JP2000258938A

JP2000258938A - 画像形成装置

Info

Publication number: JP2000258938A
Application number: JP6296899A
Authority: JP
Inventors: Kiyokazu Mashita; 清和真下; Shigeru Yagi; 茂八木; Katsumi Nukada; 克己額田; Fumio Kojima; 文夫小嶋
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1999-03-10
Filing date: 1999-03-10
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】紫外青紫色レーザー光を発振する露光装置を
備えた画像形成装置において、紫外青紫色レーザー光対
して高感度、高耐久性の電子写真用感光体、を備えた、
高画質の画像を繰り返し安定に得ることができる画像形
成装置を提供すること。【解決手段】導電性支持体上に少なくとも感光層を設
けた電子写真用感光体と、帯電手段と、露光手段と、現
像手段と、転写手段とを備える画像形成装置であって、
前記感光層が、水素化アモルファスシリコンを用いて形
成された層、或いは三方晶セレンを含有する層であり、
前記露光手段が、３８０〜４５０ｎｍに主たる発振波長
を有する紫外青紫色レーザー光発振器を具備することを
特徴とする画像形成装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、プリンタ
ー等の露光装置として、３８０〜４５０ｎｍに主たる発
振波長を有する紫外青紫色レーザー光を発振する露光装
置を用いて画像を形成する画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術は、高速、かつ高印字品質
が得られるため、複写機、プリンター等の分野において
広く利用されている。これらの電子写真技術に用いられ
る電子写真用感光体は、従来から種々のものが提案さ
れ、実用化されている。中でも、露光により電荷を発生
する電荷発生層と電荷を輸送する電荷輸送層を積層する
機能分離型の有機積層方感光体は、感度、帯電性及びそ
の繰り返し安定性等、電子写真特性の点で優れており種
々の提案がなされ、実用化に至っている。

【０００３】また複写機及びプリンターのデジタル化に
対応して露光装置として寿命、出力安定性、価格の点か
ら近赤外光半導体レーザーが主として採用され、感光体
の感光波長域の感度も近赤外光半導体レーザーの発振波
長域（７８０〜８３０ｎｍ）で最大になるように要求さ
れてきた。

【０００４】さらに複写機及びプリンターに対する高画
質化への要求は近年非常に高まりつつあり、そのために
は静電潜像を小さくするためにビーム径を更に絞る必要
がある。ところが従来の画像形成方法の露光装置として
用いられてきた赤外光半導体レーザーでは結像用レンズ
によってレーザー光を絞り感光体上に結像させ、静電潜
像を形成しているが、現状ではビーム径約５０μｍが限
界であり、赤外光半導体レーザーを用いてビーム径を現
状以下に絞るためには光学系の精度向上によるコストア
ップにつながってしまう。

【０００５】またこのビーム径は無限に小さくできるわ
けではなく、レーザーの波長と結像用レンズの開口数で
決まる回折限界までしか絞り込むことができない。この
限界値はレーザーの波長に比例して小さくなる。したが
って現状の７８０ｎｍの近赤外光半導体レーザーを短波
長化することで光学系はそのままでビーム径を絞り込む
ことができ、静電潜像を現行より小さくできる。例えば
４１０ｎｍの出力波長で現行の約１／２のビーム径を得
ることができ、静電潜像の解像度も約１／２にすること
ができる。

【０００６】しかしながら特開平８−１５８８１号公
報、特開平９−２４００５１号公報で提案されている可
視光の波長域に感度を有している有機感光体や従来提案
されている有機感光体を３８０ｎｍ〜４５０ｎｍに発振
波長を有するを紫外青紫色光レーザー用いた画像形成装
置で用いた場合、従来の光源として用いられてきた蛍光
燈、ＬＥＤに比べて青紫色光レーザーではエネルギー強
度が高いため、繰返し使用による電荷発生材料及び電荷
輸送材料の劣化が生じ、感光体の感度低下や残留電位の
上昇による画質欠陥やかぶりといった画質の低下が問題
となる。

【０００７】また、一方で短波長感度の有る電子写真用
感光体としてはセレンやセレンテルルが使用されている
が、熱的な安定性に欠けるほか耐久性にも欠ける等の問
題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来にお
ける問題を鑑みてなされたものであり、即ち、本発明の
目的は、紫外青紫色レーザー光を発振する露光装置を備
えた画像形成装置において、紫外青紫色レーザー光に対
して高感度、高耐久性の電子写真用感光体を用いること
で、高画質の画像を繰り返し、安定に得ることができる
画像形成装置を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、紫外青紫
色光レーザー光を発振する露光装置を備える画像形成装
置について、鋭意研究した結果、本発明を完成するに至
った。即ち、本発明は、＜１＞導電性支持体上に少なく
とも感光層を設けた電子写真用感光体と、帯電手段と、
露光手段と、現像手段と、転写手段とを備える画像形成
装置であって、該感光層が、水素化アモルファスシリコ
ンを用いて形成され、該露光手段が、３８０〜４５０ｎ
ｍに主たる発振波長を有する紫外青紫色レーザー光発振
器を具備することを特徴とする画像形成装置である。

【００１０】＜２＞水素化アモルファスシリコン中の水
素濃度が、５〜３０原子％であることを特徴とする前記
＜１＞に記載の画像形成装置である。

【００１１】＜３＞感光層が、周期律表第１３族及び第
１５族の元素から選ばれる少なくとも１種を含有し、そ
の含有量が０．０１〜１００ｐｐｍであることを特徴と
する前記＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置であ
る。

【００１２】＜４＞感光層の３８０〜４５０ｎｍの波長
域における感度が、６００ｎｍの波長における感度に対
して０．１以上であることを特徴とする前記＜１＞〜＜
３＞のいずれかに記載の画像形成装置である。

【００１３】＜５＞導電性支持体上に少なくとも感光層
を設けた電子写真用感光体と、帯電手段と、露光手段
と、現像手段、転写手段とを備える画像形成装置であっ
て、該感光層が、三方晶セレンを含有し、且つ該露光手
段が、３８０〜４５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫
外青紫色レーザー光発振器を具備することを特徴とする
画像形成装置である。

【００１４】＜６＞感光層が、電荷発生層及び電荷輸送
層を含み、該電荷発生層中に、三方晶セレンを含有する
ことを特徴とする前記＜５＞に記載の画像形成装置であ
る。

【００１５】＜７＞三方晶セレンのＣｕＫα特性Ｘ線を
用いたＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±
０．２°）が、２３．５°及び２９．７°の位置に主要
な吸収ピークを有し、かつ該吸収ピークの半値幅が、い
ずれも０．２５°以上であることを特徴とする前記＜５
＞又は＜６＞に記載の画像形成装置である。

