TW201403744A - 基板支撐設備及基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種基板支撐設備以及基板處理設備，包括：底板，經配置以將基板支撐在所述底板上，且具有冷卻氣體流動通過的多個供應管；頂板，經配置以可卸除地耦接到所述底板，且具有空穴以使支撐在所述底板上的所述基板的頂表面暴露；以及密封構件，經配置以耦接到所述底板，且在所述頂板與所述底板之間以及所述基板與所述底板之間形成冷卻空間。根據本發明的所述設備將熱傳導氣體供應到多個基板以提高熱傳遞效率。

Description

基板支持裝置及基板處理裝置
本發明涉及基板支撐設備以及基板處理設備，且更明確地說，涉及可將熱傳導氣體應用於多個基板以改進熱傳遞效率的基板支撐設備以及基板處理設備。
一般來說，用於製造例如半導體、LED以及平板顯示器等裝置的電漿處理設備通過在反應室中形成電場以及磁場而產生電漿，且使用所述電漿來執行各種處理。常規電漿處理設備包括基板支撐設備，用於將基板固持在基板支撐設備上，且明確地說，此基板支撐設備可具有同時固持以及處理多個基板以實現生產改進的配置。在執行此電漿處理工藝時，安裝在基板支撐設備上的基板的溫度因為電漿的溫度而提高。在此狀況下，如果基板的溫度偏離溫度範圍，那麼可引起處理失敗。
為了解決此問題，本發明的申請人的韓國專利第 10-0734016號揭露基板支撐設備，其經配置以形成用於供應冷卻氣體以將基板的溫度維持在恆定範圍內的流動路徑。在所述專利文獻中，基板支撐設備包括設置在基板卡盤上的底板，以及頂板，且頂板耦接到底板的頂表面以使基板的頂表面暴露且與底板間隔開，以將經由底板供應的冷卻氣體供應到基板的底表面。
頂板以及底板使用例如連接螺栓等元件彼此耦接。數個O形環放置在頂板與底板之間，以限制冷卻氣體的供應。通過使用數個O形環，經由底板中所形成的流動路徑而供應的冷卻氣體可供應到基板的背表面。然而，許多O形環的存在還防礙冷卻氣體朝頂板的下部部分供應。因此，頂板的溫度持續升高。
頂板的此溫度提高導致頂板的開口(基板的頂表面從所述開口暴露)周圍的基板的溫度不均勻性。隨後，此溫度提高在形成在用於電漿蝕刻的基板上的光致抗蝕劑圖案中產生不均勻固化或燃燒，而引起處理失敗。
另外，由於使用數個O形環，因此O形環的位置可容易在耦接底板與頂板時變化。這可導致例如耦接困難以及成本增加等問題。
本發明提供基板的溫度可維持在恆定範圍內的基板支撐設備以及基板處理設備。根據本發明，基板支撐設備的溫度也可 維持在恆定範圍內。
另外，本發明提供設備的耦接可容易完成且可減少O形環的數量以節省生產成本的基板支撐設備以及基板處理設備。
根據本發明的實施例，一種基板支撐設備包括：底板，經配置以將基板支撐在所述底板上，且具有冷卻氣體流動通過的多個供應管；頂板，經配置以可卸除地耦接到所述底板，且具有空穴以使支撐在所述底板上的所述基板的頂表面暴露；以及密封構件，經配置以耦接到所述底板，且在所述頂板與所述底板之間以及所述基板與所述底板之間形成冷卻空間。
所述頂板圍繞所述底板的頂部部分以及側面。所述冷卻氣體流動通過的流動路徑形成在所述底板的所述側面與所述頂板的側壁之間。所述密封構件可密封所述基板與所述頂板之間的間隙。
所述頂板設有收納所述底板的凹入收納部分。所述收納部分具有比所述底板的直徑大的直徑。流動路徑形成在所述底板的側面與所述收納部分的側壁之間，以通過所述流動路徑將所述冷卻氣體供應到所述頂板的背表面的周圍。
所述頂板覆蓋所述底板的頂部部分。所述密封構件密封所述基板與所述頂板之間的間隙。所述密封構件可包含設置在所述頂板的周圍與所述底板的周圍之間的密封環。
