JP2000244131A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導体回路やバイアホールを含んだ導電層と樹
脂絶縁層との密着性に優れ、高周波数帯域の信号伝搬の
遅延を防止できるプリント配線板およびその製造方法を
提案すること。 【解決手段】 基板上に形成された導体回路および該導
体回路を被覆する樹脂絶縁層からなるプリント配線板に
おいて、導体回路表面の少なくとも一部に有機化合物層
が形成されていること、また、そのようなプリント配線
板の製造方法において、導体回路が形成された基板を、
有機化合物の水溶液中または有機溶剤溶液中に浸漬し、
導体回路を陽極とし、陰極との間に所定の電圧を印加し
て導体回路表面に有機化合物電着層を形成し、さらにそ
の導体回路を覆う樹脂絶縁層を設けることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た導体回路と層間樹脂絶縁層またはソルダーレジスト層
との間の密着性に優れたプリント配線板とその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、信号の高周波数化に伴ない、パッ
ケージ基板の材料は、低誘電率、低誘電正接であること
が求められており、そのため、パッケージ基板の材料
は、セラミックから樹脂へとその主流が移りつつある。

【０００３】このような背景の下、樹脂基板を用いたプ
リント配線板に関する技術としては、例えば、特公平４
−５５５５５号公報に開示されたものがある。この文献
においては、内層導体回路形成がされたガラスエポキシ
基板上にエポキシアクリレートを用いて層間樹脂絶縁層
を形成し、続いて、フォトリソグラフィーの手法を用い
てバイアホール形成用開口を設け、その表面を粗化処理
し、めっきレジストを設けた後、めっき処理によって外
層導体回路およびバイアホールを形成する方法が提案さ
れている。

【０００４】このような従来の方法において、外層導体
回路やバイアホールを形成する際、国際公開番号ＷＯ９
６／１７５０３に示すように、電気銅めっき処理等によ
って厚膜を形成し、次いでその厚膜上に剥離防止のため
にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層およびＳｎ層を形
成してから、外層導体回路およびバイアホールからなる
導体層と、その上に層間樹脂絶縁層とが形成されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような導体層に粗
化層を設けた積層構造では、電気銅めっき膜のような金
属層に高周波数の信号を伝搬させる場合、金属層の表面
部分のみを伝播するという表皮効果のため、伝播する高
周波信号が粗化面のミクロな凹凸の影響を受け、信号伝
播の遅延を生じさせたり、インピーダンス整合ができな
いという問題があった。このような問題は、セラミック
基板に比べて低誘電率および低誘電正接を持つ樹脂基板
を使用する場合に、特に顕著であった。

【０００６】本発明は、従来技術の抱える上述した問題
を解消するためになされたものであり、その主たる目的
は、金属導体層と樹脂絶縁層との間の密着性に優れ、か
つ高周波数帯域の信号伝搬の遅延を防止できるプリント
配線板およびその製造方法を提案することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的を
達成するために鋭意研究した結果、導体回路表面の少な
くともその一部に、有機化合物層を形成することによ
り、導体回路と樹脂絶縁層との密着性が改善できること
を知見し、本発明に想達した。

【０００８】すなわち、本発明のプリント配線板は、基
板上に導体回路およびこの導体回路を覆う樹脂絶縁層を
有するプリント配線板において、導体回路表面の少なく
ともその一部に有機化合物が形成されていることを特徴
とする。また、上記有機化合物層は、トリアジンチオー
ル誘導体、有機リン酸化合物、ジチオカルバミン酸化合
物、フッ素化合物から選ばれる少なくとも１種の有機化
合物を用いて形成されることが望ましい。

【０００９】また、上記のプリント配線板は、導体回路
が形成された基板を、有機化合物の水溶液中または有機
溶剤溶液中に浸漬し、前記導体回路表面の少なくともそ
の一部に有機化合物電着層を形成し、その後、該導体回
路を覆う樹脂絶縁層および／またはソルダーレジスト層
を設けることによって製造されることを特徴とする。

