JP3818837B2 - パターン修正方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はパターン修正方法に関し、特に、プラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰと称する）のリブ（隔壁）の製造工程において発生するリブ欠け欠陥を修正するパターン修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９〜図１１は従来のＰＤＰのリブ欠陥の修正方法を説明するための図である。
【０００３】
図９に示すように、ＰＤＰのガラス基板２０上には構造要素であるリブ２１がたとえば高さ１５０μｍ程度であり、幅６０〜１００μｍ程度の大きさで形成されている。ＰＤＰの製造工程において、このようなリブ２の一部が欠けるリブ欠陥２２を生じることがある。このようなリブ欠陥２２を生じても、歩留りを高めるために、修正が行なわれ、適切に修正されたものは製品として用いられる。
【０００４】
このような修正を行なう方法としては、たとえば特開平０８−２９２４４２号公報に記載されているように、先端の形状が平坦に形成された針にペーストを付着させてリブ欠陥２２の部分に接触させ、ペーストを塗布することにより欠陥箇所を修正する。
【０００５】
また、特願平１１−１０９５１７号には、塗布したペーストをレーザ光で焼成し、欠陥部からはみ出した余分なペーストをスクラッチ針機構で除去する方法について記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１０（ａ）に示すようにリブ欠陥の欠け幅が小さくて、１００μｍ以下程度になると、図１０（ｂ）に示すように、塗布針２３によって修正ペーストを欠陥内部に充填することができず、満足な修正を行なうことができない。
【０００７】
これは、図１１（ａ）に示すように欠陥幅が小さいため、塗布針２３に付着した修正用ペーストが図１１（ｂ）に示すようにリブ欠２２の両側の肩部分に先に付着してしまい、欠陥内部に充填しないためである。塗布針２３の先端形状を極細にすることにより１００μｍ以下でも若干な修正は可能となるが、これにも限界がある。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、フラットディスプレイのリブ欠陥幅が小さくとも修正が可能なパターン修正方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、フラットディスプレイの構造要素である基板上に形成されたリブの欠陥を修正するパターン修正方法において、リブが欠けた欠陥部の両側にレーザ光を照射して所定間隔の２つの切り込みを形成し、スクラッチ針によって２つの切り込みの間のリブ材を除去し、塗布針の先端に付着した修正ペーストを２つの切り込みの間に塗布することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態の外観図である。図１において、観察光学系部１はＣＣＤカメラなどを内蔵しており、ＰＤＰのリブ欠陥を撮像する。カット用レーザ部２はリブ欠陥の幅を広げるためのレーザ光を照射する。ペースト塗布機構３は塗布針にペーストを付着させ、リブ欠陥に接触してペーストを欠陥部分に塗布する。スキージ機構４はペースト塗布機構３で塗布したペーストのうちはみ出した部分を平坦となるようにならす作用をする。スクラッチ機構５はスクラッチ針によりリブを除去するものであり、除去したカスを取るための吸引機構が設けられている。ＩＲ(赤外線）光源６は塗布したペーストを乾燥させる。
【００１８】
画像処理機構７は観察光学系部１で撮像された画像信号に基づいて欠陥を認識するための画像処理を行なう。ホストコンピュータ８は装置全体を制御し、制御用コンピュータ９は装置機構部の動作を制御する。その他に、修正すべきワークをＸＹ方向に移動させるためのＸＹテーブル１０と、ＸＹテーブル１０上でワークを保持するチャック台１１と、観察光学系部１，カット用レーザ部２，ペースト塗布機構３，スキージ機構４およびスクラッチ機構５を上下方向に駆動するＺ軸テーブル１２と、観察光学系部１で撮像された画像を表示するモニタ１３とを含む。
【００１９】
