JP2000150576A - 電子回路装置およびその製造方法 - Google Patents
電子回路装置およびその製造方法Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー時のクラック発生を防止する電子回
路装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 配線基板上において、電子部品の接続端
子であるバンプと配線パターンの周囲にのみ、ペースト
状の異方性導電性樹脂を配する。そして、この異方性導
電性樹脂の熱硬化によって、電子部品のバンプと配線パ
ターンとの電気的な接続を維持するとともに、電子部品
と基板との接合強度を上げる。
路装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 配線基板上において、電子部品の接続端
子であるバンプと配線パターンの周囲にのみ、ペースト
状の異方性導電性樹脂を配する。そして、この異方性導
電性樹脂の熱硬化によって、電子部品のバンプと配線パ
ターンとの電気的な接続を維持するとともに、電子部品
と基板との接合強度を上げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気回路装置およ
びその製造方法に関し、特に電子回路装置の部品が配線
基板上にフリップチップ実装方式によって実装される電
子回路装置およびその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関し、特に電子回路装置の部品が配線
基板上にフリップチップ実装方式によって実装される電
子回路装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、配線基板上に電子部品を実装
するための様々な方法が開発され、使用されている。例
えば、図１０は、特開平８−８２９９号公報に開示され
た、従来の電子回路装置の断面構成を示している。同図
に示す装置では、絶縁性の配線基板３上に配線パターン
４が形成され、入力端子、出力端子それぞれにバンプ５
が形成された電子部品２が、そのバンプ５を配線パター
ン４と接合させて、この配線基板３上に実装されてい
る。
するための様々な方法が開発され、使用されている。例
えば、図１０は、特開平８−８２９９号公報に開示され
た、従来の電子回路装置の断面構成を示している。同図
に示す装置では、絶縁性の配線基板３上に配線パターン
４が形成され、入力端子、出力端子それぞれにバンプ５
が形成された電子部品２が、そのバンプ５を配線パター
ン４と接合させて、この配線基板３上に実装されてい
る。
【０００３】この従来の装置の場合、電子部品２の下面
部全体に接合材７（例えば、熱硬化性樹脂や異方性導電
性樹脂）を用いて、これらの樹脂の熱硬化作用によっ
て、電子部品２と配線基板３とを一体固定している。そ
の結果、バンプ５と配線基板３上の配線パターン４との
間に電気的な接続が形成される。なお、接合材７とし
て、特に異方性導電性樹脂を用いた場合、その導電性粒
子を介して、バンプ５と配線パターン４とを導通させる
ことになる。
部全体に接合材７（例えば、熱硬化性樹脂や異方性導電
性樹脂）を用いて、これらの樹脂の熱硬化作用によっ
て、電子部品２と配線基板３とを一体固定している。そ
の結果、バンプ５と配線基板３上の配線パターン４との
間に電気的な接続が形成される。なお、接合材７とし
て、特に異方性導電性樹脂を用いた場合、その導電性粒
子を介して、バンプ５と配線パターン４とを導通させる
ことになる。
【０００４】異方性導電性樹脂６は、多くの場合、フィ
ルム形状にして使用されるため、特にＡＣＦ（ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）と
呼ばれる。この樹脂については、ペースト状よりもフィ
ルム状にして使用する方が、以下の利点がある。 （１）樹脂自体の作業場での管理が容易である。 （２）樹脂厚を均一にできる。 （３）作業工程が簡素化できる。 （４）導電性粒子を均一化しやすく、補足粒子数を安定
化できる。
ルム形状にして使用されるため、特にＡＣＦ（ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）と
呼ばれる。この樹脂については、ペースト状よりもフィ
ルム状にして使用する方が、以下の利点がある。 （１）樹脂自体の作業場での管理が容易である。 （２）樹脂厚を均一にできる。 （３）作業工程が簡素化できる。 （４）導電性粒子を均一化しやすく、補足粒子数を安定
化できる。
【０００５】また、異方性導電性樹脂６は、フィルム状
にするためには、その粘度を高くする必要があり、多く
の場合、１０００Ｐａ・ｓ以上となる。
にするためには、その粘度を高くする必要があり、多く
の場合、１０００Ｐａ・ｓ以上となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子回路装置には、以下に述べるような問題があ
る。すなわち、フィルム状の異方性導電性樹脂（ＡＣ
Ｆ）は、その形状がシート状であり、粘度が高いため、
図１１の（ａ）に示すように、ＡＣＦ２０を貼り付けた