【００１０】なお、上記有機化合物電着層は、トリアジ
ンチオール誘導体、有機リン酸化合物、ジチオカルバミ
ン酸塩、フッ素化合物のカルボン酸塩またはスルフォン
酸塩から選ばれる少なくとも１種の有機化合物を用いて
形成されることが望ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明にかかるプリント配線板
は、基板上に設けた導体回路表面の少なくともその一部
に、有機化合物層が形成されていることが特徴である。
すなわち、このような構造によれば、導体回路表面とそ
の上に形成した有機化合物層との間（境界面）には、化
学的結合層が生成しており、それ故に、導体回路表面と
有機化合物層との結合のみならず、この有機化合物層と
その上に形成される樹脂絶縁層との結合が大幅に強化さ
れ、ひいては導体回路と樹脂絶縁層との密着性が粗化層
を設けるまでもなく良好なものとなる。

【００１２】したがって、導体回路や樹脂絶縁層に粗化
層を設ける必要がなくなるので、たとえ、ＭＰＵの演算
処理の高速化のために導体回路に高周波数の信号を伝搬
させても、伝搬遅延などが生じるようなことはない。ま
た、このことはバイアホールの表面を有機化合物層にて
被覆した場合でも、このバイアホールと導体回路や層間
樹脂絶縁層との電気的接続を確保するのに有効に用いら
れる。

【００１３】前記有機化合物層は、トリアジンチオール
誘導体、有機リン酸化合物、ジチオカルバミン酸化合
物、フッ素化合物から選ばれる少なくとも１種の有機化
合物を用いて形成されることが望ましい。

【００１４】前記トリアジンチオール誘導体として
は、次のような一般式で表される有機化合物が望まし
く、これらの水溶液または有機溶剤を溶媒とした溶液を
処理溶液として用いるのが望ましい。

【化１】

【００１５】ここで、Ｒは−ＯＲ′，−ＳＲ′，−ＮＨ
Ｒ′，−Ｎ（Ｒ′）₂ ；Ｒ′はアルキル基，アルケニル
基、フェニル基、フェニルアルキル基、アルキルフェニ
ル基、シクロアルキル基、またＭＨ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｋ，
１／２Ｂａ，１／２Ｃａ，脂肪族一級、二級および三級
アミン類、４級アンモニウム塩などが用いられる。な
お、二つの「Ｍ」 は同じ場合と異なる場合とがある。

【００１６】かかるトリアジンチオール誘導体に属する
有機化合物は、以下に列挙するようなものがある。１，
３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール
（Ｆ）、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチ
オール・モノナトリウム（ＦＮ）、１，３，５−トリア
ジン−２，４，６−トリチオール・トリエタノールアミ
ン（Ｆ・ＴＥＡ）、６−アニリノ−１，３，５−トリア
ジン−２，４−ジチオール（ＡＦ）、６−アニリノ−
１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール・モノナ
トリウム（ＡＮ）、６−ジブチルアミノ−１，３，５−
トリアジン−２，４−ジチオール（ＤＢ）、６−ジブチ
ルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオー
ル・モノナトリウム（ＤＢＮ）、６−ジアリルアミノ−
１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール（Ｄ
Ａ）、６−ジアリルアミノ−１，３，５−トリアジン−
２，４−ジチオール・モノナトリウム（ＤＡＮ）、１，
３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール・ジ
（テトラブチルアンモニウム塩）（Ｆ２Ａ）、６−ジブ
チルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオ
ール・テトラブチルアンモニウム塩（ＤＢＡ）、６−ジ
チオクチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−
ジチオール（ＤＯ）、６−ジチオクチルアミノ−１，
３，５−トリアジン−２，４−ジチオール・モノナトリ
ウム（ＤＯＮ）、６−ジラウリルアミノ−１，３，５−
トリアジン−２，４−ジチオール（ＤＬ）、６−ジラウ
リルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオ
ール・モノナトリウム（ＤＬＮ）、６−ステアリルアミ
ノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール（Ｓ
Ｔ）、６−ステアリルアミノ−１，３，５−トリアジン
−２，４−ジチオール・モノカリウム（ＳＴＫ）、６−
オレイルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジ
チオール（ＤＬ）、６−オレイルアミノ−１，３，５−
トリアジン−２，４−ジチオール・モノカリウム（ＯＬ
Ｋ）等が望ましい。

