JPH11307933A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法Info
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- JPH11307933A JPH11307933A JP12420598A JP12420598A JPH11307933A JP H11307933 A JPH11307933 A JP H11307933A JP 12420598 A JP12420598 A JP 12420598A JP 12420598 A JP12420598 A JP 12420598A JP H11307933 A JPH11307933 A JP H11307933A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波に於いて必要となる電気特性を得るこ
とができる多層プリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 無電解めっき銅膜５２の上に無電解めっ
き用レジスト５４を形成し、無電解めっきによりバイア
ホール６０及び導体回路５８を析出するので表面を平滑
することが可能になる。このため、該導体層（バイアホ
ール６０及び導体回路５８）の上層に層間樹脂絶縁層１
５０を介在させて形成される導体層との距離を一定に保
つことができ、インピーダンス整合等の高周波に於いて
必要となる電気特性を得ることができる。なお、無電解
めっき用レジスト５４は、耐塩基性が高く溶剤により剥
離することが困難であるため、プラズマを照射してアッ
シングにより除去する。
とができる多層プリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 無電解めっき銅膜５２の上に無電解めっ
き用レジスト５４を形成し、無電解めっきによりバイア
ホール６０及び導体回路５８を析出するので表面を平滑
することが可能になる。このため、該導体層（バイアホ
ール６０及び導体回路５８）の上層に層間樹脂絶縁層１
５０を介在させて形成される導体層との距離を一定に保
つことができ、インピーダンス整合等の高周波に於いて
必要となる電気特性を得ることができる。なお、無電解
めっき用レジスト５４は、耐塩基性が高く溶剤により剥
離することが困難であるため、プラズマを照射してアッ
シングにより除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、層間樹脂絶縁層
と導体層とを交互にビルドアップする多層プリント配線
板の製造方法に関するものである。
と導体層とを交互にビルドアップする多層プリント配線
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術に係るビルドアップ多層プリン
ト配線板の導体層の形成方法について図１１を参照して
説明する。先ず、図１１（Ａ）に示すように、基板２３
０上に形成された層間樹脂絶縁層２５２の表面に無電解
めっき膜２５２を均一に析出させ、導体層を設けない部
分にレジスト２５４を形成する。その後、図１１（Ｂ）
に示すように無電解めっき層２５２を介して電流を流す
ことで、レジスト２５４の非形成部に電解めっきを施
し、電解めっき膜２５６を析出させることで、バイアホ
ール２６０及び導体回路２５８を形成する。引き続き、
図１１（Ｃ）に示すようにレジスト２５４を溶剤により
剥離してから、電解めっき膜を形成した部以外の無電解
めっき膜２５２を剥膜する。その後、同様な工程によ
り、図１１（Ｄ）に示すように層間樹脂絶縁層３５２及
び導体回路３５８を更に形成する。
ト配線板の導体層の形成方法について図１１を参照して
説明する。先ず、図１１（Ａ）に示すように、基板２３
０上に形成された層間樹脂絶縁層２５２の表面に無電解
めっき膜２５２を均一に析出させ、導体層を設けない部
分にレジスト２５４を形成する。その後、図１１（Ｂ）
に示すように無電解めっき層２５２を介して電流を流す
ことで、レジスト２５４の非形成部に電解めっきを施
し、電解めっき膜２５６を析出させることで、バイアホ
ール２６０及び導体回路２５８を形成する。引き続き、
図１１（Ｃ）に示すようにレジスト２５４を溶剤により
剥離してから、電解めっき膜を形成した部以外の無電解
めっき膜２５２を剥膜する。その後、同様な工程によ
り、図１１（Ｄ）に示すように層間樹脂絶縁層３５２及
び導体回路３５８を更に形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導体回
路２５８及びバイアホール２６０を電解めっきにより形
成しているため、導体回路及びバイアホールの表面に図
１１（Ｂ）に示すように凹凸ができていた。即ち、電解
めっきは、凸部などの電界強度の強い部分に厚く付き、
平坦な部分に薄く付くため、電解めっき層２５６に凹凸
ができるためである。ここで、導体回路２５８及びバイ
アホール２６０の表面に凹凸ができると、図１１（Ｄ）
に示すように及びバイアホール２６０の上側に層間樹脂
絶縁層３５０を介して形成された導体回路３５８との間
の距離が、該凹凸に応じてＤ１〜Ｄ２の間で変化してい
る。
路２５８及びバイアホール２６０を電解めっきにより形
成しているため、導体回路及びバイアホールの表面に図
１１（Ｂ）に示すように凹凸ができていた。即ち、電解
めっきは、凸部などの電界強度の強い部分に厚く付き、
平坦な部分に薄く付くため、電解めっき層２５６に凹凸
ができるためである。ここで、導体回路２５８及びバイ
アホール２６０の表面に凹凸ができると、図１１（Ｄ）
に示すように及びバイアホール２６０の上側に層間樹脂
絶縁層３５０を介して形成された導体回路３５８との間
の距離が、該凹凸に応じてＤ１〜Ｄ２の間で変化してい
る。
【０００４】現在、パッケージ基板として用いる多層プ
リント配線板では、取り付けられるＩＣチップの駆動ク
ロック周波数の高速化に伴い、インピーダンス整合等の
電気特性を極めて正確に調整する必要が高まっている。
しかしながら、図１１（Ｄ）を参照して上述したように
上下層の導体回路の距離が変化すると、電気特性を調整
することが困難になる。
リント配線板では、取り付けられるＩＣチップの駆動ク
ロック周波数の高速化に伴い、インピーダンス整合等の
電気特性を極めて正確に調整する必要が高まっている。
しかしながら、図１１（Ｄ）を参照して上述したように
上下層の導体回路の距離が変化すると、電気特性を調整
することが困難になる。
【０００５】このため、本発明者は、耐塩基性の高い無
電解めっき用レジストを用いることで、無電解めっきに
よる厚付けを行い、上述した電解めっきにより形成して
いたバイアホール２６０及び導体回路２５８を無電解め
っきにより形成することで、上面の平滑な導体層（導体
回路及びバイアホール）を形成することを知見した。し
かしながら、厚付けを行い得る無電解めっき用レジスト
は、酸・アルカリ、有機溶剤に非常に強いため、図１１
を参照して上述した従来技術の電解めっき用のレジスト
のように酸・アルカリや有機溶剤によって除去すること
はできなかった。
電解めっき用レジストを用いることで、無電解めっきに
よる厚付けを行い、上述した電解めっきにより形成して
いたバイアホール２６０及び導体回路２５８を無電解め
っきにより形成することで、上面の平滑な導体層（導体
回路及びバイアホール）を形成することを知見した。し
かしながら、厚付けを行い得る無電解めっき用レジスト
は、酸・アルカリ、有機溶剤に非常に強いため、図１１
を参照して上述した従来技術の電解めっき用のレジスト
のように酸・アルカリや有機溶剤によって除去すること
はできなかった。
【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、高周波
に於いて必要となる電気特性を得ることができる多層プ
リント配線板の製造方法を提供することにある。
なされたものであり、その目的とするところは、高周波
に於いて必要となる電気特性を得ることができる多層プ
リント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１の多層プリント配線板の製造方法は、以下の
（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを技術的特徴とする。 （ａ）層間樹脂絶縁層の上に金属膜を形成する工程、
（ｂ）金属膜の上に無電解めっき用レジストを形成する
工程、（ｃ）無電解めっきにより導体層を形成する工
程、（ｄ）前記無電解めっき用レジストをアッシングに
より除去する工程、（ｅ）前記無電解めっきにより形成
された導体層以外の部位の前記金属膜を剥膜する工程。
請求項１の多層プリント配線板の製造方法は、以下の
（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを技術的特徴とする。 （ａ）層間樹脂絶縁層の上に金属膜を形成する工程、
（ｂ）金属膜の上に無電解めっき用レジストを形成する
工程、（ｃ）無電解めっきにより導体層を形成する工
程、（ｄ）前記無電解めっき用レジストをアッシングに
より除去する工程、（ｅ）前記無電解めっきにより形成
された導体層以外の部位の前記金属膜を剥膜する工程。
【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１におい
て、前記無電解めっきにより導体層を形成する工程にお
いて、導体回路と共にバイアホールを形成する際に、該
バイアホールの上面を平滑化するように形成することを
