JP2000273226A - 樹脂基材表面への金属膜形成方法 - Google Patents
樹脂基材表面への金属膜形成方法Info
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- JP2000273226A JP2000273226A JP11080273A JP8027399A JP2000273226A JP 2000273226 A JP2000273226 A JP 2000273226A JP 11080273 A JP11080273 A JP 11080273A JP 8027399 A JP8027399 A JP 8027399A JP 2000273226 A JP2000273226 A JP 2000273226A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂基材の表面に凹凸を形成したり、所望の
金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、平
滑な樹脂基材の表面に熱ストレスをかけた後でも十分に
密着力高い金属膜を短時間で形成することができる樹脂
基材表面への金属膜形成方法を提供することにある。 【解決手段】 メチレン鎖を有する樹脂を主成分とする
樹脂基材表面にメチレン基どうしが架橋反応により強固
に結合した架橋層を形成した後に、この樹脂基材表面に
気相成長法あるいは湿式めっきにて金属膜を形成する。
金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、平
滑な樹脂基材の表面に熱ストレスをかけた後でも十分に
密着力高い金属膜を短時間で形成することができる樹脂
基材表面への金属膜形成方法を提供することにある。 【解決手段】 メチレン鎖を有する樹脂を主成分とする
樹脂基材表面にメチレン基どうしが架橋反応により強固
に結合した架橋層を形成した後に、この樹脂基材表面に
気相成長法あるいは湿式めっきにて金属膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂基材表面への
金属膜形成方法に関し、具体的には、樹脂基材表面に密
着力の高い金属膜を形成する樹脂基材表面への金属膜形
成方法に関するものである。
金属膜形成方法に関し、具体的には、樹脂基材表面に密
着力の高い金属膜を形成する樹脂基材表面への金属膜形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂基材表面への気相成長法あるいは湿
式めっきによる金属膜形成技術は、装飾品、フレキシブ
ルプリント基板などの電子機器部品、包装用フィルムを
はじめ、幅広く利用される技術である。しかしながら、
樹脂基材表面への気相成長法あるいは湿式めっきによる
金属膜形成技術における大きな問題点として、樹脂基材
と金属膜との密着性が挙げられ、密着直後の密着強度を
熱ストレスをかけた後でも維持することができる程度ま
で、樹脂基材表面に強固に密着した金属膜を得ることは
非常に難しい。
式めっきによる金属膜形成技術は、装飾品、フレキシブ
ルプリント基板などの電子機器部品、包装用フィルムを
はじめ、幅広く利用される技術である。しかしながら、
樹脂基材表面への気相成長法あるいは湿式めっきによる
金属膜形成技術における大きな問題点として、樹脂基材
と金属膜との密着性が挙げられ、密着直後の密着強度を
熱ストレスをかけた後でも維持することができる程度ま
で、樹脂基材表面に強固に密着した金属膜を得ることは
非常に難しい。
【０００３】従来、この問題を解決するために様々な方
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って樹脂基材表面に凹凸を形成し、アンカー効
果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われてい
る。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じる
ため、金属光沢が得られず、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のために工程が複雑になるなどの問題が
あった。
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って樹脂基材表面に凹凸を形成し、アンカー効
果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われてい
る。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じる
ため、金属光沢が得られず、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のために工程が複雑になるなどの問題が
あった。
【０００４】また、金属膜を形成する前に、樹脂基材表
面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのであった。
