JPH04325678A - 真空遮蔽体内の物体冷却装置 - Google Patents

真空遮蔽体内の物体冷却装置

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JPH04325678A
JPH04325678A JP12270991A JP12270991A JPH04325678A JP H04325678 A JPH04325678 A JP H04325678A JP 12270991 A JP12270991 A JP 12270991A JP 12270991 A JP12270991 A JP 12270991A JP H04325678 A JPH04325678 A JP H04325678A
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JP
Japan
Prior art keywords
cooling
vacuum
cooling body
vacuum shielding
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP12270991A
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English (en)
Inventor
Naoaki Kogure
直明 小榑
Masao Matsumura
正夫 松村
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Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
において使用される真空遮蔽体内に放熱が困難な状態で
配置された物体を冷却するための真空中遮蔽体内の物体
冷却装置に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、上記のようにな真空中遮蔽体内に放
熱が困難な状態に置かれた物体を冷却する場合、従来は
装置の運転バッチ当りの処理量又は熱負荷を低減して、
1バッチ当りの総発熱量を一定以下に抑え、且つ場合に
よっては真空遮蔽体の外側を流水等で間接的に冷却する
という手段をとっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法による場合、製造工程がバッチ毎に分断され、■各
バッチ毎の製品処理量が制限温度で決まる一定以下の値
に制限される。また、昇温度を抑えるために、投入エネ
ルギーや電力、給熱量を自由に増強するということは、
不可能となっている。また、真空遮蔽体の外側を冷却し
ても、内部の放熱には殆ど効果を及ぼさないことがわか
っている。従って、■、■の条件によって、製品の生産
性を思うように高めることができないという欠点があっ
た。
【0004】例えば、半導体を製造するための一貫生産
ラインは、ウエハを非常に多くの異種工程にまたがって
移送し、各工程特有の操作を施すことから成り立ってい
る。そしてこれら各工程のプロセス雰囲気に必然的に高
真空のもの、低真空のもの等が混在している。真空のプ
ロセスの一部が、冷却、放熱上の問題から、そこでの処
理量を低くせざるを得ないということになると、それに
伴う工程上の待ち時間の増大等の重大な障害が生じるこ
とによって、連続一貫生産上のネックとなりかねないと
いう問題がある。
【0005】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
、上記従来例の欠点を除去し、真空遮蔽体内に放熱が困
難な状態に配置された物体を効果的に冷却できる真空遮
蔽体内の物体冷却装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、真空遮蔽体内に位置する被冷却物体に熱伝導
体で冷却体を連結し、該被冷却物体と該冷却体の間に位
置する真空遮蔽体の真空遮蔽境界対応部分に1ケ所又は
数ケ所に設けた差動排気用口に差動排気系を接続すると
共に、冷却体に近い側の真空遮蔽境界にオリフィス部又
はシール部を設け、該差動排気系を作動することによっ
て、冷却体の周囲圧力を物体周囲圧力より高い値に保持
することを特徴とする。
【0007】
【作用】上記のように、真空遮蔽体内の被冷却物体と冷
却体とを熱伝導体で連結しているため、該真空遮蔽体内
の物体からの熱は該熱伝導体を通して冷却体に伝えられ
、該冷却体から放熱される。この際冷却体に近い側の真
空遮蔽境界にオリフィス部又はシール部を設け、該差動
排気系を作動することによって、冷却体の周囲圧力を被
冷却物体周囲圧力より高い値に保持するから、真空遮蔽
体内の圧力に影響を与えることなく、冷却体からの放熱
は効率よく行われる。
【0008】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明の一実施例である半導体のイオン注
入装置の構成を示す図である。
【0009】図示するように、真空遮蔽体1の内部にお
いて被冷却物体としてのサセプタ−4が配置され、該サ
セプタ−(被冷却物体)4は熱伝導棒6で冷却体7に連
結されている。熱伝導棒6は真空遮蔽体1に回転支持部
2で回転自在に支持されている。前記サセプタ−4に対
向してイオン源11が設けられている。前記サセプタ−
4のイオン源11の対向面には多数の半導体用ウエハ3
が載架されている。前記サセプタ−4の外周には多数の
従動用マグネット34が固定されている。
【0010】前記熱伝導棒6の回転中心と同一の回転中
心を有すヨ−ク32が真空遮蔽体1の外周に回転自在に
取り付けられている。ヨーク32の回転軸は原動機31
から回転力を得て回転するようになっている。該ヨ−ク
32は内周面には前記サセプタ−4の外周に固定された
従動用マグネット34に対向して駆動用マグネット33
が固定されている。
【0011】前記冷却体7は冷却室26内に収容されて
おり、該冷却室26には冷却ガスを導入するガス導入口
10と冷却ガスを排出するガス排出口14が設けられて
いる。また、冷却体7のガス導入口10側には冷却フィ
