JP2000208328A - インダクタンス素子 - Google Patents

インダクタンス素子

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JP2000208328A
JP2000208328A JP11008814A JP881499A JP2000208328A JP 2000208328 A JP2000208328 A JP 2000208328A JP 11008814 A JP11008814 A JP 11008814A JP 881499 A JP881499 A JP 881499A JP 2000208328 A JP2000208328 A JP 2000208328A
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JP
Japan
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core
ferrite core
cores
inductance element
conductive pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP11008814A
Other languages
English (en)
Inventor
Chiho Morita
千穂 森田
Satoshi Sakurai
智 櫻井
Mitsuo Sakakura
光男 坂倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Publication date
Application filed by Toko Inc filed Critical Toko Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で、インダクタンスが大きく、外部に漏
れる磁束の少ないインダクタンス素子を得る。 【解決手段】 螺旋状の導体パターンを形成した円柱形
または角柱形のフェライトコアを、凹溝を有する二枚の
コアで挟んで閉磁路化する。コアの両端に端子を形成
し、螺旋状の導体パターンの端部を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子に係るもので、特に、フェライトコアの周囲に導体膜
によるコイル形成用の導体パターンが形成されたタイプ
のインダクタンス素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】インダクタンス素子は、一般にフェライ
トコアに導線を巻き回すものが用いられていたが、加工
技術の進歩等によって、巻線に代えて磁性体上に導体膜
を形成する構造のものが実用化されている。特に、レー
ザー加工技術の進歩によって、精度の高い導体パターン
が得られるようになり、中高周波用のチップインダクタ
等として適したものが得られるようになっている。
【0003】このタイプのインダクタンス素子は、図5
に示したように、フェライトコア50の周囲に螺旋状の導
体パターン52を形成し、両端に端子電極54を形成したも
のである。製造するにあたっては、フェライトコアの側
面全体に導体膜を形成し、この導体膜を切削してフェラ
イト素体を露出させ、螺旋状の導体パターンを残すよう
にするのが一般的である。
【0004】導体膜の切削には、カッターに代えてレー
ザービームを照射して導体膜を除去する方法が採用され
るようになった。これによって、精度良く導体パターン
を形成できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】磁性体コアの両端の外
径を大きくして外径の小さい部分に導体パターンを形成
したインダクタンス素子は、ドラムコアに巻線を施した
コイルと同様の構造となる。導体膜の保護のために樹脂
で覆うのが一般的であるが、開磁路構造となるためにイ
ンダクタンスを大きくすることが難しく、また近接して
配置する他の素子に対する干渉を生じ易くなる。本発明
は、インダクタンス素子を閉磁路化して、インダクタン
スを向上させるとともに、外部への磁束の漏れを防止で
きるインダクタンス素子を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、螺旋状の導体
パターンが形成されたコアの周囲を別の磁性体コアで囲
み、これらのコアで閉磁路を構成させることによって、
上記の課題を解決するものである。
【0007】すなわち、円柱または角柱形のフェライト
コアの側面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって
切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターン
が形成されたインダクタンス素子において、螺旋状の導
体パターンが形成された内側フェライトコアが凹溝を有
する複数の角柱形の外側フェライトコアに挟持され、凹
溝によって形成される貫通孔の開口する端面に端子電極
が形成されたことに特徴を有するものである。
【0008】
【発明の実施の形態】螺旋状の導体パターンの外側の位
置するコアは、全体として角柱形であることが望まし
い。半円形の凹溝を有する二枚のコアで導体パターンの
形成されたコアを挟むようにしてもよい。端子は角柱の
端面と隣接する側面の端部に跨るように形成するとよ
い。導体パターンの形成されコアは円柱形でも角柱形で
もよいし、鍔を有するものでも有しないものであっても
よい。
【0009】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
【0010】図1は、本発明の実施例を示す斜視図であ
る。円柱形のフェライトコア10の周囲に螺旋状の導体パ
ターンをレーザ加工等によって形成し、これを半円形の
凹溝によって形成される貫通孔を有する角柱形のフェラ
イトコア16a、16bによって形成される貫通孔に挿入す
るものである。導体パターンの形成されるフェライトコ
アは角柱形でもよいし、両端に外径の大きい鍔状の部分
を有しているものでもよい。
【0011】螺旋状の導体パターンの端部はコアの端面
まで伸びて端面の導体パターンと接続して形成してお
く。螺旋状の導体パターンが形成されたコアを貫通孔に
完全に挿入した後に接着剤で固定し、図2に示したよう
に端子電極24を形成する。この端子電極24は導体ペース
トを塗布し、焼付けした後にメッキを施して形成すると
よい。端子電極24は端面とそれに隣接する表面に跨って
形成しておくとよい。
【0012】図3は、本発明の他の実施例を示す斜視図
である。螺旋状の導体パターンを形成するコア30には、
四角形の鍔31が形成されており、導体パターンの形成さ
れた部分を半円形の溝を有するコア26で挟む構造のもの
である。コア26の長さは、コア30の螺旋状の導体パター
ンが形成される部分の長さより僅かに小さくしておくと
よい。この場合には、端子は鍔の端面とそれに隣接する
表面に跨って前記の例と同様に形成すればよい。
【0013】なお、本発明によるインダクタンス素子
は、2素子以上を一体に形成することもできる。また、
複数の素子を接着して一体化することもできる。
【0014】図4(a)は、本発明の他の実施例を示す
斜視図である。図示しない螺旋状の導体パターンを形成
したコアがコア46で囲まれて閉磁路化されたもので、螺
旋状の導体パターンの端部は端子電極44に接続されてい
る。本実施例においては、コア46の表面に端子電極44と
は絶縁された電極45が形成されている。これによって、
螺旋状の導体パターンと電極45との間に容量が形成さ
れ、図4(b)に示した回路が得られる。
【0015】本発明は、上記の例に限られるものではな
く、螺旋状の導体パターンが形成されるコア、それを囲
むコアの形状は任意に選択できる。また、端子電極の形
状も実装形態に応じて任意に選択できる。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、閉磁路化することによ
って、小型で高インダクタンス、高Qのインダクタンス
素子が得られる。また、それによって外部に磁束が漏れ
ることを防止できるとともに、外部磁束の影響を受ける
ことも防止できる。
【0017】また、電極形成位置による制約がなく、実
装時にバルク対応が可能となる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す組立て前の斜視図
【図2】 本発明の実施例を示す組立て後の斜視図
【図3】 本発明の他の実施例を示す斜視図
【図4】 本発明の他の実施例を示す斜視図
【図5】 従来のインダクタンス素子を示す正面図
【符号の説明】
10、30、50:フェライトコア 24、44:端子電極 16、26、36:フェライトコア
フロントページの続き (72)発明者 坂倉 光男 埼玉県比企郡玉川村大字玉川字日野原828 番地 東光株式会社玉川工場内 Fターム(参考) 5E070 AA01 AB04 AB10 BA03 BA07 BA08 CC03 DB06 EA01 EB03

