JP2000231036A - 光ファイバコネクタ作製用のトランスファーモールド成型方法とその装置 - Google Patents
光ファイバコネクタ作製用のトランスファーモールド成型方法とその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタの寸法
形状の精度を向上可能なＭＴコネクタ作製技術を提供す
る。 【解決手段】 トランスファーモールド成型方法（７
０）は、プロセス中に生じる不均一収縮を補償するよう
な寸法および相互間隔を有する逆コネクタ形状を持つ型
を用意するステップ（７２）を含む。寸法および相互間
隔の大きさは、例えば、類似のモールド成型パラメータ
を用いた実験的なプロセスによって決められる。型が用
意されると、コアピンが適切な型形状となるように配置
され（７４）、型には、硬化して一つ以上のコネクタを
形成する材料が充填される（７８）。硬化（８２）後
に、型から成型されたコネクタが取り外され（８４）、
成型されたコネクタからコアピンが取り外される（８
６）。
形状の精度を向上可能なＭＴコネクタ作製技術を提供す
る。 【解決手段】 トランスファーモールド成型方法（７
０）は、プロセス中に生じる不均一収縮を補償するよう
な寸法および相互間隔を有する逆コネクタ形状を持つ型
を用意するステップ（７２）を含む。寸法および相互間
隔の大きさは、例えば、類似のモールド成型パラメータ
を用いた実験的なプロセスによって決められる。型が用
意されると、コアピンが適切な型形状となるように配置
され（７４）、型には、硬化して一つ以上のコネクタを
形成する材料が充填される（７８）。硬化（８２）後
に、型から成型されたコネクタが取り外され（８４）、
成型されたコネクタからコアピンが取り外される（８
６）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバコネク
タに関し、特に、プラスチック光ファイバコネクタを作
製するための改善された方法と装置に関する。
タに関し、特に、プラスチック光ファイバコネクタを作
製するための改善された方法と装置に関する。
【０００２】光ファイバを接続するための装置は、多く
の場合において、一対のコネクタを嵌合させる際に、各
コネクタに含まれる光ファイバが適切に整合されてその
間の十分な光結合が達成されるように、所定の基準にし
たがって作製されなければならない。そのようなコネク
タは、直線ファイバアレイに適応可能なコネクタ、例え
ば、メカニカルトランスファー（ＭＴ）コネクタを含
む。
の場合において、一対のコネクタを嵌合させる際に、各
コネクタに含まれる光ファイバが適切に整合されてその
間の十分な光結合が達成されるように、所定の基準にし
たがって作製されなければならない。そのようなコネク
タは、直線ファイバアレイに適応可能なコネクタ、例え
ば、メカニカルトランスファー（ＭＴ）コネクタを含
む。
【０００３】ＭＴコネクタは、一般的には、直線アレイ
（例えば、光ファイバリボンケーブル）内の１２本まで
の光ファイバに対応する各種のサイズで形成されてい
る。ＭＴコネクタは、フェルールを有しており、このフ
ェルールは、隣接配置されて、（例えば、軸ローディン
グスプリングによって）機械的に一体的に保持された場
合に、その隣接するフェルール対のファイバ間での光エ
ネルギー転送（すなわち、光結合）を可能にする。同様
の互換可能なコネクタは、多数の寸法を有するファイバ
の直線アレイ（すなわち、１２×ｎ本のファイバ）を含
むように構成され、寸法設定されている。
（例えば、光ファイバリボンケーブル）内の１２本まで
の光ファイバに対応する各種のサイズで形成されてい
る。ＭＴコネクタは、フェルールを有しており、このフ
ェルールは、隣接配置されて、（例えば、軸ローディン
グスプリングによって）機械的に一体的に保持された場
合に、その隣接するフェルール対のファイバ間での光エ
ネルギー転送（すなわち、光結合）を可能にする。同様
の互換可能なコネクタは、多数の寸法を有するファイバ
の直線アレイ（すなわち、１２×ｎ本のファイバ）を含
むように構成され、寸法設定されている。
【０００４】ＭＴコネクタは、一般的には、前方嵌合表
面とこれに平行な後方表面を有するほぼ直線的な本体を
有する。光ファイバが、ファイバリボンケーブルの一部
を構成するように、ＭＴコネクタ内にその後方表面から
挿入され、孔を通して前方嵌合表面まで伸ばされる。好
ましくは、ファイバの端部は、前方嵌合表面と揃うよう
に配置される。
面とこれに平行な後方表面を有するほぼ直線的な本体を
有する。光ファイバが、ファイバリボンケーブルの一部
を構成するように、ＭＴコネクタ内にその後方表面から
挿入され、孔を通して前方嵌合表面まで伸ばされる。好
ましくは、ファイバの端部は、前方嵌合表面と揃うよう
に配置される。
【０００５】ＭＴコネクタ本体は、一般的には、トラン
スファーモールド成型プロセスによって作製されてお
り、このプロセスにおいては、正確な寸法の、正確に配
置されたピンの周囲にモールド成型することによって精
密孔が形成される。ＭＴコネクタ本体にはまた、その上
部表面から本体内に伸びて、精密孔を横切るキャビティ
もまた形成される。さらに、後方表面を貫通する比較的
大きな開口部が形成され、この開口部もまた、キャビテ
ィを横切っている。
スファーモールド成型プロセスによって作製されてお
り、このプロセスにおいては、正確な寸法の、正確に配
置されたピンの周囲にモールド成型することによって精
密孔が形成される。ＭＴコネクタ本体にはまた、その上
部表面から本体内に伸びて、精密孔を横切るキャビティ
もまた形成される。さらに、後方表面を貫通する比較的
大きな開口部が形成され、この開口部もまた、キャビテ
ィを横切っている。
【０００６】リボンケーブルは、その後方表面の開口部
を介して挿入され、ファイバの前方端部は、リボンから
剥がされる。例えば、複数の溝あるいは他の形状部分の
支援によって、ファイバの前方端部は、キャビティ内で
精密孔内に案内され、そこから、前方嵌合表面を越えて
外部に伸びる。ファイバはそれから、エポキシあるいは
他の適当な接着剤によって適切な位置に配置される。最
後に、本体の前方嵌合表面と、精密孔から伸びる光ファ
イバとが、光ファイバの端面とその前方嵌合表面とが同
一平面をなすように研磨される。
を介して挿入され、ファイバの前方端部は、リボンから
剥がされる。例えば、複数の溝あるいは他の形状部分の
支援によって、ファイバの前方端部は、キャビティ内で
精密孔内に案内され、そこから、前方嵌合表面を越えて
外部に伸びる。ファイバはそれから、エポキシあるいは
他の適当な接着剤によって適切な位置に配置される。最
後に、本体の前方嵌合表面と、精密孔から伸びる光ファ
イバとが、光ファイバの端面とその前方嵌合表面とが同
一平面をなすように研磨される。
