JP2000222770A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

光記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number
JP2000222770A
JP2000222770A JP11020051A JP2005199A JP2000222770A JP 2000222770 A JP2000222770 A JP 2000222770A JP 11020051 A JP11020051 A JP 11020051A JP 2005199 A JP2005199 A JP 2005199A JP 2000222770 A JP2000222770 A JP 2000222770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
recording medium
substrate
layer
recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11020051A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunobu Ueno
泰伸 植野
Tsutomu Sato
勉 佐藤
Tatsuya Tomura
辰也 戸村
Noboru Sasa
登 笹
Yasuhiro Azuma
康弘 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP11020051A priority Critical patent/JP2000222770A/ja
Publication of JP2000222770A publication Critical patent/JP2000222770A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B2007/24612Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes two or more dyes in one layer

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長に発振波長を有する半導体レーザを用
いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光性、保
存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料および現状シ
ステムで記録、再生が可能でかつ次世代の高密度光ディ
スクシステムにおいても再生可能なCD−R媒体用の記
録材料の提供。 【解決手段】 基板上に直接又は下引き層を介して少な
くとも記録層を設けてなる光記録媒体において、前記記
録層が下記一般式(1)で示されるピロロピロールを少
なくとも一種類含有することを特徴とする光記録媒体。 【化1】 〔前式(1)において、Xは、酸素原子又は硫黄原子を
表し、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、置換基
を有していても良いフェニル基を表す。R〜R
11は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、スルホン酸基、置換基を有していて
も良い炭素数1〜5のアルキル基を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データ用大容量追
記光ディスク(大容量追記型コンパクトディスク、DV
D−R)に関する。
【0002】
【従来技術】現在、次世代大容量光ディスクとしてDV
D−Rの開発が進められている。記録容量の向上の要素
技術は、記録ピット微少化のための記録材料開発、MP
EG2に代表される画像圧縮技術の採用、記録ピット読
みとりのための半導体レーザの短波長化等の技術開発が
必要である。これまで赤色波長域の半導体レーザとして
は、バーコードリーダ、計測器用に670nm体のAl
GaInPレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。DVD
ドライブの場合、光源として635nm帯と650nm
帯のレーザダイオードの2つの波長で規格化されてい
る。高密度記録のためには、波長はより短波長化が望ま
しく、追記メディア用ドライブとしては波長635nm
が好ましい。一方、再生専用のDVD−ROMドライブ
は波長〜650nmで商品化され始めている。このよう
な状況下で最も好ましいDVD−Rメディアは、波長〜
635nmで記録、再生が可能でかつ波長〜650nm
でも再生が可能なメディアである。しかしながら、耐光
性、保存安定性に優れ650nm以下のレーザを用いた
光ピックアップで記録、再生が可能な記録材料は、未だ
に開発されていない。
【0003】有機色素を用いる記録層の製層法として、
有機溶媒等に溶解した色素溶液を塗布するスピンコート
法が一般的である。スピンコート法は、全面にわたる均
一性を実現するために溶剤の種類や回転台の精密な制
御、塗工雰囲気の管理が必要である。また、色素溶液の
ほとんどを破棄することになる生産性の悪い方法でもあ
る。しかしながら、従来方法では、厚みが薄くなるほど
従来のノウハウ、管理方法でディスク間の膜厚バラツキ
やディスク内の部分的な厚みムラによるバラツキを吸収
することに限界があること、さらに、この工法の本質的
