JP2008068266A - ウエハ加工方法及び装置 - Google Patents

ウエハ加工方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008068266A
JP2008068266A JP2006246963A JP2006246963A JP2008068266A JP 2008068266 A JP2008068266 A JP 2008068266A JP 2006246963 A JP2006246963 A JP 2006246963A JP 2006246963 A JP2006246963 A JP 2006246963A JP 2008068266 A JP2008068266 A JP 2008068266A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
wafer
atmospheric pressure
pressure plasma
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006246963A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimasa Inamoto
吉将 稲本
Masashi Matsumori
正史 松森
Kazuhiro Inoue
和弘 井上
Hiroyuki Tsuji
裕之 辻
Shigeki Nakatsuka
茂樹 中塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2006246963A priority Critical patent/JP2008068266A/ja
Publication of JP2008068266A publication Critical patent/JP2008068266A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】レーザーを用いて割れを発生する恐れなく効率的にウエハを加工することができ、かつその加工に伴って発生した溶融付着物を簡単な構成にて他に悪影響を与えずに効率的に除去することができるウエハ加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンを含むウエハ1をレーザー2により加工するウエハ加工方法において、ウエハ1にレーザー2を照射して加工するレーザー加工工程と、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマ5をレーザー2による加工部位に照射するプラズマ照射工程とを有している。
【選択図】図1

Description

本発明は、ウエハ加工方法及び装置に関し、特にウエハの加工をレーザー加工で行いかつそれに伴って発生する溶融付着物を除去するウエハ加工方法及び装置に関するものである。
従来、ウエハを個片の部品に分割して切り出すダイシング又はスクライブと呼ばれる加工は、ダイヤモンドを含むブレードを高速回転させてウエハの表面にメカニカルに溝加工して行われていたが、欠けが発生して電極部や動作領域部等に損傷を与える恐れがあったり、水のような冷却剤を使用しながら加工するために設備が複雑になるなどの問題があり、特に近年はウエハの厚みが数10μmから数100μmというように非常に薄くなっているので、メカニカルな加工で欠けを生じずに高速で効率的に加工することは極めて困難になっている。
この問題を解消する加工方法として、ウエハの加工線に沿ってレーザーを走査して加工する方法が知られている。例えば、発光ダイオードの製造方法において、炭化珪素からなるウエハをレーザーを使って加工し、さらにその際に加工溝の両側にスラグ状の溶融付着物が堆積付着し、分割された部品に悪影響を与えるという問題を解消するため、レーザー加工したウエハに対して、真空プラズマ処理装置にてフッ素を含むガスでドライエッチングを行うことで、溶融付着物を除去する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特表平11−505666号公報
ところが、レーザーを用いた加工において、図13(a)に示すように、ウエハ61に加工線61bに沿ってレーザー62を照射して溝63の加工を行うと、図13(b)に示すように、ウエハ61の表面における溝63の両側部に溶融付着物64が付着し、この溶融付着物64を除去するようにフッ素系ガスを使用してドライエッチングを行うと、図13(c)に示すように、ウエハ61の表面61aが破線から実線で示すようにエッチングされてしまうとともに、溝63のエッジ部63aもエッチングされてしまうという問題があった。また、ウエハ61に形成されたトランジスター領域61cが加工によりダメージを受ける問題も有していた。61dは接合パッドである。
