JPH0247627Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247627Y2 JPH0247627Y2 JP1984051496U JP5149684U JPH0247627Y2 JP H0247627 Y2 JPH0247627 Y2 JP H0247627Y2 JP 1984051496 U JP1984051496 U JP 1984051496U JP 5149684 U JP5149684 U JP 5149684U JP H0247627 Y2 JPH0247627 Y2 JP H0247627Y2
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- JP
- Japan
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- thin
- inductor
- main surface
- noise filter
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
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- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
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- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔技術分野〕
本考案はコンデンサとインダクタを組合せて構
成されるノイズフイルタに関し、特に、小型・薄
型に好適なノイズフイルタの構造に関するもので
ある。
成されるノイズフイルタに関し、特に、小型・薄
型に好適なノイズフイルタの構造に関するもので
ある。
一般に、ノイズフイルタは電気接点や半導体の
スイツチを含む機器の電源線を通して漏れる雑音
を防止するために使用される。
スイツチを含む機器の電源線を通して漏れる雑音
を防止するために使用される。
従来、ノイズフイルタに使用されるインダクタ
には、トロイダルコアに巻線を施す構造のものが
用いられている。というのは、トロイダルコアは
漏れ磁束が小さく、高いインピーダンス値が得ら
れ、理論解析し易い構造で、安価であるからで
す。しかしながら、巻線作業に多大の労力を要
し、インダクタの薄型化が困難である。というの
は、トロイダルコアを薄くしますと巻線の際の力
によりコアが割れしまい、だからと言つて力を入
れずに線をゆつくりと巻きますと、その結果得ら
れるインダクタが厚くなつてしまうからです。
には、トロイダルコアに巻線を施す構造のものが
用いられている。というのは、トロイダルコアは
漏れ磁束が小さく、高いインピーダンス値が得ら
れ、理論解析し易い構造で、安価であるからで
す。しかしながら、巻線作業に多大の労力を要
し、インダクタの薄型化が困難である。というの
は、トロイダルコアを薄くしますと巻線の際の力
によりコアが割れしまい、だからと言つて力を入
れずに線をゆつくりと巻きますと、その結果得ら
れるインダクタが厚くなつてしまうからです。
一方、現在のインダクタで最も小型のものとし
て、チツプインダクタと呼ばれるものがあります
が、流せる電流が数mAと非常に小さく、ノイズ
フイルタとしては使用できません。
て、チツプインダクタと呼ばれるものがあります
が、流せる電流が数mAと非常に小さく、ノイズ
フイルタとしては使用できません。
本考案の目的は、小型・薄型の構造を有するノ
イズフイルタを提供することにある。
イズフイルタを提供することにある。
本考案によるコンデンサとインダクタを組合せ
て構成されるノイズフイルタは、コンデンサとし
て積層セラミツクチツプコンデンサを使用すると
共に、インダクタとして、互いに対向する２つの
板状コア部及び該両板状コア部を互いに間隔をお
いて結合する少なくとも１つの柱状コア部からな
る薄型ドラムコアと、前記板状コア部に挟まれる
ように前記柱状コア部の径と実質上同径の穴が開
けられた絶縁膜の表面及び裏面に渦巻き状のコイ
ル状導線が印刷された印刷コイルとを有する薄型
インダクタを使用し、基板の一方の主面上に前記
薄型インダクタをその一方の主面が重なるように
搭載し、前記薄型インダクタの他方の主面上に前
記積層セラミツクチツプコンデンサをその主面が
重なるように搭載し、前記基板の他方の主面上
で、該基板に形成された配線パターンと前記薄型
インダクタ及び積層セラミツクチツプコンデンサ
のリード線とを接続して当該ノイズフイルタの回
路を構成したことを特徴とする。
て構成されるノイズフイルタは、コンデンサとし
て積層セラミツクチツプコンデンサを使用すると
