JP2000285413A - スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド - Google Patents
スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スピンバルブ磁気抵抗効果素子の薄膜化、小型
化を図る。 【解決手段】固定磁性層として反強磁性結合の中間層を
介した第1 、第2 の固定磁性層で形成される多層固定磁
性層を採用し、反強磁性層として成膜された時には磁性
を示さず成膜後に所定の条件下で磁界を掛けられること
によって規則化され磁性を有する性質がある合金を採用
し、上記第１固定磁性層を第２固定磁性層より薄くする
構成とする。
化を図る。 【解決手段】固定磁性層として反強磁性結合の中間層を
介した第1 、第2 の固定磁性層で形成される多層固定磁
性層を採用し、反強磁性層として成膜された時には磁性
を示さず成膜後に所定の条件下で磁界を掛けられること
によって規則化され磁性を有する性質がある合金を採用
し、上記第１固定磁性層を第２固定磁性層より薄くする
構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピンバルブ磁気
抵抗効果素子の構造及びその製造方法並びにこれを使用
する磁気ヘッドに関する。
抵抗効果素子の構造及びその製造方法並びにこれを使用
する磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ハードディスク駆動装置（HDD ：
Hard Disk Drive ）に搭載されている磁気ヘッドには磁
気抵抗効果（AMR: Anisotropic Magnetoresistive ）素
子が最も多く使用されている。しかし記録密度の向上に
伴い、より感度の高いスピンバルブ磁気抵抗効果（Spin
Valve Magnetoresistive ）素子を使用した磁気ヘッド
の実用化の動きが本格化しつつある。
Hard Disk Drive ）に搭載されている磁気ヘッドには磁
気抵抗効果（AMR: Anisotropic Magnetoresistive ）素
子が最も多く使用されている。しかし記録密度の向上に
伴い、より感度の高いスピンバルブ磁気抵抗効果（Spin
Valve Magnetoresistive ）素子を使用した磁気ヘッド
の実用化の動きが本格化しつつある。
【０００３】かかる従来のスピンバルブ磁気抵抗効果素
子（以下、ＳＶＭＲ素子）を使用するスピンバルブ磁気
抵抗効果ヘッド（以下、ＳＶＭＲヘッド）について、図
１で要部斜視図を示し、図２には同ＳＶＭＲヘッドを側
面から見た様子を示している。この両図を参照してＳＶ
ＭＲヘッド100 の構造について説明する。ＳＶＭＲヘッ
ド100 は、最下層のタンタル（Ta）膜よりなる下地層11
1 と最上層のTaよりなるキャップ層116 との間にＳＶＭ
Ｒ素子が挟まれるように形成されている。ＳＶＭＲ素子
（膜）は111 上にニッケル- 鉄（NiFe）膜よりなる第１
自由磁性層112aとコバルト- 鉄- ホウ素（CoFeB ）膜か
らなる第２自由磁性層の二層により構成される自由磁性
層112 と、銅（Cu）膜からなる非磁性層113 と、CoFeB
膜からなる固定磁性層114 、規則系合金であるパラジウ
ム- 白金- マンガン（PdPtMn）膜からなる反強磁性層11
5 により構成されている。なお、本明細書では反強磁性
層115 に使用される規則系合金とは、反強磁性層として
成膜された時には磁性を示さず成膜後に所定の条件下で
磁気付与処理が施されることによって規則化され磁性を
有する性質がある合金を意味する。
子（以下、ＳＶＭＲ素子）を使用するスピンバルブ磁気
抵抗効果ヘッド（以下、ＳＶＭＲヘッド）について、図
１で要部斜視図を示し、図２には同ＳＶＭＲヘッドを側
面から見た様子を示している。この両図を参照してＳＶ
ＭＲヘッド100 の構造について説明する。ＳＶＭＲヘッ
ド100 は、最下層のタンタル（Ta）膜よりなる下地層11
1 と最上層のTaよりなるキャップ層116 との間にＳＶＭ
Ｒ素子が挟まれるように形成されている。ＳＶＭＲ素子
（膜）は111 上にニッケル- 鉄（NiFe）膜よりなる第１
自由磁性層112aとコバルト- 鉄- ホウ素（CoFeB ）膜か
らなる第２自由磁性層の二層により構成される自由磁性
層112 と、銅（Cu）膜からなる非磁性層113 と、CoFeB
膜からなる固定磁性層114 、規則系合金であるパラジウ
ム- 白金- マンガン（PdPtMn）膜からなる反強磁性層11
5 により構成されている。なお、本明細書では反強磁性
層115 に使用される規則系合金とは、反強磁性層として
成膜された時には磁性を示さず成膜後に所定の条件下で
磁気付与処理が施されることによって規則化され磁性を
有する性質がある合金を意味する。
【０００４】上記ＳＶＭＲヘッドの製造は下地層111 か
ら順次上方に成膜され、ＳＶＭＲ素子を含めて長方形に
パターニングされ、その上層のキャップ層116 上の両端
部に金（Au）等からなる電極端子117a、117bがそれぞれ
形成されることによりなされる。このようなＳＶＭＲヘ
ッド100 では上記電極端子117a、117 ｂの領域が信号検
知領域（センス領域）Ｓとなっている。なお、本明細書
ではＳＶＭＲヘッド100のＳＶＭＲ素子の磁化方向など
を説明するために、便宜的にＳＶＭＲ素子の膜厚方向を
Ｚ，両電極端子を結ぶ方向をＹ、Ｙ- Ｚ平面と直交する
方向（素子高さ方向）にＸを付して説明することとす
る。
ら順次上方に成膜され、ＳＶＭＲ素子を含めて長方形に
パターニングされ、その上層のキャップ層116 上の両端
部に金（Au）等からなる電極端子117a、117bがそれぞれ
形成されることによりなされる。このようなＳＶＭＲヘ
ッド100 では上記電極端子117a、117 ｂの領域が信号検
知領域（センス領域）Ｓとなっている。なお、本明細書
ではＳＶＭＲヘッド100のＳＶＭＲ素子の磁化方向など
を説明するために、便宜的にＳＶＭＲ素子の膜厚方向を
Ｚ，両電極端子を結ぶ方向をＹ、Ｙ- Ｚ平面と直交する
方向（素子高さ方向）にＸを付して説明することとす
る。
【０００５】上記従来のＳＶＭＲヘッド100 の動作時に
は、２つの電極端子117a、117bから信号検知領域Ｓにセ
ンス電流Isが流される。この状態で、例えば磁気ディス
クのような磁気記録媒体（図示せず）の近傍に沿ってＳ
ＶＭＲヘッド100 を移動させると、磁気記録媒体から出
るＸ方向への信号磁界Ｈsig に対応してＳＶＭＲ素子の
電気抵抗が逐次変化するので、磁気記録媒体の信号を電
圧変化として検出できることになる。
は、２つの電極端子117a、117bから信号検知領域Ｓにセ
ンス電流Isが流される。この状態で、例えば磁気ディス
クのような磁気記録媒体（図示せず）の近傍に沿ってＳ
ＶＭＲヘッド100 を移動させると、磁気記録媒体から出
るＸ方向への信号磁界Ｈsig に対応してＳＶＭＲ素子の
電気抵抗が逐次変化するので、磁気記録媒体の信号を電
圧変化として検出できることになる。
【０００６】このようなＳＶＭＲヘッドにおいて、信号
磁界Ｈsig に対するＳＶＭＲ素子の抵抗変化を線形にす
ることが望ましい。そのためは一般に、前記反強磁性層
115との交換結合により前記固定磁性層114 の磁化の向
きMpをＸ方向に固定するようにすると共に、信号磁界Ｈ
sig が零の時に前記自由磁性層112 の磁化の向きMfをＹ
方向に向けて、固定磁性層114 の磁化方向と自由磁性層
112 の磁化方向とが略直角であることが最適な条件であ
ることが分かっている。このような固定磁性層と自由磁
性層の関係が維持できれば、外部の磁気記録媒体からの
信号磁界Ｈsigに対して、自由磁性層の磁化の向きＭｆ
が回転してＳＶＭＲ素子の抵抗値を線形に変化させるこ
とができる。
磁界Ｈsig に対するＳＶＭＲ素子の抵抗変化を線形にす
ることが望ましい。そのためは一般に、前記反強磁性層
115との交換結合により前記固定磁性層114 の磁化の向
きMpをＸ方向に固定するようにすると共に、信号磁界Ｈ
sig が零の時に前記自由磁性層112 の磁化の向きMfをＹ
方向に向けて、固定磁性層114 の磁化方向と自由磁性層
112 の磁化方向とが略直角であることが最適な条件であ
ることが分かっている。このような固定磁性層と自由磁
性層の関係が維持できれば、外部の磁気記録媒体からの
信号磁界Ｈsigに対して、自由磁性層の磁化の向きＭｆ
が回転してＳＶＭＲ素子の抵抗値を線形に変化させるこ
とができる。
【０００７】なお、本明細書では上記自由磁性層の磁化
方向Ｙを磁化容易軸または磁気異方性方向という。ま
た、矢印などで所定の方向を意味するような場合には
「向き」の語を使用し、その前後方向で向きを考慮しな
い場合は「方向」の語を使用する。さて、ハードディス
ク等の記録密度が増大するにつれて、単位当たりの信号
磁界Ｈsig は弱くなってくる。これを修正するためにＳ
ＶＭＲ素子の ρ／ρ（ＭＲ-ratio：磁気抵抗変化率）
を大きくすればより大きい信号として取出せ、好ましい
ものとなる。その方法としてＳＶＭＲ素子の積層厚（Ｚ
方向）を薄くしていく手段と、素子高さ（Ｘ方向）を低
くする手段が考えられる。
方向Ｙを磁化容易軸または磁気異方性方向という。ま
た、矢印などで所定の方向を意味するような場合には
「向き」の語を使用し、その前後方向で向きを考慮しな
い場合は「方向」の語を使用する。さて、ハードディス
ク等の記録密度が増大するにつれて、単位当たりの信号
磁界Ｈsig は弱くなってくる。これを修正するためにＳ
ＶＭＲ素子の ρ／ρ（ＭＲ-ratio：磁気抵抗変化率）
を大きくすればより大きい信号として取出せ、好ましい
ものとなる。その方法としてＳＶＭＲ素子の積層厚（Ｚ
方向）を薄くしていく手段と、素子高さ（Ｘ方向）を低
くする手段が考えられる。
【０００８】まず、Ｚ方向を薄くしていく手段について
考慮すると、ＳＶＭＲ素子で最も厚い層は、一般に200
Å以上を必要とする上記反強磁性層115 である。しかし
この反強磁性層が100 Å以下の層厚となると固定磁性層
114 の磁化の向きMpを固定する交換結合磁界が小さくな
り、外部から加えられる熱による擾乱などでMpが反転し
やすくなってしまう。また、上記固定磁性層と自由磁性
層とも磁気特性が維持できる程度の膜厚を確保する必要
があり、これらの薄膜化にも限界がある。
考慮すると、ＳＶＭＲ素子で最も厚い層は、一般に200
Å以上を必要とする上記反強磁性層115 である。しかし
この反強磁性層が100 Å以下の層厚となると固定磁性層
114 の磁化の向きMpを固定する交換結合磁界が小さくな
り、外部から加えられる熱による擾乱などでMpが反転し
やすくなってしまう。また、上記固定磁性層と自由磁性
層とも磁気特性が維持できる程度の膜厚を確保する必要
があり、これらの薄膜化にも限界がある。
【０００９】また、素子高さ（Ｘ方向）を低くする手段
については、技術的に膜の幅を狭くする事は可能である
があまり狭くすると、固定磁性層の端部が近づく為に所
謂反磁界が現れて固定磁性層の固定状態が不安定とな
り、その結果検出する信号が不安定となるという問題が
生じてくる。そこで、最近、上記固定磁性層を中間層を
介して前後に第1 、第2 の固定磁性層を設けるようにし
て、上記反磁界による問題を解消するようにした、ＳＶ
ＭＲ素子が提案されてきてはいる。しかし、かかる技術
においては反強磁性層に不規則系のNiO 等の金属を使用
しており、その上に固定磁性層を積層した時点から磁性
を有しており、上述したような固定磁性層と自由磁性層
の好ましい関係を維持しつつＳＶＲＭ素子を製造するこ
とには多くの問題を有している。
については、技術的に膜の幅を狭くする事は可能である
があまり狭くすると、固定磁性層の端部が近づく為に所
謂反磁界が現れて固定磁性層の固定状態が不安定とな
