JP2000187321A - 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体素子等の電子部品の製造工程
におけるフォトレジストの現像後の基板からのパターン
の剥がれを低減し、溶液状態での保存安定性にも優れ、
更に高温加熱処理後において良好な耐熱性と基材への接
着性を有する感光性樹脂組成物を提供するものである。 【解決手段】（Ａ）被膜形成能を有する重合体並びに
（Ｂ）一般式（Ｉ） 【化１】 (Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭化水素基、ｍは０〜３の
整数を示す）で示される基を有する有機シラン化合物を
含有してなる感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製
造方法及び該感光性樹脂組成物を用いた電子部品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感光性樹脂組成物
及びこの組成物を用いたレリーフパターンの製造法並び
に電子部品に関し、さらに詳しくは加熱処理により半導
体素子等の電子部品の表面保護膜、層間絶縁膜等として
適用可能なポリイミド系又はポリオキサゾール系耐熱性
高分子となるポジ型又はネガ型感光性樹脂組成物及びこ
の組成物を用いたレリーフパターンの製造法並びに電子
部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドは耐熱性、機械特性に優れ、
また、膜形成が容易、表面を平坦化できる等の利点か
ら、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜として広く使
用されている。

【０００３】ポリイミドを表面保護膜や層間絶縁膜とし
て使用する場合、スルーホール等の形成工程は、主にポ
ジ型のホトレジストを用いるエッチングプロセスによっ
て行われていた。しかし、工程にはホトレジストの塗布
や剥離が含まれ、煩雑であるという問題がある。そこで
作業工程の合理化を目的に感光性を兼ね備えた耐熱性材
料の検討がなされてきた。

【０００４】この検討による感光性ポリイミド組成物に
関しては、(1)エステル結合により感光基を導入したポ
リイミド前駆体組成物（特公昭５２−３０２０７号公報
等）、(2)ポリアミド酸に化学線により２量化または重
合可能な炭素−炭素二重結合及びアミノ基と芳香族ビス
アジドを含む化合物を添加した組成物（特公平３−３６
８６１号公報等）が知られている。感光性ポリイミド前
駆体組成物の使用に際しては、通常、溶液状態で基板上
に塗布後乾燥し、マスクを介して活性光線を照射し、現
像を行い、パターンを形成する。

【０００５】しかし、前記(1)及び(2)の組成物は現像液
に有機溶剤を用いる必要がある。現像液の使用量は感光
性ポリイミド前駆体組成物の使用量の数倍になるため
に、廃現像液の処理の際に環境へ大きい負荷を与えると
いう問題がある。このため、特に近年環境への配慮か
ら、廃現像液の処理の容易な水性現像液で現像可能な感
光性ポリイミド組成物が望まれている。また、前記(1)
及び(2)の組成物はネガ型であるため、ポジ型のホトレ
ジストを用いるエッチングプロセスからネガ型の感光性
ポリイミド前駆体に切り替える場合には、露光工程で用
いるマスクの変更が必要になるという問題がある。

【０００６】そこでこれらを解決するためになされたポ
ジ型感光性ポリイミド前駆体組成物としては、(3)ｏ−
ニトロベンジル基をエステル結合により導入したポリイ
ミド前駆体（特開昭６０−３７５５０号公報等）、(4)
カルボキシル基を含むポリアミド酸エステルとｏ−キノ
ンジアジド化合物を含む組成物（特開平４−１６８４４
１号公報等）、(5)水酸基を含むポリアミド酸エステル
とｏ−キノンジアジド化合物を含む組成物（特開平３−
１１５４６号公報等）、(6)ポリアミド酸エステルとｏ
−キノンジアジド化合物を含む組成物（特開平２−１８
１１４９号公報等）が知られている。また、近年ポリイ
ミドと同様な耐熱性高分子としてポリオキサゾールも報
告され、(7)このポリオキサゾール前駆体とｏ−キノン
ジアジド化合物を含むポジ型感光性組成物も知られてい
る（特開平６−６０１４０号公報等）。

【０００７】ところで、半導体素子の集積度は年々向上
しており、それにともない微細加工技術の向上が望まれ
ている。微細加工を可能にする技術の一つとして、リソ
グラフィー工程での露光波長の短波長化があり、ポジ型
のホトレジストを用いたパターン形成時の露光光源は、
従来のｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）が主
流になりつつある。このため、感光性ポリイミド前駆体
にも、露光装置の共通化の点からｉ線を露光光源として
パターン形成可能なことが求められている。

【０００８】また、前述したように、ポリイミド又はポ
リオキサゾールは半導体の表面保護膜や層間絶縁膜とし
て用いられるが、通常、これら前駆体組成物は各種基板
（Ａｌ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ、ＰＳＧなど）上に塗
布され、活性放射線で露光し、続く有機溶剤、またはア
ルカリ水溶液による現像でパターニングを行う。しか
し、この現像工程において膜と基板の密着性が悪く、微
細パターンが基板から剥がれることがしばしば起こり、
要求される解像度のパターンが得られない。また、高温
加熱処理により最終的にポリイミド膜又はポリベンゾオ
キサゾール膜としたとき、この膜と基板との接着性が問
題となり、良好な信頼性が得られない。これらの接着性
に関しては、使用する基板に前処理する方法、ベース重
合体自身に接着性を持たせる方法、接着助剤を添加する
方法などの試みが行われてきているが、工程の煩雑さ、
接着性との引き替えに感光特性や膜物性が低下する問
題、別化合物の添加による組成物中での析出や組成物の
安定性の低下などの問題があるため、満足する性能の組
成物が得られていないのが現状である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】請求項１及び２記載の
発明は、半導体素子等の電子部品の製造工程におけるフ
ォトレジストの現像後の基板からのパターンの剥がれを
低減する感光性樹脂組成物を提供するものである。請求
項３及び４記載の発明は、半導体素子等の電子部品の製
造工程におけるフォトレジストの現像後の基板からのパ
ターンの剥がれを低減し、さらに組成物の溶液状態での
保存安定性にも優れる感光性樹脂組成物を提供するもの
である。請求項５及び６記載の発明は、請求項１〜４記
載の発明の課題に加えて、高温加熱処理後において良好
な耐熱性と基材への接着性を有する感光性樹脂組成物を
提供するものである。

【００１０】請求項７記載の発明は、請求項１〜６記載
の発明の課題に加えて良好な感光性を示す感光性樹脂組
成物を提供するものである。請求項８記載の発明は、請
求項７記載の発明の課題に加えて一般的なアルカリ現像
液による現像が可能な感光性樹脂組成物を提供するもの
である。

【００１１】請求項９記載の発明は、請求項１記載の発
明の課題に加えて、高感度にレリーフパターンが形成可
能な感光性樹脂組成物を提供するものである。請求項１
０及び１１記載の発明は、請求項１記載の発明の課題に
加えて、ポジ型のレリーフパターンが形成可能な感光性
樹脂組成物を提供するものである。

【００１２】請求項１２記載の発明は、請求項１記載の
発明の課題に加えて、ネガ型のレリーフパターンが形成
可能な感光性樹脂組成物を提供するものである。請求項
１３及び１４記載の発明は、半導体素子等の電子部品の
製造工程におけるフォトレジストの現像後の基板からの
パターンの剥がれを低減しうるレリーフパターンの製造
法を提供するものである。

【００１３】請求項１５及び１６記載の発明は、基板か
らのパターンの剥がれがなく高温加熱処理後において良
好な接着性を持つ層間絶縁膜または表面保護膜を有す
る、信頼性に優れる半導体装置や多層配線板等の電子部
品を提供するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）被膜形
成能を有する重合体並びに（Ｂ）一般式（Ｉ）

【化６】 (Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭化水素基、ｍは０〜３の
整数を示す）で示される基を有する有機シラン化合物を
含有してなる感光性樹脂組成物に関する。

【００１５】また本発明は、前記有機シラン化合物が、
一般式（ＩＩ）

【化７】 （Ｘはアミノ基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、
アクリロキシ基、ピペリジノ基、スクシンイミド基、メ
ルカプト基、ヒドロキシ基又は尿素基であり、Ｚは２価
の有機基であり、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭化水素
基、ｍは０〜３の整数を示す）で示されるものである感
光性樹脂組成物に関する。また本発明は、前記有機シラ
ン化合物が、メルカプト基（−ＳＨ）又は尿素基（−Ｎ
ＨＣＯＮＨ_２）を有するものである感光性樹脂組成物に
関する。また本発明は、前記有機シラン化合物が、一般
式（ＩＩＩ）