【００１６】＜８＞電子写真用感光体が表面保護層を有
し、該表面保護層の３８０〜４５０ｎｍの波長域におけ
る吸収が、８０％以下であることを特徴とする前記＜１
＞〜＜７＞のいずれかに記載の画像形成装置である。

【００１７】＜９＞電子写真用感光体が表面保護層を有
し、該表面保護層の反射スペクトルが、３５０ｎｍ〜５
００ｎｍの間に、少なくとも１つの極小値を有すること
を特徴とする前記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の画
像形成装置である。

【００１８】＜１０＞電子写真用感光体が表面保護層を
有し、該表面保護層が、水素化アモルファスシリコン
と、炭素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つの
元素と、を含むことを特徴とする前記＜１＞〜＜９＞に
記載の画像形成装置である。

【００１９】＜１１＞表面保護層が、水素化アモルファ
スシリコンと、水素化非結晶炭素と、を含むことを特徴
とする前記＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の画像形成
装置である。

【００２０】＜１２＞紫外青紫色レーザー光発振器が、
３８０〜４５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫外青紫
色レーザー光を射出する紫外青紫色半導体レーザーであ
ることを特徴とする前記＜１＞〜＜１１＞のいずれかに
記載の画像形成装置である。

【００２１】＜１３＞紫外青紫色レーザー光発振器が、
近赤外半導体レーザー光を入射して３８０〜４５０ｎｍ
に主たる発振波長を有する紫外青紫色レーザー光に変換
して射出する非線型光学素子であることを特徴とする前
記＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の画像形成装置で
ある。

【００２２】＜１４＞帯電工程が、正極性の帯電工程で
あることを特徴とする前記＜１＞〜＜１３＞のいずれか
に記載の画像形成装置である。

【００２３】＜１５＞帯電工程が、負極性の帯電工程で
あることを特徴とする前記＜１＞〜＜１３＞に記載の画
像形成装置である。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の画像形成装置は、導電性
支持体上に少なくとも感光層を含む電子写真用感光体
と、帯電手段と、露光手段と、現像手段と、転写手段と
を備える画像形成装置である。以下に、個々の構成を詳
しく説明する。

【００２５】電子写真用感光体について説明する。本発
明の画像形成装置に用いられる電子写真用感光体は、導
電性支持体上に少なくとも感光層を含み、必要により、
下引き層（電荷注入阻止層）、乱反射層、表面保護層、
等を設けてもよい。また、電子写真用感光体は、紫外青
紫色光レーザー光（以下、短波長レーザー光ということ
がある。）を感光層へ入射すると、その吸収が表面で起
こるため感光層表面の光学的状態、物理的状態、化学的
状態或いは外部環境等の影響を受けやすいため、これら
を考慮した構造とすることが好適である。

【００２６】感光層について説明する。感光層として
は、下記（ａ）、（ｂ）の感光層が挙げられる。（ａ）水素化アモルファスシリコンを用いて形成された
感光層（以下、第１の感光層という。）。（ｂ）三方晶セレンを含有する感光層（以下、第２の感
光層という。）。

【００２７】第１の感光層について説明する。第１の感
光層において、水素化アモルファスシリコンは、エネル
ギー強度の高い青紫色光レーザー光の繰り返し照射に対
して、電子正孔移動度が高く、電荷発生効率が高いた
め、紫外青紫色レーザー光に対して高感度、高耐久性の
電子写真用感光体を得ることができる。

【００２８】第１の感光層において、水素化アモルファ
スシリコンは、暗抵抗と光導電特性を制御し、電子写真
用感光体としての特性を満足させるため、水素濃度が５
〜３０原子％のものが好ましい。水素濃度が５原子％未
満の場合には、暗減衰が大きくなり易く、３０原子％を
超える場合では光感度や応答速度が低下し易くなり残留
電位の発生や繰り返し特性の劣化が生じる虞がある。こ
の水素濃度は、目的に応じて前記範囲内で適宜選択すれ
ばよい。

【００２９】第１の感光層において、水素濃度は、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｈ₂を導入して熱分解或いはグロー放電
により水素化アモルファスシリコンに取り込ませるか、
又は、イオンプレーティング法、反応性蒸着法等を用い
て水素化して水素化アモルファスシリコンに取り込ませ
ることで制御できる。水素濃度の制御において、水素の
導入は、低温では多くでき、高温では少しかできないこ
とから、水素の導入する際の温度は、その導入する量に
よって適宜決定すればよい。

【００３０】第１の感光層は、短波長レーザー光を照射
されると表面近傍で吸収されるため、正帯電の場合に
は、正孔が主体で感光層を輸送されるため感光層を正孔
の輸送性が高いようにすることによって、また負帯電の
場合には、電子が主体で感光層を輸送させるため感光層
を電子輸送性が高いようにすることことによって短波長
レーザー光に対する感度や残留電位等を最適な条件にす
ることが好適である。言いかえれば、第１の感光層は、
短波長レーザー光を表面で全て吸収し、光生成キヤリア
を表面側から基板側へ移動させる観点から、帯電極性と
は同じ電荷をすみやかに移動するように正帯電ではｉ型
からｐ型へ、また負帯電ではｉ型からｎ型へ制御するの
が好適である。

【００３１】第１の感光層は、帯電極性、分光感度、暗
抵抗、光導電特性等を最適な条件に制御するため、周期
律表第１３族及び第１５族の元素から選ばれる少なくと
も１種を含有することが好適である。この元素の選択
は、電子写真用感光体の帯電符号によって決められる
が、正帯電の場合、即ち第１の感光層をｐ型にする場合
は、第１３族の元素を選択し、負帯電の場合、即ち第１
の感光層をｎ型にする場合は、第１５族の元素を選択す
る。第１３族の元素は、例えばＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ等であり、これらを含む原料ガスとしては、典型的
にはジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）、トリメチルアルミニウム（Ａ
ｌ（ＣＨ₃）₃）、トリメチルガリウム（Ｇａ（Ｃ
Ｈ₃）₃）、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ₃）₃）等
が挙げられる。第１５族の元素は、例えばＮ、Ｐ、Ａ
ｓ、Ｐｂ、Ｂｉ等であり、これらを含む原料ガスとして
は、典型的にはホスフィン（ＰＨ₃）、アンモニア（Ｎ
Ｈ₃）等が挙げられる。周期律表第１３族又は第１５族
の元素の原料ガスは、主原料ガスに混合して用いること
で、第１の感光層に導入することができる。