共に、インダクタとして、互いに対向する２つの
板状コア部及び該両板状コア部を互いに間隔をお
いて結合する少なくとも１つの柱状コア部からな
る薄型ドラムコアと、前記板状コア部に挟まれる
ように前記柱状コア部の径と実質上同径の穴が開
けられた絶縁膜の表面及び裏面に渦巻き状のコイ
ル状導線が印刷された印刷コイルとを有する薄型
インダクタを使用し、基板の一方の主面上に前記
薄型インダクタをその一方の主面が重なるように
搭載し、前記薄型インダクタの他方の主面上に前
記積層セラミツクチツプコンデンサをその主面が
重なるように搭載し、前記基板の他方の主面上
で、該基板に形成された配線パターンと前記薄型
インダクタ及び積層セラミツクチツプコンデンサ
のリード線とを接続して当該ノイズフイルタの回
路を構成したことを特徴とする。
なお、本考案では、薄型コンデンサとして積層
セラミツクチツプコンデンサを使用しているが、
それは他の薄型コンデンサ（例えば、タンタルチ
ツプコンデンサなど）に比べて、小容量のものが
得られ、かつ安価であるという利点があるからで
す。
セラミツクチツプコンデンサを使用しているが、
それは他の薄型コンデンサ（例えば、タンタルチ
ツプコンデンサなど）に比べて、小容量のものが
得られ、かつ安価であるという利点があるからで
す。
以下、本考案の実施例を図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、本考案のノイズフイルタに使用され
る薄型インダクタの構造の一実施例を示した図
で、第１図ａは分解斜視図、第１図ｂは組立正断
面図である。
る薄型インダクタの構造の一実施例を示した図
で、第１図ａは分解斜視図、第１図ｂは組立正断
面図である。
薄型ドラムコア１は、互いに対向する２つの板
状コア部１１，１１と、この板状コア部１１，１
１を互いに間隔をおいて中央部で結合する柱状コ
ア部１２とからなり、板状コア部１１，１１と柱
状コア部１２とは中央部で接着される。印刷コイ
ル２は、絶縁膜２１の表面及び裏面に厚さ35〜
50μｍの銅箔を接着し、ホトエツチング加工によ
り渦巻き状のコイル状導線２２，２２を形成し、
そのコイル状導線２２，２２の内側端部は絶縁膜
２１に開けられた小孔（図示せず）を介して接続
され、外周端部は外方向へ引き出されて、後述す
るピン端子と接続される。又、絶縁膜２１の中央
部には柱状コア部１２の径と実質上同径の孔２１
ａが開けられており、この開孔２１ａに柱状コア
部１２が貫通して、板状コア部１１，１１間に印
刷コイル２が挟まれることになる。
状コア部１１，１１と、この板状コア部１１，１
１を互いに間隔をおいて中央部で結合する柱状コ
ア部１２とからなり、板状コア部１１，１１と柱
状コア部１２とは中央部で接着される。印刷コイ
ル２は、絶縁膜２１の表面及び裏面に厚さ35〜
50μｍの銅箔を接着し、ホトエツチング加工によ
り渦巻き状のコイル状導線２２，２２を形成し、
そのコイル状導線２２，２２の内側端部は絶縁膜
２１に開けられた小孔（図示せず）を介して接続
され、外周端部は外方向へ引き出されて、後述す
るピン端子と接続される。又、絶縁膜２１の中央
部には柱状コア部１２の径と実質上同径の孔２１
ａが開けられており、この開孔２１ａに柱状コア
部１２が貫通して、板状コア部１１，１１間に印
刷コイル２が挟まれることになる。
本考案者が実際に試作したところ、薄型ドラム
コア１の寸法（縦×横×厚さ）が20×20×3.1mm、
印刷コイル２が15ターン×２層のとき、1KHzで
240μHのインダクタンス値を持ち、薄型ドラムコ
ア１の寸法（縦×横×厚さ）が10×20×3.1mm、
印刷コイル２が４ターン×２層のとき、1KHzで
17μHのインダクタンス値を持つ薄型インダクタ
が得られた。この結果より、低電流（3A以下）
のノイズフイルタ用のインダクタとして使用する
ことができる。
コア１の寸法（縦×横×厚さ）が20×20×3.1mm、
印刷コイル２が15ターン×２層のとき、1KHzで
240μHのインダクタンス値を持ち、薄型ドラムコ
ア１の寸法（縦×横×厚さ）が10×20×3.1mm、
印刷コイル２が４ターン×２層のとき、1KHzで
17μHのインダクタンス値を持つ薄型インダクタ
が得られた。この結果より、低電流（3A以下）
のノイズフイルタ用のインダクタとして使用する
ことができる。
第２図は、第１図に示した薄型インダクタを使
用した0.5A用のノイズフイルタの一実施例を示
した斜視図である。
用した0.5A用のノイズフイルタの一実施例を示
した斜視図である。
板状コア部１１，１１及び柱状コア部（図示せ
ず）からなる薄型ドラムコアと印刷コイル（図示
せず）とによつて、インダクタンス値が240μH
（1KHzで）の薄型インダクタL1が、又、板状コア
部１１′，１１′及び２つの柱状コア部（図示せ
