JP2000299059A - パターン修正装置 - Google Patents

パターン修正装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的欠如幅の大きな欠陥でも修正が可能な
パターン修正装置を提供する。 【解決手段】 ペースト塗布機構3によりリブ欠け欠陥
部23に修正ペースト24をはみ出る程度に塗布し、リ
ブ22の上部をスキージ機構5を用いて整形し、IR光
源6により塗布した修正ペーストを乾燥させ、カット用
レーザ部2により修正ペースト24のはみ出し部をカッ
トし、スクラッチ機構5を用いてはみ出し部を除去し、
バキューム機能により修正かすを吸引除去した後、半導
体レーザを用いて焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はパターン修正装置
に関し、特に、プラズマディスプレイのリブ(隔壁)の
製造工程において発生するリブ欠け欠陥を修正するよう
なパターン修正装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4はプラズマディスプレイ(PDP)
の構造要素であるリブの欠陥を修正する方法を説明する
ための図である。図4(a)において、プラズマディス
プレイでは、ガラス基板21の上にリブ22が形成され
ている。リブ22はその高さが150μm程度,幅が6
0〜100μm程度で作製されるが、リブ22の一部が
欠如したようなリブ欠け欠陥23が発生した場合、たと
えば特開平8−29442号公報に記載された装置で修
正が行なわれる。
【0003】すなわち、リブ欠け欠陥23の両側の残存
リブを利用し、塗布針31に修正用ペースト24を付着
させて、図4(b)に示すようにリブ欠け欠陥23に塗
布し、修正用ペースト24の表面張力による形状保持力
によりリブ欠け部が再生される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の方法で
は、修正ペースト24の粘度とリブ欠け欠陥23の幅と
の関係で修正可能なリブ欠け欠陥23の幅が制限されて
しまい、200μm〜300μm程度の欠陥までしか満
足な修正をすることができなかった。しかも、リブ欠け
幅が大きい欠陥については、修正用ペースト24が欠け
中央部で垂れてしまうため、本来必要とされるリブ高さ
を再現することができない。また、リブ幅も広くなって
しまい、修正品位の点でも修正不良となってしまってい
た。
【0005】それゆえにこの発明の主たる目的は、比較
的幅の大きな欠陥でも修正が可能なパターン修正装置を
提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板の欠陥部を修正するためのパターン修正装置であっ
て、基板がその上に載置されて水平方向に移動するテー
ブルと、基板の欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に
塗布する針と、針を上下方向に移動可能な駆動機構と、
塗布した修正ペーストを焼成あるいは欠陥部を切除する
ためのレーザ照射機構と、欠陥部からはみ出た余分な修
正ペーストを除去するためのスクラッチ針機構とを備え
て構成される。
【0007】請求項2に係る発明では、請求項1のレー
ザ照射機構は、修正ペーストを焼成するための連続発振
レーザと、欠陥部を切除するためのパルス発振レーザと
を含む。
【0008】請求項3に係る発明では、請求項1のレー
ザ照射機構は、修正ペーストを焼成するための連続発振
と、欠陥部を除去するためのパルス発振とを切換可能な
レーザを含む。
【0009】請求項4に係る発明では、さらに塗布した
修正ペーストの高さを整形するためのスキージング機構
を含む。
【0010】請求項5に係る発明では、さらにスクラッ
チ針機構によって除去された余計なペーストを吸引する
ためのバキューム機構を含む。
【0011】請求項6に係る発明では、請求項1のレー
ザ照射機構とスクラッチ機構とを用いて欠陥部の太りを
修正する。
【0012】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の一実施形態のパ
ターン修正装置の全体の構成を示す図である。図1にお
いて、パターン修正装置を大きく分類すると、ペースト
焼成用レーザ部を含む観察光学系1と、カット用レーザ
部2と、導電性ペーストあるいは欠陥修正用インクを塗