【００３２】第１の感光層において、周期律表第１３族
及び第１５族の元素から選ばれる少なくとも１種の含有
量は、帯電極性、分光感度、暗抵抗、光導電特性等の最
適する条件によって、０．０１〜１００ｐｐｍの範囲で
適宜決定することが好適である。さらに詳しく説明する
と、第１の感光層は無ドープの場合ｎ型であるので、正
帯電の場合には第１３族元素の含有量が０．０１〜１０
０ｐｐｍであることが好ましく、また、負帯電の場合、
第１３族元素の含有量が０〜１．０ｐｐｍ、第１５族元
素の含有量が０．０１〜１００ｐｐｍであることが好ま
しい。

【００３３】第１の感光層は、周期律表第１３族又は第
１５族の元素に加えて、帯電性の向上、暗減衰の低減、
感度の向上等の目的で、さらにＮ、Ｃ、Ｏ等の元素を含
有してもよい。また、ｐ型のドーパントであるＧｅ、及
びｎ型のドーパントであるＳｎを含有してもよい。

【００３４】第１の感光層は、分光感度、耐久性、高速
応答性の観点から、３８０〜４５０ｎｍの波長域におけ
る感度が、６００ｎｍの波長おける感度に対して０．１
以上、好ましくは２以上であることが好適である。感度
は周期律表第１３族及び第１５族の元素の含有量等を適
宜選択することにより制御することができる。

【００３５】第１の感光層は、導電性支持体上にグロー
放電法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
真空蒸着法等によって形成されることが好適である。グ
ロー放電法としては高周波、マイクロ波を用いてもよい
し、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラ
ズマ方式であってもよい。また高周波放電の場合、誘導
型でも容量型でもよい。

【００３６】第１の感光層を、グロー放電法で成膜する
例を示す。まず、原料ガスとしては、ケイ素原子を含む
主原料ガスと、必要な添加物元素とを含む原料ガスの混
合体を、グロー放電装置内に導入して、以下の成膜条件
にすることにより成膜することができる。成膜条件とし
ては、周波数０〜５ＧＨｚ、グロー放電装置内圧１０ ^-5
〜１０Ｔｏｒｒ（０．００１〜１３３０Ｐａ）、放電電
力１０〜３０００Ｗ、導電性支持体温度３０〜３００℃
が好適である。また、膜厚は、放電時間の調整により適
宜設定することができる。基板温度は１００℃〜４００
℃が好ましく、１５０℃〜３５０℃が好ましい。ケイ素
原子を含む主原料ガスとしては、シラン類、特に、Ｓｉ
Ｈ₄及び／又はＳｉ₂Ｈ₆が用いられる。原料ガスの混合
体には、必要によって、さらに水素ガス或いは不活性ガ
ス等のキャリアガスを混合してもよい。また、原料ガス
の混合体には、第１の感光層中に周期律表第１３族及び
第１５族の元素を含有させる場合、第１３族元素（例え
ば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等）、及びこれらを含む化合
物（好ましくは、Ｂ₂Ｈ₆、Ａｌ（ＣＨ₃）₃、Ｇａ（ＣＨ
₃）₃、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃）などを混合することができ、ま
た第１５族元素（例えばＮ、Ｐ等）、及びこれらを含む
化合物（好ましくはＮＨ₃，ＰＨ₃など）を混合すること
ができる。さらに原料ガスの混合体には、第１の感光層
中にＮ、Ｃ、Ｏ、ハロゲン等の元素を含有させる場合、
窒素原子を含む原料ガス（例えば、Ｎ₂単体ガス、或い
はＮＨ₃、Ｎ₂Ｈ₄、ＨＮ₃等の水素化窒素化合物等）、炭
素原子を含む原料ガス（例えばメタン、エタン、プロパ
ン、アセチレンのような炭化水素等）、ハロゲン原子を
含む原料ガス（例えばＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆のようなハロゲン
化炭化水素等）、酸素原子を含む原料ガス（例えば
Ｏ ₂、Ｎ₂Ｏ、ＣＯ、ＣＯ₂等）を混合することができ
る。

【００３７】第１の感光層の構成は、特に限定されな
く、公知のものであればいずれの形態のものも採用でき
るが、単層型の感光層であってもよいし、電荷発生層と
電荷輸送層との２層以上からなる積層型若しくは分散型
等の機能分離型の感光層であってもよい。該電荷発生層
は、第１の感光層をｐ型にしたものを用いればよく、該
電荷輸送層としては、第１の感光層をｎ型にしたものを
用いればよい。積層型の感光層の積層順序は、特に制限
はなく、目的に応じて決定すればよい。また、赤外感度
を持たせて赤外レーザとの併用を考える場合にはＧｅ及
びＳｎの少なくとも１つが含有されている層を含んでい
てもよい。

【００３８】第２の感光層について説明する。第２の感
光層は、三方晶セレンを含有する感光層である。三方晶
セレンは、一般的な電荷発生材料である有機顔料が青紫
色光レーザー光で結合が切断され分解するが、単一の無
機材料であることから、エネルギー強度の高い青紫色光
レーザー光の繰り返し照射に対して、ほとんど劣化、分
解しない。このため紫外青紫色レーザー光に対して高感
度、高耐久性の電子写真用感光体を得ることができる。

【００３９】第２の感光層において、三方晶セレンは、
ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおける
ブラッグ角（２θ±０．２°）が２３．５°及び２９．
７°の位置に主要な吸収ピークが存在し、そしてそのピ
ークの半値幅が、いずれも０．２５°以上であることが
好適である。

【００４０】第２の感光層の構成は、特に限定されな
く、公知のものであればいずれの形態のものも採用でき
るが、単層型の感光層でもあっても、電荷発生層と電荷
輸送層との２層以上の積層型若しくは分散型等の機能分
離型の感光層であってもよいが、積層型の機能分離型の
感光層が好適である。機能分離型の感光層の積層順序
は、特に制限はなく、目的に応じて決定すればよい。

【００４１】積層型の機能分離型の第２の感光層につい
て説明する。第２の感光層において、電荷発生層は、電
荷発生材料、結着樹脂を含有し、該電荷発生材料として
三方晶セレンを用いるが、フタロシアニン系、スクアリ
リウム系、アントアントロン系、ペリレン系、アゾ系、
アントラキノン系、ピレン系等の顔料等の公知の電荷発
生材料と併用してもよい。また、三方晶セレンを結着樹
脂中に分散させる手段としては公知の超音波分散機、ボ
ールミル、サンドミル、ホモミキサー等の分散装置を用
いて適当な溶剤中で結着樹脂や添加剤と一緒に微粒子分
散させる方法が有効である。

【００４２】第２の感光層において、電荷発生層に用い
る結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
ビニルホルマール樹脂、部分変性ポリビニルアセタール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アク
リル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リビニルアセテート樹脂、塩化ビニルー酢酸ビニル共重
合体、シリコン樹脂、フェノール樹脂、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール樹脂等が挙げられるが、こららに限定さ
れるものではない。これらの結着樹脂は、単独或いは２
種以上混合して用いることができる。