図２はこの発明の一実施形態によりリブ欠陥を修正する手順を示す図である。図２（ａ）に示すように、リブ欠陥が小さく、その幅が１００μｍ以下では、図１１で説明したようにペースト塗布機構９によるペーストの塗布では満足する結果が得られない。そこで、図２（ｂ）に示すように、ペーストを塗布する前に、リブ欠陥２２の欠け幅を拡張し、その拡張部分に図２（ｃ）に示すようにペースト塗布機構３でペーストを充填することにより、リブ欠陥２２を修正する。このようにリブ欠陥２２を拡幅する方法には、以下に述べるようにレーザでカットする方法とスクラッチ針で切欠く方法がある。
【００２０】
図３はカット用レーザ部２を用いてリブ欠陥を拡幅する方法を示す図である。図３において、カット用レーザ部２に用いられるレーザ光源としてはＹＡＧの第２高調波（波長：５３２ｎｍ）の高周波発振タイプ（発振周波数：１０００Ｈｚ）が用いられる。レーザ光の照射方法は、たとえば特開２０００−４２７６４号公報に記載された方法を用いることができる。それ以外にも、レーザ光源としては、ＹＡＧの第２高調波ジャイアントパルスタイプのレーザ光でもカットすることが可能である。さらに、ＹＡＧ基本波でもカット可能であるが、基本波は赤外光であるため、リブ材質の熱による変色が大きいのであまり好ましくない。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、カットするリブの頂上に観察光学系部１による画像フォーカスを一致させ、その部分にカット用レーザ部２からレーザ光を照射し、図３（ｂ）に示すようにリブ２１を高さの半分程度の位置までカットが行なわれる。次いで、図３（ｃ）に示すように半分程度にカットしたリブ２１の頂上にフォーカスを合わせ、図３（ｄ）に示すようにリブ２１を最後までカットする。
【００２２】
リブ２１は従来の電極カットと異なり、高さが１５０μｍ程度と高いため、リブ２１の頂上にフォーカスを合わせた状態で下（ガラス基板１）まで完全にリブ２１をカットするのは難しく、またカットに時間がかかってしまう。これはリブ２１の下方にいくに従ってフォーカスがずれてレーザのエネルギ密度が低下するためである。そこで、図３に示した方法では、フォーカス合わせを２段階で行なうことにより、上述の問題を低減する。
【００２３】
図３に示した例では２段階でレーザによってリブ２１のカットを行なっているが、３段階，４段階とさらに多段にすることにより、カット時におけるレーザのエネルギ密度低下を防ぐことができるが、その分フォーカス移動回数が多くなるため、フォーカス移動に時間がかかってしまうことになる。
【００２４】
最適なフォーカス移動回数は、リブ２１の高さ，レーザパワーによって変化するため、カット対象によって適宜その最適回数でカットするのが望ましい。なお、レーザ光によるリブ２１のカットは、カット対象となるリブ２１が焼成後でも乾燥後でも可能である。
【００２５】
図４はスクラッチ針を用いてリブ欠陥２２を拡幅する方法を示す図である。この方法は、図３に示したレーザ光によるカットと異なり、基本的には乾燥後のリブ２１にしか適用することができない。図４（ａ）に示すように、スクラッチ針５１をリブ２１と直交する方向に移動させ、リブ欠陥２２近傍のリブ２１を削り取ることにより除去する。このとき、スクラッチ針５１をリブ２１に対して高さ方向にあまり深く入れすぎると、リブ２１が大きく欠けてしまうことになるため、注意を要する。この方法をスクラッチ針５１の高さを変えながら繰返し行なうことにより、リブ２１を除去することが可能となる。この方法は、繰返し行なう必要があるが、１回の除去量が多いため、レーザ光でカットするよりは短時間でリブ２１を除去することが可能となる。
【００２６】
図５はレーザ光とスクラッチ針とによってリブ欠陥を拡幅する方法を示す図である。まず、図５（ａ）に示すように、リブ２１の除去したい幅の両端部に対物レンズ２５を介してレーザ光を照射し、スリット状の切込みをリブ２１の底まで入れる。その結果、図５（ｂ）に示すように、レーザ光によりリブ２１にスリット２３が形成される。次に、図５（ｃ）に示すように、スクラッチ針５１をリブ２１と直交方向に移動させることにより、図５（ｄ）に示すようにスリット加工した内側のリブを除去する。この方法の場合、スクラッチ針５１による除去回数が少なくてよいため、大きい幅のリブ２１を短時間で除去することが可能となる。また、この方法は乾燥後のリブだけでなく、焼成後のリブにも用いることができる。