【化８】 （式中、ｎは１〜１０の整数、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立
に炭素数１〜５のアルキル基、ｐは０〜３の整数を示
す）で示されるシラン化合物及び／又は一般式（ＩＶ）

【化９】 （式中ｑは１〜１０の整数、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立に
炭素数１〜５のアルキル基、ｒは０〜３の整数を示す）
で示されるシラン化合物である感光性樹脂組成物に関す
る。

【００１６】また本発明は、前記（Ｂ）成分が、耐熱性
高分子重合体である感光性樹脂組成物に関する。また本
発明は、前記（Ｂ）成分が、ポリイミド、その前駆体、
ポリオキサゾール又はその前駆体である感光性樹脂組成
物に関する。

【００１７】また本発明は、前記（Ｂ）成分が、一般式
（Ｖ）

【化１０】 （式中、Ｒ^５は４価の有機基を示し、Ｒ^６は２価の有機
基を示し、Ｒ^７及びＲ^８は各々独立に水素原子又は１価
の有機基を示す）で示される反復単位を有するポリイミ
ド前駆体である感光性樹脂組成物に関する。

【００１８】また本発明は、前記一般式（ＩＶ）におけ
るＲ^６がカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有す
る２価の有機基である感光性樹脂組成物に関する。また
本発明は、さらに（Ｃ）成分として感光剤を含有する前
記感光性樹脂組成物に関する。

【００１９】また本発明は、前記（Ｃ）成分が、光によ
り酸を発生する化合物である感光性樹脂組成物に関す
る。また本発明は、前記（Ｃ）成分が、ｏ−キノンジア
ジド化合物である前記感光性樹脂組成物に関する。

【００２０】また本発明は、前記（Ｃ）成分が、光重合
開始剤または増感剤である感光性樹脂組成物に関する。
また本発明は、前記のいずれかに記載の感光性樹脂組成
物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、
現像する工程及び加熱処理する工程を含むレリーフパタ
ーンの製造法に関する。

【００２１】また本発明は、前記の現像する工程が、ア
ルカリ現像液を用いて行われるものであるレリーフパタ
ーンの製造法に関する。また本発明は、前記の製造法に
より得られるパターンの層を有してなる電子部品に関す
る。また本発明は、前記のパターンの層が、表面保護膜
又は層間絶縁膜である電子部品に関する。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる（Ａ）成分
は、被膜形成能を有する重合体であれば特に制限され
ず、フォトレジスト材料、感光性フィルム材料、感光性
耐熱性重合体材料等として用いられる各種重合体、例え
ば、ポリスチレン、スチレンとアクリル酸若しくはメタ
クリル酸又はこれらのエステル誘導体等とのスチレン−
アクリル系共重合体、アクリル酸若しくはメタクリル酸
又はこれらのエステル誘導体の寿剛体又は共重合体であ
るアクリル系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、クレ
ゾールノボラック系フェノール樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステ
ル、ポリアミド酸アミド、ポリアミドイミド、ポリイミ
ド、ポリオキサゾールなどの重合体が挙げられる。

【００２３】中でも、本発明は、膜としての接着性や膜
特性に優れることから、膜として最終的に残存して用い
られる用途の重合体、すなわち、半導体装置や多層配線
板の層間絶縁膜や表面保護膜として優れた特性を示す、
ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸ア
ミド等のポリイミド前駆体、ポリヒドロキシアミド等の
ポリオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリイミ
ド、ポリベンゾオキサゾール等のポリオキサゾールなど
の耐熱性高分子重合体が好ましい。

【００２４】これらの中でも、優れた耐熱性を有する樹
脂膜となるポリイミド、その前駆体、ポリオキサゾール
又はその前駆体が好ましく、その中でも、良好なレリー
フパターンを形成でき、レリーフパターン形成後に硬化
反応させることにより優れた耐熱性を有する樹脂膜とな
るポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体が好ま
しく、さらにその中でも、前記一般式（Ｖ）で示される
繰り返し単位を有するポリアミド酸又はポリアミド酸エ
ステルは、レリーフパターン形成時のｉ線に対する露光
感度が高く、かつドライエッチング処理による硬化樹脂
膜の膜減りが小さいのでより好ましい。

【００２５】前記一般式（Ｖ）において、Ｒ^５で示され
る４価の有機基とは、一般に、ジアミンと反応してポリ
イミド前駆体を形成し得る、テトラカルボン酸のカルボ
キシル基を除いた残基である。Ｒ^５で示される４価の有
機基としては、芳香環を含む基が好ましく、炭素数６〜
４０のものが好ましい。前記芳香環としてはベンゼン
環、ナフタレン環が挙げられる。Ｒ^５の有する４個の結
合部位は、芳香環上に直接存在することが好ましく、こ
の場合、２個ずつ２つの組に分けられ、各組の結合部位
が同一の芳香環上のオルト位又はペリ位に存在すること
が好ましい。これらの２つの組は、同一の芳香環上に存
在しても異なった芳香環上に存在してもよい。

【００２６】Ｒ^５で示される４価の有機基のうち、芳香
環を含む基の具体例としては、１個の芳香環自体又は２
〜３個の芳香環が単結合、エーテル結合、メチレン結
合、エチレン結合、２，２−プロピレン結合、２，２−
ヘキサフルオロプロピレン結合、スルホン結合、スルホ
キシド結合、チオエーテル結合、カルボニル結合等を介
して結合した化学構造を有する４価の有機基が挙げられ
る。これらのうち、１個の芳香環又は２〜３個の芳香環
が単結合、エーテル結合、カルボニル結合、２，２−ヘ
キサフルオロプロピレン結合、２，２−プロピレン結
合、メチレン結合及びスルホン結合の中から選ばれた少
なくとも一種類の結合を介して結合した化学構造を持つ
４価の有機基が、加熱処理後のポリイミドの耐熱性及び
機械特性の点から好ましい。

【００２７】Ｒ^６で示される２価の有機基とは、一般
に、テトラカルボン酸又はその誘導体と反応してポリイ
ミド前駆体を形成し得る、ジアミン化合物のアミノ基を
除いた残基である。Ｒ^６としては、芳香環を含む基が好
ましく、炭素原子数が６〜４０のものがより好ましい。
Ｒ^６の有する２個の結合部位は、芳香環上に直接存在す
ることが好ましく、この場合、同一の芳香環上に存在し
ても異なった芳香環上に存在しても良い。

【００２８】Ｒ^６で示される２価の有機基のうち、芳香
環を含む基の具体例としては、１個の芳香環自体又は２
〜３個の芳香環が単結合、エーテル結合、メチレン結
合、エチレン結合、２，２−プロピレン結合、２，２−
ヘキサフルオロプロピレン結合、スルホン結合、スルホ
キシド結合、チオエーテル結合、カルボニル結合等を介
して結合した化学構造を持ち、２価の有機基が挙げられ
る。これらのうち、１個の芳香環又は２〜３個の芳香環
が単結合、エーテル結合、２，２−ヘキサフルオロプロ
ピレン結合、メチレン結合及びスルホン結合の中から選
ばれた少なくとも一種類の結合を介して結合した化学構
造を持つ２価の有機基が、加熱処理後のポリイミドの耐
熱性及び機械特性の点から好ましい。

【００２９】Ｒ^６で示される２価の有機基が、カルボキ
シル基又はフェノール性水酸基を有する基であると、ア
ルカリ水溶液で現像可能であるので好ましい。この場
合、カルボキシル基又はフェノール性水酸基はＲ^６に１
〜８有することが好ましく、１〜４有することがより好
ましい。

【００３０】一般式（Ｖ）のＲ^７及びＲ^８で示される基
において、１価の有機基としては、本発明の感光性樹脂
組成物がポジ型である場合と、ネガ型である場合によ
り、好ましいものが異なる。ポジ型の感光性樹脂組成物
を製造する場合は、１価の有機基としては、炭素原子数
１〜２０の炭化水素基が好ましく、炭素原子数１〜２０
のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル
基がより好ましい。

