JP2000254933A - 半導体ウェハーの樹脂被覆方法及び金型 - Google Patents
半導体ウェハーの樹脂被覆方法及び金型Info
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- JP2000254933A JP2000254933A JP11064086A JP6408699A JP2000254933A JP 2000254933 A JP2000254933 A JP 2000254933A JP 11064086 A JP11064086 A JP 11064086A JP 6408699 A JP6408699 A JP 6408699A JP 2000254933 A JP2000254933 A JP 2000254933A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂被覆用金型（上下両型１・２）を用いて
半導体ウェーハ４のバンプ３の装着面を樹脂１１で被覆
して樹脂被覆ウェーハ１２を形成する場合に、前記樹脂
被覆ウェーハ１２の生産性を向上させる。 【解決手段】 まず、上型面にバンプ露出用フィルム７
を張設して下型キャビティ５内の所定位置に前記半導体
ウェーハ４をそのバンプ装着面を上面にして供給セット
すると共に、前記バンプ装着面上に樹脂材料６を所要量
供給し、更に、前記両型１・２を型締めして前記キャビ
ティ５内に供給された樹脂材料を加熱溶融化し、次に、
前記フィルム７を押圧部材８で押圧することによって、
前記フィルム７を前記バンプ３先端部に当接し、且つ、
前記キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して加
圧することにより、前記キャビティ５内で前記半導体ウ
ェーハ４のバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被覆ウェ
ーハ１２を形成する。
半導体ウェーハ４のバンプ３の装着面を樹脂１１で被覆
して樹脂被覆ウェーハ１２を形成する場合に、前記樹脂
被覆ウェーハ１２の生産性を向上させる。 【解決手段】 まず、上型面にバンプ露出用フィルム７
を張設して下型キャビティ５内の所定位置に前記半導体
ウェーハ４をそのバンプ装着面を上面にして供給セット
すると共に、前記バンプ装着面上に樹脂材料６を所要量
供給し、更に、前記両型１・２を型締めして前記キャビ
ティ５内に供給された樹脂材料を加熱溶融化し、次に、
前記フィルム７を押圧部材８で押圧することによって、
前記フィルム７を前記バンプ３先端部に当接し、且つ、
前記キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して加
圧することにより、前記キャビティ５内で前記半導体ウ
ェーハ４のバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被覆ウェ
ーハ１２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、半田バ
ンプ（突起電極）等が装着された半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆方
法とその樹脂被覆用金型の改良に関するものである。
ンプ（突起電極）等が装着された半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆方
法とその樹脂被覆用金型の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、チップサイズパッケ
ージ（ＣＰＳ）等における半導体チップのバンプ装着面
を樹脂で被覆することによって柔らかくて損傷し易いバ
ンプを保護・補強することが行われているが、このチッ
プに対する樹脂被覆は半導体ウェーハの段階（ウェーハ
レベル）で行われている。例えば、図５（１）・図５
（２）に示す樹脂被覆用金型を用いて、まず、前記した
半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂被覆して樹脂被覆
ウェーハを形成し、次に、前記樹脂被覆ウェーハを切断
分離して多数の樹脂被覆チップを形成することが行われ
ている。
ージ（ＣＰＳ）等における半導体チップのバンプ装着面
を樹脂で被覆することによって柔らかくて損傷し易いバ
ンプを保護・補強することが行われているが、このチッ
プに対する樹脂被覆は半導体ウェーハの段階（ウェーハ
レベル）で行われている。例えば、図５（１）・図５
（２）に示す樹脂被覆用金型を用いて、まず、前記した
半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂被覆して樹脂被覆
ウェーハを形成し、次に、前記樹脂被覆ウェーハを切断
分離して多数の樹脂被覆チップを形成することが行われ
ている。
【０００３】即ち、図５（１）・図５（２）に示す金型
には、上型８１と、下型８２とが対向配置して設けられ
ると共に、前記上型８１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム８３が張設されるように構成され、前記下型８２に
は、前記バンプ８８が装着された半導体ウェーハ８４を
供給セットする樹脂被覆用のキャビティ８５と、前記キ
ャビティ８５を含む嵌合孔８６と、前記嵌合孔８６内を
上下摺動する前記キャビティ８５の底面を含む底面部材
８７とが設けられて構成されている。従って、図５
（１）に示すように、まず、前記上型８１の型面に前記
フィルム８３を張設すると共に、前記キャビティ８５内
に前記半導体ウェーハ８４をそのバンプ装着面を上面側
にした状態で供給セットし且つ前記バンプ装着面上に所
要量の樹脂材料８９を供給し、前記上下両型８１・８２
を型締めすると共に、前記キャビティ８５内の樹脂材料
８９を加熱溶融化する。次に、図５（２）に示すよう
に、前記キャビティにおいて、前記底面部材８７に前記
半導体ウェーハ８４を載置した状態で前記底面部材８７
を上動することにより、前記フィルム８３に前記バンプ
８８の先端部を当接させる。このとき、少なくとも前記
ウェーハ８４のバンプ装着面が樹脂で被覆されることと
になるので、前記キャビティ８５内で形成される樹脂被
覆ウェーハ９０の樹脂被覆面（バンプ装着面）におい