状態では、配線基板３上の配線パターン４の凸凹に空気
が封じ込まれ、それがボイド４０となる。この場合、ボ
イド４０は、図１１の（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ２を実装したときにも外部へ押し出されず、そのま
ま、基板上に残存することになる。
来の電子回路装置には、以下に述べるような問題があ
る。すなわち、フィルム状の異方性導電性樹脂（ＡＣ
Ｆ）は、その形状がシート状であり、粘度が高いため、
図１１の（ａ）に示すように、ＡＣＦ２０を貼り付けた
状態では、配線基板３上の配線パターン４の凸凹に空気
が封じ込まれ、それがボイド４０となる。この場合、ボ
イド４０は、図１１の（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ２を実装したときにも外部へ押し出されず、そのま
ま、基板上に残存することになる。
【０００７】なお、このようなボイドは、金属基板、Ａ
ＬＩＶＨ基板、およびセラミック基板に多く発生する傾
向にある。
ＬＩＶＨ基板、およびセラミック基板に多く発生する傾
向にある。
【０００８】そして、このボイドに起因して、リフロー
時にクラックが発生したり、その発生を誘発するため、
電子回路装置の耐吸湿リフロー試験等の信頼性を確保す
ることが難しいという問題がある。
時にクラックが発生したり、その発生を誘発するため、
電子回路装置の耐吸湿リフロー試験等の信頼性を確保す
ることが難しいという問題がある。
【０００９】また、基板上に多数の半導体チップを接合
するＭＣＭ（ｍｕｌｔｉ−ｃｈｉｐｍｏｄｕｌｅ）の場
合には、チップの配置制約があるため、チップをモジュ
ール内に分散して配置することになるので、工法制約
上、チップの寸法以上のＡＣＦが必要となり、部材コス
トがかさむという問題がある。
するＭＣＭ（ｍｕｌｔｉ−ｃｈｉｐｍｏｄｕｌｅ）の場
合には、チップの配置制約があるため、チップをモジュ
ール内に分散して配置することになるので、工法制約
上、チップの寸法以上のＡＣＦが必要となり、部材コス
トがかさむという問題がある。
【００１０】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、電子回路装置の製造コ
ストを安価に抑えるとともに、リフロー時のクラック発
生が全くない、信頼性の高い電子回路装置を提供するこ
とである。
ので、その目的とするところは、電子回路装置の製造コ
ストを安価に抑えるとともに、リフロー時のクラック発
生が全くない、信頼性の高い電子回路装置を提供するこ
とである。
【００１１】また、本発明のさらなる目的は、リフロー
時におけるクラックの発生を抑制しつつ、製造コストを
安価にできる電子回路装置の製造方法を提供することで
ある。
時におけるクラックの発生を抑制しつつ、製造コストを
安価にできる電子回路装置の製造方法を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、１あるいはそれ以上の電子部品が基板上
に搭載され、この基板上に設けた配線パターンと上記電
子部品の接続端子であるバンプとが電気的な接続を維持
している電子回路装置において、上記バンプおよび配線
パターンを包囲するよう異方性導電性樹脂を充填し、こ
の異方性導電性樹脂の熱硬化によって、上記バンプと配
線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、上記
電子部品と上記基板とを接合する。
め、本発明は、１あるいはそれ以上の電子部品が基板上
に搭載され、この基板上に設けた配線パターンと上記電
子部品の接続端子であるバンプとが電気的な接続を維持
している電子回路装置において、上記バンプおよび配線
パターンを包囲するよう異方性導電性樹脂を充填し、こ
の異方性導電性樹脂の熱硬化によって、上記バンプと配
線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、上記
電子部品と上記基板とを接合する。
【００１３】好ましくは、上記異方性導電性樹脂が、上
記バンプとの接続に係る上記配線パターン全体を覆うよ
う上記基板上に滴下されるペースト状の樹脂である。ま
た、好ましくは、上記異方性導電性樹脂が、上記バンプ
との接続に係る上記配線パターンの幅に合わせて、この
配線パターン上に積層された所定厚のペースト状の樹脂
である。
記バンプとの接続に係る上記配線パターン全体を覆うよ
う上記基板上に滴下されるペースト状の樹脂である。ま
た、好ましくは、上記異方性導電性樹脂が、上記バンプ
との接続に係る上記配線パターンの幅に合わせて、この
配線パターン上に積層された所定厚のペースト状の樹脂
である。
【００１４】本発明に係る電子回路装置は、さらに、上
記バンプおよび配線パターン周辺以外の上記基板上の所
定領域に、上記異方性導電性樹脂とは異なる熱硬化樹脂
を充填する。
記バンプおよび配線パターン周辺以外の上記基板上の所
定領域に、上記異方性導電性樹脂とは異なる熱硬化樹脂
を充填する。
【００１５】他の発明は、１あるいはそれ以上の電子部
品が基板上に搭載され、この基板上に設けた配線パター
ンと上記電子部品の接続端子であるバンプとが電気的な