ず）からなる薄型ドラムコアと２個の印刷コイル
（図示せず）とによつて、インダクタンス値が
17μH（1KHzで）の２個の薄型インダクタL2，L3
が構成され、これら薄型インダクタL1，L2及び
L3が、その一方の表面（板状コア部１１，１
１′）が、基板３の一方の表面上に重なるように
搭載されている。更に、薄型インダクタL1の他
方の表面（板状コア部１１）上には、キヤパシタ
ンス値が100μFの積層セラミツクチツプコンデン
サC1が、その一方の表面を重ねて搭載され、薄
型インダクタL2，L3の他方の表面（板状コア部
１１′）上には、キヤパシタンス値が0.1μFの積層
セラミツクチツプコンデンサC2が、その一方の
表面を重ねて搭載されている。
ず）からなる薄型ドラムコアと印刷コイル（図示
せず）とによつて、インダクタンス値が240μH
（1KHzで）の薄型インダクタL1が、又、板状コア
部１１′，１１′及び２つの柱状コア部（図示せ
ず）からなる薄型ドラムコアと２個の印刷コイル
（図示せず）とによつて、インダクタンス値が
17μH（1KHzで）の２個の薄型インダクタL2，L3
が構成され、これら薄型インダクタL1，L2及び
L3が、その一方の表面（板状コア部１１，１
１′）が、基板３の一方の表面上に重なるように
搭載されている。更に、薄型インダクタL1の他
方の表面（板状コア部１１）上には、キヤパシタ
ンス値が100μFの積層セラミツクチツプコンデン
サC1が、その一方の表面を重ねて搭載され、薄
型インダクタL2，L3の他方の表面（板状コア部
１１′）上には、キヤパシタンス値が0.1μFの積層
セラミツクチツプコンデンサC2が、その一方の
表面を重ねて搭載されている。
又、本実施例では、薄型インダクタL1の板状
コア部１１と積層セラミツクチツプコンデンサ
C1間の絶縁性、及び薄型インダクタL2，L3の板
状コア部１１′と積層セラミツクチツプコンデン
サC2間の絶縁性を高めるために、それらの間に
は、布、紙、プラスチツク類等の薄い絶縁材４が
挟み込まれている。
コア部１１と積層セラミツクチツプコンデンサ
C1間の絶縁性、及び薄型インダクタL2，L3の板
状コア部１１′と積層セラミツクチツプコンデン
サC2間の絶縁性を高めるために、それらの間に
は、布、紙、プラスチツク類等の薄い絶縁材４が
挟み込まれている。
一方、薄型インダクタL1のピン端子５，６、
薄型インダクタL2のピン端子７，８、薄型イン
ダクタL3のピン端子９，１０、及び積層セラミ
ツクチツプコンデンサC1，C2のリード線は、基
板３の他方の表面（裏側）で、その配線パターン
とはんだ付けにより接続され、第３図の回路図に
示すような、ノイズフイルタの回路が構成され
る。又、本実施例では、ノイズフイルタの入力部
及び出力部には、それぞれピン端子３１，３２及
び３３，３４を取り付け、プリント基板実装可能
な構造としている。
薄型インダクタL2のピン端子７，８、薄型イン
ダクタL3のピン端子９，１０、及び積層セラミ
ツクチツプコンデンサC1，C2のリード線は、基
板３の他方の表面（裏側）で、その配線パターン
とはんだ付けにより接続され、第３図の回路図に
示すような、ノイズフイルタの回路が構成され
る。又、本実施例では、ノイズフイルタの入力部
及び出力部には、それぞれピン端子３１，３２及
び３３，３４を取り付け、プリント基板実装可能
な構造としている。
このようにして、構成されたノイズフイルタの
寸法（縦×横×高さ）は、基板３も含めて、35×
20×７mmとなり、小型・薄型とすることができ
た。
寸法（縦×横×高さ）は、基板３も含めて、35×
20×７mmとなり、小型・薄型とすることができ
た。
又、本実施例のノイズフイルタの減衰特性を、
横軸に周波数〔ＭHz）、縦軸にそう入損α〔dB〕
をとつて、第４図にグラフに示す。図から明らか
な如く、広い周波数範囲に渡つて高減衰量が得ら
れており、十分にノイズを除去することができ
る。
横軸に周波数〔ＭHz）、縦軸にそう入損α〔dB〕
をとつて、第４図にグラフに示す。図から明らか
な如く、広い周波数範囲に渡つて高減衰量が得ら
れており、十分にノイズを除去することができ
る。
以上述べた如く、本考案によれば、薄型インダ
クタと積層セラミツクチツプコンデンサを効率よ
く実装しているので、小型・薄型のノイズフイル
タを提供することが可能となつた。
クタと積層セラミツクチツプコンデンサを効率よ
く実装しているので、小型・薄型のノイズフイル
タを提供することが可能となつた。
第１図は本考案のノイズフイルタに使用される
薄型インダクタの構造の一実施例を示した図で、
ａは分解斜視図、ｂは組立正断面図、第２図は第
１図に示した薄型インダクタを使用した0.5A用
のノイズフイルタの一実施例を示した斜視図、第
３図は第２図のノイズフイルタの回路図、第４図
は第２図（第３図）のノイズフイルタの減衰特性
