JP2000206183A - 半導体装置の電気的特性測定方法および測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リード端子が半導体パッケージから水平に引
き出され下方に折り曲げられた半導体装置の電気的特性
測定装置において、接触子とリード端子との接触面の異
物付着を防止して、良好な接触を得る。 【解決手段】 接触子１２をリード端子１０引き出し方
向と垂直の方向に配設し、下方に折り曲げたリード端子
１０の内側傾斜部と接触させ、互いの接触面において、
上方からのバリ、フィラ等の落下による異物付着が発生
しにくい構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の電
気的特性を測定する測定方法および測定装置に関し、特
に半導体装置のリード端子との接触構造に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の最終選別工程等で実施され
る電気的特性の測定試験において、測定装置を半導体装
置のリード端子に確実に接触させることが重要である。
図５は、従来の半導体装置の電気的特性測定装置と半導
体装置との接触状態を示す断面図である。図において、
１は半導体装置本体としての樹脂封止された半導体パッ
ケージ、２は半導体パッケージ１から水平方向に引き出
され下方に折り曲げられたリード端子、３は測定装置の
ソケット、４は半導体パッケージ１を位置決めして支持
するステージ、５ａはリード端子２と接触する接触子、
６はインターフェイス基板（ＩＦ基板）、７は接触子５
と接続されたソケット３の外部端子である。接触子５ａ
は弾性を有して可動であり、半導体パッケージ１をセッ
トした後、弾力によりリード端子２に上から接触する。
なお、便宜上、ソケット３の外型および蓋部分は図示を
省略する。図６（ａ）および図６（ｂ）は、従来の測定
装置と半導体装置との別例による接触状態を示す断面図
である。図６（ａ）では、弾性を有した接触子５ｂが下
からリード端子２に接触し、図６（ｂ）では、弾性を有
した接触子５ｃがリード端子２の下方に折り曲げられた
肩部分に上から接触するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】樹脂封止された半導体
パッケージ１周辺のリード端子２引き出し部近傍には、
樹脂のバリやバリが突出した角バリが存在し、それらが
リード端子２と接触子５（５ａ、５ｂ、５ｃ）との確実
な接触を妨げることがあった。また、上記バリが落下し
たものや樹脂中からフィラが抜け落ちて、リード端子２
表面や接触子５表面に付着し、これによってもリード端
子２と接触子５との接触不良が引き起こされることがあ
った。特に、図５においてはリード端子２表面の付着物
が、図６（ａ）においては接触子５ｂの接触面上の付着
物が、また図６（ｂ）においてはリード端子２表面の付
着物あるいはバリ、角バリが接触不良の原因となるもの
である。また、接触子５は弾性を有するために、ある程
度長さが必要であり、半導体装置の電気的特性測定の際
の信号の伝送経路が長くなり、測定の高速化を妨げるも
のであった。

【０００４】この発明は、上記のような問題点を解消す
るために成されたものであって、半導体装置の電気的特
性を測定する際、接触子を半導体装置のリード端子と良
好に接触させ、しかも測定の高速化を図ることを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明に係わる請求項
１記載の半導体装置の電気的特性測定装置は、接触子が
リード端子引き出し方向と垂直の方向に配設され、下方
に折り曲げられた上記リード端子の内側傾斜部と接触す
るものである。

【０００６】この発明に係わる請求項２記載の半導体装
置の電気的特性測定装置は、請求項１において、接触子
が、半導体装置のリード端子に接触して該半導体装置を
支持するものである。

【０００７】この発明に係わる請求項３記載の半導体装
置の電気的特性測定装置は、請求項１において、接触子
が突起を備え、該突起部がリード端子と接触するもので
ある。

【０００８】この発明に係わる請求項４記載の半導体装
置の電気的特性測定装置は、請求項１または２におい
て、接触子の上端近傍を所定の方向に曲げ加工し、その
先端がリード端子と接触するものである。

【０００９】この発明に係わる請求項５記載の半導体装
置の電気的特性測定装置は、接触子がリード端子の下方
から上方に向かって上記リード端子の先端方向に傾斜し
て延在し、該接触子の側面が上記リード端子先端部と押
圧力を伴って接触して上記半導体装置を支持するもので
ある。