【００１７】前記有機リン酸化合物としては、次のよ
うな一般式で表される有機化合物が望ましく、そのアル
カリまたはアミン塩の水溶液も処理液として有効であ
る。

【化２】（Ｒ）ＰＯ（ＯＨ）₂ （Ｒ）ＰＯ（ＳＨ）₂ （Ｒ）ＰＳ（ＯＨ）₂または（Ｒ）ＰＳ（ＳＨ）₂

【００１８】ここで、Ｒはアルキル基，アルケニル基、
フェニル基、フェニルアルキル基、アルキルフェニル基
またはシクロアルキル基である。

【００１９】具体的な有機リン酸を例示すると、エチル
リン酸、エチルジチオリン酸、ジエチルリン酸、ジエチ
ルジチオリン酸、オクチルリン酸、オクチルジチオリン
酸、ジオクチルリン酸、ジオクチルジチオリラン酸、フ
エニルリン酸、フエニルジチオリン酸、ジフエニルリン
酸、ジフエニルジチオリン酸、レスチン等である。

【００２０】前記ジチオカルバミン酸化合物の例とし
ては、次のような一般式で表されるデンサートまたはジ
チオカルバミン酸塩が望ましい。

【化３】ＲＮＨＣＳＳＭ，ＲＯＣＳＳＭ又は（Ｒ）₂ Ｎ
ＳＳＭ

【００２１】ここで、Ｒはアルキル基、アルケニル基、
フエニル基、フエニルアルキル基、アルキルフエニル基
又はシクロアルキル基、また、ＭはＨ，Ｎａ，Ｌｉ，
Ｋ，１／２Ｂａ，１／２Ｃａ、脂肪族一級、二級及び三
級アミン類などである。

【００２２】具体的には、たとえば、プチルジオチカル
バミン酸ナトリウム、ジプチルジチオカルバミン酸ナト
リウム、プチルザンテートカリウム、オクチルジチオカ
ルバミン酸ナトリウム、ジオクチルジチオカルバミン酸
ナトリウム、オクチルザンテートカリウム、アリルチオ
カルバミン酸ナトリウム、ジアリルジチオカルバミン酸
ナトリウム、アリルザンテートカリウムなどが望まし
い。

【００２３】前記フッ素化合物としては、次のような
一般式で表されるフッ素化合物のカルボン酸塩とスルホ
ン酸塩が望ましく、それらの水溶液またはメチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、エチルアルコール、ア
セトン、トルエン、エチルセルソルブ、ジメチルホルム
アルデヒド、テトラヒドロフラン、メチルエチルケト
ン、ベンゼン、酢酸エチルエーテル等の有機溶剤を溶媒
とした溶液を処理溶液として用いるのが望ましい。

【化４】 Ｒｆ−Ｘ−ＣＯＯＭ Ｒｆ−Ｘ−ＳＯ₃ Ｍ またはＲｆ−Ｘ−ＰＯ（ＯＭ）₂

【００２４】ここで、Ｒｆは炭素数４〜12のバーフルオ
ロ基、Ｘはなしまたは、アルキレン、−Ｏ−Ｃ₆ Ｈ
₄ −，−Ｏ−Ｃ₆ Ｈ₄ ＣＨ₂ −、また、ＭはＨ，Ｎａ，
Ｌｉ，Ｋ，１／２Ｂａ，１／２Ｃａ、脂肪族一級、二級
及び三級アミン類等である。

【００２５】なお、フツ素化合物のカルボン酸塩とスル
ホン酸塩としては、具体的には、バーフルオロオクチル
スルホン酸ナトリウム（ＲｆＳＮ）、バーフルオロ−ヘ
ブチルカルボン酸ナトリウム、バーフルオロノニルオキ
シベンゼンスルホン酸ナトリウム、バーフルオロノニル
オキシベンジルリン酸ナトリウムなどが望ましい。

【００２６】上記各有機化合物の各処理液は、上述した
有機化合物を水または有機溶剤中に溶解して、通常は0.
001 〜10wt％、好ましくは0.05〜２wt％の濃度に調整す
る。

【００２７】このような処理液を用いて、基板上の導体
回路表面に有機化合物層を形成するために用いる電着処
理装置は、特別の装置である必要はなく、たとえば、図
４に示すような電着槽１０１内の処理液１０２に、円筒
形の陰極１０３を浸漬し、その陰極１０３の内側には、
基板１０４上に形成された被処理体であるところの導体
回路を陽極として浸漬した状態で、陰極１０３−陽極１
０４間に所定の電圧を印加することによって、電着する
形式のものが用いられる。なお、前記陰極の材料として
は、白金やチタンなどの不活性金属、またはカーボンな
どの電気化学的に不活性な導電材料を用いることが望ま
しい。

