仕上げを有している。1実施例では、熱シールドは、ニッケル、金、銀又は他の熱反射材料等の金属めっきで仕上げられている。全ての場合には、反射仕上げは、放射率が作用温度及び波長で低くなるように選択されなければならない。シールド部材240は台135の周辺端部に同心の湾曲形状を有し、(図1に見られるような)クライオポンプ190から離れた熱を反射する。
【0029】
取付パッド242は、シールド部材240の中央に配置されている。取付部材242は外側に突出したタブ244を備えている。タブは複数の孔246を含んでいる。タブ244は溝236に嵌合し、孔238及び246が整列するようになっている。押えネジ248のようなファスナーは孔238及び246に挿通され、取付板250の貫通孔252に入れ、これにより、熱シールド206をシールド体118に固定する。この方法では、取付パッド242と取付ブロック232の溝236との結合は熱を伝達可能とし、熱シールド206と支持部材204の間に有効に起こる。
【0030】
図3は、チャンバー本体、バルブ及びポンプの分解図を示し、クライオポンプ190、シャットオフバルブ185、及び処理チャンバー116の第2出入口111へのシールド体118を含んでいる。本発明の最良の理解のため、読者には図2及び図3を同時に参照することを奨励する。
【0031】
処理チャンバー116からクライオポンプ190へ進むと、処理チャンバー116は第2出入口111に外接するフランジ302を有している。フランジ302は、取付部分202の複数の孔208のボルト回りに同一のボルト回りに取付けられた複数の貫通孔304を含んでいる。貫通スタッド310はそれぞれの貫通孔304に部分的に配置され、スタッド310の大部分がフランジ302から外側に突出するようになっている。明瞭化のため、貫通スタッド310の1つだけが図3に示されている。シャットオフバルブ185及びクライオポンプ190はまた、取付部分202に見られるものと同一の複数の孔208を有している。
取付部分202、シャットオフバルブ185、及びクライオポンプ190は貫通スタッド310に配置され、貫通スタッド310はそれぞれの構成部品の取付孔208を通過する。
【0032】
第1に、真空下で最小の温度特性及び高い温度状態を有する変形可能なガスケット306は取付部分202とフランジ302の間に配置される。第2ガスケット308は同様に、取付部分202とシャットオフバルブ185の間に配置される。第1ガスケット306は、シールリング217のシール面及びナイフエッジ216とフランジ302の間に圧縮され、第2ガスケット308は、スタッド310にナット312を締付けることにより、シールリング217のシール面214及びナイフエッジ216の間に圧縮される。止め座金314はナット312とクライオポンプ190の間に配置され、ナット312が緩むのを防止する。ガスケット306及び308が圧縮される時、シール面214のナイフエッジ216はそれぞれのガスケットと点接触し、したがって、構成部品間のシールを確実にする。
【0033】
主に図1及び図3を参照すると、作用では、基板処理は台135に基板を置くことにより始まる。処理チャンバー116はラフポンプ体140を使用して空気を抜かれる。チャンバー容量117内の大量のガスはラフポンプ142により除去され、第1真空レベルが処理チャンバー116内で得られる。その後、シャットオフバルブ144が始動され、チャンバー容量117をラフポンプ142から絶縁する。一度、第1真空レベルが得られると、シャットオフバルブ185が開放され、クライオポンプ190は始動され、真空レベルをさらに増加させる。
【0034】
ポンプダウンプロセス及び、次の基板処理の間、熱エネルギーは。ランプ、プラズマ、台ヒーター及び他の熱源を含む源の配列から発生する。この熱の一部分はシールド部材206に放射される。シールド部材206の反射仕上げはこの熱エネルギーの一部分を反射し、処理チャンバー116に戻り、クライオポンプ190から離れる。シールド部材206により吸収された熱エネルギーは、反射しない放射エネルギーの一部分を含み、シールド部材206から支持部材204を通り、取付部分202に伝導される。その後、熱エネルギーは、流体源176から、したがって、取付部分202から、取付部分202の流路220を通り循環する流体に伝達される。そのように、熱シールド体118は、熱の調節を供給し、クライオポンプ1902を、処理チャンバーからの熱の影響から実質的に保護、すなわち、シールドする。したがって、クライオポンプ190は、10−9トルを超える真空レベルを達するのに十分な冷却状態となる。
【0035】