技術的特徴とする。
て、前記無電解めっきにより導体層を形成する工程にお
いて、導体回路と共にバイアホールを形成する際に、該
バイアホールの上面を平滑化するように形成することを
技術的特徴とする。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１又は２におい
て、前記層間樹脂絶縁層の上に金属膜を形成する工程に
おいて、該層間樹脂絶縁層を粗化した後に無電解めっき
により金属膜を形成することを技術的特徴とする。
て、前記層間樹脂絶縁層の上に金属膜を形成する工程に
おいて、該層間樹脂絶縁層を粗化した後に無電解めっき
により金属膜を形成することを技術的特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１又は２におい
て、前記金属膜を形成する工程において、金属膜をスパ
ッタリングにより形成することを技術的特徴とする。
て、前記金属膜を形成する工程において、金属膜をスパ
ッタリングにより形成することを技術的特徴とする。
【００１１】また、請求項５の発明は、請求項１〜４に
おいて、前記無電解めっき用レジストをアッシングによ
り除去する工程において、除去をプラズマにより行うこ
とを技術的特徴とする。
おいて、前記無電解めっき用レジストをアッシングによ
り除去する工程において、除去をプラズマにより行うこ
とを技術的特徴とする。
【００１２】また、請求項６の発明は、請求項１〜４に
おいて、前記無電解めっき用レジストをアッシングによ
り除去する工程において、除去をレーザ照射により行う
ことを技術的特徴とする。
おいて、前記無電解めっき用レジストをアッシングによ
り除去する工程において、除去をレーザ照射により行う
ことを技術的特徴とする。
【００１３】また、請求項７の発明は、請求項１〜４に
おいて、前記無電解めっき用レジストをアッシングによ
り除去する工程において、除去をレーザ照射及びプラズ
マにより行うことを技術的特徴とする。
おいて、前記無電解めっき用レジストをアッシングによ
り除去する工程において、除去をレーザ照射及びプラズ
マにより行うことを技術的特徴とする。
【００１４】本発明の構成では、無電解めっきにより形
成するため導体層を平滑することが可能になる。このた
め、該導体層の上層に層間樹脂絶縁層を介在させて形成
される導体層との距離、即ち、上下の導体層の距離を一
定に保つことが可能となり、インピーダンス整合等の高
周波に於いて必要となる電気特性を得ることができる。
なお、無電解めっき用レジストは、耐塩基性が高く溶剤
により剥離することが困難であるが、本発明では、アッ
シングを行うため該無電解めっき用レジストを除去する
ことができる。
成するため導体層を平滑することが可能になる。このた
め、該導体層の上層に層間樹脂絶縁層を介在させて形成
される導体層との距離、即ち、上下の導体層の距離を一
定に保つことが可能となり、インピーダンス整合等の高
周波に於いて必要となる電気特性を得ることができる。
なお、無電解めっき用レジストは、耐塩基性が高く溶剤
により剥離することが困難であるが、本発明では、アッ
シングを行うため該無電解めっき用レジストを除去する
ことができる。
【００１５】請求項２の構成では、バイアホールの上面
を平滑化するため、該導体層の上層に層間樹脂絶縁層を
介在させて形成される導体層との距離、即ち、上下の導
体層の距離を一定に保つことが可能となり、インピーダ
ンス整合等の高周波に於いて必要となる電気特性を得る
ことができる。
を平滑化するため、該導体層の上層に層間樹脂絶縁層を
介在させて形成される導体層との距離、即ち、上下の導
体層の距離を一定に保つことが可能となり、インピーダ
ンス整合等の高周波に於いて必要となる電気特性を得る
ことができる。
【００１６】請求項３の構成では、層間樹脂絶縁層を粗
化した後に無電解めっきにより金属膜を形成するため、
層間樹脂絶縁層と導体層とを強固に接続させることがで
きる。
化した後に無電解めっきにより金属膜を形成するため、
層間樹脂絶縁層と導体層とを強固に接続させることがで
きる。
【００１７】請求項４の構成では、金属膜を層間樹脂絶
縁層へスパッタリングすることにより形成するため、層
間樹脂絶縁層の表面を粗化させることなく、層間樹脂絶
縁層と導体層とを強固に接続させることができる。
縁層へスパッタリングすることにより形成するため、層
間樹脂絶縁層の表面を粗化させることなく、層間樹脂絶
縁層と導体層とを強固に接続させることができる。
【００１８】請求項５の構成では、プラズマにより無電
解めっき用レジストをアッシングするため、完全に無電
解めっき用レジストを除去することができる。
解めっき用レジストをアッシングするため、完全に無電
解めっき用レジストを除去することができる。
【００１９】請求項６の構成では、レーザにより無電解
めっき用レジストをアッシングするため、無電解めっき
用レジストを廉価に除去することができる。
めっき用レジストをアッシングするため、無電解めっき
用レジストを廉価に除去することができる。
【００２０】請求項７の構成では、レーザ及びプラズマ
により無電解めっき用レジストをアッシングするため、
完全に無電解めっき用レジストを除去することができ
る。
により無電解めっき用レジストをアッシングするため、
完全に無電解めっき用レジストを除去することができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る多
層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明
する。 （第１実施形態）ここでは、第１実施形態の多層プリン
ト配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着
剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．無電解
めっき用レジストの組成について説明する。
層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明
する。 （第１実施形態）ここでは、第１実施形態の多層プリン
ト配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着
剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．無電解
めっき用レジストの組成について説明する。
【００２２】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）３. １５重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−
６５）０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合し
て得た。
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）３. １５重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−
６５）０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合し
て得た。
【００２３】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径１. ０μｍのものを
７. ２重量部、平均粒径０. ５μｍのものを３. ０９重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径１. ０μｍのものを
７. ２重量部、平均粒径０. ５μｍのものを３. ０９重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００２４】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ ）２重量部、光開
始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２
重量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２
重量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得た。
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ ）２重量部、光開
始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２
重量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２
重量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得た。
【００２５】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）
０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合して得
た。
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）
０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合して得
た。
【００２６】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径０. ５μｍのものを１
