JP2000239095A - シリコン原料の洗浄方法及びその装置並びにこれに用いる循環ポンプ防護用フィルタ - Google Patents

シリコン原料の洗浄方法及びその装置並びにこれに用いる循環ポンプ防護用フィルタ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄液を循環させる循環ポンプを損傷させず
に、少ない洗浄槽で、微粒子による汚染程度が低いシリ
コン原料を得る。 【解決手段】 塊状又は粒状のシリコン原料33とこの
シリコン原料の洗浄液30とを接触させてシリコン原料
を洗浄し、シリコン原料の洗浄液30を循環ポンプ18
により再びシリコン原料33と接触させるシリコン原料
の洗浄方法である。シリコン原料の洗浄液を循環ポンプ
防護用フィルタ13及び微粒子除去用フィルタ22にこ
の順序で通して循環ポンプ18により循環させる。洗浄
液の温度が上昇したときは洗浄液クーラー24で洗浄液
を冷却する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はチョクラルスキー法
によりシリコン単結晶を製造するための原料である塊状
又は粒状の多結晶シリコン(ポリシリコン)、単結晶シ
リコンを洗浄する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス用のシリコン単結晶は主
にチョクラルスキー法(以下、CZ法という。)を用い
て製造されている。このCZ法は塊状又は粒状の多結晶
シリコン又は単結晶シリコンなどのシリコン原料を炉内
の石英るつぼ内で融解させ、得られた融液に種結晶を浸
漬し、この種結晶を引上げてシリコン単結晶を成長させ
る方法である。CZ法で所望の引上げを行うことができ
なかった単結晶シリコンも本発明のシリコン原料となり
得る。多結晶シリコン又は単結晶シリコンなどのシリコ
ン原料は活性な性質を有するため、石英るつぼに投入す
るまで、プラスチック製の袋に入れられ密封される。し
かし密封の前後において、空気中の酸素と反応してシリ
コン原料の表面には酸化膜が形成され易い。この酸化膜
はシリコン原料の表面に付着している有機物、微粒子又
は金属不純物を含んで形成されたり、或いは酸化膜の形
成後に酸化膜の表面に有機物、微粒子又は金属不純物が
付着したりする。これらの中で特に微粒子が付着したま
まシリコン原料を石英るつぼに入れ、融解すると、CZ
法で作られたシリコン単結晶の無転位の成長が阻害され
て、いわゆるフリー化率(シリコン原料から無転位の単
結晶シリコンが得られる割合)が低下する問題がある。
【0003】この問題を解決するために、従来、石英る
つぼに入れる前にシリコン原料をかごに入れ、このかご
をフッ酸と硝酸の混酸が貯えられた洗浄槽に浸漬した
後、引上げ、次に超純水が貯えられたリンス槽にかごを
浸漬し、引上げることにより、シリコン原料を洗浄して
いる。この従来の洗浄方法でシリコン原料の入ったかご
を繰返し、洗浄槽に浸漬していくと、洗浄液中に微粒子
が堆積するようになり、シリコン原料の洗浄効果が低下
するため、この洗浄槽を複数設け、新しい洗浄液を定期
的に補給し、かつ所定量のシリコン原料を洗浄した後、
すべての洗浄液を新しい洗浄液に入換えている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法によ
っても、シリコン原料の洗浄を繰返し行って、新液に入
換える前には、微粒子の濃度が高まり、前述したフリー
化率の低下を招いていた。そのため、洗浄液を微粒子除
去用フィルタでろ過し、これを循環使用することが考え
られるが、一般にシリコン原料は脆性であり、塊状でも
粒状でも衝撃等により破砕し易い。破砕したシリコン原
料を含む液を循環ポンプにより循環させようとすると、
シリコン原料の破砕物が循環ポンプを損傷させるおそれ
があった。
【0005】本発明の目的は、少ない洗浄槽で、微粒子