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
    面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
    フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
    れたインダクタンス素子において、螺旋状の導体パター
    ンが形成された内側フェライトコアがそのコアが収納さ
    れる凹溝を有する複数の角柱形の外側フェライトコアに
    挟持され、凹溝によって形成される貫通孔の開口する端
    面に端子電極が形成されたことを特徴とするインダクタ
    ンス素子。
  2. 【請求項2】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
    面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
    フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
    れたインダクタンス素子において、螺旋状の導体パター
    ンが形成された内側フェライトコアがそのコアが収納さ
    れる凹溝を有する複数の角柱形の外側フェライトコアに
    挟持され、内側および外側のコアによって閉磁路が形成
    され、凹溝によって形成される貫通孔の開口する端面に
    端子電極が形成されたことを特徴とするインダクタンス
    素子。
  3. 【請求項3】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
    面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
    フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
    れたインダクタンス素子において、両端に直方体の鍔を
    有する螺旋状の導体パターンが形成された内側フェライ
    トコアがそのコアが収納される凹溝を有する複数の角柱
    形の外側フェライトコアに挟持され、内側フェライトコ
    アの鍔の端面に端子電極が形成されたことを特徴とする
    インダクタンス素子。
  4. 【請求項4】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
    面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
    フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
    れたインダクタンス素子において、両端に直方体の鍔を
    有する螺旋状の導体パターンが形成された内側フェライ
    トコアがそのコアが収納される凹溝を有する複数の角柱
    形の外側フェライトコアに挟持され、内側および外側の
    コアによって閉磁路が形成され、内側フェライトコアの
    鍔の端面に端子電極が形成されたことを特徴とするイン
    ダクタンス素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN108682542A (zh) * 2018-05-11 2018-10-19 华为技术有限公司 电感结构以及电子设备

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