所述冷卻空間包括形成在所述基板與所述底板之間的第 一冷卻空間以及形成在所述頂板與所述底板之間的第二冷卻空間。所述底板可包括用於將所述冷卻氣體供應到所述第一冷卻空間的第一供應管以及用於將所述冷卻氣體供應到所述第二冷卻空間的第二供應管。
所述底板可包括環形收納凹部，所述密封構件的下部部分的一部分插入且固持在所述收納凹部中。
所述密封構件包括插入所述收納凹部中的下部部分以及朝所述收納凹部的頂部部分突出的上部部分。所述上部部分的外側與所述頂板接觸且內側與所述基板接觸，以防止所述冷卻氣體洩漏到所述基板與所述頂板之間的空間中。
所述密封構件的所述上部部分的橫截面寬度可大於、等於或小於所述下部部分的橫截面寬度。
所述密封構件的所述上部部分的橫截面形狀可為在頂側左右劃分的形狀、多邊形、圓形和橢圓形形狀中的至少一者。
所述密封構件的所述下部部分的橫截面寬度可在上下方向上具有相同寬度，或可具有向下逐漸增大的寬度。
所述密封構件可形成為對應於所述基板的環形狀。
所述密封構件可包括與所述基板接觸的第一密封構件以及與所述頂板接觸的第二密封構件。
根據本發明的另一實施例，一種基板處理設備包括：室，經配置以形成基板處理空間；基板卡盤，經配置以設置在所述室內部的下部部分中；以及基板支撐單元，放置在所述基板卡盤上 以將基板定位於其中，所述基板支撐單元具有經配置以彼此耦接而將所述基板插入於兩者之間的頂板和底板，以及具有經配置以將冷卻氣體供應到所述基板的每一背表面以及所述頂板的冷卻路徑。
所述冷卻路徑可包括：第一冷卻路徑，設有通過所述底板的第一供應管以及連接到所述第一供應管且形成在所述基板與所述底板之間的第一冷卻空間；以及第二冷卻路徑，設有通過所述底板的第二供應管以及連接到所述第二供應管且形成在所述頂板與所述底板之間的第二冷卻空間。
所述第一供應管以及第二供應管可連接到通過所述基板卡盤的氣體通道。
所述設備可包括耦接到所述底板且經配置以使所述冷卻路徑彼此分離的密封構件。
根據本發明的基板支撐設備以及基板處理設備可將冷卻氣體供應到安裝了基板的底板與固持了基板的頂板之間的空間中。因此，改進基板的溫度均勻性，以防止處理失敗且提高生產良率(production yield)。
而且，根據本發明的基板支撐設備以及基板處理設備可減少O形環的數量，且固持O形環的位置以防止O形環的位置在組裝基板支撐設備時改變。因此，容易完成所述設備的耦接以降低生產成本。
1‧‧‧基板
2‧‧‧基板支撐設備
3‧‧‧上部電極單元
3a‧‧‧電極支撐件
3b‧‧‧上部電極板
4‧‧‧氣體輸入口
5‧‧‧氣體通道
6‧‧‧冷卻氣體供應源
7‧‧‧排氣口
8‧‧‧排氣系統
10‧‧‧下部電極單元
10a‧‧‧基板卡盤
10b‧‧‧下部電極
10c‧‧‧基板升降機
11‧‧‧上部高頻電力供應器
12‧‧‧下部高頻電力供應器
13‧‧‧氣體供應源
14‧‧‧閥
20‧‧‧底板
21‧‧‧第一供應管
22‧‧‧第二供應管
23‧‧‧收納凹部
23a‧‧‧收納凹部
23b‧‧‧收納凹部
30‧‧‧頂板
31‧‧‧流動路徑
32‧‧‧凹入收納部分
33‧‧‧空穴
34‧‧‧突起
40‧‧‧密封構件
40a‧‧‧第一密封構件
40b‧‧‧第二密封構件
41‧‧‧下部部分
41a‧‧‧下部部分
41b‧‧‧下部部分
42‧‧‧上部部分
42a‧‧‧上部部分
42b‧‧‧上部部分
50‧‧‧密封環
60‧‧‧密封環
C1‧‧‧第一冷卻空間
C2‧‧‧第二冷卻空間
圖1為根據本發明的實施例的基板支撐設備的橫截面圖。
圖2為根據本發明的實施例的基板支撐設備的分解透視圖。
圖3繪示元件被耦接的情況下圖2的橫截面的配置。