【００３１】一方、ネガ型の感光性樹脂組成物を製造す
る場合は、１価の有機基としては、二量化又は重合が可
能な不飽和炭素−炭素二重結合を有する基が好ましく、
中でもビニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基を
有するものがより好ましく、アクリロイルオキシアルキ
ル基やメタクリロイルオキシアルキル基（例えば、アル
キル鎖の炭素数が１〜１０のもの）が好ましい。

【００３２】アルカリ水溶液による現像に用いる場合、
前記一般式（Ｖ）で示される反復単位を有するポリアミ
ド酸又はポリアミド酸エステルにおいて、Ｒ^６で示され
る基がカルボキシル基又はフェノール性水酸基を有する
反復単位と、Ｒ^６で示される基がカルボキシル基又はフ
ェノール性水酸基を持たない反復単位の比は、前者の数
をｍ、後者の数をｎとしたときのｍ／（ｍ＋ｎ）で、
１．０〜０．２であることが好ましく、１．０〜０．４
であることがより好ましい。個の数値が０．２未満であ
ると塗布乾燥して形成される膜の露光部のアルカリ水溶
液への溶解性が劣る傾向にある。

【００３３】また、ポリアミド酸エステルの場合、前記
一般式（Ｖ）で示される反復単位のうち、Ｒ^７及びＲ^８
で示される基が一価の有機基であるものは、その反復単
位の総数に対して、５０％〜１００％が好ましく、８０
％〜１００％がより好ましく、９０〜１００％が特に好
ましい。なお、ここでいう反復単位とは、酸残基１つと
アミン残基１つより構成される単位を１つとする。

【００３４】本発明において、（Ａ）成分の分子量は、
その樹脂に応じて異なり特に制限はないが、前記耐熱性
高分子重合体の場合、重量平均分子量で３，０００〜２
００，０００が好ましく、５，０００〜１００，０００
がより好ましい。分子量は、ゲルパーミエーションクロ
マトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量
線を用いて値を得ることができる。

【００３５】前記一般式（Ｖ）で示される反復単位を有
するポリイミド前駆体のうち、ポリアミド酸は、テトラ
カルボン酸二無水物とジアミンを混合することにより製
造することができる。また、ポリアミド酸エステルは、
テトラカルボン酸ジエステルジクロリドと、ジアミンと
を反応させて得ることができる。この場合、反応は脱塩
酸触媒の存在下に、有機溶剤中で行うことが好ましい。
前記テトラカルボン酸ジエステルジクロリドはテトラカ
ルボン酸二無水物をアルコール化合物と反応させて得ら
れるテトラカルボン酸ジエステルと塩化チオニルを反応
させて得ることができる。

【００３６】前記テトラカルボン酸二無水物としては、
加熱処理後のポリイミド系高分子の耐熱性及び機械特性
の点から１個の芳香族基又は２〜３個の芳香族基が単結
合、エーテル結合、２，２−ヘキサフルオロプロピレン
結合、スルホン結合、メチレン結合及びカルボニル結合
の中から選ばれた少なくとも１種類の結合を介して結合
した化学構造を持つカルボン酸二無水物が好ましい。

【００３７】これらの化合物の具体例としてはピロメリ
ット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸
二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリ
ジンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二
無水物などの芳香族系テトラカルボン酸二無水物が好ま
しいものとして挙げられる。これらの酸二無水物を単独
で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

【００３８】前記アルコール化合物のうち、一般式
（Ｖ）のＲ^７及びＲ^８としてアルキル基を与えるものと
しては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコー
ル、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアル
コール、イソブチルアルコール、１−ペンタノール、２
−ペンタノール、３−ペンタノール、イソアミルアルコ
ール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキ
サノールなどのアルキルアルコールが好ましいものとし
て挙げることができ、単独で又は２種以上を組み合わせ
て使用することができる。また、一般式（Ｖ）のＲ^７及
びＲ^８で示される基として、アクリロイルオキシアルキ
ル基やメタクリロイルオキシアルキル基を与えるものと
しては、ヒドロキシメチルアクリレート、ヒドロキシメ
チルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、
ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピル
アクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒ
ドロキシブチルアクリレート、ヒドロキシブチルメタク
リレートなどのアルキル鎖の炭素数が１〜１０のヒドロ
キシアルキルアクリレート又はメタクリレートが好まし
いものとして挙げることができ、単独で又は２種以上を
組み合わせて使用することができる。

【００３９】前記ジアミンのうち、カルボキシル基、フ
ェノール性水酸基等の酸性基を有するジアミンとして
は、例えば、２，５−ジアミノ安息香酸、３，４−ジア
ミノ安息香酸、３，５−ジアミノ安息香酸、２，５−ジ
アミノテレフタル酸、ビス（４−アミノ−３−カルボキ
シフェニル）メチレン、ビス（４−アミノ−３−カルボ
キシフェニル）エーテル、４，４’−ジアミノ−３，
３’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−
５，５’−ジカルボキシ−２，２’−ジメチルビフェニ
ル、１，３−ジアミノ−４−ヒドロキシベンゼン、１，
３−ジアミノ−５−ヒドロキシベンゼン、３，３’−ジ
アミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’
−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル、ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エ
ーテル、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）
エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−アミノ−３−
ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等の芳香
族系ジアミンが好ましく、これらを単独で又は２種以上
を組み合わせて使用される。

【００４０】また、カルボキシル基及びフェノール性水
酸基を有しないジアミンとしては、例えば、４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジ
シン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレン
ジアミン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホ
ン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、
１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，
４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニル等の芳
香族ジアミン化合物が好ましく、これらを単独で又は２
種以上を組み合わせて用いることができる。

【００４１】その他、耐熱性向上のためのジアミンとし
て、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−スル
ホンアミド、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル−
４−スルホンアミド、３，４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル−３’−スルホンアミド、３，３’−ジアミノジ
フェニルエーテル−４−スルホンアミド、４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル−３−カルボキサミド、３，
４’−ジアミノジフェニルエーテル−４−カルボキサミ
ド、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル−３’−カ
ルボキサミド、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル
−４−カルボキサミド等のスルホンアミド基又はカルボ
キサミド基を有するジアミンを単独で又は２種以上併用
することができ、併用する場合、これらはジアミン化合
物の総量中、１５モル％以下で使用することが好まし
く、１０モル％以下の範囲で使用することがより好まし
い。

【００４２】ポリアミド酸エステルの合成において、テ
トラカルボン酸ジエステル化合物を合成する方法として
は、例えば、前記テトラカルボン酸二無水物と前記アル
コール化合物を有機溶剤中、塩基の存在下混合すること
により得られる。テトラカルボン酸二無水物とアルコー
ル化合物の割合（モル比）は、前者／後者で１／２〜１
／２．５の範囲とするのが好ましく、１／２とすること
が最も好ましい。また、テトラカルボン酸二無水物と塩
基の割合（モル比）は、前者／後者で１／０．００１〜
１／３の範囲とするのが好ましく、１／０．００５〜１
／２とすることがより好ましい。この反応温度は１０〜
６０℃が好ましく、反応時間は３〜２４時間が好まし
い。

【００４３】テトラカルボン酸ジエステルジクロリドを
合成する方法は公知であり、例えば、有機溶剤に溶解し
たテトラカルボン酸ジエステルに塩化チオニルを滴下し
て反応させて得られる。テトラカルボン酸ジエステルと
塩化チオニルの割合（モル比）は、前者／後者で１／
１．１〜１／２．５の範囲とするのが好ましく、１／
１．５〜１／２．２の範囲とするのがより好ましい。反
応温度は−２０〜４０℃が好ましく、反応時間は１〜１
０時間が好ましい。

