JP2000219594A

JP2000219594A - 坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法

Info

Publication number: JP2000219594A
Application number: JP11020694A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Shiomi; 弘塩見
Original assignee: SHIKUSUON KK; Sixon Inc
Current assignee: SHIKUSUON KK; Sixon Inc
Priority date: 1999-01-28
Filing date: 1999-01-28
Publication date: 2000-08-08
Anticipated expiration: 2019-01-28
Also published as: JP3762559B2

Abstract

(57)【要約】【課題】原材料と坩堝の材料が反応して副生成物が発
生することによる結晶の品質低下を防止できる坩堝、こ
れを用いた結晶成長装置、および結晶成長方法を提供す
ること。【解決手段】結晶を成長させる装置に適用され、種結
晶２６が配置される種結晶配置部３４および原料２４を
収容可能な原料収容部３０を有し、昇華された原料２４
のガスが原料収容部３０の開口部３０ｏを通過して種結
晶２６に到達可能な坩堝４であって、原料収容部３０の
開口部３０ｏの面積Ａと原料収容部３０の内面積Ｂと
が、Ｂ／Ａ≦３の関係にあることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、昇華法により炭化
ケイ素単結晶などを成長させるために用いられる坩堝、
これを用いた結晶成長装置、および、結晶成長方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の単
結晶を成長させる方法として、昇華法が知られている。
この昇華法は、不活性ガス雰囲気の減圧状態で、たとえ
ば黒鉛（グラファイト）の坩堝内にＳｉＣ単結晶からな
る種結晶基板と粉末状の多結晶のＳｉＣからなる原材料
とを対向配置させ、多結晶のＳｉＣ原材料を昇華させて
種結晶基板上に再結晶させるものである。

【０００３】図７に、このような昇華法に用いられる坩
堝の一例を示す。この坩堝５０はカーボン製であり、カ
ップ形状の底部材５２と、同じくカップ形状をなし底部
材５２に対向して固定された蓋部材５４とを備えてい
る。蓋部材５４の中央下面には、円柱状の種結晶保持台
５６が設けられており、この種結晶保持台５６には、種
結晶基板５８が取り付けられている。一方、底部材５２
には、種結晶基板５８と対向して多結晶からなる粉末状
のＳｉＣ原材料６０が収容されている。そして、このよ
うな構成の坩堝５０を図示しない結晶成長装置に組み込
んで高周波加熱等を行うと、ＳｉＣ原材料６０が昇華
し、種結晶基板５８の表面にＳｉＣ単結晶６２のインゴ
ットが成長することになる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
坩堝を用いて結晶成長を行うにあたっては、次のような
問題があった。すなわち、ＳｉＣ原材料６０を加熱する
と、当該ＳｉＣ原材料６０と坩堝５０の接触部分すなわ
ち図７の破線で示した領域Ｘにおいて、ＳｉＣの炭化が
起こる。そして、ＳｉＣが炭化すると、当該炭化したＳ
ｉＣの粉末が坩堝５０内に舞い上がり、その粉末の一部
がＳｉＣ単結晶６２内に含まれて、ＳｉＣ単結晶６２の
品質低下を招いてしまう。また、坩堝５０内を炭化した
ＳｉＣの粉末が舞うと、坩堝５０内の蒸気圧が不安定に
なり、このこともＳｉＣ単結晶６２の品質低下を招く原
因になる。

【０００５】また、このような原材料と坩堝の材料とが
反応することによる結晶の品質低下は、原材料としてＳ
ｉＣを用いた場合やカーボン製の坩堝を用いた場合に限
られず、種々の場合が想定される。

【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、原材料と坩堝の材料が反応することによる結
晶の品質低下を防止できる坩堝、これを用いた結晶成長
装置、および結晶成長方法を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明らは、原料と坩堝材料との反応による副生成
物の発生は避け難いため、当該副生成物の単結晶への影
響を減少することに着目し、鋭意研究の結果、以下のよ
うな発明を完成させた。

【０００８】すなわち、本発明は、結晶を成長させる装
置に適用され、種結晶が配置される種結晶配置部および
原料を収容可能な原料収容部を有し、昇華された原料の
ガスが原料収容部の開口部を通過して種結晶に到達可能
な坩堝であって、原料収容部の開口部の面積Ａと原料収
容部の内面積Ｂとが、Ｂ／Ａ≦３の関係にあることを特
徴とする。