面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのであった。
【０００５】また、特開昭６３−２７０４５５号公報に
は、アルゴンガス、窒素等の不活性ガスまたは酸素、二
酸化炭素などの活性ガスを用いて、これらの単独または
混合ガスのプラズマで表面処理を行った後、金属膜を形
成する方法が提案されている。このような表面処理で
は、樹脂基材表面を活性化させるとともに、−ＯＨ等の
官能基形成が行われる。そして、この−ＯＨ等の官能基
は金属との親和性が高く、金属膜の密着性を高める働き
をするというのである。
は、アルゴンガス、窒素等の不活性ガスまたは酸素、二
酸化炭素などの活性ガスを用いて、これらの単独または
混合ガスのプラズマで表面処理を行った後、金属膜を形
成する方法が提案されている。このような表面処理で
は、樹脂基材表面を活性化させるとともに、−ＯＨ等の
官能基形成が行われる。そして、この−ＯＨ等の官能基
は金属との親和性が高く、金属膜の密着性を高める働き
をするというのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂基材表面への金属膜形成方法のように、プラズ
マによる前処理によっても、十分に良好な樹脂基材と金
属膜との密着性が得られるというまでには至らなかっ
た。
来の樹脂基材表面への金属膜形成方法のように、プラズ
マによる前処理によっても、十分に良好な樹脂基材と金
属膜との密着性が得られるというまでには至らなかっ
た。
【０００７】なお、特開平５−１７９０３０号公報に開
示されているごとく、金属膜ではないが、樹脂基材と転
写テープの密着性を高めるために、転写テープに紫外線
硬化性樹脂を塗布してから、樹脂基材と貼り合わせた
後、紫外線を照射して硬化させることによって、架橋硬
化層を形成して密着性を高めているが、紫外線硬化性樹
脂、すなわち、架橋剤を塗布するという工程が別途必要
であり、架橋剤塗布量のバラツキによる密着強度の不均
一の発生や短時間で処理できないという問題があった。
示されているごとく、金属膜ではないが、樹脂基材と転
写テープの密着性を高めるために、転写テープに紫外線
硬化性樹脂を塗布してから、樹脂基材と貼り合わせた
後、紫外線を照射して硬化させることによって、架橋硬
化層を形成して密着性を高めているが、紫外線硬化性樹
脂、すなわち、架橋剤を塗布するという工程が別途必要
であり、架橋剤塗布量のバラツキによる密着強度の不均
一の発生や短時間で処理できないという問題があった。
【０００８】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであって、その目的とするところは、樹脂基材
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な樹脂基材の表面
に熱ストレスをかけた後でも十分に密着力高い金属膜を
短時間で形成することができる樹脂基材表面への金属膜
形成方法を提供することにある。
れたものであって、その目的とするところは、樹脂基材
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な樹脂基材の表面
に熱ストレスをかけた後でも十分に密着力高い金属膜を
短時間で形成することができる樹脂基材表面への金属膜
形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
樹脂基材表面への金属膜形成方法は、メチレン鎖を有す
る樹脂を主成分とする樹脂基材表面にメチレン基どうし
が架橋反応により強固に結合した架橋層を形成した後
に、この樹脂基材表面に気相成長法あるいは湿式めっき
にて金属膜を形成することを特徴とする。
樹脂基材表面への金属膜形成方法は、メチレン鎖を有す
る樹脂を主成分とする樹脂基材表面にメチレン基どうし
が架橋反応により強固に結合した架橋層を形成した後
に、この樹脂基材表面に気相成長法あるいは湿式めっき
にて金属膜を形成することを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記架橋層が、上記樹脂基材表面に
紫外線が照射されることで形成されたものであることを
特徴とする。
金属膜形成方法は、上記架橋層が、上記樹脂基材表面に
紫外線が照射されることで形成されたものであることを
特徴とする。
【００１１】本発明の請求項３に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記架橋層が、アルゴンプラズマで
発生した真空紫外線が照射されることで形成されたもの
であることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記架橋層が、アルゴンプラズマで
発生した真空紫外線が照射されることで形成されたもの
であることを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項４に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記架橋層が、アルゴンと窒素との
混合プラズマで発生した真空紫外線が照射されることで