て、前記バンプ８８におけるフィルム８３と当接した部
分（バンプ先端部）が樹脂表面に露出することになる。
には、上型８１と、下型８２とが対向配置して設けられ
ると共に、前記上型８１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム８３が張設されるように構成され、前記下型８２に
は、前記バンプ８８が装着された半導体ウェーハ８４を
供給セットする樹脂被覆用のキャビティ８５と、前記キ
ャビティ８５を含む嵌合孔８６と、前記嵌合孔８６内を
上下摺動する前記キャビティ８５の底面を含む底面部材
８７とが設けられて構成されている。従って、図５
（１）に示すように、まず、前記上型８１の型面に前記
フィルム８３を張設すると共に、前記キャビティ８５内
に前記半導体ウェーハ８４をそのバンプ装着面を上面側
にした状態で供給セットし且つ前記バンプ装着面上に所
要量の樹脂材料８９を供給し、前記上下両型８１・８２
を型締めすると共に、前記キャビティ８５内の樹脂材料
８９を加熱溶融化する。次に、図５（２）に示すよう
に、前記キャビティにおいて、前記底面部材８７に前記
半導体ウェーハ８４を載置した状態で前記底面部材８７
を上動することにより、前記フィルム８３に前記バンプ
８８の先端部を当接させる。このとき、少なくとも前記
ウェーハ８４のバンプ装着面が樹脂で被覆されることと
になるので、前記キャビティ８５内で形成される樹脂被
覆ウェーハ９０の樹脂被覆面（バンプ装着面）におい
て、前記バンプ８８におけるフィルム８３と当接した部
分（バンプ先端部）が樹脂表面に露出することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た嵌合孔と底面部材との隙間（摺動部）に溶融樹脂材料
が浸入して硬化することにより、前記隙間に樹脂ばり
（硬化物）が発生して前記底面部材に摺動不良が発生し
易い。従って、前記隙間に発生する樹脂ばりを頻繁に除
去しなければならず、前記樹脂被覆ウェーハの生産性が
低下すると云う弊害がある。また、前記摺動不良の発生
によって、前記底面部材で前記キャビティ内の樹脂に充
分な樹脂圧を加えることができなくなるので、前記フィ
ルムに前記バンプを当接することができず、前記バンプ
が樹脂内に完全に埋没して前記バンプが外部接続用とし
ての機能を果たさなくなる等、高品質性・高信頼性の樹
脂被覆ウェーハ（樹脂被覆チップ）を得ることができな
いと云う弊害がある。
た嵌合孔と底面部材との隙間（摺動部）に溶融樹脂材料
が浸入して硬化することにより、前記隙間に樹脂ばり
（硬化物）が発生して前記底面部材に摺動不良が発生し
易い。従って、前記隙間に発生する樹脂ばりを頻繁に除
去しなければならず、前記樹脂被覆ウェーハの生産性が
低下すると云う弊害がある。また、前記摺動不良の発生
によって、前記底面部材で前記キャビティ内の樹脂に充
分な樹脂圧を加えることができなくなるので、前記フィ
ルムに前記バンプを当接することができず、前記バンプ
が樹脂内に完全に埋没して前記バンプが外部接続用とし
ての機能を果たさなくなる等、高品質性・高信頼性の樹
脂被覆ウェーハ（樹脂被覆チップ）を得ることができな
いと云う弊害がある。
【０００５】そこで、本発明は、樹脂被覆ウェーハの生
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法とその樹脂被覆用金型を提供することを目的とす
るものである。また、本発明は、高品質性・高信頼性の
樹脂被覆ウェーハを得ることができる半導体ウェハーの
樹脂被覆方法とその樹脂被覆用金型を提供することを目
的とするものである。
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法とその樹脂被覆用金型を提供することを目的とす
るものである。また、本発明は、高品質性・高信頼性の
樹脂被覆ウェーハを得ることができる半導体ウェハーの
樹脂被覆方法とその樹脂被覆用金型を提供することを目
的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記した技術的課題を解
決するための本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方
法は、バンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面
を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面に設けた
樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に前記半導
体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キャビティ
底面とは反対側にした状態で、載置供給する半導体ウェ
ーハの供給工程と、前記金型キャビティ内に樹脂材料を
所要量供給する樹脂材料の供給工程と、前記金型の他方
の型面にバンプ露出用フィルムを張設するフィルムの張
設工程と、前記金型を型締めする金型の型締工程と、前
記金型キャビティ内で前記樹脂材料を加熱溶融化する樹
脂材料の加熱溶融化工程と、前記金型の他方の型面に設
けた押圧部材で前記フィルムを前記金型キャビティ方向
に押圧する押圧部材による押圧工程と、前記押圧部材に
よる押圧工程時に、前記金型キャビティ内で前記バンプ
先端部に前記フィルムを当接するフィルムの当接工程
と、前記押圧部材による押圧工程時に、前記フィルムを
介して前記金型キャビティ内の樹脂を加圧することによ
って前記した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被
覆する半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程とを備えたこ
とを特徴とする。
決するための本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方
法は、バンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面
を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面に設けた
樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に前記半導
