JP2000208947A - 配線基板 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 他の電子回路からの影響のため信号用配線導
体によって正確な信号を伝播させることができず、また
他の電子回路等の正常な作動に悪影響を及ぼしてしま
う。 【解決手段】 複数の絶縁層１ｂ・１ｃを積層して成
り、それらの間に配設された信号用配線導体４と、絶縁
層１ｂ・１ｃの上面および下面に配設された信号用配線
導体４を挟むグランド導体層６ａ・６ｂとを具備する配
線基板において、絶縁層１ｂ・１ｃを上下に貫通し、か
つ信号用配線導体４に沿って延びる貫通溝７を設けると
ともに、貫通溝７の信号用配線導体４側の内壁にグラン
ド導体層６ａ・６ｂに接続された金属層８を被着させ
た。信号用配線導体４に対する水平方向の電磁的なシー
ルドも完全なものとなるため、高速信号を正確に伝播さ
せることができ、近接する電子回路等に悪影響を及ぼす
こともない。
体によって正確な信号を伝播させることができず、また
他の電子回路等の正常な作動に悪影響を及ぼしてしま
う。 【解決手段】 複数の絶縁層１ｂ・１ｃを積層して成
り、それらの間に配設された信号用配線導体４と、絶縁
層１ｂ・１ｃの上面および下面に配設された信号用配線
導体４を挟むグランド導体層６ａ・６ｂとを具備する配
線基板において、絶縁層１ｂ・１ｃを上下に貫通し、か
つ信号用配線導体４に沿って延びる貫通溝７を設けると
ともに、貫通溝７の信号用配線導体４側の内壁にグラン
ド導体層６ａ・６ｂに接続された金属層８を被着させ
た。信号用配線導体４に対する水平方向の電磁的なシー
ルドも完全なものとなるため、高速信号を正確に伝播さ
せることができ、近接する電子回路等に悪影響を及ぼす
こともない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速で作動する半
導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板に関す
るものである。
導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高速で作動する半導体素子等の電
子部品を搭載する配線基板として、例えば酸化アルミニ
ウム質焼結体等のセラミックスから成る複数層の絶縁層
を積層して成るとともに、これら絶縁層の間に高速信号
を伝播させるための信号用配線導体を配設して成るもの
が知られている。
子部品を搭載する配線基板として、例えば酸化アルミニ
ウム質焼結体等のセラミックスから成る複数層の絶縁層
を積層して成るとともに、これら絶縁層の間に高速信号
を伝播させるための信号用配線導体を配設して成るもの
が知られている。
【０００３】このような配線基板においては、高速信号
が伝播する信号用配線導体に他の電子回路等から発生す
る電磁波が侵入すると、この電磁波が信号用配線導体を
伝播する高速信号にノイズを発生させてしまい、その結
果、信号用配線導体によって正確な信号を伝播させるこ
とができなくなってしまう。
が伝播する信号用配線導体に他の電子回路等から発生す
る電磁波が侵入すると、この電磁波が信号用配線導体を
伝播する高速信号にノイズを発生させてしまい、その結
果、信号用配線導体によって正確な信号を伝播させるこ
とができなくなってしまう。
【０００４】また、これとは逆に、高速信号が伝播する
信号用配線導体から発生する電磁波が他の電子回路等に
侵入すると、この電子回路等の正常な作動に悪影響を及
ぼしてしまう。
信号用配線導体から発生する電磁波が他の電子回路等に
侵入すると、この電子回路等の正常な作動に悪影響を及
ぼしてしまう。
【０００５】そこで、このような高速作動の電子部品を
搭載する配線基板においては、他の電子回路等から発生
する電磁波が信号用配線導体に侵入したり、あるいは信
号用配線導体から発生する電磁波が他の電子回路等に侵
入するのを防止するために、高速信号が伝播する信号用
配線導体を電磁的にシールドするような構造が採用され
ている。
搭載する配線基板においては、他の電子回路等から発生
する電磁波が信号用配線導体に侵入したり、あるいは信
号用配線導体から発生する電磁波が他の電子回路等に侵
入するのを防止するために、高速信号が伝播する信号用
配線導体を電磁的にシールドするような構造が採用され
ている。
【０００６】このように信号用配線導体を電磁的にシー
ルドする構造を有する従来の配線基板の例を図５〜図７
に示す。
ルドする構造を有する従来の配線基板の例を図５〜図７
に示す。
【０００７】図５はかかるシールド構造を有する従来の
配線基板の例を示す上面図であり、図６は図５における
Ｘ−Ｘ線断面図である。そして、図７は図５におけるＹ
−Ｙ線断面図である。
配線基板の例を示す上面図であり、図６は図５における
Ｘ−Ｘ線断面図である。そして、図７は図５におけるＹ
−Ｙ線断面図である。
【０００８】従来の配線基板は、図６に示すように、例
えば酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料か
ら成る３層の絶縁層11ａ・11ｂ・11ｃが積層一体化され