また、上記のようにレーザー加工工程とドライエッチング工程の2つの工程に分かれるため、その間の移動工程を含めて製造工程が複雑になり、また真空プラズマ処理装置を使用するため設備構成が大掛かりになるという問題があった。また、プラズマ処理時にチャージアップダメージを発生する恐れがあるという問題もあった。さらに、ドライエッチング工程においてマスク等を用いて処理するため、フォトマスク形成プロセス及び処理後の剥離工程が必要になるいう問題があった。
なお、レーザー加工に先だってウエハの表面に水溶性膜を付着させておき、レーザー加工後にその水溶性膜を洗い流すことで溶融付着物を除去する方法も考えられているが、水溶性膜を洗い流すためのウェット工程が必要となるため、排水処理を含めて処理工程が複雑になるという問題がある。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、レーザーを用いて割れを発生する恐れなく効率的にウエハを加工することができ、かつその加工に伴って発生した溶融付着物を簡単な構成にて他に悪影響を与えずに効率的に除去することができるウエハ加工方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明のウエハ加工方法は、シリコンを含むウエハをレーザーにより加工するウエハ加工方法において、ウエハにレーザーを照射して加工するレーザー加工工程と、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマをレーザーによる加工部位に照射するプラズマ照射工程とを有するものである。なお、大気圧プラズマは、不活性ガスに高周波電界を印加することで発生し、その不活性ガスとしては、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、窒素、又はこれらの1種又は複数種の混合ガスから選ばれたものであるのが好適であり、またそれに含ませるフッ素系ガスとしてはSF6 やCF4 、C2 6 、C4 8 等のフロン系ガスが好適である。
上記構成によれば、シリコンを含むウエハをレーザー照射によって割れを発生する恐れなく効率的に加工することができ、かつその加工部位にフッ素系ガスを含む大気圧プラズマを照射することによってレーザー加工に伴って発生した溶融付着物のみを効率的に除去することができ、品質の良い加工ができる。また、大気圧プラズマは簡単かつコンパクトな構成で発生することができるため、ウエハを高い位置決め精度で固定した状態でレーザー加工を行う際に、ウエハをそのまま固定した状態で大気圧プラズマの照射を行うことが可能であり、簡単な加工工程及び設備構成にて効率的にウエハの加工を行うことができ、高い生産性を実現することができる。
上記レーザー加工工程とプラズマ照射工程は、レーザー加工工程の後にプラズマ照射工程を行っても、レーザー加工工程とプラズマ照射工程を同時に行っても良い。レーザー加工工程の後にプラズマ照射工程を行う方法は、レーザー加工時の溶融物の飛散があまり広がらず、また溶融付着物の量が多く、レーザー加工の速度と大気圧プラズマの照射による処理の速度が異なる場合に好適である。因みに、レーザー加工の速度は、ウエハの材質や加工深さによるが、一般には50mm/s〜400mm/s程度である。
一方、照射する大気圧プラズマ中にレーザーを照射してレーザー加工工程とプラズマ照射工程を同時に行う方法は、レーザー加工時に溶融物が広く飛散し易く、また溶融付着物の量が少ないため大気圧プラズマの照射による処理の速度をレーザー加工の速度に合わせられる場合に、溶融物の飛散を防止できかつ一度に高速で処理できるので好適である。
また、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマは、不活性ガスとフッ素系ガスの混合ガスに高周波電界を印加して発生させても、不活性ガスに高周波電界を印加して発生させたプラズマにフッ素系ガスを含むガスを混合して発生させても良い。
また、本発明のウエハ加工装置は、シリコンを含むウエハをレーザーにより加工するウエハ加工装置において、レーザーを発生するレーザー発生手段と、レーザーをウエハの加工線に沿って照射するレーザー照射手段と、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマを発生して照射する大気圧プラズマ発生手段と、大気圧プラズマ発生手段を移動する三次元移動手段と、レーザー発生手段とレーザー照射手段と大気圧プラズマ発生手段と三次元移動手段を制御する制御手段とを備えたものである。
この構成によると、レーザー発生手段で発生させたレーザーをレーザー照射手段にてウエハの加工線に沿って照射することによって割れを発生する恐れなくウエハを効率的に加工することができ、かつ三次元移動手段にて大気圧プラズマ発生手段を移動してレーザーによる加工部位にフッ素系ガスを含む大気圧プラズマを照射することによって発生した溶融付着物のみを効率的に除去することができ、ウエハに対して効率的に高品質の加工を行うことができる。
