JP2000235762A - ディスクドライブ用半導体集積回路装置 - Google Patents
ディスクドライブ用半導体集積回路装置Info
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- Control Of Stepping Motors (AREA)
- Rotational Drive Of Disk (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体集積回路装置内の温度変化率
にかかわらず、所定時間以上の間隔を置いて、スピンド
ルモータドライバ部及びステッピングモータドライバ部
のＯＮ／ＯＦＦの切換を行うことが可能なディスクドラ
イブ用半導体集積回路装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】ディスクドライブ用半導体集積回路装置１
は、該半導体集積回路装置１内の温度を検出して所定の
温度になると信号ＴＳＤをＨｉ，Ｌｏｗに切り替える温
度検出部９と、この信号ＴＳＤとコントロール部１０か
らのクロックＣＫが入力されるとともに信号ＴＳＤ１，
ＴＳＤ２を送出する遅延回路１１とを有する。このよう
な半導体集積回路装置１は、内部の温度がＴ+以上にな
るとスピンドルモータドライバ部７をＯＦＦにして一定
時間が経ってからステッピングモータドライバ部８をＯ
ＦＦにする。又、内部の温度がＴ-以下になるとステッ
ピングモータドライバ部８を駆動可能にして一定時間が
経ってからスピンドルモータドライバ部７を駆動可能に
する。
にかかわらず、所定時間以上の間隔を置いて、スピンド
ルモータドライバ部及びステッピングモータドライバ部
のＯＮ／ＯＦＦの切換を行うことが可能なディスクドラ
イブ用半導体集積回路装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】ディスクドライブ用半導体集積回路装置１
は、該半導体集積回路装置１内の温度を検出して所定の
温度になると信号ＴＳＤをＨｉ，Ｌｏｗに切り替える温
度検出部９と、この信号ＴＳＤとコントロール部１０か
らのクロックＣＫが入力されるとともに信号ＴＳＤ１，
ＴＳＤ２を送出する遅延回路１１とを有する。このよう
な半導体集積回路装置１は、内部の温度がＴ+以上にな
るとスピンドルモータドライバ部７をＯＦＦにして一定
時間が経ってからステッピングモータドライバ部８をＯ
ＦＦにする。又、内部の温度がＴ-以下になるとステッ
ピングモータドライバ部８を駆動可能にして一定時間が
経ってからスピンドルモータドライバ部７を駆動可能に
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＤ（Flexible D
isk）、ＣＤ（Compact Disk）又はＭＯ（Magnet-Optica
l disk）といった記録媒体であるメディアの記録又は再
生を行うディスクドライブに関するもので、特に、その
内部の温度を検知することによって、ディスクドライブ
内に設けられたスピンドルモータ及びステッピングモー
タの駆動制御を行うためのディスクドライブ用半導体集
積回路装置に関する。
isk）、ＣＤ（Compact Disk）又はＭＯ（Magnet-Optica
l disk）といった記録媒体であるメディアの記録又は再
生を行うディスクドライブに関するもので、特に、その
内部の温度を検知することによって、ディスクドライブ
内に設けられたスピンドルモータ及びステッピングモー
タの駆動制御を行うためのディスクドライブ用半導体集
積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すディスクドライブは、ＦＤや
ＣＤなどの記録媒体であるメディア５内の信号の書き込
み又は読みとりを行うためのヘッド２と、メディア５を
回転させるためのスピンドルモータ３と、ヘッド２をメ
ディア５の径方向に移動させるためのステッピングモー
タ４と、ヘッド２を介してメディア５の記録又は再生を
行うとともにスピンドルモータ３及びステッピングモー
タ４の駆動制御を行うディスクドライブ用半導体集積回
路装置１とを有する。
ＣＤなどの記録媒体であるメディア５内の信号の書き込
み又は読みとりを行うためのヘッド２と、メディア５を
回転させるためのスピンドルモータ３と、ヘッド２をメ
ディア５の径方向に移動させるためのステッピングモー
タ４と、ヘッド２を介してメディア５の記録又は再生を
行うとともにスピンドルモータ３及びステッピングモー
タ４の駆動制御を行うディスクドライブ用半導体集積回
路装置１とを有する。
【０００３】このようなディスクドライブにおいて、従
来使用されているディスクドライブ用半導体集積回路装
置の内部構成を、図６に示す。図６に示すディスクドラ
イブ用半導体集積回路装置１’（以下、単に半導体集積
回路装置１’とする。）は、ヘッド２（図１）を介して
メディア５（図１）内の信号の書き込み又は読み取りを