な課題である外周が内周に比べ厚くなる傾向にあるとい
うこと、これらのことによりディスク間、あるいはディ
スク内で均一に安定して記録層を形成することは極めて
困難であるという問題点を有している。
【0004】(情報記録用)追記型記録媒体(WOR
M)、追記型コンパクトディスク(CD−R)、DVD
システムで再生のみは可能な追記型コンパクトディス
ク、および大容量追記型コンパクトディスク(DVD−
R)の従来技術としては、例えば以下のものが挙げられ
る。 1.(情報記録用)追記型ディスク (1)シアニン色素を記録材料として用いたもの 特開昭57−82093 特開昭58−56892 特開昭58−112790 特開昭58−114989 特開昭59−85791 特開昭60−83236 特開昭60−89842 特開昭61−25886 (2)フタロシアニン色素を記録材料として用いたもの 特開昭61−150243 特開昭61−177287 特開昭61−154888 特開昭61−24609 特開昭62−39286 特開昭63−37791 特開昭63−39888 2.追記型コンパクトディスク(CD−R)の従来技術 (1)シアニン色素/金属反射層を記録材として用いたもの 特開平1−159842 特開平2−42652 特開平2−13656 特開平2−168446 (2)フタロシアニン色素/金属反射層を記録材として用いたもの 特開平1−176585 特開平3−215466 特開平4−113886 特開平4−226390 特開平5−1272 特開平5−171052 特開平5−116456 特開平5−69860 特開平5−139044 (3)アゾ金属キレート色素/金属反射層を記録材として用いたもの 特開平4−46186 特開平4−141489 特開平4−361088 特開平5−279580
【0005】 3.DVDシステムで再生のみは可能な追記型コンパクトディスクの従来技術 (1)CD−R記録材料と短波長吸収アゾ色素との混合材料系 特開平8−156408 特開平8−310121 特開平9−39394 特開平9−40659 (2)CD−R記録材料と短波長吸収アザアヌレン色素との混合材料系 特開平8−276662 特開平8−287513 (3)CD−R記録材料とその他短波長吸収色素との混合材料系 特開平8−169182 特開平8−310129 特開平8−324117 4.大容量追記型コンパクトディスク(DVD−R)の従来技術 (1)シアニン色素/金属反射層を記録材として用いたもの PIONEER R&D vol.6 No.2:DVD− Recordableの開発、 DVD−R色素ディスクの基礎研究 (2)その他の色素/金属反射層を記録材料として用いたもの 特開平8−169182 特開平8−209012 特開平8−283263 特開平9−58130
【0006】
【発明が解決しようとする課題】1.現在のCD−Rデ
ィスクシステムでは、使用レーザの発振波長が770〜
790nmで記録、再生が可能なように設定されてい
る。現在のCD及びCD−ROMは、基板自体の凹凸上
にAlがコーティングしてあり、Alの反射率の波長依
存性が小さいため、将来、レーザ波長が短波長化されて
も再生は可能である。しかしながら、CD−Rは記録層
に680nm〜750nmに最大吸収波長を有する色素
を用い、その光学定数及び膜厚構成から770nm〜7
90nmに高い反射率が得られる様に設定してあるた
め、700nm以下の波長域では反射率は極めて低く、
レーザ波長の短波長化に対応できず現在のCD−Rシス
テムで記録、再生している情報が、将来のシステムでは
再生出来ない事態を招く。
【0007】2.したがって、本発明は上記従来システ
ムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザを
用いる高密度光ディスクシステムに適用可能な耐光性、
保存安定性に優れた光記録媒体用の記録材料を提供する
とともに、現状システムで記録、再生が可能でかつ次世
代の高密度光ディスクシステムにおいても再生可能なC
D−R媒体用の記録材料を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
解決するための手段について鋭意検討した結果、特定の
構造を有する色素を主成分とする記録層とすることによ
り、発振波長700nm以下の半導体レーザを用いる高
密度光ディスクシステムに適用可能なことを見出し、さ
らに本発明の化合物を現在のCD−R用記録材料として
用いられている有機色素と混合して用いることにより、
700nm以下の波長域にも高い反射率を得ることが可
能であることを見出し本発明に至った。
【0009】すなわち、本発明は、基板上に直接又は下
引き層を介して記録層を設け、さらに必要に応じて反射
層、保護層を設けてなる光記録媒体において、前記記録
層が下記一般式(1)で示されるピロロピロールを少な
くとも一種類含有することを特徴とする光記録媒体を提
供することにより、前記課題を解決することができた。
【化2】 〔前式(1)において、Xは、酸素原子又は硫黄原子を
表し、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、置換基
を有していても良いフェニル基を表す。R〜R
11は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、スルホン酸基、置換基を有していて
も良い炭素数1〜5のアルキル基を表す。〕
