JP2000271968A

JP2000271968A - 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ製造用の金型及び半導体パッケージ

Info

Publication number: JP2000271968A
Application number: JP11084108A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Hashimoto; 羊一橋本; Tsutomu Ohira; 勉大平; Takahide Suzuki; 貴英鈴木
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1999-03-26
Filing date: 1999-03-26
Publication date: 2000-10-03
Anticipated expiration: 2019-03-26
Also published as: JP3280634B2

Abstract

(57)【要約】【課題】外観を低下させることなく封止樹脂に引けや
ボイドの発生するのを低減することができる半導体パッ
ケージの製造方法を提供する。【解決手段】キャビティ２に半導体を配置する。ゲー
ト係数が０．０２３以上に設定されたゲート３を通して
キャビティ２に熱可塑性樹脂４を充填する。キャビティ
２に充填された熱可塑性樹脂４を圧縮ピン６で圧縮する
ことによって、半導体を熱可塑性樹脂４で封止して半導
体パッケージを製造する方法に関する。半導体パッケー
ジの天面７の５０％以上の面積を有する圧縮面８を圧縮
ピン６に形成する。半導体パッケージの天面となる箇所
においてキャビティ２内の熱可塑性樹脂４に圧縮面８を
接触させて圧縮する。圧縮ピン６の圧縮による変形が半
導体パッケージの天面に局所的に生じることがなくな
り、圧縮ピン６の跡が目立たなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を熱可塑性
樹脂で封止して形成される半導体パッケージの製造方法
及びこの製造方法で用いる半導体製造用の金型及びこれ
らの製造方法や金型を用いて製造される半導体パッケー
ジに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ダイオードやトランジスター
集積回路などの半導体に代表される電気・電子部品、及
びこれら電気・電子部品を基板に実装した半導体装置を
封止樹脂で封止して半導体パッケージを製造する方法と
しては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を用いたトラン
スファー成形法や、ガラスや金属やセラミックを用いた
ハーメチックシール法などが採用されているが、近年で
は、半導体パッケージの動作信頼性の向上と共に大量生
産やコストメリットに優れる、エポキシ樹脂を用いた低
圧トランスファー成形が主流となっている。

【０００３】しかしながら、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂を用いた半導体パッケージの製造では、成形時にカ
ルやランナー等で多量にロスが生じたり、バリが発生す
るためにバリ取りなどの後処理が必要であり、しかも熱
硬化性樹脂の硬化物はリサイクルが不可能であるために
バリ等を再利用することができなかった。そこで最近で
は、熱可塑性樹脂の射出成形によって半導体パッケージ
を製造することが検討されている。

【０００４】しかしながら、熱硬化性樹脂の成形用の金
型と同様の構造を有する金型を用いて熱可塑性樹脂によ
る半導体封止成形を行なっても、封止樹脂の表面に引け
が発生したり封止樹脂の内部にボイドが発生したりする
という問題があった。

【０００５】そこで本発明者らは、封止樹脂の表面に引
けが発生したり封止樹脂の内部にボイドが発生したりす
るのを防止する熱可塑性樹脂の成形方法を発明し、特願
平１０−２１２４０１号として出願した。この方法は、
キャビティに半導体を配置し、ゲート係数が０．０２３
以上に設定されたゲートを通してキャビティに熱可塑性
樹脂を充填し、キャビティに充填された熱可塑性樹脂を
圧縮ピンで圧縮するものである。

【０００６】しかしこの方法では、図７に示すように、
圧縮ピンによる圧縮の際に圧縮ピンが接触する半導体パ
ッケージ５の天面７、すなわち半導体パッケージ５を実
装した際に上側に向く面に、圧縮ピンの圧縮による変形
が生じて圧縮ピンの跡８０が残り、半導体パッケージ
（封止樹脂）５の外観が低下するという問題があった。
尚、図７において４０はリードフレームを示す。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、外観
を低下させることなく封止樹脂に引けやボイドの発生す
るのを低減することができる半導体パッケージの製造方
法を提供すること目的とするものである。

【０００８】また本発明は、外観を低下させることなく
封止樹脂に引けやボイドが少ない半導体パッケージを形
成することができる半導体パッケージ製造用の金型を提
供することを目的とするものである。