【０００７】通常の作製技術によって作られたＭＴコネ
クタは、アラインメント公差が多少緩く、例えば、数ミ
クロン程度であれば、光ファイバ間に比較的信頼性の高
い接続を提供する。しかしながら、例えば、１〜２ミク
ロン以下のアラインメント公差が要求される場合には、
改善された光ファイバ結合精度を提供する光ファイバＭ
ＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタを作製するための有
用な方法を用いることが望ましい。
クタは、アラインメント公差が多少緩く、例えば、数ミ
クロン程度であれば、光ファイバ間に比較的信頼性の高
い接続を提供する。しかしながら、例えば、１〜２ミク
ロン以下のアラインメント公差が要求される場合には、
改善された光ファイバ結合精度を提供する光ファイバＭ
ＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタを作製するための有
用な方法を用いることが望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、ＭＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタの寸法形
状の精度を向上可能なＭＴコネクタ作製技術を提供する
ことである。
目的は、ＭＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタの寸法形
状の精度を向上可能なＭＴコネクタ作製技術を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、各請求項に記載された特徴によって定
義される。本発明の実施の形態は、ＭＴコネクタおよび
ＭＴ互換コネクタなどの、光ファイバコネクタを作製す
るためのトランスファーモールド成型方法とモールド用
のインサート装置を含む。これらの方法および装置は、
モールド成型時に引き起こされる収縮を、従来の作製方
法より正確に補償することによって、改善された光ファ
イバ結合精度を提供する。
めに、本発明は、各請求項に記載された特徴によって定
義される。本発明の実施の形態は、ＭＴコネクタおよび
ＭＴ互換コネクタなどの、光ファイバコネクタを作製す
るためのトランスファーモールド成型方法とモールド用
のインサート装置を含む。これらの方法および装置は、
モールド成型時に引き起こされる収縮を、従来の作製方
法より正確に補償することによって、改善された光ファ
イバ結合精度を提供する。
【００１０】特に、本発明のトランスファーモールド成
型方法は、プロセス中に生じる不均一収縮を補償するよ
うな寸法および相互間隔を有する逆コネクタ形状を持つ
型を用意するステップを含む。寸法および相互間隔の大
きさは、例えば、類似のモールド成型パラメータを用い
た実験的なプロセスによって決められる。型が用意され
ると、コアピンが適切な型形状となるように配置され、
型には、硬化して一つ以上のコネクタを形成する材料が
充填される。硬化後に、型から成型されたコネクタが取
り外され、成型されたコネクタからコアピンが取り外さ
れる。成型されたコネクタは、他のコネクタ、特に、類
似のプロセスによって形成されたコネクタと寸法および
相互間隔が一致する形状部分を有する。
型方法は、プロセス中に生じる不均一収縮を補償するよ
うな寸法および相互間隔を有する逆コネクタ形状を持つ
型を用意するステップを含む。寸法および相互間隔の大
きさは、例えば、類似のモールド成型パラメータを用い
た実験的なプロセスによって決められる。型が用意され
ると、コアピンが適切な型形状となるように配置され、
型には、硬化して一つ以上のコネクタを形成する材料が
充填される。硬化後に、型から成型されたコネクタが取
り外され、成型されたコネクタからコアピンが取り外さ
れる。成型されたコネクタは、他のコネクタ、特に、類
似のプロセスによって形成されたコネクタと寸法および
相互間隔が一致する形状部分を有する。
【００１１】本発明のインサート装置は、モールド成型
によって引き起こされることが予想される不均一収縮に
応じた寸法および相互間隔を持つ形状部分および逆形状
部分を含む。モールド成型によって引き起こされる不均
一収縮の大きさは、例えば、類似の材料およびプロセス
パラメータを用いて実験を行うことにより、決定され
る。
によって引き起こされることが予想される不均一収縮に
応じた寸法および相互間隔を持つ形状部分および逆形状
部分を含む。モールド成型によって引き起こされる不均
一収縮の大きさは、例えば、類似の材料およびプロセス
パラメータを用いて実験を行うことにより、決定され
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下の説明においては、図面の説
明を通して本発明の理解を容易にし、かつ、図面の連続
的な様相をより単純化するために、類似の部分は同一の
参照符号で示す。以下には、特定の方法や特定の形状部
分、外形、および配置について説明するが、それらは単
なる例示にすぎない。当業者であれば、本発明の技術思
想の範囲内で、他の方法や他の形状部分、外形、および
配置が実施可能である。
明を通して本発明の理解を容易にし、かつ、図面の連続
的な様相をより単純化するために、類似の部分は同一の
参照符号で示す。以下には、特定の方法や特定の形状部
分、外形、および配置について説明するが、それらは単
なる例示にすぎない。当業者であれば、本発明の技術思
想の範囲内で、他の方法や他の形状部分、外形、および
配置が実施可能である。
【００１３】本発明の形態は、トランスファーモールド
成型プロセスによって作製されたトランスファーモール
ド成型光コネクタおよび他の部分が、形状部分の不均一
な収縮を含む収縮問題を有するという事実の、有利な理
解に基づくものである。この収縮問題は、例えば、コネ
クタ内の光ファイバが他の光ファイバコネクタ内の対応
するファイバと整合される場合に、結合効率を低下させ
る。
成型プロセスによって作製されたトランスファーモール
ド成型光コネクタおよび他の部分が、形状部分の不均一
な収縮を含む収縮問題を有するという事実の、有利な理
解に基づくものである。この収縮問題は、例えば、コネ
クタ内の光ファイバが他の光ファイバコネクタ内の対応
するファイバと整合される場合に、結合効率を低下させ
る。
【００１４】トランスファーモールド成型プロセスによ
って作製されたＭＴコネクタの形状部分の収縮が不均一
であるというこの事実は、トランスファーモールド成型
プロセスにおける収縮問題が生じないと考えられていた
従来の理解の範囲では予期されていなかった。すなわ
ち、従来、トランスファーモールド成型プロセスは、注
入モールド成型などのコネクタ製造プロセスの収縮問題
を回避し、克服するために使用されてきた。しかしなが
ら、本発明の形態においては、ＭＴプロセス中で不均一