による汚染程度が低いシリコン原料を洗浄する方法及び
その装置を提供することにある。本発明の別の目的は、
洗浄液を循環させる循環ポンプを損傷させないシリコン
原料を洗浄する方法及びその装置を提供することにあ
る。本発明の更に別の目的は、フリー化率を増大させる
シリコン原料を洗浄する方法及びその装置を提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
図1に示すように塊状又は粒状のシリコン原料33とこ
のシリコン原料の洗浄液30とを接触させてシリコン原
料を洗浄し、シリコン原料の洗浄液30を循環ポンプ1
8により再びシリコン原料33と接触させるシリコン原
料の洗浄方法であって、シリコン原料の洗浄液を循環ポ
ンプ防護用フィルタ13,43及び微粒子除去用フィル
タ22にこの順序で通して循環ポンプ18により循環さ
せることを特徴とするシリコン原料の洗浄方法である。
フィルタ13によりシリコン原料の破砕片を除去し、こ
れにより循環ポンプ18を損傷させない。またフィルタ
22により洗浄液30に微粒子が堆積せず、この方法に
より洗浄したシリコン原料から単結晶シリコンを育成し
たときにそのフリー化率を増大させることができる。
【0007】請求項2に係る発明は、請求項1に係る発
明であって、シリコン原料の洗浄液30がフッ酸と硝酸
の混合溶液である洗浄方法である。請求項3に係る発明
は、請求項1に係る発明であって、シリコン原料の洗浄
液30がフッ酸と溶存オゾン水溶液の混合溶液である洗
浄方法である。フッ酸と硝酸を洗浄液に用いることによ
り、比較的短時間の洗浄が可能であり、フッ酸と溶存オ
ゾン水溶液を用いることにより、高純度の洗浄液の使用
が可能でり、両者ともシリコン原料の表面に付着した微
粒子、不純物等を除去することができる。
【0008】請求項4に係る発明は、請求項1ないし3
いずれかに係る発明であって、洗浄液30により洗浄し
たシリコン原料33と超純水35とを接触させて前記シ
リコン原料をリンスする洗浄方法である。超純水でリン
スすることにより、シリコン原料の洗浄度を高める。
【0009】請求項5に係る発明は、請求項1に係る発
明であって、フッ酸と硝酸の混合溶液からなる第1洗浄
液によりシリコン原料を洗浄し、このシリコン原料を超
純水によりリンスし、このシリコン原料を希フッ酸から
なる第2洗浄液により洗浄し、このシリコン原料を超純
水によりリンスするシリコン原料の洗浄方法である。第
1洗浄液と第2洗浄液の二液を用いた洗浄により、シリ
コン原料の表面に付着した微粒子、不純物等をより効率
良く除去することができる。
【0010】請求項6に係る発明は、シリコン原料の洗
浄液30が貯えられた洗浄槽11と、この洗浄槽11か
らオーバフローする洗浄液が流下する導管19と、この
導管19に流下する洗浄液をフィードバック管20を介
して再度洗浄槽11に戻す循環ポンプ18と、この循環
ポンプ18の上流側の導管19に設けられた循環ポンプ
防護用フィルタ14又は43と、この循環ポンプ防護用
フィルタ14又は42の下流側の導管19又はフィード
バック管20に設けられた微粒子除去用フィルタ22と
を備えたシリコン原料の洗浄装置である。フィルタ13
によりシリコン原料の破砕片を除去し、これにより循環
ポンプ18を損傷させない。またフィルタ22により洗
浄液30に微粒子が堆積せず、この装置により洗浄した
シリコン原料から単結晶シリコンを育成したときにその
フリー化率を増大させることができる。
【0011】請求項7に係る発明は、請求項6に係る発
明であって、シリコン原料の洗浄液30がフッ酸と硝酸
の混合溶液である洗浄装置である。請求項8に係る発明
は、請求項6に係る発明であって、シリコン原料の洗浄
液30がフッ酸と溶存オゾン水溶液の混合溶液である洗
浄装置である。フッ酸と硝酸を洗浄液に用いることによ
り、比較的短時間の洗浄が可能であり、フッ酸と溶存オ