ン13が設けられている。また、真空遮蔽体1と冷却室
26の間には軸シ−ル部5が設けられている。
【0012】真空遮蔽体1には主排気系9が接続される
主排気口が設けられ、更に回転支持部2と非接触軸シ−
ル部5との間、即ち真空遮蔽境界部分に1ケ所又は数ケ
所に設けた排気口15が設けられ、該排気口15に差動
排気系8が接続している。該差動排気系8の真空ポンプ
としてはターボ分子ポンプ16と多段式ドライポンプ1
7が直列に接続されてなるものが使用されている。なお
、27は差動排気系8に直列に接続された弁、28はタ
ーボ分子ポンプ16をバイパスする弁である。
【0013】上記構成の半導体のイオン注入装置におい
て、真空遮蔽体1内は主排気系9の作動により真空状態
になっている。また、原動機31の起動により、該ヨ−
ク32の内周面の駆動用マグネット33と従動用マグネ
ット34の間に作用する吸引力又は反発力により、サセ
プタ−4はヨーク32の回転に追従して回転する。また
、差動排気系8の作動により、冷却体7の周囲圧力をサ
セプター4の周囲圧力より高い値に保持する。
【0014】この状態でイオン源11からドーピング種
のイオンが真空遮蔽体1の内部で回転する多数の半導体
用ウエハ3が載架されたサセプター4に入射する。この
イオンの運動エネルギーは半導体用ウエハ3等に注入さ
れた後、最終的には熱となってサセプター4に蓄積され
る。このサセプター4は真空状態の真空遮蔽体1内に懸
架しているため十分な放熱ができないから、適当な方法
で冷却をしないとサセプター4の温度が過度に上昇して
、半導体用ウエハ3が熱損傷したり、回転支持部2が焼
損したりする。
【0015】そこで本実施例では、このサセプター4を
熱伝導率の高い熱伝導棒6で冷却体7に連結しているの
で、サセプター4に蓄積される熱は該熱伝導棒6を通し
て冷却体に伝えられる。
【0016】冷却体7には冷却フィン13が設けられて
おり、該冷却フィン13の回転により、ガス導入口10
から冷却ガスが吸引され、更に冷却フィン13の回転に
伴って、吸引された冷却ガスに遠心力を生じ、これによ
って冷却ガスに運動エネルギーにを与えるので、冷却ガ
スを冷却体7の中心から周辺部へ圧送し、排出口14か
ら排出することができる。この一連の冷却ガスの運動に
伴って冷却体7の表面の熱を奪い去ることができる。
【0017】この冷却ガスによる冷却作用は、ガス導入
口10に与圧をかけて吸引ガス量を増すか、冷却体7の
回転速度を増すか、比熱のより大きい冷却ガスを使用す
ることにより増加させることができる。但し、当然のこ
とながら、サセプター4側への僅かな漏洩によっても、
イオン注入に支障を来すようなガス種の使用は好ましく
ない。
【0018】軸シール部5は接触タイプの方が、シール
効果は優れているが、接触タイプの軸シールは発熱した
り、摩擦による塵が発生して真空遮蔽体1の内部を汚染
したりするので、非接触タイプの軸シールを用いること
が好ましく、本実施例では軸シール部5はラビリンスに
よっている。また、軸シール部5は固体同士が接触しな
いタイプのものであれば通常に使用されるものでもよい
。例えば磁性流体シールを使用しても構わない。
【0019】差動排気系8の真空ポンプとして、上記実
施例ではターボ分子ポンプ16と多段式ドライポンプ1
7を用いいたが、通常の真空排気系であればよい。この
ように差動排気系8とその近くに配置した軸シール部5
によって、サセプター4の周囲圧力と、冷却体7の周囲
の圧力に大きい差をつけることができるから、サセプタ
ー4によるイオン注入、冷却体7による冷却作用をそれ
ぞれ互いに阻害し合うことなく、実行することができる
。また、場合によっては、差動排気系8を一系統ではな
く複数の系統と設けることによって、サセプター4の周
囲圧力と冷却体7の周囲の圧力差を更に大きくすること
もできる。
【0020】また、冷却体7は必ずしも回転させる必要
がない。この回転させない場合は、冷却ガスのガス導入
口10に押し込み圧力を加えて冷却ガス流量を増加させ
たり、導入する冷却ガスの温度を下げたり、導入する冷
却ガスの熱容量を増やしたり、また冷却フィンの放熱容
量を増加する等のいずれか一つ又はその複数を組合せる
ことによって、冷却性能を補強すればよい。また、上記
サセプター4を回転させる場合も、回転手段は上記例に
限定されるものではない。
【0021】図2及び図3は本発明の真空遮蔽体内の物
体冷却装置の冷却効果を調査をするための装置の構成を
示す図で、図2は本発明の冷却方法を用いて電動機を冷
却する場合を示し、図3は本発明の冷却方法を用いない
場合を示す。
【0022】図2においては、真空遮蔽体41内には電
動機部52の固定子44が嵌合されており、該固定子4
4内に回転子42がその軸42aを回転支持部54によ
り回転自在に支持されて配置されている。軸42aの端
部にはコンプレッサ53の羽根車51が固定されている
。真空遮蔽体41とコンプレッサ53の間にはラビリン
ス49が配置されている。また、真空遮蔽体41には主
排気系47が接続され、回転支持部54とラビリンス4
9の間には差動排気系48が接続されている。なお、図
において、45は真空遮蔽体1内の真空度を測定する真
空計、43は遮蔽体41の温度を測定するための熱電対
、50は圧力計である。
【0023】図2に示す装置において、主排気系47に
よって電動機部52内の圧力、即ち遮蔽体1内の圧力を
下げ、差動排気系48とラビリンス49によってコンプ
レッサ部53との圧力差を確保した状態で、固定子44
に駆動電流を供給すると電動機(カゴ型誘導電動機)部
52の回転子42が回転する。この回転子42の回転に
よりコンプレッサ53の羽根車51が回転する。これに
より、ガス導入口からコンプレッサ53内には水素ガス
が吸い込まれ羽根車51の表面の熱を奪ってガス排出口
から排出される。電動機が回転することによって回転子
42内に発生した熱は真空遮蔽体41内が真空であるた
め、放熱が効果的に行われず軸42aを伝わり羽根車5
1の表面か水素ガスにより放熱される。この電動機側の
銅損、鉄損に起因する自己発熱とコンプレッサ53によ