接続を維持している電子回路装置において、少なくとも
上記電子部品の所定面の面積に等しい上記基板上の範囲
に熱硬化樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化によって、上
記バンプと配線パターンとの電気的な接続を維持すると
ともに、上記電子部品と上記基板とを接合する。
品が基板上に搭載され、この基板上に設けた配線パター
ンと上記電子部品の接続端子であるバンプとが電気的な
接続を維持している電子回路装置において、少なくとも
上記電子部品の所定面の面積に等しい上記基板上の範囲
に熱硬化樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化によって、上
記バンプと配線パターンとの電気的な接続を維持すると
ともに、上記電子部品と上記基板とを接合する。
【００１６】また、他の発明は、１あるいはそれ以上の
電子部品が基板上に搭載され、この基板上に設けた配線
パターンと上記電子部品の接続端子であるバンプとが電
気的な接続を維持している電子回路装置の製造方法にお
いて、上記バンプおよび配線パターン近傍の上記基板上
にペースト状の異方性導電性樹脂を充填する充填工程
と、上記配線パターンと上記バンプとの位置を合わせて
上記基板上に上記電子部品を載置する工程と、上記充填
された異方性導電性樹脂を熱硬化させる工程とを備え、
上記異方性導電性樹脂の熱硬化によって、上記バンプと
配線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、上
記電子部品と上記基板とを接合する。
電子部品が基板上に搭載され、この基板上に設けた配線
パターンと上記電子部品の接続端子であるバンプとが電
気的な接続を維持している電子回路装置の製造方法にお
いて、上記バンプおよび配線パターン近傍の上記基板上
にペースト状の異方性導電性樹脂を充填する充填工程
と、上記配線パターンと上記バンプとの位置を合わせて
上記基板上に上記電子部品を載置する工程と、上記充填
された異方性導電性樹脂を熱硬化させる工程とを備え、
上記異方性導電性樹脂の熱硬化によって、上記バンプと
配線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、上
記電子部品と上記基板とを接合する。
【００１７】好ましくは、上記充填工程は、上記バンプ
との接続に係る上記配線パターン全体を覆うよう上記基
板上に上記異方性導電性樹脂を滴下する。また、上記充
填工程は、上記バンプとの接続に係る上記配線パターン
の幅に合わせて、この配線パターン上に上記異方性導電
性樹脂を所定厚で積層させる。
との接続に係る上記配線パターン全体を覆うよう上記基
板上に上記異方性導電性樹脂を滴下する。また、上記充
填工程は、上記バンプとの接続に係る上記配線パターン
の幅に合わせて、この配線パターン上に上記異方性導電
性樹脂を所定厚で積層させる。
【００１８】また、好ましくは、他の発明に係る電子回
路装置の製造方法は、さらに、上記バンプおよび配線パ
ターン周辺以外の上記基板上の所定領域に、上記異方性
導電性樹脂とは異なる熱硬化樹脂を充填する工程を備え
る。
路装置の製造方法は、さらに、上記バンプおよび配線パ
ターン周辺以外の上記基板上の所定領域に、上記異方性
導電性樹脂とは異なる熱硬化樹脂を充填する工程を備え
る。
【００１９】さらに他の発明によれば、１あるいはそれ
以上の電子部品が基板上に搭載され、この基板上に設け
た配線パターンと上記電子部品の接続端子であるバンプ
とが電気的な接続を維持している電子回路装置の製造方
法において、少なくとも上記電子部品の所定面の面積に
等しい上記基板上の範囲に熱硬化樹脂を充填する工程
と、上記配線パターンと上記バンプとの位置を合わせて
上記基板上に上記電子部品を載置する工程と、上記充填
された熱硬化樹脂を熱硬化させる工程とを備え、上記熱
硬化樹脂の熱硬化によって、上記バンプと配線パターン
との電気的な接続を維持するとともに、上記電子部品と
上記基板とを接合する。
以上の電子部品が基板上に搭載され、この基板上に設け
た配線パターンと上記電子部品の接続端子であるバンプ
とが電気的な接続を維持している電子回路装置の製造方
法において、少なくとも上記電子部品の所定面の面積に
等しい上記基板上の範囲に熱硬化樹脂を充填する工程
と、上記配線パターンと上記バンプとの位置を合わせて
上記基板上に上記電子部品を載置する工程と、上記充填
された熱硬化樹脂を熱硬化させる工程とを備え、上記熱
硬化樹脂の熱硬化によって、上記バンプと配線パターン
との電気的な接続を維持するとともに、上記電子部品と
上記基板とを接合する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る実施の形態について説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１に係る電
子回路装置の断面構成を示す図である。同図に示すよう
に、本電子回路装置の配線基板３上には、フリップチッ
プ実装方式で半導体チップ２が実装されている。なお、
配線基板３は、絶縁性基板上に、所定の電子回路に応じ
た配線パターン４を形成したものである。また、この絶