【０００９】本発明では、原料収容部に収容された原料
を昇華させることによって、種結晶上に単結晶が成長す
る。ここで、加熱によって原料を昇華させるのに伴い、
当該原料と原料収容部の内面との接触部分において、原
料と原料収容部の材料とが反応する。そして、この反応
によって、原料と原料収容部の材料とからなる結晶粉末
などの副生成物が坩堝内を舞うことになる。しかし、本
発明では、原料収容部の内面積Ｂすなわち原料と原料収
容部との接触面積が、原料収容部の開口部の面積Ａすな
わち原料の昇華に寄与する面積に対して低く設定されて
いる。つまり、原料の昇華量に対して生成した副生成物
の量が少なくなり、当該副生成物の単結晶成長への影響
を殆ど無視することができる。具体的には、Ｂ／Ａ≦３
の関係にあれば、種結晶上に成長した単結晶は副生成物
による影響を殆ど受けることなく、品質低下が防止され
る。

【００１０】また、本発明の坩堝において、種結晶配置
部を複数有することが望ましい。このような構成を採用
した場合、坩堝内に種結晶が複数配置されることにな
り、一度に複数の単結晶を成長させることができる。こ
のため、原料収容部に収容される原料の使用効率が高め
られる。

【００１１】本発明の結晶成長装置は、上述の坩堝と、
原料収容部を加熱可能な加熱手段とを少なくとも備える
ことを特徴とする。このような結晶成長装置によれば、
加熱手段によって坩堝内の原料が昇華され、これにより
種結晶上に単結晶が成長する。

【００１２】さらに、本発明の結晶成長装置は、種結晶
配置部を原料収容部が位置する側と反対の方向へ移動さ
せる配置部移動手段を更に備えることが望ましい。種結
晶と原料を対向配置して結晶成長が進行すると、結晶の
成長面は次第に原料の表面に近接していく。しかし、こ
のような配置部移動手段を備えれば、種結晶を原料から
遠ざけることができ、両者の接触を防止することができ
る。

【００１３】また、本発明の結晶成長方法は、坩堝内に
収容された原料を昇華させて種結晶上に結晶を成長させ
る結晶成長方法において、上述の種結晶配置部を複数有
する結晶成長装置を準備する工程と、各種結晶配置部の
間の距離Ｃおよび種結晶と原料との間の距離Ｄが、Ｄ／
Ｃ≦０．２１の関係になるように、種結晶を種結晶配置
部に配置すると共に原料を原料収容部に収容する工程
と、を含むことを特徴とする。

【００１４】本発明の結晶成長方法では、原料収容部の
内面積Ｂに対する原料収容部の開口部の面積Ａの割合が
所定の値より大きく、さらに種結晶配置部を複数有する
坩堝が使用される。種結晶配置部同士の距離が短いと、
隣接する単結晶の影響により各種結晶上で成長する単結
晶に熱ひずみが加えられ、品質が低下してしまう。しか
し、本発明では、種結晶と原料との間の距離Ｄが各種結
晶配置部の間の距離Ｃに対して低く、具体的には、Ｄ／
Ｃ≦０．２１の関係になるように設定されている。この
ため、各種結晶上で成長する単結晶は、隣接する単結晶
の影響よりも昇華した原料の影響を受けるため、単結晶
の品質は殆ど低下しない。

【００１５】また、本発明の結晶成長方法において、種
結晶上での結晶の成長に伴って、種結晶配置部を原料収
容部が位置する側と反対の方向へ移動させることが望ま
しい。種結晶と原料を対向配置して結晶成長が進行する
と、結晶の成長面は次第に原料の表面に近接していく。
しかし、このように種結晶配置部を原料収容部が位置す
る側と反対の方向へ移動させれば、種結晶を原料から遠
ざけることができ、両者の接触を防止することができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法の
好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素
には同一符号を用いるものとし、重複する記載は省略す
る。

【００１７】図１は、本実施形態に係る結晶成長装置を
示す図である。本実施形態の結晶成長装置２は、内部で
結晶成長が行われる坩堝４と、当該坩堝４を収容可能な
反応室１３を有する装置本体６と、坩堝４の外周部およ
び下方に配置されたヒータ（加熱手段）８と、坩堝４の
外周を囲うとともに温度上昇した坩堝４の熱が外部へ伝
達するのを防止する断熱部材１０と、坩堝４の上方に位
置するとともに坩堝４内の種結晶支持台１４を上下動さ
せる昇降機構１２と、から主に構成されている。

