JP2000286356A - 半導体容器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】配線基板にアルミナペーストを介して枠部層を
積層、圧着し、同時焼成する半導体容器の製造方法にお
いて、アルミナペーストの幅の変化や配線の形状の変化
による電気的特性の変化を容易に防止し、歩留り率を上
昇させる。 【構成】セラミックグリーンシートに予めアルミナペー
ストを塗布しておいてから、このセラミックグリーンシ
ートを打ち抜いて枠部層を形成し、配線基板に積層、圧
着し同時焼成する。予め塗布されたアルミナペーストが
セラミックグリーンシートと同時に打ち抜かれること
で、積層後にアルミナペーストが枠部層の主側面の延長
線よりも張り出す幅が大きくなりすぎることがなく、配
線のインピーダンスマッチングが良好となり、ライン特
性の変化を防止することを実現する。さらに、アルミナ
ペーストは、予め枠部層に形成されているので、積層す
る際に、塗布されたアルミナペースト層と枠部層とを位
置決めする必要がない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、ハイ
ブリッドＩＣ、チップ抵抗、チップコンデンサ等の電子
部品等を収納するためのキャビティ（凹部）を有する半
導体容器の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子等を収納するため
のキャビティを有する半導体容器は、セラミックグリー
ンシートを打ち抜いて形成された枠部層を、アルミナペ
ーストを介して、セラミックグリーンシートに配線層や
半導体素子等の搭載部を有する配線基板に積層、圧着し
た後、両者を同時焼成して製造されていた。このような
半導体容器の製造方法は、例えば、特公平２−４１９１
７号公報に記載されている。

【０００３】従来より、このような半導体容器は以下の
ように製造されていた。まず、図４（ａ）に示すよう
に、セラミックグリーンシート上に半導体素子搭載部１
０８および配線部１０７とをタングステン粉末を調整し
てなるペーストで印刷し、ベース基板となる配線基板１
０６とする。次に、図４（ｂ）に示すように、前記配線
基板の上に、セラミックグリーンシートの打ち抜きによ
り形成された枠部層１０２の寸法幅よりも若干大きい寸
法にてアルミナペースト１０４を、例えば２０μmの厚
さにて塗布する。その後、図４（ｃ）に示すように、ア
ルミナペースト１０４上に、枠部層１０２を積層、圧着
し、水素と窒素の混合ガス中、１５５０℃で焼成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体容器の小
型化および配線の高密度化の必要性から、配線の幅自体
も極めて細いものとなっており、例えば、配線の幅は約
２５０μmである。特に、高周波配線の場合には、配線
のライン形状でその特性が変化してしまうため、設計通
りに配線を形成する精度が要求されている。

【０００５】これに対し、上記した従来の製造方法で
は、セラミックグリーンシートを打ち抜いて形成された
枠部層を配線基板に積層する前に、ベース基板となる配
線基板上に予めアルミナペーストを塗布していたため、
次のような問題が生じていた。すなわち、積層された枠
部層の下を通過するように配線基板上に印刷された配線
において、塗布されたアルミナペーストに対し、枠部層
を正確に位置決めして載置できない場合には、配線の所
望のインピーダンス特性が得られないことがあった。こ
のため、枠部層と塗布されたアルミナペーストとの位置
決めを容易とするためには、アルミナペーストを枠部層
の幅よりも広く形成しておくことが考えられるが、この
ような場合には、塗布されたアルミナペーストが枠部層
の主側面の延長線よりも張り出す（はみ出す）幅が大き
くなりすぎるため、配線のインピーダンスマッチングが
悪くなる。このため、求められるライン特性が出ない不
具合が生じることがしばしばあった。

【０００６】また、アルミナペーストが枠部層の主面側
の延長線よりも張り出す（はみ出す）幅を制御するため
には、塗布されるアルミナペーストの幅を狭くしておく
ことが考えられるが、このような場合には、塗布された
アルミナペーストと枠部層との位置決めが困難となり、
さらには、塗布されたアルミナペーストが枠部層の主側
面の延長線よりも引き下がってしまうことがしばしばあ
る。この場合、枠部層を配線基板に積層、圧着し、同時
焼成後に、半導体素子をキャビティ内の搭載部に搭載
し、蓋をしてシームウエルド工法にて接合するときに、
前記枠部層と前記配線基板との境界にクラックや割れが
生じて気密不良が生じるといった不具合があった。