縁性基板としては、例えば、ガラスクロスやガラスフィ
ラー、アラミド樹脂等の充填材に、エポキシ樹脂やイミ
ド樹脂等の形成材を含浸させたものを使用する。
明に係る実施の形態について説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１に係る電
子回路装置の断面構成を示す図である。同図に示すよう
に、本電子回路装置の配線基板３上には、フリップチッ
プ実装方式で半導体チップ２が実装されている。なお、
配線基板３は、絶縁性基板上に、所定の電子回路に応じ
た配線パターン４を形成したものである。また、この絶
縁性基板としては、例えば、ガラスクロスやガラスフィ
ラー、アラミド樹脂等の充填材に、エポキシ樹脂やイミ
ド樹脂等の形成材を含浸させたものを使用する。
【００２１】本実施の形態に係る電子回路装置では、そ
の電気接合部にペースト状の異方性導電性樹脂（ＡＣ
Ｐ）３０を使用する。すなわち、図１に示すように、電
子部品としての半導体チップ２の下面の一部分におい
て、バンプ５と配線パターン４の周囲にだけ異方性導電
性樹脂３０を塗布し、その樹脂に分散させた導電性粒子
を介して、それらの間を電気的に導通させる。なお、バ
ンプ５そのものは、電気伝導度の高い導電性材料、例え
ば、金あるいは銅等で構成されている。
の電気接合部にペースト状の異方性導電性樹脂（ＡＣ
Ｐ）３０を使用する。すなわち、図１に示すように、電
子部品としての半導体チップ２の下面の一部分におい
て、バンプ５と配線パターン４の周囲にだけ異方性導電
性樹脂３０を塗布し、その樹脂に分散させた導電性粒子
を介して、それらの間を電気的に導通させる。なお、バ
ンプ５そのものは、電気伝導度の高い導電性材料、例え
ば、金あるいは銅等で構成されている。
【００２２】このペースト状の異方性導電性樹脂３０の
粘度は、通常、１０〜４０Ｐａ・ｓ程度であるため、異
方性導電性樹脂３０を塗布した際に空気を巻き込んで
も、配線パターン４と配線基板３との隙間に存在するボ
イドが、フリップチップ実装時に外部へ押し出され、基
板上からはボイドが消滅する。
粘度は、通常、１０〜４０Ｐａ・ｓ程度であるため、異
方性導電性樹脂３０を塗布した際に空気を巻き込んで
も、配線パターン４と配線基板３との隙間に存在するボ
イドが、フリップチップ実装時に外部へ押し出され、基
板上からはボイドが消滅する。
【００２３】なお、上記従来の装置のように、フィルム
状の異方性導電性樹脂を配線基板に貼り付け、それをバ
ンプと配線パターンとの接合に使用した場合、配線パタ
ーン、配線基板、異方性導電性樹脂の隙間にボイドが封
じ込まれる。そして、このようなボイドの発生は、使用
する異方性導電性樹脂の粘度（フィルム状の異方性導電
性樹脂の粘度は１０００Ｐａ・ｓ以上で、ペースト状の
異方性導電性樹脂のそれは、１０〜４０Ｐａ・ｓ程度）
に大きく関係する。そこで、フィルム状にした場合の制
約や作業性を考慮して、本実施の形態に係る装置では、
上述したペースト状の異方性導電性樹脂３０の有する粘
度が妥当となる。
状の異方性導電性樹脂を配線基板に貼り付け、それをバ
ンプと配線パターンとの接合に使用した場合、配線パタ
ーン、配線基板、異方性導電性樹脂の隙間にボイドが封
じ込まれる。そして、このようなボイドの発生は、使用
する異方性導電性樹脂の粘度（フィルム状の異方性導電
性樹脂の粘度は１０００Ｐａ・ｓ以上で、ペースト状の
異方性導電性樹脂のそれは、１０〜４０Ｐａ・ｓ程度）
に大きく関係する。そこで、フィルム状にした場合の制
約や作業性を考慮して、本実施の形態に係る装置では、
上述したペースト状の異方性導電性樹脂３０の有する粘
度が妥当となる。
【００２４】そこで、以下、本実施の形態に係る電子回
路装置を製造する方法について説明する。 ＜第１の方法＞図４は、本実施の形態に係る電子回路装
置を製造する第１の方法を、その工程順に示している。
すなわち、同図の（ａ）では、配線基板３全体を６０゜
Ｃ程度に加熱する。また、続く同図（ｂ）の工程では、
配線基板３上の配線パターン４を覆うように、ディスペ
ンサ５０によって異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）３０を滴
下塗布する。
路装置を製造する方法について説明する。 ＜第１の方法＞図４は、本実施の形態に係る電子回路装
置を製造する第１の方法を、その工程順に示している。
すなわち、同図の（ａ）では、配線基板３全体を６０゜
Ｃ程度に加熱する。また、続く同図（ｂ）の工程では、
配線基板３上の配線パターン４を覆うように、ディスペ
ンサ５０によって異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）３０を滴
下塗布する。
【００２５】なお、この場合、ディスペンサ５０自体を
加熱して、ＡＣＰ３０を約４０゜Ｃに暖めて使用しても
よい。そして、図４の（ｃ）に示す工程では、上記の工
程で滴下したＡＣＰ３０の上に、バンプ５と配線パター
ン４とが一致するよう半導体チップ２を載置し、そのチ
ップに圧力をかけたり、加熱することで、半導体チップ
２と配線基板３とを接合する。
加熱して、ＡＣＰ３０を約４０゜Ｃに暖めて使用しても