り、その結果検出する信号が不安定となるという問題が
生じてくる。そこで、最近、上記固定磁性層を中間層を
介して前後に第1 、第2 の固定磁性層を設けるようにし
て、上記反磁界による問題を解消するようにした、ＳＶ
ＭＲ素子が提案されてきてはいる。しかし、かかる技術
においては反強磁性層に不規則系のNiO 等の金属を使用
しており、その上に固定磁性層を積層した時点から磁性
を有しており、上述したような固定磁性層と自由磁性層
の好ましい関係を維持しつつＳＶＲＭ素子を製造するこ
とには多くの問題を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＳＶ
ＲＭ素子の開発については種々の観点から多くの問題を
有するが、本発明者らは特に上述した素子高さ（Ｘ方
向）を低くする手法に関して、固定磁性層として中間層
を介した第1 、第2 の固定磁性層で形成する構成を採用
し、反強磁性層として成膜された時には磁性を示さず成
膜後に所定の条件下で磁化付与処理が成されることによ
って規則化され、磁性を有する性質がある合金を使用し
て、鋭意研究を行ったものである。
ＲＭ素子の開発については種々の観点から多くの問題を
有するが、本発明者らは特に上述した素子高さ（Ｘ方
向）を低くする手法に関して、固定磁性層として中間層
を介した第1 、第2 の固定磁性層で形成する構成を採用
し、反強磁性層として成膜された時には磁性を示さず成
膜後に所定の条件下で磁化付与処理が成されることによ
って規則化され、磁性を有する性質がある合金を使用し
て、鋭意研究を行ったものである。
【００１１】上記反強磁性層に採用している規則系合金
はＳＶＲＭ素子成膜後では磁性を示さず、磁場中熱処理
を行うことで反強磁性化（規則化）して固定磁性層の磁
化を固定するものである。規則系合金がこのような性質
を示すのは、金属結晶が一定方向に整列して面心立方格
子（fcc: face centered cubic structure）から面心正
方格子（fct: face centered tetragonal structure ）
へ相変化するという特徴からである。
はＳＶＲＭ素子成膜後では磁性を示さず、磁場中熱処理
を行うことで反強磁性化（規則化）して固定磁性層の磁
化を固定するものである。規則系合金がこのような性質
を示すのは、金属結晶が一定方向に整列して面心立方格
子（fcc: face centered cubic structure）から面心正
方格子（fct: face centered tetragonal structure ）
へ相変化するという特徴からである。
【００１２】従来のＳＶＲＭ素子ではこれらを成膜した
後に固定磁性層の磁化を固定するために、上記Ｘ方向に
2500 Oe 以上の磁界を印加しながら熱処理をしていた。
そして、自由磁性層の磁気異方性強化のために、Ｙ方向
に所定の磁界を印加しながら加熱処理をしていた。しか
し、上述のように固定磁性層を中間層を挟んだ第1 、第
2 の固定磁性層で形成する構成について、上記従来と同
様の磁化処理を行うと、ＳＶＲＭ素子の固定磁性層の磁
化の向きがＸ方向からずれてＹ方向に傾いてしまうとい
う問題を生じてきた。ここで、上述したように固定磁性
層の向きと自由磁性層の向きは直角である事が理想であ
るが、少なくとも直角の前後20度以内であれば実用でき
るものである。しかしそれ以上に磁化の向きが傾くと、
上述した通り、外部の信号磁界Hsigの入力に対して線形
の出力応答ができず、出力電圧の再生波形が歪むなどの
障害が顕著となり問題となっていた。
後に固定磁性層の磁化を固定するために、上記Ｘ方向に
2500 Oe 以上の磁界を印加しながら熱処理をしていた。
そして、自由磁性層の磁気異方性強化のために、Ｙ方向
に所定の磁界を印加しながら加熱処理をしていた。しか
し、上述のように固定磁性層を中間層を挟んだ第1 、第
2 の固定磁性層で形成する構成について、上記従来と同
様の磁化処理を行うと、ＳＶＲＭ素子の固定磁性層の磁
化の向きがＸ方向からずれてＹ方向に傾いてしまうとい
う問題を生じてきた。ここで、上述したように固定磁性
層の向きと自由磁性層の向きは直角である事が理想であ
るが、少なくとも直角の前後20度以内であれば実用でき
るものである。しかしそれ以上に磁化の向きが傾くと、
上述した通り、外部の信号磁界Hsigの入力に対して線形
の出力応答ができず、出力電圧の再生波形が歪むなどの
障害が顕著となり問題となっていた。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明のスピンバルブ磁気抵抗効果型素子にあって
は、反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２
固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバ
ルブ磁気抵抗効果素子において、上記反強磁性層をマン
ガン含有の規則系合金により構成し、かつ上記第１固定
磁性層の磁気モーメントは上記第２固定磁性層の磁気モ
ーメントよりも小さくなるように設定されている、スピ
ンバルブ磁気抵抗効果素子として構成される。
に、本発明のスピンバルブ磁気抵抗効果型素子にあって
は、反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２
固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバ
ルブ磁気抵抗効果素子において、上記反強磁性層をマン
ガン含有の規則系合金により構成し、かつ上記第１固定
磁性層の磁気モーメントは上記第２固定磁性層の磁気モ
ーメントよりも小さくなるように設定されている、スピ
ンバルブ磁気抵抗効果素子として構成される。
【００１４】反強磁性層にマンガン含有の規則系合金を
採用することで、上述したような固定磁性層と自由磁性
層の好ましい関係を形成させることが容易となり、固定
磁性層を多層で形成することでＳＶＭＲ素子についてよ
り一層の小型化、薄膜化が可能となる。ここで、上記第
１固定磁性層及び上記第２固定磁性層を実質的に同一の
磁性材料で構成すると、上記磁気モーメントの差は第１
固定磁性層の層厚が第２固定磁性層の層厚よりも薄いス
ピンバルブ磁気抵抗効果素子として具現化される。な
お、前記第１固定磁性層と前記第２固定磁性層との層厚
の差は5 Å以上あることが好ましい。
採用することで、上述したような固定磁性層と自由磁性
層の好ましい関係を形成させることが容易となり、固定
磁性層を多層で形成することでＳＶＭＲ素子についてよ
り一層の小型化、薄膜化が可能となる。ここで、上記第
１固定磁性層及び上記第２固定磁性層を実質的に同一の
磁性材料で構成すると、上記磁気モーメントの差は第１
固定磁性層の層厚が第２固定磁性層の層厚よりも薄いス
ピンバルブ磁気抵抗効果素子として具現化される。な
お、前記第１固定磁性層と前記第２固定磁性層との層厚
の差は5 Å以上あることが好ましい。
【００１５】そして、係る観点から本件発明者等は鋭意
研究をなした結果、上記のように固定磁性層として反平
行中間層を介して前後に第１固定磁性層及び第２固定磁
性層を設けた多層の基本構成とすることで、反磁界の問
題を制御し、さらにその上部に配される反強磁性層をマ
ンガン含有の規則系合金を採用し、上記第１固定磁性層
が上記第２固定磁性層よりも層厚が薄くなるように設け
ることで、上述した従来の課題を解決したＳＶＭＲ素子
を提供できることを見出したものである。
研究をなした結果、上記のように固定磁性層として反平
行中間層を介して前後に第１固定磁性層及び第２固定磁
性層を設けた多層の基本構成とすることで、反磁界の問
題を制御し、さらにその上部に配される反強磁性層をマ
ンガン含有の規則系合金を採用し、上記第１固定磁性層
が上記第２固定磁性層よりも層厚が薄くなるように設け
ることで、上述した従来の課題を解決したＳＶＭＲ素子
を提供できることを見出したものである。
【００１６】そして、より具体的に本ＳＶＭＲ素子は、
前記第１固定磁性層の磁化の向きと前記第２固定磁性層
の磁化の向きは逆であると共に互いに平行（反平行）で
あり、かつ上記第２固定磁性層の磁化の方向と前記自由
磁性層の磁化容易軸とが直角或いは該直角から前後に20
度以内にあり、更に上記第１及び第２固定磁性層を固定
磁性層と仮定した場合の実効異方性磁界Ｈuaは600 Oe以
上となるように構成される。これにより外部の磁気記録
媒体からの信号磁界Ｈsig に対して、自由磁性層の磁化
の向きＭｆが回転してＳＶＭＲ素子の抵抗値を線形に変
化させることができる。
前記第１固定磁性層の磁化の向きと前記第２固定磁性層
の磁化の向きは逆であると共に互いに平行（反平行）で
あり、かつ上記第２固定磁性層の磁化の方向と前記自由
磁性層の磁化容易軸とが直角或いは該直角から前後に20
度以内にあり、更に上記第１及び第２固定磁性層を固定
磁性層と仮定した場合の実効異方性磁界Ｈuaは600 Oe以
上となるように構成される。これにより外部の磁気記録
媒体からの信号磁界Ｈsig に対して、自由磁性層の磁化
の向きＭｆが回転してＳＶＭＲ素子の抵抗値を線形に変
化させることができる。
【００１７】前記反強磁性層は、PdPtMn、PtMn、PdMn、
NiMn及びCrMnからなる群から選択される１つから成る、
これらが本発明に好適な規則系合金であり、特にPdPtMn
を採用することが好ましい。前記反平行中間層として
は、Ruを採用することが好ましく、これにより上記第１
固定磁性層と上記第２固定磁性層の磁気的な結合が強化
される。
NiMn及びCrMnからなる群から選択される１つから成る、
これらが本発明に好適な規則系合金であり、特にPdPtMn
を採用することが好ましい。前記反平行中間層として
は、Ruを採用することが好ましく、これにより上記第１
固定磁性層と上記第２固定磁性層の磁気的な結合が強化
される。
【００１８】そして、かかるＳＶＭＲ素子は、反強磁性
層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、
非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗
効果素子を製造する方法であって、上記自由磁性層、非
磁性層、第２固定磁性層、反平行中間層、第１固定磁性
層及び反強磁性層の順に積層して、多層に成膜した後
に、上記反強磁性層の磁気的状態を規則化し、かつ上記
固定磁性層の磁化の向きを固定する第１の磁場中熱処理
をし、上記自由磁性層の磁気異方性を規則化するため、
第１の磁場中熱処理よりも温度が低くかつ磁場が弱い環
境により、第２の磁場中熱処理を行うスピンバルブ磁気
抵抗効果素子の製造方法によって得ることができる。
層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、
非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗
効果素子を製造する方法であって、上記自由磁性層、非
磁性層、第２固定磁性層、反平行中間層、第１固定磁性
層及び反強磁性層の順に積層して、多層に成膜した後
に、上記反強磁性層の磁気的状態を規則化し、かつ上記
固定磁性層の磁化の向きを固定する第１の磁場中熱処理
をし、上記自由磁性層の磁気異方性を規則化するため、
第１の磁場中熱処理よりも温度が低くかつ磁場が弱い環
境により、第２の磁場中熱処理を行うスピンバルブ磁気
抵抗効果素子の製造方法によって得ることができる。
【００１９】ここで、前記第１の磁場中熱処理の印加磁
場として好ましくは500 Oe以下又は7000 Oe 以上であ
り、より好ましくは20から100 Oe又は9000 Oe 以上であ
り、熱処理温度は約280 ℃とすることが好ましい。ここ
で100 Oe程度が好ましいが20Oe 程度の低磁場から固定
磁性層を磁化することができる。強磁場の場合は9000Oe