を示したグラフである。 １……薄型ドラムコア、１１，１１′……板状
コア部、１２……柱状コア部、２……印刷コイ
ル、２１……絶縁膜、２１ａ……開孔、２２……
コイル状導線、３……基板、４……薄い絶縁材、
５，６，７，８，９，１０，３１，３２，３３，
３４……ピン端子、L1，L2，L3……薄型インダ
クタ、C1，C2……積層セラミツクチツプコンデ
ンサ。
薄型インダクタの構造の一実施例を示した図で、
ａは分解斜視図、ｂは組立正断面図、第２図は第
１図に示した薄型インダクタを使用した0.5A用
のノイズフイルタの一実施例を示した斜視図、第
３図は第２図のノイズフイルタの回路図、第４図
は第２図（第３図）のノイズフイルタの減衰特性
を示したグラフである。 １……薄型ドラムコア、１１，１１′……板状
コア部、１２……柱状コア部、２……印刷コイ
ル、２１……絶縁膜、２１ａ……開孔、２２……
コイル状導線、３……基板、４……薄い絶縁材、
５，６，７，８，９，１０，３１，３２，３３，
３４……ピン端子、L1，L2，L3……薄型インダ
クタ、C1，C2……積層セラミツクチツプコンデ
ンサ。
Claims (1)
- コンデンサとインダクタを組合せて構成される
ノイズフイルタにおいて、前記コンデンサとして
積層セラミツクチツプコンデンサを使用すると共
に、前記インダクタとして、互いに対向する２つ
の板状コア部及び該両板状コア部を互いに間隔を
おいて結合する少なくとも１つの柱状コア部から
なる薄型ドラムコアと、前記板状コア部に挟まれ
るように前記柱状コア部の径と実質上同径の穴が
開けられた絶縁膜の表面及び裏面に渦巻き状のコ
イル状導線が印刷された印刷コイルとを有する薄
型インダクタを使用し、基板の一方の主面上に前
記薄型インダクタをその一方の主面が重なるよう
に搭載し、前記薄型インダクタの他方の主面上に
前記積層セラミツクチツプコンデンサをその主面
が重なるように搭載し、前記基板の他方の主面上
で、該基板に形成された配線パターンと前記薄型
インダクタ及び積層セラミツクチツプコンデンサ
のリード線とを接続して当該ノイズフイルタの回
路を構成したことを特徴とするノイズフイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149684U JPS60163821U (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | ノイズフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149684U JPS60163821U (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | ノイズフイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163821U JPS60163821U (ja) | 1985-10-31 |
| JPH0247627Y2 true JPH0247627Y2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=30570598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149684U Granted JPS60163821U (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | ノイズフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163821U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223318B2 (ja) * | 1972-05-12 | 1977-06-23 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223318U (ja) * | 1975-08-07 | 1977-02-18 |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP5149684U patent/JPS60163821U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223318B2 (ja) * | 1972-05-12 | 1977-06-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60163821U (ja) | 1985-10-31 |
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