４. ４９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量
部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径０. ５μｍのものを１
４. ４９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量
部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００２７】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始
剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重
量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２重
量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得た。
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始
剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重
量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２重
量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得た。
【００２８】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールＡ型エポキシモノマー
（油化シェル製、エピコート８２８）１００重量部、表
面に平均粒径１. ５μｍのＡｌ2 Ｏ3 球状粒子１５０重
量部、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３０重量部、レ
ベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１. ５重
量部を攪拌混合し、その混合物の粘度を２３±１℃で４
５, ０００〜４９, ０００cps に調整した。
（油化シェル製、エピコート８２８）１００重量部、表
面に平均粒径１. ５μｍのＡｌ2 Ｏ3 球状粒子１５０重
量部、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３０重量部、レ
ベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１. ５重
量部を攪拌混合し、その混合物の粘度を２３±１℃で４
５, ０００〜４９, ０００cps に調整した。
【００２９】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ）６. ５重量部。
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ）６. ５重量部。
【００３０】Ｄ．無電解めっき用レジストの原料組成物 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感
光性付与のオリゴマー（分子量４０００）１００重量
部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコー
ト１００１）３２重量部、感光性モノマーである多価ア
クリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４）６．４重量
部、同じく感光性モノマーである多価アクリルモノマー
（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）３．２重量部を混合し、
さらにレベリング剤（共栄社化学製、ポリフローＮｏ．
７５）を全重量１００重量部に対して０．５重量部混合
して撹拌混合して得た。
（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感
光性付与のオリゴマー（分子量４０００）１００重量
部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコー
ト１００１）３２重量部、感光性モノマーである多価ア
クリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４）６．４重量
部、同じく感光性モノマーである多価アクリルモノマー
（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）３．２重量部を混合し、
さらにレベリング剤（共栄社化学製、ポリフローＮｏ．
７５）を全重量１００重量部に対して０．５重量部混合
して撹拌混合して得た。
【００３１】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）３．４重量部、光開
始剤（チバガイギー製、イルガキュアＩ−９０７）２重
量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重
量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合して得た。
（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）３．４重量部、光開
始剤（チバガイギー製、イルガキュアＩ−９０７）２重
量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重
量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合して得た。
【００３２】引き続き、プリント配線板の製造工程につ
いて図１乃至図８を参照して説明する。 （１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキ
シ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂か
らなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネー
トされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっ
き処理を施し、パターン状にエッチングすることでスル
ーホール３６及び導体回路３４を形成する（図１
（Ｂ））。
いて図１乃至図８を参照して説明する。 （１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキ
シ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂か
らなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネー
トされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっ
き処理を施し、パターン状にエッチングすることでスル
ーホール３６及び導体回路３４を形成する（図１
（Ｂ））。
【００３３】（２）この基板３０を水洗いし、乾燥した
後、酸化浴（黒化浴）として、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ），ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ），Ｎａ3 Ｏ4 (６ｇ
／ｌ）、還元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、図
１（Ｃ）に示すように導体回路３４及びスルーホール３
６の表面に粗化層３８を設ける。 （３）上述したＣの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤を得る。
後、酸化浴（黒化浴）として、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ），ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ），Ｎａ3 Ｏ4 (６ｇ
／ｌ）、還元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、図
１（Ｃ）に示すように導体回路３４及びスルーホール３
６の表面に粗化層３８を設ける。 （３）上述したＣの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤を得る。
【００３４】（４）コア基板３０にマスクを用いて印刷
を行い、充填剤４０をスルーホール３６内へ充填すると
共に、基板３０の表面へ塗布する（図１（Ｄ）参照）。
その後に充填剤４０を熱硬化させる。
を行い、充填剤４０をスルーホール３６内へ充填すると
共に、基板３０の表面へ塗布する（図１（Ｄ）参照）。
その後に充填剤４０を熱硬化させる。
【００３５】（５）上記（４）の処理を終えた基板３０
を、＃４００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、スルーホール３６のランド
３６ａ及び導体回路３４の表面に樹脂充填剤が残らない
ように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による