行うリード・ライト部６と、スピンドルモータ３（図
１）の駆動制御を行うためのスピンドルモータドライバ
部７と、ステッピングモータ４（図１）の駆動制御を行
うためのステッピングモータドライバ部８と、半導体集
積回路装置１’内部の温度を検出する温度検出部９ａ，
９ｂと、各ブロックと信号のやり取りを行うコントロー
ル部１０とを有する。
来使用されているディスクドライブ用半導体集積回路装
置の内部構成を、図６に示す。図６に示すディスクドラ
イブ用半導体集積回路装置１’（以下、単に半導体集積
回路装置１’とする。）は、ヘッド２（図１）を介して
メディア５（図１）内の信号の書き込み又は読み取りを
行うリード・ライト部６と、スピンドルモータ３（図
１）の駆動制御を行うためのスピンドルモータドライバ
部７と、ステッピングモータ４（図１）の駆動制御を行
うためのステッピングモータドライバ部８と、半導体集
積回路装置１’内部の温度を検出する温度検出部９ａ，
９ｂと、各ブロックと信号のやり取りを行うコントロー
ル部１０とを有する。
【０００４】ところで、このような半導体集積回路装置
１’は、メディア５内の信号の書き込み又は読み取りを
行うようにヘッド２をコントロール部１０で指定する位
置に移動させるために、スピンドルモータ３及びステッ
ピングモータ４を動作させる。このとき、スピンドルモ
ータドライバ部７とステッピングモータドライバ部８が
同時に動作を行うので、半導体集積回路装置１’内の温
度上昇が最も大きくなる。このような状態が続いて半導
体集積回路装置１’内の温度が上昇し続けると、該半導
体集積回路装置１’が正常に動作しなくなったり破損し
たりする恐れがあるので、ある温度でスピンドルモータ
ドライバ部７又はステッピングモータドライバ部８の動
作を停止して半導体集積回路装置１’内の温度を低下さ
せる必要がある。
１’は、メディア５内の信号の書き込み又は読み取りを
行うようにヘッド２をコントロール部１０で指定する位
置に移動させるために、スピンドルモータ３及びステッ
ピングモータ４を動作させる。このとき、スピンドルモ
ータドライバ部７とステッピングモータドライバ部８が
同時に動作を行うので、半導体集積回路装置１’内の温
度上昇が最も大きくなる。このような状態が続いて半導
体集積回路装置１’内の温度が上昇し続けると、該半導
体集積回路装置１’が正常に動作しなくなったり破損し
たりする恐れがあるので、ある温度でスピンドルモータ
ドライバ部７又はステッピングモータドライバ部８の動
作を停止して半導体集積回路装置１’内の温度を低下さ
せる必要がある。
【０００５】そのため、図７（ａ）のように、半導体集
積回路装置１’内の温度が上昇してＴ１+となったと
き、スピンドルモータドライバ部７をＯＦＦさせるた
め、温度検出部９ａからコントロール部１０に送出され
る信号ＴＳＤ１が図７（ｂ）のようにＨｉに切り替わ
る。信号ＴＳＤ１がＨｉになると、コントロール部１０
によって、スピンドルモータドライバ部７を停止するよ
う制御される。その後、更に半導体集積回路装置１’内
の温度が上昇してＴ２+となると、ステッピングモータ
ドライバ部８をＯＦＦさせるため、温度検出部９ｂから
コントロール部１０に送出される信号ＴＳＤ２が図７
（ｃ）のようにＨｉに切り替わる。信号ＴＳＤ２がＨｉ
になると、コントロール部１０によって、ステッピング
モータドライバ部８を停止するように制御される。
積回路装置１’内の温度が上昇してＴ１+となったと
き、スピンドルモータドライバ部７をＯＦＦさせるた
め、温度検出部９ａからコントロール部１０に送出され
る信号ＴＳＤ１が図７（ｂ）のようにＨｉに切り替わ
る。信号ＴＳＤ１がＨｉになると、コントロール部１０
によって、スピンドルモータドライバ部７を停止するよ
う制御される。その後、更に半導体集積回路装置１’内
の温度が上昇してＴ２+となると、ステッピングモータ
ドライバ部８をＯＦＦさせるため、温度検出部９ｂから
コントロール部１０に送出される信号ＴＳＤ２が図７
（ｃ）のようにＨｉに切り替わる。信号ＴＳＤ２がＨｉ
になると、コントロール部１０によって、ステッピング
モータドライバ部８を停止するように制御される。
【０００６】このようにしてスピンドルモータドライバ
部７及びステッピングモータドライバ部８が停止する
と、しばらくして図７（ａ）のように、半導体集積回路
装置１’内の温度が下降してくる。このように温度が下
降してＴ２-となったとき、ステッピングモータドライ
バ部８を駆動可能にするため、温度検出部９ｂからコン
トロール部１０に送出される信号ＴＳＤ２が図７（ｃ）
のようにＬｏｗに切り替わる。信号ＴＳＤ２がＬｏｗに
なると、コントロール部１０によって、ステッピングモ
ータドライバ部８を駆動するように制御される。その
後、更に半導体集積回路装置１’内の温度が下降してＴ
１-となると、スピンドルモータドライバ部７を駆動可
能にするため、温度検出部９ａからコントロール部１０
に送出される信号ＴＳＤ１が図７（ｂ）のようにＬｏｗ
に切り替わる。信号ＴＳＤ１がＬｏｗになると、コント