圖4為根據本發明的實施例的密封構件的橫截面圖。
圖5到圖10為根據本發明的修改實施例的密封構件的橫截面圖。
圖11為根據本發明的修改實施例的基板支撐設備的橫截面圖。
現在將參看附圖詳細描述根據本發明的實施例。然而，本發明不限於下文描述的這些實施例，而是可體現為各種不同配置。提供這些實施例是為了全面理解本發明，且本發明的範圍可完全由所屬領域的技術人員參考這些實施例而理解。圖式中元件的大小可部分擴大以清楚地描述這些實施例。圖中相似標號表示相似元件。
下文中，將參看附圖詳細描述根據本發明的實施例的基板支撐設備以及基板處理設備。
圖1為根據本發明的實施例的基板支撐設備的橫截面 圖，圖2為根據本發明的實施例的基板支撐設備的分解透視圖，圖3繪示元件被耦接的情況下圖2的橫截面的配置，圖4到圖10為根據本發明的各種實施例的密封構件的橫截面圖。而且，圖11為根據本發明的修改實施例的基板支撐設備的橫截面圖。
參看圖1，基板處理設備(例如，電漿處理設備)包括：反應室9；上部電極單元3，設置在反應室9的內部的上部部分處；以及下部電極單元10，面向上部電極單元3且設置在反應室9的內部的下部部分處。反應室9提供與外部密封地隔離的空間，在所述空間執行電漿處理(例如，蝕刻處理)。
排氣口7連接到反應室9的下部部分，且排氣系統8連接到排氣口7。排氣系統8使用真空泵，例如渦輪分子泵。此泵通過真空吸氣在反應室9的內部產生所要的低壓狀態，例如在0.1毫托以下的所要壓力。排氣口7以及排氣系統8可形成在反應室9的下側而不是反應室9的下部部分處。
閘閥(未圖示)安裝在反應室9的一個側壁處。在閘閥開啟的情況下，基板1可在彼此鄰近的封閉室(road-rock chamber)(未圖示)之間轉移。單一閘閥可安裝在反應室9處，以裝載或卸載基板1。或者，閘閥可安裝在反應室9的一個側壁以及另一側壁處，以個別地執行基板1的裝載以及卸載。
上部電極單元3設置在反應室9的內部的上部部分處，且多個注入孔形成在上部電極單元3的下部部分中。上部電極單元3設有：上部電極板3b，其表面由金屬(例如，鋁)形成；以 及電極支撐件3b，其表面由導電材料形成，以支撐上部電極板3b。
氣體輸入口4安裝在電極支撐件3a處。氣體供應源13連接到氣體輸入口4。而且，閥14以及品質流量控制器(未圖示)設置在氣體輸入口4與氣體供應源13之間，以在閥以及品質流量控制器的控制下將反應氣體供應到反應室9中。反應氣體可恰當地使用含有鹵素原子的氣體，例如，碳氟化合物氣體或氫氟碳化合物氣體。另外，也可使用例如Ar、CF3、O2等處理氣體。
而且，上部高頻電力供應器3通過上部適配器(未圖示)連接到上部電極單元3。從上部高頻電力供應器11產生的高頻電力注入到上部電極單元3中，以活化反應氣體且形成電漿。
下部電極單元10設置在反應室9的下部部分處且面向上部電極單元3。下部電極單元10包括基板升降機10c和下部電極10b以及放置在基板升降機10c的上部部分上的基板卡盤10a。基板升降機10c由絕緣體制成。基板升降機10c的下部部分安裝在反應室9的底表面處，且基板升降機10c的上部部分上安裝了下部電極10b以及基板卡盤10a，以使得下部電極10b以及基板卡盤10a可支撐在下部部分上，且基板1可上下移動。
冷卻器(未圖示)連接到下部電極單元10，且冷卻劑引入管(未圖示)以及冷卻劑排放管(未圖示)形成在下部電極單元10中且連接到冷卻器。因此，從冷卻器供應的冷卻劑通過冷卻劑引入管排放到冷卻劑排放管。因此，使冷卻劑迴圈且通過基板卡盤10a將冷熱傳遞到基板1。基板卡盤10a可使用靜電卡盤或機 械卡盤。當使用靜電卡盤作為基板卡盤10a時，基板支撐設備2可由陶瓷材料形成，以在用於支撐基板的設備中產生靜電力。基板支撐設備2優選地具有足以產生以及施加靜電力的厚度。