【０００７】さらに、塗布されたアルミナペーストが枠
部層の主側面の延長線よりも引き下がる場合には、積層
された枠部層の下を通過するように配線基板上に印刷さ
れた配線において、メッキだれを生じやすくなる。この
場合、配線の形状が変化して特性が変ってしまうという
不具合が生じていた。

【０００８】本発明の目的は、ベース基板である配線基
板表面に形成された配線部を枠部層が横切るように、前
記配線基板にアルミナペーストを介して前記枠部層を積
層、圧着し、同時焼成する半導体容器の製造方法におい
て、アルミナペースト（層）の幅の変化や配線の形状の
変化による電気的特性の変化を防止し、枠部層とベース
基板との境界付近に生じるクラックや割れを防止するこ
とで歩留り率を上昇させることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記の手
段を講じることにより解決することが可能である。請求
項１に記載の発明は、セラミックグリーンシートの第一
主面にアルミナペーストを塗布する工程と、アルミナペ
ーストを塗布された前記セラミックグリーンシートを打
ち抜いて枠部層を形成する工程と、アルミナペースト塗
布面を配線基板側にして、前記枠部層を配線基板に積
層、圧着し同時焼成する工程と、を有することを特徴と
する半導体容器の製造方法を要旨とする。

【００１０】請求項１の発明によれば、セラミックグリ
ーンシートに予めアルミナペーストを塗布しておいてか
ら、このセラミックグリーンシートを打ち抜いて枠部層
を形成し、配線基板に積層、圧着し同時焼成する。予め
塗布されたアルミナペーストがセラミックグリーンシー
トと同時に打ち抜かれることで、このアルミナペースト
が枠部層の主側面の延長線よりも張り出す幅が大きくな
りすぎることがなく、配線のインピーダンスマッチング
が良好となり、ライン特性の変化を防止することを実現
する。

【００１１】また、塗布されたアルミナペーストが枠部
層の主側面の延長線よりも大幅に引き下がってしまうこ
とを防止する。これにより、枠部層を配線基板に積層、
圧着し、同時焼成後に、半導体素子をキャビティ内の搭
載部に搭載し、蓋をしてシームウエルドで接合し、気密
封止するときに、前記枠部層と前記配線基板との境界に
クラックや割れが生じるのを防止し、気密不良を防止す
ることが可能である。

【００１２】さらに、アルミナペーストは、予め枠部層
に形成されているので、配線基板と積層する際に、塗布
されたアルミナペースト層と枠部層とを位置決めする必
要がない。

【００１３】請求項２に記載の発明は、セラミックグリ
ーンシートの第一主面にアルミナペーストを塗布し、第
二主面にメタライズを印刷する工程と、メタライズ印刷
面を打ち抜き終了面にして、前記セラミックグリーンシ
ートを打ち抜いて枠部層を形成する工程と、アルミナペ
ースト塗布面を配線基板側にして、前記枠部層を配線基
板に積層、圧着し同時焼成する工程と、を有することを
特徴とする半導体容器の製造方法を要旨とする。

【００１４】請求項２の発明によれば、塗布されたアル
ミナペーストがセラミックグリーンシートと同時に打ち
抜かれることで、このアルミナペーストが枠部層の主側
面の延長線よりも張り出す幅が大きくなりすぎることが
なく、配線のインピーダンスマッチングが良好となり、
ライン特性の変化を防止することを実現する。

【００１５】さらに、塗布されたアルミナペーストが枠
部層の主側面の延長線よりも大幅に引き下がってしまう
ことを防止する。これにより、キャビティに蓋をしてシ
ームウエルドで接合し、気密封止するときに、前記枠部
層と前記配線基板との境界にクラックや割れが生じるの
を防止し、気密不良を防止することが可能である