て成る。そして、その上面中央部には、半導体素子等の
電子部品12を収容する凹部13が形成されており、凹部13
の底面には電子部品12が搭載固定される。
えば酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料か
ら成る３層の絶縁層11ａ・11ｂ・11ｃが積層一体化され
て成る。そして、その上面中央部には、半導体素子等の
電子部品12を収容する凹部13が形成されており、凹部13
の底面には電子部品12が搭載固定される。
【０００９】また、絶縁層11ｂと11ｃとの間には、凹部
13内から基板の外周部にかけて、高速信号を伝播させる
信号用配線導体14が配設されており、この信号用配線導
体14には電子部品12の信号電極がボンディングワイヤ15
等を介して接続される。
13内から基板の外周部にかけて、高速信号を伝播させる
信号用配線導体14が配設されており、この信号用配線導
体14には電子部品12の信号電極がボンディングワイヤ15
等を介して接続される。
【００１０】さらに、絶縁層11ａと11ｂとの間および絶
縁層11ｃの上面には広面積のグランド導体層16ａ・16ｂ
が配設されており、これらグランド導体層16ａと16ｂと
で信号用配線導体14を絶縁層11ｂ・11ｃを介して上下か
ら挟んでいる。
縁層11ｃの上面には広面積のグランド導体層16ａ・16ｂ
が配設されており、これらグランド導体層16ａと16ｂと
で信号用配線導体14を絶縁層11ｂ・11ｃを介して上下か
ら挟んでいる。
【００１１】そして、グランド導体層16ａと16ｂとは、
図８に示すように、絶縁層11ｂおよび11ｃを貫通する貫
通導体17により互いに電気的に接続されている。
図８に示すように、絶縁層11ｂおよび11ｃを貫通する貫
通導体17により互いに電気的に接続されている。
【００１２】また、貫通導体17は、図５・図７に示すよ
うに、信号用配線導体14の両横に所定の間隔で信号用配
線導体14に沿って延びる列をなすように並べて配設され
ており、これにより信号用配線導体14を絶縁層11ｂ・11
ｃを介して左右から挟んでいる。
うに、信号用配線導体14の両横に所定の間隔で信号用配
線導体14に沿って延びる列をなすように並べて配設され
ており、これにより信号用配線導体14を絶縁層11ｂ・11
ｃを介して左右から挟んでいる。
【００１３】この従来の配線基板によると、信号用配線
導体14は、グランド導体層16ａ・16ｂによりその上下が
電磁的にシールドされるとともに貫通導体17によりその
左右が電磁的にシールドされ、同時に所定の特性インピ
ーダンスに整合される。
導体14は、グランド導体層16ａ・16ｂによりその上下が
電磁的にシールドされるとともに貫通導体17によりその
左右が電磁的にシールドされ、同時に所定の特性インピ
ーダンスに整合される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板は、信号用配線導体14の両横に並んだ貫通
導体17が所定の間隔をあけて並んでいるため、信号用配
線導体14を伝播する高速信号が例えば10ＧＨｚを超える
極めて高周波の信号となると、並んだ貫通導体17の間か
ら電磁波の一部が漏れて信号用配線導体14に対する水平
方向のシールドが不十分なものとなってしまい、その結
果、信号用配線導体14の左右に近接して電子回路等があ
る場合に、この電子回路等からの電磁波の影響で信号用
配線導体14によって正確な信号を伝播させることができ
なくなったり、あるいは近接する電子回路等の正常な作
動に悪影響を及ぼしてしまうという解決すべき課題を有
していた。
来の配線基板は、信号用配線導体14の両横に並んだ貫通
導体17が所定の間隔をあけて並んでいるため、信号用配
線導体14を伝播する高速信号が例えば10ＧＨｚを超える
極めて高周波の信号となると、並んだ貫通導体17の間か
ら電磁波の一部が漏れて信号用配線導体14に対する水平
方向のシールドが不十分なものとなってしまい、その結
果、信号用配線導体14の左右に近接して電子回路等があ
る場合に、この電子回路等からの電磁波の影響で信号用
配線導体14によって正確な信号を伝播させることができ
なくなったり、あるいは近接する電子回路等の正常な作
動に悪影響を及ぼしてしまうという解決すべき課題を有
していた。
【００１５】本発明は、かかる従来の課題に鑑み案出さ
れたものであり、信号用配線導体に対する水平方向の電
磁的なシールドを完全なものとして、信号用配線導体に
よって高速信号を正確に伝播させることができるととも
に信号用配線導体の左右に近接する電子回路等に悪影響
を与えることのない配線基板を提供することを目的とす
る。
れたものであり、信号用配線導体に対する水平方向の電
磁的なシールドを完全なものとして、信号用配線導体に
よって高速信号を正確に伝播させることができるととも
に信号用配線導体の左右に近接する電子回路等に悪影響
を与えることのない配線基板を提供することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、複
数の絶縁層を積層して成り、この複数の絶縁層間に配設