【００１８】また、装置本体６の上部、側部、および下
部には、それぞれ装置内の温度を測定可能な放射温度計
１６が設けられている。さらに、坩堝４の下方には、装
置本体６内にアルゴンガスを導入するためのガス導入管
１８および当該ガスを外部へ排出するためのガス排気管
２０が挿入固定されている。

【００１９】図２（ａ）は、坩堝４の拡大図であり、図
２（ｂ）は、図２（ａ）に示す種結晶支持台１４のｂ−
ｂ方向の平面図である。図２（ａ）に示されているよう
に、坩堝４は、原料２４であるＳｉＣ多結晶が収容され
る有底円筒状の原料収容部３０と、この原料収容部３０
の上部に位置する円筒状の周側部３２と、周側部３２の
内部空間に位置する上記種結晶支持台１４と、周側部３
２の上面に取り付けられて種結晶支持台１４の上方への
移動を規制する支持板規制部材２８と、から主に構成さ
れている。原料収容部３０、周側部３２、および種結晶
支持台１４は、黒鉛から形成されている。このため、坩
堝４をヒータ８で加熱する際に、原料収容部３０と原料
２４が反応して、この反応による副生成物が坩堝４内に
舞い上がる。なお、原料収容部３０と周側部３２は、一
体形成してもよいし、別体のものを接続するようにして
もよい。

【００２０】また、図２（ｂ）で明らかにされているよ
うに、種結晶支持台１４には、種結晶２６であるＳｉＣ
単結晶が固定される円形の種結晶配置部３４が全部で７
つ形成されている。種結晶配置部３４の一つは種結晶支
持台１４の中心に位置し、残りの六つはその外周に等角
度ピッチ（６０゜）で設けられている。なお、種結晶配
置部３４の直径Ｗは、６ｃｍとしてある。なお、本実施
形態では、隣接する種結晶配置部３４間の距離をすべて
等しくしてある。

【００２１】ここで再び図１を用いて、結晶成長装置２
の構成を説明する。上述の昇降機構１２は、坩堝４の上
方に位置する直方体形状の支持部材３６と、支持部材３
６の下面に形成された貫通穴４２を貫通して坩堝４の種
結晶支持台１４と支持部材３６を繋ぐ連結部材３８と、
パイプ４４を介して支持部材３６を昇降させる駆動モー
タ４０と、から成る。このような構成のもとで駆動モー
タ４０を作動させると、始動当初は、種結晶支持台１４
が坩堝４に対して相対的に上方へ移動する。そして、種
結晶支持台１４の外縁部１４ｏが支持板規制部材２８の
下面に当接した後は、種結晶支持台１４の上昇に伴って
坩堝４も上昇する。

【００２２】また、上述の各ヒータ８は、電流導入用の
水冷ケーブル２２を介して電力を供給されることによ
り、原料収容部３０の温度すなわち原料２４の温度を約
２３００〜約２５００℃まで上昇し、種結晶配置部３４
の温度すなわち種結晶２６の温度を約２０００〜約２４
００℃まで上昇する。なお、このように原料２４を加熱
することで原料２４が昇華し、当該昇華による原料２４
のガスが原料収容部３０の円形の開口部３０ｏ（図２の
破線で示した領域Ｙ）を通過して種結晶２６に到達す
る。これにより、種結晶２６上にＳｉＣ単結晶を成長さ
せることができる。なお、本実施形態では、原料２４を
昇華させるに際して、配置部移動手段である昇降機構１
２を作動させる。すなわち、配置部移動手段である駆動
モータ４０を作動させることで種結晶配置部３４を上昇
させる。これにより、種結晶２６上で成長するＳｉＣ単
結晶が原料２４に接触するという事態を防止することが
できる。

【００２３】なお、ＳｉＣ単結晶の成長と同時に、図２
の破線で示した領域Ｘにおいて、原料２４であるＳｉＣ
多結晶と原料収容部３０の内壁面の材料である炭素とが
反応することになる。そして、この反応による副生成物
は坩堝４内を舞い、種結晶２６上に成長するＳｉＣ単結
晶の品質を低下させる要因になり得る。本実施形態の結
晶成長装置２は、原料２４と原料収容部３０の内壁との
反応による副生成物のＳｉＣ単結晶成長への影響を低減
する点に特徴がある。

