JP2000265263A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000265263A5
JP2000265263A5 JP1999008000A JP800099A JP2000265263A5 JP 2000265263 A5 JP2000265263 A5 JP 2000265263A5 JP 1999008000 A JP1999008000 A JP 1999008000A JP 800099 A JP800099 A JP 800099A JP 2000265263 A5 JP2000265263 A5 JP 2000265263A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sputtering
target
normal
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999008000A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4223614B2 (ja
JP2000265263A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP00800099A priority Critical patent/JP4223614B2/ja
Priority claimed from JP00800099A external-priority patent/JP4223614B2/ja
Publication of JP2000265263A publication Critical patent/JP2000265263A/ja
Publication of JP2000265263A5 publication Critical patent/JP2000265263A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4223614B2 publication Critical patent/JP4223614B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP00800099A 1999-01-12 1999-01-14 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法 Expired - Lifetime JP4223614B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00800099A JP4223614B2 (ja) 1999-01-12 1999-01-14 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP508499 1999-01-12
JP11-5084 1999-01-12
JP00800099A JP4223614B2 (ja) 1999-01-12 1999-01-14 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008229523A Division JP4740300B2 (ja) 1999-01-12 2008-09-08 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法
JP2008229489A Division JP4740299B2 (ja) 1999-01-12 2008-09-08 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000265263A JP2000265263A (ja) 2000-09-26
JP2000265263A5 true JP2000265263A5 (enExample) 2008-08-21
JP4223614B2 JP4223614B2 (ja) 2009-02-12

Family

ID=26338975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00800099A Expired - Lifetime JP4223614B2 (ja) 1999-01-12 1999-01-14 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4223614B2 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4502160B2 (ja) * 2000-09-27 2010-07-14 キヤノンアネルバ株式会社 磁性膜作成方法及び磁性膜作成装置並びに磁気記録ディスク製造方法
KR20040043046A (ko) * 2002-11-15 2004-05-22 삼성전자주식회사 마그네트론 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
DE112006000209T5 (de) * 2005-01-19 2007-12-06 ULVAC, Inc., Chigasaki Bedampfungsvorrichtung und Filmausbildungsverfahren
JP2007291506A (ja) 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc 成膜方法
JP5259626B2 (ja) 2007-12-26 2013-08-07 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置、スパッタ成膜方法
US20110042209A1 (en) * 2008-06-25 2011-02-24 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus and recording medium for recording control program thereof
US20110143460A1 (en) * 2008-09-09 2011-06-16 Canon Anelva Corporation Method of manufacturing magnetoresistance element and storage medium used in the manufacturing method
KR101332274B1 (ko) 2008-09-30 2013-11-22 캐논 아네르바 가부시키가이샤 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
JP4727764B2 (ja) 2008-12-03 2011-07-20 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置、磁気抵抗素子の製造装置、磁性薄膜の成膜方法及び成膜制御プログラム
JP5280459B2 (ja) * 2008-12-25 2013-09-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
EP2390380B1 (en) 2008-12-26 2016-03-09 Canon Anelva Corporation Sputtering equipment, sputtering method and method for manufacturing an electronic device
JP5133232B2 (ja) * 2008-12-26 2013-01-30 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
JP5427572B2 (ja) * 2009-12-01 2014-02-26 昭和電工株式会社 マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法
JP5792723B2 (ja) 2010-06-25 2015-10-14 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置、成膜方法、および制御装置
JP5801302B2 (ja) * 2010-06-30 2015-10-28 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
TW201408803A (zh) * 2012-06-18 2014-03-01 Oc Oerlikon Balzers Ag 用於方向性材料沉積的pvd設備、方法及工件
JP2014241417A (ja) * 2014-07-15 2014-12-25 シャープ株式会社 アルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、窒化物層の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法
US20210348263A1 (en) * 2018-12-28 2021-11-11 Ulvac, Inc. Deposition apparatus and deposition method
KR102465982B1 (ko) 2021-07-13 2022-11-09 에스케이씨솔믹스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4223614B2 (ja) スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法
TW200905002A (en) Method of forming inorganic insulating layer and method of fabricating array substrate for display device using the same
US20200174172A1 (en) Polarizing device and method for preparing the same, display substrate and display device
JPH08174746A (ja) 透明導電性フィルム
JP2002324745A (ja) レジスト膜形成方法
JP2002247487A (ja) 表示装置およびその製造方法
WO2006066164A3 (en) Improved uniformity in batch spray processing using independent cassette rotation
TWI305585B (en) A wiring substrate and method using the same
JPS6314865A (ja) スパツタリング装置
TWI245807B (en) Coating apparatus
US11062889B2 (en) Method of production of uniform metal plates and sputtering targets made thereby
JP2008309832A5 (enExample)
TW201723774A (zh) 導電性基板及導電性基板之製造方法
JPH0481167B2 (enExample)
JPH1010554A (ja) 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法
JP7183624B2 (ja) 半導体素子の製造方法
EP2304781A1 (en) Methods for coating the backside of semiconductor wafers
JPH03179425A (ja) 配向膜の作成方法
JPS6342368A (ja) スパツタリング装置
JPS6269611A (ja) 塗布装置
JPH01112785A (ja) 複合圧電体膜の製造方法
JPH03284839A (ja) バッチ式エッチング装置
JPS599170A (ja) 薄膜の製造方法
JPH02126970A (ja) スピンコーティング方法
JPH0768617B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置