以上が好ましいが、7000 Oe 以上であれば第１固定磁
性層と第２固定磁性層の間での反平行状態を得ることが
できる。前記第２の磁場中熱処理の印加磁場は500 Oe以
下であり、熱処理温度は約230 ℃であることが好まし
い。上記第１の磁場中熱処理の熱処理温度について、反
強磁性層を構成するマンガン含有の規則系合金の異方性
磁界Ｈuaは、fct 構造となり結晶の異方性が現われるこ
とにより強められる。この層（膜）は成膜直後はfcc 構
造であり、上記熱処理によりfcc 構造からfct 構造に相
変化される。この時に、結晶相を完全にfct 構造に変化
させるためには約310 ℃程度の処理温度が必要とされて
いる。しかし、約280 ℃の処理温度から膜の一部が相変
化を始めるため十分に高い異方性磁界Ｈuaを得ることが
できる。実際の工程では層間拡散の防止やプロセス時間
の短縮などの理由により、熱処理の温度は可能な範囲で
低くすることが望ましい。従って、効果及び実用上の観
点を考慮すると280 ℃程度とするのが好ましい。
場として好ましくは500 Oe以下又は7000 Oe 以上であ
り、より好ましくは20から100 Oe又は9000 Oe 以上であ
り、熱処理温度は約280 ℃とすることが好ましい。ここ
で100 Oe程度が好ましいが20Oe 程度の低磁場から固定
磁性層を磁化することができる。強磁場の場合は9000Oe
以上が好ましいが、7000 Oe 以上であれば第１固定磁
性層と第２固定磁性層の間での反平行状態を得ることが
できる。前記第２の磁場中熱処理の印加磁場は500 Oe以
下であり、熱処理温度は約230 ℃であることが好まし
い。上記第１の磁場中熱処理の熱処理温度について、反
強磁性層を構成するマンガン含有の規則系合金の異方性
磁界Ｈuaは、fct 構造となり結晶の異方性が現われるこ
とにより強められる。この層（膜）は成膜直後はfcc 構
造であり、上記熱処理によりfcc 構造からfct 構造に相
変化される。この時に、結晶相を完全にfct 構造に変化
させるためには約310 ℃程度の処理温度が必要とされて
いる。しかし、約280 ℃の処理温度から膜の一部が相変
化を始めるため十分に高い異方性磁界Ｈuaを得ることが
できる。実際の工程では層間拡散の防止やプロセス時間
の短縮などの理由により、熱処理の温度は可能な範囲で
低くすることが望ましい。従って、効果及び実用上の観
点を考慮すると280 ℃程度とするのが好ましい。
【００２０】さらに本発明は従来型の反強磁性層、固定
磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ
磁気抵抗効果素子において、上記反強磁性層をマンガン
含有の規則系合金により構成し、上記固定磁性層の磁化
の方向と上記自由磁性層の磁化容易軸とが直角或いは該
直角から前後に20度以内にあり、かつ上記固定磁性層の
異方性磁界Ｈuaの大きさが600 Oe以上であるスピンバル
ブ磁気抵抗効果素子として構成されるものも含む。これ
により外部の磁気記録媒体からの信号磁界Ｈsig に対し
て、自由磁性層の磁化の向きＭｆが回転してＳＶＭＲ素
子の抵抗値を線形に変化させることができる。すなわ
ち、従来型の固定層磁性が一層の場合についても、前述
の固定層が二層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子
と類似の磁場中処理を適用することができ、これにより
好ましいスピンバルブ磁気抵抗効果素子を得ることがで
きる。
磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ
磁気抵抗効果素子において、上記反強磁性層をマンガン
含有の規則系合金により構成し、上記固定磁性層の磁化
の方向と上記自由磁性層の磁化容易軸とが直角或いは該
直角から前後に20度以内にあり、かつ上記固定磁性層の
異方性磁界Ｈuaの大きさが600 Oe以上であるスピンバル
ブ磁気抵抗効果素子として構成されるものも含む。これ
により外部の磁気記録媒体からの信号磁界Ｈsig に対し
て、自由磁性層の磁化の向きＭｆが回転してＳＶＭＲ素
子の抵抗値を線形に変化させることができる。すなわ
ち、従来型の固定層磁性が一層の場合についても、前述
の固定層が二層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子
と類似の磁場中処理を適用することができ、これにより
好ましいスピンバルブ磁気抵抗効果素子を得ることがで
きる。
【００２１】かかる従来型の固定層磁性が一層の場合
は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層
から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子を製造する方法
であって、上記自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及び
反強磁性層の順に積層して、多層に形成した後に、上記
反強磁性層の磁気的状態を規則化し、かつ上記固定磁性
層の磁化の向きを固定する第１の磁場中熱処理をなし、
上記自由磁性層の磁気異方性を規則化するため、第１の
磁場中熱処理よりも温度が低くかつ弱い磁場環境によ
り、第２の磁場中熱処理を行ってスピンバルブ磁気抵抗
効果素子が得られる。
は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層
から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子を製造する方法
であって、上記自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及び
反強磁性層の順に積層して、多層に形成した後に、上記
反強磁性層の磁気的状態を規則化し、かつ上記固定磁性
層の磁化の向きを固定する第１の磁場中熱処理をなし、
上記自由磁性層の磁気異方性を規則化するため、第１の
磁場中熱処理よりも温度が低くかつ弱い磁場環境によ
り、第２の磁場中熱処理を行ってスピンバルブ磁気抵抗
効果素子が得られる。
【００２２】そして、さらに本発明は上述したスピンバ
ルブ磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、上述した方
法により製造されたスピンバルブ磁気抵抗効果素子を有
する磁気ヘッドをも含むものである。
ルブ磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、上述した方
法により製造されたスピンバルブ磁気抵抗効果素子を有
する磁気ヘッドをも含むものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、添付の図に基づいて本発明
の実施の形態について説明する。図３及び４は本発明の
一実施形態に係るＳＶＭＲ素子を使用したＳＶＭＲヘッ
ド10を示している。係るヘッド10は下地層1 とキャップ
層6 の間にＳＶＭＲ素子（膜）を挟んだ基本構成となっ
ている。
の実施の形態について説明する。図３及び４は本発明の
一実施形態に係るＳＶＭＲ素子を使用したＳＶＭＲヘッ
ド10を示している。係るヘッド10は下地層1 とキャップ
層6 の間にＳＶＭＲ素子（膜）を挟んだ基本構成となっ
ている。
【００２４】上記下地層1 は膜厚例えば50Å程度のタン
タル（Ta）により構成される。この上には第２自由磁性
層2aと、この第２自由磁性層2aの上に形成された第１自
由磁性層2bの二層により、自由磁性層2 が構成される。
第２自由磁性層2aは例えば膜厚、約20Åのニッケル鉄
（NiFe）膜からなり、第１自由磁性層2bは例えば膜厚、
約15Åのコバルト- 鉄（CoFe）膜又はコバルト- 鉄- ホ
ウ素（CoFeB ）膜からなり、この両層は一体的に自由磁
性層2 を形成する。
タル（Ta）により構成される。この上には第２自由磁性
層2aと、この第２自由磁性層2aの上に形成された第１自
由磁性層2bの二層により、自由磁性層2 が構成される。
第２自由磁性層2aは例えば膜厚、約20Åのニッケル鉄
（NiFe）膜からなり、第１自由磁性層2bは例えば膜厚、
約15Åのコバルト- 鉄（CoFe）膜又はコバルト- 鉄- ホ
ウ素（CoFeB ）膜からなり、この両層は一体的に自由磁
性層2 を形成する。
【００２５】なお、この様に自由磁性層を二層で構成す
るのは、NiFe層となる2aと後述の非磁性金属層3 のCuと
の間でNi、Cuが相互拡散し易い為に、この両者の間にCu
と固溶しないCoFe又はCoFeB 層を挿入したためである。
さらに磁気保磁力の比較的大きいCoFe又はCoFeB 層2bの
下部に磁気保磁力の小さいNiFe層2aをある程度厚く設け
ることで、自由磁性層2 として磁化方向を動き易くで
き、自由磁性層2 の本来の役割を果たすようにすること
ができるからである。
るのは、NiFe層となる2aと後述の非磁性金属層3 のCuと
の間でNi、Cuが相互拡散し易い為に、この両者の間にCu
と固溶しないCoFe又はCoFeB 層を挿入したためである。
さらに磁気保磁力の比較的大きいCoFe又はCoFeB 層2bの
下部に磁気保磁力の小さいNiFe層2aをある程度厚く設け
ることで、自由磁性層2 として磁化方向を動き易くで
き、自由磁性層2 の本来の役割を果たすようにすること
ができるからである。
【００２６】なお、本明細書では上記自由磁性層2 の各
層第１、第２の番号は図において、上方から付与してい
る。一方、各層の説明は積層がなされる順、すなわち下
層から行うので、説明の順序と符号が逆になってくる。
この関係は後述の固定磁性層4 についも同様である。さ
て、上記自由磁性層2 の上部には非磁性の金属層3 が形
成される。例えば膜厚30Å程度のCu膜からなっている。
この上には固定磁性層4 が形成されるが、この層は下か
ら第2 固定磁性層4a、反平行中間層4b、第１固定磁性層
4cの三層構成となっている。
層第１、第２の番号は図において、上方から付与してい
る。一方、各層の説明は積層がなされる順、すなわち下
層から行うので、説明の順序と符号が逆になってくる。
この関係は後述の固定磁性層4 についも同様である。さ
て、上記自由磁性層2 の上部には非磁性の金属層3 が形
成される。例えば膜厚30Å程度のCu膜からなっている。
この上には固定磁性層4 が形成されるが、この層は下か
ら第2 固定磁性層4a、反平行中間層4b、第１固定磁性層
4cの三層構成となっている。
【００２７】上記第2 固定磁性層4aは例えば膜厚、約25
Åのコバルト- 鉄（CoFe）膜又は、コバルト- 鉄- ホウ
素（CoFeB ）膜からなり、反平行中間層4bは例えばルテ
ニウム（Ra）膜からなり、第1 固定磁性層4cは例えば膜
厚、約15Åのコバルト- 鉄-ホウ素（CoFeB ）膜からな
り、これらの三層は一緒になって固定磁性層4 を形成し
ている。
Åのコバルト- 鉄（CoFe）膜又は、コバルト- 鉄- ホウ
素（CoFeB ）膜からなり、反平行中間層4bは例えばルテ
ニウム（Ra）膜からなり、第1 固定磁性層4cは例えば膜
厚、約15Åのコバルト- 鉄-ホウ素（CoFeB ）膜からな
り、これらの三層は一緒になって固定磁性層4 を形成し
ている。
【００２８】このように、固定磁性層4 を三層構造とす
るのは、高記録密度化のためにＸ方向の幅、すなわち素
子高さを低くしているためである。素子高さが0.5 μｍ
以下になってくると、高さ方向に常時磁化されている固
定磁性層4 の内部に発生する反磁界が大きくなり、該固
定磁性層4 の内部に磁化反転が起こりやすくなる。ま
た、上記自由磁性層2 の端部の磁化が影響を受けて再生
出力を歪める要因ともなる。
るのは、高記録密度化のためにＸ方向の幅、すなわち素
子高さを低くしているためである。素子高さが0.5 μｍ
