JP2000114049A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
- Publication number
- JP2000114049A JP2000114049A JP10277751A JP27775198A JP2000114049A JP 2000114049 A JP2000114049 A JP 2000114049A JP 10277751 A JP10277751 A JP 10277751A JP 27775198 A JP27775198 A JP 27775198A JP 2000114049 A JP2000114049 A JP 2000114049A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite core
- conductor pattern
- core
- inductance element
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、インダクタンスが大きく、外部に漏
れる磁束の少ないインダクタンス素子を得る。 【解決手段】 螺旋状の導体パターンを形成した円柱形
または角柱形のフェライトコアを、貫通孔を有するコア
に挿入して閉磁路化する。コアの両端に端子を形成し、
螺旋状の導体パターンの端部を接続する。
れる磁束の少ないインダクタンス素子を得る。 【解決手段】 螺旋状の導体パターンを形成した円柱形
または角柱形のフェライトコアを、貫通孔を有するコア
に挿入して閉磁路化する。コアの両端に端子を形成し、
螺旋状の導体パターンの端部を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子に係るもので、特に、フェライトコアの周囲に導体膜
によるコイル形成用の導体パターンが形成されたタイプ
のインダクタンス素子に関するものである。
子に係るもので、特に、フェライトコアの周囲に導体膜
によるコイル形成用の導体パターンが形成されたタイプ
のインダクタンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】インダクタンス素子は、一般にフェライ
トコアに導線を巻き回すものが用いられていたが、加工
技術の進歩等によって、巻線に代えて磁性体上に導体膜
を形成する構造のものが実用化されている。特に、レー
ザー加工技術の進歩によって、精度の高い導体パターン
が得られるようになり、中高周波用のチップインダクタ
等として適したものが得られるようになっている。
トコアに導線を巻き回すものが用いられていたが、加工
技術の進歩等によって、巻線に代えて磁性体上に導体膜
を形成する構造のものが実用化されている。特に、レー
ザー加工技術の進歩によって、精度の高い導体パターン
が得られるようになり、中高周波用のチップインダクタ
等として適したものが得られるようになっている。
【０００３】このタイプのインダクタンス素子は、図５
に示したように、フェライトコア50の周囲に螺旋状の導
体パターン52を形成し、両端に端子電極54を形成したも
のである。製造するにあたっては、フェライトコアの側
面全体に導体膜を形成し、この導体膜を切削してフェラ
イト素体を露出させ、螺旋状の導体パターンを残すよう
にするのが一般的である。
に示したように、フェライトコア50の周囲に螺旋状の導
体パターン52を形成し、両端に端子電極54を形成したも
のである。製造するにあたっては、フェライトコアの側
面全体に導体膜を形成し、この導体膜を切削してフェラ
イト素体を露出させ、螺旋状の導体パターンを残すよう
にするのが一般的である。
【０００４】導体膜の切削には、カッターに代えてレー
ザービームを照射して導体膜を除去する方法が採用され
るようになった。これによって、精度良く導体パターン
を形成できる。
ザービームを照射して導体膜を除去する方法が採用され
るようになった。これによって、精度良く導体パターン
を形成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁性体コアの両端の外
径を大きくして外径の小さい部分に導体パターンを形成
したインダクタンス素子は、ドラムコアに巻線を施した
コイルと同様の構造となる。導体膜の保護のために樹脂
で覆うのが一般的であるが、開磁路構造となるためにイ
ンダクタンスを大きくすることが難しく、また近接して
配置する他の素子に対する干渉を生じ易くなる。本発明
は、インダクタンス素子を閉磁路化して、インダクタン
スを向上させるとともに、外部への磁束の漏れを防止で
きるインダクタンス素子を提供するものである。
径を大きくして外径の小さい部分に導体パターンを形成
したインダクタンス素子は、ドラムコアに巻線を施した
コイルと同様の構造となる。導体膜の保護のために樹脂
で覆うのが一般的であるが、開磁路構造となるためにイ
ンダクタンスを大きくすることが難しく、また近接して
配置する他の素子に対する干渉を生じ易くなる。本発明