された信号用配線導体と、積層された前記複数の絶縁層
の上面および下面に配設された前記信号用配線導体を挟
むグランド導体層とを具備する配線基板において、前記
複数の絶縁層を上下に貫通し、かつ前記信号用配線導体
に沿って延びる貫通溝を設けるとともに、この貫通溝の
前記信号用配線導体側の内壁に前記グランド導体層に接
続された金属層を被着させたことを特徴とするものであ
る。
数の絶縁層を積層して成り、この複数の絶縁層間に配設
された信号用配線導体と、積層された前記複数の絶縁層
の上面および下面に配設された前記信号用配線導体を挟
むグランド導体層とを具備する配線基板において、前記
複数の絶縁層を上下に貫通し、かつ前記信号用配線導体
に沿って延びる貫通溝を設けるとともに、この貫通溝の
前記信号用配線導体側の内壁に前記グランド導体層に接
続された金属層を被着させたことを特徴とするものであ
る。
【００１７】本発明の配線基板によれば、上面と下面と
にグランド導体層を有する複数の絶縁層を上下に貫通
し、かつ信号用配線導体に沿って延びる貫通溝を信号用
配線導体の両側に設けるとともに、この貫通溝の内壁の
少なくとも信号用配線導体側に絶縁層の上面または下面
のグランド導体層に接続された金属層を被着させたこと
から、この貫通溝の内壁に被着された金属層によって信
号用配線導体に対する水平方向の電磁的なシールドが完
全なものとなる。その結果、信号用配線導体によって高
速信号を正確に伝播させることができるとともに、信号
用配線導体の左右に近接する電子回路等に悪影響を与え
ることのない配線基板となる。
にグランド導体層を有する複数の絶縁層を上下に貫通
し、かつ信号用配線導体に沿って延びる貫通溝を信号用
配線導体の両側に設けるとともに、この貫通溝の内壁の
少なくとも信号用配線導体側に絶縁層の上面または下面
のグランド導体層に接続された金属層を被着させたこと
から、この貫通溝の内壁に被着された金属層によって信
号用配線導体に対する水平方向の電磁的なシールドが完
全なものとなる。その結果、信号用配線導体によって高
速信号を正確に伝播させることができるとともに、信号
用配線導体の左右に近接する電子回路等に悪影響を与え
ることのない配線基板となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の配線基板の実施の形態の一
例を示す上面図であり、図２は図１におけるＸ−Ｘ線断
面図、図３は図１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
例を示す上面図であり、図２は図１におけるＸ−Ｘ線断
面図、図３は図１におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【００２０】本発明の配線基板は、図２に示すように、
例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質
焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪
素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス材
料、あるいはポリテトラフルオロエチレン・ガラスエポ
キシ・ポリイミド等の絶縁性樹脂材料や、セラミックス
粉末等の無機絶縁物粉末をエポキシ系樹脂等の熱硬化性
樹脂等で結合して成る絶縁性複合材料などから成る３層
の絶縁層１ａ・１ｂ・１ｃを積層一体化して成る。そし
て、その上面中央部には電子部品２を収容するための凹
部３を有しており、この凹部３の底面には半導体素子等
の電子部品２が搭載固定される。
例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質
焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪
素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス材
料、あるいはポリテトラフルオロエチレン・ガラスエポ
キシ・ポリイミド等の絶縁性樹脂材料や、セラミックス
粉末等の無機絶縁物粉末をエポキシ系樹脂等の熱硬化性
樹脂等で結合して成る絶縁性複合材料などから成る３層
の絶縁層１ａ・１ｂ・１ｃを積層一体化して成る。そし
て、その上面中央部には電子部品２を収容するための凹
部３を有しており、この凹部３の底面には半導体素子等
の電子部品２が搭載固定される。
【００２１】なお、この例では電子部品２を収容するた
めの凹部３を形成するために図２および図３において破
線で示した絶縁層１ａを含めて３層の絶縁層１ａ・１ｂ
・１ｃを積層一体化しているが、絶縁層１ａは配線基板
の形態によって必要に応じて使用されるものである。ま
た、絶縁層１ｂ・１ｃは、高周波特性や機械的特性等の
種々の特性に対応させてそれぞれさらに複数の絶縁層を
積層して形成したものであってもよい。
めの凹部３を形成するために図２および図３において破
線で示した絶縁層１ａを含めて３層の絶縁層１ａ・１ｂ
・１ｃを積層一体化しているが、絶縁層１ａは配線基板