【００４４】ポリアミド酸エステルは、例えば、前記ジ
アミンとピリジンなどの脱ハロゲン酸剤を有機溶剤に溶
解し、有機溶剤に溶解したテトラカルボン酸ジエステル
ジハライドを滴下して反応させた後、水などの貧溶剤に
投入し、析出物をろ別、乾燥することにより得られる。
ジアミンの総量とテトラカルボン酸ジエステルジハライ
ドの割合（モル比）は、前者／後者で０．６／１〜１／
０．６の範囲が好ましく、０．７／１〜１／０．７の範
囲がより好ましい。反応温度は−２０〜４０℃が好まし
く、反応時間は１〜１０時間が好ましい。脱ハロゲン酸
剤とテトラカルボン酸ジエステルジハライドの割合は、
前者／後者（モル比）が、１．８／１〜２．２／１の範
囲が好ましく、１．９／１〜２．１／１の範囲がより好
ましい。

【００４５】ポリアミド酸エステルの合成において、ア
ルカリ現像のためにカルボキシル基又はフェノール性水
酸基を有するジアミンを用いる場合、そのようなジアミ
ンとそのほかのジアミンの使用割合は、前者２０〜１０
０モル％、後者８０〜０モル％で全体が１００モル％に
なるように使用されるのが好ましく、前者４０〜１００
モル％、後者６０〜０モル％で全体が１００モル％にな
るように使用されるのがより好ましい。前者のジアミン
は、ポリアミド酸エステルにアルカリ水溶液に対する溶
解性を付与するために使用されるが、これが２０モル％
未満であると感度が低下したり、現像時間が長くなる傾
向にある。

【００４６】なお、アルカリ現像用とする場合、ポリア
ミド酸エステルとして、ジアミン残基にカルボキシル基
又はフェノール性水酸基を有しないものでエステルの一
部がカルボキシル基のまま残存するもの（部分エステ
ル）を用いることもできる。これは、前記のテトラカル
ボン酸二無水物とテトラカルボン酸ジエステルジハライ
ドとジアミンとを反応させることにより得られる。

【００４７】以上ポリアミド酸エステルについて詳述し
たが、ポリアミド酸を用いてポジ型のアルカリ現像用と
する場合は、テトラカルボン酸の残基としてのカルボキ
シル基が存在するので、ジアミンとして、カルボキシル
基、フェノール性水酸基等の酸性基を有するジアミンを
用いなくともよい。ポリアミド酸は前記のテトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンを有機溶剤中で直接反応させる
ことにより得られる。

【００４８】また、ポリアミド酸を用いてネガ型の溶剤
現像用の感光性樹脂組成物とすることもでき、これは、
公知の方法により、さらに重合性の不飽和結合を有する
アミンを加え、前記ポリアミド酸の側鎖にイオン結合に
より重合性の不飽和結合を導入することにより達成する
ことができる。

【００４９】以下に、そのほかの耐熱性高分子重合体に
ついて説明する。ポリアミド酸アミドは、前記ポリアミ
ド酸エステルの合成において、アルコール化合物の代わ
りに、モノアミン化合物、例えば、メチルアミン、エチ
ルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、
ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−
ブチルアミン、イソブチルアミン、１−ペンチルアミ
ン、２−ペンチルアミン、３−ペンチルアミン、イソア
ミルアミン、１−ヘキシルアミン、２−ヘキシルアミ
ン、３−ヘキシルアミン、モルホリン、アニリン、ベン
ジルアミンなどを用いることにより合成することができ
る。ポリイミドは、一旦ポリアミド酸を合成し、これを
脱水閉環させること等により得られる。

【００５０】ポリオキサゾール前駆体としては、一般
に、ジカルボン酸とジヒドロキシジアミンを原料として
得られるヒドロキシポリアミドが挙げられる。この時、
ジヒドロキシジアミンの有する水酸基とアミノ基の位置
関係は芳香環上のオルト位にあることが好ましい。

【００５１】前記ジカルボン酸としては、イソフタル
酸、テレフタル酸、４，４−ヘキサフルオロイソプロピ
リデンジ安息香酸、４，４−ジカルボキシテトラフェニ
ルシラン、ビス（４−カルボキシフェニル）スルホン、
２，２−ビス（ｐ−カルボキシフェニル）プロパン、５
−ｔｅｒｔ−ブチルイソフタル酸、５−ブロモイソフタ
ル酸、５−フルオロイソフタル酸、５−クロロイソフタ
ル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系ジ
カルボン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，
４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロペン
タンジカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の
脂肪族系ジカルボン酸などが挙げられ、これらを単独、
又は２種以上を組み合わせて使用することができる。こ
れらの中で、耐熱性等の点で芳香族系ジカルボン酸が好
ましい。

【００５２】前記ジヒドロキシジアミンとしては、３，
３−ジアミノ−４，４−ジヒドロキシビフェニル、４，
４−ジアミノ−３，３−ジヒドロキシビフェニル、ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビ
ス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等の芳香族系ジ
アミンが好ましいものとして挙げられる。芳香族系ジア
ミンを使用することにより、耐熱性の良好なポリオキサ
ゾール前駆体とされる。

【００５３】本発明において、前記ポリオキサゾール前
駆体は例えば、ジカルボン酸ジハライド（クロライド、
ブロマイド）とジヒドロキシジアミンとを反応させて得
ることができる。この場合、反応は脱ハロ酸触媒の存在
下に、有機溶媒中で行うことが好ましい。ジカルボン酸
ジハライドとしては、ジカルボン酸ジクロライドが好ま
しい。ジカルボン酸ジクロライドはジカルボン酸と塩化
チオニルを反応させて得ることができる。ポリオキサゾ
ールは、前記ポリオキサゾール前駆体を脱水閉環するこ
とにより得られる。

【００５４】本発明に用いられる（Ｂ）成分は、露光後
の現像処理時の微細パターンの剥離の防止及び良好な接
着性を示すものとして使用される。一般式（Ｉ）で示さ
れる基において、炭化水素基としては、炭素原子数１〜
１０のアルキル基、フェニル基等のアリール基などが挙
げられる。

【００５５】一般式（Ｉ）で示される基を有する有機シ
ラン化合物としては、種々のものが挙げられるが、前記
一般式（ＩＩ）

【化１１】 （Ｘはアミノ基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、
アクリロキシ基、ピペリジノ基、スクシンイミド基、メ
ルカプト基又は尿素基であり、Ｚは２価の有機基であ
り、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭化水素基、ｍは０〜３
の整数を示す）で示されるものなどが挙げられる。ここ
で、Ｚで示される２価の有機基としては、鎖状又は分岐
状のアルキレン基、フェニレン基等のアリーレン基など
の炭素原子数が１〜２０の２価の炭化水素基、前記２価
の炭化水素基の複数が、種々の結合（エーテル結合、ア
ミド結合、エステル結合等）を介して結合した基などが
挙げられるが、炭素原子数が１〜２０の２価の炭化水素
基が好ましく、炭素原子数が１〜１０の直鎖アルキレン
基がより好ましい。

【００５６】前記アミノ基を有するものとしては、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノエチル
トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン等が挙げられ、グリシドキシ
基を有するものとしては、γ−グリシドキシプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチ
ルジエトキシシラン、ジエトキシ−３−グリシドキシプ
ロピルメチルシラン等が挙げられ、メタクリロキシ基を
有するものとしては、３−メタクリロキシプロピルジメ
トキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエト
キシシラン等が挙げられ、アクリロキシ基を有するもの
としては、３−アクリロキシプロピルジメトキシメチル
シラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン等が
挙げられ、ピペリジノ基を有するものとしては、ジメト
キシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン等が挙げら
れ、スクシンイミド基を有するものとしては、Ｎ−（３
−ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド等
が挙げられ、ヒドロキシ基を有するものとしては、γ−
ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキ
シエチルトリメトキシシラン、γ−ヒドロキシプロピル
トリエトキシシラン等が挙げられる。

【００５７】本発明では、特に以下に示すような、メル
カプト基（−ＳＨ）又は尿素基（−ＮＨＣＯＮＨ_２）を
有する有機シラン化合物を用いることにより、現像後の
基板からのパターンの剥がれを低減し、かつ組成物の溶
液状態での保存安定性にも格別に優れるので好ましい。
メルカプト基（−ＳＨ）又は尿素基（−ＮＨＣＯＮ
Ｈ_２）を有する有機シラン化合物としては、前記一般式
（ＩＩＩ）で示されるシラン化合物又は前記一般式（Ｉ
Ｖ）で示されるシラン化合物がその効果が高く好まし
い。