ロール部１０によって、スピンドルモータドライバ部７
を駆動するよう制御される。
部７及びステッピングモータドライバ部８が停止する
と、しばらくして図７（ａ）のように、半導体集積回路
装置１’内の温度が下降してくる。このように温度が下
降してＴ２-となったとき、ステッピングモータドライ
バ部８を駆動可能にするため、温度検出部９ｂからコン
トロール部１０に送出される信号ＴＳＤ２が図７（ｃ）
のようにＬｏｗに切り替わる。信号ＴＳＤ２がＬｏｗに
なると、コントロール部１０によって、ステッピングモ
ータドライバ部８を駆動するように制御される。その
後、更に半導体集積回路装置１’内の温度が下降してＴ
１-となると、スピンドルモータドライバ部７を駆動可
能にするため、温度検出部９ａからコントロール部１０
に送出される信号ＴＳＤ１が図７（ｂ）のようにＬｏｗ
に切り替わる。信号ＴＳＤ１がＬｏｗになると、コント
ロール部１０によって、スピンドルモータドライバ部７
を駆動するよう制御される。
【０００７】このように、ある一定の温度以上になった
とき、スピンドルモータドライバ部７及びステッピング
モータドライバ部８を停止させることによって、半導体
集積回路装置１’内の温度上昇による誤作動や破壊を防
いでいた。
とき、スピンドルモータドライバ部７及びステッピング
モータドライバ部８を停止させることによって、半導体
集積回路装置１’内の温度上昇による誤作動や破壊を防
いでいた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図７のように、スピン
ドルモータドライバ部７及びステッピングモータドライ
バ部８のＯＮ／ＯＦＦのタイミングは、半導体集積回路
装置１’内の温度変化率によって決定される。そのた
め、半導体集積回路装置１’のおかれる環境によって
は、図８のように、半導体集積回路装置１’内の温度変
化率が急峻な状態になることがある。このとき、温度検
出部９ａ，９ｂから送出される信号ＴＳＤ１，ＴＳＤ２
が、ＨｉからＬｏｗ又はＬｏｗからＨｉに、ほぼ同時に
切り替わる。
ドルモータドライバ部７及びステッピングモータドライ
バ部８のＯＮ／ＯＦＦのタイミングは、半導体集積回路
装置１’内の温度変化率によって決定される。そのた
め、半導体集積回路装置１’のおかれる環境によって
は、図８のように、半導体集積回路装置１’内の温度変
化率が急峻な状態になることがある。このとき、温度検
出部９ａ，９ｂから送出される信号ＴＳＤ１，ＴＳＤ２
が、ＨｉからＬｏｗ又はＬｏｗからＨｉに、ほぼ同時に
切り替わる。
【０００９】このように、信号ＴＳＤ１，ＴＳＤ２がほ
ぼ同時に切り替わることによって、スピンドルモータド
ライバ部７及びステッピングモータドライバ部８が同時
に動作したり停止したりする。そのため、半導体集積回
路装置１’内に、一気に大電流が流れたり、急に流れな
くなったりする。このとき、特に、大電流が急に流れ込
んだときには、半導体集積回路装置１’の電源電圧が変
動したりしてその動作が不安定になることがあり、その
内部回路の破壊さえも招く恐れがある。又、スピンドル
モータドライバ部７をＯＮ／ＯＦＦするための温度を検
出するための温度検出部とステッピングモータドライバ
部８をＯＮ／ＯＦＦするための温度を検出するための温
度検出部とを、温度検出部９ａ，９ｂのように別々に設
ける必要があったので、チップサイズの縮小化の妨げと
なっていた。
ぼ同時に切り替わることによって、スピンドルモータド
ライバ部７及びステッピングモータドライバ部８が同時
に動作したり停止したりする。そのため、半導体集積回
路装置１’内に、一気に大電流が流れたり、急に流れな
くなったりする。このとき、特に、大電流が急に流れ込
んだときには、半導体集積回路装置１’の電源電圧が変
動したりしてその動作が不安定になることがあり、その
内部回路の破壊さえも招く恐れがある。又、スピンドル
モータドライバ部７をＯＮ／ＯＦＦするための温度を検
出するための温度検出部とステッピングモータドライバ
部８をＯＮ／ＯＦＦするための温度を検出するための温
度検出部とを、温度検出部９ａ，９ｂのように別々に設
ける必要があったので、チップサイズの縮小化の妨げと
なっていた。
【００１０】このような問題を鑑みて、本発明は、半導
体集積回路装置内の温度変化率にかかわらず、所定時間
以上の間隔を置いて、スピンドルモータドライバ部及び
ステッピングモータドライバ部のＯＮ／ＯＦＦの切換を
行うことが可能なディスクドライブ用半導体集積回路装
置を提供することを目的とする。
体集積回路装置内の温度変化率にかかわらず、所定時間
以上の間隔を置いて、スピンドルモータドライバ部及び
ステッピングモータドライバ部のＯＮ／ＯＦＦの切換を
行うことが可能なディスクドライブ用半導体集積回路装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のディスクドライ
ブ用半導体集積回路装置は、第１モータを駆動するため
