JP2000299248A - 高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐
圧に優れたコンデンサを提供すること。 【解決手段】 ガラス基体上（１）上にＰｔの下部電極
をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した後、ＲＦ
マグネトロンスパッタ法により基体温度３００℃、成膜
圧力２×１０-3Ｔｏｒｒの条件で高誘電体薄膜（４）の
ＳｒＴｉＯ3を形成し、引き続き上部電極（３）のＰｔ
をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成し、高誘電体
薄膜コンデンサとする。
圧に優れたコンデンサを提供すること。 【解決手段】 ガラス基体上（１）上にＰｔの下部電極
をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した後、ＲＦ
マグネトロンスパッタ法により基体温度３００℃、成膜
圧力２×１０-3Ｔｏｒｒの条件で高誘電体薄膜（４）の
ＳｒＴｉＯ3を形成し、引き続き上部電極（３）のＰｔ
をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成し、高誘電体
薄膜コンデンサとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高誘電体薄膜を用
いた薄膜コンデンサに関し、特にチップコンデンサと称
する小型かつ軽量なコンデンサを用いた携帯電話や携帯
情報端末等の電子機器に応用できるものである。
いた薄膜コンデンサに関し、特にチップコンデンサと称
する小型かつ軽量なコンデンサを用いた携帯電話や携帯
情報端末等の電子機器に応用できるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話等の電子機器の小型化、
薄型化が要求されている。電子機器はＩＣやコンデンサ
などの電子部品が実装された回路基板等から構成され、
使用される電子部品、回路基板にも薄型化が要求されて
いる。小型かつ薄型なコンデンサを実現するために、ガ
ラスやセラミック、金属箔、あるいは有機高分子フィル
ムなどの小型、軽量、低コストな基体の上に、電極薄膜
と高誘電体薄膜との積層構造からなる小型、軽量コンデ
ンサが提供されている。
薄型化が要求されている。電子機器はＩＣやコンデンサ
などの電子部品が実装された回路基板等から構成され、
使用される電子部品、回路基板にも薄型化が要求されて
いる。小型かつ薄型なコンデンサを実現するために、ガ
ラスやセラミック、金属箔、あるいは有機高分子フィル
ムなどの小型、軽量、低コストな基体の上に、電極薄膜
と高誘電体薄膜との積層構造からなる小型、軽量コンデ
ンサが提供されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記、電極薄膜上に高
誘電体薄膜を形成する際、高誘電体薄膜は成膜条件によ
りランダムな方位に配向し、基体の影響を受けない場
合、主に（１１０）面、（１１１）面、（２００）面に
優先的に配向する。しかし、（１１１）面以外に配向し
た高誘電体薄膜は（１１１）面に配向した高誘電体薄膜
よりも誘電分極が小さくなる結果、誘電率が低くなって
しまう。さらに、（１１１）面以外に配向すると表面の
凹凸が大きくなると共に、結晶粒界も粗な膜が形成され
てしまう。
誘電体薄膜を形成する際、高誘電体薄膜は成膜条件によ
りランダムな方位に配向し、基体の影響を受けない場
合、主に（１１０）面、（１１１）面、（２００）面に
優先的に配向する。しかし、（１１１）面以外に配向し
た高誘電体薄膜は（１１１）面に配向した高誘電体薄膜
よりも誘電分極が小さくなる結果、誘電率が低くなって
しまう。さらに、（１１１）面以外に配向すると表面の
凹凸が大きくなると共に、結晶粒界も粗な膜が形成され
てしまう。
【０００４】このような表面の凹凸や粗な結晶粒界は電
極薄膜との接触状態を劣悪なものとし、結晶粒界や電極
との界面でのキャリアの再結合が支配的となる結果、リ
ーク電流が増大してしまい、絶縁耐圧の低いコンデンサ
となってしまう。
極薄膜との接触状態を劣悪なものとし、結晶粒界や電極
との界面でのキャリアの再結合が支配的となる結果、リ
ーク電流が増大してしまい、絶縁耐圧の低いコンデンサ
となってしまう。
【０００５】本発明は、ペロブスカイト構造を有する高
誘電体薄膜が（１１１）面に優先配向することにより大
きな誘電率を有し、しかもフラットな表面形態となり、
結晶粒界が緻密な高誘電体薄膜を提供することにより、
誘電率が大きく、しかも絶縁耐圧に優れた高品質かつ高
信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供すること
を目的とする。
誘電体薄膜が（１１１）面に優先配向することにより大
きな誘電率を有し、しかもフラットな表面形態となり、
結晶粒界が緻密な高誘電体薄膜を提供することにより、
誘電率が大きく、しかも絶縁耐圧に優れた高品質かつ高
信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の高誘電体薄膜コンデンサは、ペロブスカイ
ト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が（１１１）面に
優先配向していることを特徴とする。これにより高誘電
体薄膜の誘電分極が大きくなる結果、誘電率が大きくな
る。さらに、フラットな表面形態となり、結晶粒界が緻
密な高誘電体薄膜を提供することが可能となり、リーク
電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供するこ
とが可能である。
め、本発明の高誘電体薄膜コンデンサは、ペロブスカイ
ト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が（１１１）面に
優先配向していることを特徴とする。これにより高誘電
体薄膜の誘電分極が大きくなる結果、誘電率が大きくな
る。さらに、フラットな表面形態となり、結晶粒界が緻
密な高誘電体薄膜を提供することが可能となり、リーク
電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供するこ
とが可能である。
【０００７】また前記コンデンサにおいては、高誘電体
薄膜の下部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配
向性が（１１１）面に優先配向していることを特徴とす
る。これにより、下部電極上に形成した高誘電体薄膜の
格子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密度
の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。
薄膜の下部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配
向性が（１１１）面に優先配向していることを特徴とす
る。これにより、下部電極上に形成した高誘電体薄膜の
格子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密度
の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。
【０００８】その結果、誘電率が大きく、リーク電流の
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
【０００９】また前記コンデンサにおいては、高誘電体
薄膜の上部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配
向性が（１１１）面に優先配向していることを特徴とす
る。これにより、上部電極下に形成した高誘電体薄膜の
格子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密度
の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。
その結果、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐
圧に優れたコンデンサを提供することが可能である。
薄膜の上部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配
向性が（１１１）面に優先配向していることを特徴とす
る。これにより、上部電極下に形成した高誘電体薄膜の
格子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密度
の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。
その結果、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐
圧に優れたコンデンサを提供することが可能である。
【００１０】また前記コンデンサにおいては、高誘電体
薄膜と電極薄膜の格子の不整合が５％を上限とすること
を特徴とする。これにより、上下電極と高誘電体薄膜の
格子不整合が小さくなり、接合界面における欠陥準位密
度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能とな
る。その結果、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶
縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能であ
る。
薄膜と電極薄膜の格子の不整合が５％を上限とすること
を特徴とする。これにより、上下電極と高誘電体薄膜の
格子不整合が小さくなり、接合界面における欠陥準位密
度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能とな