【００５８】一般式（ＩＩＩ）で示されるシラン化合物
は特に露光後の現像処理時の微細パターンの剥離の防止
効果に優れる。前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ^１又
はＲ^２で示される基は、複数存在する場合は、互いに異
なっていてもよい。一般式（ＩＩＩ）で示されるシラン
化合物の具体例としては、３−メルカプトプロピルトリ
メトキシシラン、３−メルカプトプロピルジエトキシメ
トキシシラン、３−メルカプトプロピルエトキシジメト
キシシラン、３−メルカプトプロピルトリプロポキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルジエトキシプロポキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルエトキシジプロポキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルジメトキシプロポキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルメトキシジプロポキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、２
−メルカプトエチルトリメトキシシラン、２−メルカプ
トエチルジエトキシメトキシシラン、２−メルカプトエ
チルエトキシジメトキシシラン、２−メルカプトエチル
トリプロポキシシラン、２−メルカプトエチルトリプロ
ポキシシラン、２−メルカプトエチルエトキシジプロポ
キシシラン、２−メルカプトエチルジメトキシプロポキ
シシラン、２−メルカプトエチルメトキシジプロポキシ
シラン、４−メルカプトブチルトリメトキシシラン、４
−メルカプトブチルトリエトキシシラン、４−メルカプ
トブチルトリプロポキシシランなどが挙げられる。

【００５９】本発明に用いられる前記一般式（ＩＶ）で
示されるシラン化合物は、特に加熱処理後の硬化膜と基
板との密着性を向上させる効果に優れる。前記一般式
（ＩＶ）において、Ｒ^３又はＲ^４で示される基は、複数
存在する場合は、互いに異なっていてもよい。一般式
（ＩＶ）で示されるシラン化合物の具体例としては、Ｎ
−（３−トリエトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ−
（３−ジエトキシメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ
−（３−エトキシジメトキシシリルプロピル）ウレア、
Ｎ−（３−トリプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ
−（３−ジエトキシプロポキシシリルプロピル）ウレ
ア、Ｎ−（３−エトキシジプロポキシシリルプロピル）
ウレア、Ｎ−（３−ジメトキシプロポキシシリルプロピ
ル）ウレア、Ｎ−（３−メトキシジプロポキシシリルプ
ロピル）ウレア、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピ
ル）ウレア、Ｎ−（３−トリメトキシシリルエチル）ウ
レア、Ｎ−（３−エトキシジメトキシシリルエチル）ウ
レア、Ｎ−（３−トリプロポキシシリルエチル）ウレ
ア、Ｎ−（３−トリプロポキシシリルエチル）ウレア、
Ｎ−（３−エトキシジプロポキシシリルエチル）ウレ
ア、Ｎ−（３−ジメトキシプロポキシシリルエチル）ウ
レア、Ｎ−（３−メトキシジプロポキシシリルエチル）
ウレア、Ｎ−（３−トリメトキシシリルブチル）ウレ
ア、Ｎ−（３−トリエトキシシリルブチル）ウレア、Ｎ
−（３−トリプロポキシシリルブチル）ウレアなどが挙
げられる。

【００６０】（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に
対して、好ましくは０．１〜２０重量部、より好ましく
は０．５〜１０重量部用いられる。０．１重量部未満で
は現像時の微細パターンの剥離が起こりやすく、２０重
量部を越えると膜物性が低下する傾向がある。

【００６１】なお、（Ｂ）成分として、前記一般式（Ｉ
ＩＩ）の化合物と一般式（ＩＶ）の化合物を併用する
と、その相乗効果により、露光後の現像処理時の微細パ
ターンの剥離の防止及び加熱処理後の硬化膜と基板との
密着性の両面で顕著に優れるので好ましく、この場合、
それぞれが、０．５〜１０重量部用いられることが好ま
しい。

【００６２】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、現像
時の微細パターンの剥がれの抑制、又は硬化膜の基板と
の接着性をさらに高めるために前記（Ｂ）成分以外のア
ルミキレート化合物、ケイ素含有ポリアミド酸などの接
着性向上剤を含むことができる。

【００６３】アルミキレート化合物としては、例えば、
トリス（アセチルアセトネート）アルミニウム、アセチ
ルアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどが挙
げられる。ケイ素含有ポリアミド酸としては、例えば、
テトラカルボン酸二無水物と次式で示すようなポリシロ
キサン構造を有するジアミン化合物を溶液中で反応させ
て得られるポリマーが挙げられる。

【００６４】

【化１２】

【００６５】これらを用いる場合、その種類によりその
量は異なるが、形成した膜と基板との接着性と残膜率あ
るいは膜物性の許容幅の点から（Ａ）成分１００重量部
に対して、１〜５０重量部が好ましく、２〜２０重量部
がより好ましい。本発明においては、良好な感光性を付
与するために一般に（Ｃ）成分として感光剤を用いるこ
とが好ましい。感光剤は、製造しようとする感光性樹脂
組成物が、ポジ型かネガ型により異なる。

【００６６】ネガ型の感光剤とは、光重合開始剤又は増
感剤である。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフ
ェノン、４，４′−ビス（ｐ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ
ベンゾフェノン、２，２′−ジエトキシアセトフェノ
ン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４
−ベンゾイル−４′−メチルジフェニルケトン、ジベン
ジルケトン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾ
インイソプロピルエーテル、１−ヒドロキシシクロヘキ
シルフェニルケトン、チオキサントン、２−メチルチオ
キサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチ
ルチオキサントン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ
−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，
２−プロパンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）
オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２
−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等が用いられ
る。

【００６７】増感剤としては、例えば、７−Ｎ，Ｎージ
エチルアミノクマリン、７−ジエチルアミノ−３−テノ
ニルクマリン、３，３´−カルボニルビス（７−Ｎ，Ｎ
ージエチルアミノ）クマリン、３，３´−カルボニルビ
ス（７−Ｎ，Ｎージメトキシ）クマリン、３−チエニル
カルボニルー７ーＮ，Ｎージエチルアミノクマリン、３
−ベンゾイルクマリン、３−ベンゾイル−７−Ｎ，Ｎー
メトキシクマリン、３−（４´−メトキシベンゾイル）
クマリン、３，３´−カルボニルビス−５，７−（ジメ
トキシ）クマリン、ベンザルアセトフェノン、４´−
Ｎ，Ｎージメチルアミノベンザルアセトフェノン、４´
−アセトアミノベンザル−４−メトキシアセトフェノン
等が挙げられる。

【００６８】ポジ型の感光剤としては、ｏ−キノンジア
ジド化合物、アリルジアゾニウム塩、ジアリルヨードニ
ウム塩、トリアリルスルホニウム塩などの光により酸を
発生する化合物が挙げられるが、中でも、ｏ−キノンジ
アジド化合物が感度が高くなる点からより好ましい。

【００６９】ｏ−キノンジアジド化合物は、例えば、ｏ
−キノンジアジドスルホニルクロリド類とヒドロキシ化
合物、アミノ化合物などとを脱塩酸性触媒の存在下で縮
合反応させることで得られる。

【００７０】前記ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリ
ド類としては、例えば、ベンゾキノン−１，２−ジアジ
ド−４−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−
ジアジド−４−スルホニルクロリド、ベンゾキノン−
１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド、ナフトキ
ノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド等が
使用できる。

【００７１】前記ヒドロキシ化合物としては、例えば、
ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフ
ェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４，２′，３′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３，４，３′，４′，５′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフェニル）プロパン、４ｂ，５，９ｂ，１０−テ
トラヒドロ−１，３，６，８−テトラヒドロキシ−５，
１０−ジメチルインデノ［２，１−ａ］インデン、トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタンなどが使用できる。

【００７２】前記アミノ化合物としては、例えば、ｐ−
フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ
−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミ
ノフェノール、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒド
ロキシビフェニル、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジ
ヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−
ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンなどが使用できる。

【００７３】ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリドと
ヒドロキシ化合物またはアミノ化合物は、ｏ−キノンジ
アジドスルホニルクロリド１モルに対して、ヒドロキシ
基とアミノ基の合計が０．５〜１当量になるように配合
されることが好ましい。脱塩酸触媒とｏ−キノンジアジ
ドスルホニルクロリドの好ましい割合は０．９５／１〜
１／０．９５の範囲とされる。好ましい反応温度は０〜
４０℃、好ましい反応時間は１〜１０時間とされる。

