JP2000252125A - 特に高周波回路への組み込みを意図したインダクタ要素、集積変圧器、及びそのようなインダクタ要素又は集積変圧器を組み込まれた集積回路 - Google Patents

特に高周波回路への組み込みを意図したインダクタ要素、集積変圧器、及びそのようなインダクタ要素又は集積変圧器を組み込まれた集積回路

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JP2000252125A
JP2000252125A JP2000047980A JP2000047980A JP2000252125A JP 2000252125 A JP2000252125 A JP 2000252125A JP 2000047980 A JP2000047980 A JP 2000047980A JP 2000047980 A JP2000047980 A JP 2000047980A JP 2000252125 A JP2000252125 A JP 2000252125A
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ローラン・バテール
Ahmed Mhani
アフメド・ムハニ
Francois Valentin
フランソワ・ヴァランタン
Jean-Michel Karam
ジャン−ミシェル・カラム
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 巻線の抵抗値が大きく低減されたインダクタ
要素を提供することである。 【解決手段】 基板層２と、渦巻き状に巻いた金属スト
リップ３から成る平坦インダクタとを備え、前記基板層
２が石英から成り、前記金属ストリップ３が銅から成
り、かつ10μｍ以上の厚み(E3)を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロエレクト
ロニクス及びマイクロシステム分野に関するものであ
る。さらに詳細には、集積回路に組み込むことを意図し
たインダクタ要素(inductive component)あるいは集積
変圧器、特に高周波領域に用いられるものの新規な構成
に関するものである。本発明の目的は、特に、現在入手
可能なインダクタを使用した場合より、低周波数からか
なり優れたＱ値を有し、かつより高周波で作動するイン
ダクタを提供することである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、集積回路はマイクロ波及
び高周波の分野においてますます使用が伸びている。
【０００３】これらの応用においては、キャパシタ−イ
ンダクタ結合を含む同調振動回路を使用できることが重
要である。しかしながら、これらの回路は、ますます小
さい体積を占めるように製造しなければならない。さら
に、これらはますます高い周波数で操作しなければなら
ない。
【０００４】また、このような要素の電気的な消費量
が、特に携帯電話において臨界パラメータになりつつあ
る。というのは、この消費がこれらの装置の自律性に直
接影響を与えるからである。
【０００５】従って、高周波システムにおいて使用する
フィルターを形成する受動要素(passive component)、
特にインダクタは、集積回路内でできるだけ小さい領域
を占有するように要求されている。このインダクタは、
できるだけ高いインダクタンスを有し、かつその結果で
きるだけ低い電気消費量を示すものである。
【０００６】半導体材料から成る集積回路にはめ込まれ
るインダクタが、そのインダクタの近傍の基板の局所的
領域によって形成される寄生キャパシタンスの影響にさ
らされることは周知である。
【０００７】図１は、集積回路チップに組み込まれるイ
ンダクタの等価回路を示している。
【０００８】このようなインダクタは、実際のインダク
タ(L)に、このインダクタの理想的な挙動から逸脱させ
る様々な寄生要素を付加された等価回路で表される。
【０００９】インダクタは、生成金属の抵抗に対応した
抵抗(Rs)を有する。さらに、このインダクタは、基板の