以下になってくると、高さ方向に常時磁化されている固
定磁性層4 の内部に発生する反磁界が大きくなり、該固
定磁性層4 の内部に磁化反転が起こりやすくなる。ま
た、上記自由磁性層2 の端部の磁化が影響を受けて再生
出力を歪める要因ともなる。
【００２９】ここで、固定磁性層4 を、上記反平行中間
層4bを介して第2 固定磁性層4aと第１固定磁性層4cで構
成されるような、分割された構成とすることでより強力
な固定磁性層とするものである。すなわち、第2 固定磁
性層4aと第１固定磁性層4cの間に上記反平行中間層4bを
介在させることで、静電気的な超交換結合作用によっ
て、第2 固定磁性層4aと第１固定磁性層4cの磁化の向き
が互いに反平行、すなわち磁化の向きを逆にして平行な
関係になる。この結合力は後述の反強磁性層5 とこの三
層の固定磁性層4 との交換結合力よりも遥かに大きく、
数千エルステッド（Oe）の磁界に対しても反平行状態を
安定に保つことができる。そのため、固定磁性層4 全体
の静的な磁化は反平行中間層4bを設けることで小さくな
り、反磁界が減少するため磁化の反転が起こりにくくな
り、自由磁性層2 への影響も小さくなるため、ＳＶＭＲ
素子全体としての再生特性が向上するものである。
層4bを介して第2 固定磁性層4aと第１固定磁性層4cで構
成されるような、分割された構成とすることでより強力
な固定磁性層とするものである。すなわち、第2 固定磁
性層4aと第１固定磁性層4cの間に上記反平行中間層4bを
介在させることで、静電気的な超交換結合作用によっ
て、第2 固定磁性層4aと第１固定磁性層4cの磁化の向き
が互いに反平行、すなわち磁化の向きを逆にして平行な
関係になる。この結合力は後述の反強磁性層5 とこの三
層の固定磁性層4 との交換結合力よりも遥かに大きく、
数千エルステッド（Oe）の磁界に対しても反平行状態を
安定に保つことができる。そのため、固定磁性層4 全体
の静的な磁化は反平行中間層4bを設けることで小さくな
り、反磁界が減少するため磁化の反転が起こりにくくな
り、自由磁性層2 への影響も小さくなるため、ＳＶＭＲ
素子全体としての再生特性が向上するものである。
【００３０】さらに、本発明のＳＶＭＲ素子では第1 固
定磁界層4cの磁気モーメントが、第２固定磁性層4aの磁
気モーメントより小さくなるように設定される。実質的
に同種の磁性材を採用した場合には、第1 固定磁界層4c
の層厚が第２固定磁性層4aより薄い層厚となる。第２固
定磁性層4aの層厚が25Åとすれば、第1 固定磁界層4cの
層厚は25Å以下の例えば15Åとされる。本例では、上記
のように第２固定磁性層4aは約25Åのコバルト- 鉄（Co
Fe）膜又は、コバルト- 鉄- ホウ素（CoFeB ）膜であ
り、第1 固定磁界層4cは約15Åのコバルト- 鉄- ホウ素
（CoFeB ）膜である。
定磁界層4cの磁気モーメントが、第２固定磁性層4aの磁
気モーメントより小さくなるように設定される。実質的
に同種の磁性材を採用した場合には、第1 固定磁界層4c
の層厚が第２固定磁性層4aより薄い層厚となる。第２固
定磁性層4aの層厚が25Åとすれば、第1 固定磁界層4cの
層厚は25Å以下の例えば15Åとされる。本例では、上記
のように第２固定磁性層4aは約25Åのコバルト- 鉄（Co
Fe）膜又は、コバルト- 鉄- ホウ素（CoFeB ）膜であ
り、第1 固定磁界層4cは約15Åのコバルト- 鉄- ホウ素
（CoFeB ）膜である。
【００３１】ここで、この第1 及び第２固定磁界層4c、
4aの関係について図５を参照して更に説明を加える。同
図は第２固定磁性層4aを25Åに固定した場合で、他方の
第１固定磁性層4cの層厚ｔpin （Å）を10、15、20、25
と変えた時の、固定磁性層4として左軸の磁化角度θpin
と右軸の実効異方性磁界Ｈua（Oe）を示している。こ
こで、左軸の上記磁化角度θpin は固定磁性層4 の磁化
の向きがある方向と、上記自由磁性層2 の異方性を示す
磁化容易軸の方向、すなわちＹ方向との成す角度であ
る。この角度は既に詳述しているように、外部からの磁
界が存在しない時には90度すなわち直角が理想の角度で
ある。実用に耐える得る角度として直角状態から前後に
約20度の許容があり、すなわち70度以上であることが要
求される。また、右軸の実効異方性磁界Ｈuaは固定磁性
層の磁気の安定性を示しており、600 Oe以上が必要とさ
れる。本発明のＳＶＭＲ素子はかかる条件を満たすもの
である。
4aの関係について図５を参照して更に説明を加える。同
図は第２固定磁性層4aを25Åに固定した場合で、他方の
第１固定磁性層4cの層厚ｔpin （Å）を10、15、20、25
と変えた時の、固定磁性層4として左軸の磁化角度θpin
と右軸の実効異方性磁界Ｈua（Oe）を示している。こ
こで、左軸の上記磁化角度θpin は固定磁性層4 の磁化
の向きがある方向と、上記自由磁性層2 の異方性を示す
磁化容易軸の方向、すなわちＹ方向との成す角度であ
る。この角度は既に詳述しているように、外部からの磁
界が存在しない時には90度すなわち直角が理想の角度で
ある。実用に耐える得る角度として直角状態から前後に
約20度の許容があり、すなわち70度以上であることが要
求される。また、右軸の実効異方性磁界Ｈuaは固定磁性
層の磁気の安定性を示しており、600 Oe以上が必要とさ
れる。本発明のＳＶＭＲ素子はかかる条件を満たすもの
である。
【００３２】図５に示されるように、ｔpin を薄くする
とともに、θpin は上昇し、ｔpin＝15Åにおいて理想
的な90度となっている。しかしその一方、実効異方性磁
界Ｈ uaは減少が大きくなり、磁化の反転が懸念される。
したがって、同図から第２固定磁性層4aを25Åとした
時、第１固定磁性層4cの層厚ｔpin （Å）を10から20と
するのが実用的であり、層厚の差は５から10Åが好まし
いことが分かる。
とともに、θpin は上昇し、ｔpin＝15Åにおいて理想
的な90度となっている。しかしその一方、実効異方性磁
界Ｈ uaは減少が大きくなり、磁化の反転が懸念される。
したがって、同図から第２固定磁性層4aを25Åとした
時、第１固定磁性層4cの層厚ｔpin （Å）を10から20と
するのが実用的であり、層厚の差は５から10Åが好まし
いことが分かる。
【００３３】更に、この第１固定磁性層4cと第２固定磁
性層4cの関係について、図６に基づき説明する。同図
（A)は上記磁化角度θpin について、同図（B)は上記実
効異方性磁界Ｈuaについて、同図（C ）は磁気抵抗変化
率MR比について示している。各図とも、横軸ｔpin1は上
記第１固定磁性層4cの層厚（Å）10、15、20を取り、縦
軸ｔpin2には第２固定磁性層4cの層厚（Å）10、15、20
を取っている。この各図から、上記磁化角度θpin で約
90度、実効異方性磁界Hua として600 Oe以上、更に好ま
しい磁気抵抗変化率MRとして程度7 ％を得るには、第１
固定磁性層4cと第２固定磁性層4cの層厚の差は５Å以上
必要なことが分かる。
性層4cの関係について、図６に基づき説明する。同図
（A)は上記磁化角度θpin について、同図（B)は上記実
効異方性磁界Ｈuaについて、同図（C ）は磁気抵抗変化
率MR比について示している。各図とも、横軸ｔpin1は上
記第１固定磁性層4cの層厚（Å）10、15、20を取り、縦
軸ｔpin2には第２固定磁性層4cの層厚（Å）10、15、20
を取っている。この各図から、上記磁化角度θpin で約
90度、実効異方性磁界Hua として600 Oe以上、更に好ま
しい磁気抵抗変化率MRとして程度7 ％を得るには、第１
固定磁性層4cと第２固定磁性層4cの層厚の差は５Å以上
必要なことが分かる。
【００３４】再度、図３及び図４に戻ってＳＶＭＲヘッ
ド10の構成は、上記固定磁性層4 の上には規則系合金か
らなる反強磁性層5 が形成され、この反強磁性層5 上に
更に、キャップ層6 とその両端付近に設けられる一対の
電極端子7a、7bを有している。上記反強磁性層5 は上記
第1 固定磁性層4cを磁気結合により磁化方向を固定した
状態にする為に配置される。なお、第２固定磁性層4aは
上述したように強磁性結合中間層4bを介して第1 固定磁
性層4cと反平行の磁化が固定されているのは上述の通り
である。
ド10の構成は、上記固定磁性層4 の上には規則系合金か
らなる反強磁性層5 が形成され、この反強磁性層5 上に
更に、キャップ層6 とその両端付近に設けられる一対の
電極端子7a、7bを有している。上記反強磁性層5 は上記
第1 固定磁性層4cを磁気結合により磁化方向を固定した
状態にする為に配置される。なお、第２固定磁性層4aは
上述したように強磁性結合中間層4bを介して第1 固定磁
性層4cと反平行の磁化が固定されているのは上述の通り
である。
【００３５】反強磁性層5 は交換結合磁界が大きく、ブ
ッロキング温度が高く耐腐食性の良い、規則系合金、例
えば、パラジウム- 白金- マンガン（PdPtMn）、白金-
マンガン（PtMn）、パラジウム- マンガン（PdMn）、ニ
ッケル- マンガン（NiMn）及びクロム- マンガン（CrM
n）の群から選ばれる。これらの合金により形成される
膜は、パラジウムや白金などの白金系金属を用いている
ため、耐腐食性が高い。最も好ましい規則系合金はパラ
ジウム- 白金- マンガン（PdPtMn）である。また、膜厚
としては例えば、100 Å以上、好ましくは150 Åとな
る。この膜厚は従来の反強磁性層の膜厚に比較してかな
りの薄膜化がなされている。
ッロキング温度が高く耐腐食性の良い、規則系合金、例
えば、パラジウム- 白金- マンガン（PdPtMn）、白金-
マンガン（PtMn）、パラジウム- マンガン（PdMn）、ニ
ッケル- マンガン（NiMn）及びクロム- マンガン（CrM
n）の群から選ばれる。これらの合金により形成される
膜は、パラジウムや白金などの白金系金属を用いている
ため、耐腐食性が高い。最も好ましい規則系合金はパラ
ジウム- 白金- マンガン（PdPtMn）である。また、膜厚
としては例えば、100 Å以上、好ましくは150 Åとな
る。この膜厚は従来の反強磁性層の膜厚に比較してかな
りの薄膜化がなされている。
【００３６】なお、上述キャップ層6 は膜厚、約60Å程
度のタンタルで形成し、上記電極端子7a、7bは導電材
料、例えば1000Åの金の膜により構成される。続いて、
図３を参照して上記ＳＶＭＲ素子を有するＳＶＭＲヘッ
ド100 の動作について簡単に説明をする。上述のように
ＳＶＭＲ素子は基本的に４層構成で形成されている。反
強磁性層5 と接している第1 固定磁性層4cはＸ方向でMp
1 の向きに磁化が固定されている。一方、第２固定磁性
層4aはＸ方向でMp1 とは逆向きのMp2 の向きに磁化が固
定されている。これら第１固定磁性層4cと第２固定磁性
層4aの磁化の向きは反平行中間層4bを介して磁気的に結
合されており、弱い外部磁界を加えた程度ではその方向
は変わることが無い。
度のタンタルで形成し、上記電極端子7a、7bは導電材
料、例えば1000Åの金の膜により構成される。続いて、
図３を参照して上記ＳＶＭＲ素子を有するＳＶＭＲヘッ
ド100 の動作について簡単に説明をする。上述のように
ＳＶＭＲ素子は基本的に４層構成で形成されている。反
強磁性層5 と接している第1 固定磁性層4cはＸ方向でMp
1 の向きに磁化が固定されている。一方、第２固定磁性
層4aはＸ方向でMp1 とは逆向きのMp2 の向きに磁化が固
定されている。これら第１固定磁性層4cと第２固定磁性
層4aの磁化の向きは反平行中間層4bを介して磁気的に結
合されており、弱い外部磁界を加えた程度ではその方向
は変わることが無い。
【００３７】これに対し、自由磁性層2 は弱い外部磁界
（例えば信号磁界Ｈsig ）が加わると、容易に磁化の向
きMfが回転する。外部磁界が存在しない時には、自由磁
