JP2000182805A - 負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミスタ - Google Patents
負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミスタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 突入電流に対する耐破壊特性を向上させた負
特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミス
タを提供する。 【解決手段】 板状のサーミスタ素体と、このサーミス
タ素体の一方主面にこの一方主面をほぼ覆うように形成
された第１電極と、他方主面にこの他方主面をほぼ覆う
ように形成された第２電極と、を備え、前記一方主面は
前記第１電極の内方に前記サーミスタ素体の一部が露出
されている。
特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミス
タを提供する。 【解決手段】 板状のサーミスタ素体と、このサーミス
タ素体の一方主面にこの一方主面をほぼ覆うように形成
された第１電極と、他方主面にこの他方主面をほぼ覆う
ように形成された第２電極と、を備え、前記一方主面は
前記第１電極の内方に前記サーミスタ素体の一部が露出
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、突入電流抑制用
の負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サー
ミスタに関するものである。
の負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サー
ミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】負特性サーミスタ素子は、常温での抵抗
値に比較して、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなる
という機能を利用して、電子機器の電源回路に組み込ま
れ、電子機器の電源スイッチを入れた瞬間に電源回路に
流れる突入電流を抑制する回路素子として用いられる。
値に比較して、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなる
という機能を利用して、電子機器の電源回路に組み込ま
れ、電子機器の電源スイッチを入れた瞬間に電源回路に
流れる突入電流を抑制する回路素子として用いられる。
【０００３】例えば、電源回路は、図７に示すような回
路構成を有している。すなわち、商用交流電源２と、メ
イン回路３に接続された平滑コンデンサ４と、これらの
間に介装された整流ダイオードブリッジ５とを備え、平
滑コンデンサ４と整流ダイオードブリッジ５との間に
は、突入電流を抑制するための負特性サーミスタ素子１
が介装されている。負特性サーミスタ素子１は、商用交
流電源２投入時の平滑コンデンサ４の急速充電によって
発生する突入電流を初期抵抗で抑制し、定常状態では自
己発熱により抵抗値が減少し電力損失を抑える働きをす
る。
路構成を有している。すなわち、商用交流電源２と、メ
イン回路３に接続された平滑コンデンサ４と、これらの
間に介装された整流ダイオードブリッジ５とを備え、平
滑コンデンサ４と整流ダイオードブリッジ５との間に
は、突入電流を抑制するための負特性サーミスタ素子１
が介装されている。負特性サーミスタ素子１は、商用交
流電源２投入時の平滑コンデンサ４の急速充電によって
発生する突入電流を初期抵抗で抑制し、定常状態では自
己発熱により抵抗値が減少し電力損失を抑える働きをす
る。
【０００４】図８は、負特性サーミスタ素子１の一般的
な構造を示す断面図である。負特性サーミスタ素子１
は、円板状の負特性サーミスタ素体５と、この負特性サ
ーミスタ素体５の対向する主面に形成された円形の厚膜
焼付電極６、６とからなる。
な構造を示す断面図である。負特性サーミスタ素子１
は、円板状の負特性サーミスタ素体５と、この負特性サ
ーミスタ素体５の対向する主面に形成された円形の厚膜
焼付電極６、６とからなる。
【０００５】負特性サーミスタ素子１の抵抗値調整は、
負特性サーミスタ素子１周縁と電極６の端縁とのギャッ
プ幅Ｗを調整することにより行う。例えば、直径７〜２
２mm、厚さ１〜３mmの負特性サーミスタ素子１では、ギ
ャップ幅Ｗを０〜１．５mmの範囲で調整し、所望の抵抗
値に合わせ込む。
負特性サーミスタ素子１周縁と電極６の端縁とのギャッ
プ幅Ｗを調整することにより行う。例えば、直径７〜２
