JP2000200718A - インダクタンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で、インダクタンスが大きく、外部に漏
れる磁束の少ないインダクタンス素子を得るとともに、
各種トランスを構成可能とする。 【解決手段】 複数の螺旋状の導体パターンを形成した
円柱形または角柱形のフェライトコアを、凹溝を有する
二枚のコアで挟んで閉磁路化する。コアの両端に端子を
形成し、螺旋状の導体パターンの端部を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子に係るもので、特に、フェライトコアの周囲に導体膜
によるコイル形成用の導体パターンが形成されたタイプ
のインダクタンス素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】インダクタンス素子は、一般にフェライ
トコアに導線を巻き回すものが用いられていたが、加工
技術の進歩等によって、巻線に代えて磁性体上に導体膜
を形成する構造のものが実用化されている。特に、レー
ザー加工技術の進歩によって、精度の高い導体パターン
が得られるようになり、中高周波用のチップインダクタ
等として適したものが得られるようになっている。

【０００３】このタイプのインダクタンス素子は、図５
に示したように、フェライトコア50の周囲に螺旋状の導
体パターン52を形成し、両端に端子電極54を形成したも
のである。製造するにあたっては、フェライトコアの側
面全体に導体膜を形成し、この導体膜を切削してフェラ
イト素体を露出させ、螺旋状の導体パターンを残すよう
にするのが一般的である。

【０００４】導体膜の切削には、カッターに代えてレー
ザービームを照射して導体膜を除去する方法が採用され
るようになった。これによって、精度良く導体パターン
を形成できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】磁性体コアの両端の外
径を大きくして外径の小さい部分に導体パターンを形成
したインダクタンス素子は、ドラムコアに巻線を施した
コイルと同様の構造となる。導体膜の保護のために樹脂
で覆うのが一般的であるが、開磁路構造となるためにイ
ンダクタンスを大きくすることが難しく、また近接して
配置する他の素子に対する干渉を生じ易くなる。本発明
は、インダクタンス素子を閉磁路化して、インダクタン
スを向上させるとともに、外部への磁束の漏れを防止で
きるインダクタンス素子を提供するものである。

【０００６】また、複数の導体パターンを一体に形成
し、結合を大きくして各種のトランスを小型に構成する
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の螺旋状
の導体パターンが形成されたコアの周囲を磁性体コアで
囲み、これらのコアで閉磁路を構成させることによっ
て、上記の課題を解決するものである。

【０００８】すなわち、円柱または角柱形のフェライト
コアの側面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって
切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターン
が形成されたインダクタンス素子において、絶縁された
複数の螺旋状の導体パターンがフェライトコアに形成さ
れるとともに導体パターンの端部はそのフェライトコア
の端面に引き出され、導体パターンの形成されたフェラ
イトコアが貫通孔を有する角柱形のフェライトコアの貫
通孔に挿入され、貫通孔の開口する両側の端面と導体パ
ターンの形成されたフェライトコアの端面に跨る端子電
極が形成されたことに特徴を有するものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】螺旋状の導体パターンの外側に位
置するコアは、全体として角柱形であることが望まし
い。半円形の溝を有する二枚のコアで導体パターンの形
成されたコアを挟むようにしてもよい。端子は角柱の端
面と隣接する側面の端部に跨るように形成するとよい。
導体パターンの形成されるコアは円柱形でも角柱形でも
よいし、鍔を有するものでも有しないものであってもよ
い。

【００１０】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。

【００１１】図１は、本発明の実施例を示す斜視図であ
り、導体パターンの形成されるフェライトコアの例を示
したものである。角柱形のフェライトコア10の周囲に螺
旋状の導体パターンをレーザ加工等によって形成するも
ので、導体パターンが形成された後に貫通孔を有する角
柱形のフェライトコア貫通孔に挿入するものである。導
体パターンの形成されるフェライトコアは円柱形でもよ
いし、両端に外径の大きい鍔状の部分を有しているもの
でもよい。この例では、導体パターンは端面に形成した
端子部13ａに接続された導体パターン12ａと端子部13ｂ
に接続された導体パターン12ｂとが形成され、二つの導
体パターン12ａ、12ｂは平行に交互に配列され、反対側
の端面の端子部に接続される。