形成されたものであることを特徴とする。
金属膜形成方法は、上記架橋層が、アルゴンと窒素との
混合プラズマで発生した真空紫外線が照射されることで
形成されたものであることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５に係る樹脂基材表面への
金属膜形成方法は、上記メチレン鎖を有する樹脂が、ポ
リエチレン、ポリメチレン、ポリアミド、ポリエステル
からなる群のうち、いずれか１種であることを特徴とす
る。
金属膜形成方法は、上記メチレン鎖を有する樹脂が、ポ
リエチレン、ポリメチレン、ポリアミド、ポリエステル
からなる群のうち、いずれか１種であることを特徴とす
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
【００１５】本発明の樹脂基材表面への金属膜形成方法
は、メチレン鎖を有する樹脂を主成分とする樹脂基材表
面にメチレン基どうしが架橋反応により強固に結合した
架橋層を形成した後に、この樹脂基材表面に気相成長法
あるいは湿式めっきにて金属膜を形成するものである。
は、メチレン鎖を有する樹脂を主成分とする樹脂基材表
面にメチレン基どうしが架橋反応により強固に結合した
架橋層を形成した後に、この樹脂基材表面に気相成長法
あるいは湿式めっきにて金属膜を形成するものである。
【００１６】このような樹脂基材表面への金属膜形成方
法によれば、樹脂基材表面にメチレン基どうしが酸素に
よって架橋して強固に結合した架橋層を形成すること
で、同樹脂基材の寸法が安定になり、熱ストレスがかか
った後の同樹脂基材の熱収縮が抑えられるものとなる。
よって、金属膜形成後に熱ストレスがかかっても、樹脂
基材の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属膜との界
面での剥離が抑えられ、この樹脂基材表面に気相成長法
あるいは湿式めっきにより形成した金属膜が強く密着す
ることになる。
法によれば、樹脂基材表面にメチレン基どうしが酸素に
よって架橋して強固に結合した架橋層を形成すること
で、同樹脂基材の寸法が安定になり、熱ストレスがかか
った後の同樹脂基材の熱収縮が抑えられるものとなる。
よって、金属膜形成後に熱ストレスがかかっても、樹脂
基材の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属膜との界
面での剥離が抑えられ、この樹脂基材表面に気相成長法
あるいは湿式めっきにより形成した金属膜が強く密着す
ることになる。
【００１７】また、上記気相成長法としては、スパッタ
リング法や真空蒸着法などを代表的に例示することがで
きる。また、金属膜としては、遷移金属が考えられる
が、その中でも、銅膜が代表的なものであるが、その他
にも、銀、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニウム、ス
ズ、クロム、モリブデン、鉄などを用いることができる
ものである。
リング法や真空蒸着法などを代表的に例示することがで
きる。また、金属膜としては、遷移金属が考えられる
が、その中でも、銅膜が代表的なものであるが、その他
にも、銀、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニウム、ス
ズ、クロム、モリブデン、鉄などを用いることができる
ものである。
【００１８】なお、上記金属膜の厚みは、特に制限され
ないが、０．０１〜数１０μｍ程度の一般的な厚みに形
成することができるものである。
ないが、０．０１〜数１０μｍ程度の一般的な厚みに形
成することができるものである。
【００１９】このような樹脂基材表面への金属膜形成方
法は、従来の微細な凹凸形成による前処理に比較して、
工程が簡単なものとなり、その結果、短時間で行うこと
ができるものである。
法は、従来の微細な凹凸形成による前処理に比較して、
工程が簡単なものとなり、その結果、短時間で行うこと
ができるものである。
【００２０】そして、樹脂基材の表面に微細な凹凸形成
をする必要がないので、形成した金属膜に光沢が得ら
れ、装飾用、反射鏡用などの用途に有用なものとなる。
しかも、高周波用回路基板に使用される場合であると、
凹凸による表皮抵抗が生じる心配がないので、電気特性
の良好な高周波用回路基板となるものである。
をする必要がないので、形成した金属膜に光沢が得ら
れ、装飾用、反射鏡用などの用途に有用なものとなる。
しかも、高周波用回路基板に使用される場合であると、
凹凸による表皮抵抗が生じる心配がないので、電気特性
の良好な高周波用回路基板となるものである。
【００２１】なお、所望の金属膜の下層にチタンまたは
クロムなどのプリコート層を存在させる必要がないの
で、電子材料用途の回路基板に使用される場合である
と、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を与え
ることがなく、回路形成が容易であって、樹脂基材をベ
ースとした回路板の製造により適した金属膜形成方法と
なっているものである。
クロムなどのプリコート層を存在させる必要がないの