ゾン水溶液を用いることにより、高純度の洗浄液の使用
が可能でり、両者ともシリコン原料の表面に付着した微
粒子、不純物等を除去することができる。
【0012】請求項9に係る発明は、請求項6に係る発
明であって、超純水35が貯えられたリンス槽12を更
に備えた洗浄装置である。超純水でリンスすることによ
り、シリコン原料の洗浄度を高める。
【0013】請求項10に係る発明は、請求項6又は9
に係る発明であって、洗浄槽11に洗浄液30の温度を
検出する温度センサ31が設けられ、フィードバック管
20の途中に切換弁21を介して洗浄槽11に接続され
たバイパス管23が設けられ、このバイパス管23の途
中に洗浄液クーラー24が設けられ、温度センサ31が
検出する温度に基づいて切換弁21を切換えるコントロ
ーラ32とを備えた洗浄装置である。シリコン原料の洗
浄により洗浄液30の温度が所定温度を超えるときには
コントローラ32は切換弁21を切換えることにより、
洗浄液クーラー24により洗浄液を冷却してバイパス管
23より洗浄槽11に戻す。これにより洗浄槽の洗浄液
の温度が一定値以下に保たれる。
【0014】請求項11に係る発明は、請求項10に係
る発明であって、洗浄液クーラー24の冷却媒体がリン
ス槽12に供給される超純水である洗浄装置である。リ
ンス槽に供給される超純水を冷却媒体に用いることによ
り、洗浄液の冷却コストを低減する。
【0015】請求項12に係る発明は、シリコン原料を
洗浄した洗浄液を循環させる循環ポンプ18の上流側の
流路に取外し可能に設けられた循環ポンプ防護用フィル
タ13,43であって、メッシュサイズが0.1〜1.
0mmの耐薬品性の網14,44が、この流路の上流側
に設けられ上記メッシュサイズより大きな孔16a,4
6aを有する耐薬品性の第1有孔部材16,46と、こ
の流路の下流側に設けられ上記メッシュサイズより大き
な孔17a,47aを有する耐薬品性の第2有孔部材1
7,47とにより挟持されたことを特徴とする循環ポン
プ防護用フィルタである。請求項13に係る発明は、請
求項12に係る発明であって、第1有孔部材16及び第
2有孔部材17がそれぞれ板状に形成され、流路を遮断
するように配置される循環ポンプ防護用フィルタであ
る。請求項14に係る発明は、請求項12に係る発明で
あって、 第2有孔部材47がその一面に流路に連通す
る孔を有する箱であって、第1有孔部材46が網を介し
て第2有孔部材47を被包する箱である循環ポンプ防護
用フィルタである。網のメッシュサイズを0.1〜1.
0mmにすることにより、シリコン原料の破砕片を捕集
でき、下流の循環ポンプをシリコン原料の破砕片から保
護することができる。この網を第1及び第2有孔部材で
挟持することにより、網の緊張が保たれかつ網が補強さ
れる。
【0016】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面に基づいて説明する。図1に示すように、この実施
の形態ではシリコン原料の洗浄装置はそれぞれ単一の洗
浄槽11とリンス槽12を有する。これらの槽の上部に
は全周にわたってオーバフローした液を受ける回収槽1
1a及び排水槽12aがそれぞれ設けられる。排水槽1
2aにはオーバフローした超純水を図示しない排水施設
に流下させる排水口12bが設けられる。この回収槽1
1a内には排液口11bを覆うように板状の循環ポンプ
防護用フィルタ13が回収槽全周にわたって取外し可能
に設けられる。この実施の形態では、回収槽11aの幅
より長い短辺を有する長方形状のフィルタ13がオーバ
フローしてくる液を受けるように傾斜して回収槽11a
内に置かれる。図2に詳しく示すように、循環ポンプ防
護用フィルタ13はメッシュサイズが0.1〜1.5m
m、好ましくは0.3〜1.2mmの耐薬品性の網14
が第1有孔部材16と第2有孔部材17とにより挟持さ
れて構成される。この実施の形態では網14は厚さ0.