体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キャビティ
底面とは反対側にした状態で、載置供給する半導体ウェ
ーハの供給工程と、前記金型キャビティ内に樹脂材料を
所要量供給する樹脂材料の供給工程と、前記金型の他方
の型面にバンプ露出用フィルムを張設するフィルムの張
設工程と、前記金型を型締めする金型の型締工程と、前
記金型キャビティ内で前記樹脂材料を加熱溶融化する樹
脂材料の加熱溶融化工程と、前記金型の他方の型面に設
けた押圧部材で前記フィルムを前記金型キャビティ方向
に押圧する押圧部材による押圧工程と、前記押圧部材に
よる押圧工程時に、前記金型キャビティ内で前記バンプ
先端部に前記フィルムを当接するフィルムの当接工程
と、前記押圧部材による押圧工程時に、前記フィルムを
介して前記金型キャビティ内の樹脂を加圧することによ
って前記した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被
覆する半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程とを備えたこ
とを特徴とする。
【０００７】また、前記した技術的課題を解決するため
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方法は、前記
した半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程時に、少なくと
も金型キャビティ内を所定の真空状態にして前記半導体
ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆することを特徴と
する。
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆方法は、前記
した半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程時に、少なくと
も金型キャビティ内を所定の真空状態にして前記半導体
ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆することを特徴と
する。
【０００８】また、前記した技術的課題を解決するため
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆用金型は、バ
ンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で
被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆用金型であって、固
定型と、該固定型に対向配置した可動型と、前記両型の
一方の型面に設けた樹脂被覆用金型キャビティと、前記
金型キャビティ内の樹脂材料を加熱溶融化する加熱手段
と、前記両型の他方の型面に張設したバンプ露出用フィ
ルムと、前記張設フィルムを前記キャビティ方向に押圧
する前記他方の型面に設けた押圧部材とを設けて構成し
たことを特徴とする。
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆用金型は、バ
ンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で
被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆用金型であって、固
定型と、該固定型に対向配置した可動型と、前記両型の
一方の型面に設けた樹脂被覆用金型キャビティと、前記
金型キャビティ内の樹脂材料を加熱溶融化する加熱手段
と、前記両型の他方の型面に張設したバンプ露出用フィ
ルムと、前記張設フィルムを前記キャビティ方向に押圧
する前記他方の型面に設けた押圧部材とを設けて構成し
たことを特徴とする。
【０００９】また、前記した技術的課題を解決するため
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆用金型は、前
記した金型キャビティ底面に載置した半導体ウェーハの
バンプ装着面を水平面に調整する水平調整手段を設けた
ことを特徴とする。
の本発明に係る半導体ウェハーの樹脂被覆用金型は、前
記した金型キャビティ底面に載置した半導体ウェーハの
バンプ装着面を水平面に調整する水平調整手段を設けた
ことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】即ち、半導体ウェーハの樹脂被覆
用金型（上下両型）を用いて、まず、上型面にバンプ露
出用フィルムを張設すると共に、下型キャビティ内の所
定位置に前記半導体ウェーハをそのバンプ装着面を上面
にして供給セットし、前記バンプ装着面上に樹脂材料を
所要量供給する。次に、前記両型を型締めすると共に、
前記キャビティ内に供給された樹脂材料を加熱溶融化す
る。また、次に、前記押圧部材で前記フィルムを押圧す
ることによって、前記フィルムを前記バンプの先端部に
当接すると共に、前記キャビティ内の樹脂を前記フィル
ムを介して所定の樹脂圧で加圧する。即ち、前記フィル
ムを前記バンプ先端部に当接することによって少なくと
も前記バンプ先端部を樹脂と接触しないように構成する
ことができる。従って、前記ウェーハに装着されたバン
プの先端部を樹脂表面に露出した状態で樹脂被覆ウェー
ハを形成することができる。
用金型（上下両型）を用いて、まず、上型面にバンプ露
出用フィルムを張設すると共に、下型キャビティ内の所
定位置に前記半導体ウェーハをそのバンプ装着面を上面
にして供給セットし、前記バンプ装着面上に樹脂材料を
所要量供給する。次に、前記両型を型締めすると共に、
前記キャビティ内に供給された樹脂材料を加熱溶融化す
る。また、次に、前記押圧部材で前記フィルムを押圧す
ることによって、前記フィルムを前記バンプの先端部に
当接すると共に、前記キャビティ内の樹脂を前記フィル
ムを介して所定の樹脂圧で加圧する。即ち、前記フィル
ムを前記バンプ先端部に当接することによって少なくと
も前記バンプ先端部を樹脂と接触しないように構成する
ことができる。従って、前記ウェーハに装着されたバン
プの先端部を樹脂表面に露出した状態で樹脂被覆ウェー
ハを形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例図に基づいて詳細に説