収縮を含む収縮が発生する点と、何らかの適切な補償が
必要であるという点を考慮している。
って作製されたＭＴコネクタの形状部分の収縮が不均一
であるというこの事実は、トランスファーモールド成型
プロセスにおける収縮問題が生じないと考えられていた
従来の理解の範囲では予期されていなかった。すなわ
ち、従来、トランスファーモールド成型プロセスは、注
入モールド成型などのコネクタ製造プロセスの収縮問題
を回避し、克服するために使用されてきた。しかしなが
ら、本発明の形態においては、ＭＴプロセス中で不均一
収縮を含む収縮が発生する点と、何らかの適切な補償が
必要であるという点を考慮している。
【００１５】従来、ＭＴコネクタ作製用のトランスファ
ーモールド成型プロセスは、このプロセスが、他のプロ
セスの不均一収縮の問題を持たないという認識を含む多
くの理由により、注入モールド成型などのプロセスの代
わりに使用されてきた。そのような確信は、例えば、ト
ランスファーモールド成型プロセスにおいて一般的に使
用されるモールド用の合成物は、一旦設定された寸法形
状をほとんど変化させない点で特別であるという事実に
おいて存在するものである。また、トランスファーモー
ルド成型プロセスの処理温度は、一般的に、他のプロセ
ス、例えば、注入モールド成型プロセスの処理温度より
低い。したがって、特定のモールド成型用材料や温度変
化に起因する収縮問題は、一般的には軽減されている。
ーモールド成型プロセスは、このプロセスが、他のプロ
セスの不均一収縮の問題を持たないという認識を含む多
くの理由により、注入モールド成型などのプロセスの代
わりに使用されてきた。そのような確信は、例えば、ト
ランスファーモールド成型プロセスにおいて一般的に使
用されるモールド用の合成物は、一旦設定された寸法形
状をほとんど変化させない点で特別であるという事実に
おいて存在するものである。また、トランスファーモー
ルド成型プロセスの処理温度は、一般的に、他のプロセ
ス、例えば、注入モールド成型プロセスの処理温度より
低い。したがって、特定のモールド成型用材料や温度変
化に起因する収縮問題は、一般的には軽減されている。
【００１６】しかしながら、トランスファーモールド成
型プロセスは、実際には収縮問題を有しており、この点
の理解が、本発明の形態の基礎を形成している。特に、
後述するように、トランスファーモールド成型プロセス
における収縮は、不均一収縮を含み、本発明の形態は、
そのような不均一収縮を補償するものである。従来のト
ランスファーモールド成型プロセスは、不均一収縮補償
を何等用いていない。
型プロセスは、実際には収縮問題を有しており、この点
の理解が、本発明の形態の基礎を形成している。特に、
後述するように、トランスファーモールド成型プロセス
における収縮は、不均一収縮を含み、本発明の形態は、
そのような不均一収縮を補償するものである。従来のト
ランスファーモールド成型プロセスは、不均一収縮補償
を何等用いていない。
【００１７】従来、モールド成型によって収縮が生じる
ことが周知であるプロセス、例えば、注入モールド成型
においては、収縮補償が存在している。このようなトラ
ンスファーモールド成型プロセス以外のプロセス用の従
来の収縮補償は、均一収縮補償を含む。例えば、米国特
許第５，３８８，１７４号（Ｒｏｌｌ他）においては、
注入モールド成型プロセスに均一収縮補正が適用されて
いる。
ことが周知であるプロセス、例えば、注入モールド成型
においては、収縮補償が存在している。このようなトラ
ンスファーモールド成型プロセス以外のプロセス用の従
来の収縮補償は、均一収縮補償を含む。例えば、米国特
許第５，３８８，１７４号（Ｒｏｌｌ他）においては、
注入モールド成型プロセスに均一収縮補正が適用されて
いる。
【００１８】図１および図２においては、既存のメカニ
カルトランスファーコネクタ（ＭＴコネクタ）１０が示
されている。各ＭＴコネクタ１０は、本体１２を有して
いる。本体１２は、前方嵌合表面１４と後方表面１６を
有しており、後方表面１６は、一般的に前方嵌合表面１
４と平行である。ほぼ直線的なキャビティ１８が、その
上部表面２０から本体１２内に伸びている。キャビティ
１８の境界となる前方壁２２は、一般的に前方嵌合表面
１４と平行である。複数の精密孔２４が、本体１２を通
って、前方嵌合表面１４からキャビティ１８の前方壁２
２に伸びている。一般的に、精密孔２４は、直線的なア
レイ状に形成され、前方嵌合表面１４と直交する。比較
的大きな開口部２６が本体１２に形成されており、後方
表面１６からキャビティ１８に伸びている。
カルトランスファーコネクタ（ＭＴコネクタ）１０が示
されている。各ＭＴコネクタ１０は、本体１２を有して
いる。本体１２は、前方嵌合表面１４と後方表面１６を
有しており、後方表面１６は、一般的に前方嵌合表面１
４と平行である。ほぼ直線的なキャビティ１８が、その
上部表面２０から本体１２内に伸びている。キャビティ
１８の境界となる前方壁２２は、一般的に前方嵌合表面
１４と平行である。複数の精密孔２４が、本体１２を通
って、前方嵌合表面１４からキャビティ１８の前方壁２
２に伸びている。一般的に、精密孔２４は、直線的なア
レイ状に形成され、前方嵌合表面１４と直交する。比較
的大きな開口部２６が本体１２に形成されており、後方
表面１６からキャビティ１８に伸びている。
【００１９】ＭＴコネクタ１０内に取り付けられる光フ
ァイバは、リボンケーブル２８内に含まれている。一般
的に、光ファイバは、約５０〜６５ミクロンの範囲のコ
アを有し、約１２５ミクロンの外径を有する、通常のガ
ラス製マルチモードファイバである。しかしながら、光
ファイバは、約８〜１０ミクロンの範囲のコアを有し、
約１２５ミクロンの外径を有するシングルモードファイ
バ、あるいは、薄いポリイミド層でコーティングされた
約１４５ミクロンの外径を有する通常のグラスファイバ
でもよい。
ァイバは、リボンケーブル２８内に含まれている。一般
的に、光ファイバは、約５０〜６５ミクロンの範囲のコ
アを有し、約１２５ミクロンの外径を有する、通常のガ
ラス製マルチモードファイバである。しかしながら、光
ファイバは、約８〜１０ミクロンの範囲のコアを有し、
約１２５ミクロンの外径を有するシングルモードファイ
バ、あるいは、薄いポリイミド層でコーティングされた
約１４５ミクロンの外径を有する通常のグラスファイバ
でもよい。
【００２０】リボンケーブル２８は、後方表面１６の開
口部２６を通してキャビティ１８内に挿入される。光フ
ァイバの前方端部は、リボンケーブル２８から剥がさ
れ、分離され、次いでキャビティ１８内で操作されて精
密孔２４内に導かれる。光ファイバの前方端部は、前方
嵌合表面１４から外部に突出するまで前方に動かされ
る。複数の直線的な溝３０が、キャビティ１８内、例え
ば、キャビティ１８の底面に形成されており、精密孔２