【０００９】さらに本発明は、封止樹脂に引けやボイド
が少なくて外観が良好な半導体パッケージを提供するこ
とを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージ５の製造方法は、キャビティ２に半導
体を配置し、ゲート係数が０．０２３以上に設定された
ゲート３を通してキャビティ２に熱可塑性樹脂４を充填
し、キャビティ２に充填された熱可塑性樹脂４を圧縮ピ
ン６で圧縮することによって、半導体を熱可塑性樹脂４
で封止して半導体パッケージを製造するにあたって、半
導体パッケージ５の天面７の５０％以上の面積を有する
圧縮面８を圧縮ピン６に形成し、半導体パッケージ５の
天面７となる箇所においてキャビティ２内の熱可塑性樹
脂４に圧縮面８を接触させて圧縮することを特徴とする
ものである。

【００１１】本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
製造用の金型１は、半導体が配置されるキャビティ２
と、ゲート係数が０．０２３以上に設定されたゲート３
と、ゲート３を通じてキャビティ２に充填された半導体
封止用の熱可塑性樹脂４を圧縮する圧縮ピン６とを備
え、半導体パッケージ５の天面７となる箇所においてキ
ャビティ２内の熱可塑性樹脂４に接触させる圧縮ピン６
の圧縮面８を半導体パッケージ５の天面７の５０％以上
の面積に形成して成ることを特徴とするものである。

【００１２】また本発明の請求項３に係る半導体パッケ
ージ製造用の金型１は、請求項２の構成に加えて、熱可
塑性樹脂４を圧縮する前の圧縮ピン６の位置を調整自在
に形成して成ることを特徴とするものである。

【００１３】また本発明の請求項４に係る半導体パッケ
ージ５は、請求項１に記載の半導体パッケージ５の製造
方法、あるいは請求項２、３に記載の半導体パッケージ
製造用金型１で製造されることを特徴とするものであ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１５】図２に半導体パッケージ製造用の金型１の
一例を示す。この金型１は上側の固定型１０と下側の可
動型１１とで構成されており、固定型１０に対して可動
型１１が上下動自在に形成されている。固定型１０には
下面に開口する上型収納凹部１２が設けられており、上
型収納凹部１２には上型１３が収納されている。また可
動型１１には上面に開口する下型収納凹部１６が設けら
れており、下型収納凹部１６には下型１７が収納されて
いる。そして上型１３の下面と下型１７の上面とを合わ
せるように型締めすることにより、上型１３と下型１７
の間にキャビティ２とゲート３とランナー２５が形成さ
れるものである。

【００１６】固定型１０には上下に長いスプルブッシュ
１４が設けられており、スプルブッシュ１４には上記ラ
ンナー２５と連通するスプル１５が形成されている。可
動型１１には上下に長いスプールノックアウトピン装着
孔３０が形成されており、このスプールノックアウトピ
ン装着孔３０には上下に長いスプールノックアウトピン
３１が上下動自在に設けられている。スプールノックア
ウトピン３１の下側には油圧シリンダやエアシリンダな
どの駆動機で上下動するスプールノックアウトピン動作
プレート３２が設けられており、スプールノックアウト
ピン動作プレート３２の上下動に応動してスプールノッ
クアウトピン３１が上下動するように形成されている。
そしてスプールノックアウトピン装着孔３０の上端はス
プール１５の下側に対向する位置で挿入口３３としてラ
ンナー２５に開口されており、スプールノックアウトピ
ン３１の上部はこの挿入口３３を通ってランナー２５に
挿入自在に形成されている。

【００１７】また、可動型１１には上下に長いランナー
ノックアウトピン装着孔３５が形成されており、このラ
ンナーノックアウトピン装着孔３５には上下に長いラン
ナーノックアウトピン３６が上下動自在に設けられてい
る。ランナーノックアウトピン３６の下側には油圧シリ
ンダやエアシリンダなどの駆動機で上下動するランナー
ノックアウトピン動作プレート（図示省略）が設けられ
ており、ランナーノックアウトピン動作プレートの上下
動に応動してランナーノックアウトピン３６が上下動す
るように形成されている。そしてランナーノックアウト
ピン装着孔３５の上端はスプール１５とキャビティ２の
間において差し込み口３７としてランナー２５に開口さ
れており、ランナーノックアウトピン３６の上部はこの
差し込み口３７を通ってランナー２５に挿入自在に形成
されている。

