JP2000273462A - 乾留装置と乾留方法 - Google Patents
乾留装置と乾留方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各種電子部品を搭載したプリント配線基板等
を炭化させ、搭載した部品と基板樹脂と銅箔とガラス繊
維などを分別回収する。 【解決手段】 回路基板３０を収納する有底容器１と、
前記有底容器１の開口を閉蓋するとともにガスの流入手
段と排出手段とを備えた蓋体２と、前記有底容器１を周
囲より加熱する高周波加熱コイル７と、前記有底容器１
内のガスを排出するガス排出手段と、排出ガスを中和処
理するガス回収装置１２とを備えた構成。
を炭化させ、搭載した部品と基板樹脂と銅箔とガラス繊
維などを分別回収する。 【解決手段】 回路基板３０を収納する有底容器１と、
前記有底容器１の開口を閉蓋するとともにガスの流入手
段と排出手段とを備えた蓋体２と、前記有底容器１を周
囲より加熱する高周波加熱コイル７と、前記有底容器１
内のガスを排出するガス排出手段と、排出ガスを中和処
理するガス回収装置１２とを備えた構成。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路基板（プリント
配線基板等）の炭化方法と炭化装置とに関する。
配線基板等）の炭化方法と炭化装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】搭載した各種電子部品を取り除いた後、
プリント配線基板を乾留して樹脂からガスを放出させ炭
化して、基板樹脂と銅箔とガラス繊維とを分別回収する
方法として、例えば、特開平１０−３１４７１１号公報
等が提案されている。
プリント配線基板を乾留して樹脂からガスを放出させ炭
化して、基板樹脂と銅箔とガラス繊維とを分別回収する
方法として、例えば、特開平１０−３１４７１１号公報
等が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法は、プリント配線基板から各種電子部品や半田を取り
除いた後、低温乾留するもので、電子部品や半田の除去
工程が必要である。また、一般的な乾留装置はロータリ
ーキルン型のため大量乾留処理には向くが、少量の乾留
処理や異なる種類のプリント配線基板を取り扱う場合に
は不向きである。さらに、窒素などの不活性ガスを併用
する場合、不活性ガスの消費量が多くランニングコスト
が大きくなってしまう。
法は、プリント配線基板から各種電子部品や半田を取り
除いた後、低温乾留するもので、電子部品や半田の除去
工程が必要である。また、一般的な乾留装置はロータリ
ーキルン型のため大量乾留処理には向くが、少量の乾留
処理や異なる種類のプリント配線基板を取り扱う場合に
は不向きである。さらに、窒素などの不活性ガスを併用
する場合、不活性ガスの消費量が多くランニングコスト
が大きくなってしまう。
【０００４】本発明は、プリント配線基板の種類に応じ
たロットの切換が簡単で、少量の炭化処理を可能にする
ことを目的とする。また、リサイクル費用の低減を図る
ことを目的とする。さらに、各種電子部品を搭載したプ
リント配線基板等を炭化させ、搭載した部品と基板を構
成する樹脂と銅箔とガラス繊維などを分別回収すること
を目的とする。
たロットの切換が簡単で、少量の炭化処理を可能にする
ことを目的とする。また、リサイクル費用の低減を図る
ことを目的とする。さらに、各種電子部品を搭載したプ
リント配線基板等を炭化させ、搭載した部品と基板を構
成する樹脂と銅箔とガラス繊維などを分別回収すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の乾留装置と乾留方法は、 １．回路基板を収納する容器、例えば円筒型の有底容器
（以下、カートリッジとも呼ぶ。）と、前記有底容器の
開口を閉蓋する蓋体と、前記有底容器を周囲より加熱す
る高周波加熱手段とを備えた乾留装置とした。 ２．回路基板と不活性ガスとを収納したカートリッジを
高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱して前
記回路基板を炭化させ、炭化した回路基板を室温程度に
冷却して、有底容器から排出する回路基板の乾留方法と
した。 ３．回路基板と不活性ガスと分離剤とを収納したカート
リッジを高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加
熱して前記回路基板を炭化させ、炭化した回路基板を室
温程度に冷却して、有底容器から排出する回路基板の乾
留方法とした。前記分離剤を糠類、穀類の粒または粉
末、豆類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉
末、落花生の殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，
またはその組合せとした。 ４．回路基板を収納したのちカートリッジ内の空気を排
出して減圧し、該カートリッジを高周波加熱手段により
２５０℃〜４５０℃に加熱して前記回路基板を炭化さ
せ、炭化した回路基板を室温程度に冷却して、有底容器
から排出する回路基板の乾留方法とした。 ５．回路基板と、不活性ガスと、前記回路基板を覆う籾
殻，砂，炭化物の粉末の内から選択したいずれか一つ，
またはその組合せからなる覆い材とを収納したカートリ
ッジを高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱
して前記回路基板を炭化させ、炭化した回路基板を室温
程度に冷却して、有底容器から排出する回路基板の乾留
方法とした。
に本発明の乾留装置と乾留方法は、 １．回路基板を収納する容器、例えば円筒型の有底容器
（以下、カートリッジとも呼ぶ。）と、前記有底容器の
開口を閉蓋する蓋体と、前記有底容器を周囲より加熱す
る高周波加熱手段とを備えた乾留装置とした。 ２．回路基板と不活性ガスとを収納したカートリッジを
高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱して前
記回路基板を炭化させ、炭化した回路基板を室温程度に
冷却して、有底容器から排出する回路基板の乾留方法と
した。 ３．回路基板と不活性ガスと分離剤とを収納したカート
リッジを高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加
熱して前記回路基板を炭化させ、炭化した回路基板を室
温程度に冷却して、有底容器から排出する回路基板の乾
留方法とした。前記分離剤を糠類、穀類の粒または粉
末、豆類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉
