JP2000304899A5 - - Google Patents

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【請求項３】 半導体基板にイオンビームを照射して当該半導体基板の表面にＭＯＳ形電界効果トランジスタを形成するイオン注入装置に用いられるものであって、前記イオンビームと交差する面に配列されていて前記イオンビームを受ける複数の測定用導体と、この各測定用導体にそれぞれ接続されていて前記ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧に実質的に等しい降伏電圧を有する複数の双方向定電圧素子と、この各双方向定電圧素子を通して流れる電流の極性および大きさをそれぞれ測定する電流測定器とを備えることを特徴とするチャージアップ測定装置。
【請求項４】 半導体基板にイオンビームを照射して当該半導体基板の表面にＭＯＳ形電界効果トランジスタを形成するイオン注入装置に用いられるものであって、前記イオンビームと交差する面に配列されていて前記イオンビームを受ける複数の測定用導体と、この各測定用導体にそれぞれ接続されていて前記ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧に実質的に等しい降伏電圧を有する複数の双方向定電圧素子と、この各双方向定電圧素子を通して流れる正および負の電荷量をそれぞれ測定する電荷量測定器とを備えることを特徴とするチャージアップ測定装置。
この発明に係るチャージアップ測定装置を、半導体基板の表面にイオン注入によってＭＯＳ形電界効果トランジスタを形成するイオン注入装置に用いる場合は、上記各双方向定電圧素子の降伏電圧は、当該ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧にほぼ等しく、即ち実質的に等しくするのが好ましい（請求項３）。それによって、各測定用導体の最大チャージアップ電圧を、基板表面のＭＯＳ形電界効果トランジスタの最大チャージアップ電圧にほぼ等しくすることができるので、そのチャージアップを模擬的に、しかもより高精度で測定することができる。
請求項３記載の発明によれば、各双方向定電圧素子の降伏電圧を、半導体基板の表面に形成するＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧に実質的に等しくしているので、各測定用導体の最大チャージアップ電圧を、基板表面のＭＯＳ形電界効果トランジスタの最大チャージアップ電圧にほぼ等しくすることができる。従って、基板表面のＭＯＳ形電界効果トランジスタのチャージアップを模擬的に、しかもより高精度で測定することができる。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3414380B2 (ja) * 2000-11-14 2003-06-09 日新電機株式会社 イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置
US7476877B2 (en) * 2006-02-14 2009-01-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer charge monitoring
KR100782370B1 (ko) * 2006-08-04 2007-12-07 삼성전자주식회사 지연 전기장을 이용한 이온 에너지 분포 분석기에 근거한이온 분석 시스템
US9558914B2 (en) * 2015-02-25 2017-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Bipolar wafer charge monitor system and ion implantation system comprising same
JP7123663B2 (ja) * 2018-06-29 2022-08-23 株式会社東芝 製造ライン内の静電気測定方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3895978A (en) * 1969-08-12 1975-07-22 Kogyo Gijutsuin Method of manufacturing transistors
US3969670A (en) * 1975-06-30 1976-07-13 International Business Machines Corporation Electron beam testing of integrated circuits
US4052229A (en) * 1976-06-25 1977-10-04 Intel Corporation Process for preparing a substrate for mos devices of different thresholds
US4473795A (en) * 1983-02-23 1984-09-25 International Business Machines Corporation System for resist defect measurement
US4536223A (en) * 1984-03-29 1985-08-20 Rca Corporation Method of lowering contact resistance of implanted contact regions
US4675530A (en) * 1985-07-11 1987-06-23 Eaton Corporation Charge density detector for beam implantation
JPH01248452A (ja) 1988-03-29 1989-10-04 Nissin Electric Co Ltd イオンビーム中性化装置
DE3941280A1 (de) * 1989-12-14 1991-06-20 Basf Ag Polymergranulat mit verbesserter verarbeitbarkeit
JP2969788B2 (ja) 1990-05-17 1999-11-02 日新電機株式会社 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
JP2802825B2 (ja) * 1990-09-22 1998-09-24 大日本スクリーン製造 株式会社 半導体ウエハの電気測定装置
US5179279A (en) * 1991-01-25 1993-01-12 Rensselaer Polytechnic Institute Non-contact electrical pathway
DE69224506T2 (de) * 1991-11-27 1998-10-01 Hitachi Ltd Elektronenstrahlgerät
JPH06349920A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 半導体ウェハの電荷量測定方法
JPH0714898A (ja) * 1993-06-23 1995-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの試験解析装置および解析方法
US5659244A (en) * 1994-09-21 1997-08-19 Nec Corporation Electronic circuit tester and method of testing electronic circuit
US5519334A (en) * 1994-09-29 1996-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for measuring charge traps within a dielectric layer formed on a semiconductor wafer
US5952837A (en) * 1995-07-18 1999-09-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Scanning photoinduced current analyzer capable of detecting photoinduced current in nonbiased specimen
US5844416A (en) * 1995-11-02 1998-12-01 Sandia Corporation Ion-beam apparatus and method for analyzing and controlling integrated circuits
JP3251875B2 (ja) * 1996-05-10 2002-01-28 株式会社東芝 荷電粒子ビーム露光装置
JP3430806B2 (ja) 1996-07-25 2003-07-28 日新電機株式会社 イオン注入装置
JPH1196960A (ja) 1997-09-24 1999-04-09 Sony Corp イオン注入装置
US5999465A (en) * 1998-09-30 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining the robustness of memory cells to alpha-particle/cosmic ray induced soft errors
US6232787B1 (en) * 1999-01-08 2001-05-15 Schlumberger Technologies, Inc. Microstructure defect detection

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