よい。そして、図４の（ｃ）に示す工程では、上記の工
程で滴下したＡＣＰ３０の上に、バンプ５と配線パター
ン４とが一致するよう半導体チップ２を載置し、そのチ
ップに圧力をかけたり、加熱することで、半導体チップ
２と配線基板３とを接合する。
【００２６】＜第２の方法＞図５は、本実施の形態に係
る電子回路装置を製造する第２の方法を工程順に示して
いる。同図の（ａ）では、配線基板３を約６０゜Ｃに加
熱する。同図（ｂ）の工程では、配線パターン４に対応
する部分が開口したメタルマスク５１を、配線基板３上
に置く（これらの開口部を、参照符号５３ａ，５３ｂで
示す）。そして、同図の（ｃ）において、スキージ５２
によって、これら、メタルマスク５１の開口部にＡＣＰ
３０を充填する。
る電子回路装置を製造する第２の方法を工程順に示して
いる。同図の（ａ）では、配線基板３を約６０゜Ｃに加
熱する。同図（ｂ）の工程では、配線パターン４に対応
する部分が開口したメタルマスク５１を、配線基板３上
に置く（これらの開口部を、参照符号５３ａ，５３ｂで
示す）。そして、同図の（ｃ）において、スキージ５２
によって、これら、メタルマスク５１の開口部にＡＣＰ
３０を充填する。
【００２７】図５の（ｄ）に示す工程では、配線基板３
と垂直方向に低速で、配線基板３からメタルマスク５１
を引き離す。その結果、配線パターン４上には、その幅
に一致した、一定量のＡＣＰ３０が残される。そして、
同図（ｅ）の工程では、配線パターン４上に印刷された
ＡＣＰ３０の上に半導体チップ２を置き、そのチップに
圧力をかけたり、加熱することで、半導体チップ２と配
線基板３とを接合する。
と垂直方向に低速で、配線基板３からメタルマスク５１
を引き離す。その結果、配線パターン４上には、その幅
に一致した、一定量のＡＣＰ３０が残される。そして、
同図（ｅ）の工程では、配線パターン４上に印刷された
ＡＣＰ３０の上に半導体チップ２を置き、そのチップに
圧力をかけたり、加熱することで、半導体チップ２と配
線基板３とを接合する。
【００２８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、半導体チップと配線基板の電気接合部にペースト状
の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）を使用することで、局部
的に樹脂を配するとともに、その樹脂厚を均一にでき、
接合部周辺にボイドが発生しても、それらが容易に押し
出されるため、ボイドが原因となる、例えば、リフロー
時のクラック発生を抑制することができる。
ば、半導体チップと配線基板の電気接合部にペースト状
の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）を使用することで、局部
的に樹脂を配するとともに、その樹脂厚を均一にでき、
接合部周辺にボイドが発生しても、それらが容易に押し
出されるため、ボイドが原因となる、例えば、リフロー
時のクラック発生を抑制することができる。
【００２９】また、本実施の形態によれば、電気接合部
において、配線パターン幅に合わせて、部分的にペース
ト状の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）を使用することで、
高価な異方性導電性樹脂の使用量を、極力少量に抑える
ことができ、結果として、低コストで電子回路装置を生
産できる。
において、配線パターン幅に合わせて、部分的にペース
ト状の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）を使用することで、
高価な異方性導電性樹脂の使用量を、極力少量に抑える
ことができ、結果として、低コストで電子回路装置を生
産できる。
【００３０】実施の形態２．以下、本発明の実施の形態
２に係る電子回路装置について説明する。図２は、本発
明の実施の形態２に係る電子回路装置の断面構成を示す
図である。なお、同図に示す装置において、上記実施の
形態１に係る装置と同一構成要素には同一符号を使用す
る。
２に係る電子回路装置について説明する。図２は、本発
明の実施の形態２に係る電子回路装置の断面構成を示す
図である。なお、同図に示す装置において、上記実施の
形態１に係る装置と同一構成要素には同一符号を使用す
る。
【００３１】本実施の形態に係る電子回路装置の配線基
板３上には、フリップチップ実装方式で半導体チップ２
が実装されている。また、配線基板３は、絶縁性の基板
上に、所定の電子回路に応じた配線パターン４が形成さ
れてなるものである。
板３上には、フリップチップ実装方式で半導体チップ２
が実装されている。また、配線基板３は、絶縁性の基板
上に、所定の電子回路に応じた配線パターン４が形成さ
れてなるものである。
【００３２】なお、ここでも、絶縁性基板として、例え
ば、ガラスクロスやガラスフィラー、アラミド樹脂等の
充填材に、エポキシ樹脂やイミド樹脂等の形成材を含浸
させたものを使用する。
ば、ガラスクロスやガラスフィラー、アラミド樹脂等の
充填材に、エポキシ樹脂やイミド樹脂等の形成材を含浸
させたものを使用する。
【００３３】本実施の形態に係る電子回路装置では、図
２に示すように、配線パターン４とバンプ５の周辺にペ