明する。図１（１）は、バンプが装着された半導体ウェ
ーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する樹脂被覆方法に用
いられる樹脂被覆金型であって、金型の型開状態を示し
ている。図１（２）は、図１（１）に示す金型の型締状
態を示している。図２（１）は、図１（２）に示す金型
において、金型キャビティ内のバンプ先端部にバンプ露
出用フィルムを当接した状態を示している。図２（２）
は、図２（１）に示す金型を型開きして樹脂被覆ウェー
ハを離型した状態を示している。図３（１）は、図１
（２）の金型要部を拡大した図である。図３（２）は、
図２（１）の金型要部を拡大した図である。図４（１）
及び図４（２）は、樹脂被覆ウェーハである。図４
（３）は、樹脂被覆チップである。
明する。図１（１）は、バンプが装着された半導体ウェ
ーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する樹脂被覆方法に用
いられる樹脂被覆金型であって、金型の型開状態を示し
ている。図１（２）は、図１（１）に示す金型の型締状
態を示している。図２（１）は、図１（２）に示す金型
において、金型キャビティ内のバンプ先端部にバンプ露
出用フィルムを当接した状態を示している。図２（２）
は、図２（１）に示す金型を型開きして樹脂被覆ウェー
ハを離型した状態を示している。図３（１）は、図１
（２）の金型要部を拡大した図である。図３（２）は、
図２（１）の金型要部を拡大した図である。図４（１）
及び図４（２）は、樹脂被覆ウェーハである。図４
（３）は、樹脂被覆チップである。
【００１２】即ち、図例に示す金型は、固定上型１と、
該固定上型１に対向配置した可動下型２とから構成され
ている。また、前記下型２の型面にはバンプ突起電極３
が装着された半導体ウェーハ４を前記バンプ装着面を上
面（型面側）にした状態で供給セットする樹脂被覆用キ
ャビティ５が設けられて構成されると共に、前記キャビ
ティ５の底面の所定位置に載置供給されたウェーハ４の
バンプ装着面上に、例えば、粉末状或いは顆粒状の樹脂
材料６を所要量供給することができるように構成されて
いる。また、前記上型１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム７（離型フィルム）が張設されると共に、該上型１
には、前記下型キャビティ５の下型面形状に対応した押
圧面（上型面）を備えた押圧部材８と、前記押圧部材８
を上下動する上下動機構９とが設けられている。従っ
て、前記上下動機構９で前記押圧部材８を下動させるこ
とによって、前記バンプ３の先端部に前記フィルム７に
当接させることができるように構成されると共に、前記
キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して所定の
樹脂圧で加圧することができるように構成されている。
また、前記キャビティ５の外周囲（下型面）には、前記
フィルム７を型面に係止して固定する係止部材10（環状
突起）が設けられると共に、前記両型の型締時１・２
に、前記フィルム７を前記両型面間に挟持固定して下型
キャビティ面に張設することができるように構成されて
いる。また、図示はしていないが、前記金型には樹脂成
形温度にまで加熱する加熱手段が設けられて構成される
と共に、前記キャビティ５内に供給された樹脂材料６を
加熱溶融化することができるように構成されている。
該固定上型１に対向配置した可動下型２とから構成され
ている。また、前記下型２の型面にはバンプ突起電極３
が装着された半導体ウェーハ４を前記バンプ装着面を上
面（型面側）にした状態で供給セットする樹脂被覆用キ
ャビティ５が設けられて構成されると共に、前記キャビ
ティ５の底面の所定位置に載置供給されたウェーハ４の
バンプ装着面上に、例えば、粉末状或いは顆粒状の樹脂
材料６を所要量供給することができるように構成されて
いる。また、前記上型１の型面にはバンプ露出用のフィ
ルム７（離型フィルム）が張設されると共に、該上型１
には、前記下型キャビティ５の下型面形状に対応した押
圧面（上型面）を備えた押圧部材８と、前記押圧部材８
を上下動する上下動機構９とが設けられている。従っ
て、前記上下動機構９で前記押圧部材８を下動させるこ
とによって、前記バンプ３の先端部に前記フィルム７に
当接させることができるように構成されると共に、前記
キャビティ５内の樹脂を前記フィルム７を介して所定の
樹脂圧で加圧することができるように構成されている。
また、前記キャビティ５の外周囲（下型面）には、前記
フィルム７を型面に係止して固定する係止部材10（環状
突起）が設けられると共に、前記両型の型締時１・２
に、前記フィルム７を前記両型面間に挟持固定して下型
キャビティ面に張設することができるように構成されて
いる。また、図示はしていないが、前記金型には樹脂成
形温度にまで加熱する加熱手段が設けられて構成される
と共に、前記キャビティ５内に供給された樹脂材料６を
加熱溶融化することができるように構成されている。
【００１３】即ち、図１（１）に示すように、まず、前
記上型１の型面に前記フィルム７を張設すると共に、前
記下型キャビティ５内における底面の所定位置に前記半
導体ウェーハ４を前記バンプ３の装着面を上面にした状
態で供給セットし、且つ、前記バンプ装着面上に前記樹
脂材料６を所要量供給する。次に、図１（２）及び図３
（１）に示すように、前記両型１・２を型締めすること
により、前記係止部材１０で前記フィルム７を前記両型
面間に係止（挟持）固定して前記下型キャビティ５空間
部（下型面）に張設すると共に、前記キャビティ５内に
供給された樹脂材料６を加熱溶融化する。また、次に、
図２（１）及び図３（２）に示すように、前記上下動機
構９で前記した押圧部材８（の押圧面）を（前記キャビ
ティ５内における下型面の下方位置方向に）下動して前
記フィルム７を前記キャビティ５内に押圧伸張させるこ
とによって、前記フィルム７を前記バンプ３の先端部に
当接すると共に、前記押圧部材８で前記キャビティ５内
の樹脂を前記フィルム７を介して所定の樹脂圧で加圧す
る。このとき、前記フィルム７で少なくとも前記バンプ
３の先端部を樹脂と接触しない状態に構成することがで
きる。また、このとき、前記フィルム７に発生するフィ