【００７４】反応溶媒としては、例えばジオキサン、ア
セトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドン等の溶媒が用い
られる。脱塩酸触媒としては、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸
化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピ
リジンなどが挙げられる。

【００７５】（Ｃ）成分の量は、ポジ型用の、光により
酸を発生する化合物の場合、現像後の膜厚及び感度の観
点から（Ａ）成分１００重量部に対して、好ましくは５
〜１００重量部、より好ましくは１０〜４０重量部用い
られる。また、ネガ型用の、光開始剤または増感剤の場
合、（Ａ）成分１００重量部に対して、好ましくは０．
０１〜３０重量部、より好ましくは０．０５〜１０重量
部用いられる。

【００７６】本発明の感光性樹脂組成物は、前記（Ａ）
成分及び（Ｂ）成分並びに必要に応じて（Ｃ）成分及び
他の成分を溶剤に溶解してなり、溶液状態で得られる。
前記溶剤としては、例えばＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルアミド、テトラメチレンスルホン、γ−ブチロラ
クトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等の非プ
ロトン性極性溶剤が単独で又は２種以上併用して用いら
れる。溶剤の量は特に制限はなく、一般に組成物総量に
対して１０〜９０重量％の範囲で使用される。

【００７７】本発明の感光性樹脂組成物は、ガラス基
板、半導体、金属酸化物絶縁体（例えばＴｉＯ_２、Ｓｉ
Ｏ_２等）、窒化ケイ素などの支持基板上に塗布し、乾燥
することにより感光性樹脂組成物の膜を形成する。その
後、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線などの活
性光線照射を行い、露光部を現像液で除去することによ
りレリーフパターンが得られる。

【００７８】乾燥は通常オーブン又はホットプレートを
用いて行われる。乾燥条件は、感光性樹脂組成物の成分
により適宜決定されるが、ホットプレートを用いた場
合、６０〜１４０℃で３０秒間〜１０分間が好ましい。
乾燥温度が低いと溶剤が充分に揮発せず塗布装置、露光
装置等を汚染する傾向がある。また、乾燥温度が高いと
感光性樹脂組成物の膜中の感光剤が乾燥中に分解する傾
向にある。

【００７９】次いで現像するが、現像液としては、各種
有機溶媒を用いることもできるが、環境性の点からは、
アルカリ水溶液が好ましい。アルカリ水溶液としては、
例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナ
トリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の５重量
％以下水溶液が好ましく、１．５〜３．０重量％の水溶
液がより好ましく、水酸化テトラメチルアンモニウムの
１．５〜３．０重量％の水溶液がさらに好ましい。

【００８０】更に上記現像液にアルコール類や界面活性
剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞ
れ、現像液１００重量部に対して、好ましくは０．０１
〜１０重量部、より好ましくは０．１〜５重量部の範囲
で配合する。ついで、得られたレリーフパターンに１５
０〜４５０℃の加熱処理をすることによりイミド環やオ
キサゾール環等の環状基を持つ耐熱性重合体のレリーフ
パターンになる。

【００８１】このレリーフパターンは、半導体装置や多
層配線板等の電子部品の層間絶縁膜又は表面保護膜とさ
れる。本発明の電子部品は、前記組成物を用いて形成さ
れる表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制
限されず、様々な構造をとることができる。

【００８２】本発明の電子部品の一例として、半導体装
置の製造工程の一例を以下に説明する。図１は多層配線
構造の半導体装置の製造工程図である。図において、回
路素子を有するＳｉ基板等の半導体基板は、回路素子の
所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜２で被覆さ
れ、露出した回路素子上に第１導体層が形成されてい
る。前記半導体基板上にスピンコート法等で層間絶縁膜
としてのポリイミド樹脂等の膜４が形成される（工程
（ａ））。

【００８３】次に塩化ゴム系またはフェノールノボラッ
ク系の感光性樹脂層５が前記層間絶縁膜４上にスピンコ
ート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部
分の層間絶縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられて
いる（工程（ｂ））。前記窓６Ａの層間絶縁膜４は、酸
素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手
段によって選択的にエッチングされ、窓６Ｂがあけられ
ている。ついで窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食
することなく、感光樹脂層５のみを腐食するようなエッ
チング溶液を用いて感光樹脂層５が完全に除去される
（工程（ｃ））。

【００８４】さらに公知の写真食刻技術を用いて、第２
導体層７を形成させ、第１導体層３との電気的接続が完
全に行われる（工程（ｄ））。３層以上の多層配線構造
を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を
形成することができる。

【００８５】次に表面保護膜８が形成される。この図の
例では、この表面保護膜を前記感光性重合体組成物をス
ピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形
成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後ア
ルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、加熱して
ポリイミド膜とする。このポリイミド膜は、導体層を外
部からの応力、α線などから保護するものであり、得ら
れる半導体装置は信頼性に優れる。なお、上記例におい
て、層間絶縁膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形
成することも可能である。

【００８６】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明する
が、本発明はこれらにより制限されるものではない。 実施例１ 攪拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた０．５リッ
トルのフラスコ中に、３，３′，４，４′−ジフェニル
エーテルテトラカルボン酸二無水物２４．８２ｇ、ｎ−
ブチルアルコール５９．３０ｇを仕込、９５℃で５時間
で攪拌し反応させた。余剰のｎ−ブチルアルコールを減
圧下、留去して、３，３′，４，４′−ジフェニルエー
テルテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルを得た。

【００８７】次いで、フラスコ中に塩化チオニル９５．
１７ｇ、トルエン７０．００ｇを仕込、４０℃で３時間
反応させた。減圧により、余剰の塩化チオニルをトルエ
ンと共沸させ、除去した。Ｎ−メチルピロリドン１８６
ｇを添加し、３，３′，４，４′−ジフェニルエーテル
テトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルジクロリドの溶
液（α）を得た。

【００８８】次いで、攪拌機、温度計、ジムロート冷却
管を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル
ピロリドン９５ｇを仕込、３，５−ジアミノ安息香酸
８．５２ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
４．８１ｇを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン１２．
６６ｇを添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、３，
３′，４，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸
ジｎ−ブチルエステルジクロリドの溶液（α）を１時間
で滴下した後、１時間攪拌を続けた。溶液を４リットル
の水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥し
てポリアミド酸ｎ−ブチルエステルを得た（以下ポリマ
Ｉとする）。

【００８９】ポリマＩ ３０．００ｇ、２，３，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン
−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドを１／３
のモル比で反応させた化合物７．５０ｇと３−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン２．００ｇ、Ｎ−（３−
トリエトキシシリルプロピル）ウレア１．００ｇをＮメ
チルピロリドン５４．００ｇに攪拌溶解した。この溶液
を３μｍ孔のテフロンフィルタを用いて加圧濾過してポ
ジ型感光性組成物を得た。

【００９０】得られたポジ型感光性組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上１１０℃で３分間加熱乾燥を行い、６．８μｍの
ポジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。この感光性ポリイ
ミド前駆体塗膜にｉ線縮小投影露光装置（（株）日立製
作所製 ＬＤ−５０１０ｉ）を用いマスクを介して９０
０ｍＪ／ｃｍ^２の露光をした。次いで、２．３８％水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液として７０
秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパター
ンを得た。剥離したパターンは無かった。現像後の膜厚
は５．５μｍであった。次いで、このパターンを窒素雰
囲気下３５０℃で１時間加熱処理し、膜厚３．６μｍの
ポリイミド膜のパターンを得た。

【００９１】また、硬化後の膜の基板との接着性を見る
ために、ポリイミド膜を１２１℃、２ａｔｍ、１００％
ＨＲの条件下で５００時間暴露させた後、基盤目試験法
により接着性を調べたが、膜の剥がれは無かった。この
基盤目試験法とは、基板上のポリイミド膜にカッターナ
イフで１ｍｍ角の升目を基盤目状に１００個切り傷をつ
ける。これをＪＩＳに規定されたセロテープで剥離し、
そのときの膜の剥がれを１００個中いくつ剥がれるかで
接着性を判定するものである。 実施例２ 攪拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた０．５リッ
トルのフラスコ中に、３，３′，４，４′−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物２８．６６ｇ、ｎ−
ブチルアルコール５９．３０ｇを仕込、９５℃で５時間
で攪拌し反応させた。余剰のｎ−ブチルアルコールを減
圧下、留去して、３，３′，４，４′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルを得た。