性層2 自身の異方性により磁化容易軸（Ｙ方向）を向く
様になっている。このＳＶＭＲヘッド10の外部磁界Ｈsi
g を加えると、自由磁性層2 の磁化の向きが回転し、第
２固定磁性層4aと自由磁性層2 の磁化向きの相違によっ
てＳＶＭＲ素子内の磁気抵抗値が変化する。すなわちこ
の両層第２固定磁性層4a、自由磁性層２の磁化の向きが
成す、角度θの余弦（Cos θ）に比例して、両電極端子
間7a、7bの抵抗値が変化する。両層の磁化の向きが逆の
時すなわち180 度の時、抵抗値は最大となる。これは自
由磁性層2 又は第2 固定磁性層4aの電子が一方の層から
他方の層へ移動しようとする際に、自由磁性層2 ／非磁
性金属層3 ／第2 固定磁性層4aの界面で受ける散乱の確
率が大きくなるためである。これに対し、両層の磁化の
向きが同じ時、すなわち０度の時には、上記界面で受け
る散乱の確率が最小となるため抵抗値も最小となる。
（例えば信号磁界Ｈsig ）が加わると、容易に磁化の向
きMfが回転する。外部磁界が存在しない時には、自由磁
性層2 自身の異方性により磁化容易軸（Ｙ方向）を向く
様になっている。このＳＶＭＲヘッド10の外部磁界Ｈsi
g を加えると、自由磁性層2 の磁化の向きが回転し、第
２固定磁性層4aと自由磁性層2 の磁化向きの相違によっ
てＳＶＭＲ素子内の磁気抵抗値が変化する。すなわちこ
の両層第２固定磁性層4a、自由磁性層２の磁化の向きが
成す、角度θの余弦（Cos θ）に比例して、両電極端子
間7a、7bの抵抗値が変化する。両層の磁化の向きが逆の
時すなわち180 度の時、抵抗値は最大となる。これは自
由磁性層2 又は第2 固定磁性層4aの電子が一方の層から
他方の層へ移動しようとする際に、自由磁性層2 ／非磁
性金属層3 ／第2 固定磁性層4aの界面で受ける散乱の確
率が大きくなるためである。これに対し、両層の磁化の
向きが同じ時、すなわち０度の時には、上記界面で受け
る散乱の確率が最小となるため抵抗値も最小となる。
【００３８】図７は上記図３のＳＶＭＲヘッド10をハー
ドディスク駆動装置の再生ヘッドとして組込む共に、記
録用のヘッドを並存させた、複合型磁気ヘッド30全体の
構成と、これに対向して配置されている記録媒体として
のハードディスク27を示している。ＳＶＭＲヘッド10
は、複合型磁気ヘッド30のうち、再生ヘッド31として採
用されている。複合型磁気ヘッド30は大別して、再生ヘ
ッド31と記録ヘッド32から構成され、再生ヘッドの再生
上部シールド22が記録ヘッド32の記録下部磁極（下部コ
ア）を兼用するマージ型で、再生ヘッド31の背部には記
録ヘッド32を付加するピギーバック構造となっている。
ドディスク駆動装置の再生ヘッドとして組込む共に、記
録用のヘッドを並存させた、複合型磁気ヘッド30全体の
構成と、これに対向して配置されている記録媒体として
のハードディスク27を示している。ＳＶＭＲヘッド10
は、複合型磁気ヘッド30のうち、再生ヘッド31として採
用されている。複合型磁気ヘッド30は大別して、再生ヘ
ッド31と記録ヘッド32から構成され、再生ヘッドの再生
上部シールド22が記録ヘッド32の記録下部磁極（下部コ
ア）を兼用するマージ型で、再生ヘッド31の背部には記
録ヘッド32を付加するピギーバック構造となっている。
【００３９】すなわち、図７に示されるように、再生ヘ
ッド31はＳＶＭＲ素子を利用しており、このＳＶＭＲ素
子及び電極端子7a、7b並びにその両側に配置された再生
下部シールド21及び再生上部シールド22からなってい
る。上記記録ヘッド32は、記録コイル25及びこの記録コ
イルの周囲を包囲する有機絶縁層24と、この有機絶縁層
24と磁性ギャップ膜23の両側に配置された、記録下部磁
極21と記録上部磁極26とを有している。この時、再生下
部シールド22は記録部の記録下部磁極と兼用されてい
る。記録上部磁極22はこれと対向して配置された記録上
部磁極26との間に、有機絶縁層24及び磁極ギャップ23を
介して固定される。上記有機絶縁層24内には記録コイル
25が埋設されている。このように、本複合型磁気ヘッド
30には再生ヘッド31と記録ヘッド32が一体的に形成され
る。
ッド31はＳＶＭＲ素子を利用しており、このＳＶＭＲ素
子及び電極端子7a、7b並びにその両側に配置された再生
下部シールド21及び再生上部シールド22からなってい
る。上記記録ヘッド32は、記録コイル25及びこの記録コ
イルの周囲を包囲する有機絶縁層24と、この有機絶縁層
24と磁性ギャップ膜23の両側に配置された、記録下部磁
極21と記録上部磁極26とを有している。この時、再生下
部シールド22は記録部の記録下部磁極と兼用されてい
る。記録上部磁極22はこれと対向して配置された記録上
部磁極26との間に、有機絶縁層24及び磁極ギャップ23を
介して固定される。上記有機絶縁層24内には記録コイル
25が埋設されている。このように、本複合型磁気ヘッド
30には再生ヘッド31と記録ヘッド32が一体的に形成され
る。
【００４０】図８は上記再生ヘッド31の部分を記録媒体
27の側から見た図である。再生シールド21と再生上部シ
ールド22との間に、ギャップ絶縁膜20が設けられ、この
ギャップ絶縁膜20の窓の中に本発明のＳＶＭＲ素子が配
置されている。次に、図９に示される、上記複合型磁気
ヘッド30の製造フローに基づいて、係る製造法を説明す
る。
27の側から見た図である。再生シールド21と再生上部シ
ールド22との間に、ギャップ絶縁膜20が設けられ、この
ギャップ絶縁膜20の窓の中に本発明のＳＶＭＲ素子が配
置されている。次に、図９に示される、上記複合型磁気
ヘッド30の製造フローに基づいて、係る製造法を説明す
る。
【００４１】まず、ステップＳ40で再生下部シールド膜
21を形成する。この再生下部シールド21は例えば窒素鉄
系材料Fe-N膜からなる。ステップＳ41で再生下部ギャッ
プ絶縁膜を形成する。再生下部ギャップ膜は例えば酸化
アルミニウム（Al2O3 ）からなる。ステップS42 で図３
で示されるＳＶＭＲ素子の膜を形成し、これをパターニ
ングし、その上に電極端子7a、7bを形成する。すなわ
ち、下地1 上にＳＶＭＲ素子膜として自由磁性層2 、非
磁性金属層3 、多層の固定磁性層4 及び反強磁性層５を
積層し、更にキャップ層6 まで順に、例えばスパッタ法
により成膜される。成膜されたＳＶＭＲ素子は通常の写
真製版技術（リソグラフィ法）を利用して全体を平面の
長方形状にパターニングされる。その後、最上層のキャ
ップ層6 の両端寄りの二つの領域には、一対の電極端子
7a、7bが形成される。
21を形成する。この再生下部シールド21は例えば窒素鉄
系材料Fe-N膜からなる。ステップＳ41で再生下部ギャッ
プ絶縁膜を形成する。再生下部ギャップ膜は例えば酸化
アルミニウム（Al2O3 ）からなる。ステップS42 で図３
で示されるＳＶＭＲ素子の膜を形成し、これをパターニ
ングし、その上に電極端子7a、7bを形成する。すなわ
ち、下地1 上にＳＶＭＲ素子膜として自由磁性層2 、非
磁性金属層3 、多層の固定磁性層4 及び反強磁性層５を
積層し、更にキャップ層6 まで順に、例えばスパッタ法
により成膜される。成膜されたＳＶＭＲ素子は通常の写
真製版技術（リソグラフィ法）を利用して全体を平面の
長方形状にパターニングされる。その後、最上層のキャ
ップ層6 の両端寄りの二つの領域には、一対の電極端子
7a、7bが形成される。
【００４２】ステップＳ43で、再生上部ギャップ膜を形
成する。この再生上部ギャップ膜は、例えば酸化アルミ
ニウムAl2O3 ）からなる。ステップS44 で、再生上部シ
ールド22を形成する。この再生上部シールド22は例えば
ニッケル- 鉄（NiFe）からなる。ステップS45 で、記録
ギャップ層を形成する。
成する。この再生上部ギャップ膜は、例えば酸化アルミ
ニウムAl2O3 ）からなる。ステップS44 で、再生上部シ
ールド22を形成する。この再生上部シールド22は例えば
ニッケル- 鉄（NiFe）からなる。ステップS45 で、記録
ギャップ層を形成する。
【００４３】ステップS46 で、記録コイル25を形成す
る。ステップS47 で、上部記録磁極26を形成する。ステ
ップS48 で、保護膜を形成する。図９のような製造工程
において、各工程のプロセス温度は概略、図10に示すよ
うになる。図10は横軸に図９の製造ステップに対応する
工程を示し、縦軸に各工程のプロセス温度を示してい
る。ここで、ＳＶＭＲ素子を成膜後にその磁気抵抗効果
の特性に影響を及ぼす程度の高温での熱処理が行われて
いる工程は、例えば記録コイル25の周囲に充填する有機
絶縁材料24を硬化する目的で成される有機絶縁層熱処理
工程である。この工程は一般に250 ℃以上で3 時間の熱
処理が行われている。
る。ステップS47 で、上部記録磁極26を形成する。ステ
ップS48 で、保護膜を形成する。図９のような製造工程
において、各工程のプロセス温度は概略、図10に示すよ
うになる。図10は横軸に図９の製造ステップに対応する
工程を示し、縦軸に各工程のプロセス温度を示してい
る。ここで、ＳＶＭＲ素子を成膜後にその磁気抵抗効果
の特性に影響を及ぼす程度の高温での熱処理が行われて
いる工程は、例えば記録コイル25の周囲に充填する有機
絶縁材料24を硬化する目的で成される有機絶縁層熱処理
工程である。この工程は一般に250 ℃以上で3 時間の熱
処理が行われている。
【００４４】上記製造工程で、本発明のＳＶＭＲ素子に
ついては、その特徴として固定磁性層4 の第１固定磁性
層4cと第２固定磁性層4aが上記Ｘ方向で反対向きに固定
され、更に自由磁性層2 の磁化容易軸（Ｙ方向）と略直
角の関係を維持することが必要である。この点について
以下で説明する。上述のように、ＳＶＭＲ素子の膜を成
膜後、第一段階として第２固定磁性層4a及び第１固定磁
性層4cをＸ方向において、磁化の向きが互いに反対（こ
こでは「＋Ｘ向き」と、「−Ｘ向き」と表す）となるよ
うに固定する為に磁場中熱処理工程を設けている。この
磁場中熱処理工程ではＳＶＭＲ素子（膜）を、直流磁界
発生源を用いて例えば−Ｘ向きに約100 Oeの磁界を印加
しながら、温度280 ℃で3時間の熱処理を行う。
ついては、その特徴として固定磁性層4 の第１固定磁性
層4cと第２固定磁性層4aが上記Ｘ方向で反対向きに固定
され、更に自由磁性層2 の磁化容易軸（Ｙ方向）と略直
角の関係を維持することが必要である。この点について
以下で説明する。上述のように、ＳＶＭＲ素子の膜を成
膜後、第一段階として第２固定磁性層4a及び第１固定磁
性層4cをＸ方向において、磁化の向きが互いに反対（こ
こでは「＋Ｘ向き」と、「−Ｘ向き」と表す）となるよ
うに固定する為に磁場中熱処理工程を設けている。この
磁場中熱処理工程ではＳＶＭＲ素子（膜）を、直流磁界
発生源を用いて例えば−Ｘ向きに約100 Oeの磁界を印加
しながら、温度280 ℃で3時間の熱処理を行う。
【００４５】さらに、第二段階として自由磁性層2 のＹ
方向に磁気異方性を強化するために磁場中熱処理工程を
設けている。この工程ではＳＶＭＲ素子を直流磁界発生
源を用いて例えばＹ方向で100 Oeより弱い磁界を印加し
ながら、温度230 ℃で3 時間の熱処理を行う。ここで、
図11（A)及び（B)は、固定磁性層4 の磁化方向を固定す
るための上記280 ℃磁場中熱処理における、磁場の大き
さＨpin （Oe）と磁化角度θpin の関係を示したもので
ある。第２固定磁性層4aを膜厚25Åで形成し、第２固定
磁性層4aを15Åとし、反強磁性膜5 を150 Åに形成した
場合について示している。
方向に磁気異方性を強化するために磁場中熱処理工程を
設けている。この工程ではＳＶＭＲ素子を直流磁界発生
源を用いて例えばＹ方向で100 Oeより弱い磁界を印加し
ながら、温度230 ℃で3 時間の熱処理を行う。ここで、