２mm、厚さ１〜３mmの負特性サーミスタ素子１では、ギ
ャップ幅Ｗを０〜１．５mmの範囲で調整し、所望の抵抗
値に合わせ込む。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記負
特性サーミスタ素子１は、突入電流が印加された場合、
負特性サーミスタ素子周縁部１ａは電流が流れず、負特
性サーミスタ素子１のうち電極６形成部分とその周囲の
電極６非形成部分に温度差が生じる。したがって、電極
６周辺部で熱膨張の差異が大きくなり、電極６の端縁近
傍でサーミスタ素体５にクラックや貫通孔などが発生す
ることがあった。
特性サーミスタ素子１は、突入電流が印加された場合、
負特性サーミスタ素子周縁部１ａは電流が流れず、負特
性サーミスタ素子１のうち電極６形成部分とその周囲の
電極６非形成部分に温度差が生じる。したがって、電極
６周辺部で熱膨張の差異が大きくなり、電極６の端縁近
傍でサーミスタ素体５にクラックや貫通孔などが発生す
ることがあった。
【０００７】上述のように、負特性サーミスタ素子１
は、ギャップ幅Ｗで抵抗値調整を行うため、ギャップ幅
Ｗが大きくなるほど、突入電流に対する負特性サーミス
タ素子１の耐破壊特性が低下するという問題点があっ
た。
は、ギャップ幅Ｗで抵抗値調整を行うため、ギャップ幅
Ｗが大きくなるほど、突入電流に対する負特性サーミス
タ素子１の耐破壊特性が低下するという問題点があっ
た。
【０００８】この発明の目的は、突入電流に対する耐破
壊特性を向上させた負特性サーミスタ素子およびそれを
用いた負特性サーミスタを提供することである。
壊特性を向上させた負特性サーミスタ素子およびそれを
用いた負特性サーミスタを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この第１の発明における
負特性サーミスタ素子は、板状の負特性サーミスタ素体
と、この負特性サーミスタ素体の一方主面にこの一方主
面をほぼ覆うように形成された第１電極と、他方主面に
この他方主面をほぼ覆うように形成された第２電極と、
を備え、前記一方主面は前記第１電極の内方に前記負特
性サーミスタ素体の一部が露出されていることを特徴と
する。
負特性サーミスタ素子は、板状の負特性サーミスタ素体
と、この負特性サーミスタ素体の一方主面にこの一方主
面をほぼ覆うように形成された第１電極と、他方主面に
この他方主面をほぼ覆うように形成された第２電極と、
を備え、前記一方主面は前記第１電極の内方に前記負特
性サーミスタ素体の一部が露出されていることを特徴と
する。
【００１０】この第２の発明における負特性サーミスタ
素子は、前記第１電極が、中央部電極と中央部電極の外
側にギャップを置いて形成された外周電極とからなり、
この中央部電極と外周電極とが電気的に接続されている
ことを特徴とする。
素子は、前記第１電極が、中央部電極と中央部電極の外
側にギャップを置いて形成された外周電極とからなり、
この中央部電極と外周電極とが電気的に接続されている
ことを特徴とする。
【００１１】この第３の発明における負特性サーミスタ
素子は、前記中央部電極と外周電極とが、負特性サーミ
スタ素体表面に設けられた接続電極で電気的に接続され
ていることを特徴とする。
素子は、前記中央部電極と外周電極とが、負特性サーミ
スタ素体表面に設けられた接続電極で電気的に接続され
ていることを特徴とする。
【００１２】この第４の発明における負特性サーミスタ
素子は、前記中央部電極と外周電極とが、リード端子ま
たはばね端子を介して電気的に接続されていることを特
徴とする。
素子は、前記中央部電極と外周電極とが、リード端子ま
たはばね端子を介して電気的に接続されていることを特
徴とする。
【００１３】この第５の発明における負特性サーミスタ
は、上記負特性サーミスタ素子と、この負特性サーミス
タ素子に形成された第１電極および第２電極のそれぞれ
に電気的に接続された一対のリード端子と、前記負特性
サーミスタ素子を被覆する外装樹脂と、を備えることを
特徴とする。
は、上記負特性サーミスタ素子と、この負特性サーミス
タ素子に形成された第１電極および第２電極のそれぞれ
に電気的に接続された一対のリード端子と、前記負特性
サーミスタ素子を被覆する外装樹脂と、を備えることを
特徴とする。
【００１４】この第６の発明における負特性サーミスタ
は、上記負特性サーミスタ素子と、この負特性サーミス
タ素子に形成された第１電極および第２電極のそれぞれ
に電気的に接続された一対のばね端子と、前記負特性サ
ーミスタ素子を内装する絶縁ケースと、を備えることを
特徴とする。
は、上記負特性サーミスタ素子と、この負特性サーミス
タ素子に形成された第１電極および第２電極のそれぞれ