最上面に堆積された酸化層の存在に起因した寄生キャパ
シタンスである（Ci及びCoで表された）様々なキャパシ
タンスを有する。さらに、このインダクタは、Ci及びCo
の前記キャパシタに対しては直列に、かつ互いどうしは
並列に並んだキャパシタCsub及び抵抗Rsubを含んでい
る。これらキャパシタCs ub及び抵抗Rsubは、前記酸化層
とグランド面との間に位置した半導体基板の影響に対応
するものである。
【００１０】さらに、ある寄生キャパシタンスがインダ
クタを形成する複数のターン(turns)の間に存在し、か
つ図１の等価回路においてキャパシタ(Cs)によってモデ
ル化されている。
【００１１】本件の出願日には公開されていない仏国特
許文献FR 98/08434における出願人は、ターン間の寄生
キャパシタ(Cs)のキャパシタンスを非常に低減する構成
を採用することによって、このようなインダクタを半導
体基板上に形成するようにする方法を示した。このよう
な方法によって、このようなインダクタを満足な挙動を
維持したまま高周波で使用することが可能となる。
【００１２】最適作動周波数とはＱ値が最大となる周波
数であることが想起されるだろう。Ｑ値は、図１で示し
たモデルに対応する入力インダクタンスの実部に対する
虚部あるいは作用部(reactants)の比により周知の方法
で定義される。
【００１３】前述の文献に記載の方法は十分なものでは
あるが、Ｑ値は低周波数域において十分に改善されたも
のではない。すなわち、本発明の高周波応用に使われる
数ギガヘルツに一般に近い値である最適周波数の1/2以
下の値である。
【００１４】というのは、この周波数域内では、インダ
クタの挙動は、実際のインダクタを成す金属ストリップ
の電気抵抗に対応する抵抗(Rs)の値に強く依存するから
である。
【００１５】しかしながら、回路、あるいは集積回路に
形成された全インダクタは、現時点ではアルミニウムか
ら成り、特に非常に小さい厚みで形成された小さいサイ
ズのものである。そのため、高電気抵抗となる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】そのため、本発明が解
決しようとする問題の一つは、インダクタを形成する巻
線の全抵抗による望ましくない影響の問題である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】従って、本発明はインダ
クタ要素に関し、特に： −基板層と； −渦巻き状に巻かれた金属ストリップで形成された平坦
インダクタとに関するものである。
【００１８】本発明によるインダクタ要素において、基
板層は石英から成り、他方、金属ストリップは銅から成
り、かつ10μｍ以上の厚みを有する。
【００１９】この方法では、巻線の抵抗値は、従来技術
で使用されるアルミニウムよりはるかに低い抵抗の導電
性材料を使用することによって非常に大きく低減されて
いる。
【００２０】さらに、選択された寸法パラメータは、特
にターンを成す金属ストリップの厚みであり、巻線の抵
抗のトータル値も非常に低減する。
【００２１】抵抗値のこの低減は、空気の誘電特性に非
常に近い誘電特性を有する石英から成る基板上に金属ス
トリップをはめ込むことによって極端に小さな寄生キャ
パシタンス(Cs)を維持しながら成し遂げられる。
【００２２】本発明によるインダクタの特性によって、
Ｑ値は、同じインダクタンスのインダクタによって観察
され、従来技術によって製造されたものより10倍大きか
ったことが観察されている。
【００２３】例えば、約5ナノヘンリー(nH)のインダク
タンス及び1.8ギガヘルツ(GHz)の典型的な周波数に対し
て、Ｑ値は約40である。一方、従来技術では4程度の値
だった。
【００２４】実際、金属ストリップの厚みが約30μｍの
ときに、満足する結果であった。
【００２５】本発明の一つの特徴によれば、２つの隣接
するターンの対面間の距離は材料に依存しない。
【００２６】その結果、非常に低い電気誘電率を有する
空気の存在が、集積インダクタの最適使用における負の
インパクトを有するように見えるターン間の寄生キャパ
シタンスを大きく制限する。