また、大気圧プラズマ発生手段による大気圧プラズマの照射領域の移動に従って、レーザーを大気圧プラズマの照射領域に照射して加工するようにすると、上記のようにレーザー加工工程とプラズマ照射工程を同時に行うことで、溶融物の飛散を防止できかつ一度に高速で処理できるので好適である。
本発明のウエハ加工方法及び装置によれば、レーザー照射によって割れを発生する恐れなく効率的にウエハを加工することができ、かつその加工に伴って発生した溶融付着物を加工部位にフッ素系ガスを含む大気圧プラズマを照射することによって効率的に除去することができ、また大気圧プラズマは簡単かつコンパクトな構成で発生することができるため、ウエハを一定箇所に固定した状態で、レーザー加工と大気圧プラズマ照射の両者を行うことができるので、簡単な加工工程及び設備構成にて高い生産性をもって加工することができる。
以下、本発明のウエハ加工方法及び装置の各実施形態について、図1〜図12を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
まず、本発明のウエハ加工方法及び装置の第1の実施形態について、図1〜図10を参照して説明する。
まず、本実施形態のウエハ加工方法の基本的な工程を、図1を参照して説明する。まず、図1(a)に示すように、ウエハ1を所定位置に搬入し、加工に当たって要請される高い位置決め精度で固定する。ウエハ1は、シリコン(Si)半導体や炭化珪素(SiC)半導体などのシリコン(Si)を含むウエハである。ウエハ1の厚さは、薄いものでは数10〜数100μm程度である。次に、図1(b)に示すように、ウエハ1の加工線に沿ってレーザー2を照射することによって、図1(c)に示すように、ウエハ1に加工線に沿った溝3を加工する。ウエハ1に対する溝3の加工状態の具体例を図2(a)に示す。溝3の幅は、数μm〜50μm程度であり、深さは20μm〜80μm程度が一般的である。この溝3の加工に当たっては、高速回転するブレードを接触させてメカニカルに加工するものでないので、ウエハ1の厚さが上記のように薄いものであっても割れを発生する恐れなく、50mm/s〜400mm/sの高速で加工することができる。その一方で、レーザー加工に伴って、ウエハ1の表面の溝3の両側部に溶融付着物4が付着する。
次に、図1(d)に示すように、レーザー2による加工線に沿って、レーザー加工に伴って溶融付着物4が付着する可能性のある領域に、大気圧プラズマ発生手段6からフッ素系ガスの大気圧プラズマ5を照射する。ウエハ1における大気圧プラズマ5の照射状態の具体例を図2(b)に示す。大気圧プラズマ5の照射領域(幅)は、0.1mm〜1.0mm前後であり、大気圧プラズマ発生手段6から照射される大気圧プラズマ5の幅寸法を上記範囲に制御することで、大気圧プラズマ5にて他の領域、すなわち動作領域部や電極部にダメージを与える恐れを確実に回避することができる。
以上のように、レーザー2による溝3の加工後に、大気圧プラズマ5を照射することで、図1(e)に示すように、レーザー加工に伴って付着した溶融付着物4を効率的に除去できるとともに、溝3の両側の開口縁3aの削れも殆どなく、高品質の溝3の加工が実現され、さらにトランジスター領域が直接プラズマに晒されないため、プラズマ処理によるチャージアップダメージの発生も抑制できる。図3に、ウエハ1を溝3で分割して各個片7にダイシングし、エキスパンドシート8にて個片7毎に分離した後のウエハ1の形状を示す。
次に、本実施形態の上記ウエハ加工方法を実施するウエハ加工装置について、図4〜図6を参照して説明する。図4において、ウエハ加工装置11は、搬入手段(図示せず)にて搬入されたウエハ1を高い位置精度で位置決めして固定するウエハ固定手段12と、レーザーを発生するレーザー発生手段13と、レーザー2をウエハ1の加工線に沿って照射するレーザー照射手段14と、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマ5を発生して照射する大気圧プラズマ発生手段6と、大気圧プラズマ発生手段6を三次元方向に移動及び位置決めする三次元移動手段15とを備えている。三次元移動手段15は、水平な一方向のX軸方向に移動及び位置決めするX軸テーブル16と、水平かつX軸方向に対して垂直なY軸方向に移動及び位置決めするY軸テーブル17と、鉛直方向に移動及び位置決めするZ軸テーブル18から成り、X軸テーブル16にてY軸テーブル17を、Y軸テーブル17にてZ軸テーブル18を、Z軸テーブル18にて大気圧プラズマ発生手段6をそれぞれ移動及び位置決めするように構成されている。