【００２８】このような電着処理において印加する電圧
は、０．１ｍＶ〜２０Ｖの範囲が望ましく、電流密度は
０．１ｍＡ／ｄｍ² 〜１０Ａ／ｄｍ² の範囲が望まし
い。その理由は、０．１ｍＡ／ｄｍ² 未満では電着がで
きない、もしくはできても時間がかかり過ぎること、１
０Ａ／ｄｍ² を超えると良好な被膜ができないからであ
る。

【００２９】また、基板の導体回路表面に形成される有
機化合物層の厚さは、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲が望
ましく、その理由は、１ｎｍ未満では良好な密着が得ら
ないこと、１０００ｎｍを超えるとコストが高くなるこ
と、電気特性に影響を与える可能性があることが挙げら
れる。また、本発明においては、電着に限らず、塗布や
浸漬によっても有機化合物層を形成できる。この場合
は、反応性エマルジョンを調整し、このエマルジョン液
に基板を浸漬することによって形成する。なお、本発明
において、前記樹脂絶縁層は、層間樹脂絶縁層および／
またはソルダーレジスト層であってもよい。

【００３０】次に、本発明の多層プリント配線板の製造
方法について説明する。本発明の多層プリント配線板の
製造方法は、導体回路が形成された基板を、有機化合物
の水溶液中または有機溶剤溶液中に浸漬し、導体回路表
面に有機化合物層を形成し、その後、この有機化合物電
着層を介して導体回路表面に樹脂絶縁層および／または
ソルダーレジスト層を設けることを特徴とする。

【００３１】即ち、トリアジンチオール誘導体、有機リ
ン酸化合物、ジチオカルバミン酸塩、フッ素化合物のカ
ルボン酸塩またはスルフォン酸塩から選ばれる少なくと
も１種の有機化合物の水溶液または有機溶剤溶液を処理
液とし、この処理液中に導体回路を形成した基板を浸漬
する。電着させる場合は、その導体回路を陽極とし、不
活性金属あるいはカーボンを陰極として、陽極、陰極間
に所定の電圧を印加して、導体回路表面の少なくともそ
の一部にトリアジンチオール誘導体、有機リン酸化合
物、ジチオカルバミン酸塩、フッ素化合物等を析出（電
着）させる。また、さらに電圧を印加してこれらを積層
させて肥厚化させてもよい。

【００３２】このような製造方法によれば、導体回路と
有機化合物層との境界には化学結合層が形成されると考
えられ、また導体回路上に樹脂絶縁層を形成する場合
に、この有機化合物層と樹脂絶縁層との間にも樹脂絶縁
層を硬化させる際に、化学的結合が得られると考えられ
るため、導体回路と樹脂絶縁層との密着性が著しく向上
する。

【００３３】次に、本発明の方法を、多層プリント配線
板に適用した例でさらに詳しく説明する。 (1) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路を有する配線
基板を作製する。樹脂基板としては、無機繊維を有する
樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラス布エ
ポキシ基板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマ
レイミド−トリアジン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基
板等が挙げられる。

【００３４】このような樹脂製絶縁基板上への下層導体
回路の形成は、この基板の両面に銅箔を貼った銅貼積層
板の両面に、必要により、後述するめっき皮膜等を形成
した後、エッチング処理することにより行う。

【００３５】次に、下層導体回路が形成された樹脂基板
にドリルで貫通孔を穿けた後、該貫通孔の内壁面および
銅箔表面に無電解めっき処理を施して、スルーホールを
形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。
なお、下層導体回路の形成に際しては、銅箔の厚付けの
ために電気めっき処理を行う。この電気めっきとしては
銅めっきが好ましい。

【００３６】次に、電気めっき処理の後、本発明の方法
に従う電着処理によって、スルーホール内壁および電気
めっき膜表面上に、有機化合物層を形成する。また、必
要に応じて、スルーホール内に導電ペーストを充填し、
この導電ペーストを覆う導体層上にも有機化合物層を電
着処理によって形成してもよい。