如果基板支撐設備2的厚度太厚，那麼靜電力不會施加到基板1且難以固持基板。在此狀況下，如果提高靜電力以使直流電壓升高，那麼反應室9中存在的具有不良絕緣性質的部分可能經歷電介質擊穿而引起反應室9的損壞。
下部高頻電力供應器12通過下部適配器(未圖示)連接到下部電極單元10的下部電極10b。因此，當用電漿來處理基板1時，通過下部高頻電力供應器12將高頻電力供應到下部電極單元10。因此，施加到下部部分的高頻電力將在上部電極單元3與下部電極單元10之間形成的電漿中的離子拉向下部電極單元10以執行基板處理。
環形聚焦環可安裝在下部電極10b以及基板卡盤10a的周圍。聚焦環由例如矽等導電材料製成。聚焦環使電漿中的離子朝基板1集中，以改進蝕刻的均勻性。
下部電極單元10具有通過下部電極單元10的內部形成的氣體通道5。氣體通道5連接到儲存冷卻氣體的冷卻氣體供應源6。例如氦等氣體通過氣體通道5橫跨基板支撐設備2而供應到基板1的下部部分。此熱傳導氣體可有效地冷卻可能在基板1中產生的熱。
此圖中繪示單一氣體通道5形成在下部電極單元10處， 但可形成多個氣體通道。
而且，基板支撐設備2設置在基板卡盤10a上，以定位多個基板1且將熱傳導氣體傳遞到基板1。
參看圖2和圖3，根據本發明的實施例的基板支撐設備2包括：底板20，設置在被供應冷卻氣體的基板卡盤10a上，且經配置以包括多個第一供應管21以及多個第二供應管22，第一供應管21以及第二供應管22將經由基板卡盤10a供應的冷卻氣體垂直地向頂側轉移；頂板30，收納在底板20的底表面中，且經配置以形成與底板20的側面間隔開的流動路徑31；以及密封構件40，固持在設置在底板20中的收納凹部23中，以支撐基板1的底表面的周圍，且防止冷卻氣體洩漏到基板1與頂板30之間的空間中。換句話說，基板支撐設備2經配置以通過耦接底板20、頂板30以及密封構件40而形成單一單元。
現在，將詳細描述根據本發明的優選實施例的具有上文描述的配置的基板支撐設備的配置以及功能。
首先，底板20具有圓形板形狀。多個第一供應管21以及第二供應管22形成在底板20處同時垂直地穿過底板。多個第一供應管21放置在基板1的下部中心處，且多個第二供應管22放置在位於基板1之間的介面區域處頂板30下方。
也就是說，第一供應管21可將經由基板卡盤10a供應的冷卻氣體直接供應到基板1的底表面，以防止基板1在電漿處理期間過熱。而且，第二供應管22可將經由基板卡盤10a供應的冷 卻氣體直接供應到頂板30的底表面以防止頂板30過熱。
圖3(橫截面圖)中繪示形成了單一第二供應管22，但一個以上第二供應管22可形成在待安裝的基板1之間的區域處，如圖2所示。
收納凹部23設置在底板20中，以將環形密封構件40插入以及固持於其中。優選地，收納凹部23具有使待定位的基板1的周圍定位於收納凹部23的中心的大小。
設置在底板20中的收納凹部23的數量可取決於待安裝的基板1的數量。
圖4為根據本發明的實施例的密封構件40的橫截面圖。
參看圖4，當密封構件40插入以及固持在收納凹部23中時，其下部部分的一部分完全收納以及固持在收納凹部23中，且上部部分朝收納凹部23的外側突出。上部部分可具有寬度在其橫截面中心周圍在左右方向上提高的形狀。
在此形狀中，形成為環形的密封構件40的上部部分42的外側(環的外側)可支撐以及密封頂板30的底表面，且密封構件40的上部部分42的內側可支撐基板1的底表面的周圍，如下文將描述。因此，密封構件40可防止冷卻氣體洩漏到基板1與頂板30之間的空間中。
圖5到圖10為根據本發明的修改實施例的密封構件40的橫截面圖。