【００１０】この発明に係わる請求項６記載の半導体装
置の電気的特性測定方法は、板状の接触子を上記リード
端子引き出し方向と垂直の方向に配置し、該接触子を下
方に折り曲げられた上記リード端子の内側傾斜部に接触
させ、該接触子を用いて測定するものである。

【００１１】この発明に係わる請求項７記載の半導体装
置の電気的特性測定方法は、リード端子の下方から上方
に向かって延在する板状の接触子を上記リード端子の先
端方向に傾斜させて配置し、上方からの押圧力により上
記リード端子先端部を上記接触子の側面に摺動を伴って
接触させ、該接触子により上記半導体装置を支持しつつ
測定するものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１について、図について説明する。図１は、
この発明の実施の形態１による半導体装置の電気的特性
測定装置と半導体装置との接触状態を示した断面図であ
る。図において、８は半導体装置９の本体としての樹脂
封止された半導体パッケージ、１０は半導体パッケージ
８から水平方向に引き出され下方に折り曲げられたリー
ド端子、１１は測定装置のソケット、１１ａはソケット
１１の外型、１２はリード端子１０と接触する接触子、
１３はソケット１１のインターフェイス基板（ＩＦ基
板）、１４は接触子１２と接続されたソケット１１の外
部端子、１５はソケット１１の蓋または押圧具である。
図に示すように、接触子１２はソケット１１のＩＦ基板
１３上に、リード端子１０の引き出し方向と垂直の方向
に設けられ、その上端近傍がリード端子１０側に曲げ加
工されて、曲げ加工された先端が下方に折り曲げられた
リード端子１０の内側の傾斜部（水平でない部分）と接
触する。この接触子１２がリード端子１０に接触するこ
とにより、半導体装置９（半導体パッケージ８とリード
端子１０）が支持される。また、半導体装置９が接触子
１２上に載置されてソケット１１にセットされた後、ソ
ケット１０の蓋または押圧具１５によりリード端子１０
部が上から押圧される。蓋１５を閉めることにより押圧
する場合を図２に示す。この上からの押圧により、半導
体装置９は、接触子１２に位置決めされて支持されると
同時に、リード端子１０と接触子１２とは安定して確実
に接触する。

【００１３】この実施の形態では、接触子１２が下方に
折り曲げられたリード端子１０の内側の傾斜部（水平で
ない部分）と接触する。即ち、接触面はリード端子１０
の内側であり、接触子１２の接触面も水平ではなく傾斜
面となる。このため、リード端子１０の接触面にも、接
触子１２の接触面にも、上方からのバリ、フィラ等の落
下物による異物が付着し難く、接触不良が防止できる。
また、リード端子１０引き出し部近傍に存在するバリや
角バリによる接触不良も発生しない。この様に、接触子
１２とリード端子１０とが、異物による接触不良が防止
されて良好に接触し、半導体装置９の電気的特性を信頼
性良く測定できる。

【００１４】またこの実施の形態では、接触子１２がＩ
Ｆ基板１３上に、リード端子１０の引き出し方向と垂直
に設けられているため、接触子１２が短くでき、接触子
１２とリード端子１０との接触部からソケットの外部端
子１４までの経路が短縮できる。このため、半導体装置
９の電気的特性測定の際の信号の伝送経路が短縮でき、
測定の高速化が図れる。また、接触子１２により半導体
装置９を位置決めして支持するため、半導体装置９を支
持するためのステージが必要なく、部品点数が低減でき
装置構成が簡略化される。さらに、接触子１２はリード
端子１０の傾斜部で接触して支持するため、水平部で支
持する場合に比べ、横方向のずれがなく、位置決め精度
が向上し、測定の信頼性が向上する。

【００１５】なお上記実施の形態では、接触子１２は、
上端近傍がリード端子１０側に曲げ加工されて、曲げ加
工された先端でリード端子１０の内側の傾斜部と接触し
たが、特に曲げ加工せずにリード端子１０の内側の傾斜
部と接触させても良く、また、接触子１２に突起を設け
て接触させても良い。また図３（ａ）は、接触子１２が
リード端子１０の内側の傾斜部と２箇所で接触した接触
状態を示したもので、上端近傍と、その下方に設けられ
た突起１６とによる２箇所で接触する。これにより接触
安定性がさらに向上する。さらにまた、図３（ｂ）に示
すように、接触子１２がリード端子１０の内側の傾斜部
と接触し、２箇所目は傾斜部以外の箇所で接触させても
良い。図に示すように、上端近傍が曲げ加工された接触
子１２の先端がリード端子１０の内側の傾斜部と接触
し、さらにその下方でリード端子１０の水平部に下方か
ら接触する。