で、電子材料用途の回路基板に使用される場合である
と、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を与え
ることがなく、回路形成が容易であって、樹脂基材をベ
ースとした回路板の製造により適した金属膜形成方法と
なっているものである。
【００２２】また、上記架橋層が、上記樹脂基材表面に
紫外線が照射されることで形成されたものであると、樹
脂基材表面に紫外線が照射されることで分子鎖の絡み合
いのみで弱く物理的に結合していたメチレン基どうしが
酸素によって架橋して、強固に結合した架橋層を確実に
形成されるようになるものであり、この架橋層にて、同
樹脂基材の寸法が確実に安定になり、熱ストレスがかか
った後の同樹脂基材の熱収縮が確実に抑えられるものと
なる。よって、金属膜形成後に熱ストレスがかかって
も、樹脂基材の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属
膜との界面での剥離が確実に抑えられ、この樹脂基材表
面に気相成長法あるいは湿式めっきにより形成した金属
膜が確実に強く密着することになる。
紫外線が照射されることで形成されたものであると、樹
脂基材表面に紫外線が照射されることで分子鎖の絡み合
いのみで弱く物理的に結合していたメチレン基どうしが
酸素によって架橋して、強固に結合した架橋層を確実に
形成されるようになるものであり、この架橋層にて、同
樹脂基材の寸法が確実に安定になり、熱ストレスがかか
った後の同樹脂基材の熱収縮が確実に抑えられるものと
なる。よって、金属膜形成後に熱ストレスがかかって
も、樹脂基材の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属
膜との界面での剥離が確実に抑えられ、この樹脂基材表
面に気相成長法あるいは湿式めっきにより形成した金属
膜が確実に強く密着することになる。
【００２３】すなわち、紫外線硬化性樹脂などの架橋剤
を塗布することなく、架橋層を形成することができるの
で、硬化剤の塗布量のバラツキによって生じる密度強度
の不均一を防止することができるものである。
を塗布することなく、架橋層を形成することができるの
で、硬化剤の塗布量のバラツキによって生じる密度強度
の不均一を防止することができるものである。
【００２４】上記紫外線を照射する方法としては、例え
ば、水銀ランプ、水素放電管、キセノン放電管などを光
源として発生させた紫外線を大気中で樹脂基材表面に照
射するものである。紫外線は、短波長であるので、エネ
ルギーが大きく、樹脂表面に吸収されて架橋反応を起こ
すことができるものである。
ば、水銀ランプ、水素放電管、キセノン放電管などを光
源として発生させた紫外線を大気中で樹脂基材表面に照
射するものである。紫外線は、短波長であるので、エネ
ルギーが大きく、樹脂表面に吸収されて架橋反応を起こ
すことができるものである。
【００２５】特に、上記架橋層が、アルゴンプラズマで
発生した真空紫外線が照射されることで形成されたもの
であると、このアルゴンプラズマで発生した２００ｎｍ
以下の波長の真空紫外線により、通常の紫外線よりも短
波長であるので、より一層エネルギーが大きく、メチレ
ン基どうしが酸素によって架橋してより一層強固に結合
した架橋層をより一層確実に形成されるようになるもの
であり、この架橋層にて、同樹脂基材の寸法がより一層
確実に安定になり、熱ストレスがかかった後の同樹脂基
材の熱収縮がより一層確実に抑えられるものとなる。よ
って、金属膜形成後に熱ストレスがかかっても、樹脂基
材の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属膜との界面
での剥離がより一層確実に抑えられ、この樹脂基材表面
に気相成長法あるいは湿式めっきにより形成した金属膜
がより一層確実に強く密着することになる。
発生した真空紫外線が照射されることで形成されたもの
であると、このアルゴンプラズマで発生した２００ｎｍ
以下の波長の真空紫外線により、通常の紫外線よりも短
波長であるので、より一層エネルギーが大きく、メチレ
ン基どうしが酸素によって架橋してより一層強固に結合
した架橋層をより一層確実に形成されるようになるもの
であり、この架橋層にて、同樹脂基材の寸法がより一層
確実に安定になり、熱ストレスがかかった後の同樹脂基
材の熱収縮がより一層確実に抑えられるものとなる。よ
って、金属膜形成後に熱ストレスがかかっても、樹脂基
材の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属膜との界面
での剥離がより一層確実に抑えられ、この樹脂基材表面
に気相成長法あるいは湿式めっきにより形成した金属膜
がより一層確実に強く密着することになる。
【００２６】なお、ここで用いられるプラズマの形態と
しては、例えば、マイクロ波放電プラズマ、高周波放電
プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を挙げることができるもの
である。
しては、例えば、マイクロ波放電プラズマ、高周波放電
プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を挙げることができるもの
である。
【００２７】同様に、上記架橋層が、アルゴンと窒素と
の混合プラズマで発生した真空紫外線が照射されること
で形成されたものであると、このアルゴンプラズマと窒
素プラズマとの混合プラズマで発生した２００ｎｍ以下
の波長の真空紫外線により、通常の紫外線よりも短波長
であるので、より一層エネルギーが大きく、メチレン基
どうしが酸素によって架橋してより一層強固に結合した
架橋層をより一層確実に形成されるようになるものであ
り、この架橋層にて、同樹脂基材の寸法がより一層確実
に安定になり、熱ストレスがかかった後の同樹脂基材の
熱収縮がより一層確実に抑えられるものとなる。よっ
て、金属膜形成後に熱ストレスがかかっても、樹脂基材
の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属膜との界面で
の剥離がより一層確実に抑えられ、この樹脂基材表面に
気相成長法あるいは湿式めっきにより形成した金属膜が
より一層確実に強く密着することになる。しかも、窒素
プラズマにより、樹脂基材表面の活性化によって、金属
との親和性の高い水酸基などの官能基の生成も起こるの
で、さらに密着性を強固にすることができるものであ
る。
の混合プラズマで発生した真空紫外線が照射されること
で形成されたものであると、このアルゴンプラズマと窒
素プラズマとの混合プラズマで発生した２００ｎｍ以下
の波長の真空紫外線により、通常の紫外線よりも短波長
であるので、より一層エネルギーが大きく、メチレン基
どうしが酸素によって架橋してより一層強固に結合した
架橋層をより一層確実に形成されるようになるものであ
り、この架橋層にて、同樹脂基材の寸法がより一層確実
に安定になり、熱ストレスがかかった後の同樹脂基材の
熱収縮がより一層確実に抑えられるものとなる。よっ
て、金属膜形成後に熱ストレスがかかっても、樹脂基材
の寸法変化で生じる応力による樹脂と金属膜との界面で
の剥離がより一層確実に抑えられ、この樹脂基材表面に
気相成長法あるいは湿式めっきにより形成した金属膜が
より一層確実に強く密着することになる。しかも、窒素
プラズマにより、樹脂基材表面の活性化によって、金属
との親和性の高い水酸基などの官能基の生成も起こるの
で、さらに密着性を強固にすることができるものであ
る。
【００２８】なお、ここで用いられるプラズマの形態と
しては、上述の場合と同様に、例えば、マイクロ波放電
プラズマ、高周波放電プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を挙
げることができるものである。
しては、上述の場合と同様に、例えば、マイクロ波放電
プラズマ、高周波放電プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を挙
げることができるものである。
【００２９】また、上記メチレン鎖を有する樹脂が、ポ
リエチレン、ポリメチレン、ポリアミド、ポリエステル
からなる群のうち、いずれか１種であると、このような
樹脂にて、メチレン基どうしが酸素によって架橋して有
効、かつ、強固に結合した架橋層を確実に形成されるよ
うになるものである。
リエチレン、ポリメチレン、ポリアミド、ポリエステル
からなる群のうち、いずれか１種であると、このような
樹脂にて、メチレン基どうしが酸素によって架橋して有
効、かつ、強固に結合した架橋層を確実に形成されるよ
うになるものである。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００３１】（実施例１）請求項１および請求項２の発
明を説明する実施例を行った。水銀ランプを上部に搭載
したラックの下部にポリアミド基板を取り付けた。ラッ
クの外側は紫外線が作業者の目に直接入らないようにス
テンレス板で覆ってあり、その状況で水銀ランプを点灯
してポリアミド基板に紫外線を照射して表面処理を行っ
た。
明を説明する実施例を行った。水銀ランプを上部に搭載
したラックの下部にポリアミド基板を取り付けた。ラッ
クの外側は紫外線が作業者の目に直接入らないようにス
テンレス板で覆ってあり、その状況で水銀ランプを点灯
してポリアミド基板に紫外線を照射して表面処理を行っ
た。
【００３２】その後、別に用意したスパッタリング装置
内にポリアミド基板を入れ、基板表面に銅を蒸着して、
厚み０．５μｍの銅膜を形成し、スパッタリング装置か
らサンプリングのポリアミド基板を取り出した。
内にポリアミド基板を入れ、基板表面に銅を蒸着して、
厚み０．５μｍの銅膜を形成し、スパッタリング装置か
らサンプリングのポリアミド基板を取り出した。
【００３３】得られたサンプリングの断面を透過型電子
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．０５μｍであった。
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．０５μｍであった。
【００３４】（実施例２）請求項１および請求項３の発