る。その結果、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶
縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能であ
る。
【００１１】また前記コンデンサにおいては、高誘電体
薄膜の格子定数が電極薄膜の格子定数よりも大きいこと
を特徴とする。これにより高誘電体薄膜には圧縮の面内
応力が加わることになり、さらに大きな誘電分極を生じ
ることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
薄膜の格子定数が電極薄膜の格子定数よりも大きいこと
を特徴とする。これにより高誘電体薄膜には圧縮の面内
応力が加わることになり、さらに大きな誘電分極を生じ
ることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
【００１２】また前記コンデンサにおいては、基体が無
定形構造あるいは結晶構造をもち、高誘電体薄膜及び電
極薄膜の配向性に影響を及ぼさないことを特徴とする。
これにより、基体上に形成した電極薄膜が面心立方晶の
細密充填面である（１１１）面が基体と平行に配向する
ことになり、上下電極と高誘電体薄膜の格子整合が可能
となり、接合界面における欠陥準位密度の低い高誘電体
薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。その結果、誘電
率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコン
デンサを提供することが可能である。
定形構造あるいは結晶構造をもち、高誘電体薄膜及び電
極薄膜の配向性に影響を及ぼさないことを特徴とする。
これにより、基体上に形成した電極薄膜が面心立方晶の
細密充填面である（１１１）面が基体と平行に配向する
ことになり、上下電極と高誘電体薄膜の格子整合が可能
となり、接合界面における欠陥準位密度の低い高誘電体
薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。その結果、誘電
率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコン
デンサを提供することが可能である。
【００１３】また前記コンデンサにおいては、基体がガ
ラス、セラミック、金属箔、有機高分子体、半導体基体
からなる群より選択される少なくとも１つの物質である
ことが好ましい。これにより基体上に形成する電極薄膜
は（１１１）面に優先配向することになり、誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
ラス、セラミック、金属箔、有機高分子体、半導体基体
からなる群より選択される少なくとも１つの物質である
ことが好ましい。これにより基体上に形成する電極薄膜
は（１１１）面に優先配向することになり、誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
【００１４】また前記コンデンサにおいては、高誘電体
薄膜がＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3及びＰｂＴｉＯ3から
なる群より選択される少なくとも１つの物質であること
が好ましい。これにより誘電率が大きく、しかもリーク
電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供するこ
とが可能である。
薄膜がＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3及びＰｂＴｉＯ3から
なる群より選択される少なくとも１つの物質であること
が好ましい。これにより誘電率が大きく、しかもリーク
電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供するこ
とが可能である。
【００１５】また前記コンデンサにおいては、電極薄膜
がＰｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ及
びＩｒからなる群より選択される少なくとも１つの物質
であることが好ましい。これにより高誘電体薄膜との格
子不整合が小さくなる結果、誘電率が大きく、リーク電
流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供すること
が可能である。
がＰｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ及
びＩｒからなる群より選択される少なくとも１つの物質
であることが好ましい。これにより高誘電体薄膜との格
子不整合が小さくなる結果、誘電率が大きく、リーク電
流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供すること
が可能である。
【００１６】次に、本発明の高誘電体薄膜コンデンサの
製造方法は、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜
の配向性が（１１１）面に優先配向した高誘電体薄膜を
形成するための高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であ
る。
製造方法は、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜
の配向性が（１１１）面に優先配向した高誘電体薄膜を
形成するための高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であ
る。
【００１７】前記方法においては、高誘電体薄膜の形成
法としてＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネト
ロンスパッタ法からなる群より選択される手段を用いる
ことが好ましい。これにより高い比誘電率を示す高誘電
体薄膜の形成が可能となり、誘電率が大きく、しかもリ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
法としてＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネト
ロンスパッタ法からなる群より選択される手段を用いる
ことが好ましい。これにより高い比誘電率を示す高誘電
体薄膜の形成が可能となり、誘電率が大きく、しかもリ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
【００１８】また前記方法においては、ＲＦマグネトロ
ンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法での成膜
圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒを上限とすることが好まし
い。これにより、（１１１）面に優先配向した高誘電体
薄膜を形成することが可能となり、誘電率が大きく、リ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
ンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法での成膜
圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒを上限とすることが好まし
い。これにより、（１１１）面に優先配向した高誘電体
薄膜を形成することが可能となり、誘電率が大きく、リ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
【００１９】また前記方法においては、高誘電体薄膜の
形成温度が３００℃を上限とすることが好ましい。これ
により酸化が起こりやすいＡｌやＣｕ、Ｎｉを電極材料
として適用するが可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
形成温度が３００℃を上限とすることが好ましい。これ
により酸化が起こりやすいＡｌやＣｕ、Ｎｉを電極材料
として適用するが可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
【００２０】また前記方法においては、高誘電体薄膜の
堆積速度が毎分１０ｎｍを下限とすることが好ましい。
これにより高誘電体薄膜形成の時間が短縮される結果、
製造のスループット向上が可能となり、低コストかつ誘
電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコ
ンデンサを提供することが可能である。
堆積速度が毎分１０ｎｍを下限とすることが好ましい。
これにより高誘電体薄膜形成の時間が短縮される結果、
製造のスループット向上が可能となり、低コストかつ誘
電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコ
ンデンサを提供することが可能である。
【００２１】また前記方法においては、電極薄膜の堆積
速度が毎分１０ｎｍを下限とすることが好ましい。これ
により電極薄膜形成の時間が短縮される結果、製造のス
ループット向上が可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
速度が毎分１０ｎｍを下限とすることが好ましい。これ
により電極薄膜形成の時間が短縮される結果、製造のス
ループット向上が可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
【００２２】次に、本発明の高誘電体薄膜コンデンサの
製造方法は、高誘電体薄膜の下部および上部電極が面心
立方晶構造をもち、電極薄膜の配向性が（１１１）面に
優先配向した電極薄膜を形成するための高誘電体薄膜コ
ンデンサの製造方法である。
製造方法は、高誘電体薄膜の下部および上部電極が面心
立方晶構造をもち、電極薄膜の配向性が（１１１）面に