【0010】置換基を有するフェニル基としては、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、スルホン酸基等で置換されたフェニル基が挙
げられる。置換基を有していても良い炭素数1〜5のア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル
基、ネオペンチル基、イソアミル基、2−メチルブチル
基等の1級アルキル基、イソプロピル基、sec−ブチ
ル基、1−エチルプロピル基、1−メチルブチル基、
1,2−ジメチルプロピル基等の2級アルキル基、te
rt−ブチル基等の3級アルキル基等およびフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等で置換された前記アルキル基が挙げ
られる。
【0011】以下、本発明の光記録媒体の構成、および
構成部材について説明する。本発明の記録媒体の構成と
しては、図1に示す追記型光ディスクの構造(この構造
のものとしては、図1を2枚貼り合わせたいわゆるエア
ーサンドイッチ構造としても良いし、密着貼り合わせ構
造としても良い)と図2からなるCD−R用メディアの
構造としても良いし、これを接着剤で2枚貼り合わせた
構造としても良い。さらに図3に示したDVD−R用の
層構成としても良いし、これを2枚貼り合わせた構造と
しても良い。
【0012】記録層 記録層は、レーザ光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせ、その変化により情報を記録するものであっ
て、この記録層中には本発明の前記一般式(1)で示さ
れる化合物の色素が含有されていることが必要で、記録
層の形成に当たって本発明の前記色素1種、又は2種以
上の組み合わせで用いても良い。さらに、本発明の前記
色素は光学特性、記録感度、信号特性などの向上の目的
で他の有機色素及び金属、金属化合物と混合又は積層化
して用いても良い。有機色素の例としては、ポリメチン
色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクア
リリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキ
ノン系、アントラキノン系(インダンスレン系)、キサ
ンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラ
ヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジ
ン系染料、及び金属キレート化合物などが挙げられ、上
記の染料を単独で用いてもよいし、2種以上の組合せに
しても良い。また、上記染料中に金属、金属化合物、例
えばIn、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、A
l、Be、TeO2、SnO、As、Cd等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることができる。
【0013】本発明において、680nm〜750nm
に吸収最大波長を有する色素と本発明の色素を混合して
短波長対応CD−R媒体を構成する場合、前記従来技術
に挙げた公報に記載の色素をそのまま使用することがで
きるが、特に680nm〜750nmに吸収最大波長の
ある色素の好ましい例としては、以下のようなものが挙
げられる。
【0014】下式(2)で示されるシアニン色素
【化3】 (式中、R、R、R、R:炭素数1〜3のアル
キル基。 R、R:置換基を有していても良い炭素数1〜6の
アルキル基。 X:酸アニオン。 芳香環は他の芳香環と縮合されていても良く、またアル
キル、ハロゲン、アルコキシ基、アシル基で置換されて
いても良い。)
【0015】下式(3)または(4)で示されるフタ
ロシアニン色素
【化4】 (式中、M1:Ni、Pd、Cu、Zn、Co、Mn、
Fe、TiO、VO。 X〜X:α位の−OR、−SR、又は水素原子であ
って、全てが水素原子となることはない。 R:置換基を有していても良い炭素数3〜12の直鎖ア
ルキル基あるいは置換基を有していても良い分岐のアル
キル基、置換基を有していても良いシクロアルキル基、
又は置換基を有していても良いアリール基。 ベンゼン環は、前記X〜X以外に置換基を有してい
ても良く、その場合のベンゼン環の置換基は水素又はハ
ロゲンである。)
【0016】
【化5】 (式中、M:Si、Ge、In、Sn。 X〜X:α位の−OR、−SR、又は水素原子であ
って、全てが水素原子となることはない。 Rは前記に同じ。 Y、Y:−OSiRaRbRc、−OCORa、−
OPORaRb。 Ra、Rb、Rc:炭素数1〜10のアルキル基、アリ
ール基。 ベンゼン環は前記X〜X以外に置換基を有していて
も良く、その場合のベンゼン環の置換基は水素又はハロ
ゲンである。) アゾ金属キレート化合物 下式(8)で示されるアゾ系化合物と金属とのアゾ金属
キレート化合物の1種又は、2種以上であり金属の好ま
しい例としてはNi、Pt、Pd、Co、Cu、Znな
どが挙げられる。
【0017】
【化6】 (式中、Aはそれが結合している炭素原子及び窒素原子
と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Bはそ
れが結合している2つの炭素原子と一緒になって芳香環
又は、複素環を形成する残基を表わす。Xは活性水素を
有する基を表わす。)
【0018】前記本発明の色素と上記具体例を含む68