４内へ向けてのファイバ操作を支援するようになってい
る。一般的には、溝３０は、対応する精密孔２４と整合
するように形成される。
口部２６を通してキャビティ１８内に挿入される。光フ
ァイバの前方端部は、リボンケーブル２８から剥がさ
れ、分離され、次いでキャビティ１８内で操作されて精
密孔２４内に導かれる。光ファイバの前方端部は、前方
嵌合表面１４から外部に突出するまで前方に動かされ
る。複数の直線的な溝３０が、キャビティ１８内、例え
ば、キャビティ１８の底面に形成されており、精密孔２
４内へ向けてのファイバ操作を支援するようになってい
る。一般的には、溝３０は、対応する精密孔２４と整合
するように形成される。
【００２１】光ファイバの前方端部が精密孔２４内の所
望の位置にに配置されると、エポキシあるいは他の適当
な接着剤が使用され、キャビティ１８、開口部２６、お
よび精密孔２４内のあらゆるスペースに充填されること
によって、ファイバが所定の位置に固定される。また、
エポキシは、ストレインリリーフ３２の接合にも用いら
れる。このストレインリリーフ３２は、リボンケーブル
２８が後方表面１６において本体１２から導出される部
分である。エポキシが固まった後に、光ファイバの前方
端部は、前方嵌合表面１４とほぼ同一平面をなすように
研磨される。このようにして、研磨されたファイバ端部
と前方嵌合表面１４は、相手側のコネクタの対応するフ
ァイバとの間の効率的な光伝送用の平滑な嵌合面を提供
する。
望の位置にに配置されると、エポキシあるいは他の適当
な接着剤が使用され、キャビティ１８、開口部２６、お
よび精密孔２４内のあらゆるスペースに充填されること
によって、ファイバが所定の位置に固定される。また、
エポキシは、ストレインリリーフ３２の接合にも用いら
れる。このストレインリリーフ３２は、リボンケーブル
２８が後方表面１６において本体１２から導出される部
分である。エポキシが固まった後に、光ファイバの前方
端部は、前方嵌合表面１４とほぼ同一平面をなすように
研磨される。このようにして、研磨されたファイバ端部
と前方嵌合表面１４は、相手側のコネクタの対応するフ
ァイバとの間の効率的な光伝送用の平滑な嵌合面を提供
する。
【００２２】ＭＴコネクタ１０の本体１２にはまた、ガ
イド孔３４が形成されており、このガイド孔３４は、対
応するガイドピン３６を収容する寸法とされている。例
えば、一対のガイド孔３４は、コネクタ１０の精密孔２
４の直線的なアレイの側面に位置する。また、図２に示
すように、対応する一対のガイドピン３６は、その一対
のガイド孔３４内に挿入され、適当な手段によって所定
の位置に保持される。そのため、２つのＭＴコネクタ１
０同士が嵌合される際には、ガイドピン３６がＭＴコネ
クタ１０のガイド孔３４内に挿入され、それによって、
その２つのＭＴコネクタ１０の前方嵌合表面１４におい
て精密孔２４内で露出している対応するファイバ同士を
高精度に整合させることができる。嵌合されたＭＴコネ
クタ１０の前方嵌合表面１４の間の接触を維持するため
にクリップ３８が用いられ、このクリップ３８は、両方
のＭＴコネクタ１０の後方表面１６を圧迫する。
イド孔３４が形成されており、このガイド孔３４は、対
応するガイドピン３６を収容する寸法とされている。例
えば、一対のガイド孔３４は、コネクタ１０の精密孔２
４の直線的なアレイの側面に位置する。また、図２に示
すように、対応する一対のガイドピン３６は、その一対
のガイド孔３４内に挿入され、適当な手段によって所定
の位置に保持される。そのため、２つのＭＴコネクタ１
０同士が嵌合される際には、ガイドピン３６がＭＴコネ
クタ１０のガイド孔３４内に挿入され、それによって、
その２つのＭＴコネクタ１０の前方嵌合表面１４におい
て精密孔２４内で露出している対応するファイバ同士を
高精度に整合させることができる。嵌合されたＭＴコネ
クタ１０の前方嵌合表面１４の間の接触を維持するため
にクリップ３８が用いられ、このクリップ３８は、両方
のＭＴコネクタ１０の後方表面１６を圧迫する。
【００２３】図３は、プラスチックあるいは他の適当な
材料から形成されたＭＴコネクタあるいはＭＴ互換コネ
クタを製造するための単純化された型４０を示す分解斜
視図である。この型４０は、上型４２と下型４４を有し
ている。上型４２と下型４４は、例えば、硬化スチール
あるいは他の適当な材料から作製されている。また、型
４０は、ＭＴコネクタ１０の前方嵌合表面１４に精密孔
２４（図１および図２参照）を形成するための第１組の
コアピン５２と、ＭＴコネクタ１０の前方嵌合表面１４
にガイド孔３４（図１および図２参照）を形成するため
の第２組のコアピン５４を有する。
材料から形成されたＭＴコネクタあるいはＭＴ互換コネ
クタを製造するための単純化された型４０を示す分解斜
視図である。この型４０は、上型４２と下型４４を有し
ている。上型４２と下型４４は、例えば、硬化スチール
あるいは他の適当な材料から作製されている。また、型
４０は、ＭＴコネクタ１０の前方嵌合表面１４に精密孔
２４（図１および図２参照）を形成するための第１組の
コアピン５２と、ＭＴコネクタ１０の前方嵌合表面１４
にガイド孔３４（図１および図２参照）を形成するため
の第２組のコアピン５４を有する。
【００２４】コアピン５２、５４は、作製プロセスの厳
しさに耐えるために、例えば、硬化スチールあるいは他
の適当な材料から形成されている。コアピン５２、５４
は、分離して示されているが、アセンブリ（図示せず）
の一部としてピンを一体的に接続することも可能であ
る。一般的には、通常のアラインメント公差を考慮し
て、第１組のコアピン５２は、続いてその位置に配置さ
れる光ファイバ２８よりアラインメント公差の数倍だけ
大きな寸法とされる。同様に、第２組のコアピン５４
は、続いてその位置に配置されるガイドピン３６よりア
ラインメント公差の数倍だけ大きな寸法とされる。例え
ば、約１２５ミクロンの径を有する光ファイバ用の精密
孔２４を形成するために使用される第１組のコアピン５
２は、一般的に約１２７ミクロンの径を有する。同様
に、約７００ミクロンの径を有するガイドピン３６用の
ガイド孔３４を形成するために使用される第２組のコア
ピン５４は、約７０４ミクロンの径を有する。
しさに耐えるために、例えば、硬化スチールあるいは他
の適当な材料から形成されている。コアピン５２、５４
は、分離して示されているが、アセンブリ（図示せず）
の一部としてピンを一体的に接続することも可能であ
る。一般的には、通常のアラインメント公差を考慮し
て、第１組のコアピン５２は、続いてその位置に配置さ
れる光ファイバ２８よりアラインメント公差の数倍だけ
大きな寸法とされる。同様に、第２組のコアピン５４
は、続いてその位置に配置されるガイドピン３６よりア
ラインメント公差の数倍だけ大きな寸法とされる。例え
ば、約１２５ミクロンの径を有する光ファイバ用の精密