に電気的に接続された一対のばね端子と、前記負特性サ
ーミスタ素子を内装する絶縁ケースと、を備えることを
特徴とする。
【００１５】これにより、負特性サーミスタ素子周縁部
のギャップ幅を小さく、かつ一定にすることができる。
のギャップ幅を小さく、かつ一定にすることができる。
【００１６】
【００１７】
【実施例１】この発明における一つの実施形態の負特性
サーミスタ素子について、図１（ａ）、（ｂ）を参考に
説明する。
サーミスタ素子について、図１（ａ）、（ｂ）を参考に
説明する。
【００１８】負特性サーミスタ素子１１は、円板状の負
特性サーミスタ素体１５と、負特性サーミスタ素体１５
の一方主面に形成された第１電極１６ａおよび他方主面
に形成された第２電極１６ｂとからなる。
特性サーミスタ素体１５と、負特性サーミスタ素体１５
の一方主面に形成された第１電極１６ａおよび他方主面
に形成された第２電極１６ｂとからなる。
【００１９】負特性サーミスタ素体１５は、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅなどの酸化物を主成分とするサー
ミスタ材料を用いて円板状の成形体を形成し、それを焼
成することにより得ることができる。この負特性サーミ
スタ素体１５は、直径７mm、厚み１．５mmの円板状であ
った。
ｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅなどの酸化物を主成分とするサー
ミスタ材料を用いて円板状の成形体を形成し、それを焼
成することにより得ることができる。この負特性サーミ
スタ素体１５は、直径７mm、厚み１．５mmの円板状であ
った。
【００２０】第１電極１６ａおよび第２電極１６ｂは、
負特性サーミスタ素体１５の主面に、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
などの導電性ペーストを塗布、焼付けることにより得る
ことができる。
負特性サーミスタ素体１５の主面に、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
などの導電性ペーストを塗布、焼付けることにより得る
ことができる。
【００２１】第１電極１６ａは、図１（ｂ）に示すよう
に、負特性サーミスタ素体１５の一方主面において、直
径２mmの中央部電極１６ｃと、この中央部電極の外側に
幅Ｗ１が１mmのギャップを置いて形成された幅１mmの外
周電極１６ｄとを備え、この中央部電極１６ｃと外周電
極１６ｄとは接続電極１６ｅで電気的に接続されてい
る。
に、負特性サーミスタ素体１５の一方主面において、直
径２mmの中央部電極１６ｃと、この中央部電極の外側に
幅Ｗ１が１mmのギャップを置いて形成された幅１mmの外
周電極１６ｄとを備え、この中央部電極１６ｃと外周電
極１６ｄとは接続電極１６ｅで電気的に接続されてい
る。
【００２２】すなわち、サーミスタ素体１５が露出する
電極非形成部１１ｂは、内径２mm、外径４mm、すなわち
幅Ｗ１が１mmの環形から一部を切り欠いた馬蹄形状であ
り、負特性サーミスタ素体１５と同心円状の直径６mmの
円形電極の内方に、負特性サーミスタ素体１５と同心円
状に形成されている。
電極非形成部１１ｂは、内径２mm、外径４mm、すなわち
幅Ｗ１が１mmの環形から一部を切り欠いた馬蹄形状であ
り、負特性サーミスタ素体１５と同心円状の直径６mmの
円形電極の内方に、負特性サーミスタ素体１５と同心円
状に形成されている。
【００２３】第２電極１６ｂは、負特性サーミスタ素体
１５の他方主面に、直径６mmの円形に形成されている。
１５の他方主面に、直径６mmの円形に形成されている。
【００２４】次に、前述の図７に示す電源回路の負特性
サーミスタ素子１を負特性サーミスタ素子１１に置き換
えて、平滑コンデンサ４と整流ダイオードブリッジ５と
の間に負特性サーミスタ素子１１を介装し、２４０Ｖの
電圧を印加したときの破壊最小コンデンサ容量を測定
し、突入電流用負特性サーミスタ素子１１の耐突入電流
特性を調べた。
サーミスタ素子１を負特性サーミスタ素子１１に置き換
えて、平滑コンデンサ４と整流ダイオードブリッジ５と
の間に負特性サーミスタ素子１１を介装し、２４０Ｖの
電圧を印加したときの破壊最小コンデンサ容量を測定
し、突入電流用負特性サーミスタ素子１１の耐突入電流
特性を調べた。
【００２５】なお、比較例として、図８に示したよう
な、負特性サーミスタ素体５の直径が７mm、厚みが１．
５mm、両主面の厚膜焼付電極６、６の直径が５mm、ギャ
ップ幅Ｗが１mmの従来の負特性サーミスタ素子１を作製
し、同様に破壊最小コンデンサ容量を測定した。
な、負特性サーミスタ素体５の直径が７mm、厚みが１．