1〜1.0mmであって、メッシュサイズ1.0mmで
ある。また有孔部材16と17は同形同大であって、そ
れぞれ3〜5mmの厚さを有し、直径約5〜50mmの
孔16a,17aを有する。網14も有孔部材16,1
7もそれぞれ耐薬品性のポリテトラフルオロエチレン
(商品名:テフロン)により形成される。
【0017】図1に戻って、回収槽11aの排液口11
bには導管19の一端が接続され、導管19の他端は循
環ポンプ18の吸込み口に接続される。この循環ポンプ
18の吐出口にはフィードバック管20の一端が接続さ
れ、フィードバック管20の他端は洗浄槽11の槽底部
に接続される。フィードバック管20の途中には微粒子
除去用フィルタ22及び切換弁21が設けられる。切換
弁21は三方弁により構成される。この切換弁21には
更にバイパス管23の一端が接続され、バイパス23の
他端は洗浄槽11の槽底部に接続される。バイパス管2
3の途中には洗浄液クーラー24が設けられる。微粒子
除去用フィルタ22は耐薬品性のポリテトラフルオロエ
チレン(商品名:テフロン)のメッシュサイズが0.0
5〜10μmの網22aが内蔵される。この実施の形態
では網22aのメッシュサイズは0.1μmである。洗
浄液クーラー24の冷却媒体にはリンス槽12の超純水
が使用される。具体的には超純水がポンプ27で、或い
はポンプ27を用いることなく超純水のライン圧でクー
ラー24内を通って導管28を介して槽底部からリンス
槽12内に圧送される。洗浄槽11の内部には洗浄液3
0の温度を検出する温度センサ31が設けられ、この温
度センサ31の検出出力はコントローラ32に接続され
る。コントローラ32の制御出力は切換弁21に接続さ
れる。コントローラ32は温度センサ31により洗浄液
30の温度が所定の温度を超えると判断するときには洗
浄槽11のオーバフロー液をバイパス管23に流すよう
に切換弁21を切換える。
【0018】このような構成の洗浄装置を用いてシリコ
ン原料を洗浄する方法について説明する。予め洗浄槽1
1にはフッ酸と硝酸の混酸からなる洗浄液30が貯えら
れ、リンス槽12には超純水が貯えられる。循環ポンプ
18を運転して洗浄液30を洗浄槽11とフィルタ1
3,22との間を循環させ、ポンプ27を運転して、或
はポンプ27を用いずに超純水のライン圧により、超純
水からなるリンス液35をリンス槽12に圧送する。こ
の状態で、プラスチック製の袋から取出された塊状の多
結晶シリコン又はCZ法で所望の引上げが行われなかっ
た単結晶シリコンの塊状物などのシリコン原料33をプ
ラスチック製のかご34に入れる。図示しない昇降装置
によりこのかご34を洗浄槽11内に静かに降ろし洗浄
液30に浸漬する。洗浄液30に浸漬すると、先ずシリ
コン原料の0.1〜0.8mm程度の大きさの細かい破
砕片が液中に浮遊する。またシリコン原料の表面に形成
された酸化膜が洗浄液によりエッチング除去され、酸化
膜中又は酸化膜表面に付着していた微粒子等が洗浄液3
0に分散する。オーバフローした洗浄液30は循環ポン
プ防護用フィルタ13でろ過され、細かい破砕片はこの
フィルタ13で捕集される。これにより循環ポンプ18
にはシリコン原料の破砕片が到来せず、この循環ポンプ
18が損傷することはない。フィルタ13を通過した洗
浄液は導管19及び微粒子除去用フィルタ22を通り、
このフィルタ22で上記微粒子が捕集される。これによ
り微粒子のない清浄化した洗浄液が洗浄槽11に戻され
る。洗浄液の循環により、塊状のシリコン原料の間を洗
浄液が通過し洗浄効果を高める。所定時間浸漬した後、
図示しない昇降装置によりかご34を引上げ、リンス槽
12に所定時間浸漬する。ポンプ27又はライン圧で圧
送されたリンス液35は塊状のシリコン原料の間を通過
して洗浄液及び残留する微粒子等を洗い流す。かご34
は再び引上げられ、図示しない希フッ酸からなる洗浄液
が貯えられた槽に浸漬され、引続いて超純水が貯えられ
た槽に浸漬してシリコン原料がリンスされた後、乾燥工
程に送られ、かごの中のシリコン原料は乾燥される。希
フッ酸が貯えられた槽及びこの槽の後の超純水が貯えら