【００１６】さらに、メタライズ印刷面を打ち抜き終了
面にして、セラミックグリーンシートを打ち抜いて枠部
層を形成することで、打ち抜き時に打ち抜き金型（ポン
チ）がメタライズ印刷を引きずり枠部層側面に付着し
て、汚れやダレを生じるという不具合を防止することが
可能となる。

【００１７】請求項３に記載の発明は、第一のセラミッ
クグリーンシートの第一主面にアルミナペーストを塗布
する工程と、アルミナペースト塗布面を打ち抜き終了面
にして、前記第一のセラミックグリーンシートを打ち抜
いて第一枠部層を形成する工程と、第二のセラミックグ
リーンシートの第一主面にメタライズ印刷する工程と、
メタライズ印刷面を打ち抜き終了面にして、前記第二の
セラミックグリーンシートを打ち抜いて第二枠部層を形
成する工程と、アルミナペースト塗布面を配線基板側に
して、前記第一枠部層を配線基板に積層する工程と、メ
タライズ印刷面と反対の面を前記第一枠部層側にして、
前記第二枠部層を前記第一枠部層に積層、圧着し同時焼
成する工程と、を有することを特徴とする半導体容器の
製造方法を要旨とする。

【００１８】請求項３の発明によれば、塗布されたアル
ミナペーストがセラミックグリーンシートと同時に打ち
抜かれることで、このアルミナペーストが枠部層の主側
面の延長線よりも張り出す幅が大きくなりすぎることが
なく、配線のインピーダンスマッチングが良好となり、
ライン特性の変化を防止することを実現する。

【００１９】さらに、塗布されたアルミナペーストが枠
部層の主側面の延長線よりも大幅に引き下がってしまう
ことを防止する。これにより、蓋をしてシームウエルド
で接合し、気密封止するときに、前記枠部層と前記配線
基板との境界にクラックや割れが生じるのを防止し、気
密不良を防止することが可能である。

【００２０】また、アルミナペースト塗布面を打ち抜き
終了面にして、セラミックグリーンシートを打ち抜いて
枠部層を形成することで、打ち抜き時に打ち抜き金型
（ポンチ）がアルミナペーストを引きずり、枠部層の側
面に付着して、汚れを生じることを防止できる。

【００２１】さらに、メタライズ印刷面を打ち抜き終了
面にして、セラミックグリーンシートを打ち抜いて枠部
層を形成することで、打ち抜き時に打ち抜き金型（ポン
チ）がメタライズ印刷を引きずり枠部層側面に付着し
て、汚れやダレを生じるという不具合を防止することが
可能となる。

【００２２】このように、別々のセラミックグリーンシ
ートにそれぞれアルミナペーストを塗布し、メタライズ
印刷したものを、それぞれ打ち抜く場合は、アルミナペ
ースト塗布面およびメタライズ印刷面をそれぞれ打ち抜
き終了面として打抜くことで、打ち抜き時に打ち抜き金
型（ポンチ）がアルミナペーストおよびメタライズ印刷
を引きずり枠部層側面に付着して、汚れやダレを生じる
という不具合を防止することが可能である。しかし、一
枚または、積層した複数のセラミックグリーンシートの
第一主面にアルミナペーストを塗布し、第二主面にメタ
ライズ印刷をした場合には、メタライズ印刷の方がアル
ミナペーストよりも金型に引きずられやすいため、メタ
ライズ印刷面を打ち抜き終了面にして打ち抜く方がよ
い。

【００２３】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３のいずれかに記載の半導体容器の製造方法であっ
て、焼成後の前記アルミナペーストが前記枠部層の主側
面の延長線より張り出す幅を６０μｍ以下とすべく、前
記アルミナペーストが塗布されることを特徴とする半導
体容器の製造方法を要旨とする。

【００２４】請求項４の発明によると、配線のインピー
ダンスマッチングが良好となり、ライン特性の変化を、
より効果的に防止することを実現する。

【００２５】焼成後のアルミナペーストが枠部層の主側
面の延長線より張り出す幅が６０μｍより大きくなる
と、配線のインピーダンスマッチングが悪くなり、ライ
ン特性が変化してしまう不具合が起こる。