上記ウエハ固定手段12とレーザー発生手段13とレーザー照射手段14と大気圧プラズマ発生手段6と三次元移動手段15は、図5に示すように、制御手段20にて、操作部22からの動作指令によって、記憶部21に予め記憶された動作プログラム及び各種データに基づいて動作制御され、その動作状態が表示部23に表示される。具体的には、制御手段20は、図6に示すように、レーザー2をウエハ1の加工線に沿って速度V1(50mm/s〜400mm/s)で走査して上記溝3を加工するようにレーザー照射手段14を動作制御し、その後大気圧プラズマ5をレーザー加工された溝3に沿って速度V2(<V1)で走査して溶融付着物4を除去処理するように三次元移動手段15を動作制御するように構成されている。なお、レーザー2の移動速度V1と大気圧プラズマ5の移動速度V2の差が過大になる場合には、図6に仮想線で示すように、大気圧プラズマ発生手段6として、その移動方向の長さが長く、大気圧プラズマ5が移動方向に広い範囲で照射されるようにしたものを採用し、大気圧プラズマ処理の時間が長く確保されるようにするのが好適である。
次に、大気圧プラズマ発生手段6の各種の構成例について、図7〜図10を参照して説明する。図7(a)の例は、絶縁体から成る円筒状の反応容器31の周囲にコイル状のアンテナ32を配設し、アンテナ32に高周波電源33から1MHz〜500MHz程度の周波数の高周波電圧を印加して反応容器31内に高周波電界を印加し、反応容器31の一端31aから不活性ガスにフッ素系ガスを混合した混合ガス34を供給することで、反応容器31の他端31bから大気圧プラズマ5を吹き出すように構成されている。また、図7(b)の例は、誘電体から成る反応管35の内側に内側電極36を、外周に外側電極37を配設し、電極36、37間に高周波電源から10KHz〜100MHz程度の周波数の高周波電圧を印加し、反応管35内に混合ガスを供給することで反応管35内で大気圧プラズマ5を発生して吹き出し口38から吹き出すように構成されている。また、図7(c)の例は、断面形状が細長い長方形状の誘電体から成る反応管39の外周に間隔をあけて一対の電極40a、40bを配設し、電極40a、40b間に高周波電源41から高周波電圧を印加し、反応管39の一端39aから混合ガスを供給することで反応管39の他端39bからプラズマを吹き出すように構成されている。
また、図8の例は、図8(a)に示すように、断面形状が長方形の反応容器42の一端42aから混合ガス43を供給し、反応容器42の他端42bから大気圧プラズマ5を吹き出すように構成されたもので、反応容器42の対向する長側壁には、図8(b)に示すように、反応容器42内の反応空間44を挟んでその両側に誘電体45を介して一対の電極46a、46bが配設されており、電極46a、46b間に高周波電源47から高周波電圧を印加するように構成されている。
また、図9の例は、図8に示した構成例において、反応容器42の一端42aから不活性ガス48を供給して反応容器42の他端42bから不活性ガス48の大気圧プラズマ5を吹き出すようにするとともに、反応容器42の他端42bの一側方に、フッ素系ガス50又は不活性ガスとフッ素系ガスの混合ガスを供給する供給ダクト49が配設されている。供給ダクト49は、反応容器42とほぼ同じ幅で、反応容器42の他端42bの近傍に位置する先端部に、吹き出している大気圧プラズマ5に沿うように屈曲された吹き出し口49aを有しており、この供給ダクト49内の供給通路を通して、反応容器42の他端42bから吹き出している大気圧プラズマ5の一側に向けてフッ素系ガス50を供給することで、フッ素系ガス50が大気圧プラズマ5と接触して重なり、フッ素系ガス50を含む大気圧プラズマ5が形成されるように構成されている。
また、図10の例は、図10(a)、(b)に示すように、誘電体からなる円筒状の反応容器51の周囲にコイル状のアンテナ52を配設し、アンテナ52に高周波電源53から高周波電圧を印加して反応容器51内に高周波電界を印加し、反応容器51の上端51aから第1の不活性ガス54を供給することで、反応容器51の下端51bから一次プラズマ55を吹き出すように構成されている。反応容器51の下端51b近傍の周囲に、下方に向けて径が小さくなる倒立接頭円錐形状の混合ガス領域57を形成する混合ガス容器56が配設され、その周囲に第2の不活性ガスとフッ素系ガスの混合ガス58を内部に供給する複数のガス供給口59が配設されている。この構成により、混合ガス領域57内で混合ガス58に一次プラズマ55が衝突することで二次プラズマ60が発生し、混合ガス領域57の下端開口57aから二次プラズマ60(大気圧プラズマ5)が吹き出すように構成されている。
以上の構成の本実施形態によれば、シリコンを含むウエハ1にレーザー2を照射することによって効率的に、かつ高速回転ブレード等を用いてメカニカルに加工する場合のように割れを発生する恐れなく加工することができ、かつその加工部位にフッ素系ガスを含む大気圧プラズマ5を照射することによって、レーザー加工に伴って発生した溶融付着物4のみを効率的に除去することができ、品質の良い加工ができる。