れた槽は、図1に示した洗浄槽11とリンス槽12とそ
れぞれ同様に構成され、希フッ酸の洗浄槽には循環ポン
プ防護フィルタ及び微粒子除去用フィルタが設けられ
る。乾燥したシリコン原料は図示しない石英るつぼに入
れられ、単結晶育成装置で融解される。
【0019】洗浄槽11にシリコン原料33の入ったか
ご34を繰返し浸漬して洗浄を行うと、エッチング反応
による発熱で洗浄液30の温度が上昇する。高温の洗浄
液は原料であるシリコンの表面に異常な酸化膜を形成し
てその品質に悪影響を及すため、この実施の形態では洗
浄液35℃を超えるとコントローラ32は温度センサ3
1の検出出力により切換弁21を切換え、循環ポンプ1
8で圧送された洗浄液をバイパス管23及び洗浄液クー
ラー24に通し、このクーラー24で冷却した後、洗浄
槽11に戻す。クーラー24で洗浄液は冷却される。こ
れにより所定の温度以下で微粒子のない洗浄液が常に循
環するようになる。フィルタ22は微粒子の捕集量が増
大したときには新しいフィルタと交換する。交換時には
フィルタを交換しない導管19又はバイパス管23に洗
浄液を通すようにする。
【0020】次に本発明の別の実施の形態について説明
する。図3〜図5に示すように、この実施の形態の特徴
ある点は、循環ポンプ防護用フィルタ43の構成にあ
る。図3において、先の実施の形態と同一の構成部品は
図1と同一の符号で示す。図4に詳しく示すように、こ
のフィルタ43では第2有孔部材47がその一面に流路
に連通する孔47bを有する箱に形成され、第1有孔部
材46が網44を介して第2有孔部材47を被包する箱
に形成される。孔47bに続いて排液管47cが一体的
に形成される。この排液管47cは導管19の一端に接
続される。この実施の形態では網44は厚さ0.5mm
であって、メッシュサイズ0.5mmである。また有孔
部材16と17はそれぞれ10mmの厚さを有し、底面
を除く5つの面に直径約20mmの孔46a,47aを
有する。各面に16個、合計48個の孔を有する。網4
4も有孔部材46,47もそれぞれ耐薬品性のポリテト
ラフルオロエチレン(商品名:テフロン)により形成さ
れる。このような構造のフィルタ43は、前述したフィ
ルタ13と比べて、より堅ろうであって、回収槽11a
への取付け、取外しが容易で、シリコン原料の破砕片を
より確実に捕集することができる。このフィルタ43を
取付けた状態でのシリコン原料の洗浄方法は前記実施の
形態と同様であるので、繰返しの説明を省略する。
【0021】なお、上記実施の形態では洗浄液としてフ
ッ酸と硝酸の混酸を用いたが、フッ酸と溶存オゾン水溶
液の混合液を洗浄液としてもよい。前者の混酸はエッチ
ング速度が速く洗浄時間が短時間で済む利点があるが、
後者の混合液はそれぞれ高純度のフッ酸及び溶存オゾン
水溶液の入手が容易で洗浄液自体の純度を高くすること
ができ、洗浄効果に優れる。またフッ酸と硝酸の混酸で
洗浄し、超純水でリンスした後、希フッ酸で洗浄し、超
純水でリンスしたが、希フッ酸の洗浄はなくてもよい。
また、上記実施の形態では塊状のシリコン原料を用いた
が、粒状でもよい。また、上記実施の形態では洗浄槽と
リンス槽がそれぞれ1つの場合を示したが、洗浄槽とリ
ンス槽をそれぞれ更に1つ又は2つずつ加えて洗浄装置
を構成してもよい。更に、循環ポンプ防護用フィルタ4
3を立方体の形状で示したが、本発明のフィルタ43の
形状はこれに限らず、回収槽11aの長さ、幅、高さに
応じて直方体状の箱、三角筒体、多角筒体等に形成して
もよい。
【0022】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の洗浄方法に
よれば、洗浄により洗浄液中に入り込んだシリコン原料
の破砕片を循環ポンプ防護用フィルタにより捕集し、ま
た微粒子を微粒子除去用フィルタにより捕集するので、
循環ポンプを損傷させることなく、常に清浄化された洗
浄液を循環使用することができる。この結果、少ない洗
浄槽で洗浄後の表面に微粒子のないシリコン原料が得ら
れる。このシリコン原料を用いてシリコン単結晶を育成
した場合に、単結晶が無転位で成長し、フリー化率を増