【００２７】
図６は乾燥後の電極を修正する方法を示す図である。図６（ａ）において、ガラス基板３１上にＩＴＯ電極３２が形成されており、このＩＴＯ電極３２の上に乾燥後電極３３が形成されている。乾燥後電極３３上に異物欠陥３４が生じていて、この異物欠陥３４を除去する場合にもこの発明を適用できる。すなわち、異物欠陥３４を挟むようにして、乾燥後銀電極３３に対物レンズ２５を介してレーザ光を照射し、スリット状に切込みを形成する。そして、図６（ｂ）に示すように、切込みを形成した内側をスクラッチ針５１で除去する。このように、レーザ光でスリット状に切込みを入れてやることにより、スクラッチ針５１で除去したときの除去形状を安定させることができる。
【００２８】
図７はレーザ光による切込みなしの場合の除去例を示す。この場合、スクラッチ針５１による除去形状が安定せず、必要な部分まで除去してしまう可能性がある。
【００２９】
これに対して、図６（ｃ）に示すように、この実施形態では、下層のＩＴＯ電極３２へのダメージはレーザ光でスリット状にカットした部分のみとなるため、ダメージを極力抑えることができる。
【００３０】
図８は銀電極のすべてをレーザ光でカットした場合の下層のＩＴＯ電極３２へのダメージ状態３６を示している。
【００３１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、リブ欠け欠陥修正において、リブ欠け幅を広げた後ペーストを塗布して修正するようにしたので、従来では欠け幅が１００μｍ以下の欠陥については修正が困難となっていたのに対して、この発明により１００μｍ以下の欠陥も修正が可能となる。
【００３３】
また、レーザ光によるリブ欠陥幅の拡幅において、上下方向に多段に移動させて行なうことにより、短時間で効率的なリブ欠陥の除去が可能となる。
【００３４】
また、リブ欠陥幅の拡幅に針を用いることにより短時間での拡幅が可能となる。
【００３５】
さらに、リブ欠陥幅の拡幅に、レーザ光と針を併用することにより、除去幅が大きい場合でも短時間で除去が可能となる。そして、リブの焼成後あるいは乾燥後を問わず実施することが可能となる。
【００３６】
さらに、除去したカスを吸引するための機構を、リブを除去するスクラッチ針機構に付加することにより、修正後も修正箇所を清浄に保つことが可能となる。
【００３７】
さらに、レーザ光と針による除去方法を乾燥後銀電極に用いることにより、銀電極の下層のＩＴＯ電極のダメージの少ない銀電極欠陥除去が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施形態の外観図である。
【図２】 この発明の一実施形態の欠陥修正方法を示す図である。
【図３】 レーザ光を用いてリブ欠陥を除去する方法を示す図である。
【図４】 スクラッチ針を用いてリブ欠陥を除去する方法を示す図である。
【図５】 レーザ光とスクラッチ針とを用いてリブ欠陥を除去する方法を示す図である。
【図６】 銀電極の異物欠陥を除去する方法を示す図である。
【図７】 レーザ光を用いることなく異物欠陥を除去した場合の電極を示す図である。
【図８】 銀電極すべてをレーザ光でカットした場合のＩＴＯ電極へのダメージ状態を示す図である。
【図９】 ＰＤＰのリブ欠陥を示す図である。
【図１０】 従来のリブ欠陥修正方法を説明するための図である。
【図１１】 リブ欠陥にペーストを除去する従来の方法を示す図である。
【符号の説明】
１ 観察光学系部、２ カット用レーザ部、３ ペースト塗布機構、４ スキージ機構、５ スクラッチ機構、６ ＩＲ光源、７ 画像処理機構、８ ホストコンピュータ、９ 制御用コンピュータ、１０ ＸＹテーブル、１１ チャック台、１２ Ｚ軸テーブル、１３ モニタ。

Claims (1)

1. フラットディスプレイの構造要素である基板上に形成されたリブの欠陥を修正するパターン修正方法において、
   前記リブが欠けた欠陥部の両側にレーザ光を照射して所定間隔の２つの切り込みを形成し、
   スクラッチ針によって前記２つの切り込みの間のリブ材を除去し、
   塗布針の先端に付着した修正ペーストを前記２つの切り込みの間に塗布することを特徴とする、パターン修正方法。

Images