【００４３】第２の感光層において、三方晶セレンと結
着樹脂との配合比（重量比）は、２０：１〜１：２０が
好ましく、９：１〜１：１がより好ましい。第２の感光
層において、三方晶セレンの含有量は、電荷発生層全固
形分に対して、３０〜９５重量％が好ましく、５０〜９
０重量％がより好ましい。

【００４４】第２の感光層において、電荷発生層を成膜
塗布する際に用いる溶剤としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルア
ルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メ
チル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、メチレンクロライド、クロロホルム等の通常の有機
溶剤を単独或いは２種以上混合して用いることができ
る。

【００４５】第２の感光層において、電荷発生層を成膜
塗布する方法としては、ブレードコーティング法、ワイ
ヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸
漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイ
フコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の
方法を用いることができる。

【００４６】第２の感光層において、電荷発生層の膜厚
は一般的には、０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜
２．０μｍである。

【００４７】第２の感光層において、電荷輸送層として
は、公知の技術によって形成されたものが挙げられ、そ
れらの電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂とを含有
して形成されるか、或いは高分子電荷輸送材料を含有し
て形成される。

【００４８】第２の感光層において、電荷輸送材料とし
ては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、ア
ントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジ
メタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン
等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾ
フェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系
化合物等の電子輸送性化合物、トリアリールアミン系化
合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合
物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合
物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの
正孔輸送性化合物が挙げられる。これらの電荷輸送材料
は単独又は２種以上混合して用いることができる。

【００４９】第２の感光層において、電荷輸送材料とし
ては、特に、下記一般式（α）で表わされるトリフェニ
ルアミン系化合物、及び下記一般式（β）で表わされる
ベンジジン系化合物は、高い電荷（正孔）輸送能と優れ
た安定性を有しているため、特に好ましい。これら電荷
輸送材料は、単独又は２種以上混合して用いることがで
きる。

【００５０】

【化１】

【００５１】一般式（α）中、Ｒ₁₁、Ｒ_11'は、それぞ
れ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアル
キル基、又は炭素数１〜５のアルコキシ基を表す。
Ｒ₁₂、Ｒ _12'、Ｒ₁₃、Ｒ_13'は、それぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数
１〜５のアルコキシ基、又は炭素数１〜２のアルキル基
で置換されたアミノ基を表す。ｍ、ｎは、それぞれ独立
に０〜２の整数を表す。

【００５２】一般式（β）中、Ｒ₁₄は、水素原子又はメ
チル基を表す。Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は、置換若しくは未置換
のアリール基を表し、該置換基としてはハロゲン原子、
炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、炭素数１〜３のアルキル基で置換されたアミノ基が
挙げられる。ｎは、１又は２の整数を表す。

【００５３】以下に下記一般式（α）で表わされるトリ
フェニルアミン系化合物の具体例（α−１〜α−５
４）、及び下記一般式（β）で表わされるベンジジン系
化合物の具体例（β−１〜β−６２）を示すが、これら
に具体例に限定されるわけではない。

【００５４】

【表１】

【００５５】

【表２】

【００５６】

【表３】

【００５７】

【表４】

【００５８】

【表５】

【００５９】

【表６】

【００６０】

【表７】

【００６１】第２の感光層において、電荷輸送層に用い
る結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエス
テル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビ
ニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン
共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合
体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シ
リコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、スチレン−アクリル樹脂、スチレン−アルキッ
ド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシランな
どの公知の樹脂が挙げられる。これら結着樹脂は、単独
又は２種以上混合して用いることができる。

【００６２】第２の感光層において、高分子電荷輸送材
としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン
などの電荷輸送性を有する公知のものが挙げられる。高
分子電荷輸送材として、特に、特開平８−１７６２９３
号公報や特開平８−２０８８２０号公報に示されている
ポリエステル系高分子電荷輸送材は、高い電荷輸送性を
有しており、とくに好ましいものである。これら高分子
電荷輸送材はそれだけでも成膜可能であるが、上記結着
樹脂と混合して成膜してもよい。

【００６３】第２の感光層において、電荷輸送層を成膜
塗布する際に用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、
アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、
クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化
水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキ
サン等の環状若しくは直鎖状のエーテル類、等の通常の
有機溶剤を単独或いは２種以上混合して用いることがで
きる。

【００６４】第２の感光層において、電荷輸送層の塗布
方法は、電荷発生層で挙げたものと同じ公知の方法を用
いることができる。第２の感光層において、電荷輸送層
の膜厚は、５〜５０μｍが好ましく、１０〜４０μｍが
より好ましい。

【００６５】導電性支持体ついて説明する。導電性支持
体としては、当業界で導電性支持体として利用されうる
任意の種類から選択でき、不透明及び透明の導電性支持
体いずれも用いることができる。導電性支持体として
は、例えばアルミニウム、ニッケル、ステンレス鋼等の
金属類；アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、ス
テンレス鋼、金、白金、ジルコニウム、バナジウム、酸
化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラス
チック、ガラス及びセラミックス等；導電性付与剤を塗
布又は含浸させた紙、プラスチック、ガラス及びセラミ
ックス等が挙げられる。また、導電性支持体の形状は、
ドラム状、シート状、プレート状等、適宜の形状とする
ことができる。

【００６６】導電性支持体の表面には必要に応じて、各
種の処理を行うことができる。該各種の処理としては、
例えば電解酸化処理、薬品処理、着色処理、機械的粗面
化処理（例えば、砂目立て、荒切削、ホーニング等）等
が挙げられる。電解酸化処理や機械的粗面化処理は、導
電性支持体表面を粗面化するのみならず、その上に塗布
される層の表面形状をも制御し、露光用光源としてレー
ザー等の可干渉光源を用いた場合に問題となる導電性支
持体表面及び／又は積層界面での反射による干渉縞の発
生を防止すると云う効果を発揮する。

【００６７】下引き層について説明する。下引き層は、
導電性支持体から感光層への電荷の漏洩を阻止し、また
感光層を導電性支持体に対して一体的に接着保持せしめ
る目的で、導電性支持体と感光層との間に設けることが
できる。

【００６８】下引き層としては、公知のものを用いるこ
とができ、例えば、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢
酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイ
ミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセタール
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル
樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、ニトロセルロー
ス、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド等の樹脂及び
これらの共重合体、又は、ジルコニウムアルコキシド化
合物、チタンアルコキシド化合物、シランカップリング
剤等の硬化性金属有機化合物を、単独又は２種以上混合
して用いて形成することができる。また、帯電極性と同
極性の電荷のみを輸送し得る材料を用いて形成した層も
下引き層として使用可能である。これらの中でも特に、
少なくともジルコニウムアルコキシド化合物を用いて形
成された下引き層は、導電性支持体から感光層への電荷
漏洩の阻止能が高く、また残留電位も低く抑えられ、さ
らに環境変化に伴う特性の変動も小さいため好適であ
る。