【００２７】一実施形態では、本発明によるインダクタ
要素はさらに、インダクタと石英基板との間に挟んだポ
リイミド層を有する。渦巻き体の中心部に接続するスト
リップのセグメントがポリイミド層内を貫通し、ストリ
ップの他の端部は接続端子を形成する。
【００２８】実際、金属ストリップは、基板あるいはポ
リイミド層と接触する面以外の面を金層で被覆すると有
利である。
【００２９】特に湿った雰囲気（例えば海上）のよう
な、化学的に攻撃的な環境において本発明による構成要
素の作動において固有の酸化の危険は、ストリップの全
抵抗を低減する酸化現象から導電性ストリップを保護す
ることによって克服される。
【００３０】本発明の前記ような側面は、集積変圧器の
製造にも適用される。このような変圧器は、渦巻き状に
巻かれた２つの金属ストリップによって形成された、本
発明による２つの平坦インダクタを含んでいる。これら
の渦巻き体(spiral)は、一方のインダクタのターンが他
のインダクタのターンの間に位置するように巻かれる。
【００３１】十分なＱ値を維持しつつ、高インダクタン
スを得るために、実際には、ストリップが直列に配置し
た２つの渦巻きとして巻かれ、そして、その２つの渦巻
き（渦巻き体）を互いに平行にし、基板に近い方の渦巻
き体をポリイミド層内に埋め込むと有利である。
【００３２】その結果、磁気結合現象のため、インダク
タンスは単一渦巻き体で形成されたインダクタのインダ
クタンスの２倍である。そのため、このようなインダク
タの全長は減少する。さらに、所定のインダクタンスに
対して、単インダクタの抵抗の1/2より小さい抵抗を有
する渦巻き体を２つ使用する。このような小さい抵抗値
は、Ｑ値に関して有利である。
【００３３】一実施形態において、特に攻撃的な媒体に
おいて適用することを意図する際、２番目の渦巻き体が
埋め込まれるポリイミド層はシリカから成る障壁層で被
覆してもよい。そうすると、このような構成要素の寿命
が延びる。
【００３４】一実施形態において、本発明によるインダ
クタは、ストリップの２つの端部が、金属ストリップの
厚みに近い高さを有するスペーサー要素あるいは“バン
プ（bumps）”を載置する接続端子を形成するようにな
っている。
【００３５】そのため、このようなインダクタ、あるい
は変圧器へ置換される置換部材は、それを集積回路上に
はめ込むのをより容易にする構成要素を有する。
【００３６】本発明は、上記のインダクタ要素あるいは
集積変圧器を備えた集積回路に関するものである。
【００３７】本発明の一構成によれば、このような集積
回路は、インダクタ要素及び集積変圧器に対する接続リ
ードを備え、つぎのような特徴を有する： −使用する基板は石英から成り； −金属ストリップは銅から成り、かつ厚みが10μｍ以上
である。
【００３８】言い換えると、インダクタ要素あるいは変
圧器は、“フリップフロップ”として知られる技術を用
いて取り付ける。
【００３９】実際、通常“バンプ”と呼ばれるスペーサ
ー要素は、それらがインダクタ要素のストリップの厚み
に近い高さを有するように選択するのが有利である。
【００４０】結果として、インダクタを形成するストリ
ップは、集積回路上のインダクタ要素が力学的に安定で
あることを保証し、一方でインダクタの挙動への半導体
基板の寄生伝導度の影響を制限する距離だけ、集積回路
の半導体基板から離間する。
【００４１】何故なら、スペーサー要素の高さが高すぎ
れば（特にストリップ厚より大きければ）、装置が衝撃
を受けた場合に、集積回路とインダクタとの間の結合を
破壊することにつながる力学的不安定を招く危険がある
からである。
【００４２】逆に、集積回路の半導体基板とインダクタ
との間の距離が小さすぎるときは、インダクタの性能を
低下させる原因となる半導体を介した電気的損失の減少
が観察される。
【００４３】実用上、約30μｍの厚みのストリップに対
しては、30μｍのスペーサーあるいは“バンプ”を用い
ると、よい結果を得る。
【００４４】実際、集積回路上に取り付けたインダクタ
要素の安定性をさらに改善するためには、スペーサー要
素を、好ましくはその高さの３倍に近い直径を有する円
