JP5362236B2 - 試料加工・観察装置及び断面加工・観察方法 - Google Patents
試料加工・観察装置及び断面加工・観察方法 Download PDFInfo
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本発明の試料加工・観察装置は、試料を載置する試料台と、該試料台に載置された前記試料に、所定の照射範囲全体に亘って同時に第一のイオンビームを前記照射可能な第一のイオンビーム鏡筒と、前記試料台と前記第一のイオンビーム鏡筒との間に配置可能であり、前記第一のイオンビームの一部を遮蔽するマスクと、前記第一のイオンビーム鏡筒の前記第一のイオンビームの照射方向と略直交するXY平面で前記マスクを移動させることが可能なマスク移動手段と、前記第一のイオンビームの前記照射範囲内で、集束させた荷電粒子ビームを走査させることが可能な荷電粒子ビーム鏡筒と、該荷電粒子ビーム鏡筒から前記荷電粒子ビームを前記試料または前記マスクに照射することで発生する二次発生物を検出可能な検出手段と、を備え、前記第一のイオンビーム鏡筒は、前記マスクの外形よりも小さい照射範囲に前記第一のイオンビームを照射可能であり、前記マスクを前記試料加工・観察装置内に配置した前記マスクとは別のマスクと交換するマスク交換機構を備え、前記マスク交換機構は、交換用の前記マスクを載置可能なマスク台を備え前記マスク台は、前記荷電粒子ビームの照射範囲に移動可能であることを特徴としている。
また、前記第一のイオンビーム鏡筒は、前記マスクの内縁の縁端よりも大きい照射範囲に前記第一のイオンビームを照射可能であることがより好ましいとされている。
また、前記第一の切削工程における前記第一のイオンビームの照射範囲は、前記マスクの内縁の縁端よりも大きいことがより好ましいとされている。
また、この発明に係る試料加工・観察装置及び断面加工・観察方法によれば、マスクを試料加工・観察装置内に配置した別のマスクと交換することができる。それにより試料の切削工程においてリデポジション等で縁端の形状が変化したマスクを、装置内で交換することができる。装置を大気開放することなくマスクを交換することができるので効率がよく、また装置内の真空状態を維持することができる。
また、上記の断面加工・観察方法において、前記第一の切削工程は、前記第一のイオンビームとして不活性イオンビームを使用することがより好ましいとされている。
また、前記断面観察工程において、第一のイオンビームよりも小電流で集束させた第二のイオンビームまたは電子ビームを用いることで、試料断面を良好に観察することができる。
本発明の断面加工・観察方法によれば、位置調整工程及び第一の切削工程よって、大断面を、断面位置精度を確保しつつ効率良く加工することができ、所望の試料断面を精度良く観察することができる。
図1は、この発明に係る第1の実施形態を示している。図1に示すように、試料加工・観察装置1は、試料Sを載置する試料台2と、第一のイオンビームI1を照射可能な第一のイオンビーム鏡筒3と、荷電粒子ビームとして集束させた電子ビームEを照射可能な荷電粒子ビーム鏡筒である電子ビーム鏡筒4とを備える。試料台2の下部には、五軸ステージ5が設けられている。五軸ステージ5は、試料台2に載置された試料Sを、第一のイオンビームI1の照射方向であるZ軸方向と、Z軸と略直交するX軸方向及びY軸方向とにスライド可能であるとともに、Y軸回り及びZ軸回りに回転可能としている。
図11は、この発明に係る第2の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
2 試料台
2m マスク台(マスク交換機構)
3 第一のイオンビーム鏡筒
3a 照射範囲
4 電子ビーム鏡筒(荷電粒子ビーム鏡筒)
6、6A、6B、6s マスク
7 マスク移動手段
12 二次電子検出器(検出手段)
21 第二のイオンビーム鏡筒
23 X線検出器(検出手段)
E 電子ビーム(荷電粒子ビーム)
I1 第一のイオンビーム
I2 第二のイオンビーム
F 二次電子(二次発生物)
G 特性X線(二次発生物)
Claims (2)
- 試料を載置する試料台と、
該試料台に載置された前記試料に、所定の照射範囲全体に亘って同時に第一のイオンビームを前記照射可能な第一のイオンビーム鏡筒と、
前記試料台と前記第一のイオンビーム鏡筒との間に配置可能であり、前記第一のイオンビームの一部を遮蔽するマスクと、
前記第一のイオンビーム鏡筒の前記第一のイオンビームの照射方向と略直交するXY平面で前記マスクを移動させることが可能なマスク移動手段と、
前記第一のイオンビームの前記照射範囲内で、集束させた荷電粒子ビームを走査させることが可能な荷電粒子ビーム鏡筒と、
該荷電粒子ビーム鏡筒から前記荷電粒子ビームを前記試料または前記マスクに照射することで発生する二次発生物を検出可能な検出手段と、を備え、
前記第一のイオンビーム鏡筒は、前記マスクの外形よりも小さい照射範囲に前記第一のイオンビームを照射可能であり、
前記マスクを前記試料加工・観察装置内に配置した前記マスクとは別のマスクと交換するマスク交換機構を備え、
前記マスク交換機構は、交換用の前記マスクを載置可能なマスク台を備え、
前記マスク台は、前記荷電粒子ビームの照射範囲に移動可能であることを特徴とする試料加工・観察装置。 - 試料上に、マスクを配置するとともに、集束させた荷電粒子ビームを走査させて発生する二次発生物を検出することで、前記マスクの縁端と前記試料の断面形成位置との位置調整を行うマスク位置調整工程と、
前記試料上で位置調整された前記マスクに、所定の照射範囲全体に亘って同時に第一のイオンビームを照射して、前記マスクから露出した前記試料をエッチングすることで、前記マスクの前記縁端と対応する前記断面形成位置に試料断面を形成する第一の切削工程と、
該試料断面で、集束させた荷電粒子ビームを走査させて発生する二次発生物を検出する断面観察工程と、を備え、
前記第一の切削工程における前記第一のイオンビームの照射範囲は、前記マスクの外形よりも小さく、
前記マスクを試料加工・観察装置内に配置した前記マスクとは別のマスクと交換するマスク交換工程を備え、
前記マスク交換工程は、集束させた前記荷電粒子ビームを照射して前記マスクを観察しながら行うことを特徴とする断面加工・観察方法。
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