末、落花生の殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，
またはその組合せとした。 ４．回路基板を収納したのちカートリッジ内の空気を排
出して減圧し、該カートリッジを高周波加熱手段により
２５０℃〜４５０℃に加熱して前記回路基板を炭化さ
せ、炭化した回路基板を室温程度に冷却して、有底容器
から排出する回路基板の乾留方法とした。 ５．回路基板と、不活性ガスと、前記回路基板を覆う籾
殻，砂，炭化物の粉末の内から選択したいずれか一つ，
またはその組合せからなる覆い材とを収納したカートリ
ッジを高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱
して前記回路基板を炭化させ、炭化した回路基板を室温
程度に冷却して、有底容器から排出する回路基板の乾留
方法とした。
【０００６】上記構成において、前記糠類は米糠、ふす
ま、麦糠、大麦混合糠、裸麦糠、裸麦混合糠等とし、豆
類の粉末は大豆、小豆、落花生、ココナッツ等とし、種
子の粉末はゴマ、ヒマワリ、ヤシ、菜種、綿実等とし、
前記群から選択したいずれか一つ、またはその組合せと
した。
ま、麦糠、大麦混合糠、裸麦糠、裸麦混合糠等とし、豆
類の粉末は大豆、小豆、落花生、ココナッツ等とし、種
子の粉末はゴマ、ヒマワリ、ヤシ、菜種、綿実等とし、
前記群から選択したいずれか一つ、またはその組合せと
した。
【０００７】前記分離剤は加熱により油成分が滲みだ
し、炭化物、ガラス繊維、銅箔等に付着し相互の分離を
促進する。また、半田付け部から半田が分離するのを助
長する。さらに、分離剤に含まれるリン（Ｐ）と前記成
分が半田等金属の酸化防止機能を果たす。前記油成分は
有機酸Ｒ・（ＣＯＯＨ）ｎ成分（すなわちオレイン酸、
リノール酸、パルミチン酸等）を含む。さらに、ナトリ
ウムＮａが分離剤に含まれる場合、Ｎａも還元剤として
作用する。
し、炭化物、ガラス繊維、銅箔等に付着し相互の分離を
促進する。また、半田付け部から半田が分離するのを助
長する。さらに、分離剤に含まれるリン（Ｐ）と前記成
分が半田等金属の酸化防止機能を果たす。前記油成分は
有機酸Ｒ・（ＣＯＯＨ）ｎ成分（すなわちオレイン酸、
リノール酸、パルミチン酸等）を含む。さらに、ナトリ
ウムＮａが分離剤に含まれる場合、Ｎａも還元剤として
作用する。
【０００８】粉末状をなす各分離剤の粒度分布は特に調
製する必要はない。玄米の精白過程や，小麦粉の製造過
程等で生じた粒度分布そのままでよい。（約１ｍｍ〜
０．０１μｍ程度の範囲） ちなみに、糠類の内、米糠成分の一例を記すと、 リン・・２％以下、蛋白質・・１３．４％、粗脂肪・・
１７．１％、粗繊維・・７．９％、粗灰分・・１０．２
％、カルシウムＣａ・・０．０６％、可消化成分（鶏、
豚、牛等）・・残部大半、（他の成分記載は省略）等と
なる。 なお、米糠は玄米などを精白するとできる果皮、種皮、
胚芽等の砕粉物からなる。
製する必要はない。玄米の精白過程や，小麦粉の製造過
程等で生じた粒度分布そのままでよい。（約１ｍｍ〜
０．０１μｍ程度の範囲） ちなみに、糠類の内、米糠成分の一例を記すと、 リン・・２％以下、蛋白質・・１３．４％、粗脂肪・・
１７．１％、粗繊維・・７．９％、粗灰分・・１０．２
％、カルシウムＣａ・・０．０６％、可消化成分（鶏、
豚、牛等）・・残部大半、（他の成分記載は省略）等と
なる。 なお、米糠は玄米などを精白するとできる果皮、種皮、
胚芽等の砕粉物からなる。
【０００９】また、豆類の内、大豆の成分は、 可食部１００ｇ中、脂肪・・１７．５ｇ、リン・・４７
０ｍｇ、ナトリウムＮａ・・３ｍｇ、カルシウムＣａ・
・１９０ｍｇ、鉄・・７ｍｇ、蛋白質・・３４．３ｇ、
（他の成分記載は省略）等となっている。
０ｍｇ、ナトリウムＮａ・・３ｍｇ、カルシウムＣａ・
・１９０ｍｇ、鉄・・７ｍｇ、蛋白質・・３４．３ｇ、
（他の成分記載は省略）等となっている。
【００１０】従って、米糠以外の前記各分離剤において
も油成分とリン、または油成分を含んでおり、米糠と同
様の機能を果たす。特に、油脂成分の豊富な豆類の粉末
（大豆、小豆、落花生、ココナッツ等）、または種子の
粉末（ゴマ、ヒマワリ、ヤシ、菜種等）等が有効であ
る。ゴマ（ｓｅｓａｍｅ）の脂肪酸はオレイン酸、リノ
ール酸を多く含む。なお、本発明における分離剤は１種
類で構成されることの他に、前述のごとく２種類以上の
部材を組み合わせる様にしてもよい。
も油成分とリン、または油成分を含んでおり、米糠と同
様の機能を果たす。特に、油脂成分の豊富な豆類の粉末
（大豆、小豆、落花生、ココナッツ等）、または種子の
粉末（ゴマ、ヒマワリ、ヤシ、菜種等）等が有効であ
る。ゴマ（ｓｅｓａｍｅ）の脂肪酸はオレイン酸、リノ
ール酸を多く含む。なお、本発明における分離剤は１種
類で構成されることの他に、前述のごとく２種類以上の
部材を組み合わせる様にしてもよい。
【００１１】本発明は上記構成により、炭化装置の構成
が簡単となる。また、不活性ガスの使用量を低減し、リ
サイクル費用を小さくできる。さらに、小ロットでの回
路基板リサイクルを可能とし、ロット切換を容易にす
る。
が簡単となる。また、不活性ガスの使用量を低減し、リ
サイクル費用を小さくできる。さらに、小ロットでの回
路基板リサイクルを可能とし、ロット切換を容易にす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明における第１の発明は、被
乾留物を収納する有底容器と、前記有底容器の開口を閉
蓋する蓋体と、前記有底容器を周囲より加熱する高周波
加熱手段とからなることを特徴とする乾留装置としたも
ので、回路基板または電子部品を構成する樹脂部材の炭
化を簡単な装置で実施でき、前記炭化物と金属、ガラス
繊維との分離を容易に行える。
乾留物を収納する有底容器と、前記有底容器の開口を閉
蓋する蓋体と、前記有底容器を周囲より加熱する高周波
加熱手段とからなることを特徴とする乾留装置としたも
ので、回路基板または電子部品を構成する樹脂部材の炭
化を簡単な装置で実施でき、前記炭化物と金属、ガラス
繊維との分離を容易に行える。
【００１３】さらに、第２の発明は、有底容器に回路基
板を収納する工程と、前記有底容器を閉蓋し不活性ガス
を封入する工程と、前記有底容器を高周波加熱手段内に
装填する工程と、前記回路基板を前記高周波加熱手段に
より２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前
記炭化した回路基板を室温程度に冷却する工程と、前記
炭化した回路基板を有底容器から排出する工程とからな
る回路基板の乾留方法としたもので、回収する金属の酸
化を防止する。
板を収納する工程と、前記有底容器を閉蓋し不活性ガス
を封入する工程と、前記有底容器を高周波加熱手段内に
