JP2000208829A - ホ―ル素子 - Google Patents

ホ―ル素子

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JP2000208829A
JP2000208829A JP11007696A JP769699A JP2000208829A JP 2000208829 A JP2000208829 A JP 2000208829A JP 11007696 A JP11007696 A JP 11007696A JP 769699 A JP769699 A JP 769699A JP 2000208829 A JP2000208829 A JP 2000208829A
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JP
Japan
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hall element
element chip
space
resin
inert gas
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Application number
JP11007696A
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English (en)
Inventor
Takashi Shimada
隆司 島田
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】実用時に出力電圧の温度変化に対する変動が極
力少ないホール素子を提供すること。 【解決手段】リードフレームに接続されたホール素子チ
ップが樹脂でモールドされて成るホール素子において、
前記ホール素子チップと前記樹脂との間に空間を設け、
且つ該空間を不活性ガスで封入したことにある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホール素子に関す
るものである。更に詳述すれば本発明は、リードフレー
ムに接続されたホール素子チップがモールド樹脂でモー
ルドされて成るホール素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のホール素子の横断面図で
ある。11はリードフレーム、12はホール素子チッ
プ、13はモールド樹脂である。ホール素子チップ12
は、リードフレーム11に電気的に接続され、ホール素
子チップ12に流れる電流や発生する電圧が計測できる
ように構成されている。そして、全体がモールド樹脂1
3によりモールドされ、機械的な強度を有するように構
成されている。
【0003】ホール素子は、ホール効果という物理現象
を利用した素子である。ホール効果とは、導体あるいは
半導体に電流iが流れている時に、電流iと直角方向に
磁場Bを作用させると、電流iと磁場Bの両方に対して
垂直な方向に電位差Vを生じる現象である。電位差Vの
生じる方向の導体あるいは半導体の幅をdとすると、V
=R・B・i・dの関係が成り立つが、ここでBは磁束
密度、iは電流密度であり、Rはホール係数と呼ばれ例
えば銀では−8.4である。
【0004】従って、ホール素子を用いて磁束密度や電
圧や電流が測定でき、その利用分野は多岐に亘る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のホール素子には
以下に示す問題点があった。
【0006】ホール素子チップ12がモールド樹脂13
と直接に接触しているために、ホール素子の周囲の温度
(使用環境の温度)が変化すると、モールド樹脂13が
熱膨張・収縮する。また、ホール素子チップ12の発熱
によっても、ホール素子チップ12周辺のモールド樹脂
13が熱膨張・収縮する。すると、このモールド樹脂1
3の熱膨張・収縮によりホール素子チップ12に歪が生
じ、これにより不平衡電圧のドリフトが発生していた。
この不平衡電圧のドリフトは、実用時にはホール素子の
出力電圧の温度変化に対する変動として観測され、ダイ
ナミックレンジの縮小や検出感度の劣化などの原因にな
っていた。
【0007】従って本発明の目的は、前記した従来技術
の欠点を解消し、実用時に出力電圧の温度変化に対する
変動が極力少ないホール素子を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するため、リードフレームに接続されたホール素子チ
ップが樹脂でモールドされて成るホール素子において、
前記ホール素子チップと前記樹脂との間に空間を設け
た。
【0009】また、前記の空間には不活性ガスを封入し
た。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、本発明のホール素子の一
実施例を示した横断面図である。1はリードフレーム、
2はホール素子チップ、3は空間、4は封止樹脂であ
る。ホール素子チップ2は、リードフレーム1に電気的
に接続され、ホール素子チップ2に流れる電流や発生す
る電圧が計測できるように構成されている。そして、ホ
ール素子チップ2の周辺に空間3が設けられ、この空間
3を覆うように封止樹脂4によりモールドされ、機械的
な強度を有するように構成されている。この空間3に
は、アルゴンや窒素などの不活性ガスが封入されてい
る。
【0011】このように空間3を設けることにより、ホ
ール素子周囲の温度(使用環境温度)が変化して、封止
樹脂4に熱膨張・収縮が生じても、ホール素子チップ2
には歪が印加されないですむ。また、ホール素子チップ
2の発熱があって、ホール素子チップ2周辺の封止樹脂
4の熱膨張・収縮が生じても、やはりホール素子チップ
2には歪が印加されないですむ。
【0012】従って、このホール素子においては、ホー
ル素子チップ2の周囲を不活性ガスの気相とし、この気
相の周囲を樹脂により取り囲む構造としたので、ホール
素子チップ2に加わる歪はほとんどなく、これにより不
平衡電圧のドリフトは皆無となった。
【0013】実際の製作において、この空間3は次のよ
うにして設けることが可能である。封止樹脂4にて、ホ
ール素子チップ2を封止する際に、ホール素子チップ2
を中心に不活性ガスを流す。不活性ガスを多量に流した
まま封止樹脂4にてホール素子チップ2を封止すると、
自然に不活性ガスが取り込まれる。その結果、図1に示
したような空間3と同様の空間を形成することができ
る。
【0014】あるいは、ホール素子チップ2の周囲の封
止樹脂4を上方と下方の2つの部分に分け、それらが合
わされて空間3が構成されるように封止樹脂4を予め製
作しておき、不活性ガス雰囲気中でこれらの封止樹脂4
を同種の樹脂にて貼り合わせる。
【0015】更には、次の方法も可能である。ホール素
子チップ2を封止樹脂4にて従来と同様にモールドす
る。そして、封止樹脂4が固まらないうちに、針などに
よりホール素子チップ2の周辺に不活性ガスを流し込ん
で空間3を形成する。その後、針を引き抜いてその穴を
同種の樹脂で埋め込む。空間3の形成方法や大きさは、
ホール素子チップ2の寸法や使用する封止樹脂4の種類
などにより適宜選択することができる。
【0016】
【発明の効果】本発明のホール素子は、ホール素子チッ
プと周囲の封止樹脂とが空間により隔てられ、且つその
空間には不活性ガスが封入されていることから、実用時
ホール素子の出力電圧の温度変化は皆無となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のホール素子の一実施例を示した横断面
図である。
【図2】従来のホール素子を示した横断面図である。
【符号の説明】
1、11 リードフレーム 2、12 ホール素子チップ 3 空間 4 封止樹脂 13 モールド樹脂

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】リードフレームに接続されたホール素子チ
    ップが樹脂でモールドされて成るホール素子において、
    前記ホール素子チップと前記樹脂との間に空間が設けら
    れて成ることを特徴とするホール素子。
  2. 【請求項2】空間は、不活性ガスが封入されて成ること
    を特徴とする請求項1記載のホール素子。
JP11007696A 1999-01-14 1999-01-14 ホ―ル素子 Pending JP2000208829A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011027202A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Denso Corp レンジ検出装置
JP2012204808A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法

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