首先，參看圖5和圖6，密封構件40包括插入收納凹部 23中的下部部分41以及朝收納凹部23的頂部部分突出且支撐基板1以及在基板1周圍的頂板30的周圍的上部部分42。上部部分41的橫截面可具有矩形形狀，且上部部分41的寬度可大於下部部分的寬度。或者，上部部分41的橫截面可具有圓形形狀，且上部部分41的圓的直徑可大於下部部分的寬度。
因而，根據本發明的密封構件40可經修改以具有各種配置以及形狀。優選地，密封構件40的橫截面寬度可比基板1與頂板30之間的間隙寬。
參看圖7和圖8，不同於圖5和圖6所示的密封構件40，上部部分42和下部部分41可具有相同橫截面寬度，或上部部分42的橫截面寬度可比下部部分41的橫截面寬度小。
參看圖9，密封構件40也可經形成以使得下部部分41的橫截面寬度朝向下方向逐漸增大。在此狀況下，密封構件40可強行插入收納凹部23中。此可抑制或防止密封構件40因為在基板1的處理期間產生的碰撞而脫離收納凹部23。
參看圖10，密封構件40可包括彼此間隔開的環形第一密封構件40a以及設置在第一密封構件40a外側的環形第二密封構件40b。一對收納凹部23a和23b可形成在底板20中，以收納第一密封構件40a以及第二密封構件40b。這些收納凹部可為同心的。第一密封構件40a以及第二密封構件40b的橫截面可為例如圓形、橢圓形或多邊形形狀等形狀。第一密封構件40a以及第二密封構件40b的下部部分41a和41b可個別地收納在收納凹部23a 和23b中，且上部部分42a和42b可從收納凹部23a和23b突出。因此，設置在內側的第一密封構件40a可通過上部部分42a支撐基板1，且第二密封構件40b可通過下部部分42b支撐頂板30。
因而，只要冷卻氣體可如先前在上文所描述而供應，密封構件40的形狀便可根據設計考慮或在必要時變化。
頂板30具有圓形板形狀，但圓形板的直徑以及厚度大於底板20的直徑以及厚度。
凹入收納部分32設置在頂板30的背表面中，以收納底板20。收納部分32的直徑比底板20的直徑大。底板20的待收納的側面與收納部分32的內壁彼此間隔開恆定距離，以形成如先前在上文描述的流動路徑31。
流動路徑31將經由基板卡盤10a供應的冷卻氣體供應到底板20與頂板30之間的空間，明確地說，供應到頂板30的下部周圍以通過冷卻頂板30來防止頂板30過熱。
因此，通過冷卻氣體的均勻分佈，基板1以及頂板30可冷卻，且基板1的表面溫度可在電漿處理期間維持在恆定水平。
而且，空穴33形成在頂板30中以使基板1的頂部部分暴露。空穴33的周圍具有經配置以朝基板1的頂部部分突出且防止基板1脫離的突起34。
將參看圖3描述根據本發明的安裝方法。
通過以下步驟來耦接根據本發明的基板支撐設備：將密封構件40固持在底板20的收納凹部23中；用圖3所示的頂板30 的顛倒的頂部和底部來將基板1安裝在空穴33上；插入顛倒的底板20，其中密封構件40經固持以使得密封構件40放置在基板1與頂板30之間；以及使用螺栓進行耦接。由於密封構件40固持在收納凹部23中，因此密封構件40的位置在耦接過程期間保持不變。因此，可容易地完成耦接而無顯著困難。底板20在基板1得以安裝的情況下耦接到頂板30，且所得組合件如圖3所示而顛倒且安裝在基板卡盤10a上。
為了將底板20與基板卡盤10a分離，密封環30(例如，O形環)放置在頂板30的背表面的周圍與基板卡盤10a之間。此防止經由基板卡盤10a供應的冷卻氣體洩漏到外部，且使底板20與基板卡盤10a分離，以通過第一供應管21、第二供應管22以及流動路徑31供應冷卻氣體。