【００６９】下引き層の膜厚は、０．０１〜１０μｍ程
度が適当であり、好ましくは０．０５〜５μｍである。
前記下引き層は、上述の材料を適当な溶剤中に溶解又は
分散させた塗布液を浸漬塗布することにより形成するこ
とが好適であるが、他に、ブレードコーティング法、ワ
イヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、
ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、
カーテンコーティング法、リングコーティング等の通常
の方法によっても形成できる。また、下引き層は、複数
積層してもよい。

【００７０】下引き層としては、第１３族元素又は第１
５族元素が添加された水素化アモルファスシリコンを用
いて形成された下引き層（以下、水素化アモルファスシ
リコン主体の下引き層ということがある。）も用いるこ
とができる。水素化アモルファスシリコン主体の下引き
層は、感光層が第１の感光層の場合に用いるのが、特に
好適である。該添加物として、第１３族元素を用いる
か、或いは第１５族元素を用いるかは、電子写真用感光
体の帯電符号によって決められ、正帯電には第１３族元
素、負帯電には第１５族元素を用いる。水素化アモルフ
ァスシリコン主体の下引き層の形成は、第１の感光層と
同様な方法を用いて形成することができる。第１３族元
素を導入する場合、第１３族元素（例えば、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等）、或いは第１３族元素を含む原料
ガス（前述のようなジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）等）を主原料ガ
スと混合することで導入することができる。また、第１
５族元素を導入する場合、第１５族元素（例えばＮ、
Ｐ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ等）、或いは第１５族元素を含む
原料ガス（前述のようなホスフィン（ＰＨ₃）、アンモ
ニア（ＮＨ₃）等を水素化アモルファスシリコンを含む
主原料ガスと混合することで導入することができる。第
１３族元素又は第１５族元素の添加量は、電子写真用感
光体の帯電符号、及び必要な分光感度によって決定さ
れ、１〜５０００ｐｐｍの範囲で適宜選択すればよい。
また、水素化アモルファスシリコン主体の下引き層に
は、第１３族元素又は第１５族元素に加え、さらに接着
性向上等の目的で、Ｎ、Ｃ、Ｏ、ハロゲン等の元素を添
加することもできる。

【００７１】前記乱反射層について説明する。前記乱反
射層は、公知のものを用いることができ、例えば、酸化
ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の微粒子を結
着樹脂中に分散させたもの等が挙げられる。

【００７２】表面保護層について説明する。保護層は、
電子写真装置の帯電部材から発生するオゾン、酸化性ガ
ス及び紫外光等の化学的ストレスや、現像剤、紙、クリ
ーニング部材等との接触に起因する機械的ストレスから
感光層を保護し、感光層の実質的な寿命を改善するのに
有効である。特に、薄層の電荷発生層を感光層の上層に
用いる場合には、効果が顕著である。

【００７３】表面保護層は、結着樹脂とこの結着樹脂中
に含有される導電性材料とで形成される。導電性材料と
しては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、酸
化アンチモン、酸化スズ、酸化チタン、酸化インジウ
ム、ＩＴＯ等の金属酸化物等の材料を用いることができ
るが、これらに限定されるものではない。結着樹脂とし
ては、ポリアミド、ウレタン樹脂、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、シ
リコーン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂等の公知の樹脂を用いることができる。また、保
護層としては、アモルファスカーボン等の半導電性無機
物質を直接成膜したものを用いることもできる。

【００７４】表面保護層の電気抵抗は、１０⁹〜１０¹⁴
Ω・ｃｍであることが好適である。電気抵抗が１０¹⁴Ω
・ｃｍを越えると残留電位が増加する虞があり、他方、
１０ ⁹Ω・ｃｍ未満であると沿面方向での電荷漏洩が無
視できなくなり、解像度の低下が生じてしまう虞があ
る。

【００７５】表面保護層は、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの
波長域における実用上必要な感度を得るため、３８０〜
４５０ｎｍの波長域における吸収が、好ましくは８０％
以下、より好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４
０％以下であることが好適である。この３８０〜４５０
ｎｍの波長域における吸収は、表面層を形成する膜の組
成を変えて光学ギャップを調整、或いは、屈折率や厚さ
を変えて干渉効果を調整することにより制御することで
きる。

【００７６】表面保護層は、その反射スペクトルが、３
５０ｎｍ〜５００ｎｍの間に、少なくとも１つの極小値
を有することが好適である。感光層は、紫外青色レーザ
ー光を照射されると表面近傍で吸収されるため画像上に
は赤外レーザー光を照射された場合のような基板からの
反射の影響による干渉縞の発生は少なが、その代り表面
保護層を設けた場合、その膜厚、組成むらによる干渉縞
が発生する。このため、表面保護層を、その反射スペク
トルが３５０ｎｍ〜５００ｎｍの間に、少なくとも１つ
の極小値を有するようにすることで、表面保護層での干
渉の発生を防止できる。この表面保護層は、特に、感光
層が第１の感光層の場合、効果を発揮する。反射スペク
トルが上記範囲外に極小値を持つ場合には３８０ｎｍ〜
４５０ｎｍのレーザー光の反射が多くなり干渉縞が発生
し易くなる。反射スペクトルが、３５０ｎｍ〜５００ｎ
ｍの間に、少なくとも１つの極小値を持たせるために
は、膜厚と組成を調整することにより行う。

【００７７】表面保護層の膜厚は０．１〜２０μｍが適
当であり、１〜１０μｍの範囲であることが好適であ
る。保護層を設けた場合、必要に応じて、感光層と保護
層との間に、保護層から感光層への電荷の漏洩を阻止す
るためのブロッキング層を設けることができる。このブ
ロッキング層としては、保護層の場合と同様に公知のも
のを用いることができる。

