JP2000227952A - 非接触icカードの製造方法 - Google Patents
非接触icカードの製造方法Info
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Abstract
上とコストダウンを計り、安定した良品を生産する。 【解決手段】 半導体素子と回路パターンとの間に熱可
塑性樹脂を介在させ熱プレスにより半導体素子を熱可塑
性樹脂の中にめり込ませるとともに、半導体素子の電極
端子を回路パターンに接触させ電極端子と回路パターン
との電気的接続を得る。
Description
キー場のリフト券、ドア入退室管理カード、電子マネー
等に利用される非接触ICカードの製造方法に関するも
のである。
高いセキュリティ機能を有するといったICカードの特
徴に加えて、ICカードをカード読み取り機のスロット
に挿入する手間が不要であるという便利さ等から、近年
では、鉄道の定期券、スキー場のリフト券、ドア入退室
管理カード、電子マネー等に幅広く利用されている。非
接触ICカードは、カード読み取り機との間の通信距離
の違いにより、密着型、近傍型、近接型等に分類され、
一般にデータの通信は電磁誘導方式により行われてい
る。周波数13.56MHzの短波を使う近接型の非接触
ICカードは今後、鉄道の定期券、テレホンカード等に
採用され、非接触ICカードの主流になると予想されて
いる。
記アンテナコイルを介してカード読み取り機とデータの
授与を行う非接触ICカードを製造する際には、アンテ
ナコイルとして、銅の巻き線によるコイルや、銀ペース
ト等の導体ペーストを絶縁性の基盤に渦巻状に印刷した
コイルや、銅箔等の金属箔をエッチングしたコイル等が
用いられている。中でも導体ペーストを印刷してコイル
や回路パターンを形成する方法が盛んになってきてい
る。図6から図9は従来の非接触ICカードの製造方法
を示す断面図である。図6ないし図9においては、それ
ぞれの構成の理解を容易にするために、各要素の図の上
下方向の寸法を左右方向の寸法より拡大して示してい
る。
を示す各工程の非接触ICカードの断面図である。図6
のステップ1では、基材19の表面に導電性ペーストを
用いて渦巻き状のコイルパターン3、及び回路パターン
2を印刷し、硬化させる。コイルパターン3と回路パタ
ーン2の図の上下方向の拡大率は基材19より大きくな
されている。導電性ペーストとしては、銀ペーストが好
適である。導電性ペーストによる印刷は、スクリーン印
刷、オフセット印刷、グラビア印刷等によって行われ
る。例えばスクリーン印刷では165メッシュ/イン
チ、乳剤厚10μmのマスクを用いて導電性ペーストの
厚さを約30μmにする。基材19及び後述の基材23
にはポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカ
ーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の
厚さ0.1〜0.5mm程度のシート状のものが用いら
れる。
成された回路パターン2の上に異方性導電シート20を
配置し、加熱しつつ加圧する工具である熱ツール21に
より加熱しつつ加圧し、異方性導電シート20を回路パ
ターン2に仮圧着する。異方性導電シート20は、エポ
キシ等の熱可塑性樹脂の中に金やニッケル等の金属粉を
混入し、厚さ10〜30μmのシート状にしたものであ
り、市販されている。加熱条件は、熱ツール21の温度
が200℃、加圧時間は5秒程度である。ステップ3で
は、半導体素子5を、その電極部6が異方性導電シート
20が仮圧着された回路パターン2の位置に合うように
配置する。
体素子5を加熱しつつ加圧する。その結果、電極部6は
異方性導電シート20を貫通して回路パターン2に接触
する。また加熱により、異方性導電シート20が熔解
し、加熱終了後に硬化する。異方性導電シート20に熱
を加えて加圧すると、加圧部のみが導通状態になる。加
熱条件は200℃、20秒程度である。図7のステップ
5では、基板19の半導体素子5が配置されている側に
熱可塑性のシート23を配置し、金型9A及び9Bでは
さんで加熱しつつ加圧する。その結果、ステップ6に示
す断面構造の非接触ICカードが完成する。図8は第2
の従来例の製造方法を示す各工程の非接触ICカードの
断面図である。図8に示す方法では異方性導電シートを
用いずに、基板15の上に導電性ペーストにより形成し
た回路パターン2に直接半導体素子5を接合する。図8
のステップ1では、熱可塑性の基材15の表面に導電性
ペーストを用いてコイルパターン3と回路パターン2を
印刷し、硬化させる。
に仮止めするために接着剤4を基材15と半導体素子5
の間に塗布した後、半導体素子5を、その電極部6が導
電性ペーストにより形成された回路パターン部2に接触
するように位置決めし、接着剤を硬化させて仮止めす
る。尚、仮止め用の接着剤4を塗布せず、導電性ペース
トの硬化前に半導体素子5を回路パターン2に接触する
ように位置決めし、導電性ペ−ストの硬化により半導体
素子5を固定する場合もある。ステップ3では、半導体
素子5が取付けられている側に基材15を覆う大きさの