図11（A)及び（B)は、固定磁性層4 の磁化方向を固定す
るための上記280 ℃磁場中熱処理における、磁場の大き
さＨpin （Oe）と磁化角度θpin の関係を示したもので
ある。第２固定磁性層4aを膜厚25Åで形成し、第２固定
磁性層4aを15Åとし、反強磁性膜5 を150 Åに形成した
場合について示している。
【００４６】ここで、縦軸の上記磁化角度θpin は固定
磁性層4 の磁化の向き（4aと4cは逆向き）がある方向と
上記自由磁性層2 の異方性を示す磁化容易軸の方向、す
なわちＹ方向との成す角度である。横軸には加える磁場
の大きさＨpin （Oe）を取っている。図11（A)で黒丸で
示される、100 、1000、2500、6000、9000、12000 （O
e）で磁化角度θpin の値を得ている。ここから明らか
なように、磁化角度θpin は100 Oe以下の弱い磁場中で
は90度に近い角度を保つが、500 から2500 Oe の高磁場
中ではＹ方向に大きく傾いてしまうことが分かる。この
点をより明確にする為に図11（B)で横軸が3000（Oe）ま
での場合を拡大して示している。100 Oeを越えると急激
にＹ方向に傾き始めるのが分かる。この結果から、まず
固定磁性層4 の磁化を固定する為の磁場中熱処理では約
100 Oe以下の低磁場での処理が好ましいことが分かる。
また、上記図11（A)の右側に注目すると、同処理を9000
Oe 以上の高磁場で処理することも有効であることが分
かる。これは第1 固定磁性層4cと第2 固定磁性層4aとの
間の反平行の結合磁界を超える強さの外部磁界を印加す
ることにより、この両者の磁化方向を揃えた状態で熱処
理ができることを意味しており、特に反強磁性層5 の層
厚をより薄くした際に、上記低磁場中で処理した場合よ
り、θpin を略90度に維持しつつ抵抗変化率も維持でき
るという効果を得られる。
磁性層4 の磁化の向き（4aと4cは逆向き）がある方向と
上記自由磁性層2 の異方性を示す磁化容易軸の方向、す
なわちＹ方向との成す角度である。横軸には加える磁場
の大きさＨpin （Oe）を取っている。図11（A)で黒丸で
示される、100 、1000、2500、6000、9000、12000 （O
e）で磁化角度θpin の値を得ている。ここから明らか
なように、磁化角度θpin は100 Oe以下の弱い磁場中で
は90度に近い角度を保つが、500 から2500 Oe の高磁場
中ではＹ方向に大きく傾いてしまうことが分かる。この
点をより明確にする為に図11（B)で横軸が3000（Oe）ま
での場合を拡大して示している。100 Oeを越えると急激
にＹ方向に傾き始めるのが分かる。この結果から、まず
固定磁性層4 の磁化を固定する為の磁場中熱処理では約
100 Oe以下の低磁場での処理が好ましいことが分かる。
また、上記図11（A)の右側に注目すると、同処理を9000
Oe 以上の高磁場で処理することも有効であることが分
かる。これは第1 固定磁性層4cと第2 固定磁性層4aとの
間の反平行の結合磁界を超える強さの外部磁界を印加す
ることにより、この両者の磁化方向を揃えた状態で熱処
理ができることを意味しており、特に反強磁性層5 の層
厚をより薄くした際に、上記低磁場中で処理した場合よ
り、θpin を略90度に維持しつつ抵抗変化率も維持でき
るという効果を得られる。
【００４７】なお、図11(A) 、(B) で黒三角で示される
のは、比較として付した、第２固定磁性層4aを膜厚25Å
で形成すると共に第２固定磁性層4aも同様に25Åとし、
反強磁性膜5 を250 Åの場合である。ここから、4aと4c
の膜厚が等しい場合には好ましい結果が得られないこと
が理解される。次に、図12は自由磁性層2 の異方性方向
効果を得るための第二段階としての230 ℃磁場中熱処理
における、磁場の大きさＨfree（Oe）と上記磁化角度θ
pin との関係を示している。この図より磁化角度θpin
はＨfreeが10から500 Oeの低磁場中では約90度を維持す
るが、これ以上の磁場を印加した場合ではＹ方向に傾い
てしまうと考えられる。また、特に反強磁性層の厚さを
薄くした場合はHfree をできる限り小さくしてやる必要
があることも分かる。上記結果から、この自由磁性層2
の異方性強化の為の磁場中熱処理では100 Oe 以下の低
磁場で処理することが必要であることが分かる。
のは、比較として付した、第２固定磁性層4aを膜厚25Å
で形成すると共に第２固定磁性層4aも同様に25Åとし、
反強磁性膜5 を250 Åの場合である。ここから、4aと4c
の膜厚が等しい場合には好ましい結果が得られないこと
が理解される。次に、図12は自由磁性層2 の異方性方向
効果を得るための第二段階としての230 ℃磁場中熱処理
における、磁場の大きさＨfree（Oe）と上記磁化角度θ
pin との関係を示している。この図より磁化角度θpin
はＨfreeが10から500 Oeの低磁場中では約90度を維持す
るが、これ以上の磁場を印加した場合ではＹ方向に傾い
てしまうと考えられる。また、特に反強磁性層の厚さを
薄くした場合はHfree をできる限り小さくしてやる必要
があることも分かる。上記結果から、この自由磁性層2
の異方性強化の為の磁場中熱処理では100 Oe 以下の低
磁場で処理することが必要であることが分かる。
【００４８】なお、上記自由磁性層2 の異方性を強化す
るための磁場中処理の後は、これと同じ方向の低磁場中
か、無磁場で中で熱処理をすることが好ましい。例え
ば、上記第一、第二段階の磁場中熱処理後の有機絶縁層
の熱処理を行うときには、磁場中で行う。これにより、
上記固定磁性層4 の磁化角度θpin は上記第一、第二段
階の処理で好ましく磁化された状態を維持できる。した
がって、本発明のＳＶＭＲ素子を使用するＳＶＭＲヘッ
ドであれば記録媒介からの信号磁界Ｈsig に対して線形
の出力特性を有することができる。
るための磁場中処理の後は、これと同じ方向の低磁場中
か、無磁場で中で熱処理をすることが好ましい。例え
ば、上記第一、第二段階の磁場中熱処理後の有機絶縁層
の熱処理を行うときには、磁場中で行う。これにより、
上記固定磁性層4 の磁化角度θpin は上記第一、第二段
階の処理で好ましく磁化された状態を維持できる。した
がって、本発明のＳＶＭＲ素子を使用するＳＶＭＲヘッ
ドであれば記録媒介からの信号磁界Ｈsig に対して線形
の出力特性を有することができる。
【００４９】さらに、上述したＳＶＭＲ素子膜の成膜時
において、自由磁性層2 及び固定磁性層4 に付与される
べき、磁気異方性の方向を望ましいものにするために、
直流磁界を膜面内に印加しながら成膜することが望まし
い。この時の磁界の大きさは100 Oe程度が好ましい。さ
らに、本発明者等は図１に示される、従来型の固定磁性
層が一層のＳＶＭＲ素子の製造についても、上述した本
発明の多層形成の固定磁性層4 への特性を付与する工程
を同様に適用でき、その特性が向上することを見出した
ものである。すなわち、多層形成の固定磁性層４を有す
るＳＶＭＲ素子を得るための工程を、従来型の固定磁性
層が一層のＳＶＭＲ素子に同様に適用すると、固定磁性
層の磁化の方向と上記自由磁性層の磁化容易軸とが直角
或いは該直角から前後に20度以内にあり、かつ上記固定
磁性層の異方性磁界Ｈuaの大きさが600 Oe以上であるス
ピンバルブ磁気抵抗効果素子得ることができる。
において、自由磁性層2 及び固定磁性層4 に付与される
べき、磁気異方性の方向を望ましいものにするために、
直流磁界を膜面内に印加しながら成膜することが望まし
い。この時の磁界の大きさは100 Oe程度が好ましい。さ
らに、本発明者等は図１に示される、従来型の固定磁性
層が一層のＳＶＭＲ素子の製造についても、上述した本
発明の多層形成の固定磁性層4 への特性を付与する工程
を同様に適用でき、その特性が向上することを見出した
ものである。すなわち、多層形成の固定磁性層４を有す
るＳＶＭＲ素子を得るための工程を、従来型の固定磁性
層が一層のＳＶＭＲ素子に同様に適用すると、固定磁性
層の磁化の方向と上記自由磁性層の磁化容易軸とが直角
或いは該直角から前後に20度以内にあり、かつ上記固定
磁性層の異方性磁界Ｈuaの大きさが600 Oe以上であるス
ピンバルブ磁気抵抗効果素子得ることができる。
【００５０】この点について再度図１を参照にして説明
すると、ＳＶＭＲ素子膜の成膜後、第一段階として固定
磁性層114 をＸ方向に固定するために磁場中熱処理工程
を設けている。この磁場中熱処理工程ではＳＶＭＲ素子
膜を適当な磁気発生源を用いてＸ方向に約3000 Oe の磁
界を印加しながら、温度280 ℃で3 時間の熱処理を行
う。更に第二段階として自由磁性層112 のＹ方向の磁気
異方性を強化するために、第一段階の磁場中熱処理より
も温度が低くかつ弱い磁場環境により磁場中熱処理工程
を行う。この磁場中熱処理工程ではＳＶＭＲ素子膜を適
当な直流磁界発生源を用いてＹ方向に100 Oeより弱い磁
界を印加しながら、温度230 ℃で3 時間の熱処理を行っ
た。
すると、ＳＶＭＲ素子膜の成膜後、第一段階として固定
磁性層114 をＸ方向に固定するために磁場中熱処理工程
を設けている。この磁場中熱処理工程ではＳＶＭＲ素子
膜を適当な磁気発生源を用いてＸ方向に約3000 Oe の磁
界を印加しながら、温度280 ℃で3 時間の熱処理を行
う。更に第二段階として自由磁性層112 のＹ方向の磁気
異方性を強化するために、第一段階の磁場中熱処理より
も温度が低くかつ弱い磁場環境により磁場中熱処理工程
を行う。この磁場中熱処理工程ではＳＶＭＲ素子膜を適
当な直流磁界発生源を用いてＹ方向に100 Oeより弱い磁
界を印加しながら、温度230 ℃で3 時間の熱処理を行っ
た。
【００５１】図13（A)はこの第二段階の時に3000 Oe の
高磁場とした場合であり、（B)は上記のように100 Oeの
低磁場とした場合について示している。縦軸は前記図11
と同じく磁気角度θpin であり、Ｙ方向への傾きの状態
を示し、90度が好ましい状態である。図13（A)及び（B)
から磁気角度θpin は100 Oe以下という低磁場条件で80
度以上の角度を維持するが、3000 Oe の高磁場ではＹ方
向に傾いてしまうことが確認される。この結果、固定磁
性層が一層で形成されるような従来の固定磁性層114 を
有するＳＶＭＲ素子の製造に関しても、固定磁性層を磁
場中熱処理した後、自由磁性層の磁気異方性の付与処理
において、磁場強度100 Oe以下という低磁場条件で行う
ことが同様に有効な手段であることが確認できる。
高磁場とした場合であり、（B)は上記のように100 Oeの
低磁場とした場合について示している。縦軸は前記図11
と同じく磁気角度θpin であり、Ｙ方向への傾きの状態
を示し、90度が好ましい状態である。図13（A)及び（B)
から磁気角度θpin は100 Oe以下という低磁場条件で80
度以上の角度を維持するが、3000 Oe の高磁場ではＹ方
向に傾いてしまうことが確認される。この結果、固定磁
性層が一層で形成されるような従来の固定磁性層114 を
有するＳＶＭＲ素子の製造に関しても、固定磁性層を磁
場中熱処理した後、自由磁性層の磁気異方性の付与処理
において、磁場強度100 Oe以下という低磁場条件で行う
ことが同様に有効な手段であることが確認できる。
【００５２】なお、上記自由磁性層112 の異方性を強化
するための磁場中処理の後は、これと同じ方向の低磁場
中か、無磁場で中で熱処理をすることが好ましい。例え
ば、上記磁場中熱処理後の有機絶縁層の熱処理を行うと
きには、磁場中で行う。これにより、上記固定磁性層11
4 の磁化角度θpin は上記第一、第二段階の処理で好ま
しく磁化された状態を維持できる。したがって、本発明
のＳＶＭＲ素子を使用するＳＶＭＲヘッドであれば記録
媒介からの信号磁界Ｈsig に対して線形の出力特性を有
することができる。