優先配向した電極薄膜を形成するための高誘電体薄膜コ
ンデンサの製造方法である。
【００２３】前記方法においては、電極薄膜の形成法と
してＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンス
パッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法
及びＣＶＤ法からなる群より選択される手段を用いるこ
とが好ましい。これにより、容易に電極薄膜の配向性が
（１１１）面に優先配向した電極薄膜を形成することが
可能となり、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁
耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能である。
してＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンス
パッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法
及びＣＶＤ法からなる群より選択される手段を用いるこ
とが好ましい。これにより、容易に電極薄膜の配向性が
（１１１）面に優先配向した電極薄膜を形成することが
可能となり、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁
耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能である。
【００２４】また前記方法においては、電極薄膜の堆積
速度が毎分１０ｎｍを下限とすることが好ましい。これ
により電極薄膜形成の時間が短縮される結果、製造のス
ループット向上が可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
速度が毎分１０ｎｍを下限とすることが好ましい。これ
により電極薄膜形成の時間が短縮される結果、製造のス
ループット向上が可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
【００２５】本発明により製造される高誘電体薄膜コン
デンサとは、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜
が（１１１）面に優先配向することにより誘電分極が大
きく、さらにフラットな表面形態となり、結晶粒界が緻
密な高誘電体薄膜となり、誘電率が大きく、絶縁耐圧に
優れた高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデ
ンサである。すなわち、本高誘電体薄膜コンデンサを用
いることによりチップコンデンサとして小型かつ軽量な
電子機器に搭載することが可能となり、平滑用、同調用
やデカップリング用などのフレキシブルな低容量から高
容量までのチップコンデンサとして使用することができ
る。
デンサとは、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜
が（１１１）面に優先配向することにより誘電分極が大
きく、さらにフラットな表面形態となり、結晶粒界が緻
密な高誘電体薄膜となり、誘電率が大きく、絶縁耐圧に
優れた高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデ
ンサである。すなわち、本高誘電体薄膜コンデンサを用
いることによりチップコンデンサとして小型かつ軽量な
電子機器に搭載することが可能となり、平滑用、同調用
やデカップリング用などのフレキシブルな低容量から高
容量までのチップコンデンサとして使用することができ
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例を用いて図
面を参照してさらに詳しく説明する。
面を参照してさらに詳しく説明する。
【００２７】（実施の形態１）第１の実施の形態におけ
る高誘電体薄膜コンデンサの構成を図１に示す。
る高誘電体薄膜コンデンサの構成を図１に示す。
【００２８】図１において、１は基体、２は電極薄膜、
３は高誘電体薄膜である。基体として硼珪酸ガラスを用
い、電極薄膜にはＡｌ、高誘電体薄膜にＳｒＴｉＯ3を
用いた。
３は高誘電体薄膜である。基体として硼珪酸ガラスを用
い、電極薄膜にはＡｌ、高誘電体薄膜にＳｒＴｉＯ3を
用いた。
【００２９】ガラス基体上にＤＣマグネトロンスパッタ
法を用いて電極のＰｔ薄膜を形成後、ＲＦマグネトロン
スパッタ法によりＳｒＴｉＯ3薄膜を形成した。引き続
き電極のＰｔ薄膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により
形成し、高誘電体薄膜コンデンサとした。上記試料にお
いてコンデンサ特性を確認することができた。
法を用いて電極のＰｔ薄膜を形成後、ＲＦマグネトロン
スパッタ法によりＳｒＴｉＯ3薄膜を形成した。引き続
き電極のＰｔ薄膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により
形成し、高誘電体薄膜コンデンサとした。上記試料にお
いてコンデンサ特性を確認することができた。
【００３０】高誘電体薄膜としては、高い比誘電率が得
られるようなＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＰｂＴｉ
Ｏ3、およびそれらの固溶体からなる群より選択される
少なくとも１つの物質であることが好ましい。
られるようなＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＰｂＴｉ
Ｏ3、およびそれらの固溶体からなる群より選択される
少なくとも１つの物質であることが好ましい。
【００３１】高誘電体薄膜の形成法としては、ＲＦマグ
ネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法を
用いることが好ましい。
ネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法を
用いることが好ましい。
【００３２】高誘電体薄膜の堆積速度としては、毎分１
０ｎｍを下限とすることが好ましい。
０ｎｍを下限とすることが好ましい。
【００３３】電極薄膜としては、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ及びＩｒからなる群より選
択される少なくとも１つの物質であることが好ましい。
ｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ及びＩｒからなる群より選
択される少なくとも１つの物質であることが好ましい。
【００３４】また、高誘電体薄膜の形成温度が３００℃
以下であることが好ましい。
以下であることが好ましい。
【００３５】電極薄膜の形成法としては、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲ
マグネトロンスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法を用い
ることが好ましい。
ロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲ
マグネトロンスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法を用い
ることが好ましい。
【００３６】電極薄膜の堆積速度としては、毎分１０ｎ
ｍを下限とすることが好ましい。
ｍを下限とすることが好ましい。
【００３７】
【実施例】以下本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【００３８】（実施例１）第１の実施例として、図１の
高誘電体薄膜コンデンサにおいて、厚さ０．５ｍｍのガ
ラス基体上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いてＰ
ｔ下部電極を形成した。電極薄膜のスパッタ条件は１０
-6Ｔｏｒｒ台の高真空チャンバー内においてＡｒ雰囲気
中、ＤＣ電力２００Ｗ、成膜圧力８×１０-3Ｔｏｒｒ、
基体温度２５℃の条件で行った。膜厚は約１０００Å、
蒸着レートは約１００Å／ｍｉｎであった。なお、電極
形状はメタルマスクを用いて５ｍｍ角の大きさに形成さ
れている。下部電極形成後、ＳｒＴｉＯ3の高誘電体薄
膜の形成を行った。ＳｒＴｉＯ3薄膜のスパッタ条件は
１０-6Ｔｏｒｒ台の高真空チャンバー内においてＡｒ／
Ｏ2＝２／１の混合雰囲気中において、ＲＦ電力８００
Ｗ、基体温度３００℃の条件で行った。成膜圧力は２×
１０-3Ｔｏｒｒと８×１０-3Ｔｏｒｒの２条件で形成し
た。ＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚は約３０００Å、膜堆積速
度はともに約３００Å／ｍｉｎあった。Ｐｔ下部電極上
のＳｒＴｉＯ3薄膜の表面積は４×４ｍｍであった。Ｓ
ｒＴｉＯ3薄膜形成後、上部電極として再びＰｔ電極の
形成を行った。上部電極の形成条件は、下部電極と同一
条件である。電極間に挟まれたＳｒＴｉＯ3薄膜の表面
積は３×３ｍｍであった。
高誘電体薄膜コンデンサにおいて、厚さ０．５ｍｍのガ
ラス基体上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いてＰ
ｔ下部電極を形成した。電極薄膜のスパッタ条件は１０
-6Ｔｏｒｒ台の高真空チャンバー内においてＡｒ雰囲気
中、ＤＣ電力２００Ｗ、成膜圧力８×１０-3Ｔｏｒｒ、
基体温度２５℃の条件で行った。膜厚は約１０００Å、
蒸着レートは約１００Å／ｍｉｎであった。なお、電極
形状はメタルマスクを用いて５ｍｍ角の大きさに形成さ
れている。下部電極形成後、ＳｒＴｉＯ3の高誘電体薄
膜の形成を行った。ＳｒＴｉＯ3薄膜のスパッタ条件は
１０-6Ｔｏｒｒ台の高真空チャンバー内においてＡｒ／
Ｏ2＝２／１の混合雰囲気中において、ＲＦ電力８００
Ｗ、基体温度３００℃の条件で行った。成膜圧力は２×