【００２６】

【発明の実施の形態】図１（ａ）乃至（ｄ）は本発明の
第一の実施例の製造工程である。まず、アルミナ（Ａｌ
_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ_２）等のセラミック粉末に、ブチラールまたはセルロ
ース等の有機結合材、及びこれらの有機結合材の溶剤等
を加えて、公知の方法で形成し、ドクターブレード法に
て所定の形に加工された未焼成のセラミックグリーンシ
ート３を用意する。次に、セラミックグリーンシート３
の第一主面３ａにアルミナペースト４を塗布し（図１
（ａ）参照）、セラミックグリーンシート３の第二主面
３ｂにタングステンを主成分とするメタライズ５を印刷
する（図１（ｂ）参照）。

【００２７】次に、メタライズ５を印刷した第二主面３
ｂを打ち抜き終了面９にして、セラミックグリーンシー
ト３を打ち抜いて枠部層２を形成する（図１（ｃ）参
照）。このように、メタライズ５を印刷した第二主面３
ｂを打ち抜き終了面９として打ち抜くことで、打ち抜き
時に打ち抜き金型（ポンチ）がメタライズ５を引きずる
ことはなく、キャビティ内にメタライズが付着し、汚
れ、ダレという不良になることはない。

【００２８】次に、枠部層２のアルミナペースト４の塗
布面に、接着溶剤としてブチルカルビドールを塗布す
る。このように、枠部層２のアルミナペースト塗布面に
接着溶剤を塗布した方が、従来技術のようにアルミナペ
ーストの塗布されていない枠部層に接着溶剤を塗布する
よりも、同量の溶剤量でより容易に軟化することができ
る。

【００２９】次に、タングステンやモリブデン等の高融
点金属を主に含んだメタライズペーストをスクリーン印
刷することで、所望のパターンの配線部７および半導体
素子搭載部８が形成された、ベース基板である配線基板
６を形成する。その後、アルミナペースト４の塗布面
（第一主面３ａ）を配線基板６側にして、枠部層２を配
線基板６に積層、圧着し、水素と窒素の混合ガス中にて
１５５０℃で同時焼成し、半導体容器１が得られる（図
１（ｄ）参照）。

【００３０】次に、公知のメッキ方法により配線部７お
よび半導体素子搭載部８等の被メッキ部分をＮｉ／Ａｕ
メッキする。さらに、枠部層２により形成されたキャビ
ティ内の半導体素子搭載部８に図示しない半導体素子を
搭載する。その後、枠部層２上の所定の位置に図示しな
いコバール板をシームウエルド工法で接合し、気密封止
する。

【００３１】上記第一の実施例では、アルミナペースト
塗布前のセラミックグリーンシートは一枚であったが、
これに限ることはない。例えば、複数のセラミックグリ
ーンシートを積層した積層セラミックグリーンシートの
第一主面にアルミナペーストを塗布し、第二主面にタン
グステンを主成分とするメタライズを印刷した後、メタ
ライズの印刷面を打ち抜き終了面にして、セラミックグ
リーンシートを打ち抜いて枠部層を形成する。次に、枠
部層のアルミナペーストの塗布面に、接着溶剤としてブ
チルカルビドールを塗布し、その後、枠部層を配線基板
に積層、圧着し、同時焼成してもよい。

【００３２】図２（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第二の実
施例の製造工程である。まず、公知の製造方法で形成さ
れたセラミックグリーンシート３Ａの第一主面にアルミ
ナペースト４を塗布し、このアルミナペースト塗布面を
打ち抜き終了面９として所定の形状に打ち抜く（図２
（ａ）参照）。

【００３３】次に、セラミックグリーンシート３Ｂの第
一主面にタングステンを主成分とするメタライズ５を印
刷し、このメタライズ印刷面を打ち抜き終了面９として
所定の形状に打ち抜く（図２（ｂ）参照）。