５mm、両主面の厚膜焼付電極６、６の直径が５mm、ギャ
ップ幅Ｗが１mmの従来の負特性サーミスタ素子１を作製
し、同様に破壊最小コンデンサ容量を測定した。
【００２６】その結果、負特性サーミスタ素子１１の破
壊最小コンデンサ容量は５６０μＦ、比較例の負特性サ
ーミスタ素子１の破壊最小コンデンサ容量は４７０μＦ
であった。
壊最小コンデンサ容量は５６０μＦ、比較例の負特性サ
ーミスタ素子１の破壊最小コンデンサ容量は４７０μＦ
であった。
【００２７】負特性サーミスタ素子１１のギャップ幅Ｗ
２は０．５mmであり、負特性サーミスタ素子１のギャッ
プ幅Ｗ１mmよりも小さく、負特性サーミスタ素子周縁部
１１ａの電流の流れない部分が少ない。
２は０．５mmであり、負特性サーミスタ素子１のギャッ
プ幅Ｗ１mmよりも小さく、負特性サーミスタ素子周縁部
１１ａの電流の流れない部分が少ない。
【００２８】また、負特性サーミスタ素子１１の第１電
極１６ａの電極非形成部１１ｂの裏面には第２電極１６
ｂが形成されており、電極非形成部１１ｂの負特性サー
ミスタ素体１５にも電流が流れる。
極１６ａの電極非形成部１１ｂの裏面には第２電極１６
ｂが形成されており、電極非形成部１１ｂの負特性サー
ミスタ素体１５にも電流が流れる。
【００２９】これらのことから、負特性サーミスタ素子
１１は、負特性サーミスタ素子周縁部１１ａや電極非形
成部１１ｂでの熱膨張差が小さく、素子破壊が起こりに
くい。したがって、突入電流に対する耐破壊特性が高
く、破壊最小コンデンサ容量が高い。
１１は、負特性サーミスタ素子周縁部１１ａや電極非形
成部１１ｂでの熱膨張差が小さく、素子破壊が起こりに
くい。したがって、突入電流に対する耐破壊特性が高
く、破壊最小コンデンサ容量が高い。
【００３０】なお、この発明において、電極非形成部１
１ｂは、負特性サーミスタ素子１１の一方の電極、この
場合は第１電極１６ａ内方に設けられ、その面積を増減
させることにより所望の抵抗値が得られればよく、その
形状は、馬蹄形状に限定される理由はなく、また必ずし
も負特性サーミスタ素子１１と同心円状に形成する必要
はない。
１ｂは、負特性サーミスタ素子１１の一方の電極、この
場合は第１電極１６ａ内方に設けられ、その面積を増減
させることにより所望の抵抗値が得られればよく、その
形状は、馬蹄形状に限定される理由はなく、また必ずし
も負特性サーミスタ素子１１と同心円状に形成する必要
はない。
【００３１】
【実施例２】次に、この発明における他の実施形態の負
特性サーミスタ素子について、図２（ａ）、（ｂ）を参
考に説明する。
特性サーミスタ素子について、図２（ａ）、（ｂ）を参
考に説明する。
【００３２】負特性サーミスタ素子２１は、図２（ａ）
に示すように、円板状の負特性サーミスタ素体２５の一
方主面に第１電極２６ａが形成され、負特性サーミスタ
素体２５の他方主面には、ほぼ全面に第２電極２６ｂが
形成されている。
に示すように、円板状の負特性サーミスタ素体２５の一
方主面に第１電極２６ａが形成され、負特性サーミスタ
素体２５の他方主面には、ほぼ全面に第２電極２６ｂが
形成されている。
【００３３】負特性サーミスタ素子２１は、図１の負特
性サーミスタ素子１１の第１電極１６ａの形状を異なら
せたものである。負特性サーミスタ素子２１の第１電極
２６ａは、図２（ｂ）に示すように、負特性サーミスタ
素２５の一方主面において、直径２mmの中央部電極２６
ｃと、この中央部電極の外側に幅Ｗ１が１mmのギャップ
を置いて形成された幅１mmの外周電極２６ｄとからな
る。すなわち、電極非形成部２１ｂは、内径２mm、外径
４mm、すなわち幅Ｗ１が１mmの環形状である。
性サーミスタ素子１１の第１電極１６ａの形状を異なら
せたものである。負特性サーミスタ素子２１の第１電極
２６ａは、図２（ｂ）に示すように、負特性サーミスタ
素２５の一方主面において、直径２mmの中央部電極２６
ｃと、この中央部電極の外側に幅Ｗ１が１mmのギャップ
を置いて形成された幅１mmの外周電極２６ｄとからな
る。すなわち、電極非形成部２１ｂは、内径２mm、外径
４mm、すなわち幅Ｗ１が１mmの環形状である。
【００３４】なお、負特性サーミスタ素子２１の中央部
電極２６ｃと外周電極２６ｄには、図１の負特性サーミ
スタ素子１１のように接続電極１６ｅが形成されていな
い。したがって、負特性サーミスタ素子２１の中央部電
極２６ｃと外周電極２６ｄとは、図３（ａ）に示すよう
に、リード端子１８ａで電気的に接続されたり、図３
（ｂ）に示すように、ばね端子２８ａで電気的に接続さ
れる。なお、図３（ａ）のリード端子１８ｂは、負特性
サーミスタ素子２１の第２電極２６ｂに接続されてい
る。
電極２６ｃと外周電極２６ｄには、図１の負特性サーミ
スタ素子１１のように接続電極１６ｅが形成されていな