装填する工程と、前記回路基板を前記高周波加熱手段に
より２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前
記炭化した回路基板を室温程度に冷却する工程と、前記
炭化した回路基板を有底容器から排出する工程とからな
る回路基板の乾留方法としたもので、回収する金属の酸
化を防止する。
【００１４】さらに、第３の発明は、有底容器に回路基
板を収納する工程と、前記回路基板に糠類、穀類の粒ま
たは粉末、豆類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カス
の粉末、落花生の殻の粉末の内から選択したいずれか一
つ，またはその組合せからなる分離剤を散布する工程
と、前記有底容器を閉蓋し不活性ガスを封入する工程
と、前記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工程
と、前記回路基板を前記高周波加熱手段により２５０℃
〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回
路基板を室温程度に冷却する工程と、前記炭化した回路
基板を有底容器から排出する工程とからなる回路基板の
乾留方法としたもので、炭化物と金属、ガラス繊維との
分離を容易に行える。
板を収納する工程と、前記回路基板に糠類、穀類の粒ま
たは粉末、豆類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カス
の粉末、落花生の殻の粉末の内から選択したいずれか一
つ，またはその組合せからなる分離剤を散布する工程
と、前記有底容器を閉蓋し不活性ガスを封入する工程
と、前記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工程
と、前記回路基板を前記高周波加熱手段により２５０℃
〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回
路基板を室温程度に冷却する工程と、前記炭化した回路
基板を有底容器から排出する工程とからなる回路基板の
乾留方法としたもので、炭化物と金属、ガラス繊維との
分離を容易に行える。
【００１５】さらに、第４の発明は、有底容器に回路基
板を収納する工程と、前記回路基板に籾殻、砂、炭化物
の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはその組合
せからなる覆い材を散布して前記回路基板の表面を覆う
工程と、前記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工
程と、前記回路基板を前記高周波加熱手段により２５０
℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した
回路基板を室温程度に冷却する工程と、前記炭化した回
路基板を有底容器から排出する工程とからなる回路基板
の乾留方法としたもので、回路基板を構成する樹脂部材
の炭化を簡単な装置で実施でき、装置構成が簡単とな
る。
板を収納する工程と、前記回路基板に籾殻、砂、炭化物
の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはその組合
せからなる覆い材を散布して前記回路基板の表面を覆う
工程と、前記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工
程と、前記回路基板を前記高周波加熱手段により２５０
℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した
回路基板を室温程度に冷却する工程と、前記炭化した回
路基板を有底容器から排出する工程とからなる回路基板
の乾留方法としたもので、回路基板を構成する樹脂部材
の炭化を簡単な装置で実施でき、装置構成が簡単とな
る。
【００１６】さらに、第５の発明は、有底容器に回路基
板を収納する工程と、前記有底容器を閉蓋し有底容器内
の空気を排出し減圧する工程と、前記有底容器を高周波
加熱手段内に装填する工程と、前記回路基板を前記高周
波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させ
る工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却する
工程と、前記炭化した回路基板を有底容器から排出する
工程とからなることを特徴とする回路基板の乾留方法と
したもので、回路基板を構成する樹脂部材の炭化を簡単
な装置で実施できる。
板を収納する工程と、前記有底容器を閉蓋し有底容器内
の空気を排出し減圧する工程と、前記有底容器を高周波
加熱手段内に装填する工程と、前記回路基板を前記高周
波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させ
る工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却する
工程と、前記炭化した回路基板を有底容器から排出する
工程とからなることを特徴とする回路基板の乾留方法と
したもので、回路基板を構成する樹脂部材の炭化を簡単
な装置で実施できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例における乾留装置と
乾留方法を図面とともに説明する。
乾留方法を図面とともに説明する。
【００１８】（実施例）図１は本発明の一実施例におけ
る乾留装置の概念の模式図を示す。図１において、符号
１は各種電子部品を実装した回路基板を収納する有底容
器（カートリッジ）である。有底容器１に収納する回路
基板は各種電子部品を実装した回路基板そのままの大き
さ、または数ｃｍ角の大きさに切断した（シュレッダー
処理した）ものなど任意の大きさとしてよい。
る乾留装置の概念の模式図を示す。図１において、符号
１は各種電子部品を実装した回路基板を収納する有底容
器（カートリッジ）である。有底容器１に収納する回路
基板は各種電子部品を実装した回路基板そのままの大き
さ、または数ｃｍ角の大きさに切断した（シュレッダー
処理した）ものなど任意の大きさとしてよい。
【００１９】符号２は前記有底容器の開口を閉蓋する蓋
体、３は前記蓋体に一体的に付属し，不活性ガスたとえ
ば窒素ガス（Ｎ↓２ガス）を供給する配管、４は前記蓋
体に一体的に付属し，前記有底容器内の空気や回路基板
から出るハロゲン物質ガス等を排出する配管、５は有底
容器の底部に配設したプランジャー、６は回路基板から
分離した半田を前記プランジャーの凹部に溜める仕切金
網、７は前記回路基板を２５０〜４５０℃に加熱する高
周波加熱コイル、８と９は流体の流れを制御する開閉
