JP6188792B2 - Tem観察用の薄片の調製 - Google Patents
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Description
下部をくりぬくミリング714によって、薄片704の底部を基板から切り離す。薄片の底部には、2回目の大ミリングのステップによって形成された材料のブリッジがある。このブリッジを、最初の大ミリングと同じ側から削除する。
Claims (20)
- 観察面内の関心の特徴部分を透過型電子顕微鏡で観察するために前記観察面を有する薄片を形成する方法であって、
荷電粒子ビーム・システムの真空室内において荷電粒子ビームを加工物に向かって導いて、前記関心の特徴部分の上方の保護層の前駆体ガスからの付着を誘起し、前記保護層が、集束イオン・ビームを用いた場合の前記加工物のスパッタリング速度に一致したスパッタリング速度を有すること、
前記加工物に向かって集束イオン・ビームを導いて、前記関心の特徴部分の近くに1つまたは複数の基準マークをミリングによって形成すること、
集束イオン・ビームを導いて、前記関心の特徴部分の両側にミリングによって空洞を形成し、それによって薄片を形成すること、
前記薄片のそれぞれの側から集束イオン・ビームを導いて、前記空洞から、前記観察面に次第に近づくようにミリングし、前記ビームが前記関心の特徴部分に近づくにつれてより浅い深さまで逐次的にミリングして、前記観察面から離れる方向に傾斜した底面を提供し、前記集束イオン・ビーム中のイオンが、第1の入射エネルギーを有すること、
前記空洞から、前記観察面に次第に近づくようにミリングした後に、前記空洞を隔てている材料を除去するようにミリングして、前記空洞を支持するタブを残すこと、および
前記空洞を隔てている材料を除去するようにミリングした後に、前記第1の入射エネルギーよりも小さい第2の入射エネルギーを有するイオン・ビームを前記観察面に向かって導くこと
を含む方法。 - 前記第1の入射エネルギーが20,000eVよりも大きく、前記第2の入射エネルギーが15,000eVよりも小さい、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の入射エネルギーが25,000eVよりも大きく、前記第2の入射エネルギーが10,000eVよりも小さい、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の入射エネルギーが28,000eVよりも大きく、前記第2の入射エネルギーが6,000eVよりも小さい、請求項2に記載の方法。
- 前記加工物からミリングする前記薄片を、前記真空室内で分離することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記加工物からミリングする前記薄片を、前記真空室の外で分離することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを導いて、前記空洞から、前記観察面に次第に近づくようにミリングし、前記ビームが前記関心の特徴部分に近づくにつれてより浅い深さまで逐次的にミリングして、前記観察面から離れる方向に傾斜した底面を提供することが、前記薄片を100nm未満の厚さまで薄くすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記各動作が、人間の介入なしで自動的に実行される、請求項7に記載の方法。
- 前記薄片が70nm未満まで薄くされる、請求項7に記載の方法。
- 前記薄片が50nm未満まで薄くされる、請求項7に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを導いて、前記空洞から、前記観察面に次第に近づくようにミリングすることが、最後のミリングの前に、前記基準マークを使用してビーム位置を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記空洞から、前記観察面に次第に近づくようにミリングした後に、前記観察面に向かって非集束イオン・ビームを導くことをさらに含み、前記非集束イオン・ビーム中のイオンのエネルギーが、前記空洞を形成するために使用したイオンのエネルギーよりも小さい、請求項1に記載の方法。
- 前記観察面に向かって非集束イオン・ビームを導くことが、前記観察面に向かって前記非集束イオン・ビームを逐次的に導くことを含み、前記ビームの逐次的な照射と照射の間に遅延が置かれる、請求項12に記載の方法。
- 走査電子顕微鏡を用いて前記薄片を観察して、前記薄片の厚さを決定することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ミリングによって前記薄片に断面を形成すること、および前記薄片が前記加工物から分離される前に、前記走査電子顕微鏡を用いて前記断面を観察することをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記加工物に向かって集束イオン・ビームを導いて、前記関心の特徴部分の近くに1つまたは複数の基準マークをミリングによって形成することが、形成する前記薄片の両側に1つずつ、合わせて2つの基準マークをミリングによって形成することを含み、前記基準マークが、形成する前記薄片の中心と整列している、請求項1に記載の方法。
- 前記加工物に向かって集束イオン・ビームを導いて、前記関心の特徴部分の近くに1つまたは複数の基準マークをミリングによって形成することが、形成する前記薄片の両側に1つずつ、合わせて2つの基準マークをミリングによって形成することを含み、前記基準マークが、形成する前記薄片の中心からずれている、請求項1に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを導いて、前記空洞から、前記観察面に次第に近づくようにミリングすることが、ミリング中に少なくとも一度、ビーム・ドリフトを決定すること、および前記ビームの位置を補正して前記ドリフトを補償することを含む、請求項1に記載の方法。
- 厚さ100nm未満の薄片を自動的に製作する装置であって、
イオン・ビーム・カラムと、
加工物を支持するステージと、
前記イオン・ビーム・カラムおよび前記ステージの動作を制御するコントローラであり、請求項1の各動作を実行するためのコンピュータ命令を記憶した記憶装置を含むコントローラと
を備える装置。 - 前記真空室内において前記加工物を観察するための走査電子顕微鏡カラムをさらに備える、請求項19に記載の装置。
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