は、インダクタンス素子を閉磁路化して、インダクタン
スを向上させるとともに、外部への磁束の漏れを防止で
きるインダクタンス素子を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、螺旋状の導体
パターンが形成されたコアの周囲を磁性体コアで囲み、
これらのコアで閉磁路を構成させることによって、上記
の課題を解決するものである。
パターンが形成されたコアの周囲を磁性体コアで囲み、
これらのコアで閉磁路を構成させることによって、上記
の課題を解決するものである。
【０００７】すなわち、円柱または角柱形のフェライト
コアの側面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって
切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターン
が形成されたインダクタンス素子において、螺旋状の導
体パターンが形成されたフェライトコアが貫通孔を有す
る角柱形のフェライトコアの貫通孔に挿入され、貫通孔
の開口する端面に端子電極が形成されたことに特徴を有
するものである。
コアの側面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって
切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターン
が形成されたインダクタンス素子において、螺旋状の導
体パターンが形成されたフェライトコアが貫通孔を有す
る角柱形のフェライトコアの貫通孔に挿入され、貫通孔
の開口する端面に端子電極が形成されたことに特徴を有
するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】螺旋状の導体パターンの外側に位
置するコアは、中央部に貫通孔を有して全体として角柱
形であることが望ましい。端子は角柱の端面と隣接する
側面の端部に跨るように形成するとよい。導体パターン
の形成されたコアは円柱形でも角柱形でもよいし、一方
に鍔を有するものでもよい。
置するコアは、中央部に貫通孔を有して全体として角柱
形であることが望ましい。端子は角柱の端面と隣接する
側面の端部に跨るように形成するとよい。導体パターン
の形成されたコアは円柱形でも角柱形でもよいし、一方
に鍔を有するものでもよい。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】図１は、本発明の実施例を示す斜視図であ
る。円柱形のフェライトコア10の周囲に螺旋状の導体パ
ターンをレーザ加工等によって形成し、これを貫通孔を
有する角柱形のフェライトコア16の貫通孔に挿入するも
のである。導体パターンの形成されるフェライトコアは
角柱形でもよいし、両端に外径の大きい鍔状の部分を有
しているものでもよい。
る。円柱形のフェライトコア10の周囲に螺旋状の導体パ
ターンをレーザ加工等によって形成し、これを貫通孔を
有する角柱形のフェライトコア16の貫通孔に挿入するも
のである。導体パターンの形成されるフェライトコアは
角柱形でもよいし、両端に外径の大きい鍔状の部分を有
しているものでもよい。
【００１１】螺旋状の導体パターンの端部はコアの端面
まで伸びて端面の導体パターンと接続して形成してお
く。螺旋状の導体パターンが形成されたコアを貫通孔に
完全に挿入した後に接着剤で固定し、図２に示したよう
に端子電極24を形成する。この端子電極24は導体ペース
トを塗布し、焼付けした後にメッキを施して形成すると
よい。
まで伸びて端面の導体パターンと接続して形成してお
く。螺旋状の導体パターンが形成されたコアを貫通孔に
完全に挿入した後に接着剤で固定し、図２に示したよう
に端子電極24を形成する。この端子電極24は導体ペース
トを塗布し、焼付けした後にメッキを施して形成すると
よい。
【００１２】図３は、本発明と同じ課題を解決する他の
発明の実施例を示す斜視図である。螺旋状の導体パター
ンを形成するコア30には、四角形の鍔31が形成されてお
り、これを半円形の溝を有するコア26で挟む構造のもの
である。コア26の長さは、コア30の螺旋状の導体パター
ンが形成される部分の長さより僅かに小さくしておくと
よい。この場合も、端子は図２の例と同様に形成すれば
よい。
発明の実施例を示す斜視図である。螺旋状の導体パター
ンを形成するコア30には、四角形の鍔31が形成されてお
り、これを半円形の溝を有するコア26で挟む構造のもの
である。コア26の長さは、コア30の螺旋状の導体パター
ンが形成される部分の長さより僅かに小さくしておくと
よい。この場合も、端子は図２の例と同様に形成すれば
よい。
【００１３】なお、本発明によるインダクタンス素子
は、２素子以上を一体に形成することもできる。また、
複数の素子を接着して一体化することもできる。
は、２素子以上を一体に形成することもできる。また、
複数の素子を接着して一体化することもできる。
【００１４】図４（ａ）は、本発明の他の実施例を示す
斜視図である。図示しない螺旋状の導体パターンを形成