孔２４を形成するために使用される第１組のコアピン５
２は、一般的に約１２７ミクロンの径を有する。同様
に、約７００ミクロンの径を有するガイドピン３６用の
ガイド孔３４を形成するために使用される第２組のコア
ピン５４は、約７０４ミクロンの径を有する。
【００２５】下型４４は、本体１２をモールド成型する
ためのキャビティ、第１組のコアピン５２（すなわち、
精密孔２４を形成するコアピン）を配置するための第１
組のＶ溝６２、および第２組のコアピン５４（すなわ
ち、ガイド孔３４を形成するコアピン）を配置するため
の第２組のＶ溝６４を有する。Ｖ溝は、通常の場合、所
望の均一の寸法を有し、かつ、隣接するＶ溝間の間隔が
等距離となるように形成される。
ためのキャビティ、第１組のコアピン５２（すなわち、
精密孔２４を形成するコアピン）を配置するための第１
組のＶ溝６２、および第２組のコアピン５４（すなわ
ち、ガイド孔３４を形成するコアピン）を配置するため
の第２組のＶ溝６４を有する。Ｖ溝は、通常の場合、所
望の均一の寸法を有し、かつ、隣接するＶ溝間の間隔が
等距離となるように形成される。
【００２６】上型４２は、一般的に、下型４４のキャビ
ティを補足するキャビティを有する。しかしながら、図
４に示すように、上型４２は、一般的に、第２組のＶ溝
６４に対応する一対のＵ溝６６を有することはあって
も、補足的なＶ溝を有することはない。Ｕ溝６６は、第
２組のコアピン５４の位置の維持をに支援する。型４０
を形成する場合には、一対のアラインメントピン６８お
よび対応する一対のアラインメントピン用凹部６９が、
上型４２と下型４４の整合を支援する。
ティを補足するキャビティを有する。しかしながら、図
４に示すように、上型４２は、一般的に、第２組のＶ溝
６４に対応する一対のＵ溝６６を有することはあって
も、補足的なＶ溝を有することはない。Ｕ溝６６は、第
２組のコアピン５４の位置の維持をに支援する。型４０
を形成する場合には、一対のアラインメントピン６８お
よび対応する一対のアラインメントピン用凹部６９が、
上型４２と下型４４の整合を支援する。
【００２７】図５は、本発明の形態にしたがってＭＴコ
ネクタを作製するための方法７０を示している。第１の
ステップ７２は、ＭＴコネクタの作製に使用する型４０
を用意するものである。前述したように、型４０は、上
型４２と下型４４を有し、これらの上型４２と下型４４
には、ＭＴコネクタとその形状部分をモールド成型すた
めの異なるキャビティが形成されている。
ネクタを作製するための方法７０を示している。第１の
ステップ７２は、ＭＴコネクタの作製に使用する型４０
を用意するものである。前述したように、型４０は、上
型４２と下型４４を有し、これらの上型４２と下型４４
には、ＭＴコネクタとその形状部分をモールド成型すた
めの異なるキャビティが形成されている。
【００２８】方法７０の次のステップ７４は、型４０内
へのコアピンの配置を含む。一般的に、コアピンは（コ
アピンアセンブリの有無に関わらず）、下型４４内に配
置され、それによって、第１組のコアピン５２は、第１
組のＶ溝６２内に収容され、第２組のコアピン５４は第
２組のＶ溝６４内に収容される。次に、クランピングス
テップ７６は、コアピンを型４０内の所定の位置に配置
するように、上型４２と下型４４を一体的にクランプす
る。
へのコアピンの配置を含む。一般的に、コアピンは（コ
アピンアセンブリの有無に関わらず）、下型４４内に配
置され、それによって、第１組のコアピン５２は、第１
組のＶ溝６２内に収容され、第２組のコアピン５４は第
２組のＶ溝６４内に収容される。次に、クランピングス
テップ７６は、コアピンを型４０内の所定の位置に配置
するように、上型４２と下型４４を一体的にクランプす
る。
【００２９】次のステップ７８は、ＭＴコネクタ１０を
形成するために適した材料を型４０内に充填するもので
ある。一般的に、型４０は、ＭＴコネクタ１０を形成す
るために適したエポキシ樹脂によって充填される。型４
０が、エポキシ樹脂で充填されると、硬化ステップ８２
が実行される。例えば、型４０の中身は、約７５〜１４
５秒（硬化時間を含む）の間、約１７５±５℃の温度に
保たれる。
形成するために適した材料を型４０内に充填するもので
ある。一般的に、型４０は、ＭＴコネクタ１０を形成す
るために適したエポキシ樹脂によって充填される。型４
０が、エポキシ樹脂で充填されると、硬化ステップ８２
が実行される。例えば、型４０の中身は、約７５〜１４
５秒（硬化時間を含む）の間、約１７５±５℃の温度に
保たれる。
【００３０】硬化ステップ８２が完了すると、取り外し
ステップ８４が行われ、型４０からＭＴコネクタ１０が
取り外される。特に、この取り外しステップ８４は、型
４０を開放、すなわち、上型４２を下型４４から分離
し、それらからＭＴコネクタ１０を取り外すことによっ
て行われる。モールド成型されたＭＴコネクタ１０が型
４０から取り外されると、コアピン取り外しステップ８
６が実行される。このステップにおいては、コアピンは
（コアピンアセンブリの有無に関わらず）、そのモール
ド成型されたＭＴコネクタ１０から取り外される。コア
ピンがＭＴコネクタ１０から取り外されると、ＭＴコネ
クタ１０は、上記の記載および図１〜図２に示すよう
に、光ファイバを受け入れ可能でかつ類似のコネクタと
嵌合可能な状態となる。
ステップ８４が行われ、型４０からＭＴコネクタ１０が
取り外される。特に、この取り外しステップ８４は、型
４０を開放、すなわち、上型４２を下型４４から分離
し、それらからＭＴコネクタ１０を取り外すことによっ
て行われる。モールド成型されたＭＴコネクタ１０が型
４０から取り外されると、コアピン取り外しステップ８
６が実行される。このステップにおいては、コアピンは
（コアピンアセンブリの有無に関わらず）、そのモール
ド成型されたＭＴコネクタ１０から取り外される。コア
ピンがＭＴコネクタ１０から取り外されると、ＭＴコネ
クタ１０は、上記の記載および図１〜図２に示すよう
に、光ファイバを受け入れ可能でかつ類似のコネクタと
嵌合可能な状態となる。
【００３１】上述したタイプのＭＴコネクタ１０の作製
に使用されるエポキシ樹脂は、収縮を制御し、最小化す
るために、グラスファイバ、小球体、および無機質など
の充填剤を含むが、それらから作製されたＭＴコネクタ
１０は、その作製プロセスの間に伸縮する。その結果、
ＭＴコネクタ１０内の形状部分は、続く光ファイバ整合
の精度を低下させる程度の不都合な影響を受ける。
に使用されるエポキシ樹脂は、収縮を制御し、最小化す
るために、グラスファイバ、小球体、および無機質など
の充填剤を含むが、それらから作製されたＭＴコネクタ
１０は、その作製プロセスの間に伸縮する。その結果、
ＭＴコネクタ１０内の形状部分は、続く光ファイバ整合
の精度を低下させる程度の不都合な影響を受ける。
【００３２】光結合効率に不利な影響を与える不整合の