ースト状の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）３０を使用し、
それら以外の部分には、熱硬化性樹脂６を充填する。な
お、ペースト状の異方性導電性樹脂３０の粘度やボイド
の消滅等については、上記実施の形態１における場合と
同じであるため、ここでは、それらの説明を省略する。
２に示すように、配線パターン４とバンプ５の周辺にペ
ースト状の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）３０を使用し、
それら以外の部分には、熱硬化性樹脂６を充填する。な
お、ペースト状の異方性導電性樹脂３０の粘度やボイド
の消滅等については、上記実施の形態１における場合と
同じであるため、ここでは、それらの説明を省略する。
【００３４】次に、本実施の形態に係る電子回路装置を
製造する方法について説明する。 ＜第１の方法＞図６は、本実施の形態に係る電子回路装
置を製造する第１の方法を工程順に示している。同図の
（ａ）では、配線基板３を約６０゜Ｃに加熱する。
（ｂ）に示す工程では、配線パターン４を覆うように、
ディスペンサ５０ａによって、異方性導電性樹脂（ＡＣ
Ｐ）３０を滴下塗布する。なお、この場合、ディスペン
サ５０ａ自体を加熱して、ＡＣＰ３０を約４０゜Ｃに暖
めて使用してもよい。
製造する方法について説明する。 ＜第１の方法＞図６は、本実施の形態に係る電子回路装
置を製造する第１の方法を工程順に示している。同図の
（ａ）では、配線基板３を約６０゜Ｃに加熱する。
（ｂ）に示す工程では、配線パターン４を覆うように、
ディスペンサ５０ａによって、異方性導電性樹脂（ＡＣ
Ｐ）３０を滴下塗布する。なお、この場合、ディスペン
サ５０ａ自体を加熱して、ＡＣＰ３０を約４０゜Ｃに暖
めて使用してもよい。
【００３５】図６の（ｃ）に示す工程では、配線基板３
上において、上記の（ｂ）に示す工程で滴下したＡＣＰ
３０以外の部分に、ディスペンサ５０ｂによって、熱硬
化樹脂６を滴下塗布する。なお、この場合においても、
ディスペンサ５０ｂ自体を加熱して、熱硬化樹脂６を約
４０゜Ｃに暖めて使用してもよい。
上において、上記の（ｂ）に示す工程で滴下したＡＣＰ
３０以外の部分に、ディスペンサ５０ｂによって、熱硬
化樹脂６を滴下塗布する。なお、この場合においても、
ディスペンサ５０ｂ自体を加熱して、熱硬化樹脂６を約
４０゜Ｃに暖めて使用してもよい。
【００３６】図６（ｄ）の工程では、上記（ｂ），
（ｃ）に係る工程でそれぞれ滴下したＡＣＰ３０および
熱硬化樹脂６の上に、バンプ５と配線パターン４とが一
致するよう半導体チップ２を置く。そして、この半導体
チップ２に圧力を加えたり、加熱することで、半導体チ
ップ２と配線基板３とを接合する。
（ｃ）に係る工程でそれぞれ滴下したＡＣＰ３０および
熱硬化樹脂６の上に、バンプ５と配線パターン４とが一
致するよう半導体チップ２を置く。そして、この半導体
チップ２に圧力を加えたり、加熱することで、半導体チ
ップ２と配線基板３とを接合する。
【００３７】＜第２の方法＞図７は、本実施の形態に係
る電子回路装置を製造する第２の方法を工程順に示して
いる。なお、同図（ａ）〜（ｄ）に示す工程は、図５に
示す、上記実施の形態１に係る「第２の方法」と同じ工
程を含んでいる。すなわち、図７（ａ）の工程では、配
線基板３を約６０゜Ｃに加熱し、（ｂ）の工程では、配
線パターン４に対応する部分が開口したメタルマスク５
１を、配線基板３上に置く。そして、同図（ｃ）の工程
において、スキージ５２によって、メタルマスク５１の
開口部５３ａ，５３ｂにＡＣＰ３０を充填する。
る電子回路装置を製造する第２の方法を工程順に示して
いる。なお、同図（ａ）〜（ｄ）に示す工程は、図５に
示す、上記実施の形態１に係る「第２の方法」と同じ工
程を含んでいる。すなわち、図７（ａ）の工程では、配
線基板３を約６０゜Ｃに加熱し、（ｂ）の工程では、配
線パターン４に対応する部分が開口したメタルマスク５
１を、配線基板３上に置く。そして、同図（ｃ）の工程
において、スキージ５２によって、メタルマスク５１の
開口部５３ａ，５３ｂにＡＣＰ３０を充填する。
【００３８】図７（ｄ）の工程では、配線基板３に垂直
にゆっくりと、配線基板３からメタルマスク５１を引き
離すことで、配線パターン４上に、その幅に一致した一
定量のＡＣＰ３０が残留する。そして、同図（ｅ）の工
程では、配線基板３上の、配線パターン４上に印刷され
たＡＣＰ３０以外の部分に、ディスペンサ５０ｂで、熱
硬化樹脂６を滴下塗布する。なお、この場合、ディスペ
ンサ５０ｂ自体を加熱して、熱硬化樹脂６を約４０゜Ｃ
に暖めて使用してもよい
にゆっくりと、配線基板３からメタルマスク５１を引き
離すことで、配線パターン４上に、その幅に一致した一
定量のＡＣＰ３０が残留する。そして、同図（ｅ）の工
程では、配線基板３上の、配線パターン４上に印刷され
たＡＣＰ３０以外の部分に、ディスペンサ５０ｂで、熱
硬化樹脂６を滴下塗布する。なお、この場合、ディスペ
ンサ５０ｂ自体を加熱して、熱硬化樹脂６を約４０゜Ｃ
に暖めて使用してもよい
【００３９】最終工程である図７（ｆ）の工程では、配
線パターン４上に印刷されたＡＣＰ３０の上に、バンプ