１０-3Ｔｏｒｒと８×１０-3Ｔｏｒｒの２条件で形成し
た。ＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚は約３０００Å、膜堆積速
度はともに約３００Å／ｍｉｎあった。Ｐｔ下部電極上
のＳｒＴｉＯ3薄膜の表面積は４×４ｍｍであった。Ｓ
ｒＴｉＯ3薄膜形成後、上部電極として再びＰｔ電極の
形成を行った。上部電極の形成条件は、下部電極と同一
条件である。電極間に挟まれたＳｒＴｉＯ3薄膜の表面
積は３×３ｍｍであった。
【００３９】上記、２種類のＰｔ／ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ
構造積層膜のＸ線回折（ＸＲＤ）を用いて分析した結晶
の配向性を図２に示す。Ｘ線回折パターンから、成膜圧
力を２×１０-3Ｔｏｒｒとして形成したＳｒＴｉＯ3薄
膜は（１１１）面に優先配向し、８×１０-3Ｔｏｒｒで
形成したピークがＳｒＴｉＯ3薄膜は（１１０）面に優
先配向していることがわかる。
構造積層膜のＸ線回折（ＸＲＤ）を用いて分析した結晶
の配向性を図２に示す。Ｘ線回折パターンから、成膜圧
力を２×１０-3Ｔｏｒｒとして形成したＳｒＴｉＯ3薄
膜は（１１１）面に優先配向し、８×１０-3Ｔｏｒｒで
形成したピークがＳｒＴｉＯ3薄膜は（１１０）面に優
先配向していることがわかる。
【００４０】上記、２種類のＰｔ／ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ
構造積層膜のＳｒＴｉＯ3薄膜表面の走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて分析した表面形態を図３に示す。Ｘ
ＲＤの結果と合わせると、（１１１）面に優先配向した
ＳｒＴｉＯ3薄膜は表面の凹凸が小さく、結晶粒界も緻
密であることが分かる。これに対し（１１０）面に優先
配向したＳｒＴｉＯ3薄膜は表面の凹凸が大きく、結晶
粒界も粗であることがわかる。
構造積層膜のＳｒＴｉＯ3薄膜表面の走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて分析した表面形態を図３に示す。Ｘ
ＲＤの結果と合わせると、（１１１）面に優先配向した
ＳｒＴｉＯ3薄膜は表面の凹凸が小さく、結晶粒界も緻
密であることが分かる。これに対し（１１０）面に優先
配向したＳｒＴｉＯ3薄膜は表面の凹凸が大きく、結晶
粒界も粗であることがわかる。
【００４１】上記、２種類の高誘電体薄膜コンデンサを
用いてコンデンサ特性を評価した結果を表１に示す。な
お、測定周波数は１ｋＨｚである。またリーク電流測定
時の電圧は下部電極に＋５Ｖを印加している。
用いてコンデンサ特性を評価した結果を表１に示す。な
お、測定周波数は１ｋＨｚである。またリーク電流測定
時の電圧は下部電極に＋５Ｖを印加している。
【００４２】
【表１】
【００４３】（表１）からわかるように、２×１０-3Ｔ
ｏｒｒで成膜したＳｒＴｉＯ3薄膜は誘電率が８０で、
２．６×１０-7ｍＡ／ｃｍ2の電流密度であったのに対
し、８×１０-3Ｔｏｒｒで成膜したＳｒＴｉＯ3薄膜は
誘電率が６０で、５．３×１０-5ｍＡ／ｃｍ2の電流密
度であった。
ｏｒｒで成膜したＳｒＴｉＯ3薄膜は誘電率が８０で、
２．６×１０-7ｍＡ／ｃｍ2の電流密度であったのに対
し、８×１０-3Ｔｏｒｒで成膜したＳｒＴｉＯ3薄膜は
誘電率が６０で、５．３×１０-5ｍＡ／ｃｍ2の電流密
度であった。
【００４４】これらの誘電率の違いは、ＳｒＴｉＯ3が
（１１１）面に優先配向したことにより誘電分極が大き
くなったことを反映して誘電率が大きくなったものであ
る。また、電流密度の違いは、ＳｒＴｉＯ3薄膜の配向
性の違いを反映した結果であり、（１１０）面に配向し
たＳｒＴｉＯ3薄膜はＳＥＭで観察された表面の凹凸お
よび粗な結晶粒界によりＰｔとの接合状態が悪くなり、
ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ接合界面での欠陥準位が増大したこ
とによりリーク電流が大きくなったものである。ｔａｎ
δについても同様の現象が確認されている。また、誘電
率に関しては、成膜圧力が高真空になるほど高くなる結
果を示した。これは高真空成膜により高誘電体薄膜が
（１１１）面により優先的に配向して誘電分極が大きく
なり、それに伴い誘電率が向上した結果である。なお、
成膜圧力としては（１１１）面への優先配向性を示す６
×１０-3Ｔｏｒｒよりも低い圧力で成膜することが好ま
しい。
（１１１）面に優先配向したことにより誘電分極が大き
くなったことを反映して誘電率が大きくなったものであ
る。また、電流密度の違いは、ＳｒＴｉＯ3薄膜の配向
性の違いを反映した結果であり、（１１０）面に配向し
たＳｒＴｉＯ3薄膜はＳＥＭで観察された表面の凹凸お
よび粗な結晶粒界によりＰｔとの接合状態が悪くなり、
ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ接合界面での欠陥準位が増大したこ
とによりリーク電流が大きくなったものである。ｔａｎ
δについても同様の現象が確認されている。また、誘電
率に関しては、成膜圧力が高真空になるほど高くなる結
果を示した。これは高真空成膜により高誘電体薄膜が
（１１１）面により優先的に配向して誘電分極が大きく
なり、それに伴い誘電率が向上した結果である。なお、
成膜圧力としては（１１１）面への優先配向性を示す６
×１０-3Ｔｏｒｒよりも低い圧力で成膜することが好ま
しい。
【００４５】従って、ペロブスカイト構造高誘電体薄膜
が（１１１）に優先配向することにより誘電率が大き
く、しかも表面の凹凸が小さく結晶粒界も緻密となり、
電極薄膜との接合も良好となる結果、リーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
が（１１１）に優先配向することにより誘電率が大き
く、しかも表面の凹凸が小さく結晶粒界も緻密となり、
電極薄膜との接合も良好となる結果、リーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
【００４６】（実施例２）第２の実施例として、実施例
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、電極材料に体心立方晶の結晶構造を有す
るＣｒを用いて同様の実験を行った。それ以外は実施例
１とすべて同一条件である。
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、電極材料に体心立方晶の結晶構造を有す
るＣｒを用いて同様の実験を行った。それ以外は実施例
１とすべて同一条件である。
【００４７】上記、２種類のＰｔ／ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ
構造積層膜およびＣｒ／ＳｒＴｉＯ3／Ｃｒ構造積層膜
のＸ線回折（ＸＲＤ）を用いて分析した結晶の配向性を
図４に示す。Ｘ線回折パターンから、Ｐｔは面心立方晶
構造を有することから、細密充填面である（１１１）面
に優先配向している。一方、Ｃｒは体心立方晶構造を有
することから、細密充填面である（１１０）面に優先配
向していることがわかる。
構造積層膜およびＣｒ／ＳｒＴｉＯ3／Ｃｒ構造積層膜
のＸ線回折（ＸＲＤ）を用いて分析した結晶の配向性を
図４に示す。Ｘ線回折パターンから、Ｐｔは面心立方晶
構造を有することから、細密充填面である（１１１）面
に優先配向している。一方、Ｃｒは体心立方晶構造を有
することから、細密充填面である（１１０）面に優先配
向していることがわかる。
【００４８】表２にそれぞれの高誘電体薄膜コンデンサ
の特性を示す。
の特性を示す。
【００４９】
【表２】
【００５０】実験の結果、ＳｒＴｉＯ3薄膜は共に（１
１１）面に優先配向していたため、誘電率に大きな違い
はなかった。しかし、面心立方晶の結晶構造を有するＰ
ｔ電極では２．６×１０-7ｍＡ／ｃｍ2の電流密度であ
ったのに対し、体心立方晶の結晶構造を有するＣｒ電極
では５．３×１０-5ｍＡ／ｃｍ2の電流密度であった。
ＳｒＴｉＯ3薄膜は（１１１）面に優先配向しているた
め凹凸が小さく、結晶粒界も密であるのに、これらの電
流密度に違いが生じたのは、電極材料の結晶構造および
配向性の違いを反映した結果である。図５にＳｒＴｉＯ
3およびＰｔ、Ｃｒの結晶構造を示す。ＳｒＴｉＯ3はＳ
ｒの立方晶結晶格子中の面心位置にＯ、体心位置にＴｉ
が占有している。ＳｒＴｉＯ3薄膜が（１１１）面に配
向すると、Ｓｒで囲まれた（１１１）面が基体に平行に
なるように配向する。これに対して電極材料において
は、Ｐｔは面心立方晶の結晶構造をもち、細密充填面で
ある（１１１）面が基体と平行になるように配向する。
一方、Ｃｒは体心立方晶の結晶構造をもち、細密充填面
である（１１０）面が基体と平行になるように配向す
る。さらに、それぞれの格子定数はＳｒＴｉＯ3はａ＝
３．９１Å、Ｐｔは３．９２４Å、Ｃｒは２．８８５Å
である。従って、Ｐｔ（１１１）面上にＳｒＴｉＯ
3（１１１）面が成長すると格子不整合は０．４％とな
り、小さな格子不整合で成長する。一方、Ｃｒ（１１
０）面上にＳｒＴｉＯ3（１１１）面が成長すると格子
不整合は９．６となり、大きな格子不整合で成長するこ
とになる。その結果、格子不整合の小さなＰｔ／ＳｒＴ
ｉＯ3接合では界面状態が良好となり、欠陥準位が低減
する結果、リーク電流が小さくなる。一方、格子不整合
の大きなＣｒ／ＳｒＴｉＯ3接合では界面状態が劣悪と
なり、欠陥準位が増大する結果、リーク電流が大きくな
る。
１１）面に優先配向していたため、誘電率に大きな違い
はなかった。しかし、面心立方晶の結晶構造を有するＰ
ｔ電極では２．６×１０-7ｍＡ／ｃｍ2の電流密度であ
ったのに対し、体心立方晶の結晶構造を有するＣｒ電極
では５．３×１０-5ｍＡ／ｃｍ2の電流密度であった。
ＳｒＴｉＯ3薄膜は（１１１）面に優先配向しているた
め凹凸が小さく、結晶粒界も密であるのに、これらの電
流密度に違いが生じたのは、電極材料の結晶構造および