弁、１０は圧力のかかった流体を一方向にのみ通す圧力
弁、１１はガス中に含まれる液体または回路基板から出
る液体等を回収する液体回収装置、１２は回路基板から
出たハロゲン物質ガスを回収、中和するガス回収装置、
１３は前記有底容器内の空気を排出し減圧する真空ポン
プ、１４は前記プランジャーを押圧し摺動させるプッシ
ャー、１５は前記プッシャーを往復駆動させるエアーシ
リンダー、１６は前記有底容器の底面に設けられ，前記
プッシャーの挿抜を可能にする貫通孔、２０は有底容器
内に収納した回路基板に散布する覆い材、３０は回路基
板（プリント配線基板などの被乾留物）、４０は半田な
どの滴下物、１００は本発明の乾留装置を示す。
体、３は前記蓋体に一体的に付属し，不活性ガスたとえ
ば窒素ガス（Ｎ↓２ガス）を供給する配管、４は前記蓋
体に一体的に付属し，前記有底容器内の空気や回路基板
から出るハロゲン物質ガス等を排出する配管、５は有底
容器の底部に配設したプランジャー、６は回路基板から
分離した半田を前記プランジャーの凹部に溜める仕切金
網、７は前記回路基板を２５０〜４５０℃に加熱する高
周波加熱コイル、８と９は流体の流れを制御する開閉
弁、１０は圧力のかかった流体を一方向にのみ通す圧力
弁、１１はガス中に含まれる液体または回路基板から出
る液体等を回収する液体回収装置、１２は回路基板から
出たハロゲン物質ガスを回収、中和するガス回収装置、
１３は前記有底容器内の空気を排出し減圧する真空ポン
プ、１４は前記プランジャーを押圧し摺動させるプッシ
ャー、１５は前記プッシャーを往復駆動させるエアーシ
リンダー、１６は前記有底容器の底面に設けられ，前記
プッシャーの挿抜を可能にする貫通孔、２０は有底容器
内に収納した回路基板に散布する覆い材、３０は回路基
板（プリント配線基板などの被乾留物）、４０は半田な
どの滴下物、１００は本発明の乾留装置を示す。
【００２０】本発明の一実施例における乾留装置１００
は、被乾留物たとえば回路基板３０を収納する有底容器
（カートリッジ）１と、前記有底容器１の開口を閉蓋す
る蓋体２と、前記有底容器１を周囲より２５０〜４５０
℃に加熱する高周波加熱コイル７および高周波加熱用電
源を含む高周波加熱手段（図示せず。）とからなる。前
記蓋体２には流体を供給、排出する配管３、４が一体的
に付属している。
は、被乾留物たとえば回路基板３０を収納する有底容器
（カートリッジ）１と、前記有底容器１の開口を閉蓋す
る蓋体２と、前記有底容器１を周囲より２５０〜４５０
℃に加熱する高周波加熱コイル７および高周波加熱用電
源を含む高周波加熱手段（図示せず。）とからなる。前
記蓋体２には流体を供給、排出する配管３、４が一体的
に付属している。
【００２１】また、乾留装置１００は不活性ガスたとえ
ば窒素ガス等の供給手段と、有底容器内の空気または乾
留過程で回路基板３０から出てくる水分、炭酸ガス、ハ
ロゲン物質ガス等を排出するガス排出手段も備えてい
る。前記ガス排出手段は有底容器１内のガス圧が高まっ
た場合に自動的に開放される圧力弁１０と、有底容器１
内のガスを強制排気し減圧する真空ポンプ１３との２つ
の手段を備えてなる。
ば窒素ガス等の供給手段と、有底容器内の空気または乾
留過程で回路基板３０から出てくる水分、炭酸ガス、ハ
ロゲン物質ガス等を排出するガス排出手段も備えてい
る。前記ガス排出手段は有底容器１内のガス圧が高まっ
た場合に自動的に開放される圧力弁１０と、有底容器１
内のガスを強制排気し減圧する真空ポンプ１３との２つ
の手段を備えてなる。
【００２２】また、前記有底容器１の底部に低温乾留を
終えた収納物（プリント配線基板等）を押し出すプラン
ジャー５を備えてなる。前記プランジャー５は前記有底
容器１に摺動可能に嵌合し，乾留を終えた回路基板３０
を排出する。プランジャー５の摺動動作はプッシャー１
４とエアーシリンダー１５とにより行われる。プランジ
ャー５は凹形状をなし上端側に金網６を備え、回路基板
から分離、滴下した半田４０等は凹部に溜まる。金網６
はメッシュ状をなし網の線径を約０．５ｍｍ、矩形開口
の一辺を約１．２ｍｍ程度とした。
終えた収納物（プリント配線基板等）を押し出すプラン
ジャー５を備えてなる。前記プランジャー５は前記有底
容器１に摺動可能に嵌合し，乾留を終えた回路基板３０
を排出する。プランジャー５の摺動動作はプッシャー１
４とエアーシリンダー１５とにより行われる。プランジ
ャー５は凹形状をなし上端側に金網６を備え、回路基板
から分離、滴下した半田４０等は凹部に溜まる。金網６
はメッシュ状をなし網の線径を約０．５ｍｍ、矩形開口
の一辺を約１．２ｍｍ程度とした。
【００２３】さらに、乾留装置１００は乾留過程で被乾
留物から生じる水分、油等の液体回収装置１１と、前記
排出ガスを中和処理するガス処理装置１２を備えてな
る。ガス処理装置１２はアルカリ性溶液を用いて回収し
たハロゲン物質ガスを中和処理する。
留物から生じる水分、油等の液体回収装置１１と、前記
排出ガスを中和処理するガス処理装置１２を備えてな
る。ガス処理装置１２はアルカリ性溶液を用いて回収し
たハロゲン物質ガスを中和処理する。
【００２４】なお当然のことながら、有底容器１と蓋体
２との気密、有底容器１とプランジャー５との気密はシ
ールリング等により保たれている。（図示せず。） 次に、本発明の乾留装置を用いて回路基板を乾留する方
法について説明する。
２との気密、有底容器１とプランジャー５との気密はシ
ールリング等により保たれている。（図示せず。） 次に、本発明の乾留装置を用いて回路基板を乾留する方
法について説明する。
【００２５】（乾留方法１）本発明における第１の乾留
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記有底容器１を高周波加熱手段の高周波加熱コイ
ル７内に装填する工程と、前記回路基板３０を前記高周
波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させ
る工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却する
工程と、前記炭化した回路基板を有底容器１から排出す
る工程とからなる。
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記有底容器１を高周波加熱手段の高周波加熱コイ
ル７内に装填する工程と、前記回路基板３０を前記高周
波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させ
る工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却する
工程と、前記炭化した回路基板を有底容器１から排出す
る工程とからなる。
【００２６】本発明における第１の乾留方法は当初、有