【００１８】さらに可動型１１には上下に長い圧縮ピン
装着孔３８が形成されており、この圧縮ピン装着孔３８
には上下に長い圧縮ピン６が上下動自在に設けられてい
る。圧縮ピン６の下側でスプールノックアウトピン動作
プレート３２の上側には、油圧シリンダやエアシリンダ
などの駆動機で上下動する圧縮ピン動作プレート２０が
設けられており、圧縮ピン動作プレート２０の上下動に
応動して圧縮ピン６が上下動するように形成されてい
る。そして圧縮ピン装着孔３８の上端は導入口２３とし
てキャビティ２に開口されており、圧縮ピン６の上部は
この導入口２３を通ってキャビティ２に挿入自在に形成
されている。

【００１９】上記のような半導体パッケージ製造用の金
型１において、熱可塑性樹脂４がランナー５からゲート
３を通ってキャビティ２に流入する際のゲート３の大き
さを示すゲート係数が０．０２３以上となるように設定
されている。ゲート係数はこの金型１で成形される半導
体パッケージ５の体積に対するゲート３の断面積で規定
されるのであって、次式（Ａ）ので表わされるものであ
る。ゲート係数＝ゲート３の断面積（ｍｍ²）／半導体パッケージの体積（ｍｍ³） …（Ａ）そしてこのゲート係数が０．０２３以上であるので、キ
ャビティ２に充填される熱可塑性樹脂４の流動性を向上
させることができ、半導体パッケージ５に引けやボイド
が発生するのを低減することができるものである。また
半導体パッケージ５の内部応力を少なくすることがで
き、半導体パッケージ５に封止される半導体への内部応
力によるダメージや剥離を少なくすることができる。ゲ
ート係数は０．０３５以上であると上記効果が顕著に表
れる。また半導体パッケージ５の形状にもよるが、ゲー
ト係数の上限は０．０８であって、これ以上になるとゲ
ート３の断面積が半導体パッケージ５の断面積よりも大
きくなって成形することができなくなる恐れがある。ち
なみに通常のエポキシ樹脂の半導体封止成形に用いられ
る金型のゲート係数は０．００１以下である。

【００２０】図３（ａ）に示すように、圧縮ピン６の上
部は他の部分よりも大径の圧縮部４１として形成されて
おり、圧縮ピン６の上端面は平面視で略四角形の圧縮面
８として形成されている。また、図３（ｂ）に示す圧縮
面８は上方に向かって凸曲するように形成されていても
良い。圧縮面８の面積は半導体パッケージ５の天面７の
面積の５０％以上となるように形成されている。圧縮面
８の面積が半導体パッケージ５の天面７の面積の５０％
未満であれば、圧縮ピン６による熱可塑性樹脂４の圧縮
の際に、半導体パッケージ５の天面７となる箇所に圧縮
面８が局所的に接触することになり、圧縮ピン６の圧縮
による変形が半導体パッケージ５の天面７に局所的に生
じて圧縮ピン６の跡が残る恐れがある。圧縮面８の面積
の上限は半導体パッケージ５の天面７の面積に対して１
００％であって、この場合、半導体パッケージ５の天面
７となる箇所の全面に圧縮面８を接触させて圧縮するこ
とになる。

【００２１】そして上記金型１を用いて半導体パッケー
ジ５を射出成形するにあたっては、以下のようにして行
なうことができる。まず可動型１１を固定型１０に近づ
くように上動させて型締めする。この時、圧縮ピン６の
上端の圧縮面８は導入口２３よりも下側に位置するよう
になっており、導入口２３と圧縮ピン６の上端の間には
上下長さＢの圧縮代２４が形成されている。また、封止
される半導体やリードフレーム等は型締めする前にキャ
ビティ２となる箇所に配置されている。さらに、スプー
ルノックアウトピン３１の上端及びランナーノックアウ
トピン３６の上端は、ランナー２５に突出しないように
挿入口３３及び差し込み口３７の開口とほぼ面一の位置
に配置されている。

【００２２】次に射出機のノズル（図示省略）をスプル
ブッシュ１４に押し当てると共に、図１（ａ）に矢印イ
で示すように射出機から加熱溶融した熱可塑性樹脂４を
スプル１５に射出注入する。この時の射出圧力は１００
〜１０００ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは３００〜７００ｋ
ｇ／ｃｍ²に設定される。また熱可塑性樹脂４として
は、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ樹脂）な
どの任意のものを用いることができ、複数種の熱可塑性
樹脂４を組み合わせて用いたり、ガラス繊維などの充填
剤を配合してもよい。