熱可塑性シート16を配置し、金型9Aと9Bではさん
で加熱しつつ加圧する。その結果、ステップ4におい
て、図に示す断面構造の非接触ICカードが完成する。
上記の第1及び第2の従来例の製造方法で製造された非
接触ICカードの電源としては、外部からの電波により
アンテナコイル3に誘起した誘導電力を利用する。この
電力により半導体素子5を動作させ情報処理をし、ある
いは、カード読み取り機との情報の授受を行う。
カードの製造方法では、以下の問題があった。図5に示
す非接触ICカードの第1の製造方法では、異方性導電
シート20を使用する為に、仮圧着の行程が必要とな
り、工程数が多く生産性の向上が難しいという問題があ
る。また、異方性導電シートは高価であるので、コスト
アップの要因となっていた。
では以下に示す問題がある。図9は、図8のステップ4
で完成した製品のB部を拡大した図である。図9におい
て、加熱温度及び加圧圧力のわずかな変化によって、半
導体素子5が回路パターン2の導電性ペーストと熱可塑
性樹脂シート15内に沈み込み、導電性ペーストの回路
パターン2が半導体素子5の端面18に接触することが
ある。半導体素子5は、パッケージに入っていないチッ
プの状態であるので、端面18にはシリコンの基板ある
いは電極が露出している。従って回路パターン2が前記
端面18に接触すると、回路パターン2から、半導体素
子5の端面18にリーク電流が流れ、完成品の非接触カ
ードが動作不能になったり、動作不良を生ずるおそれが
ある。本発明は上記の問題点を解決し、高品質で安価な
薄型の非接触ICカードを高い生産性で製造する方法を
提供するものである。
ドの製造方法は、熱可塑性樹脂基板上に導電性ペースト
を用いて、コイルパターンと、半導体素子の電極部を電
気的に接続するための回路パターンを印刷する工程と、
導電性ペーストを硬化させる工程と、前記熱可塑性樹脂
基板の前記回路パターン形成面の反対面の、半導体素子
をマウントするための所定位置に接着剤を塗布する工程
と、前記半導体素子を前記回路パターンの所定の位置に
前記熱可塑性樹脂と前記接着剤を介して位置合わせし取
付ける工程と、前記半導体素子を取付けた前記熱可塑性
樹脂基板の両面にそれぞれ熱可塑性樹脂シートを配置
し、加熱しつつ加圧する加工法である熱プレスをする工
程とを有することを特徴とする。熱可塑性樹脂シートを
熱プレスすることにより、半導体素子は熱可塑性基板に
めり込み、その電極部は回路パターンに接触する。半導
体素子の端面と回路パターンとの間には熱可塑性基板が
介在するので、半導体素子の端面と回路パターンが接触
することはない。
方法は、熱可塑性樹脂基板上に導電性ペーストを用い
て、コイルパターンと、半導体素子の電極部に電気的に
接続する回路パターンを印刷する工程と、導電性ペース
トを硬化させる工程と、別工程において他の熱可塑性樹
脂シート上に接着剤を塗布し、半導体素子を前記接着剤
を介して前記他の熱可塑性樹脂シート上に取付ける工程
と、前記半導体素子が取付けられた前記熱可塑性樹脂シ
ートを、前記導電性ペーストにより回路パターンが形成
された前記熱可塑性樹脂基板の前記半導体素子の電極部
と電気的に接続する回路パターンに、前記半導体素子の
電極が前記熱可塑性シートを介して一致するように位置
合わせして取付ける工程と、前記半導体素子が取付けら
れた前記熱可塑性シート上に別の熱可塑性樹脂シートを
配置し、熱プレスする工程とを有することを特徴とす
る。熱可塑性樹脂シートを熱プレスすることにより、半
導体素子は、前記他の熱可塑性樹脂シートにめり込み、
その電極部は回路パターンに接触する。半導体素子の端
面と回路パターンとの間には前記他の熱可塑性樹脂が介
在するので、半導体素子の端面と回路パターンが接触す
ることはない。
の製造方法は、熱可塑性樹脂シート上に半導体素子を配
置し、熱プレスする工程と、熱プレス後の前記熱可塑性
樹脂シートの前記半導体素子の電極端子が露出している
面側に導電性ペーストを用いてコイルパターンを含む半
導体素子の電極部と電気的に接続する回路パターンを印
刷し硬化させる工程と、前記熱可塑性樹脂シートの上下
に新たな熱可塑性樹脂を配置し熱プレスする工程と、を
有することを特徴とする。熱プレス後の前記熱可塑性樹
脂シートの、半導体素子の電極端子が露出している面に
導電性ペーストを用いてコイルパターンと回路パターン
を設ける。従って半導体素子の端面と回路パターンの間
には前記の熱可塑性樹脂が介在し、両者が接触すること
はない。上記の各構成によれば、半導体素子の端面と回
路パターンとが接触することのない高品質な非接触IC
カードを安価にかつ高い生産性を保ちつつ製造すること
が可能になる。
いて添付の図1から図5を参照して説明し、本発明の理
解に供する。なお、以下の各実施例は本発明を具体化し
た例であって、本発明の技術範囲を限定するものではな
い。図1ないし図5においては、それぞれの構成の理解
を容易にするために、各要素の図の上下方向の寸法(厚
さ)を左右方向の寸法より拡大して示している。
非接触ICカードの製造方法の各工程を示す断面図であ
る。図1のステップ1では、熱可塑性樹脂の基板1の表
面に導電性ペーストを用いアンテナコイルとしての渦巻