い。したがって、負特性サーミスタ素子２１の中央部電
極２６ｃと外周電極２６ｄとは、図３（ａ）に示すよう
に、リード端子１８ａで電気的に接続されたり、図３
（ｂ）に示すように、ばね端子２８ａで電気的に接続さ
れる。なお、図３（ａ）のリード端子１８ｂは、負特性
サーミスタ素子２１の第２電極２６ｂに接続されてい
る。
【００３５】
【実施例３】さらに、この発明におけるその他の実施形
態の負特性サーミスタ素子について、図４（ａ）、
（ｂ）を参考に説明する。
態の負特性サーミスタ素子について、図４（ａ）、
（ｂ）を参考に説明する。
【００３６】負特性サーミスタ素子３１は、図４（ａ）
に示すように、円板状の負特性サーミスタ素体３５の一
方主面に第１電極３６ａが形成され、負特性サーミスタ
素体３５の他方主面には、ほぼ全面に第２電極３６ｂが
形成されている。
に示すように、円板状の負特性サーミスタ素体３５の一
方主面に第１電極３６ａが形成され、負特性サーミスタ
素体３５の他方主面には、ほぼ全面に第２電極３６ｂが
形成されている。
【００３７】負特性サーミスタ素子３１は、図１の負特
性サーミスタ素子１１の第１電極１６ａの形状を異なら
せたものであり、負特性サーミスタ素子３１の第１電極
３６ａは、図4（ｂ）に示すように、負特性サーミスタ
素体３５の一方主面において、直径６mmの円形電極の周
縁部から一部を切り欠いた形状である。電極非形成部３
１ｂは、その切り欠き部分である。
性サーミスタ素子１１の第１電極１６ａの形状を異なら
せたものであり、負特性サーミスタ素子３１の第１電極
３６ａは、図4（ｂ）に示すように、負特性サーミスタ
素体３５の一方主面において、直径６mmの円形電極の周
縁部から一部を切り欠いた形状である。電極非形成部３
１ｂは、その切り欠き部分である。
【００３８】また、図４（ｃ）に示す負特性サーミスタ
素子４１は、図４（ａ）、（ｂ）の負特性サーミスタ素
子３１の第１電極３６ａの変形例を示しており、負特性
サーミスタ素子４１の第１電極４６ａは、直径６mmの円
形電極の内方に複数のスポット状の電極非形成部４１ｂ
を設けたものである。
素子４１は、図４（ａ）、（ｂ）の負特性サーミスタ素
子３１の第１電極３６ａの変形例を示しており、負特性
サーミスタ素子４１の第１電極４６ａは、直径６mmの円
形電極の内方に複数のスポット状の電極非形成部４１ｂ
を設けたものである。
【００３９】上記各実施例の負特性サーミスタ素子２
１、負特性サーミスタ素子３１、負特性サーミスタ素子
４１は、負特性サーミスタ素子１１と同様、ギャップ幅
Ｗ２が小さく、負特性サーミスタ素子周縁部２１ａ、３
１ａ、４１ａの電流の流れない部分が少ない。また、第
１電極２６ａ、３６ａ、４６ａの電極非形成部２１ｂ、
３１ｂ、４１ｂの裏面には第２電極２６ｂ、３６ｂ、４
６ｂが形成されており、電極非形成部２１ｂ、３１ｂ、
４１ｂの負特性サーミスタ素体２５、３５、４５にも電
流が流れる。
１、負特性サーミスタ素子３１、負特性サーミスタ素子
４１は、負特性サーミスタ素子１１と同様、ギャップ幅
Ｗ２が小さく、負特性サーミスタ素子周縁部２１ａ、３
１ａ、４１ａの電流の流れない部分が少ない。また、第
１電極２６ａ、３６ａ、４６ａの電極非形成部２１ｂ、
３１ｂ、４１ｂの裏面には第２電極２６ｂ、３６ｂ、４
６ｂが形成されており、電極非形成部２１ｂ、３１ｂ、
４１ｂの負特性サーミスタ素体２５、３５、４５にも電
流が流れる。
【００４０】これらのことから、負特性サーミスタ素子
２１、負特性サーミスタ素子３１、負特性サーミスタ素
子４１は、負特性サーミスタ素子周縁部２１ａ、３１
ａ、４１ａや電極非形成部２１ｂ、３１ｂ、４１ｂでの
熱膨張差が小さく、素子破壊が起こりにくい。
２１、負特性サーミスタ素子３１、負特性サーミスタ素
子４１は、負特性サーミスタ素子周縁部２１ａ、３１
ａ、４１ａや電極非形成部２１ｂ、３１ｂ、４１ｂでの
熱膨張差が小さく、素子破壊が起こりにくい。
【００４１】なお、上記各実施例の負特性サーミスタ素
体１５、２５、３５、４５は円板状であるが、これに限
らず、角板などの各種形状の負特性サーミスタ素体を用
いてもよく、負特性サーミスタ素子周縁部１１ａ、２１
ａ、３１ａ、４１ａを除くほぼ全面に、第１電極１６
ａ、２６ａ、３６ａ、４６ａおよび第２電極１６ｂ、２
６ｂ、３６ｂ、４６ｂが形成されていればよい。
体１５、２５、３５、４５は円板状であるが、これに限
らず、角板などの各種形状の負特性サーミスタ素体を用
いてもよく、負特性サーミスタ素子周縁部１１ａ、２１
ａ、３１ａ、４１ａを除くほぼ全面に、第１電極１６
ａ、２６ａ、３６ａ、４６ａおよび第２電極１６ｂ、２
６ｂ、３６ｂ、４６ｂが形成されていればよい。
【００４２】