また、大気圧プラズマ5を発生する大気圧プラズマ発生手段6は、真空プラズマ処理装置に比して、格段に簡単かつコンパクトな構成であるため、ウエハ1をウエハ固定手段12で高い位置決め精度で固定した状態でレーザー加工した後、そのままの状態で引き続いて大気圧プラズマ5の照射を行うことが可能となり、簡単な加工工程及び設備構成にて効率的にウエハ1の加工を行うことができ、高い生産性を実現することができる。
また、レーザー2をウエハ1に照射して溝3を加工した後、その溝3に沿って大気圧プラズマ発生手段6を移動させて大気圧プラズマ5を照射し、ウエハ1の表面の溝3の両側部の溶融付着物4を除去するようにした本実施形態の方法は、レーザー加工時の溶融物の飛散があまり広がらず、また溶融付着物4の量が多くてレーザー加工の速度V1に対して大気圧プラズマの照射による処理の速度V2が小さい場合に効果的である。
(第2の実施形態)
次に、本発明のウエハ加工方法及び装置の第2の実施形態について、図11、図12を参照して説明する。なお、上記第1の実施形態と同一の構成要素については、 同一の参照符号を付して説明を省略し、主として相違点についてのみ説明する。
上記第1の実施形態では、レーザー2にて加工した後、大気圧プラズマ5を照射して溶融付着物4を除去する例を示したが、本実施形態においては、図11に示すように、大気圧プラズマ発生手段6による大気圧プラズマ5の照射領域の移動に従って、レーザー2を大気圧プラズマ5の照射領域に照射し、レーザー2による加工工程と大気圧プラズマ5の照射工程を同時に行うように、レーザー照射手段14と三次元移動手段15を同期して動作制御している。すなわち、制御手段20は、図12に示すように、レーザー2をウエハ1の加工線に沿って速度V1(50mm/s〜100mm/s程度)で走査して溝3を加工するようにレーザー照射手段14を動作制御するとともに、大気圧プラズマ5を吹き出す大気圧プラズマ発生手段6を同じ速度V1(50mm/s〜100mm/s程度)で同期して走査して溶融付着物4を除去処理するように三次元移動手段15にて動作制御するように構成されている。
本実施形態によれば、照射する大気圧プラズマ5中にレーザー2を照射してレーザー加工工程とプラズマ照射工程を同時に行うので、レーザー加工時の溶融物を化学的に分解除去でき、レーザー加工時に溶融物が広く飛散し易く、また溶融付着物4の量が少ないため大気圧プラズマ5の照射による処理の速度をレーザー2による加工速度に合わせられる場合に、溶融物の飛散を防止できかつ一度に高速で処理できるので好適である。
本発明のウエハ加工方法及び装置によれば、レーザー照射によって割れを発生する恐れなく効率的にウエハを加工することができ、かつその加工に伴って発生した溶融付着物を加工部位にフッ素系ガスを含む大気圧プラズマを照射することによって効率的に除去することができ、また大気圧プラズマは簡単かつコンパクトな構成で発生することができるため、ウエハを一定箇所に固定した状態で、レーザー加工と大気圧プラズマ照射の両者を行うことができるので、簡単な加工工程及び設備構成にて高い生産性をもって加工することができるので、シリコンを含む各種ウエハのレーザー加工に好適に利用することができる。
本発明の第1の実施形態のウエハ加工方法の工程説明図。 同実施形態におけるウエハに対するレーザ加工状態と大気圧プラズマ照射状態を示す平面図。 同実施形態における加工したウエハの斜視図。 同実施形態のウエハ加工装置の構成図。 同実施形態のウエハ加工装置の制御部の構成図。 同実施形態の加工時の状態説明図。 同実施形態における大気圧プラズマ発生装置の各種構成例を示し、(a)は第1の構成例の斜視図、(b)は第2の構成例の断面図、(c)は第3の構成例の斜視図。 同実施形態における大気圧プラズマ発生装置の他の構成例を示し、(a)は斜視図、(b)はその基本構成を示す斜視図。 同実施形態における大気圧プラズマ発生装置の別の構成例を示す斜視図。 同実施形態における大気圧プラズマ発生装置のさらに別の構成例を示し、(a)は断面図、(b)は斜視図。 本発明の第2の実施形態のウエハ加工装置の構成図。 同実施形態の加工時の状態説明図。 従来例のウエハ加工工程とその問題点の説明図。
符号の説明
1 ウエハ
2 レーザー
3 溝
4 溶融付着物
5 大気圧プラズマ
6 大気圧プラズマ発生手段
11 ウエハ加工装置
13 レーザー発生手段
14 レーザー照射手段
15 三次元移動手段
20 制御手段

Claims (7)

  1. シリコンを含むウエハをレーザーにより加工するウエハ加工方法において、ウエハにレーザーを照射して加工するレーザー加工工程と、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマをレーザーによる加工部位に照射するプラズマ照射工程とを有することを特徴とするウエハ加工方法。