【００３７】(2) 上記(1) の工程で作製した下層導体回
路を有する配線基板の両面に、樹脂絶縁層を形成する。
この樹脂絶縁層は、プリント配線板の層間樹脂絶縁層と
して機能する。

【００３８】上記樹脂絶縁層（以下、層間樹脂絶縁層と
いう）を構成する材料としては、例えば、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂またはこれらの複合樹脂等が用いられ
る。本発明においては、上記層間樹脂絶縁層として無電
解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解
めっき用接着剤は、硬化処理された酸または酸化剤に可
溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の
未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適であ
る。酸あるいは酸化剤の溶液で処理することにより、耐
熱性樹脂粒子が溶解除去されて、この接着剤層の表面に
蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成しやすいから
である。

【００３９】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒子径が相
対的に大きな粒子と平均粒子径が相対的に小さな粒子を
混合した粒子が望ましい。これらは、より複雑なアンカ
ーを形成できるからである。

【００４０】使用できる耐熱性樹脂としては、例えば、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂と熱可塑
性樹脂との複合体等が挙げられる。複合させる熱可塑性
樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）等が挙げられる。また、酸や酸化剤の溶液に溶解す
る耐熱性樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂（特
にアミン系硬化剤で硬化させたエポキシ樹脂がよい）、
アミノ樹脂等が挙げられる。

【００４１】(3) 次に、上記(2) の工程で形成した層間
樹脂絶縁層に、下層導体回路との電気的接続を確保する
ためにバイアホール形成用開口を設ける。上記無電解め
っき用接着剤を用いた場合は、露光、現像してから熱硬
化することにより、また、熱硬化性樹脂を用いた場合
は、熱硬化したのちレーザー加工することにより、上記
層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用の開口を設ける。
レーザー加工の場合に使用されるレーザ光としては、例
えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ
等が使用可能であるが、炭酸ガスレーザが望ましい。

【００４２】(4) 次に、上記層間樹脂絶縁層の表面を粗
化処理する。上記無電解めっき用接着剤を用いた場合、
上記層間樹脂絶縁層の表面に存在する酸や酸化剤に可溶
性の樹脂粒子を酸または酸化剤によって溶解除去し、無
電解めっき用接着剤層の表面を粗化する。ここで、上記
酸としては、例えば、リン酸、塩酸、硫酸等の鉱酸；蟻
酸、酢酸等の有機酸等が挙げられるが、特に有機酸を用
いることが望ましい。有機酸を用いると、粗化処理の
際、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させに
くいからである。一方、上記酸化剤としては、クロム
酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の水溶
液を用いることが望ましい。

【００４３】(5) 次に、上記(4) の工程で処理した層間
樹脂絶縁層の粗化表面に触媒核を付与する。触媒核の付
与には、貴金属イオンや貴金属コロイド等を用いること
が望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウム
コロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加
熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核として
はパラジウムが好ましい。

【００４４】(6) 次に、上記(5) の工程で触媒核を付与
した層間樹脂絶縁層の表面に無電解めっきを施し、粗化
面全面に無電解めっき膜を形成する。無電解めっき膜の
厚みは、０．５〜５μｍが好ましい。次に、無電解めっ
き膜上にめっきレジストを形成する。

【００４５】(7) 次に、上記(6) の工程でめっきレジス
トが形成されなかった部分に、電気めっき処理を施し、
厚さ５〜２０μｍの電気めっき膜を形成して、外層導体
回路およびバイアホールを形成する。また、電気めっき
処理後に、電解ニッケルめっき処理、無電解ニッケルめ
っき処理、もしくはスパッタリングから選ばれる少なく
とも１の方法により、電気めっき膜上にニッケル膜を形
成する。ニッケル膜はメタルレジストとして作用するた
め、この後のエッチング工程でも過剰エッチングを防止
するという効果を奏する。

【００４６】ここで、上記電気めっき層を形成する金属
としては、銅を用いることが望ましい。さらに、めっき
レジストを除去した後、そのめっきレジストの下に存在
している無電解めっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合液
や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等の水溶液か
らなるエッチング液で溶解除去し、独立した外層導体回
路とする。