【００１６】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２による半導体装置の電気的特性測定装置と半導体
装置との接触状態を示した断面図である。図において、
１〜１１、１３および１４は上記実施の形態１と同じも
の、１１ｂはソケット１１の外型、１７はリード端子１
０と接触する接触子である。なお、上記実施の形態１と
同様のソケット１１の蓋または押圧具１５は図示を省略
する。図に示すように、接触子１７はソケット１１のＩ
Ｆ基板１３上に、リード端子１０の下方から上方に向か
ってリード端子１０の先端方向に傾斜して延在し、リー
ド端子１０の先端部が接触子１７の側面と接触する。ま
た、半導体装置９が接触子１７上に載置されてソケット
１１にセットされた後、図２に示すように、例えばソケ
ット１０の蓋１５を閉めることによりリード端子１０部
が上から押圧される。この上からの押圧により、半導体
装置９は接触子１２に位置決めされて支持されると同時
に、リード端子１０と接触子１７とは安定して確実に接
触する。

【００１７】このリード端子１０と接触子１７との接触
状態を以下に説明する。リード端子１０は上からの押圧
によりその先端部で接触子１７の側面を擦りながら若干
下方に動く。リード端子１０と接触子１７との互いの接
触面はお互いに擦れ合うことにより、接触面にバリ、フ
ィラなどの付着物がある場合も互いの付着物を取り除
き、良好に接触させることができる。この様に、接触子
１７とリード端子１０とが、異物による接触不良が防止
されて良好に接触し、半導体装置９の電気的特性を信頼
性良く測定できる。また接触子１７がＩＦ基板１３上
に、リード端子１０の下方から上方に向かって設けられ
ているため、上記実施の形態１と同様に接触子１７が短
くでき、半導体装置９の電気的特性測定の際の信号の伝
送経路が短縮でき、測定の高速化が図れる。また、接触
子１７により半導体装置９を位置決めして支持するた
め、半導体装置９を支持するためのステージが必要な
く、部品点数が低減でき装置構成が簡略化されるととも
に、横方向のずれがなく位置決め精度が向上し、測定の
信頼性が向上する。

【００１８】

【発明の効果】以上のようにこの発明による請求項１記
載の半導体装置の電気的特性測定装置は、接触子がリー
ド端子引き出し方向と垂直の方向に配設され、下方に折
り曲げられた上記リード端子の内側傾斜部と接触するた
め、接触子とリード端子との接触不良が防止されると共
に、半導体装置の電気的特性測定の際の信号の伝送経路
が短縮でき、測定の信頼性向上および高速化が図れる。

【００１９】またこの発明による請求項２記載の半導体
装置の電気的特性測定装置は、請求項１において、接触
子が、半導体装置のリード端子に接触して該半導体装置
を支持するため、部品点数が低減でき装置構成が簡略化
できると共に、位置決め精度が向上し測定の信頼性がさ
らに向上する。

【００２０】またこの発明に係わる請求項３記載の半導
体装置の電気的特性測定装置は、請求項１において、接
触子が突起を備え、該突起部がリード端子と接触するた
め、測定の信頼性向上および高速化が確実に図れる装置
構造を提供できる。

【００２１】またこの発明に係わる請求項４記載の半導
体装置の電気的特性測定装置は、請求項１または２にお
いて、接触子の上端近傍を所定の方向に曲げ加工し、そ
の先端がリード端子と接触するため、測定の信頼性向上
および高速化が確実に図れる装置構造を提供できる。

【００２２】またこの発明に係わる請求項５記載の半導
体装置の電気的特性測定装置は、接触子がリード端子の
下方から上方に向かって上記リード端子の先端方向に傾
斜して延在し、該接触子の側面が上記リード端子先端部
と押圧力を伴って接触して上記半導体装置を支持するた
め、接触子とリード端子との接触不良が防止されると共
に、半導体装置の電気的特性測定の際の信号の伝送経路
が短縮でき、測定の信頼性向上および高速化が図れる。
また、部品点数が低減でき装置構成が簡略化できると共
に、位置決め精度が向上し測定の信頼性がさらに向上す
る。