傷を取り除くためのバフ研磨をＳｉＣ砥粒にて行った。
このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様
に行った。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時
間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。この
ようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填
剤４０の表層部およびスルーホールランド３６ａなどの
上面の粗化層を除去して、基板３０の両面を図２（Ｅ）
に示すように平滑化した。
を、＃４００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、スルーホール３６のランド
３６ａ及び導体回路３４の表面に樹脂充填剤が残らない
ように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による
傷を取り除くためのバフ研磨をＳｉＣ砥粒にて行った。
このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様
に行った。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時
間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。この
ようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填
剤４０の表層部およびスルーホールランド３６ａなどの
上面の粗化層を除去して、基板３０の両面を図２（Ｅ）
に示すように平滑化した。
【００３６】（６）上記（５）の処理で露出したスルー
ホールランド３６ａ、導体回路３４上面に図２（Ｆ）に
示すように、厚さ２. ５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金から
なる粗化層（凹凸層）４２を形成し、さらに、粗化層４
２の表面に厚さ０. ３μｍのＳｎ層（図示せず）を設け
た。その形成方法は以下のようである。基板３０を酸性
脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウム
と有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与
し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニ
ッケル０. ６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤
０. １ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめ
っきを施し、導体回路３４上面およびスルーホールのラ
ンド３６ａ上面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層４２を形
成した。ついで、ホウフッ化スズ０. １mol ／ｌ、チオ
尿素１. ０mol ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１. ２の条件
でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層４２の表面に厚さ
０. ３μｍのＳｎ層を設けた。
ホールランド３６ａ、導体回路３４上面に図２（Ｆ）に
示すように、厚さ２. ５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金から
なる粗化層（凹凸層）４２を形成し、さらに、粗化層４
２の表面に厚さ０. ３μｍのＳｎ層（図示せず）を設け
た。その形成方法は以下のようである。基板３０を酸性
脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウム
と有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与
し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニ
ッケル０. ６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤
０. １ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめ
っきを施し、導体回路３４上面およびスルーホールのラ
ンド３６ａ上面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層４２を形
成した。ついで、ホウフッ化スズ０. １mol ／ｌ、チオ
尿素１. ０mol ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１. ２の条件
でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層４２の表面に厚さ
０. ３μｍのＳｎ層を設けた。
【００３７】（７）上述した組成物Ｂの層間樹脂絶縁剤
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度１. ５ Pa ・ｓ
に調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、
上述した組成物Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料
組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解め
っき用接着剤溶液（上層用）を得た。
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度１. ５ Pa ・ｓ
に調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、
上述した組成物Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料
組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解め
っき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００３８】（８）上記（６）の基板３０（図３
（Ｆ））の両面に、図３（Ｇ）に示すように上記（７）
で得られた粘度１. ５Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層
用）４４を調製後２４時間以内にロールコータで塗布
し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分
の乾燥（プリベーク）を行う。次いで、上記（７）で得
られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４
６を調製後２４時間以内に塗布し、水平状態で２０分間
放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を
行い、厚さ３５μｍの接着剤層５０を形成した。
（Ｆ））の両面に、図３（Ｇ）に示すように上記（７）
で得られた粘度１. ５Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層
用）４４を調製後２４時間以内にロールコータで塗布
し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分
の乾燥（プリベーク）を行う。次いで、上記（７）で得
られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４
６を調製後２４時間以内に塗布し、水平状態で２０分間
放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を
行い、厚さ３５μｍの接着剤層５０を形成した。
【００３９】（９）上記（８）で接着剤層５０を形成し
た基板３０の両面に、８５μｍφの黒円が印刷されたフ
ォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水
銀灯により５００mJ／cm2 で露光した。これをＤＭＴＧ
溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀
灯により３０００mJ／cm2 で露光し、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、その後１５０℃で３時間の加熱
処理（ポストベーク）をすることにより、図３（Ｈ）に
示すようにフォトマスクフィルムに相当する寸法精度に
優れた８５μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４
８を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）
５０を形成した。なお、バイアホールとなる開口４８に
は、スズめっき層を部分的に露出させた。
た基板３０の両面に、８５μｍφの黒円が印刷されたフ
ォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水