酸素状態である。即ち、有底容器１の蓋を開け回路基板
３０を収納し、再び閉蓋した状態では有底容器１の内部
空間に空気が存在している。この状態から乾留を実施す
る。乾留過程では開閉弁８、９は閉じられており、空気
や窒素ガスの供給は行われない。回路基板の加熱により
水分、炭酸ガス、ハロゲン物質ガスなどを生じ有底容器
１の内部圧力が高まると、それらは圧力弁１０を介して
容器外へ放出され液体回収装置１１、ガス回収装置１２
に通じ所定に中和処理などが施される。なお、真空ポン
プは停止したままである。
酸素状態である。即ち、有底容器１の蓋を開け回路基板
３０を収納し、再び閉蓋した状態では有底容器１の内部
空間に空気が存在している。この状態から乾留を実施す
る。乾留過程では開閉弁８、９は閉じられており、空気
や窒素ガスの供給は行われない。回路基板の加熱により
水分、炭酸ガス、ハロゲン物質ガスなどを生じ有底容器
１の内部圧力が高まると、それらは圧力弁１０を介して
容器外へ放出され液体回収装置１１、ガス回収装置１２
に通じ所定に中和処理などが施される。なお、真空ポン
プは停止したままである。
【００２７】不活性ガスたとえば窒素ガス雰囲気中で乾
留を行う場合、開閉弁８を介して窒素ガスが常時供給さ
れている。また、開閉弁９も常時開に設定され液体回収
装置１１、ガス回収装置１２に通じている。真空ポンプ
は停止している。有酸素状態で乾留を実施する場合は当
然のことながら、空気を開閉弁８を介して常時供給すれ
ばよい。この場合も開閉弁９は開状態に設定される。真
空ポンプは停止したままである。なお、被乾留物は電子
部品を半田付け実装したフェノール樹脂基板、ガラスエ
ポキシ基板等の回路基板に限るものでない。一般的な樹
脂部材など任意としてよいことは言うまでもない。ま
た、予め回路基板から電子部品や半田を取り除いておい
てよいことも同様である。
留を行う場合、開閉弁８を介して窒素ガスが常時供給さ
れている。また、開閉弁９も常時開に設定され液体回収
装置１１、ガス回収装置１２に通じている。真空ポンプ
は停止している。有酸素状態で乾留を実施する場合は当
然のことながら、空気を開閉弁８を介して常時供給すれ
ばよい。この場合も開閉弁９は開状態に設定される。真
空ポンプは停止したままである。なお、被乾留物は電子
部品を半田付け実装したフェノール樹脂基板、ガラスエ
ポキシ基板等の回路基板に限るものでない。一般的な樹
脂部材など任意としてよいことは言うまでもない。ま
た、予め回路基板から電子部品や半田を取り除いておい
てよいことも同様である。
【００２８】本発明における第１の乾留方法は回路基板
を構成する樹脂部材の炭化を簡単なカートリッジ型の装
置で実施でき、樹脂等の炭化物と金属、ガラス繊維との
分離を容易に行える。
を構成する樹脂部材の炭化を簡単なカートリッジ型の装
置で実施でき、樹脂等の炭化物と金属、ガラス繊維との
分離を容易に行える。
【００２９】（乾留方法２）本発明における第２の乾留
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記回路基板３０に糠類、穀類の粒または粉末、豆
類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉末、落花
生の殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはそ
の組合せからなる分離剤を散布する工程と、前記有底容
器１を高周波加熱手段内に装填する工程と、前記回路基
板を前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加
熱し炭化させる工程と、前記炭化した回路基板を室温程
度に冷却する工程と、前記炭化した回路基板を有底容器
１から排出する工程とからなる。
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記回路基板３０に糠類、穀類の粒または粉末、豆
類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉末、落花
生の殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはそ
の組合せからなる分離剤を散布する工程と、前記有底容
器１を高周波加熱手段内に装填する工程と、前記回路基
板を前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加
熱し炭化させる工程と、前記炭化した回路基板を室温程
度に冷却する工程と、前記炭化した回路基板を有底容器
１から排出する工程とからなる。
【００３０】本発明における第２の乾留方法は当初、有
酸素状態である。即ち、蓋を開け回路基板３０を収納
し、分離剤を散布し、再び閉蓋した状態では有底容器の
内部空間に空気が存在している。この状態から乾留を実
施する。乾留過程では開閉弁８、９は閉じられており、
空気や窒素ガスの供給は行われない。真空ポンプも停止
したままである。回路基板３０の加熱により水分、炭酸
ガス、ハロゲン物質ガスなどを生じ有底容器１の内部圧
力が高まると、それらは圧力弁１０を介して容器外へ放
出され、液体回収装置１１、ガス回収装置１２に通じて
いる。
酸素状態である。即ち、蓋を開け回路基板３０を収納
し、分離剤を散布し、再び閉蓋した状態では有底容器の
内部空間に空気が存在している。この状態から乾留を実
施する。乾留過程では開閉弁８、９は閉じられており、
空気や窒素ガスの供給は行われない。真空ポンプも停止
したままである。回路基板３０の加熱により水分、炭酸
ガス、ハロゲン物質ガスなどを生じ有底容器１の内部圧
力が高まると、それらは圧力弁１０を介して容器外へ放
出され、液体回収装置１１、ガス回収装置１２に通じて
いる。
【００３１】不活性ガスたとえば窒素ガス雰囲気中で乾
留を行う場合、開閉弁８を介して窒素ガスが常時供給さ
れている。また、開閉弁９も常時開に設定され液体回収
装置１１、ガス回収装置１２に通じている。真空ポンプ
は停止している。有酸素状態で乾留を実施する場合は当
然のことながら、空気を開閉弁８を介して常時供給すれ
ばよい。この場合も開閉弁９は開状態に設定される。
留を行う場合、開閉弁８を介して窒素ガスが常時供給さ
れている。また、開閉弁９も常時開に設定され液体回収
装置１１、ガス回収装置１２に通じている。真空ポンプ
は停止している。有酸素状態で乾留を実施する場合は当
然のことながら、空気を開閉弁８を介して常時供給すれ
ばよい。この場合も開閉弁９は開状態に設定される。
【００３２】前記分離剤たとえば糠または胡麻の散布量
は有底容器１の容積５０リットル当たり大さじ２〜３杯
程度とした。
は有底容器１の容積５０リットル当たり大さじ２〜３杯
程度とした。
【００３３】本発明における第２の乾留方法は前記分離