筒型形状にすると有利である。
【００４５】
【発明の実施の形態】添付の図面を参照して、本発明を
実現する方法及びそれから生じる利点が、以下の実施形
態の記載から明らかになるだろう。
【００４６】すでに述べたように、本発明は第一に、高
周波あるいはマイクロ波への応用として、集積回路に組
み込んで使用するインダクタ要素に関するものである。
【００４７】本発明の一構成によると、図２で示したこ
のインダクタ要素１が、本質的に、金属ストリップ３か
ら成る巻線が配置された石英から成る基板２を備えてい
る。
【００４８】このストリップ３は、インダクタコイルを
形成するために、渦巻き状に巻く。図２に示した形状
は、好適な幾何学的形状である円形渦巻き状の巻線であ
るが、本発明の巻線はこのタイプに限定するものではな
く、他の渦巻き状の巻線、すなわちそのストリップが、
例えば、直線状のセグメントの連続体であって、全体と
して矩形の形状の巻線となるように、各セグメントが次
のセグメントに対して90°の角度を有するようなもので
もよい。また、その他多角形状とすることも考えられ
る。
【００４９】本発明による重要な特徴は、基板が石英か
ら成ることである。
【００５０】本発明による他の重要な特徴は、インダク
タを形成するストリップが銅から成り、従来の集積イン
ダクタを形成するのに用いられるストリップの厚みより
厚いことである。
【００５１】ストリップ３は、10μｍ以上、好適には30
μｍに近い厚み(E3)を有する。この値は、従来のインダ
クタのアルミニウムストリップの厚み2〜3μｍと対照的
な値である。
【００５２】さらに詳細には、図３で示したように、石
英基板層は、該石英基板とインダクタを形成するストリ
ップ３との間に配置するポリイミド層５により被覆す
る。
【００５３】特に、２つの接続端子のうちの一方となる
ストリップの端部１０に渦巻き体の中央部９を接続する
セグメント８が、このポリイミド層を貫通する。
【００５４】実際、ポリイミド層５の厚み(E2)は約35μ
ｍである。セグメント８を被覆するポリイミド層の厚み
は4μｍから6μｍである。
【００５５】図３に示したように、各ターン１０の幅(D
2)は約30μｍであるのに対して、銅のターン１５を離間
する距離(D1)は約10μｍである。
【００５６】所望のインダクタンスの値に依存して、適
当な数のターンを有する渦巻き体を形成する。
【００５７】既に述べたように、本発明の一構成によれ
ば、銅ストリップ３を、外部の媒体に接触する面上で、
薄い金層（１９）によって通常1000Åから2000Åの膜厚
で被覆する。この金層の機能は、銅の伝導特性を低下す
る周知の酸化現象から銅ストリップ３を保護することで
ある。
【００５８】本発明の特徴によれば、ストリップのター
ン（１５，１６）間に形成されたスペース（１７）の材
料は任意なので、空気で充填する。ターン（１５，１
６）間に存在する寄生キャパシタンスは可能な限り低減
し、インダクタをより大きな周波数域全体にわたって作
動可能にする。
【００５９】高インダクタンスを求めるならば、図４の
断面図で示したように、２つの渦巻き体を直列に形成す
るように銅ストリップを巻く。
【００６０】さらに詳細には、ストリップは互いに並列
になるように配置した２つの平坦な渦巻き体を形成す
る。
【００６１】これらの２つの渦巻き体（２１，２２）
は、その共通の中心軸（２３）で直列に接続し、同じ方
向に回転する。
【００６２】図４で示したように、石英基板２により接
近して配置した渦巻き体（２２）をポリイミド層（２
６）内に埋め込む。一方、渦巻き体（２１）は外部の媒
体で接触し、かつ図３の単一渦巻き体のように、酸化の
危険を回避することことことを意図した金層（１９）で
被覆する。
【００６３】ターンの断面は両方の渦巻き体で同一であ
る。渦巻き体が多角形の特別な場合には、２つの渦巻き
体のターンを、該ターンが互いの頂部に位置しないよう
に横にずらすと有利である。これによって、ターン間の
寄生キャパシタンスが低減する。
【００６４】図５で示した特定の実施形態においては、
下部渦巻き体（３２）を埋め込んだポリイミド層５を、
外部の化学的攻撃からポリイミド層５を保護し、それに