排気口領域は加熱を要求し、その後、加熱流体はシールドを通過する。熱エネルギーは、流体から取付け部分202に伝達され、支持部材204を通り、シールド部材220に至る。シールド体118の加熱は、ポンプ排出サイクルの間、クライオポンプ190を加熱するのを補助してもよい。さらに、シールド体118の加熱は、排出口領域を堆積材料と汚染すること、又は近接面での凝縮を最小にすることによる反応副生成物から保護する。排出口領域の汚染物質の堆積の最小化は、プローブ、センサー、又は材料又は副生成物の堆積により汚染物質に敏感となるこの領域で配置された他の装置のサービス寿命を延ばす。
【0036】
本発明の教示を組込んだ各種実施例が、ここに示され、詳細に説明されているが、当業者であれば、本発明の精神から逸脱することなく、ここに開示された教示を依然として組込んだ多くの他の変形実施例を容易に発明可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の熱シールド体を組込んだ処理チャンバーの概略断面図である。
【図2】図1の熱シールド体の分解斜視図を示している。
【図3】図1の処理チャンバーに接続するクライオポンプの簡略分解図を示している。
Claims (16)
- 半導体ウェーハ処理装置の処理チャンバーからポンプ装置をシールドするための装置であって、
シールドと、
前記シールドに取付けられた熱伝導性の支持部材であって、前記シールドから垂直に離れる方向に延びる、前記支持部材と、
中心部で前記支持部材に取付けられた環状の取付部分であって、その内部に配置された円周形状の流体路を有する、前記取付部分と、
を備えていることを特徴とする装置。 - 前記環状の取付部分から半径方向内側に延び、前記支持部材に結合された、クロス部材と、
をさらに備えている請求項1に記載の装置。 - 前記クロス部材、前記シールド、前記取付部分及び前記支持部材は銅製である請求項2に記載の装置。
- 前記シールドは熱反射仕上げを有しており、前記シールドは、ニッケル、金及び銀からなるグループより選択された材料で金属めっきされている請求項1に記載の装置。
- 前記取付部分はさらに、
前記取付部分の第1表面に配置された第1シール面と、
前記取付部分の第2表面に配置された第2シール面と、
をさらに備え、前記第1及び第2シール面が前記流体路の内側に配置されている請求項1に記載の装置。 - 前記第1及び第2シール面はステンレス鋼であり、各シール面はナイフエッジをさらに備えている請求項5に記載の装置。
- 前記円周形状の流体路は、
前記取付部分の表面に配置された溝と、
前記溝に配置され、前記表面と同一平面のプラグと、
をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 前記処理チャンバーは出入口をさらに備え、取付部分は前記出入口に貼付され、前記シールドは前記出入口の近くに配置されている請求項1に記載の装置。
- 前記出入口を通り、前記チャンバーと連通するクライオポンプをさらに備えている請求項8に記載の装置。
- 半導体ウェーハ処理システムの処理チャンバーからポンプ装置をシールドするための装置であって、
前記処理チャンバー内に配置されたシールドと、
前記シールドに取付けられた熱伝導性の支持部材であって、前記シールドから垂直に離れる方向に延びる、前記支持部材と、
前記シールドに接続された前記処理チャンバーの外に配置され、シール面及び円周形状の内部流路を有する取付部分と、
を備え、前記シール面は前記流路の内側に配置されていることを特徴とする装置。 - 前記取付部分に接続されたクロス部材と、
前記シールドに結合された支持ロッドと、
をさらに備えている請求項10に記載の装置。 - 前記シールドは銅製である請求項10に記載の装置。
- 前記シールドは熱反射仕上げを有しており、前記シールドは、ニッケル、金及び銀からなるグループより選択された材料で金属めっきされている請求項10に記載の装置。
- 前記処理チャンバーは出入口をさらに備え、取付部分は前記出入口に貼付され、前記シールドは前記出入口の近くに配置されている請求項10に記載の装置。
- 前記出入口を通って前記チャンバーと連通しているクライオポンプをさらに備えている請求項10に記載の装置。
- 半導体ウェーハ処理システム内の処理チャンバーから装置をシールドするための装置であって、
出入口を有するチャンバーと、
前記出入口に結合されたクライオポンプと、
前記チャンバー内に配置された台と、
前記台と前記出入口の間の前記チャンバー内に配置された熱反射シールドと、
前記出入口と前記クライオポンプの間に配置された取付部分であって、前記シールドに接続され、前記取付部分のシール面の外側に配置された前記処理チャンバーの外部に流体路を有する、前記取付部分と、
を備えていることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US51327700A | 2000-02-24 | 2000-02-24 | |
US09/513277 | 2000-02-24 |
Publications (2)
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