【００２４】続いて、本実施形態の坩堝４の寸法形状に
ついて説明する。原料収容部３０の内部の直径を２Ｒと
し、原料収容部３０の内部の高さをｈとすると、原料収
容部３０の開口部３０ｏの面積Ａ（以下、「開口面積
Ａ」という。）と原料収容部３０の内面積Ｂは、次の式
（１）および式（２）で示される。式（１）：開口面積Ａ＝πＲ² 式（２）：内面積Ｂ＝２πＲｈ＋πＲ² ここで、本実施形態では、原料収容部３０の内部の直径
２Ｒは、２６ｃｍで、原料収容部３０の内部の高さｈ
は、７ｃｍである。これらの値を式（１）および式
（２）に代入してＢ／Ａを求めると、その値は２．０８
となる。このように、開口面積Ａに対する内面積Ｂの値
を小さくすることで、原料２４の昇華量に対する原料２
４と原料収容部３０の内壁の材料との反応による副生成
物の量が少なくなり、当該副生成物の単結晶成長への影
響を少なくすることができる。なお、実験により、Ｂ／
Ａ≦３となるときに、種結晶２６上に成長するＳｉＣ単
結晶の品質が低下しないことが見出された。

【００２５】また、本実施形態では、各種結晶配置部３
４間の距離Ｃを８ｃｍとしてある。さらに、種結晶２６
と原料２４の間の距離Ｄが１．５ｃｍとなるように、種
結晶２６および原料２４を配置してある。そして、両者
の関係Ｄ／Ｃを求めると、その値は１．８８となる。仮
に、各種結晶配置部３４間の距離Ｃが短いと、隣接する
ＳｉＣ単結晶の影響により各種結晶２６上で成長するＳ
ｉＣ単結晶に熱ひずみが加えられ、品質が低下してしま
う。しかし。本実施形態のように、種結晶２６間の距離
Ｃに対する種結晶２６と原料２４の距離Ｄを小さくする
ことで、種結晶２６上にＳｉＣの単結晶が成長する際
に、隣接するＳｉＣ単結晶の影響を受けにくくすること
ができる。なお、実験により、Ｄ／Ｃ≦０．２１となる
ときに、種結晶２６上に成長するＳｉＣ単結晶の品質が
低下しないことが見出された。

【００２６】次に、このような構成の結晶成長装置２に
よる結晶成長方法を説明する。

【００２７】まず、種結晶支持台１４の各種結晶配置部
３４にＳｉＣ単結晶からなる種結晶２６を固定する。そ
して、この種結晶支持台１４を原料２４が収容された坩
堝４の周側部３２にはめ込んだ後、当該坩堝４を結晶成
長装置２の反応室１３にセットして、図１に示す状態と
する。次いで、結晶成長装置２の真空排気を約１時間行
った後、ガス導入管１８からアルゴンガスを導入して結
晶成長装置２内を常圧（約７６０Ｔｏｒｒ）にする。さ
らに、真空排気を約１０分間行った後、アルゴンガスを
導入して再び結晶成長装置２内を常圧にする。

【００２８】次に、水冷ケーブル２２を介して約１００
０Ａの電流をヒータ８に流して、原料収容部３０の温度
を約２４５０℃にする。また、このとき、各種結晶２６
の温度が原料収容部３０の温度よりも約５０℃ほど低く
なるように調整されている。これにより、ＳｉＣ多結晶
である原料２４を昇華させ、原料収容部３０の開口部３
０ｏを介して、種結晶２６上にＳｉＣ単結晶を効率良く
再結晶させることができる。なお、このように常圧で温
度設定を行うことにより、結晶性の悪いＳｉＣ単結晶が
生成することを防止できる。そして、結晶成長装置２内
の圧力をアルゴン雰囲気中で約４０Ｔｏｒｒまで下げ
て、この状態を維持しながら種結晶２６上にＳｉＣ単結
晶を０．３ｍｍ／ｈの速度で成長させ、最終的に、直径
約２インチのＳｉＣ単結晶のバルクを７つ形成した。