【００４７】(8) さらに、上記 (2)〜(7) の工程を繰り
返して上層の外層導体回路を設け、例えば、片面３層の
６層両面多層プリント配線板としてもよい。なお、外層
導体回路表面に上述した有機化合物層を電着によって設
け、その後、この外層導体回路を覆うソルダーレジスト
層を設けるようにしてもよい。以上の説明では、電着処
理を採用したが、浸漬処理でも良い。実施例では浸漬処
理についても記載する。

【００４８】以下、本発明に基づく実施例を比較例と共
に説明する。

【実施例】（実施例１） Ａ．無電解めっき用接着剤の調製 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物３５重量
部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３
２５）３．１５重量部、消泡剤０．５重量部およびＮ−
メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にと
り、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

【００４９】ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポ
ール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および
平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器に
とり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製し
た。

【００５０】イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤であるベンゾ
フェノン２重量部、光増感剤であるミヒラーケトン０．
２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器に
とり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、、およびで調製した混合組成物を混合す
ることにより無電解めっき用接着剤を得た。

【００５１】Ｂ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板１の両面に
１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を
出発材料として用いた（図１（ａ）参照）。まず、この
銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形
成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスル
ーホール９を形成し、さらに、常法にしたがって、銅箔
を回路パターン形状にエッチングすることにより、基板
の両面に内層銅パターン（内層導体回路）４を形成し
た。

【００５２】次に、内層導体回路４を形成した基板１を
水洗いし、乾燥した後、以下の処理液を用いて、図４に
示すような装置にて電着処理を行なう。円筒形の陰極は
白金や金などの不活性金属から形成され、陽極としての
内層導体回路４が形成された基板１は、円筒形陰極の内
部に配置される。このような状態で両極間に所定の電圧
が印加され、スルーホールを含む内層導体回路４の全表
面に有機化合物層（トリアジンチオール層）４ａ、９ａ
が形成される（図１（ｂ）参照）。 処理液； １，３，５−トリアジン−２，４，６−トリ
チオール・モノナトリウムの１％水溶液 処理条件； 温度：２０℃／時間：２分／電圧０．３Ｖ

【００５３】(2) エポキシ樹脂を主成分とする樹脂充填
剤１０を、印刷機を用いて基板１の両面上に塗布するこ
とにより、内層導体回路４の上面および側面を樹脂で覆
うと共にスルーホール９の内部に樹脂充填を行い、その
後、加熱乾燥処理を行った。即ち、この工程により、樹
脂充填剤１０が内層導体回路４を覆うと共にスルーホー
ル９内に充填される（図１（ｃ）参照）。

【００５４】(3) 上記(2) の処理を終えた基板の片面
を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサ
ンダー研磨により、内層導体回路４の表面やスルーホー
ル形成用開口９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らな
いように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行ない、そ
の後、充填した樹脂充填剤１０を加熱硬化させた（図１
（ｄ）参照）。

【００５５】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤１０の表層部および内層導体回路４上
面の有機化合物層４ａを除去して基板両面を平滑化し、
樹脂充填剤１０と内層導体回路４の側面とが有機化合物
層４ａを介して強固に密着し、またスルーホール９の内
壁面と樹脂充填剤１０とが有機化合物層９ａを介して強
固に密着した配線基板を得た。

【００５６】(4) さらに、露出した内層導体回路４およ
びスルーホール９のランド上面に(1) と同じ条件で有機
化合物層１１（トリアジンチオール層）を形成した（図
２（ａ）参照）。 (5) 基板の両面に、上記Ａに記載した組成の無電解めっ
き用接着剤をロールコータを用いて２回塗布し、水平状
態で２０分間放置してから、６０℃、３０分の条件で乾
燥を行った（図２（ｂ）参照）。接着剤層は２ａ，２ｂ
で示される。

【００５７】(6) 上記(5) の処理で無電解めっき用接着
剤の層２ａ，２ｂを形成した基板の両面に、直径８５μ
ｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着さ
せ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光
した。これをジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）溶液でスプレー現像することにより、その
接着剤層２ａ，２ｂに直径８５μｍのバイアホール形成
用開口６を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯
により３０００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、１００℃で１時
間、その後１５０℃で５時間の加熱処理を行うことによ
り、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた
開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚さ１８μ
ｍの層間樹脂絶縁層２（２ａ，２ｂ）を形成した（図２
（ｃ）参照）。