配向性の違いを反映した結果である。図５にＳｒＴｉＯ
3およびＰｔ、Ｃｒの結晶構造を示す。ＳｒＴｉＯ3はＳ
ｒの立方晶結晶格子中の面心位置にＯ、体心位置にＴｉ
が占有している。ＳｒＴｉＯ3薄膜が（１１１）面に配
向すると、Ｓｒで囲まれた（１１１）面が基体に平行に
なるように配向する。これに対して電極材料において
は、Ｐｔは面心立方晶の結晶構造をもち、細密充填面で
ある（１１１）面が基体と平行になるように配向する。
一方、Ｃｒは体心立方晶の結晶構造をもち、細密充填面
である（１１０）面が基体と平行になるように配向す
る。さらに、それぞれの格子定数はＳｒＴｉＯ3はａ＝
３．９１Å、Ｐｔは３．９２４Å、Ｃｒは２．８８５Å
である。従って、Ｐｔ（１１１）面上にＳｒＴｉＯ
3（１１１）面が成長すると格子不整合は０．４％とな
り、小さな格子不整合で成長する。一方、Ｃｒ（１１
０）面上にＳｒＴｉＯ3（１１１）面が成長すると格子
不整合は９．６となり、大きな格子不整合で成長するこ
とになる。その結果、格子不整合の小さなＰｔ／ＳｒＴ
ｉＯ3接合では界面状態が良好となり、欠陥準位が低減
する結果、リーク電流が小さくなる。一方、格子不整合
の大きなＣｒ／ＳｒＴｉＯ3接合では界面状態が劣悪と
なり、欠陥準位が増大する結果、リーク電流が大きくな
る。
【００５１】なお、Ｃｒ電極上にＳｒＴｉＯ3薄膜を８
×１０-3Ｔｏｒｒの成膜圧力で形成することによりＳｒ
ＴｉＯ3（１１０）面優先配向／Ｃｒ（１１０）面配向
の積層膜を形成したが、この場合は格子不整合は２６．
２％となり、さらに界面状態が劣悪になり欠陥準位が増
大する結果、電流密度は５．４×１０-3ｍＡ／ｃｍ2と
大きなリーク電流となった。さらに、実施例１で確認さ
れた（１１０）面に配向したＳｒＴｉＯ3薄膜の大きな
凹凸と粗な結晶粒界も大きなリーク電流に影響してい
る。
×１０-3Ｔｏｒｒの成膜圧力で形成することによりＳｒ
ＴｉＯ3（１１０）面優先配向／Ｃｒ（１１０）面配向
の積層膜を形成したが、この場合は格子不整合は２６．
２％となり、さらに界面状態が劣悪になり欠陥準位が増
大する結果、電流密度は５．４×１０-3ｍＡ／ｃｍ2と
大きなリーク電流となった。さらに、実施例１で確認さ
れた（１１０）面に配向したＳｒＴｉＯ3薄膜の大きな
凹凸と粗な結晶粒界も大きなリーク電流に影響してい
る。
【００５２】さらに、ｔａｎδについても電流密度同様
の傾向が確認されている。
の傾向が確認されている。
【００５３】従って、（１１１）面に優先配向した高誘
電体薄膜の下部及び上部の電極薄膜が面心立方晶構造を
もち、電極薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向して
いることにより、下部電極と上部電極間に形成した高誘
電体薄膜の格子整合が可能となり、接合界面における欠
陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可
能となる。その結果、誘電率が大きく、しかもリーク電
流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供すること
が可能である。
電体薄膜の下部及び上部の電極薄膜が面心立方晶構造を
もち、電極薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向して
いることにより、下部電極と上部電極間に形成した高誘
電体薄膜の格子整合が可能となり、接合界面における欠
陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可
能となる。その結果、誘電率が大きく、しかもリーク電
流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供すること
が可能である。
【００５４】なお、高誘電体薄膜と電極薄膜の格子の不
整合は５％を上限とすることが望ましい。格子不整合が
５％を越えるとリーク電流が大きくなり、絶縁耐圧特性
が劣化する。
整合は５％を上限とすることが望ましい。格子不整合が
５％を越えるとリーク電流が大きくなり、絶縁耐圧特性
が劣化する。
【００５５】（実施例３）第３の実施例として、実施例
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、電極材料に格子不整合の小さなＰｔとそ
れよりもやや格子不整合の大きいＡｌＮｉ合金電極を用
いて同様の実験を行った。それ以外は実施例１とすべて
同一条件である。なお、ＡｌＮｉ合金はＡｌ：Ｎｉ＝５
５：４５で、ＸＲＤによる精密格子定数測定の結果、格
子定数はａ＝３．８５Åであった。なお、ＸＲＤ分析に
よりＳｒＴｉＯ3薄膜は（１１１）面に配向しているこ
とを確認している。
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、電極材料に格子不整合の小さなＰｔとそ
れよりもやや格子不整合の大きいＡｌＮｉ合金電極を用
いて同様の実験を行った。それ以外は実施例１とすべて
同一条件である。なお、ＡｌＮｉ合金はＡｌ：Ｎｉ＝５
５：４５で、ＸＲＤによる精密格子定数測定の結果、格
子定数はａ＝３．８５Åであった。なお、ＸＲＤ分析に
よりＳｒＴｉＯ3薄膜は（１１１）面に配向しているこ
とを確認している。
【００５６】表３にそれぞれの高誘電体薄膜コンデンサ
の特性を示す。
の特性を示す。
【００５７】
【表３】
【００５８】実験の結果、Ｐｔ、ＡｌＮｉの両電極にお
いてｔａｎδ、電流密度共に大きな変化はなく、誘電率
は向上する結果が得られた。これはＳｒＴｉＯ3薄膜よ
りも電極材料のＡｌＮｉの格子定数が小さくなったこと
によりＳｒＴｉＯ3薄膜に面内圧縮応力が掛かったこと
により誘電分極が大きくなった結果を反映している。実
験結果は、（１１１）面に配向したＳｒＴｉＯ3薄膜に
おいても面内圧縮応力が加わると誘電率が向上すること
を示している。
いてｔａｎδ、電流密度共に大きな変化はなく、誘電率
は向上する結果が得られた。これはＳｒＴｉＯ3薄膜よ
りも電極材料のＡｌＮｉの格子定数が小さくなったこと
によりＳｒＴｉＯ3薄膜に面内圧縮応力が掛かったこと
により誘電分極が大きくなった結果を反映している。実
験結果は、（１１１）面に配向したＳｒＴｉＯ3薄膜に
おいても面内圧縮応力が加わると誘電率が向上すること
を示している。
【００５９】従って、高誘電体薄膜の格子定数が電極薄
膜の格子定数よりも大きいことにより高誘電体薄膜には
圧縮の面内応力が加わることになり、大きな誘電分極を
生じることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
膜の格子定数よりも大きいことにより高誘電体薄膜には
圧縮の面内応力が加わることになり、大きな誘電分極を
生じることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
【００６０】なお、高誘電体薄膜と電極薄膜の格子の不
整合は５％を上限とすることが望ましい。格子不整合が
５％を越えるとリーク電流が大きくなり、絶縁耐圧特性
が劣化する。
整合は５％を上限とすることが望ましい。格子不整合が
５％を越えるとリーク電流が大きくなり、絶縁耐圧特性
が劣化する。
【００６１】（実施例４）第４の実施例として、実施例
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、実施例１で使用したガラス基体の代わり
に厚さ１００μｍのステンレス箔を用いて用いて同様の
実験を行った。それ以外は実施例１とすべて同一条件で
ある。なお、ステンレス箔は導電性があることから上下
電極間でショートするため、ＳＵＳ表面にＴｉ（ＯＣ2
Ｈ5）4の加水分解反応によるゾル-ゲル法を用いてＴｉ
Ｏ2を形成した。ＴｉＯ2の厚みは約５００Åである。な
お、ＸＲＤを用いて分析した結果、両積層膜ともに同様
の回折パターンを示した。
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、実施例１で使用したガラス基体の代わり
に厚さ１００μｍのステンレス箔を用いて用いて同様の
実験を行った。それ以外は実施例１とすべて同一条件で
ある。なお、ステンレス箔は導電性があることから上下
電極間でショートするため、ＳＵＳ表面にＴｉ（ＯＣ2
Ｈ5）4の加水分解反応によるゾル-ゲル法を用いてＴｉ
Ｏ2を形成した。ＴｉＯ2の厚みは約５００Åである。な
お、ＸＲＤを用いて分析した結果、両積層膜ともに同様
の回折パターンを示した。
【００６２】表４にそれぞれの高誘電体薄膜コンデンサ
の特性を示す。
の特性を示す。
【００６３】
【表４】
【００６４】実験の結果、ガラス、ステンレス箔の両基
体において誘電率、ｔａｎδ、電流密度共に大きな変化
はなく、同等の特性が得られた。なお、基体材料として
ガラス以外にセラミック、金属箔、有機高分子体、シリ
コン（１００）基体、ＧａＡｓ（１００）基体を用いて
も同様の傾向を得ることができた。
体において誘電率、ｔａｎδ、電流密度共に大きな変化
はなく、同等の特性が得られた。なお、基体材料として
ガラス以外にセラミック、金属箔、有機高分子体、シリ
コン（１００）基体、ＧａＡｓ（１００）基体を用いて
も同様の傾向を得ることができた。
【００６５】従って、基体が無定形構造あるいは結晶構
造をもち、高誘電体薄膜及び電極薄膜の配向性に影響を
及ぼさないことにより、基体上に形成した電極薄膜が面
心立方晶の細密充填面である（１１１）面が基体と平行
に配向することになり、さらにその上に形成した高誘電
体薄膜が（１１１）面に配向することにより上下電極と
高誘電体薄膜の格子整合が可能となり、接合界面におけ
る欠陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合
が可能となる。その結果、誘電率が大きく、しかもリー
ク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する
ことが可能である。
造をもち、高誘電体薄膜及び電極薄膜の配向性に影響を
及ぼさないことにより、基体上に形成した電極薄膜が面