明を説明する実施例を行った。ステンレス製の真空チャ
ンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパッタリン
グ源を備えつけてあり、この真空チャンバー内にポリア
ミド基板を取り付けた。同真空チャンバー内を１×１０
-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、アルゴン
ガスを導入し、アルゴンプラズマを発生させ、ポリアミ
ド基板に真空紫外線を照射して表面処理を行った。
明を説明する実施例を行った。ステンレス製の真空チャ
ンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパッタリン
グ源を備えつけてあり、この真空チャンバー内にポリア
ミド基板を取り付けた。同真空チャンバー内を１×１０
-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、アルゴン
ガスを導入し、アルゴンプラズマを発生させ、ポリアミ
ド基板に真空紫外線を照射して表面処理を行った。
【００３５】その後、真空チャンバー内のスパッタリン
グ装置にてポリアミド基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリアミド基板を取り出した。
グ装置にてポリアミド基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリアミド基板を取り出した。
【００３６】得られたサンプリングの断面を透過型電子
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．０８μｍであった。
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．０８μｍであった。
【００３７】（実施例３）請求項１および請求項４の発
明を説明する実施例を行った。ステンレス製の真空チャ
ンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパッタリン
グ源を備えつけてあり、この真空チャンバー内にポリア
ミド基板を取り付けた。同真空チャンバー内を１×１０
-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、アルゴン
ガスと窒素ガスが５０：５０に混合された混合ガスを導
入し、プラズマを発生させ、ポリアミド基板に真空紫外
線を照射して表面処理を行った。
明を説明する実施例を行った。ステンレス製の真空チャ
ンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパッタリン
グ源を備えつけてあり、この真空チャンバー内にポリア
ミド基板を取り付けた。同真空チャンバー内を１×１０
-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、アルゴン
ガスと窒素ガスが５０：５０に混合された混合ガスを導
入し、プラズマを発生させ、ポリアミド基板に真空紫外
線を照射して表面処理を行った。
【００３８】その後、真空チャンバー内のスパッタリン
グ装置にてポリアミド基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリアミド基板を取り出した。
グ装置にてポリアミド基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリアミド基板を取り出した。
【００３９】得られたサンプリングの断面を透過型電子
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．０７μｍであった。
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．０７μｍであった。
【００４０】（実施例４）請求項１および請求項５の発
明を説明する実施例を行った。ステンレス製の真空チャ
ンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパッタリン
グ源を備えつけてあり、この真空チャンバー内にポリエ
チレン基板を取り付けた。同真空チャンバー内を１×１
０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、アルゴ
ンガスと窒素ガスが５０：５０に混合された混合ガスを
導入し、プラズマを発生させ、ポリエチレン基板に真空
紫外線を照射して表面処理を行った。
明を説明する実施例を行った。ステンレス製の真空チャ
ンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパッタリン
グ源を備えつけてあり、この真空チャンバー内にポリエ
チレン基板を取り付けた。同真空チャンバー内を１×１
０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、アルゴ
ンガスと窒素ガスが５０：５０に混合された混合ガスを
導入し、プラズマを発生させ、ポリエチレン基板に真空
紫外線を照射して表面処理を行った。