【００５８】(7) バイアホール形成用開口６を形成した
基板を、クロム酸水溶液（７００ｇ／ｌ）に７３℃で２
０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面
１５を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬
してから水洗いした（図２（ｄ）参照）。さらに、粗面
化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテッ
ク社製）を付与することにより、層間絶縁材層２の表面
およびバイアホール形成用開口６の内壁面に触媒核を付
着させた。

【００５９】(8) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗化面１５全体に厚さ０．８
μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図３（ａ）参
照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ ６０ ｇ／ｌ 硫酸銅 １０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ６ ｍｌ／ｌ ＮａＯＨ １０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕６０℃の液温度で２０分

【００６０】(9) 市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた
（図３（ｂ）参照）。

【００６１】(10)ついで、以下の条件で電気銅めっき処
理を施し、厚さ１３μｍの電気銅めっき膜１３を形成し
た。

【００６２】(11)さらに 塩化ニッケル（３０ｇ／
ｌ）、次亜りん酸ナトリウム（１０ｇ／ｌ）、クエン酸
ナトリウム（１０ｇ／ｌ）の水溶液（９０℃) の無電解
ニッケル浴に浸漬し、電気銅めっき膜上に厚さ１．２μ
ｍのニッケル膜１４を形成した（図３（ｃ）参照）。

【００６３】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨ水溶液
で剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解め
っき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処
理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電気銅めっ
き膜１３とニッケル膜１４とからなるＬ／Ｓ＝２８／２
８で厚さ１１μｍの上層導体回路５（バイアホール７を
含む）を形成した（図３（ｄ）参照）。 (13)つぎに、工程(1) にしたがって電着処理を行って、
上層導体回路５の表面および側面に有機化合物層１６
（トリアジンチオール層）を形成し、ソルダーレジスト
組成物１８をロールコータを用いて塗布し、露光した
後、アルカリ水溶液を用いて開口２０を形成して、プリ
ント配線板を得た。

【００６４】（実施例２）上記実施例１の(1) の工程に
おいて、トリアジンチオール処理液に代えてオクチルジ
オリン酸ナトリウム水溶液を使用したこと以外は、実施
例１と同じ工程にしたがって製造した。 処理液； オクチルジオリン酸ナトリウム水溶液の０．
５％水溶液 処理条件； 温度：２０℃／時間：２分／電圧０．３Ｖ

【００６５】（実施例３）上記実施例１の(1) の工程に
おいて、トリアジンチオール処理液に代えてジブチルチ
オカルバミン酸ナトリウム水溶液を使用したこと以外
は、実施例１と同じ工程にしたがって製造した。 処理液； ジブチルチオカルバミン酸ナトリウム０．５
％水溶液 処理条件； 温度：２０℃／時間：２分／電圧０．３Ｖ

【００６６】（実施例４）上記実施例１の(1) の工程に
おいて、トリアジンチオール処理液に代えてパーフルオ
ロオクチルスルフォン酸ナトリウム水溶液を使用したこ
と以外は、実施例１と同じ工程にしたがって製造した。 処理液 パーフルオロオクチルスルフォン酸ナトリウム０．５％
水溶液 処理条件 温度：２０℃／時間：２分／電圧０．３Ｖ

【００６７】（実施例５）上記実施例１の工程(1) にお
いて、トリアジンチオール処理液を用いた電着処理に代
えて、浸漬処理を行ったこと以外は実施例１と同じ工程
にしたがって製造した。１，３，５−トリアジン−２，
４，６−トリチオール・モノナトリウム０．４ｇと水２
００ｇを３００ｍｌの浴槽に入れ、２０℃で攪拌しなが
ら、亜麻仁油１ｍｌを１ｍｌ／分の速度でピペットにて
滴下した。滴下後30分間さらに攪拌して反応性エマルジ
ョン溶液を得た。このエマルジョン溶液に基板を５分間
浸漬し、これを水、メタノールで洗浄後、１５０℃で15
分間の熱処理を行った。その後、実施例１と同様の処理
を行った。