剤からにじみ出た油成分とリンＰ等が半田の分離を促進
し、炭化物にしみこんで樹脂等の炭化物、金属、ガラス
繊維の相互分離を一層容易にする。
剤からにじみ出た油成分とリンＰ等が半田の分離を促進
し、炭化物にしみこんで樹脂等の炭化物、金属、ガラス
繊維の相互分離を一層容易にする。
【００３４】（乾留方法３）本発明における第３の乾留
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記回路基板３０に籾殻、砂、炭化物の粉末の内か
ら選択したいずれか一つ，またはその組合せからなる覆
い材２０を散布して前記収納した回路基板３０の表面を
覆う工程と、前記有底容器１を高周波加熱手段内に装填
する工程と、前記回路基板３０を前記高周波加熱手段に
より２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前
記炭化した回路基板を室温程度に冷却する工程と、前記
炭化した回路基板を有底容器から排出する工程とからな
る。
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記回路基板３０に籾殻、砂、炭化物の粉末の内か
ら選択したいずれか一つ，またはその組合せからなる覆
い材２０を散布して前記収納した回路基板３０の表面を
覆う工程と、前記有底容器１を高周波加熱手段内に装填
する工程と、前記回路基板３０を前記高周波加熱手段に
より２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前
記炭化した回路基板を室温程度に冷却する工程と、前記
炭化した回路基板を有底容器から排出する工程とからな
る。
【００３５】また、有底容器１内に回路基板３０を収納
する工程と、前記回路基板３０に籾殻、砂、炭化物の粉
末の内から選択したいずれか一つ，またはその組合せか
らなる覆い材２０を散布して前記回路基板３０の表面を
覆う工程と、前記有底容器１を閉蓋する工程と、前記有
底容器１を高周波加熱手段内に装填する工程と、前記回
路基板３０を前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５
０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回路基板
を室温程度に冷却する工程と、前記炭化した回路基板を
有底容器１から排出する工程とからなる。
する工程と、前記回路基板３０に籾殻、砂、炭化物の粉
末の内から選択したいずれか一つ，またはその組合せか
らなる覆い材２０を散布して前記回路基板３０の表面を
覆う工程と、前記有底容器１を閉蓋する工程と、前記有
底容器１を高周波加熱手段内に装填する工程と、前記回
路基板３０を前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５
０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回路基板
を室温程度に冷却する工程と、前記炭化した回路基板を
有底容器１から排出する工程とからなる。
【００３６】即ち、本発明における第３の乾留方法は籾
殻、砂、炭化物の粉末の内から選択した覆い材２０で被
乾留物を覆い、空気を遮断することによって回路基板等
を蒸し焼きするものである。この場合、開閉弁８、９は
閉じられ真空ポンプ１３は停止している。
殻、砂、炭化物の粉末の内から選択した覆い材２０で被
乾留物を覆い、空気を遮断することによって回路基板等
を蒸し焼きするものである。この場合、開閉弁８、９は
閉じられ真空ポンプ１３は停止している。
【００３７】籾殻は加熱によって酸素を消費し炭化す
る。そして有底容器１内の酸素濃度を低下させ半田、銅
箔等の酸化を抑制する。また、炭化した籾殻、炭化物の
粉末は吸着剤として回路基板から放出されたガスの一部
を吸着、固定可能である。
る。そして有底容器１内の酸素濃度を低下させ半田、銅
箔等の酸化を抑制する。また、炭化した籾殻、炭化物の
粉末は吸着剤として回路基板から放出されたガスの一部
を吸着、固定可能である。
【００３８】第３の乾留方法は窒素ガス供給手段や真空
ポンプを不要にし、装置構成がシンプルとなる。
ポンプを不要にし、装置構成がシンプルとなる。
【００３９】（乾留方法４）本発明における第４の乾留
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記有底容器１を閉蓋し有底容器１内の空気を排出
し減圧する工程と、前記有底容器１を高周波加熱手段内
に装填する工程と、減圧状態で前記回路基板３０を前記
高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化
させる工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却
する工程と、前記炭化した回路基板を有底容器１から排
出する工程とからなる。
方法は、有底容器１内に回路基板３０を収納する工程
と、前記有底容器１を閉蓋し有底容器１内の空気を排出
し減圧する工程と、前記有底容器１を高周波加熱手段内
に装填する工程と、減圧状態で前記回路基板３０を前記
高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化
させる工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却
する工程と、前記炭化した回路基板を有底容器１から排
出する工程とからなる。
【００４０】また、有底容器１内に回路基板３０を収納
する工程と、前記回路基板３０に糠類、穀類の粒または
粉末、豆類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉
末、落花生の殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，
またはその組合せからなる分離剤を散布する工程と、前
記有底容器１を閉蓋し有底容器１内の空気を排出し減圧
する工程と、前記有底容器１を高周波加熱手段内に装填
する工程と、減圧状態で前記回路基板３０を前記高周波
加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる
工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却する工
程と、前記炭化した回路基板を有底容器１から排出する
工程とからなる。
する工程と、前記回路基板３０に糠類、穀類の粒または
粉末、豆類の粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉
末、落花生の殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，