布する針からなるペースト塗布機構3と、はみ出したペ
ーストをならすスキージ機構4と、余分な修正ペースト
を除去するスクラッチ機構5と、修正ペーストを乾燥さ
せるIR光源6と、欠陥を認識する画像処理機構7と、
装置全体を制御するホストコンピュータ8と、装置機構
部の動作を制御する制御用コンピュータ9とから構成さ
れる。さらに、その他にワークを搭載するXYテーブル
10と、XYテーブル10上でワークを保持するチャッ
ク台11と、レーザ照射機構を上下に駆動するZ軸テー
ブル12などが設けられている。
【0013】図2はこの発明の一実施形態によるリブ欠
陥修正方法を説明するための図である。まず、リブ22
の形成されたガラス基板21をXYテーブル10上に載
置し、XYテーブル10を水平方向に移動させ、リブ欠
け欠陥23がペースト塗布機構3の真下にくるように位
置決めする。ペースト塗布機構3はたとえば特開平9−
265007号公報の図8に示すような機構が用いら
れ、塗布針31に修正用ペースト4を付着させ、リブ欠
け部23に塗布する。このとき、従来は修正用ペースト
24がはみ出てしまうと後で修正する方法がなかったた
めに、修正品位にそのまま影響してしまい、修正不良と
なってしまっていた。しかし、この実施形態では、図2
(b)に示すように、修正箇所から修正ペースト24が
はみ出る程度に塗布される。
【0014】次に、図2(c)に示すように、スキージ
機構4により、リブ頂点よりはみ出した修正ペースト2
4を整形するためにスキージングを行なう。次に、図2
(d)に示すように、IR光源6により修正部分を照射
して塗布した修正ペースト24を乾燥させる。
【0015】次に、図2(e)に示すように、カット用
レーザ部2からYLFレーザを塗布した修正ペースト2
4のはみ出した必要以外の部分に照射し、レーザカット
して分離する。このとき、レーザカットのみではみ出し
部分を除去する方法も考えられるが、はみ出し部下層に
は電極が設けられており、はみ出した修正ペースト部分
のみを選択的に除去することは困難であった。
【0016】これに対して、この実施形態では、下層電
極部以外の部分をカットするため、下層電極部には悪影
響を及ぼすことがない。ここでいう電極への悪影響と
は、レーザカット時における電極への熱的影響または一
部分カットによる電気的不具合の発生をいう。また、こ
こで用いるレーザは、Qスイッチ付きのジャイアントパ
ルス発振レーザ(1pps〜20pps程度)ではな
く、発振周波数が1000Hz〜5000Hz程度の疑
似連続発振レーザを用いる。これはカットに要する時間
を短縮するためである。
【0017】次に、図2(f)に示すようにスクラッチ
機構5を用いてはみ出し部を除去する。スクラッチ機構
5にはスクラッチ針51が設けられており、このスクラ
ッチ針51により修正ペースト24のはみ出し部を除去
する。スクラッチ針51によるはみ出し部除去範囲下層
には電極が設けられているが、スクラッチ針51による
除去においては電極に悪影響を及ぼすことはない。スク
ラッチ機構部5にはバキューム機能(図示せず)が設け
られており、スクラッチ針51により除去された修正ペ
ーストのかすを吸引することが可能となっている。この
ため、修正後も修正箇所を清浄状態に保つことが可能と
なる。
【0018】次に、図2(g)に示すようにリブ欠け欠
陥部23に塗布した修正ペースト24を整形した後、こ
の修正ペースト24の焼成を行なう。修正ペースト24
の焼成は観察光学系部1に加えるLD(半導体レーザ)
のようなペースト焼成用レーザを用いて行なう。ただ
し、焼成の方法は、修正用ペースト24を焼成可能な温
度(550℃程度)まで上げる方法であれば、CW(連
続発振)レーザまたは電気炉などを用いることはでき
る。
【0019】また、上述の説明では、修正ペースト24
を焼成するためのレーザと、レーザカットするためのカ
ット用レーザ部2を別個に設けるようにしたが、これを
1つのレーザで切換えるようにしてもよい。
【0020】上述の工程により、リブ欠け欠陥23の修
正が完了する。なお、リブ22を形成するとき、図2
(a)に示すようなリブ欠け欠陥23以外の図3に示す
ようにリブ幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥を生ずる場合
がある。この場合、前述したように、下層に電極がある
ためレーザカットによる修正方法を用いることができ
ず、修正が困難となっていた。