主な原因は、「コアのずれ」と、ＭＴ作製プロセスによ
って本質的に引き起こされるコネクタの形状部分の全般
的な不一致とを含む。コアのずれは、クラッド内の光フ
ァイバコアのずれを意味するが、これは、光ファイバ製
造技術における本質的な欠点から生じるものであるた
め、本明細書中では言及しない。フェルールのずれに関
しては、例えば、「Design and performance advance i
n MT connectors」（Lightwave,Nov.197、pages 61-67）
の、特に、図４とそれに関連する本文を参照されたい。
主な原因は、「コアのずれ」と、ＭＴ作製プロセスによ
って本質的に引き起こされるコネクタの形状部分の全般
的な不一致とを含む。コアのずれは、クラッド内の光フ
ァイバコアのずれを意味するが、これは、光ファイバ製
造技術における本質的な欠点から生じるものであるた
め、本明細書中では言及しない。フェルールのずれに関
しては、例えば、「Design and performance advance i
n MT connectors」（Lightwave,Nov.197、pages 61-67）
の、特に、図４とそれに関連する本文を参照されたい。
【００３３】上述したように、第１組のコアピン５２
は、例えば、ファイバ径、ファイバコーティング、およ
びファイバコアの同心度における不一致を考慮して、続
いてその位置に配置される光ファイバよりわずかに大き
な寸法とされている。一般的には、第１組のコアピン５
２は、約１２５ミクロンの径を有する光ファイバ用の精
密孔２４を形成するために使用され、約１２７ミクロン
の径を有する。同様に、第２組のコアピン５４は、約７
００ミクロンの径を有するガイドピン３６用のガイド孔
３４を形成するために使用され、約７０４ミクロンの径
を有する。
は、例えば、ファイバ径、ファイバコーティング、およ
びファイバコアの同心度における不一致を考慮して、続
いてその位置に配置される光ファイバよりわずかに大き
な寸法とされている。一般的には、第１組のコアピン５
２は、約１２５ミクロンの径を有する光ファイバ用の精
密孔２４を形成するために使用され、約１２７ミクロン
の径を有する。同様に、第２組のコアピン５４は、約７
００ミクロンの径を有するガイドピン３６用のガイド孔
３４を形成するために使用され、約７０４ミクロンの径
を有する。
【００３４】しかしながら、本発明の形態においては、
不整合の他方の主原因は、収縮、すなわち、モールド成
型によって引き起こされる収縮である。前述したよう
に、収縮と収縮問題は、従来のＭＴコネクタ作製プロセ
スにおいては全く考慮されていなかった。さらに、ほと
んどの収縮は、不均一であり、例えば、形状部分の寸法
の約２．０％にまで達する。便宜上の理由から、ここで
は、収縮あるいはモールド成型収縮は、型の形状部分の
寸法と、対応するモールド成型されたＭＴコネク自身の
形状部分の寸法とが絶対的に異なるものとして説明す
る。また、Ｖ溝およびＵ溝などの形状部分に関して、収
縮あるいはモールド成型収縮は、相互間隔において絶対
的な差異を有するものとする。
不整合の他方の主原因は、収縮、すなわち、モールド成
型によって引き起こされる収縮である。前述したよう
に、収縮と収縮問題は、従来のＭＴコネクタ作製プロセ
スにおいては全く考慮されていなかった。さらに、ほと
んどの収縮は、不均一であり、例えば、形状部分の寸法
の約２．０％にまで達する。便宜上の理由から、ここで
は、収縮あるいはモールド成型収縮は、型の形状部分の
寸法と、対応するモールド成型されたＭＴコネク自身の
形状部分の寸法とが絶対的に異なるものとして説明す
る。また、Ｖ溝およびＵ溝などの形状部分に関して、収
縮あるいはモールド成型収縮は、相互間隔において絶対
的な差異を有するものとする。
【００３５】従来は、形状部分、例えば、コアピン、Ｖ
溝、Ｕ溝、およびその他のコネクタの形状部分の大型化
の程度によって、そのような収縮を補償できるものと確
信されていた。すなわち、従来の大型化は、当業者をし
て、上述したような不一致を補償するのに十分であると
結論付けさせるものであった。同様に、コネクタの作製
時に生じるコネクタの形状部分のあらゆる収縮は（それ
が認知されているか否かに関わらず）、そのような大型
化によって補償されるはずであった。
溝、Ｕ溝、およびその他のコネクタの形状部分の大型化
の程度によって、そのような収縮を補償できるものと確
信されていた。すなわち、従来の大型化は、当業者をし
て、上述したような不一致を補償するのに十分であると
結論付けさせるものであった。同様に、コネクタの作製
時に生じるコネクタの形状部分のあらゆる収縮は（それ
が認知されているか否かに関わらず）、そのような大型
化によって補償されるはずであった。
【００３６】実際、アラインメント公差が多少緩い、例
えば、数ミクロンであるような応用分野においては、形
状部分を大型化する従来の手法で十分満足できる場合も
多い。例えば、従来の大型化は、いくつかのマルチモー
ド応用分野については十分満足できるものである。しか
しながら、例えば、多くのシングルモード応用分野のよ
うに、１〜２ミクロンあるいはそれ以下のアラインメン
ト公差が要求される場合には、より高精度な収縮補償が
要求される。
えば、数ミクロンであるような応用分野においては、形
状部分を大型化する従来の手法で十分満足できる場合も
多い。例えば、従来の大型化は、いくつかのマルチモー
ド応用分野については十分満足できるものである。しか
しながら、例えば、多くのシングルモード応用分野のよ
うに、１〜２ミクロンあるいはそれ以下のアラインメン
ト公差が要求される場合には、より高精度な収縮補償が
要求される。
【００３７】したがって、従来の大型化の効果に加え
て、本発明の形態によれば、さらに、作製プロセスの間
にＭＴコネクタあるいはＭＴ互換コネクタの形状部分に
生じる不均一収縮を不均一に補償することによって、ア
ラインメント精度を向上する。図５を再度参照すれば、
不均一収縮補償ステップが９２として示されている。例
えば、不均一収縮補償は、本発明の形態にしたがって、
ＭＴコネクタを作製するために使用される型における形
状部分相互の間隔や形状部分の寸法を不均一に変更する
ことによって、提供される。形状部分の寸法や間隔の変
化の程度は、収縮の大きさを特徴付けることによって、
例えば、型の第１の実行から得られる実験結果を解釈す
ることによって決定される。
て、本発明の形態によれば、さらに、作製プロセスの間
にＭＴコネクタあるいはＭＴ互換コネクタの形状部分に
生じる不均一収縮を不均一に補償することによって、ア
ラインメント精度を向上する。図５を再度参照すれば、
不均一収縮補償ステップが９２として示されている。例
えば、不均一収縮補償は、本発明の形態にしたがって、
ＭＴコネクタを作製するために使用される型における形