【００３４】次に、所定の形状に打ち抜かれたセラミッ
クグリーンシート３Ａのアルミナペースト４の塗布面
に、接着溶剤としてブチルカルビドールを塗布する。こ
のように、枠部層２のアルミナペースト塗布面に接着溶
剤を塗布した方が、従来技術のようにアルミナペースト
の塗布されていない枠部層に接着溶剤を塗布するより
も、同量の溶剤量でより容易に軟化することができる。

【００３５】その後、所望のパターンの配線部７および
半導体素子搭載部８が形成された配線基板６を用意す
る。アルミナペースト４の塗布面をベース基板となる配
線基板６側にして、半導体容器の枠部の一部となるセラ
ミックグリーンシート３Ａを配線基板６に積層する（図
２（ｃ）参照）。

【００３６】さらに、所定の形状に打ち抜かれたセラミ
ックグリーンシート３Ｂのメタライズ印刷面とは反対の
面に、接着溶剤としてブチルカルビドールを塗布する。
その後、接着溶剤塗布面を配線基板６側にして、半導体
容器の枠部の一部となるセラミックグリーンシート３Ｂ
を、配線基板６に積層されたセラミックグリーンシート
３Ａ上に積層する。さらに、これらの積層体を圧着し、
水素と窒素の混合ガス中、１５５０℃で同時焼成し、半
導体容器１を得る（図２（ｄ）参照）。

【００３７】次に、公知のメッキ方法により配線部７お
よび半導体素子搭載部８等の被メッキ部分をＮｉ／Ａｕ
メッキする。さらに、枠部層２により形成されたキャビ
ティ内の半導体素子搭載部８に図示しない半導体素子を
搭載する。その後、枠部層２上の所定の位置に図示しな
いコバール板をシームウエルド工法で接合し、キャビテ
ィ封止する。

【００３８】上記第二の実施例では、合計２枚のセラミ
ックグリーンシート３Ａ、３Ｂを配線基板６に積層した
が、これに限ることはない。例えば、配線基板６上に積
層したセラミックグリーンシート３Ａ上に、接着溶剤と
してブチルカルビドールを塗布した一枚又は複数枚のセ
ラミックグリーンシートを積層し、さらにこの上にセラ
ミックグリーンシート３Ｂを積層して枠部層を形成して
もよい。

【００３９】以下、本発明の製造方法によって製造され
た半導体容器について説明する。図３は、本発明の実施
例により製造された半導体容器の一部拡大断面図であ
る。枠部層２とベース基板である配線基板６は、アルミ
ナペースト４を介在して積層、圧着され、同時焼成され
ている。

【００４０】配線基板６上に形成された配線部７は、高
周波配線であり、配線の形状によりその特性が変化して
しまうため、高度の寸法精度が要求される。焼結したア
ルミナペースト４が枠部層２の主側面の延長線１０から
張り出す幅１１は、約１０μmである。

【００４１】なお、焼結したアルミナペースト４が枠部
層２の主側面の延長線１０から張り出す幅１１を制御す
るためには、例えば、未焼成のセラミックグリーンシー
ト３にアルミナペースト４をスクリーン印刷法により印
刷塗布する際、スクリーンのレジストの厚みを調節した
り、アルミナペースト４の粘度を小さくすることによっ
て調節される。また、本発明では、予めアルミナペース
トを塗布したセラミックグリーンシートを打ち抜くこと
で枠部層を形成するため、枠部層の主側面からアルミナ
ペーストが張り出す幅が少ない。よって、焼結したアル
ミナペースト４が枠部層２の主側面の延長線１０から張
り出す幅１１を容易に制御可能である。

【００４２】焼結したアルミナペーストが枠部層の主側
面の延長線から張り出す幅が大きいと、配線部上にある
絶縁体の存在の大きさによっても特性は変化するため、
インピーダンスマッチングが悪くなる。

【００４３】

【表１】

【００４４】表１は、枠部層を有する半導体容器におけ
る、焼結したアルミナペーストが枠部層の主側面の延長
線から張り出す幅による、気密不良率および配線のライ
ン特性不良のテスト結果を示したものである。枠部層の
主側面の延長線から、焼結したアルミナペーストの張り
出す幅が、６０μｍ以下の場合良好な結果が得られた
（試料番号１乃至４参照）。