したコアがコア46で囲まれて閉磁路化されたもので、螺
旋状の導体パターンの端部は端子電極44に接続されてい
る。本実施例においては、コア46の表面に端子電極44と
は絶縁された電極45が形成されている。これによって、
螺旋状の導体パターンと電極45との間に容量が形成さ
れ、図４（ｂ）に示した回路が得られる。
斜視図である。図示しない螺旋状の導体パターンを形成
したコアがコア46で囲まれて閉磁路化されたもので、螺
旋状の導体パターンの端部は端子電極44に接続されてい
る。本実施例においては、コア46の表面に端子電極44と
は絶縁された電極45が形成されている。これによって、
螺旋状の導体パターンと電極45との間に容量が形成さ
れ、図４（ｂ）に示した回路が得られる。
【００１５】本発明は、上記の例に限られるものではな
く、螺旋状の導体パターンが形成されるコア、それを囲
むコアの形状は任意に選択できる。また、端子電極の形
状も実装形態に応じて任意に選択できる。
く、螺旋状の導体パターンが形成されるコア、それを囲
むコアの形状は任意に選択できる。また、端子電極の形
状も実装形態に応じて任意に選択できる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、閉磁路化することによ
って、小型で高インダクタンス、高Ｑのインダクタンス
素子が得られる。また、それによって外部に磁束が漏れ
たり、外部磁束による影響を受けることを防止できる。
って、小型で高インダクタンス、高Ｑのインダクタンス
素子が得られる。また、それによって外部に磁束が漏れ
たり、外部磁束による影響を受けることを防止できる。
【００１７】また、電極形成位置による方向性の制約が
なく、実装時にバルク対応が可能になる利点もある。
なく、実装時にバルク対応が可能になる利点もある。
【図１】 本発明の実施例を示す組立て前の斜視図
【図２】 本発明の実施例を示す組立て後の斜視図
【図３】 本発明と同じ課題を解決する他の発明の実施
例を示す斜視図
例を示す斜視図
【図４】 本発明の他の実施例を示す（ａ）斜視図と
（ｂ）等価回路図
（ｂ）等価回路図
【図５】 従来のインダクタンス素子を示す正面図
10、30、50：フェライトコア 24、44：端子電極 16、26、36：フェライトコア
Claims (3)
- 【請求項１】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
れたインダクタンス素子において、螺旋状の導体パター
ンが形成されたフェライトコアが貫通孔を有する角柱形
のフェライトコアの貫通孔に挿入され、貫通孔の開口す
る端面に端子電極が形成されたことを特徴とするインダ
クタンス素子。 - 【請求項２】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
れたインダクタンス素子において、螺旋状の導体パター
ンが形成されたフェライトコアが貫通孔を有する角柱形
のフェライトコアの貫通孔に挿入され、それらのコアに
よって閉磁路が形成され、貫通孔の開口する端面に端子
電極が形成されたことを特徴とするインダクタンス素
子。 - 【請求項３】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
れたインダクタンス素子において、螺旋状の導体パター
ンが形成されたフェライトコアが貫通孔を有する角柱形
のフェライトコアの貫通孔内に挿入され、貫通孔が開口
する端面に端子電極が形成され、螺旋状の導体パターン
の端部と端子電極とが接続されたことを特徴とするイン
ダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277751A JP2000114049A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277751A JP2000114049A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114049A true JP2000114049A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17587833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10277751A Pending JP2000114049A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114049A (ja) |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10277751A patent/JP2000114049A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040730 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041214 |