【００９２】次いで、フラスコ中に塩化チオニル９５．
１７ｇ、トルエン７０．００ｇを仕込、４０℃で３時間
反応させた。減圧により、余剰の塩化チオニルをトルエ
ンと共沸させ、除去した。Ｎ−メチルピロリドン１８６
ｇを添加し、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルジクロリドの溶
液（β）を得た。

【００９３】次いで、攪拌機、温度計、ジムロート冷却
管を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル
ピロリドン９５ｇを仕込、３，５−ジアミノ安息香酸
８．５２ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
４．８１ｇを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン１２．
６６ｇを添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
ジｎ−ブチルエステルジクロリドの溶液（β）を１時間
で滴下した後、１時間攪拌を続けた。溶液を４リットル
の水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥し
てポリアミド酸ｎ−ブチルエステルを得た（以下ポリマ
ＩＩとする）。

【００９４】ポリマＩＩ ３０．００ｇ、４，４′−ジ
アミノジフェニルスルホンとナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルホニルクロリドを１／２のモル比で反
応させた化合物９．００ｇ、３−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン１．００ｇ、Ｎ−（３−トリエトキシ
シリルプロピル）ウレア１．００ｇをＮＭＰ５４．００
ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔のテフロンフィ
ルタを用いて加圧濾過してポジ型感光性組成物を得た。

【００９５】得られたポジ型感光性組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上１００℃で３分間加熱乾燥を行い、６．４μｍの
ポジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。この感光性ポリイ
ミド前駆体塗膜にｉ線縮小投影露光装置（（株）日立製
作所製 ＬＤ−５０１０ｉ）を用い、マスクを介し、８
００ｍＪ／ｃｍ^２の露光をした。次いで、２．３８重量
％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液とし
９０秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパ
ターンを得た。剥離したパターンは無かった。現像後の
膜厚は６．０μｍであった。次いで、このパターンを窒
素雰囲気下３５０℃で１時間加熱処理し、膜厚３．８μ
ｍのポリイミド膜のパターンを得た。硬化後の膜の基板
との接着性を見るために、ポリイミド膜を１２１℃、２
ａｔｍ、１００％ＨＲの条件下で５００時間暴露させた
後、基盤目試験法により接着性を調べたが、膜の剥がれ
は無かった。

【００９６】実施例３ 攪拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた０．５リッ
トルのフラスコ中に、ピロメリット酸二無水物１７．４
５ｇ、ｎ−ブチルアルコール５９．３０ｇを仕込、９５
℃で５時間で攪拌し反応させた。余剰のｎ−ブチルアル
コールを減圧下、留去して、ピロメリット酸ジｎ−ブチ
ルエステルを得た。次いで、フラスコ中に塩化チオニル
９５．１７ｇ、トルエン７０．００ｇを仕込、４０℃で
３時間反応させた。減圧により、余剰の塩化チオニルを
トルエンと共沸させ、除去した。Ｎ−メチルピロリドン
１８６ｇを添加し、ピロメリット酸ジｎ−ブチルエステ
ルジクロリドの溶液（γ）を得た。

【００９７】次いで、攪拌機、温度計、ジムロート冷却
管を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル
ピロリドン９５ｇを仕込、ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２３．４４
ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン３．９７ｇ
を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン１２．６６ｇを添
加し、温度を０〜５℃に保ちながら、ピロメリット酸ジ
ｎ−ブチルエステルジクロリドの溶液（γ）を１時間で
滴下した後、１時間攪拌を続けた。溶液を４リットルの
水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥して
ポリアミド酸ｎ−ブチルエステルを得た（以下、ポリマ
ＩＩＩとする）。

【００９８】ポリマＩＩＩ ３０．００ｇ、トリス（４
−ヒドロキシフェニル）メタンとナフトキノン−１，２
−ジアジド−５−スルホニルクロリドを１／２．５のモ
ル比で反応させた化合物６．００ｇ、３−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン０．６０ｇ、Ｎ−（３−トリ
エトキシシリルプロピル）ウレア０．６０ｇを、ＮＭＰ
５４．００ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔のテ
フロンフィルタを用いて加圧濾過してポジ型感光性組成
物を得た。

【００９９】得られたポジ型感光性組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上９０℃で３分間加熱乾燥を行い、６．４μｍのポ
ジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。この感光性ポリイミ
ド前駆体塗膜にｉ線縮小投影露光装置（（株）日立製作
所製 ＬＤ−５０１０ｉ）を用い、マスクを介し、７０
０ｍＪ／ｃｍ^２の露光をした。次いで、２．３８重量％
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液とし１
００秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパ
ターンを得た。剥離したパターンは無かった。現像後の
膜厚は５．６μｍであった。次いで、このパターンを窒
素雰囲気下３５０℃で１時間加熱処理し、膜厚３．４μ
ｍのポリイミド膜のパターンを得た。硬化後の膜の基板
との接着性を見るために、ポリイミド膜を１２１℃、２
ａｔｍ、１００％ＨＲの条件下で５００時間暴露させた
後、基盤目試験法により接着性を調べたが、膜の剥がれ
は無かった。

【０１００】比較例１ ポリマ（Ｉ）３０．００ｇ、４，４’−ジアミノジフェ
ニルスルホンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−
スルホニルクロリドを１／２のモル比で反応させた化合
物７．５０ｇと３−アミノプロピルトリエトキシシラン
１．００ｇをＮＭＰ５４．００ｇに攪拌溶解した。しか
し、撹拌後、このポジ型感光性組成物は黒色に変色する
とともに異臭を放ち、評価に至らなかった。

【０１０１】実施例４ ポリマ（Ｉ）３０．００ｇ、２，３，４，４’−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルホニルクロリドを１／３のモル比で反
応させた化合物８．００ｇとビス｛３−（トリメトキシ
シリル）プロピル｝エチレンジアミン１．２０ｇをＮＭ
Ｐ５４．００ｇに攪拌溶解した。しかし、撹拌後、この
ポジ型感光性組成物は黒色に変色するとともに異臭を放
ち、評価に至らなかった。

【０１０２】比較例２ ポリマ（Ｉ）３０．００ｇ、２，３，４，４′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルホニルクロリドを１／３のモル比で反
応させた化合物７．５０ｇをＮＭＰ５４．００ｇに攪拌
溶解した。この溶液を３μｍ孔のテフロンフィルタを用
いて加圧濾過してポジ型感光性組成物を得た。

【０１０３】得られたポジ型感光性組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上１１０℃で３分間加熱乾燥を行い、６．８μｍの
ポジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。この感光性ポリイ
ミド前駆体塗膜にｉ線縮小投影露光装置（（株）日立製
作所製 ＬＤ−５０１０ｉ）を用いマスクを介して９０
０ｍＪ／ｃｍ^２の露光をした。次いで、２．３８重量％
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液とし７
０秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパタ
ーンを得た。１０μｍ以下のパターンが剥離していた。
現像後の膜厚は５．５μｍであった。次いで、このパタ
ーンを窒素雰囲気下３５０℃で１時間加熱処理し、膜厚
３．６μｍのポリイミド膜のパターンを得た。硬化後の
膜の基板との接着性を見るために、ポリイミド膜を１２
１℃、２ａｔｍ、１００％ＨＲの条件下で１０時間暴露
させた後、基盤目試験法により接着性を調べたが、膜は
全て剥がれた。

【０１０４】比較例３ ポリマ（ＩＩ）３０．００ｇ、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５
−スルホニルクロリドを１／２のモル比で反応させた化
合物９．００ｇをＮＭＰ５４．００ｇに攪拌溶解した。
この溶液を３μｍ孔のテフロンフィルタを用いて加圧濾
過してポジ型感光性組成物を得た。得られたポジ型感光
性組成物をスピンナーを使用してシリコンウェハ上に回
転塗布し、ホットプレート上１１５℃で３分間加熱乾燥
を行い、６．４μｍのポジ型感光性樹脂組成物の膜を得
た。