の第１モータドライバ部と、第２モータを駆動するため
の第２モータドライバ部とを有し、前記第１モータ及び
前記第２モータのそれぞれに、モータを動作させるため
の信号を送出するディスクドライブ用半導体集積回路装
置において、該半導体集積回路装置内の温度を検出し
て、所定の温度になったとき検出信号を送出する温度検
出部と、該温度検出部からの前記検出信号を所定の時間
遅延した第１遅延信号及び第２遅延信号を送出する遅延
手段と、前記半導体集積回路装置内の温度が上昇して第
１の温度を越えたとき、まず、前記第１遅延信号に基づ
いて第１モータドライバ部を停止させ、次に、前記第２
遅延信号に基づいて第２モータドライバ部を停止させる
とともに、前記半導体集積回路装置内の温度が下降して
第２の温度より下がったとき、まず、前記第２遅延信号
に基づいて第２モータドライバ部を駆動可能にさせ、次
に、前記第１遅延信号に基づいて第１モータドライバ部
を駆動可能にさせるための制御手段と、を有することを
特徴とする。
ブ用半導体集積回路装置は、第１モータを駆動するため
の第１モータドライバ部と、第２モータを駆動するため
の第２モータドライバ部とを有し、前記第１モータ及び
前記第２モータのそれぞれに、モータを動作させるため
の信号を送出するディスクドライブ用半導体集積回路装
置において、該半導体集積回路装置内の温度を検出し
て、所定の温度になったとき検出信号を送出する温度検
出部と、該温度検出部からの前記検出信号を所定の時間
遅延した第１遅延信号及び第２遅延信号を送出する遅延
手段と、前記半導体集積回路装置内の温度が上昇して第
１の温度を越えたとき、まず、前記第１遅延信号に基づ
いて第１モータドライバ部を停止させ、次に、前記第２
遅延信号に基づいて第２モータドライバ部を停止させる
とともに、前記半導体集積回路装置内の温度が下降して
第２の温度より下がったとき、まず、前記第２遅延信号
に基づいて第２モータドライバ部を駆動可能にさせ、次
に、前記第１遅延信号に基づいて第１モータドライバ部
を駆動可能にさせるための制御手段と、を有することを
特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、図面を参照
して説明する。本発明で使用するディスクドライブは、
従来と同様、図１のような構成をしたディスクドライブ
である。又、図１に示すディスクドライブ内に設けられ
たディスクドライブ用半導体集積回路装置１の内部構造
を、図２のブロック図に示す。尚、図２に示すディスク
ドライブ用半導体集積回路装置１内に設けられた部分
で、図６に示すディスクドライブ用半導体集積回路装置
１’内に設けられた部分と同様の目的で使用されるもの
は、その説明を省略し、同一の符号を付す。
して説明する。本発明で使用するディスクドライブは、
従来と同様、図１のような構成をしたディスクドライブ
である。又、図１に示すディスクドライブ内に設けられ
たディスクドライブ用半導体集積回路装置１の内部構造
を、図２のブロック図に示す。尚、図２に示すディスク
ドライブ用半導体集積回路装置１内に設けられた部分
で、図６に示すディスクドライブ用半導体集積回路装置
１’内に設けられた部分と同様の目的で使用されるもの
は、その説明を省略し、同一の符号を付す。
【００１３】図２に示すディスクドライブ用半導体集積
回路装置１（以下、単に半導体集積回路装置１とす
る。）は、半導体集積回路装置１内部の温度を検出する
温度検出部９と、温度検出部９からの信号ＴＳＤによっ
てスピンドルモータドライブ部７及びステッピングモー
タドライブ部８をそれぞれＯＮ／ＯＦＦするための信号
ＴＳＤ１，ＴＳＤ２をコントロール部１０に送出する遅
延回路１１と、リード・ライト部６と、スピンドルモー
タドライバ部７と、ステッピングモータドライバ部８
と、コントロール部１０とを有する。
回路装置１（以下、単に半導体集積回路装置１とす
る。）は、半導体集積回路装置１内部の温度を検出する
温度検出部９と、温度検出部９からの信号ＴＳＤによっ
てスピンドルモータドライブ部７及びステッピングモー
タドライブ部８をそれぞれＯＮ／ＯＦＦするための信号
ＴＳＤ１，ＴＳＤ２をコントロール部１０に送出する遅
延回路１１と、リード・ライト部６と、スピンドルモー
タドライバ部７と、ステッピングモータドライバ部８
と、コントロール部１０とを有する。
【００１４】又、このような半導体集積回路１内に設け
られた遅延回路１１について、図３及び図４を用いて説
明する。図３は遅延回路１１の内部構造を示す論理回路
図であり、又、図４は遅延回路１１の動作を示すタイミ
ングチャートである。図３に示す遅延回路１１は、クロ
ック端子Ｃ１，Ｃ２にそれぞれ送出されるコントロール
部１０からのクロックＣＫに同期して動作を行うＤフリ
ップフロップ（以下、ＤＦＦとする。）１２，１３と、
温度検出回路９からの信号ＴＳＤとＤＦＦ１３の出力端
子Ｑ２からの信号が入力されるＯＲ回路１４及びＡＮＤ
回路１５とを有し、ＤＦＦ１２の出力端子Ｑ１とＤＦＦ
１３の入力端子Ｄ２を接続した構成になっている。この