状のコイルパターン3、及び回路パターン2を印刷す
る。基板1は、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニ
ル、ポリカーボネート、又はアクリロニトリルブタジエ
ンスチレンで形成されており、その厚さは、ステップ3
でこの基板1に取付ける半導体素子5の厚さと電極6の
高さの合計寸法以下にすることが望ましい。例えば、前
記合計寸法が0.08mmの場合、基板1は厚さ0.0
5mmのものを用いる。導電性ペーストとしては、銀ペ
ーストが好適である。導電性ペーストの印刷は、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷等によって行
われる。例えばスクリーン印刷の場合、165メッシュ
/インチ、乳剤厚10μmのマスクを用いて導電性ペー
ストの厚さを30μmにする。図1及び以下の各図にお
いて導電性ペーストの厚さは、基板1の厚さに対して拡
大して示している。ステップ2では、ステップ1で回路
パターン2を形成した基板1の面とは反対側の面の一部
分に半導体素子を仮止めする為の接着剤4を小山状に塗
布する。接着剤4の塗布位置は、次のステップ3で取付
けられる半導体素子5の電極部6に接続される回路パタ
ーン2の存在する範囲内が望ましい。
が基板1の回路パターン2と基板1をはさんで対向する
ように、半導体素子5を位置合わせし、、回路パターン
2の導電性ペーストと接着剤4を硬化させる。ステップ
4では、基板1の両面にそれぞれ熱可塑性樹脂シート7
及び8を配置し、金型9A及び9Bによりはさんで加熱
しつつ加圧する加工法である熱プレスをする。熱プレス
するとき、電極部6が回路パターン2に接触するが、半
導体素子5の端面18は回路パターンに接触しないよう
に、熱プレスの圧力や時間を制御する。熱可塑性樹脂シ
ート7、8には、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビ
ニル、ポリカーボネート、又はアクリロニトリルブタジ
エンスチレンの厚さ0.1〜0.5mm程度のものが用
いられる。熱可塑性樹脂の基板1及び熱可塑性樹脂シー
ト7及び8の熱プレスを行なった結果、基板と熱可塑性
樹脂シート7及び8は一体化する。
体素子5の電極6は加圧力により、基板1を突き抜け、
導電性ペーストにより形成した回路パターン2に電気的
に接触して、非接触ICカードが完成する。第1の実施
例では、従来例で用いた異方性導電シートを用いない
為、大幅な生産性の向上とコストダウンが可能となる。
図2のステップ5の図のA部の拡大断面図に示すよう
に、半導体素子5と回路パターン2の間のC部には、熱
可塑性樹脂の基板1の一部が介在している為、従来例の
図9に示すように、半導体素子5の端面18と導電性ペ
ーストの回路パターン2との接触は起こらず、安定して
良品が生産出来る。
接触ICカードの製造方法の各工程を図3の断面図で示
す。
樹脂の基板1の表面に導電性ペーストを用いてコイルパ
ターン3と回路パターン2を印刷する。基板1は、ポリ
エチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネー
ト、又はアクリロニトリルブタジエンスチレンで形成さ
れており、その厚さは、0.3mmであるが、0.1〜
0.5mm程度のものを用いることができる。導電性ペ
ーストとしては、銀ペーストが好適である。導電性ペー
ストの印刷は、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラ
ビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷で
は、165メッシュ/インチ、乳剤厚10μmのマスク
を用いて導電性ペーストの厚さを30μmとする。
13上に半導体素子5の仮止め用接着剤4を塗布した
後、半導体素子5を取付ける。熱可塑性樹脂シート13
の厚さは、基本的に半導体素子5の厚さと電極6の高さ
の合計寸法以下にすることが望ましい。例えば、前記合
計寸法が0.08mmの場合、熱可塑性樹脂シート13
は厚み0.05mmのものを用いる。尚、仮止め用接着
剤は、使用してもしなくても良い。ステップ3では、ス
テップ2で形成した熱可塑性樹脂シート13を半導体素
子5の電極6が、熱可塑性樹脂シート13を介して、ス
テップ1で形成した回路パターン2の所定位置に対向す
るように基板1の上に配置する。導電性ペースト及び接
着剤を硬化した後、半導体素子5が搭載された面側に別
の熱可塑性樹脂シート14を配置し、熱プレスを行う。
その結果、ステップ4に示すように、半導体素子5の電
極6が、熱可塑性樹脂シート13を突き抜け、導電性ペ
ーストにより形成した回路パターン2と接触し、電気的
に導通して非接触ICカードが完成する。
例と同様に、異方性導電シートを用いないため、大幅な
生産性の向上とコストダウンが可能となる。また、半導
体素子5と導電性ペーストにより形成した回路パターン
2の間には、熱可塑性樹脂が介在しているため、従来例
の図9に示すような半導体素子5の端面18と導電性ペ
ーストとの接触は起こらず、安定して良品が生産出来