【００２３】またこの発明に係わる請求項６記載の半導
体装置の電気的特性測定方法は、板状の接触子を上記リ
ード端子引き出し方向と垂直の方向に配置し、該接触子
を下方に折り曲げられた上記リード端子の内側傾斜部に
接触させ、該接触子を用いて測定するため、接触子とリ
ード端子との接触不良が防止されると共に、半導体装置
の電気的特性測定の際の信号の伝送経路が短縮でき、測
定の信頼性向上および高速化が図れる。

【００２４】またこの発明に係わる請求項７記載の半導
体装置の電気的特性測定方法は、リード端子の下方から
上方に向かって延在する板状の接触子を上記リード端子
の先端方向に傾斜させて配置し、上方からの押圧力によ
り上記リード端子先端部を上記接触子の側面に摺動を伴
って接触させ、該接触子により上記半導体装置を支持し
つつ測定するため、接触子とリード端子との接触不良が
防止され、位置決め精度も向上すると共に、半導体装置
の電気的特性測定の際の信号の伝送経路が短縮でき、測
定の信頼性向上および高速化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による半導体装置の
電気的特性測定装置と半導体装置との接触状態を示した
断面図である。

【図２】 この発明の実施の形態１による半導体装置
を、上からの押圧する様子を示した断面図である。

【図３】 この発明の実施の形態１の別例による半導体
装置の電気的特性測定装置と半導体装置との接触状態を
示した断面図である。

【図４】 この発明の実施の形態２による半導体装置の
電気的特性測定装置と半導体装置との接触状態を示した
断面図である。

【図５】 従来の半導体装置の電気的特性測定装置と半
導体装置との接触状態を示した断面図である。

【図６】 従来の別例による半導体装置の電気的特性測
定装置と半導体装置との接触状態を示した断面図であ
る。

【符号の説明】

８ 半導体装置本体としての半導体パッケージ、９ 半
導体装置、１０ リード端子、１２ 接触子、１５
蓋、１６ 突起、１７ 接触子。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置本体から水平方向に引き出さ
   れ下方に折り曲げられたリード端子に接触する板状の接
   触子を備えた、半導体装置の電気的特性測定装置におい
   て、上記接触子が上記リード端子引き出し方向と垂直の
   方向に配設され、下方に折り曲げられた上記リード端子
   の内側傾斜部と接触することを特徴とする半導体装置の
   電気的特性測定装置。
2. 【請求項２】 接触子が、半導体装置のリード端子に接
   触して該半導体装置を支持することを特徴とする請求項
   １記載の半導体装置の電気的特性測定装置。
3. 【請求項３】 接触子が突起を備え、該突起部がリード
   端子と接触することを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の電気的特性測定装置。
4. 【請求項４】 接触子の上端近傍を所定の方向に曲げ加
   工し、その先端がリード端子と接触することを特徴とす
   る請求項１または２記載の半導体装置の電気的特性測定
   装置。
5. 【請求項５】 半導体装置本体から水平方向に引き出さ
   れ下方に折り曲げられたリード端子に接触する板状の接
   触子を備えた、半導体装置の電気的特性測定装置におい
   て、上記接触子が上記リード端子の下方から上方に向か
   って上記リード端子の先端方向に傾斜して延在し、該接
   触子の側面が上記リード端子先端部と押圧力を伴って接
   触して上記半導体装置を支持することを特徴とする半導
   体装置の電気的特性測定装置。
6. 【請求項６】 半導体装置本体から水平方向に引き出さ
   れ下方に折り曲げられたリード端子を備えた上記半導体
   装置の電気的特性を測定する測定方法において、板状の
   接触子を上記リード端子引き出し方向と垂直の方向に配
   置し、該接触子を下方に折り曲げられた上記リード端子
   の内側傾斜部に接触させ、該接触子を用いて測定するこ
   とを特徴とする半導体装置の電気的特性測定方法。
7. 【請求項７】 半導体装置本体から水平方向に引き出さ
   れ下方に折り曲げられたリード端子を備えた上記半導体
   装置の電気的特性を測定する測定方法において、上記リ
   ード端子の下方から上方に向かって延在する板状の接触
   子を上記リード端子の先端方向に傾斜させて配置し、上
   方からの押圧力により上記リード端子先端部を上記接触
   子の側面に摺動を伴って接触させ、該接触子により上記
   半導体装置を支持しつつ測定することを特徴とする半導
   体装置の電気的特性測定方法。