５と配線パターン４とが一致するよう半導体チップ２を
置く。そして、その半導体チップ２に圧力をかけたり、
加熱することで、半導体チップ２と配線基板３とを接合
する。
線パターン４上に印刷されたＡＣＰ３０の上に、バンプ
５と配線パターン４とが一致するよう半導体チップ２を
置く。そして、その半導体チップ２に圧力をかけたり、
加熱することで、半導体チップ２と配線基板３とを接合
する。
【００４０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、半導体チップと配線基板の接合部において、配線パ
ターンとバンプの周辺に、部分的にペースト状の異方性
導電性樹脂（ＡＣＰ）を使用し、それ以外の接合部に
は、熱硬化性樹脂を充填することで、半導体チップと配
線基板の接着強度が増すとともに、樹脂厚を均一にでき
るため、接合部周辺にボイドが発生しても、それらが外
部へ押し出され、リフロー時のクラック発生を抑制でき
る。
ば、半導体チップと配線基板の接合部において、配線パ
ターンとバンプの周辺に、部分的にペースト状の異方性
導電性樹脂（ＡＣＰ）を使用し、それ以外の接合部に
は、熱硬化性樹脂を充填することで、半導体チップと配
線基板の接着強度が増すとともに、樹脂厚を均一にでき
るため、接合部周辺にボイドが発生しても、それらが外
部へ押し出され、リフロー時のクラック発生を抑制でき
る。
【００４１】また、本実施の形態においても、配線パタ
ーン幅に合わせてペースト状の異方性導電性樹脂を使用
することで、高価な異方性導電性樹脂の使用量を、極力
少量に抑えることができ、低コストで電子回路装置を生
産できる。
ーン幅に合わせてペースト状の異方性導電性樹脂を使用
することで、高価な異方性導電性樹脂の使用量を、極力
少量に抑えることができ、低コストで電子回路装置を生
産できる。
【００４２】実施の形態３．以下、本発明の実施の形態
３に係る電子回路装置について説明する。図３は、本発
明の実施の形態３に係る電子回路装置の断面構成を示す
図である。なお、同図に示す装置において、上記実施の
形態１に係る装置と同一構成要素には同一符号を使用す
る。
３に係る電子回路装置について説明する。図３は、本発
明の実施の形態３に係る電子回路装置の断面構成を示す
図である。なお、同図に示す装置において、上記実施の
形態１に係る装置と同一構成要素には同一符号を使用す
る。
【００４３】図３に示す、本実施の形態に係る電子回路
装置は、配線基板３上に、半導体チップ２がフリップチ
ップ実装方式で実装されている。この配線基板３は、絶
縁性基板上に、所定の電子回路に応じた配線パターン４
が形成されてなるものである。なお、絶縁性基板として
の配線基板３の材質は、上記実施の形態１，２に係る基
板と同じ材質が使用されているため、ここでは、それら
の説明を省略する。
装置は、配線基板３上に、半導体チップ２がフリップチ
ップ実装方式で実装されている。この配線基板３は、絶
縁性基板上に、所定の電子回路に応じた配線パターン４
が形成されてなるものである。なお、絶縁性基板として
の配線基板３の材質は、上記実施の形態１，２に係る基
板と同じ材質が使用されているため、ここでは、それら
の説明を省略する。
【００４４】図３に示す電子回路装置では、半導体チッ
プ２の下面全体に、液状あるいはフィルム状の熱硬化性
樹脂６が充填されている。つまり、半導体チップ２は、
バンプ５を含めて、チップの下面全体が、そこに充填さ
れた熱硬化性樹脂６を介して配線基板３に接合されてい
る。
プ２の下面全体に、液状あるいはフィルム状の熱硬化性
樹脂６が充填されている。つまり、半導体チップ２は、
バンプ５を含めて、チップの下面全体が、そこに充填さ
れた熱硬化性樹脂６を介して配線基板３に接合されてい
る。
【００４５】そこで、この電子回路装置を製造する方法
を説明する。図８は、本装置の一製造方法を示してお
り、同図（ａ）では、配線基板３を約６０゜Ｃ程度に加
熱し、同図（ｂ）では、基板上の配線パターン４および
それらの間に、ディスペンサ５０で熱硬化性樹脂６を滴
下塗布する。この場合、ディスペンサ５０自体を加熱し
て、熱硬化性樹脂６を約４０゜Ｃに暖めて使用してもよ
い。
を説明する。図８は、本装置の一製造方法を示してお
り、同図（ａ）では、配線基板３を約６０゜Ｃ程度に加
熱し、同図（ｂ）では、基板上の配線パターン４および
それらの間に、ディスペンサ５０で熱硬化性樹脂６を滴
下塗布する。この場合、ディスペンサ５０自体を加熱し
て、熱硬化性樹脂６を約４０゜Ｃに暖めて使用してもよ
い。
【００４６】図８（ｃ）の工程では、上記工程で滴下し
た熱硬化性樹脂６の上に半導体チップ２を置き、それに
加圧したり加熱することで、半導体チップ２と配線基板
３とを接合する。
た熱硬化性樹脂６の上に半導体チップ２を置き、それに
加圧したり加熱することで、半導体チップ２と配線基板
３とを接合する。
【００４７】また、本電子回路装置を製造する他の方法
として、図９に示す方法がある。すなわち、図９（ａ）
では、配線基板３を約６０゜Ｃに加熱し、同図（ｂ）で
は、配線パターン４を含む、基板上の一定領域を網羅す
る開口部５５を有するメタルマスク５４を配線基板３上
に置く。すなわち、開口部５５の寸法は、搭載する部品