の形態によって必要に応じて使用されるものである。ま
た、絶縁層１ｂ・１ｃは、高周波特性や機械的特性等の
種々の特性に対応させてそれぞれさらに複数の絶縁層を
積層して形成したものであってもよい。
【００２２】絶縁層１ａ・１ｂ・１ｃは、例えば酸化ア
ルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミ
ニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム
等の原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合し
て泥漿状となすとともに、これを従来周知のトクタブレ
ード法を採用してシート状となすことにより各絶縁層１
ａ・１ｂ・１ｃとなるセラミックグリーンシートを得、
しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な
切断加工や打ち抜き加工を施すとともに上下に積層し、
この積層体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成する
ことによって積層一体化される。
ルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミ
ニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム
等の原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合し
て泥漿状となすとともに、これを従来周知のトクタブレ
ード法を採用してシート状となすことにより各絶縁層１
ａ・１ｂ・１ｃとなるセラミックグリーンシートを得、
しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な
切断加工や打ち抜き加工を施すとともに上下に積層し、
この積層体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成する
ことによって積層一体化される。
【００２３】また、絶縁層１ｂと１ｃとの間には凹部３
内から基板外周部にかけて延びる信号用配線導体４が配
設されている。
内から基板外周部にかけて延びる信号用配線導体４が配
設されている。
【００２４】信号用配線導体４は、タングステンやモリ
ブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウ
ム等の金属粉末メタライズ、あるいは銅・ニッケル・ク
ロム・チタン・金やそれらの合金等の高周波信号用の金
属材料などから成り、電子部品２に高速の信号を入出力
するための信号伝播路として機能し、その凹部３側の端
部には電子部品２の信号電極がボンディングワイヤ５等
を介して接続される。
ブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウ
ム等の金属粉末メタライズ、あるいは銅・ニッケル・ク
ロム・チタン・金やそれらの合金等の高周波信号用の金
属材料などから成り、電子部品２に高速の信号を入出力
するための信号伝播路として機能し、その凹部３側の端
部には電子部品２の信号電極がボンディングワイヤ５等
を介して接続される。
【００２５】一方、基板１外周部側の端部は図示しない
外部電気回路に接続される。
外部電気回路に接続される。
【００２６】信号用配線導体４は、例えばタングステン
から成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有機
バインダ・溶剤等を添加混合して得たタングステンペー
ストを絶縁層１ｂとなるセラミックグリーンシートに従
来周知のスクリーン印刷法を採用して所定のパターンに
印刷し、これを配線基板となるセラミックグリーンシー
トの積層体とともに焼成することによって、絶縁層１ｂ
と１ｃとの間に凹部３内から基板１外周部にかけて延び
るようにして配設される。
から成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有機
バインダ・溶剤等を添加混合して得たタングステンペー
ストを絶縁層１ｂとなるセラミックグリーンシートに従
来周知のスクリーン印刷法を採用して所定のパターンに
印刷し、これを配線基板となるセラミックグリーンシー
トの積層体とともに焼成することによって、絶縁層１ｂ
と１ｃとの間に凹部３内から基板１外周部にかけて延び
るようにして配設される。
【００２７】さらに、積層された複数の絶縁層１ｂ・１
ｃの上面および下面である絶縁層１ａと１ｂとの間およ
び絶縁層１ｃの上面には、信号用配線導体４を上下から
絶縁層１ｂ・１ｃを介して挟むように広面積のグランド
導体層６ａ・６ｂが配設されている。
ｃの上面および下面である絶縁層１ａと１ｂとの間およ
び絶縁層１ｃの上面には、信号用配線導体４を上下から
絶縁層１ｂ・１ｃを介して挟むように広面積のグランド
導体層６ａ・６ｂが配設されている。
【００２８】グランド導体層６ａ・６ｂは、信号用配線
導体４と同様にタングステンやモリブデン・モリブデン