【００２３】上記のように射出注入された熱可塑性樹脂
４はスプル１５からランナー２５に導入された後、ラン
ナー２５からゲート３を通ってキャビティ２に注入充填
されていくが、熱可塑性樹脂４のスプル１５への射出注
入及びキャビティ２への充填の間に、図１（ｂ）に矢印
ロで示すように圧縮ピン６を圧縮代２４の長さＢの分だ
け上動させ、半導体パッケージ５の天面７となる箇所に
圧縮面８を接触させて、すなわちキャビティ２内の熱可
塑性樹脂４に下側から圧縮面８を接触させて熱可塑性樹
脂４を圧縮ピン６で押圧して圧縮する。この時の圧力は
１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは３００〜７
００ｋｇ／ｃｍ²に設定される。圧縮ピン６による圧縮
が１００ｋｇ／ｃｍ²未満であれば、キャビティ２に均
一に熱可塑性樹脂４を充填しにくくなって、半導体パッ
ケージ５の封止樹脂にボイドや引けが発生する恐れがあ
り、また圧縮ピン６による圧縮が１０００ｋｇ／ｃｍ²
を超えると、封止される半導体等にかかる圧力が強くな
り過ぎて破損する恐れがある。そしてこのようにキャビ
ティ２に充填された熱可塑性樹脂４を圧縮することによ
って、キャビティ２に均一に熱可塑性樹脂４を充填する
ことができ、半導体パッケージ５の封止樹脂にボイドや
引けが発生するのを低減することができるものである。

【００２４】上記のようにしてキャビティ２に充填した
熱可塑性樹脂４を圧縮した後、熱可塑性樹脂４の射出を
停止し、この後、さらに図１（ｃ）に矢印ハで示すよう
に圧縮ピン６を上動させ、キャビティ２内の熱可塑性樹
脂４に下側から圧縮面８を接触させて熱可塑性樹脂４を
圧縮ピン６で押圧して圧縮する。この時の圧力は１００
〜１０００ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは３００〜７００ｋ
ｇ／ｃｍ²に設定される。圧縮ピン６による圧縮が１０
０ｋｇ／ｃｍ²未満であれば、キャビティ２に均一に熱
可塑性樹脂４を充填しにくくなって、封止樹脂にボイド
や引けが発生する恐れがあり、また圧縮ピン６による圧
縮が１０００ｋｇ／ｃｍ²を超えると、封止される半導
体等にかかる圧力が強くなり過ぎて破損する恐れがあ
る。

【００２５】この後、熱可塑性樹脂４を冷却して固化さ
せると共に可動型１１を下動させて型開きし、次に、ラ
ンナーノックアウトピン３６を差し込み口３７からラン
ナー２５内に突き出すと共にスプールノックアウトピン
３１を挿入口３３からランナー２５内に突き出して成形
された半導体パッケージ５をキャビティ２から脱型する
ことによって、図４に示すような半導体パッケージ５を
製造することができる。尚、図４において４０はリード
フレームを示し、半導体パッケージ５の天面７のクロス
斜線部分は圧縮面８の接触位置を示す。そしてこの半導
体パッケージ５では、図７に示す従来のものと比較して
天面７に対して広い面積で（天面７のほぼ全面に亘っ
て）圧縮面８が接触して圧縮されるので、従来のものと
同量の熱可塑性樹脂４を圧縮しても圧縮ピン６の圧縮に
よる変形が半導体パッケージ５の天面７に局所的に生じ
ることがなり、圧縮ピン６の跡が目立たなくなって半導
体パッケージ５の外観の低下が少なくなるものである。

【００２６】本発明において、圧縮前の圧縮ピン６の高
さ位置は調整自在に形成されており、このことで圧縮代
Ｂの長さを調整して圧縮ピン６によるキャビティ２内の
熱可塑性樹脂４の圧縮量を調整することができ、半導体
パッケージ５や熱可塑性樹脂４の種類に応じて最適な圧
縮、つまりボイドや引けがより少なくなるような圧縮量
で圧縮を行うことができるものである。