0nm〜750nmに吸収最大波長を有する色素との混
合比は、本発明の色素/680nm〜750nmに吸収
を有する色素=10/100〜90/100、好ましく
は40/100〜20/100である。記録層の厚みと
しては100Å〜5μm、好ましくは1000Å〜50
00Åである。
【0019】さらに、上記染料中に高分子材料、例えば
アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、
天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料も
しくはシランカップリング剤などを分散混合しても良い
し、あるいは特性改良の目的で安定剤(例えば遷移金属
錯体)、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などを一緒に用いることが出来る。
【0020】記録層の形成方法 記録層の形成は蒸着、スパッタリング、CVDまたは溶
剤塗布などの通常の手段によって行うことができる。塗
布法を用いる場合には上記染料などを有機溶剤に溶解し
て、スプレー、ローラーコーティング、ディピング及
び、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法に
よって行うことが出来る。用いられる有機溶媒としては
一般にメタノール、エタノール、イソプロパノール、な
どのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン、などのケトン類、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エ
チレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、
トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、
ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、などの芳香族類、メトキシエタノール、エトキ
シエタノールなどのセロソルブ類、ヘキサン、ペンタ
ン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化
水素類などが挙げられる。
【0021】蒸着法の利点 従来、色素を利用した追記型光ディスクの場合、色素を
含む記録材料をあらかじめトラッキング用の溝(プリグ
ループ)等が刻まれた基板上に、スピンコート法により
色素層を形成する。この基板上に刻まれたプリグループ
は、レーザスポットの記録/再生の位置決めをする上で
非常に重要であり、この位置決めのために必要な、いわ
ゆるトラッキングエラー信号が十分出力される必要があ
る。ところが、追記型のCD−R、DVD−Rなどでは
トラッキングエラー信号が基板と色素の界面反射率だけ
では決まらず、主に色素と金属反射層界面による反射率
に支配されるため、スタンパ作成時に最適化したプリピ
ットやプリグループ等の溝形状があまり意味を持たなく
なる。つまり、基板上に形成された溝に色素がどのよう
に埋まるかが非常に重要となる。この溝の色素埋まり具
合は、色素自体の種類が変わることは勿論、混合物の場
合はその組成、色素を溶解する溶剤およびその組成、ス
ピンコートパターン、温湿度等の塗布環境に大きく左右
されるため、その制御が困難であり、生産コストに悪影
響を与える。また従来法は、溝の色素埋まり具合を溶剤
や塗布条件、塗布環境により最適化を図っていたため、
ディスク内での、特に内周と外周におけるトラッキング
エラー信号等にバラツキが大きくなるという弊害も併せ
持っている。また、プリグループの形状は台形状である
が、色素がプリグループに埋まった状態での表面形状
は、V字、もしくはU字形状をしている。そのため、ジ
ッタやクロストークの増加の原因ともなっている。この
解決方法として、基板溝形状にほぼ同形状の膜厚形状に
製層できる色素蒸着法がある。
【0022】また蒸着法であれば斜め蒸着することによ
り、直接蒸着される部位と影となる部位とで制御された
膜厚ムラが可能となる。
【0023】レーザによる記録は、照射による吸収エネ
ルギーが熱に変換され色素を熱分解し、その時生じる色
素の光学特性変化と基板の熱変形が主となり光学位相差
として記録される。色素の分解は色素膜中の膜厚の薄い
所から分解が始まり、それがトリガーとなりレーザ照射
部全体の分解が生じる。そのため意識的に記録部の記録
層膜厚ムラを制御して記録層を形成できれば高感度化が
可能となる。通常の塗布法ではディスク全面にわたる膜
厚ムラの制御は困難であるが、斜め蒸着することでグル
ープ内の色素膜厚に変化をつけ、感度向上を図ることが
できた。角度についてはグループの形状(溝幅、深さ)
から65度以上が好ましい。それ以上浅過ぎては上記目
的とする効果が消失する。
【0024】また、蒸着法で記録層の形成を行う場合
に、基板表面をあらかじめ放電処理しておくことが好ま
しい。通常蒸着色素膜は、塗布色素膜に比較し基板との
接着性が劣るが、蒸着前に放電処理を施すことで基板表
面に吸着活性サイトが形成され、蒸着されてきた色素分
子との相互作用を高め、基板との接着性を向上させるこ
とができた。
【0025】基板が加熱されていない場合、蒸着された
色素分子は冷えた基板表面で急速に凝集するため、膜と
して最も安定な凝集状態と異なる状態で堆積される。そ
のため蒸着された色素膜では、蒸着時と経時後の光学特
性が変化することが良く知られている。光ディスク特性