−マンガン・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末メタ
ライズ、あるいは銅・ニッケル・クロム・チタン・金や
それらの合金等の金属材料などから成り、信号用配線導
体４の上下方向を電磁的にシールドするとともに信号用
配線導体４の特性インピーダンスを所定の値に整合させ
る作用をなし、絶縁層１ｂ・１ｃを介して信号用配線導
体４を上下から挟んでいる。
導体４と同様にタングステンやモリブデン・モリブデン
−マンガン・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末メタ
ライズ、あるいは銅・ニッケル・クロム・チタン・金や
それらの合金等の金属材料などから成り、信号用配線導
体４の上下方向を電磁的にシールドするとともに信号用
配線導体４の特性インピーダンスを所定の値に整合させ
る作用をなし、絶縁層１ｂ・１ｃを介して信号用配線導
体４を上下から挟んでいる。
【００２９】これにより、グランド導体層６ａ・６ｂ
は、信号用配線導体４を上下から挟んでいることから、
信号用配線導体４に上下方向から電磁波が侵入したり、
あるいは信号用配線導体４から発生した電磁波が上下方
向に洩れたりするのを有効に防止することができる。
は、信号用配線導体４を上下から挟んでいることから、
信号用配線導体４に上下方向から電磁波が侵入したり、
あるいは信号用配線導体４から発生した電磁波が上下方
向に洩れたりするのを有効に防止することができる。
【００３０】グランド導体層６ａ・６ｂは、例えばタン
グステンから成る場合であれば、タングステン粉末に適
当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して得たタングス
テンペーストを絶縁層１ａ・１ｃとなるセラミックグリ
ーンシートに従来周知のスクリーン印刷法を採用するこ
とによって所定のパターンに印刷し、これを配線基板と
なるセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成す
ることによって、絶縁層１ａと１ｂとの間および絶縁層
１ｃの上面に、間に絶縁層１ｂ・１ｃを介して信号用配
線導体４を上下から挟むようにして配設される。
グステンから成る場合であれば、タングステン粉末に適
当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して得たタングス
テンペーストを絶縁層１ａ・１ｃとなるセラミックグリ
ーンシートに従来周知のスクリーン印刷法を採用するこ
とによって所定のパターンに印刷し、これを配線基板と
なるセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成す
ることによって、絶縁層１ａと１ｂとの間および絶縁層
１ｃの上面に、間に絶縁層１ｂ・１ｃを介して信号用配
線導体４を上下から挟むようにして配設される。
【００３１】また、絶縁層１ｂ・１ｃには、図１および
図３に示すように、絶縁層１ｂ・１ｃを上下に貫通して
信号用配線導体４に沿って延びる貫通溝７が形成されて
おり、この貫通溝７の少なくとも信号用配線導体４側の
内壁にはグランド導体層６ａ・６ｂに接続された金属層
８がほぼ全面にわたり被着されている。
図３に示すように、絶縁層１ｂ・１ｃを上下に貫通して
信号用配線導体４に沿って延びる貫通溝７が形成されて
おり、この貫通溝７の少なくとも信号用配線導体４側の
内壁にはグランド導体層６ａ・６ｂに接続された金属層
８がほぼ全面にわたり被着されている。
【００３２】この貫通溝７は、従来の配線基板において
信号用配線導体14の両横に所定の間隔で信号用配線導体
14に沿って延びる列をなすように配設されている貫通導
体17と同様に、信号用配線導体４の左右において電磁的
なシールドとして機能するような位置および距離・深さ
・幅・断面形状等となるように信号用配線導体４に沿っ
て延びる溝として形成されている。
信号用配線導体14の両横に所定の間隔で信号用配線導体
14に沿って延びる列をなすように配設されている貫通導
体17と同様に、信号用配線導体４の左右において電磁的
なシールドとして機能するような位置および距離・深さ
・幅・断面形状等となるように信号用配線導体４に沿っ
て延びる溝として形成されている。
【００３３】このような貫通溝７は、例えば絶縁層１ｂ
および１ｃとなるセラミックグリーンシートの所定位置
に貫通溝７に対応した形状の貫通孔を打ち抜いておくこ
とによって、絶縁層１ｂおよび１ｃにこれらの絶縁層１
ｂ・１ｃを上下に貫通し、かつ信号用配線導体４に沿っ
て延びるようにして形成される。
および１ｃとなるセラミックグリーンシートの所定位置
に貫通溝７に対応した形状の貫通孔を打ち抜いておくこ
とによって、絶縁層１ｂおよび１ｃにこれらの絶縁層１
ｂ・１ｃを上下に貫通し、かつ信号用配線導体４に沿っ
て延びるようにして形成される。
【００３４】貫通溝７の内壁に被着された金属層８は、
グランド導体層６ａ・６ｂと同様にタングステンやモリ
ブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウ
ム等の金属粉末メタライズ、あるいは銅・ニッケル・ク
ロム・チタン・金やそれらの合金等の金属材料などから
成り、信号用配線導体４の水平方向を電磁的にシールド
するとともに信号用配線導体４の特性インピーダンスを
所定の値に整合させる作用をなし、貫通溝７の内壁のほ
ぼ全面に被着されることにより信号用配線導体４を左右
から挟んでいる。
グランド導体層６ａ・６ｂと同様にタングステンやモリ
ブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウ
ム等の金属粉末メタライズ、あるいは銅・ニッケル・ク
ロム・チタン・金やそれらの合金等の金属材料などから
成り、信号用配線導体４の水平方向を電磁的にシールド
するとともに信号用配線導体４の特性インピーダンスを
所定の値に整合させる作用をなし、貫通溝７の内壁のほ
ぼ全面に被着されることにより信号用配線導体４を左右
から挟んでいる。
【００３５】金属層８は、貫通溝７の少なくとも信号用
配線導体４側の内壁のほぼ全面に被着されていることか
ら、信号用配線導体４を左右から隙間なく挟むことがで
き、その結果、信号用配線導体４に水平方向から電磁波
が侵入したり、あるいは信号用配線導体４から発生した
電磁波が水平方向に漏れたりするのを有効に防止するこ
とができる。
配線導体４側の内壁のほぼ全面に被着されていることか
ら、信号用配線導体４を左右から隙間なく挟むことがで
き、その結果、信号用配線導体４に水平方向から電磁波
が侵入したり、あるいは信号用配線導体４から発生した
電磁波が水平方向に漏れたりするのを有効に防止するこ
とができる。
【００３６】したがって、このような本発明の配線基板
によれば、信号用配線導体４の上下左右がグランド導体
層６ａ・６ｂおよび金属層８で隙間なく取り囲まれるこ
ととなり、近接する電子回路が発生する電磁波が信号用
配線導体４に侵入することがないと同時に、信号用配線
導体４から発生する電磁波が近接する電子回路等に洩れ
出ることはなく、信号用配線導体４によって高速信号を
正確に伝播させることができるとともに近接する電子回
路等への悪影響を及ぼすことがない。
によれば、信号用配線導体４の上下左右がグランド導体
層６ａ・６ｂおよび金属層８で隙間なく取り囲まれるこ
ととなり、近接する電子回路が発生する電磁波が信号用
配線導体４に侵入することがないと同時に、信号用配線
導体４から発生する電磁波が近接する電子回路等に洩れ
出ることはなく、信号用配線導体４によって高速信号を
正確に伝播させることができるとともに近接する電子回
路等への悪影響を及ぼすことがない。
【００３７】また、このような本発明の配線基板によれ
ば、貫通溝７の両側の内壁に金属層８を被着した場合に
も、金属層８は貫通溝７を埋めておらず貫通溝７の中央
部に空隙が形成されていることから、例えば金属層８と
絶縁層１ｂ・１ｃとの間に熱膨張係数の差があったとし
ても、両者の熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力
は、貫通溝７の中央部に形成された空隙によって良好に
吸収分散され、絶縁層１ａ・１ｂに大きく作用すること
はない。その結果、金属層８と絶縁層１ｂ・1ｃとの熱
膨張係数の差に起因して絶縁基体１ｂ・１ｃにクラック
が発生することもない。
ば、貫通溝７の両側の内壁に金属層８を被着した場合に
も、金属層８は貫通溝７を埋めておらず貫通溝７の中央
部に空隙が形成されていることから、例えば金属層８と
絶縁層１ｂ・１ｃとの間に熱膨張係数の差があったとし
ても、両者の熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力
は、貫通溝７の中央部に形成された空隙によって良好に
吸収分散され、絶縁層１ａ・１ｂに大きく作用すること
はない。その結果、金属層８と絶縁層１ｂ・1ｃとの熱
膨張係数の差に起因して絶縁基体１ｂ・１ｃにクラック
が発生することもない。
【００３８】なお、金属層８は、例えばタングステンか
ら成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有機バ
インダ・溶剤等を添加混合して得たタングステンペース
トを絶縁層１ａ・１ｃとなるセラミックグリーンシート
に設けた貫通溝７となる貫通孔内に流し込むとともに下
方から吸引することによって貫通溝７の内壁に塗布し、
これを配線基板となるセラミックグリーンシートの積層
体とともに焼成することによって、貫通孔７の内壁のほ
ぼ全面にグランド導体層６ａ・６ｂに電気的に接続され
るようにして被着される。
ら成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有機バ
インダ・溶剤等を添加混合して得たタングステンペース
トを絶縁層１ａ・１ｃとなるセラミックグリーンシート
に設けた貫通溝７となる貫通孔内に流し込むとともに下
方から吸引することによって貫通溝７の内壁に塗布し、
これを配線基板となるセラミックグリーンシートの積層
体とともに焼成することによって、貫通孔７の内壁のほ
ぼ全面にグランド導体層６ａ・６ｂに電気的に接続され