状部分相互の間隔や形状部分の寸法を不均一に変更する
ことによって、提供される。形状部分の寸法や間隔の変
化の程度は、収縮の大きさを特徴付けることによって、
例えば、型の第１の実行から得られる実験結果を解釈す
ることによって決定される。
【００３８】すなわち、一つ以上の実験的なモールド成
型ステップ９４が、実際のモールド成型プロセスで使用
される通常の処理パラメータおよびモールド成型条件に
類似の処理パラメータおよびモールド成型条件を用いて
実行される。プロセスパラメータは、例えば、特定の処
理時間および処理温度を含むと共に、マスタチップとコ
ネクタの作製に使用される材料の特定の種類を含む。す
なわち、不均一収縮値を設定するために使用される実験
的なモールド成型プロセスは、ある程度まで、上述した
ような実際のＭＴコネクタモールド成型プロセスを繰り
返す。
型ステップ９４が、実際のモールド成型プロセスで使用
される通常の処理パラメータおよびモールド成型条件に
類似の処理パラメータおよびモールド成型条件を用いて
実行される。プロセスパラメータは、例えば、特定の処
理時間および処理温度を含むと共に、マスタチップとコ
ネクタの作製に使用される材料の特定の種類を含む。す
なわち、不均一収縮値を設定するために使用される実験
的なモールド成型プロセスは、ある程度まで、上述した
ような実際のＭＴコネクタモールド成型プロセスを繰り
返す。
【００３９】実験結果に基づいて、ＭＴコネクタを作製
するために使用される型内の形状部分は、発生する不均
一収縮を補償するような、寸法および間隔に設定され
る。本発明の形態にしたがって、既存の型が変更される
か、あるいは、新しい型が、新しい寸法で作製される。
また、型と共に使用されるあらゆるインサートが変更さ
れる。このようにして、本発明にしたがって、相手のコ
ネクタと個々のコネクタとの接続によって整合される光
ファイバの結合効率を改善するために、コネクタの形状
部分の不均一収縮が認識され、計測され、補償される。
するために使用される型内の形状部分は、発生する不均
一収縮を補償するような、寸法および間隔に設定され
る。本発明の形態にしたがって、既存の型が変更される
か、あるいは、新しい型が、新しい寸法で作製される。
また、型と共に使用されるあらゆるインサートが変更さ
れる。このようにして、本発明にしたがって、相手のコ
ネクタと個々のコネクタとの接続によって整合される光
ファイバの結合効率を改善するために、コネクタの形状
部分の不均一収縮が認識され、計測され、補償される。
【００４０】本発明の形態に関連する実験によれば、Ｍ
Ｔコネクタモールド成型プロセスによって生じるＭＴコ
ネクタの形状部分のモールド成型収縮は、そのプラスチ
ックコネクタの異なる領域や異なるコネクタ寸法に対し
て不均一であることがわかった。例えば、概して、この
「エッジ効果」は横方向の収縮（すなわち、例えば、Ｖ
溝の方向に垂直な収縮）を生じさせ、この収縮は、ＭＴ
コネクタの内側の領域に比べて、ＭＴコネクタのエッジ
近傍の領域の方が大きい。図６は、コネクタ内の複数の
ファイバの結合損失の標準偏差を示すグラフである。各
バーは、ランダムに接続された１２ファイバＭＴコネク
タ間の８１８光接続部の標準偏差を示している。図示さ
れているように、ファイバの直線的なアレイのエッジ近
傍のファイバ（すなわち、ガイド孔近傍のファィバ）の
結合損失の標準偏差は、コネクタ内部のファイバの結合
損失の標準偏差よりも大きい。
Ｔコネクタモールド成型プロセスによって生じるＭＴコ
ネクタの形状部分のモールド成型収縮は、そのプラスチ
ックコネクタの異なる領域や異なるコネクタ寸法に対し
て不均一であることがわかった。例えば、概して、この
「エッジ効果」は横方向の収縮（すなわち、例えば、Ｖ
溝の方向に垂直な収縮）を生じさせ、この収縮は、ＭＴ
コネクタの内側の領域に比べて、ＭＴコネクタのエッジ
近傍の領域の方が大きい。図６は、コネクタ内の複数の
ファイバの結合損失の標準偏差を示すグラフである。各
バーは、ランダムに接続された１２ファイバＭＴコネク
タ間の８１８光接続部の標準偏差を示している。図示さ
れているように、ファイバの直線的なアレイのエッジ近
傍のファイバ（すなわち、ガイド孔近傍のファィバ）の
結合損失の標準偏差は、コネクタ内部のファイバの結合
損失の標準偏差よりも大きい。
【００４１】また、概して、モールド成型収縮は、大き
いＭＴコネクタほど、大きくなる。そのような不均一収
縮は、「寸法効果」として説明できる。しかしながら、
本発明の形態に従う不均一補償の提供は、エッジ効果と
寸法効果の両方を補償する。
いＭＴコネクタほど、大きくなる。そのような不均一収
縮は、「寸法効果」として説明できる。しかしながら、
本発明の形態に従う不均一補償の提供は、エッジ効果と
寸法効果の両方を補償する。
【００４２】なお、本発明は、上記の実施例に限定され
るものではなく、当業者であれば、他にも本発明の範囲
内で多種多様な変形例が実施可能であり、それらはいず
れも本発明に包含されるものである。
るものではなく、当業者であれば、他にも本発明の範囲
内で多種多様な変形例が実施可能であり、それらはいず
れも本発明に包含されるものである。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＭＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタの寸法形状の精度
を向上可能なＭＴコネクタ作製技術を提供することがで
きる。
ＭＴコネクタおよびＭＴ互換コネクタの寸法形状の精度
を向上可能なＭＴコネクタ作製技術を提供することがで
きる。
【図１】既存のメカニカルトランスファーコネクタ（Ｍ
Ｔコネクタ）を示す分解斜視図である。
Ｔコネクタ）を示す分解斜視図である。
【図２】既存の一対の対応するＭＴコネクタのアライン
メントと嵌合を示す分解斜視図である。
メントと嵌合を示す分解斜視図である。
【図３】プラスチックあるいは類似の材料からなるＭＴ
コネクタの作製に使用される単純化された型を示す分解
斜視図である。
コネクタの作製に使用される単純化された型を示す分解
斜視図である。
【図４】図３の型を示す断面図である。
【図５】本発明の形態にしたがってプラスチックあるい
は類似の材料からなるＭＴコネクタを作製するためのト
ランスファーモールド成型方法を示す模式的なフローチ
ャートである。
は類似の材料からなるＭＴコネクタを作製するためのト
ランスファーモールド成型方法を示す模式的なフローチ
ャートである。
【図６】通常の直線的なアレイコネクタ、すなわち、モ
ールド成型収縮補償のないコネクタ内の複数のファイバ
の結合損失の標準偏差を示すグラフである。
ールド成型収縮補償のないコネクタ内の複数のファイバ
の結合損失の標準偏差を示すグラフである。