【００７８】表面保護層としては、水素と、シリコン
と、炭素、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つの
元素と、を含む表面保護層（以下、水素化アモルファス
シリコン主体の表面保護層ということがある。）も用い
ることができる。水素化アモルファスシリコン主体の表
面保護層は、感光層が第１の感光層の場合に用いるの
が、特に好適である。水素化アモルファスシリコン主体
の表面保護層は、その組成により機械的強度を持たせる
ことができるばかりでなく、バンドギャップを可変にす
ることができ、可視から紫外域まで広く変えることがで
きる。これら炭素、酸素及び窒素の添加元素が少ない場
合には可視域で吸収が強くなり、且つ元素の添加によっ
てキャリアの輸送性が低下するため、結果として感度が
低下する。また、水素化アモルファスシリコンを主体と
する表面保護層は、様々な目的で、さらに他の元素を添
加することも可能である。水素化アモルファスシリコン
主体の表面保護層の炭素、酸素或いは窒素原子濃度は、
ケイ素原子に対する原子数比として、Ｃ／Ｓｉ＝０．２
〜(、Ｏ／Ｓｉ＝０．２〜１．０、Ｎ／Ｓｉ＝０．２〜
１．３の範囲にあるのが好ましい。水素化アモルファス
シリコン主体の表面保護層は、短波長域での透過量を増
やすため、添加物の組成を増加させればよいが、この場
合には画像劣化や高残留電位が発生するようになるた
め、複数の組成の異なる層を積層するとよい。水素化ア
モルファスシリコン主体の表面保護層の水素濃度は、１
〜４０原子％が好適であるが、水素が少ないと黒色化し
感度低下が多くなり易く、水素が多いと乾き難くなる。
水素化アモルファスシリコンを主体とする表面保護層の
膜厚は、０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０１〜５
μｍがより好ましい。また、この表面保護層の形成は、
第１の感光層と同様な方法を用いて形成することができ
る。表面保護層としては機械的強度、表面付着力低下、
光吸収、画像維持性の点から、炭素と水素とを主体とす
る水素化非晶質炭素を含有する表面保護層も用いること
ができる。

【００７９】本発明の画像形成装置に用いる電子写真用
感光体は、オゾンや酸化性ガス、或いは、光、熱による
感光体の劣化を防止する目的で、前記各層中に酸化防止
剤、光安定剤等を添加することができる。

【００８０】酸化防止剤としては、公知のものを用いる
ことができ、例えば、フェノール類、アミン類、フェニ
レンジアミン類、ハイドロキノン類、スピロクロマン
類、スピロインダノン類、有機硫黄化合物、有機燐化合
物等が挙げられる。

【００８１】光安定剤としては、公知のものを用いるこ
とができ、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾー
ル、ジチオカルバメート、テトラメチルピペリジン等及
びそれらの誘導体、光励起状態をエネルギー移動或いは
電荷移動により失活し得る電子吸引性化合物及び電子供
与性化合物等が挙げられる。

【００８２】本発明の画像形成装置は、電子写真用感光
体、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を備
える画像形成装置であり、該電子写真用感光体として前
述の電子写真用感光体を用い、該露光手段が、３８０〜
４５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫外青紫色レーザ
ー光発振器を具備する。また、帯電手段は、正極性の帯
電工程であっても、負極性の帯電工程であってもよい。

【００８３】３８０〜４５０ｎｍに主たる発振波長を有
する紫外青紫色レーザー光発振器としては、３８０〜４
５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫外青紫色レーザー
光を射出する紫外青紫色半導体レーザー、又は近赤外半
導体レーザー光を入射して３８０〜４５０ｎｍに主たる
発振波長を有する紫外青紫色レーザー光に変換して射出
する非線型光学素子が挙げられる。紫外青紫色レーザー
として具体的には、日亜化学工業で開発された４１０ｎ
ｍに主たる波長を出力するＩｎＧａＮ系半導体レーザー
（日亜化学工業社製）、ＧａＮ系半導体レーザー、Ａｌ
ＧａＮ系半導体レーザーなどが挙げられる。非線型光学
素子として具体的には、４２５ｎｍに主たる波長を出力
する非線型光学素子（松下電器産業社製）が挙げられ
る。この非線型光学素子は、８５０ｎｍの近赤外光半導
体レーザーの出力光を酸化マグネシウム添加ニオブ酸リ
チウム結晶に入射して４２５ｎｍの第２高調波を射出す
る非線型光学素子である。

【００８４】露光手段は、紫外青紫色レーザー、非線型
光学素子等を用いた光源からレーザー光を射出して、電
子写真用感光体上に収束させるビーム収束手段と、電子
写真用感光体上を走査するビーム走査手段を備えること
が好適である。

【００８５】露光手段は、デジタル処理された画像信号
に基づき露光を行うデジタル方式の露光手段が好適であ
る。デジタル処理された画像信号に基づき露光を行うデ
ジタル方式の露光手段とは、前述の紫外青紫色レーザ
ー、非線型光学素子等の露光光源を用い、２値化又はパ
ルス幅変調や強度変調を行い多値化された光により露光
を行う露光手段である。

【００８６】本発明の画像形成装置は、前述の電子写真
用感光体、帯電ロール（コロトロン、スコロトロンな
ど）、帯電ブレードなどの帯電手段、前述の露光手段、
トナーなどを用いて像を形成する現像手段、トナー像を
紙などの媒体に写し取る転写手段を備えてなるが、必要
に応じて、トナー像を紙などの媒体に定着させる定着手
段、電子写真用感光体表面に残留している静電潜像を除
去する除電手段、電子写真用感光体表面に直接接触し、
表面に付着しているトナー、紙粉、ゴミなどを除去する
ブレード、ブラシ、ロールなどのクリーニング手段、等
の公知の手段を備えてもよい。

【００８７】本発明の画像形成装置は、現像後の電子写
真用感光体の初期化（除電）又は電子写真特性の安定化
等の目的で、画像形成用の露光光源とは別に、光源（以
下、前露光光源ということがある）を併用することがで
き、その光源の発光域としては、電荷輸送層に吸収され
るものであっても吸収されないものであっても構わない
が、少なくとも電荷発生層まで光が届く方が好ましい。

【００８８】図１に、本発明の電子写真装置の一例とし
て、レーザープリンタ１０の概略構成を示す。このレー
ザープリンタ１０は、円筒形の感光体ドラム１１を備
え、感光体ドラム（電子写真用感光体）１１の周りに
は、感光体ドラム１１を帯電させるための接触帯電ロー
ル（帯電手段）１２、感光体ドラム１１を画像信号に基
づいて露光する紫外青紫色レーザー露光光学系（露光手
段）１３、感光体ドラム１１上に形成された静電潜像に
トナーを付着させる現像器（現像手段）１４、感光体ド
ラム１１上のトナー画像を用紙１８に転写する転写用ロ
ール（転写手段）１５、感光体ドラム１１の残留電荷を
除去するための前露光光源１６（除電用ＬＥＤ）、及び
感光体ドラム１１上に残留したトナーを除去するクリー
ニングブレード１７が、この順序で配置されている。さ
らに用紙１８上の転写されたトナー画像を定着させる定
着用ロール１９を備える。紫外青紫色レーザー露光光学
系１３は、デジタル処理された画像信号に基づきレーザ
ー光を照射する青紫色光レーザー（例えば、発振波長４
１０ｎｍ）から、照射されたレーザー光を偏向するポリ
ゴンミラー、及びレーザー光を所定サイズで等速度移動
させるためのレンズ系を備えている。