るようにして被着される。
【００３９】かくして、上述の本発明の配線基板によれ
ば、凹部３の底面に電子部品２を搭載するとともに電子
部品２の信号電極を信号用配線導体４にボンディングワ
イヤ５等を介して接続することによって、高速作動の電
子部品２を搭載する配線基板として供される。
ば、凹部３の底面に電子部品２を搭載するとともに電子
部品２の信号電極を信号用配線導体４にボンディングワ
イヤ５等を介して接続することによって、高速作動の電
子部品２を搭載する配線基板として供される。
【００４０】なお、本発明の配線基板は上述の実施の形
態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例え
ば、上述の実施の形態の一例では、内壁に金属層８を有
する貫通溝７は信号用配線導体４の両側に設けられてい
たが、内壁に金属層８を有する貫通溝７は、信号用配線
導体４の片側のみシールドが必要な場合であれば、この
片側のみに設けておけばよい。
態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例え
ば、上述の実施の形態の一例では、内壁に金属層８を有
する貫通溝７は信号用配線導体４の両側に設けられてい
たが、内壁に金属層８を有する貫通溝７は、信号用配線
導体４の片側のみシールドが必要な場合であれば、この
片側のみに設けておけばよい。
【００４１】また、貫通溝７は、上述の実施の形態の一
例においては複数の絶縁層１ｂ・１ｃを上下に貫通して
おれば十分であるが、絶縁層１ｂ・１ｃにさらに絶縁層
１ａが積層一体化されている場合にこの絶縁層１ａの途
中にまで延長されたものとして形成してもよい。
例においては複数の絶縁層１ｂ・１ｃを上下に貫通して
おれば十分であるが、絶縁層１ｂ・１ｃにさらに絶縁層
１ａが積層一体化されている場合にこの絶縁層１ａの途
中にまで延長されたものとして形成してもよい。
【００４２】さらに、上述の実施の形態の一例では貫通
溝７は絶縁層１ｂと１ｃとで同じ大きさ・形状であった
が、貫通溝７は、例えば図４に図３と同様の断面図で示
すように、絶縁層１ｂと１ｃとで異なる大きさ・形状で
あってもよい。
溝７は絶縁層１ｂと１ｃとで同じ大きさ・形状であった
が、貫通溝７は、例えば図４に図３と同様の断面図で示
すように、絶縁層１ｂと１ｃとで異なる大きさ・形状で
あってもよい。
【００４３】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、上面および
下面にグランド導体層を有する複数の絶縁層に、絶縁層
間に配設された信号用配線導体に沿って延びる貫通溝を
設けるとともにこの貫通溝の内壁にグランド導体層に接
続された金属層を被着させたことから、上下のグランド
導体層によって信号用配線導体に対する上下方向に電磁
的にシールドされるとともに、この貫通溝の内壁に被着
された金属層によって信号用配線導体に対する水平方向
の電磁的なシールドが完全なものとなるため、信号用配
線導体の横に他の電子回路等がある場合であっても、こ
の電子回路等からの電磁波が信号用配線導体内に侵入し
たり、あるいは信号用配線導体から発生する電磁波がこ
の電子回路等に洩れ出ることはない。その結果、信号用
配線導体によって高速信号を正確に伝播させることがで
きるとともに近接する電子回路等に悪影響を及ぼすこと
のない配線基板を提供することができる。
下面にグランド導体層を有する複数の絶縁層に、絶縁層
間に配設された信号用配線導体に沿って延びる貫通溝を
設けるとともにこの貫通溝の内壁にグランド導体層に接
続された金属層を被着させたことから、上下のグランド
導体層によって信号用配線導体に対する上下方向に電磁
的にシールドされるとともに、この貫通溝の内壁に被着
された金属層によって信号用配線導体に対する水平方向
の電磁的なシールドが完全なものとなるため、信号用配
線導体の横に他の電子回路等がある場合であっても、こ
の電子回路等からの電磁波が信号用配線導体内に侵入し
たり、あるいは信号用配線導体から発生する電磁波がこ
の電子回路等に洩れ出ることはない。その結果、信号用
配線導体によって高速信号を正確に伝播させることがで
きるとともに近接する電子回路等に悪影響を及ぼすこと
のない配線基板を提供することができる。
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す上
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す配線基板のＸ−Ｘ線における断面図
である。
である。
【図３】図１に示す配線基板のＹ−Ｙ線における断面図
である。
である。
【図４】本発明の配線基板の実施の形態の別の例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の配線基板の例を示す上面図である。
【図６】図５に示す配線基板のＸ−Ｘ線における断面図
である。
である。
【図７】図５に示す配線基板のＹ−Ｙ線における断面図
である。
である。