【００４５】また、焼結したアルミナペーストが枠部層
の主側面の延長線から張り出す幅が５μｍ未満の場合に
は、シームウエルドによるキャビティ封止時にクラッ
ク、割れの発生による気密不良が生じた（試料番号１参
照）。焼結したアルミナペーストが枠部層の主側面の延
長線から張り出す幅が４２μｍ以上６０μｍ以下の場合
には、配線のライン特性に若干不良がみられた（試料番
号４参照）。よって、より好ましくは、焼結したアルミ
ナペーストが枠部層の主側面の延長線から張り出す幅が
５μｍ以上４０μｍ以下であるとよい（試料番号２、３
参照）。

【００４６】焼結したアルミナペーストが枠部層の主側
面の延長線から張り出す幅が６２μｍから１２２μｍの
場合には（試料番号５乃至７参照）、配線のライン特性
不良が起った。

【００４７】なお、アルミナペーストが枠部層の主側面
の延長線よりも引き下がる場合には、アルミナペースト
に窪みが生じやすく、配線のメッキ工程において、この
窪みに無電解メッキ液がたまる。このメッキ液は洗浄し
ても完全には除去することができず、Ｎｉ／Ａｕメッキ
が、メッキされるべき配線以外の部分に残ってメッキだ
れが生じてしまう。本発明により、アルミナペーストが
枠部層の主側面の延長線から張り出すことで、メッキだ
れによる配線の形状の変化を防止することが可能とな
る。

【００４８】本発明の半導体容器の製造方法は、キャビ
ティを有する所謂ピングリッドアレイ型パッケージ、ボ
ールグリッドアレイ型パッケージ、リードレスチップキ
ャリア、またはマルチチップモジュール等の半導体容器
の製造方法に適応可能である。

【００４９】本発明の実施形態は、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば上記実施形態に制限されることはな
い。例えば、上記セラミックグリーンシートは、アルミ
ナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）、マグネシア
（ＭｇＯ_２）等を主成分とするものに限らず、窒化アル
ミニウム、ムライト、コージュライト等のガラスセラミ
ック、結晶化ガラス、Ｓｉ_３Ｎ_４等を用いることができ
る。また、前記キャビティ内に収納する部品は、半導体
素子にこだわらず、トランジスタ、ＩＣチップ等の半導
体素子、およびコンデンサ、インダクタンス、抵抗、Ｓ
ＡＷフィルタ等の電子部品等を収納することが可能であ
る。

【００５０】また、より好ましい効果を得る為には、枠
部層２の主側面の延長線１０から、焼結したアルミナペ
ースト４の張り出す幅１１が５μｍ以上４０μｍ以下の
範囲で選択すると良い。

【００５１】

【発明の効果】以上のように、本発明に記載の半導体容
器の製造方法によると、予めセラミックグリーンシート
にアルミナペーストを塗布してからこれを打ち抜いて枠
部層を形成し、その後、配線基板に積層、圧着して同時
焼成する。よって、積層された枠部層の下を通過するよ
うに配線基板上に印刷された配線において、枠部層と、
ベース基板となる配線基板を介在するアルミナペースト
が、枠部層の主側面の延長線よりも張り出す幅が大きく
なり過ぎることを容易に避けることが可能となる。ま
た、配線のインピーダンスマッチングを良好にすること
が容易となり、求められるライン特性が出ないという不
具合を防止することができる。

【００５２】また、塗布されたアルミナペーストが枠部
層の主側面の延長線よりも引き下がることを避け、半導
体素子をキャビティ内の搭載部に搭載し、蓋をしてシー
ムウエルドで接合し、気密封止するときに、前記枠部層
と前記配線基板との境界にクラックや割れが生じて気密
不良が生じる不具合を避けることが可能となる。