ルムのしわを伸張して（伸ばして）除去することができ
ると共に、前記キャビティ５内を前記フィルム７でシー
ルすることによって前記キャビティ５内に樹脂を密封す
ることができる。硬化に必要な所要時間の経過後、図２
（２）に示すように、前記両型１・２を型開きすると共
に、前記両型間に樹脂被覆ウェーハ１２を前記フィルム
７に付着した状態で離型することができる。即ち、前記
ウェーハ４に装着されたバンプ３の先端部を樹脂１１の
表面に露出した状態で前記樹脂被覆ウェーハ１２を形成
することができるので、従来例に示すような弊害をなく
して、樹脂被覆ウェーハの生産性を向上させることがで
きると共に、高品質性・高信頼性の樹脂被覆ウェーハを
得ることができる。
記上型１の型面に前記フィルム７を張設すると共に、前
記下型キャビティ５内における底面の所定位置に前記半
導体ウェーハ４を前記バンプ３の装着面を上面にした状
態で供給セットし、且つ、前記バンプ装着面上に前記樹
脂材料６を所要量供給する。次に、図１（２）及び図３
（１）に示すように、前記両型１・２を型締めすること
により、前記係止部材１０で前記フィルム７を前記両型
面間に係止（挟持）固定して前記下型キャビティ５空間
部（下型面）に張設すると共に、前記キャビティ５内に
供給された樹脂材料６を加熱溶融化する。また、次に、
図２（１）及び図３（２）に示すように、前記上下動機
構９で前記した押圧部材８（の押圧面）を（前記キャビ
ティ５内における下型面の下方位置方向に）下動して前
記フィルム７を前記キャビティ５内に押圧伸張させるこ
とによって、前記フィルム７を前記バンプ３の先端部に
当接すると共に、前記押圧部材８で前記キャビティ５内
の樹脂を前記フィルム７を介して所定の樹脂圧で加圧す
る。このとき、前記フィルム７で少なくとも前記バンプ
３の先端部を樹脂と接触しない状態に構成することがで
きる。また、このとき、前記フィルム７に発生するフィ
ルムのしわを伸張して（伸ばして）除去することができ
ると共に、前記キャビティ５内を前記フィルム７でシー
ルすることによって前記キャビティ５内に樹脂を密封す
ることができる。硬化に必要な所要時間の経過後、図２
（２）に示すように、前記両型１・２を型開きすると共
に、前記両型間に樹脂被覆ウェーハ１２を前記フィルム
７に付着した状態で離型することができる。即ち、前記
ウェーハ４に装着されたバンプ３の先端部を樹脂１１の
表面に露出した状態で前記樹脂被覆ウェーハ１２を形成
することができるので、従来例に示すような弊害をなく
して、樹脂被覆ウェーハの生産性を向上させることがで
きると共に、高品質性・高信頼性の樹脂被覆ウェーハを
得ることができる。
【００１４】なお、図４（１）・図４（２）に示す樹脂
被覆ウェーハ１２は、図４（２）に示すチップ１３毎に
切断分離され、図４（３）に示す樹脂被覆チップ１４が
形成されると共に、前記した樹脂被覆チップ１４の樹脂
１１の表面に露出したバンプ３の先端部を、例えば、基
板等と電気的に接続することができるように構成されて
いる。
被覆ウェーハ１２は、図４（２）に示すチップ１３毎に
切断分離され、図４（３）に示す樹脂被覆チップ１４が
形成されると共に、前記した樹脂被覆チップ１４の樹脂
１１の表面に露出したバンプ３の先端部を、例えば、基
板等と電気的に接続することができるように構成されて
いる。
【００１５】また、前記した実施例において、前記した
押圧部材８にて前記フィルム７を介して樹脂を加圧する
ことによって前記半導体ウェーハ４のバンプ３装着面を
樹脂で被覆する場合、少なくとも前記金型キャビティ５
内を所定の真空状態にして前記半導体ウェーハ４のバン
プ３装着面を樹脂で被覆する構成を採用することができ
る。この場合、前記金型キャビティ５内において、前記
半導体ウェーハ４のバンプ３装着面を被覆する樹脂１１
に発生する気泡（ボイド）及び欠損部を効率良く防止す
ることができる。
押圧部材８にて前記フィルム７を介して樹脂を加圧する
ことによって前記半導体ウェーハ４のバンプ３装着面を
樹脂で被覆する場合、少なくとも前記金型キャビティ５
内を所定の真空状態にして前記半導体ウェーハ４のバン
プ３装着面を樹脂で被覆する構成を採用することができ
る。この場合、前記金型キャビティ５内において、前記
半導体ウェーハ４のバンプ３装着面を被覆する樹脂１１
に発生する気泡（ボイド）及び欠損部を効率良く防止す
ることができる。
【００１６】また、前記した実施例において、前記半導
体ウェーハ４の厚さに偏りがある場合があり、この場合
には、前記キャビティ５の底面に載置された半導体ウェ
ーハ４のバンプ装着面側が傾斜して水平面ではなく斜面
になることになる。従って、前記キャビティ５底面側
に、前記キャビティ５底面を適宜に傾斜して前記バンプ
装着面を水平面に調整する水平調整手段を設ける構成を
採用することができる。例えば、円柱の一方の円を斜面
（テーパ面）とし且つ他方の円を水平面とした斜面部材
（テーパプレート）を二つ用いる構成を採用することが
できる。即ち、前記したような水平調整手段２１（テー
パプレート機構）を、上部斜面部材２２と、下部斜面部
材２３と、前記両斜面部材２２・２３を円の中心を回転
軸として各別に回転させる回転機構２４とから構成し、
前記した両斜面部材２２・２３における互いの斜面側を
摺合わせて前記両斜面部材２２・２３における一方或い
は両方を前記回転機構２４で適宜に回転させる構成を採
用することができる〔図１（１）・図１（２）参照〕。
即ち、前記回転機構２４で前記各斜面部材２２・２３を
各別に適宜に回転させることによって前記水平調整手段
２１のキャビティ５の底面側を傾斜させ、半導体ウェー
ハ４のバンプ装着面（斜面）を水平面に設定することが
できる。従って、前記ウェーハ４のバンプ３の先端部に
前記フィルム７を効率良く当接することができる。
体ウェーハ４の厚さに偏りがある場合があり、この場合
には、前記キャビティ５の底面に載置された半導体ウェ
ーハ４のバンプ装着面側が傾斜して水平面ではなく斜面
になることになる。従って、前記キャビティ５底面側
に、前記キャビティ５底面を適宜に傾斜して前記バンプ
装着面を水平面に調整する水平調整手段を設ける構成を
採用することができる。例えば、円柱の一方の円を斜面
（テーパ面）とし且つ他方の円を水平面とした斜面部材
（テーパプレート）を二つ用いる構成を採用することが
できる。即ち、前記したような水平調整手段２１（テー
パプレート機構）を、上部斜面部材２２と、下部斜面部