は反射光の変化で記録再生しているのであるが、記録膜
が変動するとエラーとなり使用に耐えなくなる。本法で
は基板を加熱しながら蒸着することで、色素を基板表面
で安定な状態で凝集させることができ、色素膜の光学特
性が変化することを防ぐことが可能となる。また、成形
された直後の基板はミクロ的には変化する。その証拠と
してよく知られているように、基板の光弾性特性は経時
的に変化する。通常塗布法でメディアを製造する場合も
色素塗布前にアニ-ル処理し、基板加熱により内部応力
を緩和させ基板自体をも安定化している。本法ではその
アニール処理も兼ねることが出来る。なお、蒸着法によ
り記録層を形成する場合に、基板の外周および/または
側面部に化合物の蒸着物が製層されるのを防ぐための保
護板を使用することにより記録媒体の外周および/また
は側面部に蒸着物が製層することを防止できるので好ま
しい。記録層の膜厚は100Å〜5μm、好ましくは2
00Å〜5000Åが適当である。前記加熱処理は、通
常80〜120℃程度に基板が予熱されるように行われ
る。
【0026】基板 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行なう場
合のみ使用レーザに対して透明でなければならず、記録
層側から記録、再生を行なう場合基板は透明である必要
はない。基板材料としては例えば、ポリエステル、アク
リル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミドなどのプラスチック又は、ガラス、セラミックある
いは、金属などを用いることができる。尚、基板を1層
しか用いない場合、あるいは基板2枚をサンドイッチ状
で用いる場合は第1の基板の表面にトラッキング用の案
内溝や、案内ピット、さらにアドレス信号などのプリフ
ォーマットなどが形成されている必要がある。
【0027】中間層 下引き層等を含め基板、記録層、反射層、保護層以外に
設けられた層をここでは中間層と呼ぶ。この中間層は、
接着性の向上、水又はガスなどのバリアー、記録
層の保存安定性の向上、反射率の向上、溶剤からの
基板や記録層の保護、案内溝、案内ピット、プレフォ
ーマットの形成などを目的として使用される。の目的
に対しては高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリ
アミド樹脂、ビニル樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリ
コーン、液状ゴムなどの種々の高分子化合物及び、シラ
ンカップリング剤などを用いることができ、及びの
目的に対しては上記高分子材料以外に無機化合物、例え
ば、SiO、MgF、SiO、TiO、ZnO、T
iN、SiNなどがあり、さらに金属又は半金属例え
ば、Zn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、Au、A
g、Al、などを用いることができる。又、の目的に
対しては金属、例えば、Al、Au、Ag等や、金属光
沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染料、キサンテン
系染料などを挙げることができ、、の目的に対して
は紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用い
ることことができる。下引き層の膜厚としては0.01
〜30μm、好ましくは0.05〜10μmが適当であ
る。
【0028】金属反射層 金属反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい
金属、半金属等が挙げられ、材料例としてはAu、A
g、Cr、Ni、Al、Fe、Snなどが挙げられる
が、反射率、生産性の点からAu、Ag、Alが最も好
ましく、これらの金属、半金属は単独で使用しても良
く、2種の合金としても良い。膜形成法としては蒸着、
スパッタリングなどが挙げられ、膜厚としては50〜5
000Å、好ましくは100〜3000Åである。
【0029】保護層、基板面ハードコート層 保護層及び基板面ハードコート層は記録層(反射吸収
層)を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、記録層(反
射吸収層)の保存安定性の向上、反射率の向上等を目
的として使用される。これらの目的に対しては、前記下
引き層に示した材料を用いることができる。又、無機材
料として、SiO、SiOなども用いることができ、
有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカーボネ
ート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹
脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、天
然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、
ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のう
ち保護層、又は基板表面ハードコート層に最も好ましい
例としては生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。保護
層又は基板面ハードコート層の膜厚は0.01〜30μ
m、好ましくは0.05〜10μmが適当である。本発