よってインダクタ要素の寿命を延長することを意図した
保護シリカ層（３６）で被覆している。
【００６５】本発明の原理によれば、図６のように、２
つの独立のストリップによって形成し、かつインダクタ
（５０，５１）が結合するように鱗状に重ねた渦巻き体
として巻いたインダクタ（５０，５１）を少なくとも２
つ含む集積変圧器の製造が可能となる。
【００６６】実際、図７に示したように、インダクタ
（５０，５１）は、第１の渦巻き体（５１）のターン
（５３，５５）が他の渦巻き体（５０）のターン（５
２，５４）間に挿入されるように巻き付ける。
【００６７】既に述べたように、本発明によるインダク
タ要素は、高周波回路、特に一体型集積回路に組み込ま
れることを意図したものである。
【００６８】このような組み込みを特に図８に図解し
た。
【００６９】上記のインダクタ要素１を、“フリップフ
ロップ”と通常呼ばれる取り付け技術を利用して、一般
に“バンプ”と呼ばれるスペーサー要素（４５，４６）
によって集積回路（４０）上に取り付ける。この集積回
路（４０）は、半導体基板の不活性化層（４３）内に備
えた金属接触パッド（４１，４２）を備えたものであ
る。
【００７０】図８では、インダクタ要素１の石英基板２
は、ストリップが集積回路（４０）と石英基板２との間
に位置するインダクタを形成するストリップ３を見える
ようにするために透明に作った。
【００７１】本発明の一構成によると、この取り付け
は、特に、集積回路（４０）上でのインダクタ要素１の
高い力学的安定性を保証することを意図して、円筒形の
断面を有するスペーサー（４５，４６）によって行う。
【００７２】これは、高周波回路が特に高い力学的振動
／衝撃応力に耐えなければならないことが周知だからで
ある。
【００７３】例えば、本発明の携帯電話への応用では、
装置は、重力加速度の数倍の加速度にも達するような非
常に厳しい衝撃テストにさらす。従って、集積回路の最
上部に装備した構成要素が、装置の使用不能を招く離脱
の危険にさらされることがないことが必須である。振動
応力も非常に厳しい。
【００７４】本発明の一構成によると、スペーサー要素
４５，４６は特に丈夫な円筒形状をしている。このよう
な円筒形のスペーサー要素に対して選択した直径は、集
積回路上に形成した標準接触パッド４１，４２の幅、す
なわち、100μｍのオーダーと実質的に等しい。
【００７５】従って、この構成によって、非常に高い力
学的安定性を有し、かつこのようなスペーサー要素４
５，４６の電気抵抗は無視できることを保証している。
【００７６】スペーサー要素の高さは、銅ストリップ３
のターン１５の高さに非常に近い値に選ばれ、かつ通常
約30μｍである。集積回路への取り付けは、はんだ付け
によって行う。
【００７７】30μｍのスペーサー要素４５，４６の高さ
によって、集積回路４０上でのインダクタ要素１の力学
的安定性との間の好適な妥協を保証することを可能とす
る一方、接近しすぎることにより生ずる半導体基板内で
の電気的損失現象をできるだけ限定する。
【００７８】銅ストリップの製造は、電着段階と組み合
わせた工程によって行う。電着は、露光され、現像され
てパターンを形成する光感応性樹脂によって被覆した金
属成長層によって外部面に形成したベースライン上での
成長によって生ずる。
【００７９】大きな値のターン高さは、ターン間スペー
スを構成するボリュームを占有するブロックを熱感応性
樹脂の側壁が形成することによって、銅の電界成長の後
に得られる。
【００８０】銅の電界成長は面成長であり、これによっ
てほぼ矩形断面を有しかつ大きな値の高さの銅ターンを
得られる。
【００８１】電界成長によるターンの形成の段階の後、
本発明の一構成によって空気で充填したターン間スペー
スを得るために、ブロックとしての役目を果たす材料を
除去する。上記の金属成長層も除去する。
【００８２】図９は、上記工程により形成したストリッ
プ７０を示す電子顕微鏡像である。そのストリップは、
構成要素のインダクタ挙動において役割のない金属によ
って形成した２つの部位７１，７２によって囲繞されて
いる。
【００８３】本発明による変圧器と同様、インダクタ要