またはその組合せからなる分離剤を散布する工程と、前
記有底容器１を閉蓋し有底容器１内の空気を排出し減圧
する工程と、前記有底容器１を高周波加熱手段内に装填
する工程と、減圧状態で前記回路基板３０を前記高周波
加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる
工程と、前記炭化した回路基板を室温程度に冷却する工
程と、前記炭化した回路基板を有底容器１から排出する
工程とからなる。
【００４１】本発明例における第４の乾留方法は有底容
器内を減圧状態にしておいて実施するが、回路基板等か
ら生じる水分、ガス等は液体回収装置１１およびガス回
収装置１２に導かれる構成とした。即ち、開閉弁８は閉
状態、開閉弁９は開状態にある。また、真空ポンプは一
定の減圧状態に達したのち停止させている。加熱時にも
停止させている。減圧することにより金属部材の酸化を
低減し、回路基板からハロゲン物質ガス等が放出しやす
くなる。なお、乾留中も真空ポンプで排気、減圧するよ
うにしてもよい。
器内を減圧状態にしておいて実施するが、回路基板等か
ら生じる水分、ガス等は液体回収装置１１およびガス回
収装置１２に導かれる構成とした。即ち、開閉弁８は閉
状態、開閉弁９は開状態にある。また、真空ポンプは一
定の減圧状態に達したのち停止させている。加熱時にも
停止させている。減圧することにより金属部材の酸化を
低減し、回路基板からハロゲン物質ガス等が放出しやす
くなる。なお、乾留中も真空ポンプで排気、減圧するよ
うにしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、装置構成
が小型簡単で、不活性ガスの消費量が少なくリサイクル
費用の低減を図れる。また、プリント配線基板の種類に
応じたロットの切換が簡単で、少量の炭化処理を可能に
する。さらに、半田の分離、回収率等も向上し地球環境
保護に役立つ。さらに、各種電子部品を搭載したプリン
ト配線基板等を炭化させ、搭載した部品と基板樹脂と銅
箔とガラス繊維などを分別回収できる。
が小型簡単で、不活性ガスの消費量が少なくリサイクル
費用の低減を図れる。また、プリント配線基板の種類に
応じたロットの切換が簡単で、少量の炭化処理を可能に
する。さらに、半田の分離、回収率等も向上し地球環境
保護に役立つ。さらに、各種電子部品を搭載したプリン
ト配線基板等を炭化させ、搭載した部品と基板樹脂と銅
箔とガラス繊維などを分別回収できる。
【図１】本発明の一実施例における乾留装置の概念の模
式図
式図
１ 有底容器（カートリッジ） ２ 蓋体 ３、４ 配管 ５ プランジャー ６ 金網 ７ 高周波加熱コイル ８、９ 開閉弁 １０ 圧力弁 １１ 液体回収装置 １２ ガス回収装置 １３ 真空ポンプ １５ シリンダー １６ 貫通孔 ２０ 覆い材（籾殻、炭化物の粉末、砂） ３０ 回路基板（被乾留物） ４０ 滴下物（半田） １００ 乾留装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１０Ｂ 57/12 Ｆ２７Ｂ 5/04 ４Ｋ０６３ Ｆ２７Ｂ 5/04 5/13 5/13 5/14 5/14 5/16 5/16 Ｆ２７Ｄ 11/06 Ａ Ｆ２７Ｄ 11/06 Ｃ２２Ｂ 1/00 ６０１ // Ｃ２２Ｂ 1/00 ６０１ 7/00 Ｆ 7/00 9/02 9/02 Ｂ０９Ｂ 3/00 ３０２Ｆ ３０２Ｚ (72)発明者 古家 嘉昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 志水 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4D004 AA24 AB06 BA05 BA07 CA26 CA32 CB31 CC01 CC15 DA03 DA06 4F301 AA22 AA24 BA01 BA02 BA12 BA29 BE37 BF10 BF20 CA02 CA07 CA25 CA46 CA52 CA63 CA72 CA73 4H012 HB01 LA05 4K001 AA09 BA22 CA02 DA06 EA03 EA05 GA08 GA17 HA10 HA12 4K061 AA01 AA05 BA11 CA05 DA05 EA01 FA06 FA07 FA13 4K063 AA05 AA06 AA15 BA12 CA02 DA05 FA34 FA43
Claims (15)
- 【請求項１】 被乾留物を収納する有底容器と、前記有
底容器の開口を閉蓋する蓋体と、前記有底容器を周囲よ
り加熱する高周波加熱手段とからなることを特徴とする
乾留装置。 - 【請求項２】 蓋体にガスの流入手段と排出手段とを備
えたことを特徴とする請求項１記載の乾留装置。 - 【請求項３】 有底容器の底部に収納物を押し出すプラ
ンジャーを摺動可能に備えたことを特徴とする請求項２
記載の乾留装置。 - 【請求項４】 有底容器に回路基板を収納する工程と、
前記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工程と、前
記回路基板を前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５
０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回路基板
を有底容器から排出する工程とからなることを特徴とす
る回路基板の乾留方法。 - 【請求項５】 有底容器に回路基板を収納する工程と、
前記有底容器を閉蓋し不活性ガスを封入する工程と、前
記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工程と、前記
回路基板を前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５０
℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回路基板を
有底容器から排出する工程とからなることを特徴とする
回路基板の乾留方法。 - 【請求項６】 有底容器に被乾留物を収納する工程と、
前記被乾留物に糠類、穀類の粒または粉末、豆類の粉
末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉末、落花生の殻
の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはその組合
せからなる分離剤を散布する工程と、前記有底容器を高
周波加熱手段内に装填する工程と、前記被乾留物を前記
高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化