１０…ＭＴコネクタ １２…本体 １４…前方嵌合表面 １６…後方表面 １８…キャビティ ２０…上部表面 ２２…前方壁 ２４…精密孔 ２６…開口部 ２８…リボンケーブル ３０…溝 ３２…ストレインリリーフ ３４…ガイド孔 ３６…ガイドピン ３８…クリップ ４０…型 ４２…上型 ４４…下型 ５２、５４…コアピン ６２、６４…Ｖ溝 ６６…Ｕ溝 ６８…アラインメントピン ６９…アラインメントピン用凹部 ７０…方法 ７２、７４、７６、７８、８２、８４、８６、９２、９
４…ステップ
４…ステップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ムハメッド アーザル シャヒッド アメリカ合衆国、30078 ジョージア、ス ネルビル、マナー ブルック コート 2880
Claims (9)
- 【請求項１】 光ファイバコネクタを作製するためのト
ランスファーモールド成型方法（７０）において、 前記コネクタを形成するための少なくとも一つのキャビ
ティと、光ファイバコアピン（５２）とガイドピンコア
ピン（５４）を配置するための複数の逆形状部分を有す
るトランスファーモールド型を用意するステップ（７
２）と、 前記コアピン（５２、５４）を、前記複数の逆形状部分
の対応する部分にそれぞれ配置するステップ（７４）
と、 前記型に、硬化して少なくとも一つのコネクタを形成す
る材料を充填するステップ（７８）と、 前記型内に充填された前記材料を、その材料が少なくと
も一つのコネクタを形成するまで硬化させるステップ
（８２）と、 成型されたコネクタを前記型から取り外すステップ（８
４）と、 前記成型されたコネクタから前記コアピンを取り外すス
テップ（８６）とを有し、 前記複数の逆形状部分の少なくとも一部における寸法と
相互間隔は、類似のモールド成型によって形成された類
似のコネクタの形状部分における不均一収縮に基づいて
設定されていることを特徴とする光ファイバコネクタ作
製用のトランスファーモールド成型方法。 - 【請求項２】 前記複数の逆形状部分の少なくとも一部
の寸法は、その逆形状部分によって形成される形状部分
の最終的な所望の寸法より大きいことを特徴とする請求
項１に記載の光ファイバコネクタ作製用のトランスファ
ーモールド成型方法。 - 【請求項３】 前記複数の逆形状部分の少なくとも一部
における相互間隔は、その逆形状部分によって形成され
る形状部分の最終的な所望の間隔より大きいことを特徴
とする請求項１に記載の光ファイバコネクタ作製用のト
ランスファーモールド成型方法。 - 【請求項４】 前記複数の逆形状部分の少なくとも一部
における寸法と相互間隔は、類似のモールド成型を用い
た類似のコネクタに生じる不均一収縮の実験結果に基づ
いて設定されていることを特徴とする請求項１に記載の
光ファイバコネクタ作製用のトランスファーモールド成
型方法。 - 【請求項５】 前記型は、その内部に前記複数の逆形状
部分が形成されてなるインサートをさらに有し、 前記型内に前記インサートを挿入するステップをさらに
有することを特徴とする請求項１に記載の光ファイバコ
ネクタ作製用のトランスファーモールド成型方法。 - 【請求項６】 前記複数の逆形状部分の少なくとも一部
における寸法と相互間隔は、相手のコネクタの対応する
光ファイバに対向するようにして前記複数の逆形状部分
の少なくとも一部に配置された光ファイバの挿入損失の
標準偏差が、約０．４０より低くなるように設定されて
いることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバコネ
クタ作製用のトランスファーモールド成型方法。 - 【請求項７】 均一な寸法の、均一な相互間隔を空けた
形状部分を有する型を用いて実験用コネクタをモールド
成型し、この実験用のモールド成型後に、前記実験用コ
ネクタの多様な位置における収縮値を測定することによ
って、前記不均一収縮を決定するステップをさらに有す
ることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバコネク
タ作製用のトランスファーモールド成型方法。 - 【請求項８】 一つ以上の形状部分を有する光ファイバ
コネクタを作製するためのトランスファーモールド成型
装置（４０）において、 光ファイバコネクタに対して逆に一致する表面を有する
本体と、 前記本体の表面に形成されて、モールド成型時における
前記コネクタの不均一収縮を補償するために、個別の寸
法の、個別の相互間隔を空けた一つ以上の逆形状部分
（６２、６４）とを有することを特徴とする光ファイバ
コネクタ作製用のトランスファーモールド成型装置。 - 【請求項９】 前記複数の逆形状部分の少なくとも一部
における寸法と相互間隔は、類似のモールド成型を用い
た類似のコネクタに生じる不均一収縮の実験結果に基づ
いて設定されていることを特徴とする請求項８に記載の
光ファイバコネクタ作製用のトランスファーモールド成
型装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25032099A | 1999-02-11 | 1999-02-11 | |
| US09/250320 | 1999-02-11 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2000231036A true JP2000231036A (ja) | 2000-08-22 |
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|---|---|---|---|
| JP2000034268A Pending JP2000231036A (ja) | 1999-02-11 | 2000-02-10 | 光ファイバコネクタ作製用のトランスファーモールド成型方法とその装置 |
Country Status (2)
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|---|---|
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| JP (1) | JP2000231036A (ja) |
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-
2000
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- 2000-02-10 JP JP2000034268A patent/JP2000231036A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1028337A3 (en) | 2000-12-20 |
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