る。
接触ICカードの製造方法の工程を図4の断面図で示す。
図4のステップ1では、熱可塑性樹脂の基板1の表面に
電極端子6が接するように、半導体素子5を配置する。
その際、仮止め用接着剤4を使用しても良い。基板1の
厚さは、半導体素子5の厚さと電極6の高さの合計寸法
以下にすることが望ましい。例えば、合計寸法が0.0
8mmの場合、熱可塑性樹脂の基板1は厚さ0.05m
mのものを用いる。ステップ2では、ステップ1で基板
1の表面に配置した半導体素子5を金型9A、9Bによ
り、熱プレスをする。その結果、ステップ3に示すよう
に、半導体素子5は熱プレスにより、基板1の中に埋め
込まれ、電極端子6が基板1の上面に露出した状態とな
る。
に、導電性ペーストにてコイルパターン3と回路パター
ン2を印刷し、硬化する。導電性ペーストとしては、銀
ペーストが好適である。導電性ペーストの印刷は、スク
リーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって
行われる。例えばスクリーン印刷では、165メッシュ
/インチのマスクを介して導電ペーストの厚さを10μ
mとする。図5に示すステップ5では、別の熱可塑性樹
脂シート22、23を半導体素子5が埋め込まれ、回路
パターンが形成された基板1の両面に配置し、金型9
A、9Bによりはさんで、熱プレスをする。その結果、
ステップ6に示すように、半導体素子5の電極6と導電
性ペーストにより形成した回路パターン2が接触して電
気的に接続されて非接触ICカードが完成する。
第2の実施例と同様、異方性導電シートを用いないの
で、大幅な生産性の向上とコストダウンが可能となる。
また、半導体素子5と回路パターン2の間には、基板1
の熱可塑性樹脂が介在している。従って従来例の図7に
示すような、半導体素子5の端面18と導電性ペースト
との接触は起こらず、安定して良品が生産出来る。
ころから明らかなように、本発明によれば、異方性導電
シートを用いないので、大幅な生産性の向上とコストダ
ウンが可能となる。また、半導体素子の端面と導電性ペ
ーストの回路パターンとの間に、絶縁的である熱可塑性
樹脂が介在するので、端面と回路パターンが接触するこ
とはない。従って電流のリークが発生することもなく、
安定して良品が生産出来る。
の製造方法の各工程を示す断面図
導体素子と回路パターンの接合部の拡大断面図
の製造方法の各工程を示す断面図
の製造方法の前半の工程を示す断面図
の製造方法の後半の工程を示す断面図
前半の工程を示す断面図
後半の工程を示す断面図
各工程を示す断面図
Cカードの欠陥を示す断面図
ト 9A,9B 金型 18 端面
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体素子が取付けられる非接触ICカ
ードの熱可塑性樹脂基板の一方の面に導電性ペーストを
用いて、送受信を行う為のアンテナコイルとなるコイル
パターンと、前記半導体素子の電極部に電気的に接続さ
れる回路パターンとを印刷によって形成する工程、 印刷されたコイルパターンと回路パターンを硬化させる
工程、 前記熱可塑性樹脂基板の前記回路パターンの形成面とは
反対の面の、前記半導体素子が取付けられるべき所定位
置に接着剤を塗布する工程、 前記半導体素子を前記回路パターンの所定の位置に前記
接着剤によって接着して取付ける工程、及び前記半導体
素子を取付けた前記熱可塑性樹脂基板の両面にそれぞれ
別の熱可塑性樹脂シートを載置し、加熱しつつ加圧する
工程を有することを特徴とする非接触ICカードの製造
方法。 - 【請求項2】 半導体素子が取付けられる非接触ICカ
ードの熱可塑性樹脂基板上に導電性ペーストを用いて、
送受信を行う為のアンテナコイルとなるコイルパターン
と、前記半導体素子の電極部に電気的に接続される回路
パターンとを印刷して形成する工程、 印刷されたコイルパターンと回路パターンを硬化させる
工程、 熱可塑性樹脂シート上に接着剤を塗布し、半導体素子を
前記接着剤によって前記熱可塑性樹脂シート上の所定位
置に取付ける工程、 前記半導体素子が取付けられた前記熱可塑性樹脂シート
を、前記熱可塑性樹脂基板の、前記半導体素子の電極部
に電気的に接続されるべき回路パターンに、前記半導体
素子の電極部が前記熱可塑性シートを介して対向するよ
うに位置合わせする工程、及び前記半導体素子と前記熱
可塑性シートを覆う別の熱可塑性樹脂シートを載置し、
加熱しつつ加圧する工程を有することを特徴とする非接
触ICカードの製造方法。 - 【請求項3】 非接触ICカードの熱可塑性樹脂基板に
半導体素子を、その電極端子が熱可塑性樹脂基板の一方
の面に対向するように載置し、前記半導体素子と熱可塑
性樹脂基板を加熱しつつ加圧して前記電極端子の先端部
を前記熱可塑性樹脂基盤の他方の面に露出させる工程、 前記熱可塑性樹脂基板の前記半導体素子の電極端子が露
出している面に、導電性ペーストを用いてアンテナコイ
ルのコイルパターンと半導体素子の電極部に電気的に接
続される回路パターンを印刷する工程、 印刷されたコイルパターンと回路パターンを硬化させる
工程、及び前記熱可塑性樹脂シートの両面にそれぞれ熱