明において、前記中間層、保護層、及び基板面ハードコ
ート層には記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有
させることができる。
【0030】保護基板 保護基板はこの保護基板側からレーザ光を照射する場
合、使用レーザ光に対し透明でなくてはならず、単なる
保護板として用いる場合、透明性は問わない。使用可能
な基板材料としては基板材料と全く同様であり、ポリエ
ステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート
樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリイミドなどのプラスチック又は、ガラス、セ
ラミックあるいは金属などを用いることができる。
【0031】接着剤 2枚の記録媒体を接着できる材料なら何でもよく、生産
性を考えると、紫外線硬化型もしくはホットメルト型接
着剤が好ましい。
【0032】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。但し、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。以下に示す
化合物No.は下表3に示すものである。
【0033】実施例1 厚さ0.6mmの射出成形ポリカーボネート基板上に、
フォトポリマーにて深さ1200Å、半値幅0.35μ
m、トラックピッチ1.0μmの案内溝を形成した基板
上に、化合物No.1のメチルセルソルブ溶液をスピン
ナー塗布し、厚さ700Åの記録層を形成し、記録媒体
とした。
【0034】実施例2〜4 実施例1でNo.1化合物の代わりにNo.4、9、1
0化合物を用い実施例1と全く同様に記録媒体を形成し
た。
【0035】比較例1 実施例1でNo.1化合物の代わりに、以下に示す化合
物(A)を用いた以外は実施例1と全く同様にして記録
媒体を形成した。
【化7】
【0036】前記実施例1〜4および比較例1の記録媒
体を下記の条件で評価試験を行ない、その結果を下記表
1に示した。 〈記録条件〉 レーザ発振波長:635nm 記録周波数:3.75MHz 記録線速:3.0m/sec 〈再生条件〉 レーザ発振波長:650nm 再生パワー:0.5〜0.7mWの連続光 スキャニングバンド幅:30KHz 〈耐光テスト条件〉 耐光テスト:4万Lux、Xe光、20時間連続照射 保存テスト:85℃ 85% 720時間放置
【0037】
【表1】
【0038】実施例5 深さ1400Å、半値幅0.35μm、トラックピッチ
1.0μmの案内溝を有する厚さ0.6mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物例No.6をメチル
シクロヘキサン、2−メトキシエタノール、メチルエチ
ルケトン、テトラヒドロフランの混合溶液に溶解した液
をスピンナー塗布し、厚さ800Åの有機色素層を形成
し、次いで、スパッタ法により金2000Åの反射層を
設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて5
μmの保護層を設け記録媒体とした。
【0039】実施例6〜9 実施例5でNo.6化合物の代わりにそれぞれ、No.
3、7、12、14化合物を用い、実施例5と全く同様
に記録媒体を得た。
【0040】比較例2 実施例5で有機薄膜として、No.3化合物の代わりに
比較例1の化合物(A)を用いて記録媒体とした。
【0041】記録条件 前記実施例5〜9および比較例2の記録媒体に発振波長
635nm、ビーム径1.0μmの半導体レーザ光を用
い、トラッキングしながらEFM信号を記録し(線速
3.0m/sec、最短マーク長0.4μm)、同じレ
ーザの連続光で再生し、再生波形を観察しその結果を下
表2に示す。
【0042】
【表2】
【0043】実施例10 深さ1500Å、半値幅0.40μm、トラックピッチ
1.1μmの案内溝を有する厚さ1.2mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、比較例1の化合物(A)と
No.15化合物とを重量比1:1で混合し、これをメ
チルシクロヘキサン、2−メトキシエタノール、2−エ
トキシエタノール、メチルエチルケトン、テトラヒドロ
フラン混合溶媒に溶解、スピンナー塗布して、厚さ17
00Åの有機色素層を形成し、次いで、スパッタ法によ
り金2000Åの反射層を形成して、さらにその上にア
クリル系フォトポリマーで5μmの保護層を設け、記録
媒体とした。
【0044】実施例11〜12 実施例10で記録層をNo.15化合物の代わりに、そ
れぞれ、No.2、8化合物を用い実施例10と全く同
様に記録媒体を得た。
【0045】実施例13〜15 実施例10で記録層をNo.15化合物の代わりに、そ
れぞれ、No.5、11、13化合物を用い、比較例1
の化合物(A)の代わりに下記(B)化合物を用いた以
外は実施例10と全く同様に記録媒体を得た。
【0046】比較例3〜4 実施例10で有機記録層をそれぞれ比較例1の化合物
(A)のみ、下記(B)化合物のみとして、実施例10
と同様に記録媒体を得た。なお、前記実施例および比較
例で使用した(B)化合物とは、下式(B)で表わされ
る化合物である。
【化8】 {式中、RはOCH〔CH(CHの基を表わ
す。}
【0047】また、下表3に前記実施例および比較例で
使用した化合物No.1〜15を示す。
【表3】
【0048】再生条件 前記実施例10〜15および比較例3〜4の記録媒体に