【0021】これに対して、この実施形態ではこのよう
なリブ幅太り欠陥についても、前述の図2(e),
(f)に示すようにはみ出し部カットおよびはみ出し部
除去の工程を適用することにより欠陥修正が可能とな
る。この場合、装置構成としては、図1に示したパター
ン修正装置において、ペースト塗布機構3と、観察光学
系部1内に含まれるペースト焼成用レーザ部と、スキー
ジ機構4と、IR光源6が不要となる以外は同一の構成
の装置で修正が可能となる。
【0022】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【0023】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、欠陥
部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布し、塗布した修
正ペーストを焼成し、はみ出た部分をレーザでカット
し、カットした余分な修正ペーストを除去するようにし
たので、従来修正可能な欠陥幅が200〜300μm程
度であったものを、この発明を適用することにより30
0μm以上の欠陥の修正が可能となる。
【0024】しかも、リブ欠陥幅方向の整形にレーザカ
ットによる方法とスクラッチ機構を用いることにより下
層電極に悪影響を及ぼさずに整形が可能となる。
【0025】さらにスクラッチ機構にバキューム機能を
持たせることにより、欠陥修正時に発生する修正かすを
吸引除去することができ、修正後も修正箇所を清浄状態
に保つことが可能となる。
【0026】さらに、従来修正困難であったリブ幅太り
欠陥の修正も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態による装置の全体の構成
を示す図である。
【図2】この発明の一実施形態によるリブ欠陥修正方法
を示す図である。
【図3】リブ幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥を示す図で
ある。
【図4】従来のリブ欠け欠陥修正方法を示す図である。
【符号の説明】
1 観察光学系部 2 カット用レーザ部 3 ペースト塗布機構 4 スキージ機構 5 スクラッチ機構 6 IR光源 7 画像処理機構 8 ホストコンピュータ 9 制御用コンピュータ 10 XYテーブル 11 チャック台 12 Z軸テーブル 13 モニタ 21 ガラス基板 22 リブ 23 リブ欠け欠陥 24 修正用ペースト 31 塗布針 51 スクラッチ針

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の欠陥部を修正するためのパターン
    修正装置であって、 前記基板がその上に載置されて水平方向に移動するテー
    ブルと、 前記基板の欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布
    する針と、 前記針を上下方向に移動可能な駆動機構と、 前記塗布した修正ペーストを焼成あるいは前記欠陥部を
    切除するためのレーザ照射機構と、 前記欠陥部からはみ出た余分な修正ペーストを除去する
    ためのスクラッチ針機構とを備えた、パターン修正装
    置。
  2. 【請求項2】 前記レーザ照射機構は、 前記修正ペーストを焼成するための連続発振レーザと、 前記欠陥部からはみ出た修正ペーストを切除するための
    パルス発振レーザとを含む、請求項1に記載のパターン
    修正装置。
  3. 【請求項3】 前記レーザ照射機構は、前記修正ペース
    トを焼成するための連続発振と、前記欠陥部を除去する
    ためのパルス発振とを切換可能なレーザを含む、請求項
    1に記載のパターン修正装置。
  4. 【請求項4】 さらに、前記塗布した修正ペーストの高
    さを整形するためのスキージング機構を含む、請求項1
    に記載のパターン修正装置。
  5. 【請求項5】 さらに、前記スクラッチ針機構によって
    除去された余計なペーストを吸引するためのバキューム
    機構を含む、請求項1に記載のパターン修正装置。
  6. 【請求項6】 前記レーザ照射機構と前記スクラッチ機
    構とを用いて前記欠陥部の太りを修正することを特徴と
    する、請求項1に記載のパターン修正装置。
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