１ｂ、１ｃ・・・・・絶縁層 ２・・・・・・・・・電子部品 ４・・・・・・・・・信号用配線導体 ６ａ、６ｂ・・・・・グランド導体層 ７・・・・・・・・・貫通溝 ８・・・・・・・・・金属層
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の絶縁層を積層して成り、該複数の
絶縁層間に配設された信号用配線導体と、積層された前
記複数の絶縁層の上面および下面に配設された前記信号
用配線導体を挟むグランド導体層とを具備する配線基板
において、前記複数の絶縁層を上下に貫通し、かつ前記
信号用配線導体に沿って延びる貫通溝を設けるととも
に、該貫通溝の前記信号用配線導体側の内壁に前記グラ
ンド導体層に接続された金属層を被着させたことを特徴
とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP343499A JP2000208947A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP343499A JP2000208947A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208947A true JP2000208947A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11557269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP343499A Pending JP2000208947A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208947A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228113A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Rion Co Ltd | プリント基板を用いた絶縁構造 |
| JP2013030514A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| CN104080274A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 深南电路有限公司 | 一种封装基板及其制作方法和基板组件 |
| CN115087195A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-09-20 | 哈尔滨理工大学 | 基于气体高阻特性减小泄漏电流的微电流测量电路板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1041630A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Fujitsu Ltd | 多層プリント板及びこれを利用した高周波回路装置 |
| JPH113967A (ja) * | 1997-04-14 | 1999-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP343499A patent/JP2000208947A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1041630A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Fujitsu Ltd | 多層プリント板及びこれを利用した高周波回路装置 |
| JPH113967A (ja) * | 1997-04-14 | 1999-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
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| JP2013030514A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| CN104080274A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 深南电路有限公司 | 一种封装基板及其制作方法和基板组件 |
| WO2014154000A1 (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 深南电路有限公司 | 一种封装基板及其制作方法和基板组件 |
| CN104080274B (zh) * | 2013-03-29 | 2016-12-28 | 深南电路有限公司 | 一种封装基板及其制作方法和基板组件 |
| CN115087195A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-09-20 | 哈尔滨理工大学 | 基于气体高阻特性减小泄漏电流的微电流测量电路板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060606 |