発振波長780nm、ビーム径1.6μmの半導体レー
ザを用い、トラッキングしながらEFM信号を記録(線
速1.4m/sec)し、前記レーザ及び、発振波長6
35nm、ビーム径1.0μmの半導体レーザの連続光
で再生し、再生波形を観察しその結果を下表4に示す。
【0049】
【表4】
【0050】実施例16 深さ1700Å、半値幅0.35μm、トラックピッチ
1.0μmの案内溝を有する厚さ0.6mmの射出成形
ポリカーボネート基板上に、化合物例No.3を真空蒸
着により、厚さ700Åの有機色素層を形成し、次いで
スパッタ法により金1500Åの反射層を設け、さらに
その上にアクリル系フォトポリマーにて7μmの保護層
を設け記録媒体とした。
【0051】実施例17、18 実施例16で化合物No.3の代わりにそれぞれ化合物
No.4、5を用い、実施例16と全く同様に記録媒体
を得た。
【0052】比較例5 実施例16で有機薄膜として、化合物No.3の代わり
に前記記載の比較例1の化合物(A)を用いて記録媒体
とした。
【0053】<記録条件>この記録媒体に発振波長63
5nm、ビーム径1.0μmの半導体レーザ光を用い、
トラッキングしながらEFM信号(線速3.0m/se
c、最短マーク長0.4μm)を記録し、発振波長65
0nmの半導体レーザの連続光(再生パワー0.7m
W)で再生し、再生波形を観察した。
【0054】<評価結果>
【表5】
【0055】
【効果】1.請求項1 700nm以下の波長域のレーザ光で記録、再生が可能
で耐光性、保存安定性に優れた情報記録媒体が提供でき
た。 2.請求項2および3 次世代大容量光ディスクシステムでの記録、再生が可能
な光記録媒体が提供できた。 3.請求項4および5 安定した記録層の製膜が可能な光記録媒体の製造方法が
提供できた。 4.請求項6 原子、分子レベルで薄膜形成の制御が可能で、サブミク
ロン以下の膜厚において全面にわたって均一性に優れた
生産性の高い記録層の製膜が可能な光記録媒体の製造方
法が提供された。 5.請求項7 メディアの外周及び側面部に色素の着いていない後処理
不要の記録媒体が提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】通常の追記型光記録媒体の構成の模式的断面図
である。 (a)第1基板1上に記録層2および第2基板10を有
する型のものを示す図である。 (b)第1基板1上に下引き層3および記録層2を有す
る型のものを示す図である。 (c)前記(b)の記録層2上に保護層4を有する型の
ものを示す図である。 (d)前記(c)の第1基板1裏面にハードコート層5
を有する型のものを示す図である。
【図2】CD−R用の光記録媒体の構成の模式的断面図
である。 (a)第1基板1上に記録層2、金属反射層6および保
護層4を有する型のものを示す図である。 (b)前記(a)の第1基板1上に下引き層3を有する
型のものを示す図である。 (c)前記(b)の下引き層3が2層で構成される型の
ものを示す図である。
【図3】DVD−R用の媒体構成の模式的断面図であ
る。 (a)第1基板1上に記録層2、金属反射層6、接着層
7および第2基板10、また基板1裏面にハードコート
層5を有する型のものを示す図である。 (b)前記(a)の金属反射層6と接着層7の間に保護
層4を有する型のものを示す図である。 (c)第1基板1上に記録層2、金属反射層6、保護層
4、スペーサ8、保護層4、金属反射層6、記録層2お
よび第2基板10を有し、第1基板1の裏面に下引き層
3を有する型のものを示す図である。 (d)第1基板1上に記録層2、半透明層9、スペーサ
8、記録層2、金属反射層6および第2基板10を有
し、第1基板1の裏面に下引き層3を有する型のものを
示す図である。
【図4】下式(D)で表わされる記録材料の真空蒸着膜
の光吸収スペクトル図を示す図である。
【化9】
【符号の説明】
1 第1基板 2 記録層 3 基板下引き層 4 保護層 5 ハードコート層 6 金属反射層 7 接着層 8 スペーサ 9 半透明膜 10 第2基板
フロントページの続き (72)発明者 戸村 辰也 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 笹 登 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 東 康弘 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA39 EA40 EA43 FA01 FA15 FB42 FB43 FB45 GA00 GA01 GA02 4H056 DD03 DD28 DD29 EA13 EA16 FA06 5D029 JA04 JB47 JC17 5D121 AA01 EE02 EE08 EE12 EE20 EE28 GG02 GG07

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に直接又は下引き層を介して少な
    くとも記録層を設けてなる光記録媒体において、前記記
    録層が下記一般式(1)で示されるピロロピロールを少
    なくとも一種類含有することを特徴とする光記録媒体。 【化1】 〔前式(1)において、Xは、酸素原子又は硫黄原子を
    表し、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、置換基
    を有していても良いフェニル基を表す。R〜R