る放熱との釣合いにより、昇温度がある時点で停止し、
一定温度に保持される。
【0024】図3の装置はコンプレッサ53がない、即
ち本発明の冷却方法を用いないだけで他は図2の装置と
全く同一である。なお、図3において、図2と同一番号
を付した部分は同一又は相当部分を示す。図3の装置は
比較のため図2の電動機部52と同じ圧力条件で比較実
験を行った。
【0025】図2、図3の装置を運転し安定した温度状
態に達したときの真空遮蔽体41の外表面温度と内部の
圧力を、熱電対43及び真空計45と圧力計50により
測定した。その結果は次のようになった。
【0026】(1)真空遮蔽体外表面温度及び内部圧力
図2の装置      外表面温度  45℃    
内部圧力  0.5Torr 図3の装置      外表面温度  55℃    
内部圧力  0.5Torr (2)コンプレッサ部 図2の装置      外表面温度  30℃    
内部圧力  760Torr
【0027】上記調査の結果から、図2の装置、即ち本
発明の冷却方法を用いた装置は、本発明の冷却方法を用
いない装置に比較して、真空遮蔽室の内部温度が10℃
も低い状態に維持できることが判明した。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空遮蔽体内に位置する被冷却物体を熱伝導体で冷却体と
連結し、真空遮蔽境界対応部分に差動排気系を接続する
と共に、オリフィス部又はシール部を設け、該差動排気
系を作動させることにより、冷却体の周囲圧力を物体周
囲圧力より高い値に保持することができるから、真空遮
蔽体内の圧力に影響を与えることなく、冷却対象物体の
冷却、放熱を大幅に改善することができるという優れた
効果が得られる。従って、例えば半導体等の製造工程に
おいて、本発明の物体冷却装置を用いれば生産性や品質
の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体のイオン注入装
置の構成を示す図である。
【図2】本発明の冷却装置の冷却効果を調査をするため
の装置の構成を示す図である。
【図3】本発明の冷却装置の冷却効果を調査をするため
の装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1            真空遮蔽体2      
      回転支持部3            半
導体用ウエハ4            サセプター(
被冷却物体)5            軸シ−ル部6
            熱伝導棒 7            冷却体 8            差動排気系9      
      主排気系 10            ガス導入口11    
        イオン源12           
 イオンビ−ム13            冷却フィ
ン14            ガス排出口15   
         排気口 16            タ−ボ分子ポンプ17 
           多段式ドライポンプ26   
         冷却室 27            弁 28            弁 31            原動機 32            ヨ−ク 33            駆動用マグネット34 
           従動用マグネット41    
        真空遮蔽体42          
  回転子 43            熱電対 44            固定子 45            真空計 47            主排気系48     
       差動排気系49           
 ラビリンス50            圧力計 51            羽根車

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  真空遮蔽体内に位置する被冷却物体に
    熱伝導体で冷却体を連結し、該被冷却物体と該冷却体の
    間に位置する真空遮蔽体の真空遮蔽境界対応部分に1ケ
    所又は数ケ所に設けた差動排気用口に差動排気系を接続
    すると共に、前記冷却体に近い側の前記真空遮蔽境界に
    オリフィス部又はシール部を設け、該差動排気系を作動
    することによって、前記冷却体の周囲圧力を前記被冷却
    物体周囲圧力より高い値に保持することを特徴とする真
    空遮蔽体内の物体冷却装置。
JP12270991A 1991-04-25 1991-04-25 真空遮蔽体内の物体冷却装置 Pending JPH04325678A (ja)

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JP12270991A JPH04325678A (ja) 1991-04-25 1991-04-25 真空遮蔽体内の物体冷却装置

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JP (1) JPH04325678A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1127954A1 (en) * 2000-02-24 2001-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shielding a device from a semiconductor wafer process chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1127954A1 (en) * 2000-02-24 2001-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shielding a device from a semiconductor wafer process chamber

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