頂板30可形成得與底板20的大小相同，如圖11所示。而且，頂板30可形成為沒有收納部分的板。在此狀況下，當頂板30、底板20以及基板1耦接時，頂板30與底板20通過密封構件40的上部部分42彼此間隔開，以在頂板30與底板20之間形成空間。因此，由第一供應管21、第二供應管22以及流動路徑31供應的冷卻氣體可通過形成在頂板30與底板20之間的空間而洩漏到外部。
因此，為了將底板20與基板卡盤10a分離以通過第一供應管21、第二供應管22以及流動路徑31供應冷卻氣體，密封環50可放置在底板20與基板卡盤10a之間。同時，為了防止冷卻氣 體洩漏到頂板30與底板20之間的空間中，另外，另一密封環60可放置在底板20以及頂板30的周圍周邊處。
通過使用此配置，第一冷卻空間C1形成在基板1與底板20之間且與第一供應管21連通。而且，第二冷卻空間C2形成在頂板30與底板20之間且與第二供應管22以及流動路徑31連通。第一供應管21、第一冷卻空間C1、第二供應管22以及第二冷卻空間C2形成通過氣體通道供應的冷卻氣體的冷卻路徑。
也就是說，如先前在上文描述，通過第一供應管21供應的冷卻氣體注入到第一冷卻空間C1中且供應到基板1的背表面，以防止基板1過熱。通過第二供應管22以及流動路徑31供應的冷卻氣體注入到第二冷卻空間C2中且供應到頂板30的背表面於基板1與所述背表面的周圍之間，以防止頂板30過熱。
因此，頂板30的溫度水平變得與基板1的溫度水平相同，且可防止由頂板30與基板1之間的溫差引起的處理失敗。
冷卻氣體為熱傳導氣體。當冷卻氣體通過第一供應管21、第二供應管22以及流動路徑31供應時，從基板1以及頂板30產生的熱向下(即，在與供應冷卻氣體的方向相反的方向上)傳遞。
已參看優選實施例詳細描述了本發明。然而，本發明不限於這些實施例，且可對本發明進行各種修改而不脫離權利要求書、說明書和附圖的範圍。應理解，這些修改在本發明範圍內。
產業適用性
根據本發明的基板支撐設備以及基板處理設備可防止處理失敗產生以改進生產良率。而且，所述設備可容易製造以降低生產成本。因此，本發明具有改進的產業適用性。
2‧‧‧基板支撐設備
20‧‧‧底板
21‧‧‧第一供應管
22‧‧‧第二供應管
23‧‧‧收納凹部
30‧‧‧頂板
32‧‧‧凹入收納部分
33‧‧‧空穴
34‧‧‧突起
40‧‧‧密封構件

Claims (16)

  1. 一種基板支撐設備，包括：底板，經配置以將基板支撐在所述底板上，且具有冷卻氣體流動通過的多個供應管；頂板，經配置以可卸除地耦接到所述底板，且具有空穴以使支撐在所述底板上的所述基板的頂表面暴露；以及密封構件，經配置以耦接到所述底板，且在所述頂板與所述底板之間以及所述基板與所述底板之間形成冷卻空間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐設備，其中所述頂板圍繞所述底板的頂部部分以及側面，所述冷卻氣體流動通過的流動路徑形成在所述底板的側面與所述頂板的側壁之間，且所述密封構件密封所述基板與所述頂板之間的間隙。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板支撐設備，其中所述頂板設有收納所述底板的凹入的收納部分，所述收納部分具有比所述底板的直徑大的直徑，且所述流動路徑形成在所述底板的側面與所述收納部分的側壁之間，以通過所述流動路徑將所述冷卻氣體供應到所述頂板的背表面的周圍。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐設備，其中所述頂板覆蓋所述底板的頂部部分，所述密封構件密封所述基板與所述頂板之間的間隙，且所述密封構件具有設置在所述頂板的周圍與所述底板的周圍之間的密封環。