するための磁場中処理の後は、これと同じ方向の低磁場
中か、無磁場で中で熱処理をすることが好ましい。例え
ば、上記磁場中熱処理後の有機絶縁層の熱処理を行うと
きには、磁場中で行う。これにより、上記固定磁性層11
4 の磁化角度θpin は上記第一、第二段階の処理で好ま
しく磁化された状態を維持できる。したがって、本発明
のＳＶＭＲ素子を使用するＳＶＭＲヘッドであれば記録
媒介からの信号磁界Ｈsig に対して線形の出力特性を有
することができる。
【００５３】さらに、上述した従来型のＳＶＭＲ素子膜
の成膜時においても、自由磁性層112 及び固定磁性層11
4 に付与されるべき、磁気異方性の方向を望ましいもの
にするために、直流磁界を膜面内に印加しながら成膜す
ることが望ましい。この時の磁界の大きさは100 Oe程度
が好ましい。以上、本発明の好ましい例について説明を
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、様々な変形・変更が可能である。
の成膜時においても、自由磁性層112 及び固定磁性層11
4 に付与されるべき、磁気異方性の方向を望ましいもの
にするために、直流磁界を膜面内に印加しながら成膜す
ることが望ましい。この時の磁界の大きさは100 Oe程度
が好ましい。以上、本発明の好ましい例について説明を
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、様々な変形・変更が可能である。
【００５４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明では固定磁
性層として反強磁性結合の中間層を介した第1 、第2 の
固定磁性層で形成される多層固定磁性層を採用し、反強
磁性層として成膜された時には磁性を示さず成膜後に所
定の条件下で磁界を掛けられることによって規則化され
磁性を有する性質がある合金を採用し、上記第１固定磁
性層を第２固定磁性層より薄くする構成とし、実質的に
第１固定磁性層の磁気モーメントより第２固定磁性層の
磁気モーメントが大きくなるようにすることで、ＳＶＭ
Ｒ素子のより一層の薄膜化、小型化を図ることができ
る。
性層として反強磁性結合の中間層を介した第1 、第2 の
固定磁性層で形成される多層固定磁性層を採用し、反強
磁性層として成膜された時には磁性を示さず成膜後に所
定の条件下で磁界を掛けられることによって規則化され
磁性を有する性質がある合金を採用し、上記第１固定磁
性層を第２固定磁性層より薄くする構成とし、実質的に
第１固定磁性層の磁気モーメントより第２固定磁性層の
磁気モーメントが大きくなるようにすることで、ＳＶＭ
Ｒ素子のより一層の薄膜化、小型化を図ることができ
る。
【００５５】更に、本発明に製造法によれば、固定磁性
層及び自由磁性層の理想的な磁化角度を形成しているＳ
ＶＭＲ素子として製造ができ、更にかかる製造方法は従
来装置に僅かな変更を加えだけで実施が可能であり、低
コストでの実現が可能である。そして、上記本発明に係
るＳＶＭＲ素子は外部磁界信号に対して線形に応答が可
能であるので、これをハードディスク装置等の磁気ヘッ
ドに採用すれば、好ましい、再生出力を得ることができ
る。
層及び自由磁性層の理想的な磁化角度を形成しているＳ
ＶＭＲ素子として製造ができ、更にかかる製造方法は従
来装置に僅かな変更を加えだけで実施が可能であり、低
コストでの実現が可能である。そして、上記本発明に係
るＳＶＭＲ素子は外部磁界信号に対して線形に応答が可
能であるので、これをハードディスク装置等の磁気ヘッ
ドに採用すれば、好ましい、再生出力を得ることができ
る。
【００５６】さらに、本発明は第２の磁場中処理処理を
第１の磁場中処理処理より弱い磁場、低い温度で行うと
いう点で従来型のＳＶＭＲ素子に適用でき、設備、プロ
セス条件等を殆ど変更することなく実施が可能である。
第１の磁場中処理処理より弱い磁場、低い温度で行うと
いう点で従来型のＳＶＭＲ素子に適用でき、設備、プロ
セス条件等を殆ど変更することなく実施が可能である。
【図１】従来のスピンバルブ磁気抵抗効果素子を使用す
るスピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドについて示す図であ
る。
るスピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドについて示す図であ
る。
【図２】図１のＳＶＭＲヘッドを側面から見た様子を示
している図である。
している図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るＳＶＭＲ素子を使用
したＳＶＭＲヘッドについて示す図である。
したＳＶＭＲヘッドについて示す図である。
【図４】図３のＳＶＭＲヘッドを側面から見た様子を示
している図である。
している図である。
【図５】第２固定磁性層4aを25Åに固定した場合で、他
方の第１固定磁性層4cの層厚を変えた時の、磁化角度θ
pin と実効異方性磁界Ｈuaを示す図である。
方の第１固定磁性層4cの層厚を変えた時の、磁化角度θ
pin と実効異方性磁界Ｈuaを示す図である。
【図６】第１固定磁性層4cと第２固定磁性層4aの関係に
ついて示し、（A)は磁化角度θpin について、（B)は実
効異方性磁界Hua について、（C)は磁気抵抗変化率MR比
について示している図である。
ついて示し、（A)は磁化角度θpin について、（B)は実
効異方性磁界Hua について、（C)は磁気抵抗変化率MR比
について示している図である。
【図７】本発明のＳＶＭＲ素子を使用する複合型磁気ヘ
ッド全体の構成示している図である。
ッド全体の構成示している図である。
【図８】再生ヘッドの部分を記録媒体の側から見た図で
ある。
ある。
【図９】複合型磁気ヘッドの製造フローを示す図であ
る。
る。
【図１０】図９の各工程のプロセスでの温度概略につい
て示す図である。
て示す図である。
【図１１】固定磁性層の磁化方向を固定するときの磁場
の大きさと磁化角度の関係を示し、（A)は全体につい
て、（B)一部を拡大して示す図である。
の大きさと磁化角度の関係を示し、（A)は全体につい
て、（B)一部を拡大して示す図である。
【図１２】自由磁性層2 の異方性方向効果を得るための
第二段階での処理における、磁場の大きさと磁化角度と
の関係を示している図である。
第二段階での処理における、磁場の大きさと磁化角度と
の関係を示している図である。
【図１３】従来のＳＶＭＲ素子の製造についての磁場処
理について示し、（A)は第二段階の時に3000 Oe の高磁
場とした場合であり、（B)は100 Oeの低磁場とした場合
について示している図である。
理について示し、（A)は第二段階の時に3000 Oe の高磁
場とした場合であり、（B)は100 Oeの低磁場とした場合
について示している図である。
１、111 下地層 ２、112 自由磁性層 ３、113 非磁性層 ４、114 固定磁性層 （4a 第２固定磁性層、 4ｂ
反平行中間層 4c 第１固定磁性層） ５、115 反強磁性層 10、100 ＳＶＭＲヘッド
反平行中間層 4c 第１固定磁性層） ５、115 反強磁性層 10、100 ＳＶＭＲヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兼 淳一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 青島 賢一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA05 DA07
Claims (14)
- 【請求項１】 反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中
間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成
るスピンバルブ磁気抵抗効果素子において、 上記反強磁性層をマンガン含有の規則系合金により構成
し、かつ上記第１固定磁性層の磁気モーメントは上記第
２固定磁性層の磁気モーメントよりも小さくなるように
設定されている、スピンバルブ磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 前記第１固定磁性層及び前記第２固定磁
性層は実質的に同一の磁性材料から構成され、上記第１
固定磁性層は上記第２固定磁性層よりも層厚が薄くなる
ように構成された、請求項１に記載のスピンバルブ磁気
抵抗効果素子。 - 【請求項３】 前記第１固定磁性層と前記第２固定磁性
層との層厚の差は５Å以上あることを特徴する請求項２
に記載のスピンバルブ磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 前記第１固定磁性層の磁化の向きと前記
第２固定磁性層の磁化の向きは逆であると共に互いに略
平行であり、かつ上記第２固定磁性層の磁化の方向と前
記自由磁性層の磁化容易軸とが直角或いは該直角から前
後に20度以内にあり、更に上記第１及び第２固定磁性層
を固定磁性層と仮定した場合の実効異方性磁界Ｈuaは60
0 Oe以上となっている、ことを特徴とする請求項１から
３のいずれかに記載のスピンバルブ磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】 前記反強磁性層は、PdPtMn、PtMn、PdM
n、NiMn及びCrMnからなる群から選択される１つから成
ることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の
スピンバルブ磁気抵抗効果素子。 - 【請求項６】 前記反平行中間層は、Ruから成ることを
特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のスピンバ
ルブ磁気抵抗効果素子。 - 【請求項７】 反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中
間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成
るスピンバルブ磁気抵抗効果素子を製造する方法であっ
て、 上記自由磁性層、非磁性層、第２固定磁性層、反平行中
間層、第１固定磁性層及び反強磁性層の順に積層して、
多層に成膜した後に、 上記反強磁性層の磁気的状態を規則化し、かつ上記固定
磁性層の磁化の向きを固定する第１の磁場中熱処理をな
し、 上記自由磁性層の磁気異方性を規則化するため、第１の
磁場中熱処理よりも温度が低くかつ弱い磁場環境によ
り、第２の磁場中熱処理を行う、 スピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の磁場中熱処理の印加磁場は50
0 Oe以下又は7000 Oe 以上であり、熱処理温度は約280
℃であることを特徴とする、請求項７に記載のスピンバ
ルブ磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１の磁場中熱処理の印加磁場は20
から100 Oe又は9000Oe 以上であり、熱処理温度は約280
℃であることを特徴とする、請求項８に記載のスピン
バルブ磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２の磁場中熱処理の印加磁場は
500 Oe以下であり、熱処理温度は約230 ℃であることを
特徴とする、請求項８又は９に記載のスピンバルブ磁気
抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項１１】 反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及
び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子に