【００２９】このようにして得られた単結晶のフォトル
ミネッセンス特性を調べたところ、そのピーク波長は約
４９０ｎｍであり、６ＨタイプのＳｉＣ単結晶であるこ
とが判明した。また、ホール測定を行ったところ、電気
特性は、比抵抗が１Ωｃｍで、キャリア密度が約１×１
０¹⁶ｃｍ^-3で、導電型ｎ型の高抵抗、低キャリア密度の
単結晶であることが分かった。さらに、生成されたＳｉ
Ｃ単結晶のバルクを厚さ３３０μｍのウエハ状にスライ
スして、このウエハ状のＳｉＣ単結晶をダイヤモンド砥
石で研磨し、さらに両面鏡面仕上げを行った。

【００３０】かかる工程を経て完成したＳｉＣ単結晶は
均質であり、端からの多結晶化および結晶の多形化が起
こっていないことが目視にて判明した。さらに、エッチ
ング法で評価したところ、マイクロパイプの密度は１０
個／ｃｍ²であった。なお、エッチング液には溶融水酸
化カリウムを使用し、５００℃で約２０分間エッチング
処理を施した。図３は、エッチングを施したＳｉＣ単結
晶の表面の顕微鏡写真（５０倍）である。この写真か
ら、本実施形態のＳｉＣ単結晶は、欠陥の少ない高品質
のものであることが分かる。なお、このＳｉＣ単結晶の
光透過性を調べたところ、約２〜５μｍの波長に対して
は良好であり、この結晶は不純物の取り込みの少ない高
質な結晶であることが判明した。

【００３１】このように、完成した本実施形態のＳｉＣ
単結晶が高品質であるのは、上述のように、Ｂ（原料収
容部３０の内面積）／Ａ（原料収容部３０の開口部３０
ｏの面積）≦３とすることで、原料２４の昇華量に対す
る原料２４と原料収容部３０の内壁材料との反応による
副生成物の量を少なくし、当該副生成物の単結晶成長へ
の影響を減少させたためである。また、Ｄ（種結晶２６
と原料２４の距離）／Ｃ（隣接する種結晶２６間の距
離）≦０．２１とすることで、ＳｉＣ単結晶が成長する
際に隣接する種結晶２６上で成長するＳｉＣ単結晶の影
響を受けにくくなったことも、高品質化に影響を及ぼし
ている。なお、種結晶配置部３４を複数個設けているた
め、一度に複数のＳｉＣ単結晶を成長させることができ
る。

【００３２】［実施例１］次に、図４を用いて、Ｂ（原
料収容部３０の内面積）／Ａ（開口部３０ｏの面積）の
値が異なる坩堝を用いて結晶成長を行った実験について
説明する。全部で１０個の坩堝を用いて実験を行い、Ｂ
／Ａの値が１．５〜４．１の範囲のものを使用した。図
４のグラフは、その実験結果を示しており、横軸はＢ／
Ａの値で、縦軸は欠陥密度を示している。このグラフよ
り、Ｂ／Ａの値が３以下のときに、欠陥密度が著しく減
少することが分かる。なお、Ｂ／Ａの値が２．１である
ものが、上述の実施形態の坩堝である。

【００３３】図５は、Ｂ／Ａの値が３．８である坩堝に
よって生成したＳｉＣ単結晶の顕微鏡写真（５０倍）で
ある。このＳｉＣ単結晶にも品質を評価するためエッチ
ング処理を施してあるが、この写真から分かるように、
当該ＳｉＣ単結晶には多くの欠陥があった。

【００３４】［実施例２］次に、図６を用いて、Ｄ（種
結晶２６と原料２４の距離）／Ｃ（隣接する種結晶２６
間の距離）の値を変えて結晶成長を行った実験について
説明する。坩堝は、Ｂ／Ａの値が２．１のものを使用し
た。種結晶２６間の距離Ｃが一定（８ｃｍ）のもとで種
結晶２６と原料２４の距離Ｄを変えて、全部で８通りの
実験を行った。なお、距離Ｄは、０．７２〜３．０（ｃ
ｍ）の範囲で設定した。図６のグラフは、その実験結果
を示しており、横軸はＤ／Ｃの値で、縦軸は欠陥密度を
示している。このグラフより、Ｄ／Ｃの値が０．２１以
下のときに、欠陥密度が著しく減少することが分かる。