銀灯により５００mJ／cm2 で露光した。これをＤＭＴＧ
溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀
灯により３０００mJ／cm2 で露光し、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、その後１５０℃で３時間の加熱
処理（ポストベーク）をすることにより、図３（Ｈ）に
示すようにフォトマスクフィルムに相当する寸法精度に
優れた８５μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４
８を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）
５０を形成した。なお、バイアホールとなる開口４８に
は、スズめっき層を部分的に露出させた。
【００４０】（１０）開口４８が形成された基板３０
を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、図４（Ｍ）に示すように当該層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗化面５１とし、その後、中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理
（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウ
ム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内
壁面に触媒核を付けた。
を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、図４（Ｍ）に示すように当該層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗化面５１とし、その後、中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理
（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウ
ム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内
壁面に触媒核を付けた。
【００４１】（１１）以下に示す組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して、図３（Ｊ）に示すように粗
面全体に厚さ０. ６μｍの無電解銅めっき膜５２を形成
した。この無電解めっき銅めっき膜５２の厚みは、０．
１〜５μｍが適切である。これは、０．１μｍ以下であ
ると、後述するプラズマ工程において下層の層間樹脂絶
縁層５０を保護できないからであり、他方、５μｍを越
えると、後述するエッチング工程において剥離すること
が困難になるからである。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ３０ ml ／ｌ ＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ mg ／ｌ ＰＥＧ ０. １ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕７０℃の液温度で３０分
水溶液中に基板を浸漬して、図３（Ｊ）に示すように粗
面全体に厚さ０. ６μｍの無電解銅めっき膜５２を形成
した。この無電解めっき銅めっき膜５２の厚みは、０．
１〜５μｍが適切である。これは、０．１μｍ以下であ
ると、後述するプラズマ工程において下層の層間樹脂絶
縁層５０を保護できないからであり、他方、５μｍを越
えると、後述するエッチング工程において剥離すること
が困難になるからである。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ３０ ml ／ｌ ＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ mg ／ｌ ＰＥＧ ０. １ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕７０℃の液温度で３０分
【００４２】（１２）上述した組成Ｄを混合混練して無
電解めっき用レジストを得る。この無電解めっき用レジ
ストを上記（１１）で形成した無電解銅めっき膜５２上
に塗布し、マスクを載置して、１００ mJ ／cm2 で露
光、０. ８％炭酸ナトリウムで現像処理し、図４（Ｋ）
に示すように厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設け
た。
電解めっき用レジストを得る。この無電解めっき用レジ
ストを上記（１１）で形成した無電解銅めっき膜５２上
に塗布し、マスクを載置して、１００ mJ ／cm2 で露
光、０. ８％炭酸ナトリウムで現像処理し、図４（Ｋ）
に示すように厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設け
た。
【００４３】（１３）ついで、レジスト非形成部分にＰ
Ｈ１４の急速無電解めっき用水溶液中で無電解めっきを
施し、図４（Ｌ）に示すように厚さ１５μｍの無電解銅
めっき膜５６を形成する。ここで、無電解めっきを用い
ることで、無電解めっき銅めっき膜５２の表面に凹凸の
ないように平滑にできる。なお、ここでは、バイアホー
ルを形成する開口部４８内も、無電解めっき銅めっき膜
５２の表面を平らにすることにより、該開口内に形成さ
れるバイアホールの上面を平滑化する。
Ｈ１４の急速無電解めっき用水溶液中で無電解めっきを
施し、図４（Ｌ）に示すように厚さ１５μｍの無電解銅
めっき膜５６を形成する。ここで、無電解めっきを用い
ることで、無電解めっき銅めっき膜５２の表面に凹凸の
ないように平滑にできる。なお、ここでは、バイアホー
ルを形成する開口部４８内も、無電解めっき銅めっき膜
５２の表面を平らにすることにより、該開口内に形成さ
れるバイアホールの上面を平滑化する。
【００４４】（１４）減圧したＯ2 ＋ＣＦ4 ラジカルガ
ス中でプラズマを照射することにより図４（Ｍ）に示す
ように無電解めっきめっきレジスト５４をアッシングに
より除去する。該プラズマ照射は、Ｏ2 ：ＣＦ4 が５
０：５０で、圧力０．５Ｔｏｎｎに減圧した減圧炉中で
行い、５００Ｗのプラズマを１時間照射し続け、完全に
無電解めっき用レジストを除去する。このようにアッシ
ングにより、酸・アルカリに強く溶剤では除去不可能な
上記組成の無電解めっきレジストを除去する。
ス中でプラズマを照射することにより図４（Ｍ）に示す
ように無電解めっきめっきレジスト５４をアッシングに
より除去する。該プラズマ照射は、Ｏ2 ：ＣＦ4 が５
０：５０で、圧力０．５Ｔｏｎｎに減圧した減圧炉中で
行い、５００Ｗのプラズマを１時間照射し続け、完全に
無電解めっき用レジストを除去する。このようにアッシ
ングにより、酸・アルカリに強く溶剤では除去不可能な
上記組成の無電解めっきレジストを除去する。
【００４５】（１５）除去した無電解めっきめっきレジ
スト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の
混合液でエッチング処理して溶解除去し、図５（Ｎ）で
示すように無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６
からなる厚さ１５μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０を形成する。さらに、７０℃で８００ｇ／ｌのクロ
ム酸に３分間浸漬して、導体回路５８、バイアホール６
０間の無電解めっき用接着剤層表面を１μｍエッチング
処理し、表面のパラジウム触媒を除去する。
スト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の
混合液でエッチング処理して溶解除去し、図５（Ｎ）で
示すように無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６
からなる厚さ１５μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０を形成する。さらに、７０℃で８００ｇ／ｌのクロ
ム酸に３分間浸漬して、導体回路５８、バイアホール６
０間の無電解めっき用接着剤層表面を１μｍエッチング
処理し、表面のパラジウム触媒を除去する。
【００４６】（１６）導体回路５８を形成した基板３０
を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエ
ン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホ
ウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ
＝９の無電解めっき液に浸漬し、図５（Ｏ）に示すよう
に該導体回路５８及びバイアホール６０の表面に厚さ３
μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成す
る。粗化層６２をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析
したところ、Ｃｕ９８ｍｏｌ％、Ｎｉ１．５ｍｏｌ％、
Ｐ０．５ｍｏｌ％の組成比を示した。ついで、ホウフッ
化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、