【０１０５】得られたポジ型感光性組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上１１０℃で３分間加熱乾燥を行い、６．４μｍの
ポジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。この感光性ポリイ
ミド前駆体塗膜にｉ線縮小投影装置（（株）日立製作所
製 ＬＤ−５０１０ｉ）を用い、マスクを介し、８００
ｍＪ／ｃｍ^２の露光をした。次いで、２．３８重量％水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液とし９０
秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパター
ンを得た。１０μｍ以下のパターンが剥離していた。現
像後の膜厚は５．３μｍであった。次いで、このパター
ンを窒素雰囲気下３５０℃で１時間加熱処理し、膜厚
３．３μｍのポリイミド膜のパターンを得た。

【０１０６】硬化後の膜の基板との接着性を見るため
に、ポリイミド膜を１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＨＲ
の条件下で１０時間暴露させた後、基盤目試験法により
接着性を調べたが、膜は全て剥がれた。上記の実施例及
び比較例から明らかなように、本発明の実施例において
は、アルカリ水溶液での現像後のパターン剥離は起こら
ず、さらに加熱処理後のポリイミド膜の基板に対する接
着性も良好であったが、比較例では現像後のパターンの
剥離が起こり、また、加熱処理後のポリイミド膜の基板
に対する接着性も劣っていた。

【０１０７】

【発明の効果】請求項１及び２記載の感光性樹脂組成物
は、半導体素子等の電子部品の製造工程におけるフォト
レジストの現像後の基板からのパターンの剥がれを低減
する効果に優れるものである。請求項３及び４記載の感
光性樹脂組成物は、半導体素子等の電子部品の製造工程
におけるフォトレジストの現像後の基板からのパターン
の剥がれを低減し、さらに組成物の溶液状態での保存安
定性にも優れるものである。請求項５及び６記載の感光
性樹脂組成物は、請求項１記載の発明の効果を奏し、高
温加熱処理後において良好な耐熱性と基材への接着性を
有するものである。

【０１０８】請求項７記載の感光性樹脂組成物は、請求
項１〜４記載の発明の効果を奏し、良好な感光性を示す
ものである。請求項８記載の感光性樹脂組成物は、請求
項５記載の発明の効果を奏し、一般的なアルカリ現像液
による現像が可能なものである。請求項９記載の感光性
樹脂組成物は、請求項１記載の発明の効果を奏し、高感
度にレリーフパターンが形成可能なものである。請求項
１０及び１１記載の感光性樹脂組成物は、請求項１記載
の発明の効果を奏し、ポジ型のレリーフパターンが形成
可能なものである。

【０１０９】請求項１２記載の感光性樹脂組成物は、請
求項１記載の発明の効果を奏し、ポジ型のレリーフパタ
ーンが形成可能なものである。請求項１３及び１４記載
のレリーフパターンの製造法によれば、半導体素子等の
電子部品の製造工程におけるフォトレジストの現像後の
基板からのパターンの剥がれを低減しうる。

【０１１０】請求項１５及び１６記載の電子部品は、基
板からのパターンの剥がれがなく、高温加熱処理後にお
いて良好な接着性をもつ層間絶縁膜又は表面保護膜を有
する信頼性に優れる半導体装置や多層配線板となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 多層配線構造の半導体装置の製造工程図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体基板、２…保護膜、３…第１導体層、４…層
間絶縁膜層、５…感光樹脂層、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ…窓、
７…第２導体層、８…表面保護膜層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/5435 Ｃ０８Ｋ 5/54 Ｅ 5/5425 Ｄ 5/548 Ｌ 5/541 Ａ Ｃ０８Ｌ 79/04 Ｃ０８Ｌ 79/04 Ｂ 79/08 79/08 Ａ Ｚ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３Ｚ 7/022 7/022 7/028 7/028 7/037 ５０１ 7/037 ５０１ 7/075 ５０１ 7/075 ５０１ 7/30 7/30 7/40 ５０１ 7/40 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA10 AA11 AA14 AA20 AB16 AB17 AB20 AC01 AD01 AD03 BC69 BE00 BE01 CB25 CB26 CB51 CC06 CC20 FA17 FA29 2H096 AA27 BA06 BA10 GA08 HA01 4J002 CM041 EE037 EL097 EQ017 ES017 EV057 EV297 EX016 EX036 EX066 EX076 EX086 FD206 FD207 GP03 4J043 PA04 PA19 PC015 PC065 QB15 QB23 QB34 RA35 RA52 SA06 SA15 SA17 SA62 SA71 SB03 TA26 TA32 TA42 TA45 TA47 TB01 UA022 UA032 UA042 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA261 UA262 UA362 UA422 UB011 UB021 UB062 UB121 UB122 UB152 UB281 UB301 UB302 UB312 VA011 VA012 VA021 VA022 VA041 VA042 VA051 VA052 VA061 VA081 WA07 XA03 XA06 XA36 YA06 YA23 ZA02 ZA11 ZB22

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）被膜形成能を有する重合体並びに
   （Ｂ）一般式（Ｉ） 【化１】 (Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭化水素基、ｍは０〜３の
   整数を示す）で示される基を有する有機シラン化合物を
   含有してなる感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】有機シラン化合物が、一般式（ＩＩ） 【化２】 （Ｘはアミノ基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、
   アクリロキシ基、ピペリジノ基、スクシンイミド基、メ
   ルカプト基、ヒドロキシ基又は尿素基であり、Ｚは２価
   の有機基であり、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭化水素
   基、ｍは０〜３の整数を示す）で示されるものである請
   求項１記載の感光性樹脂組成物。
3. 【請求項３】有機シラン化合物が、メルカプト基（−Ｓ
   Ｈ）又は尿素基（−ＮＨＣＯＮＨ_２）を有するものであ
   る請求項１又は２記載の感光性樹脂組成物。
4. 【請求項４】有機シラン化合物が、一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、ｎは１〜１０の整数、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立
   に炭素数１〜５のアルキル基、ｐは０〜３の整数を示
   す）で示されるシラン化合物及び／又は一般式（ＩＶ） 【化４】 （式中ｑは１〜１０の整数、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立に
   炭素数１〜５のアルキル基、ｒは０〜３の整数を示す）
   で示されるシラン化合物である請求項１，２又は３記載
   の感光性樹脂組成物。
5. 【請求項５】（Ａ）成分が、耐熱性高分子重合体である
   請求項１、２、３又は４記載の感光性樹脂組成物。
6. 【請求項６】（Ａ）成分が、ポリイミド、その前駆体、
   ポリオキサゾール又はその前駆体である請求項５記載の
   感光性樹脂組成物。
7. 【請求項７】（Ａ）成分が、一般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｒ^５は４価の有機基を示し、Ｒ^６は２価の有機
   基を示し、Ｒ^７及びＲ^８は各々独立に水素原子又は１価
   の有機基を示す）で示される反復単位を有するポリイミ
   ド前駆体である請求項６記載の感光性樹脂組成物。
8. 【請求項８】一般式（Ｖ）におけるＲ^６がカルボキシル
   基又はフェノール性水酸基を有する２価の有機基である
   請求項７記載の感光性樹脂組成物。
9. 【請求項９】（Ｃ）成分として、感光剤を含有する請求
   項１〜８のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
10. 【請求項１０】（Ｃ）成分が、光により酸を発生する化
    合物である請求項９に記載の感光性樹脂組成物。
11. 【請求項１１】（Ｃ）成分が、ｏ−キノンジアジド化合
    物である請求項１０記載の感光性樹脂組成物。
12. 【請求項１２】（Ｃ）成分が、光重合開始剤または増感
    剤である請求項１０記載の感光性樹脂組成物。
13. 【請求項１３】請求項１〜１２のいずれかに記載の感光
    性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光
    する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むレ
    リーフパターンの製造法。
14. 【請求項１４】現像する工程が、アルカリ現像液を用い
    て行われるものである請求項１３記載のレリーフパター
    ンの製造法。
15. 【請求項１５】請求項１３又は１４記載の製造法により
    得られるパターンの層を有してなる電子部品。
16. 【請求項１６】パターンの層が、表面保護膜又は層間絶
    縁膜である請求項１５記載の電子部品。