【００２７】図２に示す半導体パッケージ製造用の金型
１では、圧縮ピン６の高さ位置を調整する手段として金
属製のスペーサ５０を用いる。このスペーサ５０は、圧
縮ピン６よりも下側にあるスプールノックアウトピン動
作プレート３２と、スプールノックアウトピン動作プレ
ート３２よりも下側にある可動型１１の基板５１との間
に介在させるものであって、スペーサ５０の厚みを適宜
変えることによって、スプールノックアウトピン動作プ
レート３２及び圧縮ピン動作プレート２０を移動させ、
この移動により圧縮ピン６を移動させて所望の高さ位置
に圧縮ピン６を設定することができるものである。

【００２８】また、図５に示す半導体パッケージ製造用
の金型１では、圧縮ピン６の高さ位置を調整する手段と
して金属製の調整ネジ５２を用いる。この調整ネジ５２
は圧縮ピン６よりも下側にあるスプールノックアウトピ
ン動作プレート３２の下面に螺着されているものであっ
て、調整ネジ５２の頭部５３がスプールノックアウトピ
ン動作プレート３２よりも下側にある可動型１１の基板
５１の上面に当接されている。そして、調整ネジ５２の
螺合深さを適宜変えることによって、スプールノックア
ウトピン動作プレート３２及び圧縮ピン動作プレート２
０を移動させ、この移動により圧縮ピン６を移動させて
所望の高さ位置に圧縮ピン６を設定することができるも
のである。

【００２９】さらに、図６に示す半導体パッケージ製造
用の金型１では、圧縮ピン６の高さ位置を調整する手段
として移動装置５５を用いる。この移動装置５５は、モ
ーター５６と、ラックギア５７と、ピニオン５８と、回
転筒５９を具備して形成されている。モーター５６の回
転軸６１には歯６２が全周に亘って形成されており、歯
６２がラックギア５７とかみ合っている。また、回転筒
５９の下端にはピニオン５８が取り付けられており、ピ
ニオン５８はラックギア５７とかみ合っている。さらに
回転筒５９の内周面には雌ねじが形成されていると共に
回転筒５９の上部の差し込み部６０の外周面には雄ねじ
６８が形成されている。

【００３０】この移動装置５５は、スプールノックアウ
トピン動作プレート３２よりも下側にある可動型１１の
基板５１の下方に配置されており、回転筒５９の上部が
基板５１を上下に貫通する貫通孔６５に挿入されてお
り、また、差し込み部６０がスプールノックアウトピン
動作プレート３２の下面に凹設された固定凹部６６に差
し込まれている。固定凹部６６の内周面には雌ねじ６７
が形成されており、差し込み部６０の雄ねじ６８と固定
凹部６６の雌ねじ６７が螺合させてある。そしてモータ
ー５６の回転軸６１を回転させることによってラックギ
ア５７を移動させると共に、ラックギア５７の移動によ
りピニオン５８を回転させて回転筒５９を回転させるこ
とによって、固定凹部６６に対する差し込み部６０の螺
合深さを適宜変えてスプールノックアウトピン動作プレ
ート３２及び圧縮ピン動作プレート２０を移動させ、こ
の移動により圧縮ピン６を移動させて所望の高さ位置に
圧縮ピン６を設定することができるものである。

【００３１】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１の発明
は、キャビティに半導体を配置し、ゲート係数が０．０
２３以上に設定されたゲートを通してキャビティに熱可
塑性樹脂を充填し、キャビティに充填された熱可塑性樹
脂を圧縮ピンで圧縮することによって、半導体を熱可塑
性樹脂で封止して半導体パッケージを製造するにあたっ
て、半導体パッケージの天面の５０％以上の面積を有す
る圧縮面を圧縮ピンに形成し、半導体パッケージの天面
となる箇所においてキャビティ内の熱可塑性樹脂に圧縮
面を接触させて圧縮するので、キャビティに充填される
熱可塑性樹脂の流動性を向上させることができると共に
キャビティにおける熱可塑性樹脂の充填の均一化を図る
ことができ、半導体パッケージの封止樹脂に引けやボイ
ドが発生するのを低減することができるものであり、し
かも、半導体パッケージの天面の５０％以上の面積を有
する圧縮面で圧縮することによって、圧縮ピンの圧縮に
よる変形が半導体パッケージの天面に局所的に生じるこ
とがなくなり、圧縮ピンの跡が目立たなくなって半導体
パッケージの外観の低下が少なくなるものである。