    11は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、シ
    アノ基、ニトロ基、スルホン酸基、置換基を有していて
    も良い炭素数1〜5のアルキル基を表す。〕
  2. 【請求項2】 記録層が、一般式(1)で示されるピロ
    ロピロール以外に680〜750nmに最大吸収波長を
    有する色素との混合層からなる光記録媒体。
  3. 【請求項3】 680〜750nmに最大吸収波長を有
    する色素がシアニン色素、フタロシアニン色素およびア
    ゾ金属キレート化合物よりなる群から選ばれた少なくと
    も1種のものである請求項2記載の光記録媒体。
  4. 【請求項4】 基板表面を加熱処理しながら、一般式
    (1)で示される化合物を製層する請求項1、2または
    3記載の光記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項5】 基板表面を放電処理した後、一般式
    (1)で示される化合物を製層する請求項1、2または
    3記載の光記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項6】 製層が蒸着により行われる請求項4また
    は5記載の光記録媒体の製造方法。
  7. 【請求項7】 基板の外周および/または側面部に化合
    物の蒸着物が製層されるのを防ぐための保護板を使用し
    て行う請求項6記載の光記録媒体の製造方法。
JP11020051A 1999-01-28 1999-01-28 光記録媒体およびその製造方法 Pending JP2000222770A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11020051A JP2000222770A (ja) 1999-01-28 1999-01-28 光記録媒体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11020051A JP2000222770A (ja) 1999-01-28 1999-01-28 光記録媒体およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000222770A true JP2000222770A (ja) 2000-08-11

Family

ID=12016280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11020051A Pending JP2000222770A (ja) 1999-01-28 1999-01-28 光記録媒体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000222770A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104447764A (zh) * 2014-12-29 2015-03-25 华东理工大学 吡咯并吡咯二酮衍生物及其合成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104447764A (zh) * 2014-12-29 2015-03-25 华东理工大学 吡咯并吡咯二酮衍生物及其合成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6741547B2 (en) Optical recording medium having short wobble period length
JPH10181206A (ja) 光記録媒体
JP3412078B2 (ja) 光記録媒体
JP4387533B2 (ja) 光情報記録媒体
JP3456621B2 (ja) 光記録媒体
JPH1086519A (ja) 光記録媒体
JP3482481B2 (ja) 光情報記録媒体
JP2000222770A (ja) 光記録媒体およびその製造方法
WO2006098385A1 (ja) 光情報記録媒体および情報記録方法
JPH11110815A (ja) 光記録媒体および該光記録媒体を用いた光記録再生方法
JP3742492B2 (ja) 光記録媒体及び該光記録媒体を用いた光記録再生方法
JP2002264521A (ja) 光記録媒体
JP2006244673A (ja) 2層型光記録媒体及びその記録再生方法、並びに光記録再生装置
JP2002358658A (ja) 光記録媒体およびその光記録方法
JP4060543B2 (ja) 光記録媒体
JP3866045B2 (ja) 光記録媒体
JPH07156550A (ja) 光情報記録媒体
JP3623039B2 (ja) 光記録媒体
JPH08282107A (ja) 光記録媒体
JPH1178239A (ja) 光記録媒体および該光記録媒体を用いた光記録再生方法
JPH0776169A (ja) 光情報記録媒体
JP2002298415A (ja) 光記録媒体およびその記録方法
JP3525270B2 (ja) 光記録媒体
JP3477501B2 (ja) 光情報記録媒体
JP2003173567A (ja) 光記録媒体及び記録方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040409

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050517