【実施例４】次に、この発明における一つの実施形態の
負特性サーミスタについて、図５を参考にして説明す
る。但し、負特性サーミスタ素子には前述の負特性サー
ミスタ素子１１を用い、前述のものと同一のものには同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
負特性サーミスタについて、図５を参考にして説明す
る。但し、負特性サーミスタ素子には前述の負特性サー
ミスタ素子１１を用い、前述のものと同一のものには同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４３】図５に示す負特性サーミスタ１７は、負特
性サーミスタ素子１１の両主面の第１電極１６ａおよび
第２電極１６ｂに、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ系金属にＳｎ、
半田などで表面コーティングしたリード端子１８ａ、１
８ｂを高温半田（図示せず）で接続固定し、さらに、こ
の負特性サーミスタ素子１１をエポキシ系やシリコン系
からなる外装樹脂１９で被覆したものである。
性サーミスタ素子１１の両主面の第１電極１６ａおよび
第２電極１６ｂに、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ系金属にＳｎ、
半田などで表面コーティングしたリード端子１８ａ、１
８ｂを高温半田（図示せず）で接続固定し、さらに、こ
の負特性サーミスタ素子１１をエポキシ系やシリコン系
からなる外装樹脂１９で被覆したものである。
【００４４】
【実施例５】さらに、この発明における他の実施形態の
負特性サーミスタについて、図６を参考にして説明す
る。但し、負特性サーミスタ素子には前述の負特性サー
ミスタ素子１１を用い、前述のものと同一のものには同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
負特性サーミスタについて、図６を参考にして説明す
る。但し、負特性サーミスタ素子には前述の負特性サー
ミスタ素子１１を用い、前述のものと同一のものには同
一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４５】図６に示す負特性サーミスタ２７は、サー
ミスタ素子１１の第１電極１６ａおよび第２電極１６ｂ
が形成された両主面を、例えばＳＵＳやリン青銅、Ｃｕ
−Ｔｉ合金などにＮｉ−ＡｇやＮｉ−半田などの表面コ
ーティングを施したばね端子２８ａ、２８ｂで挟持し、
さらに、この負特性サーミスタ素子１１をＰＰＳやフェ
ノール、ＰＢＴなどからなる絶縁ケース２９で内装した
ものである。
ミスタ素子１１の第１電極１６ａおよび第２電極１６ｂ
が形成された両主面を、例えばＳＵＳやリン青銅、Ｃｕ
−Ｔｉ合金などにＮｉ−ＡｇやＮｉ−半田などの表面コ
ーティングを施したばね端子２８ａ、２８ｂで挟持し、
さらに、この負特性サーミスタ素子１１をＰＰＳやフェ
ノール、ＰＢＴなどからなる絶縁ケース２９で内装した
ものである。
【００４６】上記各実施例の負特性サーミスタ１７およ
び負特性サーミスタ２７は、外装樹脂１９または絶縁ケ
ース２９で負特性サーミスタ素子１１を覆うことによ
り、負特性サーミスタ素子１１を外部環境から保護し、
絶縁性を保持することができる。
び負特性サーミスタ２７は、外装樹脂１９または絶縁ケ
ース２９で負特性サーミスタ素子１１を覆うことによ
り、負特性サーミスタ素子１１を外部環境から保護し、
絶縁性を保持することができる。
【００４７】なお、上記各実施例の負特性サーミスタ１
７および負特性サーミスタ２７において、負特性サーミ
スタ素子１１を、適宜、負特性サーミスタ素子２１や負
特性サーミスタ素子３１、あるいは負特性サーミスタ素
子４１に置き替えてもよい。
７および負特性サーミスタ２７において、負特性サーミ
スタ素子１１を、適宜、負特性サーミスタ素子２１や負
特性サーミスタ素子３１、あるいは負特性サーミスタ素
子４１に置き替えてもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上述べたように、この発明である負特
性サーミスタ素子は、負特性サーミスタ素体の一方電極
面内方に抵抗値調整用の電極非形成部を設けたので、従
来のように、負特性サーミスタ素子周縁部のギャップ幅
で抵抗値を調整する必要がない。したがって、ギャップ
幅を一定値、かつ最小値に抑えることができ、負特性サ
ーミスタ素子周縁部での素子破壊を最小限に抑えられ
る。
性サーミスタ素子は、負特性サーミスタ素体の一方電極
面内方に抵抗値調整用の電極非形成部を設けたので、従
来のように、負特性サーミスタ素子周縁部のギャップ幅