素は多くの利点、特に周知の技術により製造されたイン
ダクタのＱ値よる約10倍大きな優れたＱ値を有する。さ
らに、ターン間寄生キャパシタンスが特に低いため、作
動周波数範囲が高い。
【００８４】さらに、化学的攻撃雰囲気に対する耐久性
が非常によい。
【００８５】本発明による円筒型スペーサー要素によっ
て集積回路に組み込むときには、特に集積回路の半導体
基板内での電気的損失によって、優れた電気的特性を保
持したまま、非常に高い力学的安定性と衝撃及び振動に
対する耐久性を得られる。
【００８６】産業上の利用性 本発明による変圧器のインダクタ要素は、発振器、増幅
器あるいはミキサー(mixer)、を含む回路及び能動ある
いは受動フィルターにおいて特に多くの応用がある。イ
ンダクタ要素は、高い精度が重視されうるところで、離
間した部材としてそれらだけで使用してもよい。
【００８７】集積回路の組み込みは、通信、マイクロ波
及び高周波処理を意図した電子回路において特に応用可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 基板に組み込まれたインダクタの挙動をモ
デル化した電気回路図である。
【図２】 本発明によるインダクタ要素の平面図であ
る。
【図３】 単一渦巻き体を形成するストリップを用い
た本発明による構成要素の断面図である。
【図４】 インダクタを２つの並列の渦巻き体によっ
て形成した実施形態を示す部分的断面図である。
【図５】 インダクタを２つの並列の渦巻き体によっ
て形成した実施形態を示す部分的断面図である。
【図６】 ２つの巻線を有する、本発明による集積変
圧器の平面図である。
【図７】 本発明によって形成した変圧器の断面図で
ある。
【図８】 集積回路上への本発明によるインダクタ要
素の形成を示す概略説明図である。
【図９】 本発明によるインダクタ要素に用いる金属
ストリップの電子顕微鏡像の複写である。
【符号の説明】
１ インダクタ要素 ２ 基板 ３ 金属ストリップ ５ ポリイミド層 ８ セグメント ９ 中央部 １０，１５，１６，５２，５３，５４，５５ ターン １７ スペース １９ 金層 ２１，２２ 渦巻き体 ５０、５１ インダクタ ７０ ストリップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローラン・バテール フランス・38100・グルノーブル・アヴニ ュ・ドゥ・ヴィズィーユ・37ビス (72)発明者 アフメド・ムハニ フランス・38100・グルノーブル・ガルリ ー・ドゥ・ラルルカン・73 (72)発明者 フランソワ・ヴァランタン フランス・38113・ヴレ・ヴォロワーズ・ ル・ベルヴェデール・９ (72)発明者 ジャン−ミシェル・カラム フランス・38000・グルノーブル・リュ・ ア・テレ・15

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高周波回路への組み込みを特に意図し
    たインダクタ要素（１）であって、 −基板層（２）と； −渦巻き状に巻いた金属ストリップ（３）から成る平坦
    インダクタと；を備え、 −前記基板層（２）が石英から成り、 −前記金属ストリップ（３）が銅から成り、かつ10μｍ
    以上の厚み(E3)を有するインダクタ要素。
  2. 【請求項２】 前記金属ストリップ（３）が略30μｍ
    の厚み(E3)を有する請求項１に記載のインダクタ要素。
  3. 【請求項３】 前記インダクタ（３）と前記石英基板
    （２）との間に位置したポリイミド層（５）を含み、渦
    巻き体の中央部に接続するストリップ（３）のセグメン
    ト（８）がそのポリイミド層内を貫通するとともに、ス
    トリップの端部が接続端子を形成する請求項１に記載の
    インダクタ要素。
  4. 【請求項４】 前記金属ストリップ（３）が、基板
    （２）又はポリイミド層（５）と接触する面以外の面を
    金層によって被覆されている請求項３に記載のインダク
    タ要素。
  5. 【請求項５】 ２つの隣接するターン（１５，１６）