心立方晶の細密充填面である（１１１）面が基体と平行
に配向することになり、さらにその上に形成した高誘電
体薄膜が（１１１）面に配向することにより上下電極と
高誘電体薄膜の格子整合が可能となり、接合界面におけ
る欠陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合
が可能となる。その結果、誘電率が大きく、しかもリー
ク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する
ことが可能である。
【００６６】（実施例５）第５の実施例として、実施例
１で使用したＳｒＴｉＯ3の高誘電体薄膜の代わりにＢ
ａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、および固溶体の（Ｂａ0.2Ｓ
ｒ0.8）ＴｉＯ3と（Ｐｂ0.1Ｓｒ0.9）ＴｉＯ3、比較例
としてＢｉＴｉＯ3を用いて実施例１同様の実験を行っ
た。ＢａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、（Ｂａ0.2Ｓｒ0.8）Ｔ
ｉＯ3、（Ｐｂ0.1Ｓｒ0.9）ＴｉＯ3、ＢｉＴｉＯ3の形
成条件は実施例１と同様である。
１で使用したＳｒＴｉＯ3の高誘電体薄膜の代わりにＢ
ａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、および固溶体の（Ｂａ0.2Ｓ
ｒ0.8）ＴｉＯ3と（Ｐｂ0.1Ｓｒ0.9）ＴｉＯ3、比較例
としてＢｉＴｉＯ3を用いて実施例１同様の実験を行っ
た。ＢａＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、（Ｂａ0.2Ｓｒ0.8）Ｔ
ｉＯ3、（Ｐｂ0.1Ｓｒ0.9）ＴｉＯ3、ＢｉＴｉＯ3の形
成条件は実施例１と同様である。
【００６７】ＸＲＤを用いて分析した結果、それぞれの
高誘電体薄膜は２×１０-3Ｔｏｒｒの成膜圧力で形成し
たところ、すべて（１１１）面に優先配向していた。
高誘電体薄膜は２×１０-3Ｔｏｒｒの成膜圧力で形成し
たところ、すべて（１１１）面に優先配向していた。
【００６８】表５にそれぞれの誘電体薄膜を用いて作製
したフレキシブル薄膜コンデンサの誘電率を示す。
したフレキシブル薄膜コンデンサの誘電率を示す。
【００６９】
【表５】
【００７０】実験の結果、ＢｉＴｉＯ3を除いたすべて
の誘電体薄膜において高い誘電率と低いｔａｎδ、電流
密度を得ることができた。また、それぞれの高誘電体材
料において成膜圧力を８×１０-3Ｔｏｒｒとして（１１
０）面に優先配向した高誘電体薄膜を形成してＰｔ電極
のコンデンサを作製したが、すべてのコンデンサは高誘
電体薄膜が（１１１）面に配向した方が大きな誘電率を
示した。
の誘電体薄膜において高い誘電率と低いｔａｎδ、電流
密度を得ることができた。また、それぞれの高誘電体材
料において成膜圧力を８×１０-3Ｔｏｒｒとして（１１
０）面に優先配向した高誘電体薄膜を形成してＰｔ電極
のコンデンサを作製したが、すべてのコンデンサは高誘
電体薄膜が（１１１）面に配向した方が大きな誘電率を
示した。
【００７１】従って、高誘電体薄膜がＳｒＴｉＯ3、Ｂ
ａＴｉＯ3及びＰｂＴｉＯ3からなる群より選択される少
なくとも１つの物質であり、（１１１）面に優先配向す
ることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
ａＴｉＯ3及びＰｂＴｉＯ3からなる群より選択される少
なくとも１つの物質であり、（１１１）面に優先配向す
ることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
【００７２】（実施例６）第６の実施例として、実施例
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、実施例１で使用したＰｔの代わりに、Ａ
ｌを用いて同様の実験を行った。それ以外は実施例１と
すべて同一条件である。
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、実施例１で使用したＰｔの代わりに、Ａ
ｌを用いて同様の実験を行った。それ以外は実施例１と
すべて同一条件である。
【００７３】表６にそれぞれの高誘電体薄膜コンデンサ
の特性を示す。
の特性を示す。
【００７４】
【表６】
【００７５】実験の結果、Ａｌを用いてもＰｔとほぼ同
等の特性を得ることができた。なお、電極材料としては
Ｐｔ以外にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ
及びＩｒおよびこれらの合金を用いても同様の傾向を得
ることができた。これらの電極材料を使用することによ
り、高誘電体薄膜との格子不整合が小さくなる結果、リ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
等の特性を得ることができた。なお、電極材料としては
Ｐｔ以外にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ
及びＩｒおよびこれらの合金を用いても同様の傾向を得
ることができた。これらの電極材料を使用することによ
り、高誘電体薄膜との格子不整合が小さくなる結果、リ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
【００７６】（実施例７）第７の実施例として、ＳｒＴ
ｉＯ3薄膜の形成方法としてＥＣＲマグネトロンスパッ
タ法を用いた。ＥＣＲスパッタの条件として、１０-6Ｔ
ｏｒｒ台の高真空チャンバー内においてＡｒ／Ｏ2＝２
／１の混合雰囲気中において、ＲＦ電力６００Ｗ、マイ
クロ波電力４００Ｗ、基体温度３００℃の条件で行っ
た。成膜圧力は２×１０-3Ｔｏｒｒで形成した。ＳｒＴ
ｉＯ3薄膜の膜厚は約３０００Å、膜堆積速度は約３０
０Å／ｍｉｎあった。それ以外は実施例１とすべて同一
条件である。
ｉＯ3薄膜の形成方法としてＥＣＲマグネトロンスパッ
タ法を用いた。ＥＣＲスパッタの条件として、１０-6Ｔ
ｏｒｒ台の高真空チャンバー内においてＡｒ／Ｏ2＝２
／１の混合雰囲気中において、ＲＦ電力６００Ｗ、マイ
クロ波電力４００Ｗ、基体温度３００℃の条件で行っ
た。成膜圧力は２×１０-3Ｔｏｒｒで形成した。ＳｒＴ
ｉＯ3薄膜の膜厚は約３０００Å、膜堆積速度は約３０
０Å／ｍｉｎあった。それ以外は実施例１とすべて同一
条件である。
【００７７】実験の結果、コンデンサ特性として実施例
１とほぼ同様の傾向を得ることができた。
１とほぼ同様の傾向を得ることができた。
【００７８】従って、高誘電体薄膜の形成法としてＲＦ
マグネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ
法からなる群より選択される手段を用いることにより高
い誘電率を示し、しかもリーク電流の小さな絶縁耐圧に
優れたコンデンサを提供することが可能である。
マグネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ
法からなる群より選択される手段を用いることにより高
い誘電率を示し、しかもリーク電流の小さな絶縁耐圧に
優れたコンデンサを提供することが可能である。
【００７９】（実施例８）第８の実施例として、実施例
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、高誘電体薄膜の形成温度として３００℃
と４００℃の２条件で実験を行った。なお、電極材料に
はＡｌを使用し、それ以外は実施例１とすべて同一条件
である。
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、高誘電体薄膜の形成温度として３００℃
と４００℃の２条件で実験を行った。なお、電極材料に
はＡｌを使用し、それ以外は実施例１とすべて同一条件
である。
【００８０】表７にそれぞれの高誘電体薄膜コンデンサ
の特性を示す。
の特性を示す。
【００８１】
【表７】
【００８２】基体温度が４００℃になるとすべてのコン
デンサ特性が劣化している。基体温度が高くなると電極
材料のＡｌの表面が酸化されることにより低誘電率層の
Ａｌ酸化膜が形成され、誘電率が低下し、ｔａｎδも大
きくなっている。また、Ａｌの酸化膜とＳｒＴｉＯ3薄
膜との界面接合特性が劣悪となることによりリーク電流
も増加している。
デンサ特性が劣化している。基体温度が高くなると電極
材料のＡｌの表面が酸化されることにより低誘電率層の
Ａｌ酸化膜が形成され、誘電率が低下し、ｔａｎδも大
きくなっている。また、Ａｌの酸化膜とＳｒＴｉＯ3薄
膜との界面接合特性が劣悪となることによりリーク電流
も増加している。
【００８３】従って、高誘電体薄膜の形成温度が３００
℃を上限とすることにより酸化が起こりやすいＡｌやＣ
ｕ、Ｎｉを電極材料として適用するが可能となり、低コ
ストかつリーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデン
サを提供することが可能である。
℃を上限とすることにより酸化が起こりやすいＡｌやＣ
ｕ、Ｎｉを電極材料として適用するが可能となり、低コ
ストかつリーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデン
サを提供することが可能である。
【００８４】（実施例９）第９の実施例として、実施例
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、ＲＦ電力を増加させた時の高誘電体薄膜
の堆積速度の検討を行った。それ以外は実施例１とすべ
て同一条件である。
１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉＯ3
薄膜を用いて、ＲＦ電力を増加させた時の高誘電体薄膜
の堆積速度の検討を行った。それ以外は実施例１とすべ
て同一条件である。
【００８５】実験の結果、ＲＦ電力の増加に伴い堆積速
度が直線的に増加した。堆積速度の増大に伴うＳｒＴｉ