ような構成により、ＤＦＦ１２，１３がクロック２回分
遅延させた信号を送出するカウンタ回路を形成する。
られた遅延回路１１について、図３及び図４を用いて説
明する。図３は遅延回路１１の内部構造を示す論理回路
図であり、又、図４は遅延回路１１の動作を示すタイミ
ングチャートである。図３に示す遅延回路１１は、クロ
ック端子Ｃ１，Ｃ２にそれぞれ送出されるコントロール
部１０からのクロックＣＫに同期して動作を行うＤフリ
ップフロップ（以下、ＤＦＦとする。）１２，１３と、
温度検出回路９からの信号ＴＳＤとＤＦＦ１３の出力端
子Ｑ２からの信号が入力されるＯＲ回路１４及びＡＮＤ
回路１５とを有し、ＤＦＦ１２の出力端子Ｑ１とＤＦＦ
１３の入力端子Ｄ２を接続した構成になっている。この
ような構成により、ＤＦＦ１２，１３がクロック２回分
遅延させた信号を送出するカウンタ回路を形成する。
【００１５】このような構造をした遅延回路１１の動作
について、以下に説明する。図４（ａ）のように、温度
検出部９からの信号ＴＳＤがＬｏｗからＨｉに切り替わ
ったとき、ＤＦＦ１２の入力端子Ｄ１、ＯＲ回路１４の
端子ａ及びＡＮＤ回路１５の端子ｃに入力される信号が
Ｈｉに切り替わる。このように信号ＴＳＤがＨｉに切り
替わった後、図４（ｂ）のようにクロック１回分入力さ
れると、図４（ｃ）のようにＤＦＦ１２の出力端子Ｑ１
に現れる信号がＨｉとなり、このＨｉの信号がＤＦＦ１
３の入力端子Ｄ２に送出される。その後、もう１回クロ
ックが入力されると、図４（ｄ）のようにＤＦＦ１３の
出力端子Ｑ２に現れる信号がＨｉとなる。
について、以下に説明する。図４（ａ）のように、温度
検出部９からの信号ＴＳＤがＬｏｗからＨｉに切り替わ
ったとき、ＤＦＦ１２の入力端子Ｄ１、ＯＲ回路１４の
端子ａ及びＡＮＤ回路１５の端子ｃに入力される信号が
Ｈｉに切り替わる。このように信号ＴＳＤがＨｉに切り
替わった後、図４（ｂ）のようにクロック１回分入力さ
れると、図４（ｃ）のようにＤＦＦ１２の出力端子Ｑ１
に現れる信号がＨｉとなり、このＨｉの信号がＤＦＦ１
３の入力端子Ｄ２に送出される。その後、もう１回クロ
ックが入力されると、図４（ｄ）のようにＤＦＦ１３の
出力端子Ｑ２に現れる信号がＨｉとなる。
【００１６】ところで、信号ＴＳＤがＨｉに切り替わっ
た後、上記のようにＤＦＦ１２，１３が動作を行うの
で、信号ＴＳＤがＨｉに切り替わった後にクロックが２
回、遅延回路１１に入力されるまで、ＯＲ回路１４の端
子ｂ及びＡＮＤ回路１５の端子ｄには、Ｌｏｗの信号が
入力されたままである。このとき、ＯＲ回路１４は端子
ａにはＨｉの信号ＴＳＤが入力されているので、図４
（ｅ）のように、信号ＴＳＤ１をＨｉに切り換えてコン
トロール部１０に送出する。又、ＡＮＤ回路１５よりコ
ントロール部１０に送出される信号ＴＳＤ２は、図４
（ｆ）のように、Ｌｏｗのままである。その後、クロッ
クが２回、遅延回路１１に入力されると、ＡＮＤ回路１
５の端子ｄにＨｉの信号が入力されるので、図４（ｆ）
のように、信号ＴＳＤ２はＨｉに切り替わる。
た後、上記のようにＤＦＦ１２，１３が動作を行うの
で、信号ＴＳＤがＨｉに切り替わった後にクロックが２
回、遅延回路１１に入力されるまで、ＯＲ回路１４の端
子ｂ及びＡＮＤ回路１５の端子ｄには、Ｌｏｗの信号が
入力されたままである。このとき、ＯＲ回路１４は端子
ａにはＨｉの信号ＴＳＤが入力されているので、図４
（ｅ）のように、信号ＴＳＤ１をＨｉに切り換えてコン
トロール部１０に送出する。又、ＡＮＤ回路１５よりコ
ントロール部１０に送出される信号ＴＳＤ２は、図４
（ｆ）のように、Ｌｏｗのままである。その後、クロッ
クが２回、遅延回路１１に入力されると、ＡＮＤ回路１
５の端子ｄにＨｉの信号が入力されるので、図４（ｆ）
のように、信号ＴＳＤ２はＨｉに切り替わる。
【００１７】又、図４（ａ）のように、温度検出部９か
らの信号ＴＳＤがＨｉからＬｏｗに切り替わったとき、
ＤＦＦ１２の入力端子Ｄ１、ＯＲ回路１４の端子ａ及び
ＡＮＤ回路１５の端子ｃに入力される信号がＬｏｗに切
り替わる。このように信号ＴＳＤがＬｏｗに切り替わっ
た後、図４（ｂ）のようにクロック１回分入力される
と、図４（ｃ）のようにＤＦＦ１２の出力端子Ｑ１に現
れる信号がＬｏｗとなり、このＬｏｗの信号がＤＦＦ１
３の入力端子Ｄ２に送出される。その後、もう１回クロ
ックが入力されると、図４（ｄ）のようにＤＦＦ１３の
出力端子Ｑ２に現れる信号がＬｏｗとなる。
らの信号ＴＳＤがＨｉからＬｏｗに切り替わったとき、
ＤＦＦ１２の入力端子Ｄ１、ＯＲ回路１４の端子ａ及び
ＡＮＤ回路１５の端子ｃに入力される信号がＬｏｗに切
り替わる。このように信号ＴＳＤがＬｏｗに切り替わっ
た後、図４（ｂ）のようにクロック１回分入力される
と、図４（ｃ）のようにＤＦＦ１２の出力端子Ｑ１に現
れる信号がＬｏｗとなり、このＬｏｗの信号がＤＦＦ１
３の入力端子Ｄ２に送出される。その後、もう１回クロ
ックが入力されると、図４（ｄ）のようにＤＦＦ１３の
出力端子Ｑ２に現れる信号がＬｏｗとなる。