【００４１】その後、真空チャンバー内のスパッタリン
グ装置にてポリエチレン基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリエチレン基板を取り出した。
グ装置にてポリエチレン基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリエチレン基板を取り出した。
【００４２】得られたサンプリングの断面を透過型電子
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．１０μｍであった。
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層の
厚みは０．１０μｍであった。
【００４３】（比較例１）本発明の効果を検証するため
に、従来発明による比較実験を行った。ステンレス製の
真空チャンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパ
ッタリング源を備えつけてあり、この真空チャンバー内
にポリアミド基板を取り付けた。同真空チャンバー内を
１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、
窒素ガスを導入し、窒素プラズマを発生させ、ポリアミ
ド基板に真空紫外線を照射して表面処理を行った。
に、従来発明による比較実験を行った。ステンレス製の
真空チャンバー内に高周波放電プラズマ電極と金属スパ
ッタリング源を備えつけてあり、この真空チャンバー内
にポリアミド基板を取り付けた。同真空チャンバー内を
１×１０-3Ｐａ以下になるまで真空排気した。その後、
窒素ガスを導入し、窒素プラズマを発生させ、ポリアミ
ド基板に真空紫外線を照射して表面処理を行った。
【００４４】その後、真空チャンバー内のスパッタリン
グ装置にてポリアミド基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリアミド基板を取り出した。
グ装置にてポリアミド基板表面に銅を蒸着して、厚み
０．５μｍの銅膜を形成し、真空チャンバーからサンプ
リングのポリアミド基板を取り出した。
【００４５】得られたサンプリングの断面を透過型電子
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層は
観察されなかった。
顕微鏡にて観察すると、密な構造になっている架橋層は
観察されなかった。
【００４６】上記の実施例１〜４および比較例１に述べ
た方法によって、樹脂基材の表面に形成した銅膜につい
て、密着性を評価するために碁盤目試験を行った。
た方法によって、樹脂基材の表面に形成した銅膜につい
て、密着性を評価するために碁盤目試験を行った。
【００４７】この試験は、銅膜に２ｍｍ間隔に碁盤目状
の切り目をナイフで入れた後、この表面にセロハンテー
プを貼って剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなけ
れば「○」と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなく
とも剥離すれば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入
れた場合のみ剥離すれば「△」と評価した。この結果を
下記の表１に示しておいた。
の切り目をナイフで入れた後、この表面にセロハンテー
プを貼って剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなけ
れば「○」と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなく
とも剥離すれば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入
れた場合のみ剥離すれば「△」と評価した。この結果を
下記の表１に示しておいた。
【００４８】
【表１】
【００４９】上記表１の実施例１〜４と比較例１とを対
比するとわかるように、本発明による各実施例のもの
は、いずれも比較例１に比べて銅膜の密着性が高いこと
がいえるものであり、本発明による金属膜の密着性の向
上の効果が確認されるものである。
比するとわかるように、本発明による各実施例のもの
は、いずれも比較例１に比べて銅膜の密着性が高いこと
がいえるものであり、本発明による金属膜の密着性の向
上の効果が確認されるものである。
【００５０】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る樹脂基材表面へ
の金属膜形成方法によると、樹脂基材の表面に凹凸を形
成したり、所望の金属膜以外の材料をプリコートしたり
することなく、平滑な樹脂基材の表面に熱ストレスをか
けた後でも十分に密着力高い金属膜を短時間で形成する
ことができるものである。
の金属膜形成方法によると、樹脂基材の表面に凹凸を形
成したり、所望の金属膜以外の材料をプリコートしたり
することなく、平滑な樹脂基材の表面に熱ストレスをか
けた後でも十分に密着力高い金属膜を短時間で形成する