温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応
させ、粗化層６２の表面に０．３μｍの厚さのＳｎ層を
設けた（Ｓｎ層については図示しない）。
を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエ
ン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホ
ウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ
＝９の無電解めっき液に浸漬し、図５（Ｏ）に示すよう
に該導体回路５８及びバイアホール６０の表面に厚さ３
μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成す
る。粗化層６２をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析
したところ、Ｃｕ９８ｍｏｌ％、Ｎｉ１．５ｍｏｌ％、
Ｐ０．５ｍｏｌ％の組成比を示した。ついで、ホウフッ
化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、
温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応
させ、粗化層６２の表面に０．３μｍの厚さのＳｎ層を
設けた（Ｓｎ層については図示しない）。
【００４７】（１７）（２）〜（１６）の工程を繰り返
すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即
ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤（下層用）をロ
ールコ一夕で塗布し、絶縁剤層１４４を形成する。ま
た、この絶縁剤層１４４の上に無電解めっき用接着剤
（上層用）をロールコ一タを用いて塗布し、接着剤層１
４６を形成する（図５（Ｐ）参照）。絶縁剤層１４４お
よび接着剤層１４６を形成した基板３０の両面に、フォ
トマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、開口（バ
イアホール形成用開口）１４８を有する層間樹脂絶縁層
１５０を形成した後、該層間樹脂絶縁層１５０の表面を
粗化する（図６（Ｑ）参照）。その後、該粗面化処理し
た該基板３０の表面に、無電解銅めっき膜１５２を形成
する（図６（Ｒ）参照）。引き続き、無電解銅めっき膜
１５２上に無電解めっきめっきレジスト１５４を設けた
後、レジスト非形成部分に無電解めっき銅膜１５６を形
成する（図６（Ｓ）参照）。そして、めっきレジスト１
５４をプラズマで除去した後、無電解めっきめっきレジ
スト１５４下の無電解めっき膜１５２を溶解除去し導体
回路１５８及びバイアホール１６０を形成する。さら
に、該導体回路１５８及びバイアホール１６０の表面に
粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する
（図７（Ｔ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成
する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即
ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤（下層用）をロ
ールコ一夕で塗布し、絶縁剤層１４４を形成する。ま
た、この絶縁剤層１４４の上に無電解めっき用接着剤
（上層用）をロールコ一タを用いて塗布し、接着剤層１
４６を形成する（図５（Ｐ）参照）。絶縁剤層１４４お
よび接着剤層１４６を形成した基板３０の両面に、フォ
トマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、開口（バ
イアホール形成用開口）１４８を有する層間樹脂絶縁層
１５０を形成した後、該層間樹脂絶縁層１５０の表面を
粗化する（図６（Ｑ）参照）。その後、該粗面化処理し
た該基板３０の表面に、無電解銅めっき膜１５２を形成
する（図６（Ｒ）参照）。引き続き、無電解銅めっき膜
１５２上に無電解めっきめっきレジスト１５４を設けた
後、レジスト非形成部分に無電解めっき銅膜１５６を形
成する（図６（Ｓ）参照）。そして、めっきレジスト１
５４をプラズマで除去した後、無電解めっきめっきレジ
スト１５４下の無電解めっき膜１５２を溶解除去し導体
回路１５８及びバイアホール１６０を形成する。さら
に、該導体回路１５８及びバイアホール１６０の表面に
粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する
（図７（Ｔ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成
する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００４８】（１７）そして、上述した多層プリント配
線板にはんだバンプを形成する。先ず、基板３０にソル
ダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃
で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、
１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像
処理した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱
処理し、図７（Ｕ）に示すようにパッド部分に対応する
開口部７１を設けた（開口径２００μｍ）ソルダーレジ
スト層（厚み２０μｍ）７０を形成した。
線板にはんだバンプを形成する。先ず、基板３０にソル
ダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃
で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、
１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像
処理した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱
処理し、図７（Ｕ）に示すようにパッド部分に対応する
開口部７１を設けた（開口径２００μｍ）ソルダーレジ
スト層（厚み２０μｍ）７０を形成した。
【００４９】（１８）引き続き、ソルダーレジスト層を
補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲
に塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、さらに８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件で加熱処理し、図８（Ｖ）に示す
ように厚さ４０μｍの補強層７８を形成した。
補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲
に塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、さらに８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件で加熱処理し、図８（Ｖ）に示す
ように厚さ４０μｍの補強層７８を形成した。
【００５０】（１９）次に、ソルダーレジスト層７０及
び補強層７８を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケル
めっき液に２０分間浸漬して、図８（Ｗ）に示すように
開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
した。さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２
ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリ
ウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌから
なる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬し
て、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成した。
び補強層７８を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケル
めっき液に２０分間浸漬して、図８（Ｗ）に示すように
開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
した。さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２
ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリ
ウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌから
なる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬し
て、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成した。