Ｏ3薄膜の配向性の変化は確認されなかった。また、コ
ンデンサの誘電率は、ＲＦ電力を増加させて堆積速度を
上げても極度に劣化することはなかった。また、リーク
電流も極度に増大することはなかった。蒸着速度の向上
はスループットの向上につながり、高誘電体薄膜コンデ
ンサの低価格化を実現できる。特性が劣化しなければよ
り速い堆積速度が好ましく、本実施例では誘電率の極度
の低下やリーク電流の増大は見られなかった。
度が直線的に増加した。堆積速度の増大に伴うＳｒＴｉ
Ｏ3薄膜の配向性の変化は確認されなかった。また、コ
ンデンサの誘電率は、ＲＦ電力を増加させて堆積速度を
上げても極度に劣化することはなかった。また、リーク
電流も極度に増大することはなかった。蒸着速度の向上
はスループットの向上につながり、高誘電体薄膜コンデ
ンサの低価格化を実現できる。特性が劣化しなければよ
り速い堆積速度が好ましく、本実施例では誘電率の極度
の低下やリーク電流の増大は見られなかった。
【００８６】従って、実質的な高誘電体薄膜の形成速度
として１０ｎｍを下限とすることにより高誘電体薄膜形
成の時間が短縮される結果、製造のスループット向上が
可能となり、低コストかつ誘電率が大きく、リーク電流
の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが
可能である。
として１０ｎｍを下限とすることにより高誘電体薄膜形
成の時間が短縮される結果、製造のスループット向上が
可能となり、低コストかつ誘電率が大きく、リーク電流
の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが
可能である。
【００８７】（実施例１０）第１０の実施例として、実
施例２で使用したＰｔ電極の形成方法としてＥＢ蒸着を
用いて同様の実験を行った。ＥＢ蒸着は１０-6Ｔｏｒｒ
台の高真空チャンバー内において基体温度２５℃の条件
で行った。金属電極の形成以外は実施例２とすべて同一
条件である。
施例２で使用したＰｔ電極の形成方法としてＥＢ蒸着を
用いて同様の実験を行った。ＥＢ蒸着は１０-6Ｔｏｒｒ
台の高真空チャンバー内において基体温度２５℃の条件
で行った。金属電極の形成以外は実施例２とすべて同一
条件である。
【００８８】ＸＲＤによる分析結果、Ｐｔは（１１１）
面に優先配向していることが確認された。また、コンデ
ンサ特性も実施例２のＰｔ電極を用いたコンデンサと同
等の特性が得られた。なお、金属電極の形成法としてＤ
Ｃマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッ
タ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法を用いてもほぼ同様の効果
を得ることができるが、真空装置の自動化、連続化の観
点からＤＣマグネトロンスパッタ法、あるいはＲＦマグ
ネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。
面に優先配向していることが確認された。また、コンデ
ンサ特性も実施例２のＰｔ電極を用いたコンデンサと同
等の特性が得られた。なお、金属電極の形成法としてＤ
Ｃマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッ
タ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法を用いてもほぼ同様の効果
を得ることができるが、真空装置の自動化、連続化の観
点からＤＣマグネトロンスパッタ法、あるいはＲＦマグ
ネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。
【００８９】従って、電極薄膜の形成法としてＤＣマグ
ネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、Ｅ
ＣＲマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法及びＣＶＤ法
からなる群より選択される手段を用いることにより、容
易に電極薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向した電
極薄膜を形成することが可能となり、誘電率が大きく、
リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供
することが可能である。
ネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、Ｅ
ＣＲマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法及びＣＶＤ法
からなる群より選択される手段を用いることにより、容
易に電極薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向した電
極薄膜を形成することが可能となり、誘電率が大きく、
リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供
することが可能である。
【００９０】（実施例１１）第１１の実施例として、実
施例１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉ
Ｏ3薄膜を用いて、ＤＣ電力を増加させた時の電極薄膜
の堆積速度の検討を行った。それ以外は実施例１とすべ
て同一条件である。
施例１で使用した（１１１）面に優先配向したＳｒＴｉ
Ｏ3薄膜を用いて、ＤＣ電力を増加させた時の電極薄膜
の堆積速度の検討を行った。それ以外は実施例１とすべ
て同一条件である。
【００９１】実験の結果、ＤＣ電力の増加に伴い堆積速
度が直線的に増加した。堆積速度の増大に伴うＰｔ薄膜
の配向性の変化は確認されなかった。また、コンデンサ
の誘電率は、ＤＣ電力を増加させて堆積速度を上げても
極度に劣化することはなかった。リーク電流も極度に増
大することはなかった。堆積速度の向上はスループット
の向上につながり、高誘電体薄膜コンデンサの低価格化
を実現できる。特性が劣化しなければより速い堆積速度
が好ましく、本実施例では誘電率の極度の低下やリーク
電流の増大は見られなかった。
度が直線的に増加した。堆積速度の増大に伴うＰｔ薄膜
の配向性の変化は確認されなかった。また、コンデンサ
の誘電率は、ＤＣ電力を増加させて堆積速度を上げても
極度に劣化することはなかった。リーク電流も極度に増
大することはなかった。堆積速度の向上はスループット
の向上につながり、高誘電体薄膜コンデンサの低価格化
を実現できる。特性が劣化しなければより速い堆積速度
が好ましく、本実施例では誘電率の極度の低下やリーク
電流の増大は見られなかった。
【００９２】従って、実質的な電極薄膜の形成速度とし
て１０ｎｍを下限とすることにより電極薄膜形成の時間
が短縮される結果、製造のスループット向上が可能とな
り、低コストかつ誘電率が大きく、リーク電流の小さな
絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能であ
る。
て１０ｎｍを下限とすることにより電極薄膜形成の時間
が短縮される結果、製造のスループット向上が可能とな
り、低コストかつ誘電率が大きく、リーク電流の小さな
絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能であ
る。
【００９３】
【発明の効果】前記した本発明方法によれば、ペロブス
カイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が（１１１）
面に優先配向していることにより誘電率が大きく、リー
ク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する
ことができる。
カイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が（１１１）
面に優先配向していることにより誘電率が大きく、リー
ク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する
ことができる。
【００９４】また、本発明の製造方法は、前記高誘電体
薄膜コンデンサを効率よく合理的に製造することができ
る。
薄膜コンデンサを効率よく合理的に製造することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態１及び実施例１〜１１の高
誘電体薄膜コンデンサを示す断面図
誘電体薄膜コンデンサを示す断面図
【図２】本発明の実施例１のＰｔ／ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ
構造積層膜のＸ線回折パターンを示す図
構造積層膜のＸ線回折パターンを示す図
【図３】本発明の実施例１のＳｒＴｉＯ3薄膜の表面形
態を示す図
態を示す図
【図４】本発明の実施例２のＰｔ／ＳｒＴｉＯ3／Ｐｔ
構造積層膜およびＣｒ／ＳｒＴｉＯ3／Ｃｒ構造積層膜
のＸ線回折パターンを示す図
構造積層膜およびＣｒ／ＳｒＴｉＯ3／Ｃｒ構造積層膜
のＸ線回折パターンを示す図
【図５】本発明の実施例２のＳｒＴｉＯ3およびＰｔ、
Ｃｒの結晶構造を示す図
Ｃｒの結晶構造を示す図
１ 基体 ２ 電極薄膜 ３ 高誘電体薄膜
フロントページの続き (72)発明者 北川 雅俊 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上野山 雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC09 AC10 AD00 AE00 AE01 AE02 AE03 AH03 AH08 AJ01 AJ02 AZ00 5E082 AB03 EE05 EE23 EE24 EE26 EE37 FG03 FG26 FG27 FG42 KK01 LL01 LL02 MM23 MM24 PP06 PP07 PP10 5F058 BA11 BB02 BB05 BB06 BB07 BB10 BC01 BC03 BF11 BF12 5F103 AA08 BB22 DD27 DD28 GG02 HH01 HH03 HH04 HH05 LL14 LL20 NN01 NN02 NN04 RR05