【００３５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
形態に限定されるものではない。例えば、種結晶配置部
の個数は７個に限られず、ＳｉＣ多結晶からなる原料の
使用効率を考慮しない場合は１個でもよい。また、本発
明の坩堝および結晶成長装置の用途は、ＳｉＣ単結晶の
成長に限定されるわけではなく、この他、ＺｎＳｅ等の
II-VI族化合物半導体やＧａＮ等のIII-V族化合物半導体
など、広く気相法による結晶成長にも使用することがで
きる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の坩堝およ
びこれを備えた結晶成長装置によれば、Ｂ（原料収容部
の内面積）／Ａ（原料収容部の開口部の面積）≦３とし
ているため、原料の昇華量に対する、原料と原料収容部
の内壁材料との反応による副生成物の量が少なくなる。
このため、当該副生成物の単結晶成長への影響が減少
し、種結晶上に成長する単結晶の品質低下を防止するこ
とができる。

【００３７】また、本発明の結晶成長方法によれば、Ｄ
（種結晶と原料の距離）／Ｃ（隣接する種結晶間の距
離）≦０．２１としているため、ＳｉＣ単結晶が成長す
る際に隣接する種結晶の影響を殆ど受けず、単結晶の品
質低下を一層防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の結晶成長装置を示す全体図である。

【図２】図２（ａ）は、図１の結晶成長装置に装備され
た坩堝を示す拡大図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）
に示す種結晶支持台のｂ−ｂ方向の平面図である。

【図３】図１に示す結晶成長装置により製造されたＳｉ
Ｃ単結晶にエッチング処理を施したものの顕微鏡写真で
ある。

【図４】Ｂ（原料収容部の内面積）／Ａ（原料収容部の
開口部の面積）の値と欠陥密度との関係を示すグラフで
ある。

【図５】Ｂ（原料収容部の内面積）／Ａ（原料収容部の
開口部の面積）の値が３．８である坩堝を使用して成長
させたＳｉＣ単結晶の顕微鏡写真である。

【図６】Ｄ（種結晶と原料の距離）／Ｃ（隣接する種結
晶間の距離）の値と欠陥密度との関係を示すグラフであ
る。

【図７】従来の坩堝を示す図である。

【符号の説明】

２…結晶成長装置、４…坩堝、６…装置本体、８…ヒー
タ、１０…断熱部材、１２…昇降機構（配置部移動手
段）、１３…反応室…１４ｏ…外縁部、１４…種結晶支
持台、１６…放射温度計、１８…ガス導入管、２０…ガ
ス排気管、２２…水冷ケーブル、２４…原料、２６…種
結晶、２８…支持板規制部材、３０…原料収容部、３０
ｏ…開口部、３２…周側部、３４…種結晶配置部、３６
…支持部材、３８…連結部材、４０…駆動モータ、５０
…坩堝、５２…底部材、５４…蓋部材、５６…種結晶保
持台、５８…種結晶基板、６０…原材料、６２…単結
晶。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】結晶を成長させる装置に適用され、種結
晶が配置される種結晶配置部および原料を収容可能な原
料収容部を有し、昇華された前記原料のガスが前記原料
収容部の開口部を通過して前記種結晶に到達可能な坩堝
であって、前記原料収容部の前記開口部の面積Ａと前記原料収容部
の内面積Ｂとが、Ｂ／Ａ≦３の関係にあることを特徴と
する坩堝。
【請求項２】前記種結晶配置部を複数有することを特
徴とする請求項１記載の坩堝。
【請求項３】請求項１記載の坩堝と、前記原料収容部
を加熱可能な加熱手段とを少なくとも備えることを特徴
とする結晶成長装置。
【請求項４】請求項２記載の坩堝と、前記原料収容部
を加熱可能な加熱手段とを少なくとも備えることを特徴
とする結晶成長装置。
【請求項５】前記種結晶配置部を前記原料収容部が位
置する側と反対の方向へ移動させる配置部移動手段を更
に備えることを特徴とする請求項３または請求項４記載
の結晶成長装置。
【請求項６】坩堝内に収容された原料を昇華させて種
結晶上に結晶を成長させる結晶成長方法において、請求項４記載の結晶成長装置を準備する工程と、前記各種結晶配置部の間の距離Ｃおよび前記種結晶と前
記原料との間の距離Ｄが、Ｄ／Ｃ≦０．２１の関係にな
るように、前記種結晶を前記種結晶配置部に配置すると
共に前記原料を前記原料収容部に収容する工程と、を含むことを特徴とする結晶成長方法。
【請求項７】前記種結晶上での前記結晶の成長に伴っ
て、前記種結晶配置部を前記原料収容部が位置する側と
反対の方向へ移動させることを特徴とする請求項６記載
の結晶成長方法。