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板支撐設備，其中所述冷卻空間包括形成在所述基板與所述底板之間的第一冷卻空間以及形成在所述頂板與所述底板之間的第二冷卻空 間，且所述底板包括用於將所述冷卻氣體供應到所述第一冷卻空間的第一供應管以及用於將所述冷卻氣體供應到所述第二冷卻空間的第二供應管。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板支撐設備，其中所述底板包括環形的收納凹部，所述密封構件的下部部分的一部分插入且固持在所述收納凹部中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板支撐設備，其中所述密封構件包括插入所述收納凹部中的下部部分以及朝所述收納凹部的頂部部分突出的上部部分，且所述上部部分的外側與所述頂板接觸且內側與所述基板接觸，以防止所述冷卻氣體洩漏到所述基板與所述頂板之間的空間中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的基板支撐設備，其中所述密封構件的所述上部部分的橫截面寬度大於、等於或小於所述下部部分的橫截面寬度。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的基板支撐設備，其中所述密封構件的所述上部部分的橫截面形狀為在頂側左右劃分的形狀以及多邊形、圓形和橢圓形形狀中的至少一者。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的基板支撐設備，其中所述密封構件的所述下部部分的橫截面寬度在上下方向上具有相同寬度，或具有向下逐漸增大的寬度。
  11. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板支撐設備，其中所述密封構件形成為對應於所述基板的環形狀。
  12. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板支撐設備，其中所述密封構件包括與所述基板接觸的第一密封構件以 及與所述頂板接觸的第二密封構件。
  13. 一種基板處理設備，包括：室，經配置以形成基板處理空間；基板卡盤，經配置以設置在所述室內部的下部部分中；以及基板支撐單元，放置在所述基板卡盤上，以將基板定位於其中，所述基板支撐單元具有經配置以彼此耦接而將所述基板插入於兩者之間的頂板和底板，以及具有經配置以將冷卻氣體供應到所述基板以及所述頂板的每一背表面的冷卻路徑。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的基板處理設備，其中所述冷卻路徑包括：第一冷卻路徑，設有通過所述底板的第一供應管以及連接到所述第一供應管且形成在所述基板與所述底板之間的第一冷卻空間；以及第二冷卻路徑，設有通過所述底板的第二供應管以及連接到所述第二供應管且形成在所述頂板與所述底板之間的第二冷卻空間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的基板處理設備，其中所述第一供應管以及第二供應管連接到通過所述基板卡盤的氣體通道。
  16. 如申請專利範圍第13項至第15項中任一項所述的基板處理設備，其中所述基板處理設備包括耦接到所述底板且經配置以使所述冷卻路徑彼此分離的密封構件。
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