【００１８】ところで、信号ＴＳＤがＬｏｗに切り替わ
った後、上記のようにＤＦＦ１２，１３が動作を行うの
で、信号ＴＳＤがＬｏｗに切り替わった後にクロックが
２回、遅延回路１１に入力されるまで、ＯＲ回路１４の
端子ｂ及びＡＮＤ回路１５の端子ｄには、Ｈｉの信号が
入力されたままである。このとき、ＡＮＤ回路１５は端
子ｃにはＬｏｗの信号ＴＳＤが入力されているので、図
４（ｆ）のように、信号ＴＳＤ２をＬｏｗに切り換えて
コントロール部１０に送出する。又、ＯＲ回路１４より
コントロール部１０に送出される信号ＴＳＤ１は、図４
（ｅ）のように、Ｈｉのままである。その後、クロック
が２回、遅延回路１１に入力されると、ＯＲ回路１４の
端子ｂにＬｏｗの信号が入力されるので、図４（ｅ）の
ように、信号ＴＳＤ１はＬｏｗに切り替わる。
った後、上記のようにＤＦＦ１２，１３が動作を行うの
で、信号ＴＳＤがＬｏｗに切り替わった後にクロックが
２回、遅延回路１１に入力されるまで、ＯＲ回路１４の
端子ｂ及びＡＮＤ回路１５の端子ｄには、Ｈｉの信号が
入力されたままである。このとき、ＡＮＤ回路１５は端
子ｃにはＬｏｗの信号ＴＳＤが入力されているので、図
４（ｆ）のように、信号ＴＳＤ２をＬｏｗに切り換えて
コントロール部１０に送出する。又、ＯＲ回路１４より
コントロール部１０に送出される信号ＴＳＤ１は、図４
（ｅ）のように、Ｈｉのままである。その後、クロック
が２回、遅延回路１１に入力されると、ＯＲ回路１４の
端子ｂにＬｏｗの信号が入力されるので、図４（ｅ）の
ように、信号ＴＳＤ１はＬｏｗに切り替わる。
【００１９】このような遅延回路１１を有する半導体集
積回路装置１は、従来のものと同様に、メディア５（図
１）内の信号の書き込み及び読みとりを行うようにヘッ
ド２（図１）をコントロール部１０で指定する位置に移
動させるために、スピンドルモータ３（図１）及びステ
ッピングモータ４（図１）を動作させる。このとき、ス
ピンドルモータドライバ部７とステッピングモータドラ
イバ部８が同時に動作を行ったとき、半導体集積回路装
置１内の温度上昇が最も大きくなる。
積回路装置１は、従来のものと同様に、メディア５（図
１）内の信号の書き込み及び読みとりを行うようにヘッ
ド２（図１）をコントロール部１０で指定する位置に移
動させるために、スピンドルモータ３（図１）及びステ
ッピングモータ４（図１）を動作させる。このとき、ス
ピンドルモータドライバ部７とステッピングモータドラ
イバ部８が同時に動作を行ったとき、半導体集積回路装
置１内の温度上昇が最も大きくなる。
【００２０】今、スピンドルモータドライバ部７とステ
ッピングモータドライバ部８が同時に動作を行うことに
よって、図５（ａ）のように、半導体集積回路装置１内
の温度が上昇すると、この温度がＴ+以上になったと
き、図５（ｂ）のように、温度検出部９から送出される
信号ＴＳＤがＨｉに切り替わる。信号ＴＳＤがＨｉにな
ると、図５（ｄ）のように、遅延回路１１より送出され
る信号ＴＳＤ１がＨｉになる。このＨｉの信号ＴＳＤ１
がコントロール部１０に送出されると、コントロール部
１０によって、スピンドルモータドライバ部７がＯＦＦ
になるように制御される。
ッピングモータドライバ部８が同時に動作を行うことに
よって、図５（ａ）のように、半導体集積回路装置１内
の温度が上昇すると、この温度がＴ+以上になったと
き、図５（ｂ）のように、温度検出部９から送出される
信号ＴＳＤがＨｉに切り替わる。信号ＴＳＤがＨｉにな
ると、図５（ｄ）のように、遅延回路１１より送出され
る信号ＴＳＤ１がＨｉになる。このＨｉの信号ＴＳＤ１
がコントロール部１０に送出されると、コントロール部
１０によって、スピンドルモータドライバ部７がＯＦＦ
になるように制御される。
【００２１】その後、図５（ｃ）のようなクロックがコ
ントロール部１０から遅延回路１１に２回入力される
と、遅延回路１１から送出される信号ＴＳＤ２が、図５
（ｅ）のように、Ｈｉに切り替わる。このＨｉの信号Ｔ
ＳＤ２がコントロール部１０に送出されると、コントロ
ール部１０によって、ステッピングモータドライバ部８
がＯＦＦになるように制御される。
ントロール部１０から遅延回路１１に２回入力される
と、遅延回路１１から送出される信号ＴＳＤ２が、図５
（ｅ）のように、Ｈｉに切り替わる。このＨｉの信号Ｔ
ＳＤ２がコントロール部１０に送出されると、コントロ
ール部１０によって、ステッピングモータドライバ部８
がＯＦＦになるように制御される。
【００２２】次に、スピンドルモータドライバ部７及び
ステッピングモータドライバ部８が停止して、図５
（ａ）のように、半導体集積回路装置１内の温度が下降
すると、この温度がＴ-以下になったとき、図５（ｂ）
のように、温度検出部９から送出される信号ＴＳＤがＬ
ｏｗに切り替わる。信号ＴＳＤがＬｏｗになると、図５
（ｅ）のように、遅延回路１１より送出される信号ＴＳ
Ｄ２がＬｏｗになる。このＬｏｗの信号ＴＳＤ２がコン
トロール部１０に送出されると、コントロール部１０に