材２３と、前記両斜面部材２２・２３を円の中心を回転
軸として各別に回転させる回転機構２４とから構成し、
前記した両斜面部材２２・２３における互いの斜面側を
摺合わせて前記両斜面部材２２・２３における一方或い
は両方を前記回転機構２４で適宜に回転させる構成を採
用することができる〔図１（１）・図１（２）参照〕。
即ち、前記回転機構２４で前記各斜面部材２２・２３を
各別に適宜に回転させることによって前記水平調整手段
２１のキャビティ５の底面側を傾斜させ、半導体ウェー
ハ４のバンプ装着面（斜面）を水平面に設定することが
できる。従って、前記ウェーハ４のバンプ３の先端部に
前記フィルム７を効率良く当接することができる。
【００１７】なお、前記した水平調整手段２１（テーパ
プレート機構）を前記上型１側（前記押圧部材８）に設
ける構成を採用することができる。例えば、前記押圧部
材８（押圧面）に前記水平調整手段（２１）を設けて構
成すると共に、前記押圧部材８の下動時に、前記水平調
整手段（２１）で前記キャビティ５内のバンプ装着面
（斜面）のバンプ３の先端部の傾斜した状態に対応して
前記押圧面を適宜に傾斜調整させて押圧斜面とし、前記
キャビティ５内の前記傾斜バンプ３先端部に前記フィル
ム７を押圧伸張して当接することができる。従って、こ
の場合において、前記ウェーハ４のバンプ３の先端部に
前記フィルム７を効率良く当接することができる。
プレート機構）を前記上型１側（前記押圧部材８）に設
ける構成を採用することができる。例えば、前記押圧部
材８（押圧面）に前記水平調整手段（２１）を設けて構
成すると共に、前記押圧部材８の下動時に、前記水平調
整手段（２１）で前記キャビティ５内のバンプ装着面
（斜面）のバンプ３の先端部の傾斜した状態に対応して
前記押圧面を適宜に傾斜調整させて押圧斜面とし、前記
キャビティ５内の前記傾斜バンプ３先端部に前記フィル
ム７を押圧伸張して当接することができる。従って、こ
の場合において、前記ウェーハ４のバンプ３の先端部に
前記フィルム７を効率良く当接することができる。
【００１８】また、前記した実施例においては、金型に
単数個のキャビティを設ける構成を例示したが、金型に
複数個のキャビティを設ける構成を採用してもよい。
単数個のキャビティを設ける構成を例示したが、金型に
複数個のキャビティを設ける構成を採用してもよい。
【００１９】また、前記した実施例では、粉末状或いは
顆粒状樹脂材料を用いる構成を例示したが、例えば、樹
脂タブレット等の種々の形状の樹脂材料を用いることが
できる。また、前記した実施例では、熱硬化性樹脂材料
を用いる構成を例示したが、例えば、熱可塑性樹脂材料
等を採用することができる。
顆粒状樹脂材料を用いる構成を例示したが、例えば、樹
脂タブレット等の種々の形状の樹脂材料を用いることが
できる。また、前記した実施例では、熱硬化性樹脂材料
を用いる構成を例示したが、例えば、熱可塑性樹脂材料
等を採用することができる。
【００２０】また、前記実施例において、前記上型面に
設けた吸引孔から強制的に吸引することによって前記フ
ィルム７を前記上型面に固定して張設する構成を採用す
ることができる。このとき、前記上型面に吸着固定した
フィルムにおけるしわを効率良く除去することができ
る。
設けた吸引孔から強制的に吸引することによって前記フ
ィルム７を前記上型面に固定して張設する構成を採用す
ることができる。このとき、前記上型面に吸着固定した
フィルムにおけるしわを効率良く除去することができ
る。
【００２１】本発明は、上述した各実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必
要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用でき
るものである。
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必
要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用でき
るものである。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂被覆ウェーハの生
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法とその樹脂被覆用金型を提供することができると
云った優れた効果を奏するものである。
産性を向上させることができる半導体ウェハーの樹脂被
覆方法とその樹脂被覆用金型を提供することができると
云った優れた効果を奏するものである。
【００２３】また、本発明によれば、高品質性・高信頼
性の樹脂被覆ウェーハを得ることができる半導体ウェハ
ーの樹脂被覆方法とその樹脂被覆用金型を提供すること
ができると云う優れた効果を奏するものである。
性の樹脂被覆ウェーハを得ることができる半導体ウェハ
ーの樹脂被覆方法とその樹脂被覆用金型を提供すること
ができると云う優れた効果を奏するものである。
【図１】図１（１）・図１（２）は本発明に係る半導体
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図１（１）は金型の型開状態を示し、図１
（２）は金型の型締状態を示している。
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図１（１）は金型の型開状態を示し、図１
（２）は金型の型締状態を示している。
【図２】図２（１）・図２（２）は本発明に係る半導体
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図２（１）は半導体ウェーハのバンプ先端部に
フィルムを当接した状態を示し、図２（２）は金型を型
開きして樹脂被覆ウェーハを離型した状態を示してい
る。
ウェーハの樹脂被覆金型を概略的に示す概略縦断面図で
あって、図２（１）は半導体ウェーハのバンプ先端部に
フィルムを当接した状態を示し、図２（２）は金型を型
開きして樹脂被覆ウェーハを離型した状態を示してい
る。
【図３】図３（１）は図１（２）に示す金型の要部を拡
大して概略的に示す概略拡大縦断面図であり、図３
（２）は図２（１）に示す金型の要部を拡大して概略的
に示す概略拡大縦断面図である。
大して概略的に示す概略拡大縦断面図であり、図３
（２）は図２（１）に示す金型の要部を拡大して概略的