    の対面間のスペース（１７）には材料が充填されない請
    求項１に記載のインダクタ要素。
  6. 【請求項６】 前記ストリップ（３）が円形渦巻き状
    である請求項１に記載のインダクタ要素。
  7. 【請求項７】 前記ストリップ（３）が直列に配置し
    た２つの渦巻き体（２１，２２）として巻かれ、その２
    つの渦巻き体（２１，２２）が互いに平行であり、基板
    に近い方の渦巻き体（２２）がポリイミド層（２６）内
    に埋め込れている請求項１に記載のインダクタ要素。
  8. 【請求項８】 前記ポリイミド層がシリカの障壁層で
    被覆されている請求項７に記載のインダクタ要素。
  9. 【請求項９】 ストリップの２つの端部が、金属スト
    リップ（３）の厚みに近い高さを有するスペーサー要素
    （４５，４６）を載置する接続端子を形成している請求
    項１に記載のインダクタ要素。
  10. 【請求項１０】 高周波回路への組み込みを特に意図
    した集積変圧器であって、 −基板層（２）と； −渦巻き体として巻かれた２つの金属ストリップから成
    る２つの平坦インダクタ（５０，５１）と；を備え、 −前記の２つの渦巻き体が、一方のインダクタ（５１）
    のターン（５３，５５）が他方のインダクタ（５０）の
    ターン（５２，５４）の間に位置するように巻かれてお
    り −前記基板層（２）が石英から成り、 −前記金属ストリップ（３）が銅から成り、かつ10μｍ
    以上の厚みを有する集積変圧器。
  11. 【請求項１１】 前記金属ストリップ（３）が略30μ
    ｍの厚みを有する請求項１０に記載の集積変圧器。
  12. 【請求項１２】 前記インダクタ（５０，５１）と前
    記石英基板（２）との間に位置したポリイミド層（５
    ６）を含み、インダクタ（５０，５１）の中央部に接続
    するストリップのセグメント（５８）がそのポリイミド
    層内を貫通するとともに、ストリップの端部が接続端子
    を形成している請求項１０に記載の集積変圧器。
  13. 【請求項１３】 前記金属ストリップが、基板又はポ
    リイミド層と接触する面以外の面を金層で被覆されてい
    る請求項１０から請求項１２のいずれか一項にに記載の
    集積変圧器。
  14. 【請求項１４】 前記ストリップが円形渦巻き状であ
    る請求項１０に記載の集積変圧器。
  15. 【請求項１５】 ストリップを形成するターンの対面
    間のスペースを充填する材料が任意である請求項１０に
    記載の集積変圧器。
  16. 【請求項１６】 請求項１から請求項９のいずれか一
    項に記載のインダクタ要素が組み込まれた集積回路、又
    は、請求項１０から請求項１５のいずれか一項に記載の
    集積変圧器において、 −前記集積回路（４０）が接触パッド（４１，４２）を
    含み； −前記インダクタ要素（１）あるいは前記集積変圧器
    が、集積回路の前記接触パッド（４１，４２）と前記イ
    ンダクタ要素の接続端子（１０）又は前記集積変圧器の
    接続端子（１０）との間の電気的接続を保証する導電性
    スペーサー要素（４５，４６）によって、集積回路上に
    載置され、前記インダクタ要素又は集積変圧器が、集積
    回路に対して、インダクタ（３）を含む面が集積回路
    （４０）に面するように方向付けられている集積回路。
  17. 【請求項１７】 前記スペーサー要素（４５，４６）
    が、前記インダクタ要素のストリップ（３）又は前記集
    積変圧器のストリップ（３）の厚みに近い高さを有する
    請求項１６に記載の集積回路。
  18. 【請求項１８】 前記スペーサー要素（４５，４６）
    が円筒形状である請求項１６に記載の集積回路。
  19. 【請求項１９】 前記スペーサー要素（４５，４６）
    がその高さの値の３倍に近い値の直径を有する請求項１
    ８に記載の集積回路。
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