おいて、 上記反強磁性層をマンガン含有の規則系合金により構成
し、 上記固定磁性層の磁化の方向と上記自由磁性層の磁化容
易軸とが直角或いは該直角から前後に20度以内にあり、
かつ上記固定磁性層の異方性磁界Ｈuaの大きさが600 Oe
以上であるスピンバルブ磁気抵抗効果素子。 - 【請求項１２】 反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及
び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子を
製造する方法であって、 上記自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層
の順に積層して、多層に形成した後に、 上記反強磁性層の磁気的状態を規則化し、かつ上記固定
磁性層の磁化の向きを固定する第１の磁場中熱処理をな
し、 上記自由磁性層の磁気異方性を規則化するため、第１の
磁場中熱処理よりも温度が低くかつ弱い磁場環境によ
り、第２の磁場中熱処理を行う、 スピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１から６のいずれか又は請求項
１１に記載のスピンバルブ磁気抵抗効果素子を有する磁
気ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項７から１０のいずれか又は請求
項１２に記載の製造方法により製造されたスピンバルブ
磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11084592A JP2000285413A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド |
| US09/476,005 US6493196B1 (en) | 1999-03-26 | 1999-12-29 | Spin-valve magnetoresistive sensor and magnetic head having such a spin-valve magnetoresistive sensor |
| KR1020000001674A KR100631354B1 (ko) | 1999-03-26 | 2000-01-14 | 스핀 밸브 자기 저항 효과형 소자와 그 제조법, 및 이 소자를 이용한 자기 헤드 |
| CN00101159A CN1268733A (zh) | 1999-03-26 | 2000-01-26 | 旋转阀磁阻传感器和带有这种旋转阀磁阻传感器的磁头 |
| DE10004383A DE10004383A1 (de) | 1999-03-26 | 2000-02-02 | Spinventil-Magnetowiderstandssensor und Magnetkopf mit solch einem Spinventil-Magnetowiderstandssensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11084592A JP2000285413A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285413A true JP2000285413A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13834966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11084592A Pending JP2000285413A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2000285413A (ja) |
| KR (1) | KR100631354B1 (ja) |
| CN (1) | CN1268733A (ja) |
| DE (1) | DE10004383A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10257401B2 (en) | 2005-10-17 | 2019-04-09 | Cutting Edge Vision Llc | Pictures using voice commands |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001283413A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Tdk Corp | スピンバルブ膜の製造方法 |
| DE10128150C1 (de) * | 2001-06-11 | 2003-01-23 | Siemens Ag | Magnetoresistives Sensorsystem |
| US6896975B2 (en) * | 2002-01-04 | 2005-05-24 | International Business Machines Corporation | Spin-valve sensor with pinning layers comprising multiple antiferromagnetic films |
| US7244997B2 (en) * | 2003-07-08 | 2007-07-17 | President And Fellows Of Harvard College | Magneto-luminescent transducer |
| US7151653B2 (en) * | 2004-02-18 | 2006-12-19 | Hitachi Global Technologies Netherlands B.V. | Depositing a pinned layer structure in a self-pinned spin valve |
| US7333306B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-02-19 | Headway Technologies, Inc. | Magnetoresistive spin valve sensor with tri-layer free layer |
| JP4283263B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2009-06-24 | 本田技研工業株式会社 | 磁歪式トルクセンサの製造方法 |
| US7602033B2 (en) | 2007-05-29 | 2009-10-13 | Headway Technologies, Inc. | Low resistance tunneling magnetoresistive sensor with composite inner pinned layer |
| JP4780117B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2011-09-28 | 日立金属株式会社 | 角度センサ、その製造方法及びそれを用いた角度検知装置 |
| EP3382768B1 (en) * | 2015-11-27 | 2020-12-30 | TDK Corporation | Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory |
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|---|---|---|---|---|
| US5465185A (en) * | 1993-10-15 | 1995-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor |
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| JP3131946B2 (ja) | 1995-10-09 | 2001-02-05 | ティーディーケイ株式会社 | スピンバルブ磁気抵抗ヘッドを具備する磁気ヘッド装置の製造方法 |
| JPH1097709A (ja) | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録再生装置 |
| JP3219713B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2001-10-15 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| US5828529A (en) * | 1997-04-29 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve with read signal symmetry |
| JPH1196516A (ja) | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドの製造法及びこの製造方法で製造されたスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH11126315A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-05-11 | Nec Corp | 磁気抵抗効果センサおよびその製造方法 |
| US6038107A (en) * | 1997-10-27 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Antiparallel-pinned spin valve sensor |
| US5898549A (en) * | 1997-10-27 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting |
| US5880913A (en) * | 1997-10-27 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve sensor with read signal symmetry |
| JP2000182224A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-06-30 | Read Rite Corp | 高い熱安定性を有するスピン・バルブ読取りセンサ及びその製造方法 |
-
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- 1999-03-26 JP JP11084592A patent/JP2000285413A/ja active Pending
- 1999-12-29 US US09/476,005 patent/US6493196B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-14 KR KR1020000001674A patent/KR100631354B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-01-26 CN CN00101159A patent/CN1268733A/zh active Pending
- 2000-02-02 DE DE10004383A patent/DE10004383A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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