可塑性樹脂シートを載置し、加熱しつつ加圧する工程を
有することを特徴とする非接触ICカードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02883299A JP3529657B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 熱可塑性樹脂基板に半導体素子を取付ける方法、非接触icカードの製造方法及び半導体素子を取付けた熱可塑性樹脂基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02883299A JP3529657B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 熱可塑性樹脂基板に半導体素子を取付ける方法、非接触icカードの製造方法及び半導体素子を取付けた熱可塑性樹脂基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2000227952A true JP2000227952A (ja) | 2000-08-15 |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002230498A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Toppan Forms Co Ltd | Icチップの実装方法 |
JP2002288614A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Icモジュールとその製造方法 |
US6780668B1 (en) | 1999-07-16 | 2004-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Package of semiconductor device and method of manufacture thereof |
US6975036B2 (en) * | 2002-04-01 | 2005-12-13 | Nec Electronics Corporation | Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump |
JP2006196865A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
US9306132B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-04-05 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6780668B1 (en) | 1999-07-16 | 2004-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Package of semiconductor device and method of manufacture thereof |
US7090482B2 (en) | 1999-07-16 | 2006-08-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device package manufacturing method and semiconductor device package manufactured by the method |
JP2002230498A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Toppan Forms Co Ltd | Icチップの実装方法 |
JP2002288614A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Icモジュールとその製造方法 |
US6975036B2 (en) * | 2002-04-01 | 2005-12-13 | Nec Electronics Corporation | Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump |
US7579211B2 (en) | 2002-04-01 | 2009-08-25 | Nec Electronics Corporation | Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump |
JP2006196865A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
JP4602208B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-12-22 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
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