に示す概略拡大縦断面図である。
【図４】図４（１）は樹脂被覆ウェーハを概略的に示す
一部切欠概略側面図であり、図４（２）は図４（１）に
示す樹脂被覆ウェーハの概略底面図であり、図４（３）
は前記樹脂被覆ウェーハを切断分離して形成した樹脂被
覆チップを概略的に示す概略縦断面図である。
一部切欠概略側面図であり、図４（２）は図４（１）に
示す樹脂被覆ウェーハの概略底面図であり、図４（３）
は前記樹脂被覆ウェーハを切断分離して形成した樹脂被
覆チップを概略的に示す概略縦断面図である。
【図５】図５（１）・図５（２）は従来の樹脂被覆金型
を概略的に示す概略縦断面図である。
を概略的に示す概略縦断面図である。
１ 固定上型 ２ 可動下型 ３ バンプ ４ 半導体ウェーハ ５ キャビティ ６ 樹脂材料 ７ フィルム ８ 押圧部材 ９ 上下動機構 １０ 係止部材 １１ 樹脂 １２ 樹脂被覆ウェーハ １３ チップ １４ 樹脂被覆チップ ２１ 水平調整手段 ２２ 上部斜面部材 ２３ 下部斜面部材 ２４ 回転機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｔ // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F202 CA09 CB01 CB12 CB17 CB20 CK12 CK59 CK67 CL02 CL12 CN01 CP01 CP06 CQ01 4F204 AA36 AC01 AC04 AD03 AD05 AD08 AD21 AD24 AG02 AG03 AH37 AM32 AR12 FA01 FB01 FB12 FB17 FB20 FF01 FG01 FH18 FN08 FN12 FN15 FQ01 FQ15 FQ40 5F061 AA01 BA03 CA21 DA06 DA16 EA01
Claims (4)
- 【請求項１】 バンプを装着した半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面
に設けた樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に
前記半導体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キ
ャビティ底面とは反対側にした状態で、載置供給する半
導体ウェーハの供給工程と、 前記金型キャビティ内に樹脂材料を所要量供給する樹脂
材料の供給工程と、 前記金型の他方の型面にバンプ露出用フィルムを張設す
るフィルムの張設工程と、 前記金型を型締めする金型の型締工程と、 前記金型キャビティ内で前記樹脂材料を加熱溶融化する
樹脂材料の加熱溶融化工程と、 前記金型の他方の型面に設けた押圧部材で前記フィルム
を前記金型キャビティ方向に押圧する押圧部材による押
圧工程と、 前記押圧部材による押圧工程時に、前記金型キャビティ
内で前記バンプ先端部に前記フィルムを当接するフィル
ムの当接工程と、 前記押圧部材による押圧工程時に、前記フィルムを介し
て前記金型キャビティ内の樹脂を加圧することによって
前記した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆す
る半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程とを備えたことを
特徴とする半導体ウェハーの樹脂被覆方法。 - 【請求項２】 半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程時
に、少なくとも金型キャビティ内を所定の真空状態にし
て前記半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハーの樹
脂被覆方法。 - 【請求項３】 バンプを装着した半導体ウェーハのバン
プ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェハーの樹脂被覆用
金型であって、固定型と、該固定型に対向配置した可動
型と、前記両型の一方の型面に設けた樹脂被覆用金型キ
ャビティと、前記金型キャビティ内の樹脂材料を加熱溶
融化する加熱手段と、前記両型の他方の型面に張設した
バンプ露出用フィルムと、前記張設フィルムを前記キャ
ビティ方向に押圧する前記他方の型面に設けた押圧部材
とを設けて構成したことを特徴とする半導体ウェハーの
樹脂被覆用金型。 - 【請求項４】 金型キャビティ底面に載置した半導体ウ
ェーハのバンプ装着面を水平面に調整する水平調整手段
を設けたことを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェ
ハーの樹脂被覆用金型。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06408699A JP4253393B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 半導体ウェーハの樹脂被覆方法及び金型 |
| SG200001259A SG92685A1 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-07 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| KR1020000011433A KR100357362B1 (ko) | 1999-03-10 | 2000-03-08 | 반도체 웨이퍼의 수지 피복 방법 및 이에 사용되는 금형 |
| EP00301890A EP1035572A3 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-08 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| TW089104272A TW460989B (en) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| MYPI20000901A MY120473A (en) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