で抵抗値を調整する必要がない。したがって、ギャップ
幅を一定値、かつ最小値に抑えることができ、負特性サ
ーミスタ素子周縁部での素子破壊を最小限に抑えられ
る。
【００４９】さらに、前記電極非形成部の裏面には他方
電極面が形成されているので、負特性サーミスタ素子内
部の熱膨張の差異が小さく、電極非形成部での素子破壊
も起こりにくい。
電極面が形成されているので、負特性サーミスタ素子内
部の熱膨張の差異が小さく、電極非形成部での素子破壊
も起こりにくい。
【００５０】これらにより、突入電流に対する負特性サ
ーミスタ素子の耐破壊特性を向上させた負特性サーミス
タを得ることができる。
ーミスタ素子の耐破壊特性を向上させた負特性サーミス
タを得ることができる。
【図１】この発明に係る一つの実施形態の負特性サーミ
スタ素子を示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は一方
主面を示す平面図である。
スタ素子を示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は一方
主面を示す平面図である。
【図２】この発明に係る他の実施形態の負特性サーミス
タ素子を示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は一方主
面を示す平面図である。
タ素子を示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は一方主
面を示す平面図である。
【図３】図２の負特性サーミスタ素子の中央部電極と外
周電極を電気的に接続させた構造を示しており、（ａ）
はリード端子を取り付けた負特性サーミスタ素子の平面
図、（ｂ）はばね端子を取り付けた負特性サーミスタ素
子の平面図である。
周電極を電気的に接続させた構造を示しており、（ａ）
はリード端子を取り付けた負特性サーミスタ素子の平面
図、（ｂ）はばね端子を取り付けた負特性サーミスタ素
子の平面図である。
【図４】この発明に係るその他の実施形態の負特性サー
ミスタ素子を示しており、（ａ）は切り欠き状の電極非
形成部を設けた負特性サーミスタ素子の断面図、（ｂ）
は切り欠き状の電極非形成部を設けた負特性サーミスタ
素子の平面図、（ｃ）はスポット状の電極非形成部を設
けた負特性サーミスタ素子の平面図である。
ミスタ素子を示しており、（ａ）は切り欠き状の電極非
形成部を設けた負特性サーミスタ素子の断面図、（ｂ）
は切り欠き状の電極非形成部を設けた負特性サーミスタ
素子の平面図、（ｃ）はスポット状の電極非形成部を設
けた負特性サーミスタ素子の平面図である。
【図５】この発明に係る一つの実施形態の負特性サーミ
スタの部分切欠正面図である。
スタの部分切欠正面図である。
【図６】この発明に係る他の実施形態の負特性サーミス
タの断面図である。
タの断面図である。
【図７】負特性サーミスタ素子を用いた回路図である。
【図８】従来例の負特性サーミスタ素子の断面図であ
る。
る。
１１、２１、３１、４１ 負特性サーミス
タ素子 １１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ 周縁部 １１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ 電極非形成部 １５、２５、３５、４５ 負特性サーミス
タ素体 １６ａ、２６ａ、３６ａ、４６ａ 第１電極 １６ｂ、２６ｂ、３６ｂ、４６ｂ 第２電極 １６ｃ、２６ｃ 中央部電極 １６ｄ、２６ｄ 外周電極 １６ｅ 接続電極 １７、２７ 負特性サーミス
タ １８ａ、１８ｂ リード端子 １９ 外装樹脂 ２８ａ、２８ｂ ばね端子 ２９ 絶縁ケース
タ素子 １１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ 周縁部 １１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ 電極非形成部 １５、２５、３５、４５ 負特性サーミス
タ素体 １６ａ、２６ａ、３６ａ、４６ａ 第１電極 １６ｂ、２６ｂ、３６ｂ、４６ｂ 第２電極 １６ｃ、２６ｃ 中央部電極 １６ｄ、２６ｄ 外周電極 １６ｅ 接続電極 １７、２７ 負特性サーミス
タ １８ａ、１８ｂ リード端子 １９ 外装樹脂 ２８ａ、２８ｂ ばね端子 ２９ 絶縁ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０２Ｍ 7/06 Ｈ０２Ｍ 7/06 Ｎ Ｆターム(参考） 5E028 AA10 BA11 BB10 CA02 EA13 JB03 JC02 JC11 5E032 AB10 BA11 BB10 CA02 CC06 CC14 5E033 AA02 BC01 BG02 BH01 5E034 DA03 DB05 DC01 DC03 DC05 DE07 5H006 AA05 BB00 CA07 CB00 CC08 FA02 GA02 HA06