【００５１】（２０）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることによりはんだバンプ７６を形成し、
はんだパンプを有するプリント配線板を製造した。
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることによりはんだバンプ７６を形成し、
はんだパンプを有するプリント配線板を製造した。
【００５２】第１実施形態の多層プリント配線板の製造
方法では、無電解めっきによりバイアホール６０及び導
体回路５８を形成するので、当該バイアホール６０及び
導体回路５８の表面を平滑することが可能になる。この
ため、図７（Ｔ）に示すように該導体層（無電解めっき
によるバイアホール６０及び導体回路５８）の上層に層
間樹脂絶縁層１５０を介在させて形成される導体層（無
電解めっきによるバイアホール１６０及び導体回路１５
８）との距離、即ち、上下の導体層の距離Ｄを一定に保
つことが可能となり、インピーダンス整合等の高周波に
於いて必要となる所望の電気特性を極めて正確に達成す
ることができる。
方法では、無電解めっきによりバイアホール６０及び導
体回路５８を形成するので、当該バイアホール６０及び
導体回路５８の表面を平滑することが可能になる。この
ため、図７（Ｔ）に示すように該導体層（無電解めっき
によるバイアホール６０及び導体回路５８）の上層に層
間樹脂絶縁層１５０を介在させて形成される導体層（無
電解めっきによるバイアホール１６０及び導体回路１５
８）との距離、即ち、上下の導体層の距離Ｄを一定に保
つことが可能となり、インピーダンス整合等の高周波に
於いて必要となる所望の電気特性を極めて正確に達成す
ることができる。
【００５３】特に第１実施形態の構成では、バイアホー
ル６０の上面を平滑化するため、バイアホール６０の上
層に層間樹脂絶縁層１５０を介在させて形成される導体
層１５８との距離、即ち、上下の導体層の距離を一定に
保つことができ、インピーダンス整合等の高周波に於い
て必要となる電気特性を得ることができる。また、図３
（Ｉ）及び図３（Ｊ）を参照して上述したように層間樹
脂絶縁層５０の表面を蛸壺上に粗化した後に無電解めっ
きにより無電解めっき銅膜５２を形成するため、層間樹
脂絶縁層５０を粗化層５１のアンカ効果により層間樹脂
絶縁層５０と無電解めっき銅膜５２、５６とを強固に接
続させることができる。
ル６０の上面を平滑化するため、バイアホール６０の上
層に層間樹脂絶縁層１５０を介在させて形成される導体
層１５８との距離、即ち、上下の導体層の距離を一定に
保つことができ、インピーダンス整合等の高周波に於い
て必要となる電気特性を得ることができる。また、図３
（Ｉ）及び図３（Ｊ）を参照して上述したように層間樹
脂絶縁層５０の表面を蛸壺上に粗化した後に無電解めっ
きにより無電解めっき銅膜５２を形成するため、層間樹
脂絶縁層５０を粗化層５１のアンカ効果により層間樹脂
絶縁層５０と無電解めっき銅膜５２、５６とを強固に接
続させることができる。
【００５４】（第２実施形態）引き続き、本発明の第２
実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について
図９を参照して説明する。第１実施形態では、図４
（Ｍ）を参照して上述したように無電解めっき用レジス
ト５４をプラズマにてアッシングした。これに対して、
第２実施形態では、図９（Ａ）に示すように無電解めっ
き用レジスト５４をＣＯ2 レーザを照射してアッシング
する。そして、図９（Ｂ）に示すようにＣＯ2 レーザに
て残った無電解めっき用レジスト５４ａをプラズマを照
射することにより、図９（Ｃ）に示すように完全に除去
する。その後、第１実施形態と同様に多層プリント配線
板を製造する。
実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について
図９を参照して説明する。第１実施形態では、図４
（Ｍ）を参照して上述したように無電解めっき用レジス
ト５４をプラズマにてアッシングした。これに対して、
第２実施形態では、図９（Ａ）に示すように無電解めっ
き用レジスト５４をＣＯ2 レーザを照射してアッシング
する。そして、図９（Ｂ）に示すようにＣＯ2 レーザに
て残った無電解めっき用レジスト５４ａをプラズマを照
射することにより、図９（Ｃ）に示すように完全に除去
する。その後、第１実施形態と同様に多層プリント配線
板を製造する。
【００５５】この第２実施形態では、ＣＯ2 レーザを用
いて無電解めっき用レジストを概ね除去してからプラズ
マを照射するため、プラズマ照射の時間が第１実施形態
よりも短くなり、短時間で多層プリント配線板を製造で
きる利点がある。なお、この第２実施形態では、レーザ
の照射後にプラズマを照射したが、レーザの照射時間及
び強度を適切に調整することでプラズマ照射の後工程を
省略し、多層プリント配線板を廉価に製造することも可
能である。
いて無電解めっき用レジストを概ね除去してからプラズ
マを照射するため、プラズマ照射の時間が第１実施形態
よりも短くなり、短時間で多層プリント配線板を製造で
きる利点がある。なお、この第２実施形態では、レーザ
の照射後にプラズマを照射したが、レーザの照射時間及
び強度を適切に調整することでプラズマ照射の後工程を
省略し、多層プリント配線板を廉価に製造することも可
能である。
【００５６】（第３実施形態）引き続き、本発明の第３
実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について
図１０を参照して説明する。第１実施形態では、図３
（Ｉ）及び図３（Ｊ）を参照して上述したように層間樹
脂絶縁層５０の上面を粗化した後、無電解めっき銅膜５
２を析出させた。これに対して、第３実施形態では、図
１０（Ａ）に示すように粗化することなく層間樹脂絶縁
層５０の表面に銅スパッタ膜５３を銅スパッタリングに
より形成する。その後、無電解めっき用レジスト５４を
形成し（図１０（Ｂ））、無電解めっき銅膜５６を析出
させる（図１０（Ｃ））。そして、無電解めっき用レジ
スト５４をプラズマによりアッシングして除去し、銅ス
パッタ膜５３をエッチングにより剥離する（図１０
（Ｄ））。その後、第１実施形態と同様に多層プリント
配線板を製造する。なお、スパッタを行う金属として
は、Ｃｕ以外にも、Ｃｕ／Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を
用いることができ、スパッタでなくとも蒸着により金属
膜を形成することができる。
実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について
図１０を参照して説明する。第１実施形態では、図３
（Ｉ）及び図３（Ｊ）を参照して上述したように層間樹
脂絶縁層５０の上面を粗化した後、無電解めっき銅膜５
２を析出させた。これに対して、第３実施形態では、図
１０（Ａ）に示すように粗化することなく層間樹脂絶縁
層５０の表面に銅スパッタ膜５３を銅スパッタリングに
より形成する。その後、無電解めっき用レジスト５４を
形成し（図１０（Ｂ））、無電解めっき銅膜５６を析出
させる（図１０（Ｃ））。そして、無電解めっき用レジ
スト５４をプラズマによりアッシングして除去し、銅ス
パッタ膜５３をエッチングにより剥離する（図１０
（Ｄ））。その後、第１実施形態と同様に多層プリント
配線板を製造する。なお、スパッタを行う金属として
は、Ｃｕ以外にも、Ｃｕ／Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を
用いることができ、スパッタでなくとも蒸着により金属
膜を形成することができる。
【００５７】この第３実施形態では、銅スパッタ膜５３
を層間樹脂絶縁層５０へスパッタリングすることにより
形成するため、層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化させる
ことなく、層間樹脂絶縁層５０と銅スパッタ膜及び無電
解めっき銅膜５６とを強固に接続させることができる。
を層間樹脂絶縁層５０へスパッタリングすることにより
形成するため、層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化させる
ことなく、層間樹脂絶縁層５０と銅スパッタ膜及び無電
解めっき銅膜５６とを強固に接続させることができる。
【００５８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、無電解
めっきにより導体層（バイアホール及び導体回路）を形
成するため表面を平滑することが可能になる。このた
め、上下の導体層の距離を一定に保つことができ、イン
ピーダンス整合等の高周波に於いて必要となる電気特性
を得ることができる。
めっきにより導体層（バイアホール及び導体回路）を形
成するため表面を平滑することが可能になる。このた
め、上下の導体層の距離を一定に保つことができ、イン
ピーダンス整合等の高周波に於いて必要となる電気特性
を得ることができる。
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造方法の工程図である。
（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造方法の工程図である。
【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
【図３】図３（Ｈ）、図（Ｉ）、図３（Ｊ）は、本発明