  2. レーザー加工工程の後に、プラズマ照射工程を行うことを特徴とする請求項1記載のウエハ加工方法。
  3. 照射する大気圧プラズマ中にレーザーを照射してレーザー加工工程とプラズマ照射工程を同時に行うことを特徴とする請求項1記載のウエハ加工方法。
  4. フッ素系ガスを含む大気圧プラズマは、不活性ガスとフッ素系ガスの混合ガスに高周波電界を印加して発生させることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のウエハ加工方法。
  5. フッ素系ガスを含む大気圧プラズマは、不活性ガスに高周波電界を印加して発生させたプラズマにフッ素系ガスを含むガスを混合して発生させることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のウエハ加工方法。
  6. シリコンを含むウエハをレーザーにより加工するウエハ加工装置において、レーザーを発生するレーザー発生手段と、レーザーをウエハの加工線に沿って照射するレーザー照射手段と、フッ素系ガスを含む大気圧プラズマを発生して照射する大気圧プラズマ発生手段と、大気圧プラズマ発生手段を移動する三次元移動手段と、レーザー発生手段とレーザー照射手段と大気圧プラズマ発生手段と三次元移動手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするウエハ加工装置。
  7. 大気圧プラズマ発生手段による大気圧プラズマの照射領域の移動に従って、レーザーを大気圧プラズマの照射領域に照射して加工することを特徴とする請求項6記載のウエハ加工装置。
JP2006246963A 2006-09-12 2006-09-12 ウエハ加工方法及び装置 Pending JP2008068266A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006246963A JP2008068266A (ja) 2006-09-12 2006-09-12 ウエハ加工方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006246963A JP2008068266A (ja) 2006-09-12 2006-09-12 ウエハ加工方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008068266A true JP2008068266A (ja) 2008-03-27

Family

ID=39290327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006246963A Pending JP2008068266A (ja) 2006-09-12 2006-09-12 ウエハ加工方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008068266A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102237452A (zh) * 2010-04-22 2011-11-09 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法和激光加工装置
JP2014033164A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法及びレーザー加工装置
CN104907681A (zh) * 2015-07-06 2015-09-16 哈尔滨工业大学 一种激光辅助等离子体加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004074254A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Komatsu Sanki Kk プラズマアークまたはレーザによる切断加工機、およびその切断方法
WO2005062377A1 (en) * 2003-12-18 2005-07-07 Intel Corporation Methods and apparatus for laser dicing
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2006021242A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004074254A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Komatsu Sanki Kk プラズマアークまたはレーザによる切断加工機、およびその切断方法
