JPH0410657Y2 - - Google Patents

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JPH0410657Y2
JPH0410657Y2 JP1982162029U JP16202982U JPH0410657Y2 JP H0410657 Y2 JPH0410657 Y2 JP H0410657Y2 JP 1982162029 U JP1982162029 U JP 1982162029U JP 16202982 U JP16202982 U JP 16202982U JP H0410657 Y2 JPH0410657 Y2 JP H0410657Y2
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ferrite plate
ferrite
conductor
spiral conductor
electrode
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、チツプ状素子を積層して構成したチ
ツプ状インダクタンス素子に関する。
最近電子機器の小型化が進み、電子部品の小形
化・高密度実装が要求されている。特に基板回路
に直接実装するためインダクタンス素子としてチ
ツプ形インダクタンス素子の要求がある。従来、
この種素子は高透磁率フエライト板の円筒状磁心
の中心部に導体を巻回して構成したものがある。
このような構成にすると、単位体積あたりのイン
ダクタンスを大きくすることができるが、構造が
複雑で低廉に提供することができない問題があ
る。
また従来、高透磁率フエライト板の面にジグザ
グ状又は渦巻き状の導体を形成し導体の終始の部
分に電極を形成したものである。しかし、このよ
うな構造では必要な透磁率を確保することができ
ず、充分なインダクタンス値を得ることが困難で
ある。
ところで、絶縁基板上に導体膜が設けられ、導
体膜同士をリードフレーム及び外部端子により電
気的接続を図つたコイル素子があるが知られてい
る(実開昭57−50813号)。
しかし、このような構成によれば、各基板同士
を接続するには、多くの外部端子を必要とし、こ
の点で部品点数の増大を招き、また在庫管理、工
程管理の上から甚だ不都合である。
また絶縁基板上に導体が渦巻き状に形成され、
上下の基板の接続に際し、絶縁基板に孔が穿設さ
れて、この孔に1層毎に加熱して半田を流して固
着させる構成がある(実開昭56−174819号)。
しかし、このような構成では、1層毎に半田を
付着させなければならず、作業が甚だ面倒とな
り、大量生産に適しているインダクタンス素子に
適しないという欠点がある。
更に磁性体層に導体を印刷し、先端を一部残し
て磁性体層を形成し、残された先端から導体部分
を更に延ばし、また導体先端部分を残して磁性体
層を再び形成して繰り返し積層したインダクタン
ス素子が知られている(実開昭57−66515号)。
しかし、このような構成では、製造の簡素化を
図る事ができない。すなわち各層となる絶縁磁性
体は導電体を付着させた後でなければ重畳できな
いので、各磁性体を一挙に製造しておき、一挙に
積層するものに比べて生産性が極めて悪い。
本考案はかかる点に鑑み、単位体積あたりの高
インダクタンス値を確保すると共に製造の自動化
の可能な簡素化された構成のインダクタンス素子
を提案することを主たる目的とする。
以下本考案の一実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
第1図、第2図及び第3図は本案の一例を示す
平面図、正面図及び底面図である。このインダク
タンス素子は、渦巻き状導体を付着せしめたフエ
ライト板1及びフエライト板1の渦巻き状導体と
反対方向に形成した渦巻き状導体を付着せしめた
フエライト板2及びこれらフエライト板1,2の
間の絶縁をするためのフエライト板3,4を順次
積層し、その積層した上下面に電極を構成するフ
エライト板5,6を重ね、かつ積層した一隅を切
欠いた切欠部7を有する構造となつている。
フエライト板1は、一定の厚さの高透磁率磁性
材料によつて構成され、上面中央から反時計方向
に拡がる渦巻き状導体8が付着形成されたもので
ある(第4図参照)。導体8の中心側はフエライ
ト板1に貫通孔9を穿設して下面に導き、一方の
端部に形成した電極10と接続される。導体8の
外側は電極10と反対端部に形成した電極11と
接続される(第5図及び第6図参照)。そして他
のフエライト板と電気的機械的に接続するための
電極12,13が、第5図に示す如く、上下面に
亘つて形成されている。渦巻き状導体8及び各電
極10,11,12,13はフエライト板上に無
電解メツキ法によるニツケル膜又は銀パラジウム
を印刷により付着形成される。
フエライト板2は、第7図及び第8図に示す如
く、渦巻き状導体14の方向がフエライト板1に
形成した導体8と反対に付着形成される以外はフ
エライト板1と同じ構造である。
絶縁フエライト板3は、第9図及び第10図に
示す如く、電極10の位置に一致する電極15及
び積層接続用電極12,13の位置に一致する電
極16,17が上下面に亘つて形成したものであ
る。材質は高透磁率磁性材である。
絶縁フエライト板4は、第11図に示す如く、
電極11の位置に一致する電極18及び電極1
2,13の位置に一致する電極16,17が上下
面に亘つて形成されたものである。
電極フエライト板5は、第12図及び第13図
に示す如く、各フエライト板1,2,3,4を所
望に積層した後外部導体と接続するためのもので
あり、一方の積層接続用電極19から直角方向に
延長形成した外部接続電極20が設けられたもの
である。21は他方の積層接続用電極を示す。
電極フエライト板6は、第14図に示す如く、
積層接続用電極21から直角方向に延長形成し外
部接続電極20と反対側に形成した外部接続電極
22が形成されたものである。
各フエライト板1,2,3,4,5,6は一隅
に欠切部7a,7b,7c,7d,7e,7fが
形成され、積層することにより切欠部7が構成さ
れることになる。
切望に積層した各フエライト板は積層接続用電
極12,13,16,17,19,21が夫々一
致するため、半田又は銀鑞にて電気的機械的接続
を行なつて第2図に示す如きチツプ状インダクタ
ンス素子が完成する。
したがつて、上下の電極フエライト板5,6に