【００５３】また、本発明に記載の半導体容器の製造方
法によると、セラミックグリーンシートの第一主面にア
ルミナペーストを塗布し、第二主面にメタライズ印刷
し、その後、メタライズ印刷面を打ち抜き終了面にし
て、前記セラミックグリーンシートを打ち抜いて枠部層
を形成する。このため、アルミナペーストの枠部層から
の大幅な張り出しおよび引き下がりを防止すると同時
に、メタライズ印刷面を打ち抜き終了面にして、セラミ
ックグリーンシートを打ち抜いて枠部層を形成すること
で、ポンチ打ち抜き時にポンチがメタライズ印刷を引き
ずり枠部層のキャビティの内側に付着して、汚れやダレ
を生じるという不具合を防止することが可能となる。

【００５４】また、焼成後のアルミナペーストが枠部層
の主側面の延長線より張り出す幅を適度にすることがで
きるため、キャビティに蓋をしてシームウエルドで接合
し、気密封止するときに、前記枠部層と前記配線基板と
の境界にクラックや割れが生じ、気密不良が生じてしま
う不具合を容易に防止することが可能となる。さらに、
配線のインピーダンスマッチングが悪くなり、ライン特
性が変化してしまう不具合を容易に防止することが可能
となる。

【００５５】さらに、予めセラミックグリーンシートに
アルミナペーストを塗布してからこれを打ち抜いて枠部
層を形成し、その後、配線基板に積層するため、従来の
ように、配線基板上のアルミナペーストへの、枠部層の
位置決めが不要となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施形態の半導体容器の製造方
法の工程を示す。

【図２】本発明の第二の実施形態の半導体容器の製造方
法の工程を示す。

【図３】本発明の実施例により製造された半導体容器の
一部拡大断面図である。

【図４】従来技術の半導体容器の製造方法の工程を示
す。

【符号の説明】

１，１０１ 半導体容器 ２，１０２ 枠部層 ３，３Ａ，３Ｂ セラミックグリーンシート ４，１０４ アルミナペースト ５ メタライズ ６，１０６ 配線基板 ７，１０７ 配線部 ８，１０８ 半導体素子搭載部 ９ 打ち抜き終了面 １０ 枠部層の主側面の延長線 １１ 焼結したアルミナペーストが枠部層の主側面の延
長線から張り出す幅

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックグリーンシートの第一主面に
   アルミナペーストを塗布する工程と、 アルミナペーストを塗布された前記セラミックグリーン
   シートを打ち抜いて枠部層を形成する工程と、 アルミナペースト塗布面を配線基板側にして、前記枠部
   層を配線基板に積層、圧着し同時焼成する工程と、を有
   することを特徴とする半導体容器の製造方法。
2. 【請求項２】 セラミックグリーンシートの第一主面に
   アルミナペーストを塗布し、第二主面にメタライズを印
   刷する工程と、 メタライズ印刷面を打ち抜き終了面にして、前記セラミ
   ックグリーンシートを打ち抜いて枠部層を形成する工程
   と、 アルミナペースト塗布面を配線基板側にして、前記枠部
   層を配線基板に積層、圧着し同時焼成する工程と、を有
   することを特徴とする半導体容器の製造方法。
3. 【請求項３】 第一のセラミックグリーンシートの第一
   主面にアルミナペーストを塗布する工程と、 アルミナペースト塗布面を打ち抜き終了面にして、前記
   第一のセラミックグリーンシートを打ち抜いて第一枠部
   層を形成する工程と、 第二のセラミックグリーンシートの第一主面にメタライ
   ズ印刷する工程と、 メタライズ印刷面を打ち抜き終了面にして、前記第二の
   セラミックグリーンシートを打ち抜いて第二枠部層を形
   成する工程と、 アルミナペースト塗布面を配線基板側にして、前記第一
   枠部層を配線基板に積層する工程と、 メタライズ印刷面と反対の面を前記第一枠部層側にし
   て、前記第二枠部層を前記第一枠部層に積層、圧着し同
   時焼成する工程と、を有することを特徴とする半導体容
   器の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の半導体容器の製造方法であって、 焼成後の前記アルミナペーストが前記枠部層の主側面の
   延長線より張り出す幅を６０μｍ以下とすべく、前記ア
   ルミナペーストが塗布されることを特徴とする半導体容
   器の製造方法。