WO2005062377A1 (en) * 2003-12-18 2005-07-07 Intel Corporation Methods and apparatus for laser dicing
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2006021242A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102237452A (zh) * 2010-04-22 2011-11-09 株式会社迪思科 光器件晶片的加工方法和激光加工装置
JP2011224931A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Disco Corp 光デバイスウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP2014033164A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法及びレーザー加工装置
CN104907681A (zh) * 2015-07-06 2015-09-16 哈尔滨工业大学 一种激光辅助等离子体加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5023614B2 (ja) 半導体チップの製造方法及び半導体ウエハの処理方法
EP2859984B1 (en) A method of laser processing a transparent material
JP5756584B2 (ja) レーザ・アブレーション微細機械加工用の荷電粒子ビーム・マスキング
US5912186A (en) Method for processing semiconductor material
JPH04137728A (ja) 集束イオンビームエッチング装置
JP2013055120A (ja) ウェーハの分割方法
KR20030064808A (ko) 반도체 재료의 레이저 기계 가공
JP2009269057A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2014523115A (ja) プラズマエッチングを伴うハイブリッドガルバニックレーザスクライビングプロセスを用いたウェハダイシング
JP2008068266A (ja) ウエハ加工方法及び装置
JP5362236B2 (ja) 試料加工・観察装置及び断面加工・観察方法
JP4748006B2 (ja) ウエハ加工方法及び装置
JPH11250851A (ja) 集束イオンビーム加工方法及び装置
CN111805077B (zh) 一种晶圆微结构的制造方法
US20020182877A1 (en) Photo-processing of materials in the presence of reactive fluid
JP2010160352A (ja) 付着物の除去方法及び除去装置
US20210043474A1 (en) Plasma etching apparatus
JP5294816B2 (ja) 顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置及び局所マイクロプラズマエッチング方法
JP5212031B2 (ja) レーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置
JP2003071828A (ja) レーザマイクロ割断装置およびその方法
JP2014033164A (ja) ウエーハの加工方法及びレーザー加工装置
CN113146053A (zh) 激光加工装置及激光加工方法
KR20010029638A (ko) 패턴 수정 장치
JPS63238289A (ja) プラズマとレ−ザ−照射とを同時に用いる加工方法および加工装置
JP2008122166A (ja) 探針交換方法及び探針交換用冶具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080702

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090403

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20090416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110308

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110426