電圧を印加することにより、フエライト板1の導
体8に流れる電流が作る磁界は、基板となるフエ
ライト板1の面方向で全て同一方向になり、高透
磁率材のため渦巻きの数に比例してインダクタン
ス値が大きくなる。また第1及び第2のフエライ
ト板1,2の渦巻き方向が逆方向になつているの
で、その間にある絶縁フエライト板3,4に面方
向に生ずる磁界方向は互いに附勢方向に重畳さ
れ、インダクタンス値を相殺させない。
以上説明したように本考案によれば、渦巻き状
導体を設けた高透磁率の第1のフエライト板と、
第1のフエライト板と渦巻き状導体の方向が反対
の第2のフエライト板と、第1及び第2のフエラ
イト板の間に介在した電極付き絶縁フエライト板
とを交互に積層し、第1及び第2のフエライト板
の渦巻き状導体の外側は第1のフエライト板の端
面及びその裏側まで延長形成し、内側は孔を貫通
して裏面より端面側に形成し、更に表側まで延長
形成し、絶縁フエライト板の電極は第1及び第2
のフエライト板の延長形成した導体に接するよう
に表側、端面及び裏側に一体に形成した構成とし
たので、 夫々のフエライト板を同時に製造でき、同時に
できた各フエライト板を一挙に積層して各フエラ
イト板の電極となる端面を一挙に電気的機械的に
接続しすることができ、 従来のように、絶縁基板上に導体膜が設けら
れ、導体膜同士をリードフレーム及び外部端子に
より電気的接続を図つたコイル素子に比べて、各
基板同士を接続する多くの外部端子を不要とし、
この点で部品点数が削減され、在庫管理、工程管
理上から甚だ都合が良い。
また従来の絶縁基板上に導体が渦巻き状に形成
され、上下の基板の接続に際し、絶縁基板に孔が
穿設されて、この孔に1層毎に加熱して半田を流
して固着させる構成に比べて、1層毎に半田を付
着させる作業がなくなり、この点で大量生産に適
している。
更に従来の磁性体層に導体を印刷し、先端を一
部残して磁性体層を形成し、残された先端から導
体部分を更に延ばし、また導体先端部分を残して
磁性体層を再び形成して繰り返し積層したインダ
クタンス素子に比べて、各層となる絶縁磁性体は
導電体を付着させた後でなければ重畳できないと
いつた欠点がなくなり、各磁性フエライト体を並
列工程を利用して一挙に製造しておき、一挙に積
層組み立てることができる効果を有する。
更に本考案によれば、渦巻き状導体を設けた高
透磁率の第1のフエライト板と、第1のフエライ
ト板と渦巻き状導体の方向が反対の第2のフエラ
イト板とで構成したので、 各層に生ずる磁界が同一方向に全部一致するこ
とになり、各層の磁界の方向が互いにの干渉して
相殺し合う構成に比べて格段に高インダクタンス
値を確保し得、高。インダクタンス値の素子を得
ることができる。また上記各フエライト板に切欠
部を設けているので、各フエライト板の表裏が明
確に区別される。従つて、各フエライト板の機能
の区別が簡単に識別することができるため、ロボ
ツト等による自動組立が可能となり、高速多量生
産に適し、よつて低廉なこの種インダクタンス素
子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図は本案素子の一例
を示す平面図、正面図及び底面図、第4図、第5
図及び第6図は本案素子を構成するフエライト板
の一例を示す平面図、断面図及び底面図、第7図
及び第8図は同じくフエライト板の一例を示す平
面図及び底面図、第9図及び第10図は絶縁フエ
ライト板の一例を示す平面図及び正面図、第11
図は同じく絶縁フエライト板の一例を示す平面
図、第12図及び第13図は外部電極フエライト
板の一例を示す平面図及び正面図、第14図は同
じく外部電極フエライト板の一例を示す平面図で
ある。 1,2……導体付フエライト板、3,4……絶
縁フエライト板、5,6……外部電極フエライト
板、7……切欠部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 渦巻き状導体を設けた高透磁率の第1のフエ
    ライト板と、第1のフエライト板と渦巻き状導
    体の方向が反対の第2のフエライト板と、第1
    及び第2のフエライト板の間に介在した電極付
    き絶縁フエライト板とを交互に積層し、 第1及び第2のフエライト板の渦巻き状導体
    の外側は各フエライト板の端面及びその裏側ま
    で延長形成し、内側は孔を貫通して裏面より端
    面側に延長し、更に表側まで延長形成し、 絶縁フエライト板の電極は第1及び第2のフ
    エライト板の延長形成した導体に接するように
    表側、端面及び裏側に一体に形成したことを特
    徴とするチツプ状インダクタンス素子。 2 夫々のフエライト板の角部を斜状に切欠いた
    実用新案登録請求の範囲第1項記載のチツプ状
    インダクタンス素子。
JP16202982U 1982-10-25 1982-10-25 チツプ状インダクタンス素子 Granted JPS5965506U (ja)

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JPS5965506U JPS5965506U (ja) 1984-05-01
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JPH0432733Y2 (ja) * 1985-05-15 1992-08-06

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5750813B2 (ja) * 1980-02-22 1982-10-29

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JPS56174819U (ja) * 1980-05-27 1981-12-23
JPS5750813U (ja) * 1980-09-09 1982-03-24
JPS5943690Y2 (ja) * 1980-10-07 1984-12-26 ティーディーケイ株式会社 積層型トランス

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JPS5750813B2 (ja) * 1980-02-22 1982-10-29

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