| US09/523,420 US6346433B1 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-10 | Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06408699A JP4253393B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 半導体ウェーハの樹脂被覆方法及び金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000254933A true JP2000254933A (ja) | 2000-09-19 |
| JP4253393B2 JP4253393B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=13247929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06408699A Expired - Fee Related JP4253393B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 半導体ウェーハの樹脂被覆方法及び金型 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002166449A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
| JP2005219297A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 |
| JP2009509349A (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 取り外し可能な縁部延長要素を有するマイクロ電子基板 |
| JP2015101083A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | Ｔｏｗａ株式会社 | 圧縮成形装置の樹脂材料供給方法及び供給装置 |
| JP2016503241A (ja) * | 2013-01-11 | 2016-02-01 | マイクロン テクノロジー， インク． | パッケージ貫通インタコネクト付き半導体デバイスアセンブリ並びに関連するシステム、デバイス、及び方法 |
| JP2017108085A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | リンテック株式会社 | シート貼付装置および貼付方法 |
| JP6304517B1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-04-04 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
| CN110271169A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 东和株式会社 | 树脂成形装置以及树脂成形品的制造方法 |
| JP2020040369A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日鉄日新製鋼株式会社 | 加熱圧着用治具及び複合体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-03-10 JP JP06408699A patent/JP4253393B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002166449A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
| JP2005219297A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 |
| JP2009509349A (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 取り外し可能な縁部延長要素を有するマイクロ電子基板 |
| US8202460B2 (en) | 2005-09-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Microelectronic substrate having removable edge extension element |
| US9978730B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-05-22 | Micron Technology, Inc. | Method of assembly semiconductor device with through-package interconnect |
| JP2016503241A (ja) * | 2013-01-11 | 2016-02-01 | マイクロン テクノロジー， インク． | パッケージ貫通インタコネクト付き半導体デバイスアセンブリ並びに関連するシステム、デバイス、及び方法 |
| US11456286B2 (en) | 2013-01-11 | 2022-09-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device assembly with through-package interconnect and associated systems, devices, and methods |
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| CN110271169A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 东和株式会社 | 树脂成形装置以及树脂成形品的制造方法 |
| JP2020040369A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日鉄日新製鋼株式会社 | 加熱圧着用治具及び複合体の製造方法 |
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