よって、ステッピングモータドライバ部８が駆動可能と
なるように制御される。
ステッピングモータドライバ部８が停止して、図５
（ａ）のように、半導体集積回路装置１内の温度が下降
すると、この温度がＴ-以下になったとき、図５（ｂ）
のように、温度検出部９から送出される信号ＴＳＤがＬ
ｏｗに切り替わる。信号ＴＳＤがＬｏｗになると、図５
（ｅ）のように、遅延回路１１より送出される信号ＴＳ
Ｄ２がＬｏｗになる。このＬｏｗの信号ＴＳＤ２がコン
トロール部１０に送出されると、コントロール部１０に
よって、ステッピングモータドライバ部８が駆動可能と
なるように制御される。
【００２３】その後、図５（ｃ）のようなクロックがコ
ントロール部１０から遅延回路１１に２回入力される
と、遅延回路１１から送出される信号ＴＳＤ１が、図５
（ｄ）のように、Ｌｏｗに切り替わる。このＬｏｗの信
号ＴＳＤ１がコントロール部１０に送出されると、コン
トロール部１０によって、スピンドルモータドライバ部
７が駆動可能となるように制御される。このように動作
させることによって、スピンドルモータドライバ部７及
びステッピングモータドライバ部８のＯＮ／ＯＦＦの切
換時における略１．０〜２．０μ秒の遅延時間を確実に
設けることができる。尚、温度Ｔ+は、図７における温
度Ｔ１+に、温度Ｔ-は、図７における温度Ｔ２-に等し
い。
ントロール部１０から遅延回路１１に２回入力される
と、遅延回路１１から送出される信号ＴＳＤ１が、図５
（ｄ）のように、Ｌｏｗに切り替わる。このＬｏｗの信
号ＴＳＤ１がコントロール部１０に送出されると、コン
トロール部１０によって、スピンドルモータドライバ部
７が駆動可能となるように制御される。このように動作
させることによって、スピンドルモータドライバ部７及
びステッピングモータドライバ部８のＯＮ／ＯＦＦの切
換時における略１．０〜２．０μ秒の遅延時間を確実に
設けることができる。尚、温度Ｔ+は、図７における温
度Ｔ１+に、温度Ｔ-は、図７における温度Ｔ２-に等し
い。
【００２４】尚、本実施形態に置いて、遅延回路１１と
して、図３に示すような構成をした論理回路を用いた
が、その他の構成の論理回路を用いた遅延回路でも良
い。又、遅延時間もクロックの周波数や前記遅延回路を
変えることによって、その半導体集積回路装置の規模に
応じた長さに変化させることができる。
して、図３に示すような構成をした論理回路を用いた
が、その他の構成の論理回路を用いた遅延回路でも良
い。又、遅延時間もクロックの周波数や前記遅延回路を
変えることによって、その半導体集積回路装置の規模に
応じた長さに変化させることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明のディスクドライブ用半導体集積
回路装置によると、遅延回路を設けることによって、前
記半導体集積回路装置内の温度変化率にかかわらず、ス
ピンドルモータドライバ部及びステッピングモータドラ
イバ部のＯＮ／ＯＦＦの切換時における遅延時間を確実
に設けることができる。そのため、スピンドルモータド
ライバ部及びステッピングモータドライバ部が同時にＯ
Ｎ／ＯＦＦすることがないので、一度に大電流が流れた
り流れなくなったりすることがなくなる。よって、前記
大電流によって前記半導体集積回路装置の動作が不安定
となって、該半導体集積回路装置が誤作動したり破壊し
たりするのを防止できるようになる。
回路装置によると、遅延回路を設けることによって、前
記半導体集積回路装置内の温度変化率にかかわらず、ス
ピンドルモータドライバ部及びステッピングモータドラ
イバ部のＯＮ／ＯＦＦの切換時における遅延時間を確実
に設けることができる。そのため、スピンドルモータド
ライバ部及びステッピングモータドライバ部が同時にＯ
Ｎ／ＯＦＦすることがないので、一度に大電流が流れた
り流れなくなったりすることがなくなる。よって、前記
大電流によって前記半導体集積回路装置の動作が不安定
となって、該半導体集積回路装置が誤作動したり破壊し
たりするのを防止できるようになる。
【００２６】又、前記半導体集積回路装置のチップ上に
略２００×１００μｍ2のレイアウト面積を占めるスピ
ンドルモータドライバ部及びステッピングモータドライ
バ部をＯＮ／ＯＦＦさせるための温度を検出する温度検
出部を別々に設ける必要がないので、その分、前記半導
体集積回路装置のチップ面積を狭めることができる。
略２００×１００μｍ2のレイアウト面積を占めるスピ
ンドルモータドライバ部及びステッピングモータドライ
バ部をＯＮ／ＯＦＦさせるための温度を検出する温度検
出部を別々に設ける必要がないので、その分、前記半導
体集積回路装置のチップ面積を狭めることができる。
【図１】ディスクドライブの全体構成を示すブロック
図。
図。
【図２】本発明で使用するディスクドライブ用半導体集
積回路装置の内部構造を示すブロック図。
積回路装置の内部構造を示すブロック図。
【図３】図２のディスクドライブ用半導体集積回路装置
内に設けられた遅延回路の内部構造を示す論理回路図。