Claims (17)
- 【請求項１】 ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄
膜の配向性が（１１１）面に優先配向していることを特
徴とする高誘電体薄膜コンデンサ。 - 【請求項２】 高誘電体薄膜の下部電極が面心立方晶構
造をもち、電極薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向
していることを特徴とする請求項１に記載の高誘電体薄
膜コンデンサ。 - 【請求項３】 高誘電体薄膜の上部電極が面心立方晶構
造をもち、電極薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向
していることを特徴とする請求項１に記載の高誘電体薄
膜コンデンサ。 - 【請求項４】 高誘電体薄膜と電極薄膜の格子の不整合
が５％を上限とすることを特徴とする請求項１に記載の
高誘電体薄膜コンデンサ。 - 【請求項５】 高誘電体薄膜の格子定数が電極薄膜の格
子定数よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の
高誘電体薄膜コンデンサ。 - 【請求項６】 基体が無定形構造あるいは結晶構造をも
ち、高誘電体薄膜及び電極薄膜の配向性に影響を及ぼさ
ないことを特徴とする請求項１に記載の高誘電体薄膜コ
ンデンサ。 - 【請求項７】 基体がガラス、セラミック、金属箔、有
機高分子体、半導体結晶からなる群より選択される少な
くとも１つの物質であることを特徴とする請求項６に記
載の高誘電体薄膜コンデンサ。 - 【請求項８】 高誘電体薄膜がＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉ
Ｏ3及びＰｂＴｉＯ3からなる群より選択される少なくと
も１つの物質である請求項１に記載の高誘電体薄膜コン
デンサ。 - 【請求項９】 電極薄膜がＰｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｒｕ及びＩｒからなる群より選択され
る少なくとも１つの物質である請求項２又は３に記載の
高誘電体薄膜コンデンサ。 - 【請求項１０】 ペロブスカイト構造を有する高誘電体
薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向した高誘電体薄
膜を形成することを特徴とする高誘電体薄膜コンデンサ
の製造方法。 - 【請求項１１】 高誘電体薄膜の形成法としてＲＦマグ
ネトロンスパッタ法、ＥＣＲマグネトロンスパッタ法か
らなる群より選択される手段を用いる請求項１０記載の
高誘電体薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項１２】 ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲ
マグネトロンスパッタ法での成膜圧力が６×１０-3Ｔｏ
ｒｒを上限とすることを特徴とする請求項１１記載の高
誘電体薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項１３】 高誘電体薄膜の形成温度が３００℃を
上限とする請求項１０に記載の高誘電体薄膜コンデンサ
の製造方法。 - 【請求項１４】 高誘電体薄膜の堆積速度が毎分１０ｎ
ｍを下限とする請求項１０に記載の高誘電体薄膜コンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項１５】 高誘電体薄膜の下部および上部電極が
面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配向性が（１１１）
面に優先配向した電極薄膜を形成するための高誘電体薄
膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項１６】 電極薄膜の形成法としてＤＣマグネト
ロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲ
マグネトロンスパッタ法、真空蒸着法及びＣＶＤ法から
なる群より選択される手段を用いる請求項１５記載の高
誘電体薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項１７】 電極薄膜の堆積速度が毎分１０ｎｍを
下限とする請求項１５に記載の高誘電体薄膜コンデンサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10933299A JP3471655B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10933299A JP3471655B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002328060A Division JP2003218227A (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299248A true JP2000299248A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3471655B2 JP3471655B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=14507551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10933299A Expired - Fee Related JP3471655B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3471655B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005327699A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-11-24 | Seiko Epson Corp | 金属薄膜およびその製造方法、誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP2010157748A (ja) * | 2004-04-15 | 2010-07-15 | Seiko Epson Corp | 金属膜およびその製造方法、誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP2011198874A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ、その製造方法及び内部応力評価方法 |
| JP2019175969A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および誘電体素子 |
| US11462339B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-10-04 | Tdk Corporation | Dielectric film, dielectric element, and electronic circuit board |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP10933299A patent/JP3471655B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005327699A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-11-24 | Seiko Epson Corp | 金属薄膜およびその製造方法、誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP2010157748A (ja) * | 2004-04-15 | 2010-07-15 | Seiko Epson Corp | 金属膜およびその製造方法、誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP4539844B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP2011198874A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ、その製造方法及び内部応力評価方法 |
| JP2019175969A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および誘電体素子 |
| US11462339B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-10-04 | Tdk Corporation | Dielectric film, dielectric element, and electronic circuit board |
| JP7147219B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-10-05 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および誘電体素子 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3471655B2 (ja) | 2003-12-02 |
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