大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のシリコン原料の洗浄装置の構成図。
【図2】本発明の循環ポンプ防護用フィルタの部分拡大
断面図。
【図3】本発明の別の循環ポンプ防護用フィルタを使用
した洗浄槽の構成図。
【図4】本発明の別の循環ポンプ防護用フィルタの部分
拡大断面図。
【図5】その外観斜視図。
【符号の説明】
11 洗浄槽 12 リンス槽 13,43 循環ポンプ防護用フィルタ 14,44 網 16,46 第1有孔部材 17,47 第2有孔部材 18 循環ポンプ 19,28 導管 20 フィードバック管 21 切換弁 22 微粒子除去用フィルタ 23 バイパス管 24 洗浄液クーラー 30 洗浄液 31 温度センサ 32 コントローラ 33 シリコン原料 34 かご 35 リンス液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高階 啓幸 三重県四日市市三田町5番地 三菱マテリ アルポリシリコン株式会社内 (72)発明者 堀 憲治 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Fターム(参考) 4G077 AA01 AA10 BA04 CF10 EC01 EG30

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 塊状又は粒状のシリコン原料(33)と前記
    シリコン原料の洗浄液(30)とを接触させて前記シリコン
    原料を洗浄し、前記シリコン原料の洗浄液(30)を循環ポ
    ンプ(18)により再び前記シリコン原料(33)と接触させる
    シリコン原料の洗浄方法であって、 前記シリコン原料の洗浄液を循環ポンプ防護用フィルタ
    (13,43)及び微粒子除去用フィルタ(22)にこの順序で通
    して前記循環ポンプ(18)により循環させることを特徴と
    するシリコン原料の洗浄方法。
  2. 【請求項2】 シリコン原料の洗浄液(30)がフッ酸と硝
    酸の混合溶液である請求項1記載のシリコン原料の洗浄
    方法。
  3. 【請求項3】 シリコン原料の洗浄液(30)がフッ酸と溶
    存オゾン水溶液の混合溶液である請求項1記載のシリコ
    ン原料の洗浄方法。
  4. 【請求項4】 洗浄液(30)により洗浄したシリコン原料
    (33)と超純水(35)とを接触させて前記シリコン原料をリ
    ンスする請求項1ないし3いずれか記載のシリコン原料
    の洗浄方法。
  5. 【請求項5】 フッ酸と硝酸の混合溶液からなる第1洗
    浄液によりシリコン原料を洗浄し、このシリコン原料を
    超純水によりリンスし、このシリコン原料を希フッ酸か
    らなる第2洗浄液により洗浄し、このシリコン原料を超
    純水によりリンスする請求項1記載のシリコン原料の洗
    浄方法。
  6. 【請求項6】 シリコン原料の洗浄液(30)が貯えられた
    洗浄槽(11)と、 前記洗浄槽(11)からオーバフローする洗浄液が流下する
    導管(19)と、 前記導管(19)に流下する洗浄液をフィードバック管(20)
    を介して再度前記洗浄槽(11)に戻す循環ポンプ(18)と、 前記循環ポンプ(18)の上流側の導管(19)に設けられた循
    環ポンプ防護用フィルタ(13,43)と、 前記循環ポンプ防護用フィルタ(13,43)の下流側の導管
    (19)又はフィードバック管(20)に設けられた微粒子除去
    用フィルタ(22)とを備えたシリコン原料の洗浄装置。
  7. 【請求項7】 シリコン原料の洗浄液(30)がフッ酸と硝
    酸の混合溶液である請求項6記載のシリコン原料の洗浄
    装置。
  8. 【請求項8】 シリコン原料の洗浄液(30)がフッ酸と溶
    存オゾン水溶液の混合溶液である請求項6記載のシリコ
    ン原料の洗浄装置。
  9. 【請求項9】 超純水(35)が貯えられたリンス槽(12)を
    更に備えた請求項6記載のシリコン原料の洗浄装置。