内に設けられた遅延回路の内部構造を示す論理回路図。
【図４】図３の遅延回路の動作を示すタイムチャート。
【図５】図２のディスクドライブ用半導体集積回路装置
の動作を示すタイムチャート。
の動作を示すタイムチャート。
【図６】従来使用されているディスクドライブ用半導体
集積回路装置の内部構造を示すブロック図。
集積回路装置の内部構造を示すブロック図。
【図７】図６のディスクドライブ用半導体集積回路装置
の動作を示すタイムチャート。
の動作を示すタイムチャート。
【図８】図６のディスクドライブ用半導体集積回路装置
の動作を示すタイムチャート。
の動作を示すタイムチャート。
１，１’ ディスクドライブ用半導体集積回路装置
（半導体集積回路装置） ２ ヘッド ３ スピンドルモータ ４ ステッピングモータ ５ メディア ６ リード・ライト部 ７ スピンドルモータドライバ部 ８ ステッピングモータドライバ部 ９，９ａ，９ｂ 温度検出部 １０ コントロール部 １１ 遅延回路 １２，１３ Ｄフリップフロップ（ＤＦＦ） １４ ＯＲ回路 １５ ＡＮＤ回路
（半導体集積回路装置） ２ ヘッド ３ スピンドルモータ ４ ステッピングモータ ５ メディア ６ リード・ライト部 ７ スピンドルモータドライバ部 ８ ステッピングモータドライバ部 ９，９ａ，９ｂ 温度検出部 １０ コントロール部 １１ 遅延回路 １２，１３ Ｄフリップフロップ（ＤＦＦ） １４ ＯＲ回路 １５ ＡＮＤ回路
Claims (1)
- 【請求項１】 第１モータを駆動するための第１モータ
ドライバ部と、第２モータを駆動するための第２モータ
ドライバ部とを有し、前記第１モータ及び前記第２モー
タのそれぞれに、モータを動作させるための信号を送出
するディスクドライブ用半導体集積回路装置において、 該半導体集積回路装置内の温度を検出して、所定の温度
になったとき検出信号を送出する温度検出部と、 該温度検出部からの前記検出信号を所定の時間遅延した
第１遅延信号及び第２遅延信号を送出する遅延手段と、 前記半導体集積回路装置内の温度が上昇して第１の温度
を越えたとき、まず、前記第１遅延信号に基づいて第１
モータドライバ部を停止させ、次に、前記第２遅延信号
に基づいて第２モータドライバ部を停止させるととも
に、前記半導体集積回路装置内の温度が下降して第２の
温度より下がったとき、まず、前記第２遅延信号に基づ
いて第２モータドライバ部を駆動可能にさせ、次に、前
記第１遅延信号に基づいて第１モータドライバ部を駆動
可能にさせるための制御手段と、 を有することを特徴とするディスクドライブ用半導体集
積回路装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03521599A JP4036559B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ディスクドライブ用半導体集積回路装置 |
| KR1020000006352A KR100598298B1 (ko) | 1999-02-15 | 2000-02-11 | 디스크 드라이브용 반도체 집적회로장치 |
| US09/502,432 US6229275B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-02-11 | Semiconductor integrated circuit device for use in a disk drive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03521599A JP4036559B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ディスクドライブ用半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235762A true JP2000235762A (ja) | 2000-08-29 |
| JP4036559B2 JP4036559B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=12435633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03521599A Expired - Fee Related JP4036559B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ディスクドライブ用半導体集積回路装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6229275B1 (ja) |
| JP (1) | JP4036559B2 (ja) |
| KR (1) | KR100598298B1 (ja) |
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