の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の
工程図である。
の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の
工程図である。
【図４】図４（Ｋ）、図４（Ｌ）、図４（Ｍ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
【図５】図５（Ｎ）、図５（Ｏ）、図５（Ｐ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
【図６】図６（Ｑ）、図６（Ｒ）、図６（Ｓ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
【図７】図７（Ｔ）、図７（Ｕ）は、本発明の第１実施
形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図であ
る。
形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図であ
る。
【図８】図８（Ｖ）、図８（Ｗ）は、本発明の第１実施
形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図であ
る。
形態に係る多層プリント配線板の製造方法の工程図であ
る。
【図９】図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）は、本発
明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法
の工程図である。
【図１０】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）、図１０
（Ｃ）、図１０（Ｄ）は、本発明の第３実施形態に係る
多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
（Ｃ）、図１０（Ｄ）は、本発明の第３実施形態に係る
多層プリント配線板の製造方法の工程図である。
【図１１】図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）、図１１
（Ｃ）、図１１（Ｄ）は、従来技術に係る多層プリント
配線板の製造方法の工程図である。
（Ｃ）、図１１（Ｄ）は、従来技術に係る多層プリント
配線板の製造方法の工程図である。
３０ コア基板 ３４ 導体回路 ３６ スルーホール ４０ 充填剤 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５２ 無電解めっき銅膜（金属膜） ５４ 無電解めっき用レジスト ５６ 無電解めっき銅膜 ５８ 導体回路（導体層） ６０ バイアホール（導体層）
Claims (7)
- 【請求項１】 以下の（ａ）〜（ｅ）の工程を含むこと
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 （ａ）層間樹脂絶縁層の上に金属膜を形成する工程、
（ｂ）金属膜の上に無電解めっき用レジストを形成する
工程、（ｃ）無電解めっきにより導体層を形成する工
程、（ｄ）前記無電解めっき用レジストをアッシングに
より除去する工程、（ｅ）前記無電解めっきにより形成
された導体層以外の部位の前記金属膜を剥膜する工程。 - 【請求項２】 前記無電解めっきにより導体層を形成す
る工程において、導体回路と共にバイアホールを形成す
る際に、該バイアホールの上面を平滑化するように形成
することを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配
線板の製造方法。 - 【請求項３】 前記層間樹脂絶縁層の上に金属膜を形成
する工程において、該層間樹脂絶縁層を粗化した後に無
電解めっきにより金属膜を形成することを特徴とする請
求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属膜を形成する工程において、金
属膜をスパッタリングにより形成することを特徴とする
請求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項５】 前記無電解めっき用レジストをアッシン
グにより除去する工程において、 除去をプラズマにより行うことを特徴とする請求項１〜
４のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項６】 前記無電解めっき用レジストをアッシン
グにより除去する工程において、 除去をレーザ照射により行うことを特徴とする請求項１
〜４のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項７】 前記無電解めっき用レジストをアッシン
グにより除去する工程において、 除去をレーザ照射及びプラズマにより行うことを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１に記載の多層プリント配
線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420598A JPH11307933A (ja) | 1998-04-18 | 1998-04-18 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420598A JPH11307933A (ja) | 1998-04-18 | 1998-04-18 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307933A true JPH11307933A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14879601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12420598A Pending JPH11307933A (ja) | 1998-04-18 | 1998-04-18 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003513456A (ja) * | 1999-11-05 | 2003-04-08 | アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ | 積層印刷回路板の製造方法 |
| KR100761901B1 (ko) | 2006-03-15 | 2007-09-28 | 한국생산기술연구원 | 다층 회로기판 제조방법 및 장치 |
| US7985930B2 (en) | 1999-06-02 | 2011-07-26 | Ibiden Co., Ltd. | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
-
1998
- 1998-04-18 JP JP12420598A patent/JPH11307933A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7985930B2 (en) | 1999-06-02 | 2011-07-26 | Ibiden Co., Ltd. | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| US8283573B2 (en) | 1999-06-02 | 2012-10-09 | Ibiden Co., Ltd. | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multilayer printed circuit board |
| US8288665B2 (en) | 1999-06-02 | 2012-10-16 | Ibiden Co., Ltd. | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| US8288664B2 (en) | 1999-06-02 | 2012-10-16 | Ibiden Co., Ltd. | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multilayer printed circuit board |
| US8822828B2 (en) | 1999-06-02 | 2014-09-02 | Ibiden Co., Ltd. | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
| JP2003513456A (ja) * | 1999-11-05 | 2003-04-08 | アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ | 積層印刷回路板の製造方法 |
| KR100761901B1 (ko) | 2006-03-15 | 2007-09-28 | 한국생산기술연구원 | 다층 회로기판 제조방법 및 장치 |
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Legal Events
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080324 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090203 |