  10. 【請求項10】 洗浄槽(11)に洗浄液(30)の温度を検出
    する温度センサ(31)が設けられ、 フィードバック管(20)の途中に切換弁(21)を介して洗浄
    槽(11)に接続されたバイパス管(23)が設けられ、 前記バイパス管(23)の途中に洗浄液クーラー(24)が設け
    られ、 前記温度センサ(31)が検出する温度に基づいて前記切換
    弁(21)を切換えるコントローラ(32)とを備えた請求項6
    又は9記載のシリコン原料の洗浄装置。
  11. 【請求項11】 洗浄液クーラー(24)の冷却媒体がリン
    ス槽(12)に供給される超純水(35)である請求項10記載
    のシリコン原料の洗浄装置。
  12. 【請求項12】 シリコン原料を洗浄した洗浄液を循環
    させる循環ポンプ(18)の上流側の流路に取外し可能に設
    けられた循環ポンプ防護用フィルタ(13,43)であって、 メッシュサイズが0.1〜1.0mmの耐薬品性の網(1
    4,44)が、前記流路の上流側に設けられ前記メッシュサ
    イズより大きな孔(16a,46a)を有する耐薬品性の第1有
    孔部材(16,46)と、前記流路の下流側に設けられ前記メ
    ッシュサイズより大きな孔(17a,47a)を有する耐薬品性
    の第2有孔部材(47)とにより挟持されたことを特徴とす
    る循環ポンプ防護用フィルタ。
  13. 【請求項13】 第1有孔部材(16)及び第2有孔部材(1
    7)がそれぞれ板状に形成され、流路を遮断するように配
    置される請求項12記載の循環ポンプ防護用フィルタ。
  14. 【請求項14】 第2有孔部材(47)がその一面に流路に
    連通する孔(47b)を有する箱であって、第1有孔部材(4
    6)が網を介して前記第2有孔部材(47)を被包する箱であ
    る請求項12記載の循環ポンプ防護用フィルタ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006062948A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Mitsubishi Materials Corp 半導体材料用シリコンの洗浄方法とその多結晶シリコン塊、および洗浄装置
JP2014166945A (ja) * 2013-02-01 2014-09-11 Mitsubishi Materials Corp シリコン片の洗浄装置及び洗浄方法
WO2019188912A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンの洗浄方法、製造方法および洗浄装置
CN116747998A (zh) * 2023-08-14 2023-09-15 山东鲁西药业有限公司 一种麦冬原料清洗装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006062948A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Mitsubishi Materials Corp 半導体材料用シリコンの洗浄方法とその多結晶シリコン塊、および洗浄装置
JP2014166945A (ja) * 2013-02-01 2014-09-11 Mitsubishi Materials Corp シリコン片の洗浄装置及び洗浄方法
WO2019188912A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンの洗浄方法、製造方法および洗浄装置
TWI776035B (zh) * 2018-03-27 2022-09-01 日商德山股份有限公司 多晶矽的洗滌方法、製造方法及洗滌裝置
CN116747998A (zh) * 2023-08-14 2023-09-15 山东鲁西药业有限公司 一种麦冬原料清洗装置
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