【００８９】

【実施例】以下、実施例によって本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明がこれらに限定されるものではな
い。なお実施例及び比較例における「部」は重量部を意
味する。

【００９０】（実施例１）アルミニウムパイプ（外径３
０ｍｍ）を界面活性剤水溶液を用いて表面処理し、水洗
後乾燥して、同筒型の電極を持つグロー放電装置内に導
入して、真空にした後、２５０℃にヒーターを用いて加
熱した。その後Ｈ₂ガス、ＳｉＨ₄ガス、Ｂ₂Ｈ₆ガスを装
置内に導入して、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波を２
００Ｗ印加してグロー放電を行い、アルミニウムパイプ
上に、シランに対し２００ｐｐｍジボランが含まれる条
件下で２μｍの下引き層を形成した。同様にして、下引
き層上に、シランに対し０．２ｐｐｍのジボランが含ま
れている条件で２５μｍの感光層を形成した。さらに感
光層上に、１００％シランガス流量：２６ｃｍ³／ｍｉ
ｎ、１００％水素ガス流量：１８０ｃｍ³／ｍｉｎ、１
００％メタンガス流量：２００ｃｍ³／ｍｉｎの条件で
表面保護層を形成して電子写真用感光体（１）を得た。

【００９１】得られた電子写真用感光体（１）は、３８
０〜４５０ｎｍの波長域における感度が６００ｎｍの波
長における感度の１／２であった。なお、表面保護層の
光吸収は４１０ｎｍで２０％であった。また表面保護層
の反射スペクトルは、４００ｎｍに極小値があった。

【００９２】得られた電子写真用感光体（１）を、富士
ゼロックス製「ＬａｓｅｒＰｒｅｓｓ４１６０ＩＩ」改
造機に装着し、耐刷性テストを行った。なお、富士ゼロ
ックス製「ＬａｓｅｒＰｒｅｓｓ４１６０ＩＩ」改造機
は、光源として４１０ｎｍに主たる波長を出力する青紫
色光半導体レーザーを備えてある。得られた画像は、非
画像部（バック）のかぶりも無く、ドット再現性もシヤ
ープで、階調再現も良好な画質で、表面保護層の膜厚む
らによる干渉縞の発生も全く無かった。また、耐刷性の
評価は、５万枚の印刷前後における画質評価にて行っ
た。その結果を表８に示す。

【００９３】（比較例１）共重合ポリアミド樹脂（商品
名：ＣＭ８０００、東レ製）５部をメタノール８０部と
１−ブタノール１５部の混合溶剤中に溶解した。この塗
布液を用いて、アルミニウムパイプ（外径３０ｍｍ）上
に、浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、厚さ
０．５μｍの下引き層を形成した。

【００９４】続いて、ポリビニルブチラール樹脂（商品
名：エスレックＢＬＳ、積水化学製）１部をメチルエチ
ルケトン１５０部中に溶解し、下記化合物（１）で表さ
れるペリレン顔料５部を混合した後、直径１ｍｍのガラ
スビーズとともにサンドミルを用いて２０時間分散を行
い、分散液を得た。この分散液を用いて前記下引き層上
に浸漬塗布して厚さ０．５μｍの電荷発生層を形成し
た。

【００９５】

【化２】

【００９６】下記化合物（２）３部、下記基本単位
（３）で示されるポリカーボネート樹脂（商品名Ｚ−３
００、三菱瓦斯化学製）３部をクロロベンゼン２５部に
溶解させた塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布し、１
１０℃、４０分の加熱を行って膜厚２０μｍの電荷輸送
層を形成して、電子写真用感光体（２）を得た。

【００９７】

【化３】

【００９８】得られた電子写真用感光体（２）を用い
て、実施例１と同様の画質評価を行い、その結果を表８
に示す。

【００９９】（比較例２）共重合ポリアミド樹脂（商品
名：ＣＭ８０００、東レ製）５部をメタノール８０部と
１−ブタノール１５部の混合溶剤中に溶解した。この塗
布液を用いて、アルミニウムパイプ（外径３０ｍｍ）上
に、浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、厚さ
０．５μｍの下引き層を形成した。

【０１００】続いて、下記化合物（４）で表されるビス
アゾ顔料５部をシクロヘキサノン９５重量部にポリビニ
ルベンザール（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解
した液に加え、サンドミルを用いて２０時間分散を行
い、分散液を得た。この分散液を用いて前記下引き層上
に浸漬塗布して厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成し
た。

【０１０１】

【化４】

【０１０２】下記化合物（５）で表されるトリアリール
アミン化合物３部とポリカーボネート樹脂（商品名Ｚ−
３００、三菱瓦斯化学製）３重量部をクロロベンゼン２
５部に溶解したものを前記の電荷発生層の上に浸漬塗布
し、１１０℃、４０分の加熱を行って膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成して、電子写真用感光体（３）を得た。

【０１０３】

【化５】

【０１０４】得られた電子写真用感光体（３）を用い
て、実施例１と同様の画質評価を行い、その結果を表８
に示す。

【０１０５】

【表８】

【０１０６】表８より、実施例１の従来の近赤外光半導
体レーザーに代えて紫外青紫色光レーザーを露光装置と
して有する画像形成装置おいて、青紫色光に対して高感
度、高耐久性のアモルファスシリコンで形成された感光
層を有する電子写真用感光体を組み合わせて用いること
により、高解像度の画像を繰り返し高安定に得ることが
できることがわかる。

【０１０７】（実施例２）ホーニング処理を施したアル
ミニウムパイプ（外径３０ｍｍ）上にジルコニウム化合
物（商品名：オルガノチックスＺＣ５４０、マツモト製
薬社製）１０部及びシラン化合物（商品名：Ａ１１１
０、日本ユニカー社製）１部とイソプロパノール４０部
及びブタノール２０部からなる溶液を浸漬コーティング
法で塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥し膜厚
０．１μｍの下引層を形成した。

【０１０８】続いて粒状三方晶セレン８７部と、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体（商品名：ソルーション・ビ
ニル・ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイト社製）１３部を、
酢酸ｎ−ブチル２００部に溶解した溶液を、アトライタ
ーで２４時間分散処理した。次いで、得られた分散液３
０部に対して、酢酸ｎ−ブチル５７部を加えて稀釈し、
塗布液を得た。この浸漬塗布液を入れた浸漬塗布槽中
に、下引き層上に、浸漬塗布し、１００℃において５分
間加熱乾燥し、膜厚約０．１μｍの電荷発生層を積層し
た。