Claims (6)
- 【請求項１】 板状の負特性サーミスタ素体と、この負
特性サーミスタ素体の一方主面にこの一方主面をほぼ覆
うように形成された第１電極と、他方主面にこの他方主
面をほぼ覆うように形成された第２電極と、を備え、 前記一方主面は前記第１電極の内方に前記負特性サーミ
スタ素体の一部が露出されていることを特徴とする負特
性サーミスタ素子。 - 【請求項２】 前記第１電極は、中央部電極と中央部電
極の外側にギャップを置いて形成された外周電極とを備
え、この中央部電極と外周電極とが電気的に接続されて
いることを特徴とする請求項１記載の負特性サーミスタ
素子。 - 【請求項３】 前記中央部電極と外周電極とが、負特性
サーミスタ素体表面に設けられた接続電極で電気的に接
続されていることを特徴とする請求項２記載の負特性サ
ーミスタ素子。 - 【請求項４】 前記中央部電極と外周電極とが、リード
端子またはばね端子を介して電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項２記載の負特性サーミスタ素子。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の負特性サーミスタ素子と、この負特性サーミスタ素子
に形成された第１電極および第２電極のそれぞれに電気
的に接続された一対のリード端子と、前記負特性サーミ
スタ素子を被覆する外装樹脂と、を備えることを特徴と
する負特性サーミスタ。 - 【請求項６】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の負特性サーミスタ素子と、この負特性サーミスタ素子
に形成された第１電極および第２電極のそれぞれに電気
的に接続された一対のばね端子と、前記負特性サーミス
タ素子を内装する絶縁ケースと、を備えることを特徴と
する負特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10357867A JP2000182805A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10357867A JP2000182805A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182805A true JP2000182805A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18456349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10357867A Pending JP2000182805A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 負特性サーミスタ素子およびそれを用いた負特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182805A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005029513A1 (ja) * | 2003-09-22 | 2006-11-30 | タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社 | サーミスタ |
-
1998
- 1998-12-16 JP JP10357867A patent/JP2000182805A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005029513A1 (ja) * | 2003-09-22 | 2006-11-30 | タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社 | サーミスタ |
| KR101170574B1 (ko) * | 2003-09-22 | 2012-08-01 | 타이코 일렉트로닉스 레이켐 케이. 케이. | 서미스터 |
| JP5079237B2 (ja) * | 2003-09-22 | 2012-11-21 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | サーミスタ |
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