させる工程と、前記炭化した被乾留物を有底容器から排
出する工程とからなることを特徴とする乾留方法。 - 【請求項７】 有底容器に被乾留物を収納する工程と、
前記被乾留物に糠類、穀類の粒または粉末、豆類の粉
末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉末、落花生の殻
の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはその組合
せからなる分離剤を散布する工程と、前記有底容器を閉
蓋し不活性ガスを封入する工程と、前記有底容器を高周
波加熱手段内に装填する工程と、前記被乾留物を前記高
周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化さ
せる工程と、前記炭化した被乾留物を有底容器から排出
する工程とからなることを特徴とする乾留方法。 - 【請求項８】 糠類を米糠、ふすま、麦糠、大麦混合
糠、裸麦糠、裸麦混合糠の内いずれか一つ，またはその
組合せ、豆類を大豆、小豆、落花生、ココナッツの内い
ずれか一つ，またはその組合せ、種子をゴマ、ヒマワ
リ、ヤシ、菜種、綿実の内いずれか一つ，またはその組
合せとしたことを特徴とする請求項７記載の乾留方法。 - 【請求項９】 有底容器に被乾留物を収納する工程と、
前記被乾留物に籾殻、砂、炭化物の粉末の内から選択し
たいずれか一つ，またはその組合せからなる覆い材を散
布して前記被乾留物の表面を覆う工程と、前記有底容器
を高周波加熱手段内に装填する工程と、前記被乾留物を
前記高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し
炭化させる工程と、前記炭化した被乾留物を有底容器か
ら排出する工程とからなることを特徴とする乾留方法。 - 【請求項１０】 有底容器に被乾留物を収納する工程
と、前記被乾留物に籾殻、砂、炭化物の粉末の内から選
択したいずれか一つ，またはその組合せからなる覆い材
を散布して前記被乾留物の表面を覆う工程と、前記有底
容器を閉蓋する工程と、前記有底容器を高周波加熱手段
内に装填する工程と、前記被乾留物を前記高周波加熱手
段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化させる工程
と、前記炭化した被乾留物を有底容器から排出する工程
とからなることを特徴とする乾留方法。 - 【請求項１１】 有底容器に回路基板を収納する工程
と、前記有底容器を閉蓋し有底容器内を減圧する工程
と、前記有底容器を高周波加熱手段内に装填する工程
と、前記回路基板を前記高周波加熱手段により２５０℃
〜４５０℃に加熱し炭化させる工程と、前記炭化した回
路基板を有底容器から排出する工程とからなることを特
徴とする回路基板の乾留方法。 - 【請求項１２】 有底容器に回路基板を収納する工程
と、前記回路基板に糠類、穀類の粒または粉末、豆類の
粉末、種子の粒または粉末、大豆カスの粉末、落花生の
殻の粉末の内から選択したいずれか一つ，またはその組
合せからなる分離剤を散布する工程と、前記有底容器を
閉蓋し有底容器内を減圧する工程と、前記有底容器を高
周波加熱手段内に装填する工程と、前記回路基板を前記
高周波加熱手段により２５０℃〜４５０℃に加熱し炭化
させる工程と、前記炭化した回路基板を有底容器から排
出する工程とからなることを特徴とする回路基板の乾留
方法。 - 【請求項１３】 回路基板または被乾留物が複数の電子
部品を実装してなることを特徴とする請求項４〜１２の
いずれか１項に記載の乾留方法。 - 【請求項１４】 被乾留物を収納する有底容器と、前記
有底容器の開口を閉蓋するとともにガスの流入配管と排
出配管とを備えた蓋体と、前記有底容器を周囲より加熱
する高周波加熱手段と、前記有底容器内のガスを排出す
るガス排出手段とからなることを特徴とする乾留装置。 - 【請求項１５】 さらに、排出ガスを中和処理するガス
処理装置を備えたことを特徴とする請求項１４記載の乾
留装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8582199A JP2000273462A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 乾留装置と乾留方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8582199A JP2000273462A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 乾留装置と乾留方法 |
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|---|---|
| JP2000273462A true JP2000273462A (ja) | 2000-10-03 |
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ID=13869533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8582199A Pending JP2000273462A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 乾留装置と乾留方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000273462A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006220328A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 誘導加熱式乾留炉 |
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| CN102500858A (zh) * | 2011-10-28 | 2012-06-20 | 北京工业大学 | 高频感应加热分离废旧电路板中电子元器件的系统及方法 |
| CN102706712A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-03 | 智胜化工股份有限公司 | 氨法脱硫烟气排放监测分析机构前置伴热氨吸收法及装置 |
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-
1999
- 1999-03-29 JP JP8582199A patent/JP2000273462A/ja active Pending
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