【０１０９】例示化合物（α−２７）で表されるベンジ
ジン化合物２部、前記基本単位（３）で示される高分子
化合物（粘度平均分子量、３９，０００）３部をクロロ
ベンゼン２０部に溶解させた塗布液を前記電荷発生層上
に浸漬コーティング法で塗布し、１１０℃、４０分の加
熱を行って膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成して電子写
真用感光体（４）を得た。

【０１１０】得られた電子写真用感光体（４）を用い
て、実施例１と同様の画質評価を行い、その結果を表９
に示す。

【０１１１】（比較例３）実施例２の電荷発生層の代わ
りに以下の電荷発生層を形成した以外は、実施例２と同
様の電子写真用感光体（５）を得た。ポリビニルブチラ
ール樹脂（商品名：エスレックＢＬＳ、積水化学製）１
部をメチルエチルケトン１５０部中に溶解し、前記化合
物（１）で表されるペリレン顔料５部を混合した後、直
径１ｍｍのガラスビーズとともにサンドミルを用いて２
０時間分散を行い、分散液を得た。この分散液を用いて
前記下引き層上に浸漬塗布して厚さ０．５μｍの電荷発
生層を形成した。

【０１１２】得られた電子写真用感光体（５）を用い
て、実施例１と同様の画質評価を行い、その結果を表９
に示す。

【０１１３】（比較例４）実施例２の電荷発生層の代わ
りに以下の電荷発生層を形成した以外は、実施例２と同
様の電子写真用感光体（６）を得た。前記化合物（４）
で表されるビスアゾ顔料５部をシクロヘキサノン９５重
量部にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以
上）２部を溶解した液に加え、サンドミルを用いて２０
時間分散を行い、分散液を得た。この分散液を用いて前
記下引き層上に浸漬塗布して厚さ０．２μｍの電荷発生
層を形成した。

【０１１４】得られた電子写真用感光体（６）を用い
て、実施例１と同様の画質評価を行い、その結果を表９
に示す。

【０１１５】

【表９】

【０１１６】表９から、実施例２の従来の近赤外光半導
体レーザーに代えて紫外青紫色光レーザーを露光装置と
して有する画像形成装置おいて、紫外青紫色光に対して
高感度、高耐久性の三方晶セレンを分散してなる感光層
を有する電子写真用感光体を組み合わせて用いることに
より、高解像度の画像を繰り返し高安定に得ることがで
きる。

【０１１７】

【発明の効果】以上、本発明によれば、紫外青紫色レー
ザー光対して高感度、高耐久性の電子写真用感光体、を
備えた、高画質の画像を繰り返し安定に得ることができ
る画像形成装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真装置の一例であるレーザー
プリンタの概略構成図である。

【符号の説明】

１０レーザープリンタ１１感光体ドラム（電子写真用感光体）１２接触帯電ロール（帯電手段）１３紫外青紫色レーザー露光光学系（露光手段）１４現像器(現像手段）１５転写用ロール（転写手段）１６前露光光源１７クリーニングブレード１８用紙１９定着用ロール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ４１Ｊ 2/44 Ｇ０３Ｇ 15/04 Ｇ０３Ｇ 15/04 Ｂ４１Ｊ 3/00 Ｄ (72)発明者額田克己神奈川県南足柄市竹松1600番地富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者小嶋文夫神奈川県南足柄市竹松1600番地富士ゼロックス株式会社内Ｆターム(参考） 2C362 AA03 CB59 CB80 2H068 AA08 AA19 AA25 AA28 CA03 CA11 DA05 DA06 DA07 DA12 DA17 DA23 DA28 DA29 DA34 DA37 FB05 2H076 AB03 AB05 DA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に少なくとも感光層を設
けた電子写真用感光体と、帯電手段と、露光手段と、現
像手段と、転写手段とを備える画像形成装置であって、
該感光層が、水素化アモルファスシリコンを用いて形成
され、該露光手段が、３８０〜４５０ｎｍに主たる発振
波長を有する紫外青紫色レーザー光発振器を具備するこ
とを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】水素化アモルファスシリコン中の水素濃
度が、５〜３０原子％であることを特徴とする請求項１
に記載の画像形成装置。
【請求項３】感光層が、周期律表第１３族及び第１５
族の元素から選ばれる少なくとも１種を含有し、その含
有量が０．０１〜１００ｐｐｍであることを特徴とする
請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】感光層の３８０〜４５０ｎｍの波長域に
おける感度が、６００ｎｍの波長における感度に対して
０．１以上であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の画像形成装置。
【請求項５】導電性支持体上に少なくとも感光層を設
けた電子写真用感光体と、帯電手段と、露光手段と、現
像手段、転写手段とを備える画像形成装置であって、該
感光層が、三方晶セレンを含有し、且つ該露光手段が、
３８０〜４５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫外青紫
色レーザー光発振器を具備することを特徴とする画像形
成装置。
【請求項６】感光層が、電荷発生層及び電荷輸送層を
含み、該電荷発生層中に、三方晶セレンを含有すること
を特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】三方晶セレンのＣｕＫα特性Ｘ線を用い
たＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±０．
２°）が、２３．５°及び２９．７°の位置に主要な吸
収ピークを有し、かつ該吸収ピークの半値幅が、いずれ
も０．２５°以上であることを特徴とする請求項５又は
６に記載の画像形成装置。
【請求項８】電子写真用感光体が表面保護層を有し、
該表面保護層の３８０〜４５０ｎｍの波長域における吸
収が、８０％以下であることを特徴とする請求項１〜７
のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項９】電子写真用感光体が表面保護層を有し、
該表面保護層の反射スペクトルが、３５０ｎｍ〜５００
ｎｍの間に、少なくとも１つの極小値を有することを特
徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の画像形成装
置。
【請求項１０】電子写真用感光体が表面保護層を有
し、該表面保護層が、水素と、シリコンと、炭素、酸素
及び窒素から選ばれる少なくとも１つの元素と、を含む
ことを特徴とする請求項１〜９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】表面保護層が、水素化非結晶炭素を含
むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の画
像形成装置。
【請求項１２】紫外青紫色レーザー光発振器が、３８
０〜４５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫外青紫色レ
ーザー光を射出する紫外青紫色半導体レーザーであるこ
とを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の画像
形成装置。
【請求項１３】紫外青紫色レーザー光発振器が、近赤
外半導体レーザー光を入射して３８０〜４５０ｎｍに主
たる発振波長を有する紫外青紫色レーザー光に変換して
射出する非線型光学素子であることを特徴とする請求項
１〜１１のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１４】帯電工程が、正極性の帯電工程である
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の画
像形成装置。
【請求項１５】帯電工程が、負極性の帯電工程である
ことを特徴とする請求項１〜１３に記載の画像形成装
置。