【００３２】また本発明の請求項２の発明は、半導体が
配置されるキャビティと、ゲート係数が０．０２３以上
に設定されたゲートと、ゲートを通じてキャビティに充
填された半導体封止用の熱可塑性樹脂を圧縮する圧縮ピ
ンとを備え、半導体パッケージの天面となる箇所におい
てキャビティ内の熱可塑性樹脂に接触させる圧縮ピンの
圧縮面を半導体パッケージの天面の５０％以上の面積に
形成するので、キャビティに充填された熱可塑性樹脂を
圧縮ピンで圧縮することによって、キャビティに充填さ
れる熱可塑性樹脂の流動性を向上させることができると
共にキャビティにおける熱可塑性樹脂の充填の均一化を
図ることができ、半導体パッケージの封止樹脂に引けや
ボイドが発生するのを低減することができるものであ
り、しかも、半導体パッケージの天面の５０％以上の面
積に形成された圧縮面を接触させて圧縮することによっ
て、圧縮ピンの圧縮による変形が半導体パッケージの天
面に局所的に生じることが少なくなり、圧縮ピンの跡が
目立たなくなって半導体パッケージの外観の低下が少な
くなるものである。

【００３３】また本発明の請求項３の発明は、熱可塑性
樹脂を圧縮する前の圧縮ピンの位置を調整自在に形成す
るので、圧縮ピンによるキャビティ内の熱可塑性樹脂の
圧縮量を調整することができ、半導体パッケージや熱可
塑性樹脂の種類に応じて最適な圧縮、つまりボイドや引
けがより少なくなるような圧縮量で圧縮を行うことがで
きるものであり、半導体パッケージの封止樹脂に引けや
ボイドが発生するのをより低減することができるもので
ある。

【００３４】本発明の請求項４の発明は、請求項１に記
載の半導体パッケージの製造方法、あるいは請求項２、
３に記載の半導体パッケージ製造用の金型で製造される
ので、封止樹脂に引けやボイドが少なくて外観が良好な
半導体パッケージに形成することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示し、（ａ）
（ｂ）（ｃ）は概略の断面図である。

【図２】同上の金型の一例を示す断面図である。

【図３】同上の圧縮ピンの一例を示し、（ａ）（ｂ）は
断面図である。

【図４】同上の半導体パッケージの一例を示す概略の平
面図である。

【図５】同上の金型の他例を示す断面図である。

【図６】同上の金型の他例を示す断面図である。

【図７】従来の半導体パッケージを示す概略の平面図で
ある。

【符号の説明】

１金型２キャビティ３ゲート４熱可塑性樹脂５半導体パッケージ６圧縮ピン７天面８圧縮面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木貴英大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内Ｆターム(参考） 4F202 AA34 AH37 AM32 AM34 CA12 CB01 CB17 CK06 CK18 CK52 4F206 AA34 AH37 AM32 AM34 JA02 JB17 JM04 JM05 JN11 JN21 JN25 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 CB02 DA05 DA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キャビティに半導体を配置し、ゲート係
数が０．０２３以上に設定されたゲートを通してキャビ
ティに熱可塑性樹脂を充填し、キャビティに充填された
熱可塑性樹脂を圧縮ピンで圧縮することによって、半導
体を熱可塑性樹脂で封止して半導体パッケージを製造す
るにあたって、半導体パッケージの天面の５０％以上の
面積を有する圧縮面を圧縮ピンに形成し、半導体パッケ
ージの天面となる箇所においてキャビティ内の熱可塑性
樹脂に圧縮面を接触させて圧縮することを特徴とする半
導体パッケージの製造方法。
【請求項２】半導体が配置されるキャビティと、ゲー
ト係数が０．０２３以上に設定されたゲートと、ゲート
を通じてキャビティに充填された半導体封止用の熱可塑
性樹脂を圧縮する圧縮ピンとを備え、半導体パッケージ
の天面となる箇所においてキャビティ内の熱可塑性樹脂
に接触させる圧縮ピンの圧縮面を半導体パッケージの天
面の５０％以上の面積に形成して成ることを特徴とする
半導体パッケージ製造用の金型。
【請求項３】熱可塑性樹脂を圧縮する前の圧縮ピンの
位置を調整自在に形成して成ることを特徴とする請求項
２に記載の半導体パッケージ製造用の金型。
【請求項４】請求項１に記載の半導体パッケージの製
造方法、あるいは請求項２、３に記載の半導体パッケー
ジ製造用の金型で製造される半導体パッケージ。