【００１２】なお、導体パターンを三つ形成して、図２
のフェライトコア20の端面の端子部23にそれぞれ接続す
るようにしてもよい。

【００１３】図３は、本発明の実施例を示す斜視図であ
る。螺旋状の導体パターンの形成されたフェライトコア
30が、貫通孔の形成されたフェライトコア31の貫通孔に
挿入され、フェライトコア30の端面とフェライトコア31
の端面に跨って端子電極34が形成されている。これによ
って、フェライトコア30に形成されたそれぞれの導体パ
ターンが端子電極34と接続される。端子電極34を隣接す
る側面まで引き出して形成すれば面実装が可能となる。

【００１４】なお、フェライトコアの螺旋状の導体パタ
ーンと端子部との接続を確実にするために端面の端子部
となる部分に、図４に示したように、切り込み45を形成
しておくとよい。

【００１５】なお、本発明によるインダクタンス素子
は、２素子以上を一体に形成することもできる。また、
複数の素子を接着して一体化することもできる。

【００１６】本発明は、上記の例に限られるものではな
く、螺旋状の導体パターンが形成されるコア、それを囲
むコアの形状は任意に選択できる。また、端子電極の形
状も実装形態に応じて任意に選択できる。導体パターン
の数によって任意のトランスの構成が可能となり、例え
ばバイファイラによるパルストランス、トリファイラに
よるコモンモードチョークトランスなどを１素子によっ
て実現できる。

【００１７】

【発明の効果】本発明によれば、閉磁路化することによ
って、小型で高インダクタンス、高Ｑのインダクタンス
素子が得られる。また、それによって外部に磁束が漏れ
ることを防止できるとともに、外部磁束の影響を受ける
ことも防止できる。

【００１８】また、複数の導体パターンが一体に形成さ
れており、各種のトランスの実現が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例を示す組立て前の斜視図

【図２】 本発明の他の実施例を示す側面図

【図３】 本発明の実施例を示す組立て後の斜視図

【図４】 本発明の他の実施例を示す側面図

【図５】 従来のインダクタンス素子を示す正面図

【符号の説明】

10、30、31：フェライトコア 12：導体パターン 13、23：端子部 34：端子電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
   面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
   フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
   れたインダクタンス素子において、絶縁された複数の螺
   旋状の導体パターンがフェライトコアに形成されるとと
   もに導体パターンの端部はそのフェライトコアの端面に
   引き出され、導体パターンの形成されたフェライトコア
   が貫通孔を有する角柱形のフェライトコアの貫通孔に挿
   入され、貫通孔の開口する両側の端面と導体パターンの
   形成されたフェライトコアの端面に跨る端子電極が形成
   されたことを特徴とするインダクタンス素子。
2. 【請求項２】 円柱または角柱形のフェライトコアの側
   面に施した導体膜の一部をレーザ加工によって切削して
   フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンが形成さ
   れたインダクタンス素子において、絶縁された複数の螺
   旋状の導体パターンがフェライトコアに形成されるとと
   もに導体パターンの端部はそのフェライトコアの端面に
   引き出され、導体パターンの形成されたフェライトコア
   が貫通孔を有する角柱形のフェライトコアの貫通孔に挿
   入され、これらのフェライトコアによって閉磁路が構成
   され、貫通孔の開口する両側の端面と導体パターンの形
   成されたフェライトコアの端面に跨る端子電極が形成さ
   れたことを特徴とするインダクタンス素子。
3. 【請求項３】 円柱または角柱形のフェライトコアに形
   成される導体パターンが二つの導体パターンであり、こ
   れによってバイファイラ構造の導体パターンを得る請求
   項１または請求項２記載のインダクタンス素子。
4. 【請求項４】 円柱または角柱形のフェライトコアに形
   成される導体パターンが三つのの導体パターンであり、
   これによってトリファイラ構造の導体パターンを得る請
   求項１または請求項２記載のインダクタンス素子。