ことができるものである。
【００５１】本発明の請求項２ないし請求項５に係る樹
脂基材表面への金属膜形成方法によると、請求項１記載
の場合に加えて、樹脂基材の表面に凹凸を形成したり、
所望の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることな
く、平滑な樹脂基材の表面に熱ストレスをかけた後でも
十分に密着力高い金属膜を短時間でより一層確実に形成
することができるものである。
脂基材表面への金属膜形成方法によると、請求項１記載
の場合に加えて、樹脂基材の表面に凹凸を形成したり、
所望の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることな
く、平滑な樹脂基材の表面に熱ストレスをかけた後でも
十分に密着力高い金属膜を短時間でより一層確実に形成
することができるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/06 Ｃ２３Ｃ 16/06 ４Ｋ０３０ 18/20 18/20 Ａ Ｃ２５Ｄ 5/56 Ｃ２５Ｄ 5/56 Ｂ // Ｃ０８Ｌ 23:02 67:00 77:00 Ｆターム(参考） 4F006 AA12 AA35 AA38 AB73 BA05 BA07 CA07 CA08 DA01 EA03 4F100 AB01B AB17 AB33B AK03A AK04A AK41A AK46A AT00A BA02 EH66 GB17 GB43 JD09A JL11 4K022 AA11 AA13 AA15 AA16 AA41 AA42 AA47 BA01 BA02 BA07 BA08 BA09 BA12 BA18 BA21 BA25 CA12 DA01 DA09 4K024 AA01 AA02 AA04 AA05 AA07 AA09 AA10 AA12 BA11 BA12 BA14 BB11 BB20 BC10 DA10 GA01 GA02 4K029 AA11 AA24 BA08 BD02 BD06 CA05 FA07 4K030 BA01 CA07 CA12 DA02 LA11 LA15
Claims (5)
- 【請求項１】 メチレン鎖を有する樹脂を主成分とする
樹脂基材表面にメチレン基どうしが架橋反応により強固
に結合した架橋層を形成した後に、この樹脂基材表面に
気相成長法あるいは湿式めっきにて金属膜を形成するこ
とを特徴とする樹脂基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項２】 上記架橋層が、上記樹脂基材表面に紫外
線が照射されることで形成されたものであることを特徴
とする請求項１記載の樹脂基材表面への金属膜形成方
法。 - 【請求項３】 上記架橋層が、アルゴンプラズマで発生
した真空紫外線が照射されることで形成されたものであ
ることを特徴とする請求項１記載の樹脂基材表面への金
属膜形成方法。 - 【請求項４】 上記架橋層が、アルゴンと窒素との混合
プラズマで発生した真空紫外線が照射されることで形成
されたものであることを特徴とする請求項１記載の樹脂
基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項５】 上記メチレン鎖を有する樹脂が、ポリエ
チレン、ポリメチレン、ポリアミド、ポリエステルから
なる群のうち、いずれか１種であることを特徴とする請
求項１ないし請求項４何れか記載の樹脂基材表面への金
属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080273A JP2000273226A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080273A JP2000273226A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273226A true JP2000273226A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13713685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080273A Pending JP2000273226A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000273226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016121387A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | めっき皮膜付樹脂製品の製造方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-03-24 JP JP11080273A patent/JP2000273226A/ja active Pending
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