【００６８】（比較例１）上記実施例１における(1）の
工程において、トリアジンチオール処理液を用いた電着
処理に代えて、以下のようなＣｕ−Ｎｉ−Ｐの針状合金
めっき処理を行ったこと以外は、実施例１と同じ工程に
したがって製造した。基板をアルカリ脱脂してソフトエ
ッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからな
る触媒溶液で処理して、パラジウム触媒を付与し、この
触媒を活性化した。 次に、硫酸銅（３．２×１０^-2 m
ol／ｌ）、硫酸ニッケル（２．４×１０^-3 mol／ｌ）、
クエン酸（５．２×１０^-2 mol／ｌ）、次亜リン酸ナト
リウム（２．７×１０^-1 mol／ｌ）、ホウ酸（５．０×
１０^-1 mol／ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サ
ーフィノール４６５）（１．０ｇ／ｌ）の水溶液からな
るｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっき処理を施
し、導体回路の全表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗
化層を形成した。

【００６９】（比較例２）上記実施例１における(1）の
工程において、トリアジンチオール処理液を用いた電着
処理に代えて、以下のような黒化−還元処理を行ったこ
と以外は、実施例１と同じ工程にしたがって製造した。
ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）の水溶液を酸化浴（黒
化浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／
ｌ）の水溶液（還元浴）とした。

【００７０】各実施例と各比較例によって製造されたプ
リント配線板について、−５５〜１２５℃で１０００回
のヒートサイクル試験を行い、層間樹脂絶縁層の剥離の
有無を光学顕微鏡により観察した。また、バイアホール
部分の導電性を測定し、断線していなければ○とした。
また、伝搬遅延について測定し、ノイズの発生がない場
合は○とした。それらの結果は表１に示される。

【００７１】

【表１】

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導体回路や樹脂絶縁層に粗化層を設けることなく、導体
回路と樹脂絶縁層との間の密着性が改善されると共に、
高周波数の信号を伝搬させても伝搬遅延が生じることが
ない。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１による多層プリント配線板の一製造工
程を示す図

【図２】実施例１による多層プリント配線板の一製造工
程を示す図

【図３】実施例１による多層プリント配線板の一製造工
程を示す図

【図４】実施例１において使用される電着処理装置の概
略を示す図

【符号の説明】

１ 基板 ２ａ，２ｂ 層間樹脂絶縁層 ３ めっきレジスト ４ 内層導体回路 ４ａ，９ａ 有機化合物層 ５ 上層導体回路 ６ バイアホール形成用開口 ７ バイアホール ８ 銅箔 ９ スルーホール １０ 樹脂充填剤 １１ 有機化合物層 １２ 無電解銅めっき膜 １３ 電解銅めっき膜 １４ ニッケル膜 １５ 粗化層 １６ 有機化合物層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 正幸 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 (72)発明者 関根 浩司 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 5E314 AA21 BB02 BB05 BB10 CC20 FF17 FF19 GG11 5E346 AA06 AA11 AA12 AA15 AA17 AA32 AA43 BB01 CC08 CC51 CC60 DD22 DD33 DD47 EE31 EE33 EE38 FF12 GG15 GG17 GG22 GG23 GG27 HH05 HH11

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、導体回路およびこの導体回路
   を覆う樹脂絶縁層を有するプリント配線板において、前
   記導体回路表面の少なくともその一部に、有機化合物層
   が形成されていることを特徴とするプリント配線板。
2. 【請求項２】 前記有機化合物層は、トリアジンチオー
   ル誘導体、有機リン酸化合物、ジチオカルバミン酸化合
   物、フッ素化合物から選ばれる少なくとも１種の有機化
   合物を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記
   載のプリント配線板。
3. 【請求項３】 前記樹脂絶縁層は、層間樹脂絶縁層およ
   び／またはソルダーレジスト層からなることを特徴とす
   る請求項１に記載のプリント配線板。
4. 【請求項４】 導体回路が形成された基板を、有機化合
   物の水溶液中または有機溶剤溶液中に浸漬し、この導体
   回路表面の少なくともその一部に有機化合物電着層を形
   成し、その後該導体回路を覆う樹脂絶縁層および／また
   はソルダーレジスト層を形成することを特徴とするプリ
   ント配線板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記有機化合物層は、トリアジンチオー
   ル誘導体、有機リン酸化合物、ジチオカルバミン酸塩、
   フッ素化合物のカルボン酸塩またはスルフォン酸塩から
   選ばれる少なくとも１種の有機化合物を用いて形成され
   る請求項４に記載のプリント配線板の製造方法。