サイズと同等であることが望ましい。例えば、同図
（ｄ）に示すように、搭載部品の最外部と熱硬化性樹脂
６との距離は、１ｍｍを目安にする。この距離が長いと
樹脂がはい上がり、それが実装ツールやチップ上面に付
着して、それらを汚したりするという問題がある。ま
た、逆に距離が短い場合、フィレットができず、信頼性
の確保が難しくなる。
として、図９に示す方法がある。すなわち、図９（ａ）
では、配線基板３を約６０゜Ｃに加熱し、同図（ｂ）で
は、配線パターン４を含む、基板上の一定領域を網羅す
る開口部５５を有するメタルマスク５４を配線基板３上
に置く。すなわち、開口部５５の寸法は、搭載する部品
サイズと同等であることが望ましい。例えば、同図
（ｄ）に示すように、搭載部品の最外部と熱硬化性樹脂
６との距離は、１ｍｍを目安にする。この距離が長いと
樹脂がはい上がり、それが実装ツールやチップ上面に付
着して、それらを汚したりするという問題がある。ま
た、逆に距離が短い場合、フィレットができず、信頼性
の確保が難しくなる。
【００４８】図９（ｃ）の工程では、スキージ５２によ
って、メタルマスク５４の開口部５５全体に熱硬化性樹
脂６を充填する。続く、図９（ｄ）の工程で、メタルマ
スク５４を低速で配線基板３から離す。その結果、配線
基板３上には、この開口部５５の大きさに相当する面積
で、配線パターン４を覆うように熱硬化性樹脂６が塗布
される。
って、メタルマスク５４の開口部５５全体に熱硬化性樹
脂６を充填する。続く、図９（ｄ）の工程で、メタルマ
スク５４を低速で配線基板３から離す。その結果、配線
基板３上には、この開口部５５の大きさに相当する面積
で、配線パターン４を覆うように熱硬化性樹脂６が塗布
される。
【００４９】そして、図９（ｅ）の工程において、バン
プ５と配線パターン４とが一致するよう、熱硬化性樹脂
６上に半導体チップ２を載置し、そのチップに圧力を加
えたり加熱することで、半導体チップ２と配線基板３と
を接合する。
プ５と配線パターン４とが一致するよう、熱硬化性樹脂
６上に半導体チップ２を載置し、そのチップに圧力を加
えたり加熱することで、半導体チップ２と配線基板３と
を接合する。
【００５０】このように、本実施の形態によれば、半導
体チップの下面全体において、基板上の配線パターンを
覆うよう一定領域に熱硬化性樹脂を塗布することで、高
価な異方性導電性樹脂を使用しなくても、低コストで電
子回路装置を生産できる。
体チップの下面全体において、基板上の配線パターンを
覆うよう一定領域に熱硬化性樹脂を塗布することで、高
価な異方性導電性樹脂を使用しなくても、低コストで電
子回路装置を生産できる。
【００５１】また、半導体チップの下面全体が接合部に
なるよう熱硬化性樹脂を充填することで、半導体チップ
と配線基板との接着強度が増し、同時にリフロー時のク
ラック発生を抑制することができ、さらには、熱硬化性
樹脂を均一に塗布することで、ボイドの混入が防げ、電
子回路装置の信頼性が向上する。
なるよう熱硬化性樹脂を充填することで、半導体チップ
と配線基板との接着強度が増し、同時にリフロー時のク
ラック発生を抑制することができ、さらには、熱硬化性
樹脂を均一に塗布することで、ボイドの混入が防げ、電
子回路装置の信頼性が向上する。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に搭載された電
子部品の接続端子であるバンプと配線パターンとを包囲
するよう異方性導電性樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化
によって、バンプと配線パターンとの電気的な接続を維
持するとともに、電子部品と上記基板とを接合すること
で、配線パターン間の隙間に封じ込まれるボイドを減少
させ、リフロー時のクラック等の発生を抑えて、電子回
路装置の信頼性を向上させることができる。
子部品の接続端子であるバンプと配線パターンとを包囲
するよう異方性導電性樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化
によって、バンプと配線パターンとの電気的な接続を維
持するとともに、電子部品と上記基板とを接合すること
で、配線パターン間の隙間に封じ込まれるボイドを減少
させ、リフロー時のクラック等の発生を抑えて、電子回
路装置の信頼性を向上させることができる。
【００５３】また、ペースト状の異方性導電性樹脂を、
バンプとの接続に係る配線パターン全体を覆うよう基板
上に滴下したり、あるいは、バンプとの接続に係る配線
パターンの幅に合わせて、この配線パターン上に所定厚
で積層することで、使用する樹脂の材料コストを低減で
きる。
バンプとの接続に係る配線パターン全体を覆うよう基板
上に滴下したり、あるいは、バンプとの接続に係る配線
パターンの幅に合わせて、この配線パターン上に所定厚
で積層することで、使用する樹脂の材料コストを低減で
きる。
【００５４】さらに、バンプおよび配線パターン周辺以
外の基板上の所定領域に、異方性導電性樹脂とは異なる
熱硬化樹脂を充填することで、電子部品と基板との接合
強度を増大させることが可能となる。
外の基板上の所定領域に、異方性導電性樹脂とは異なる
熱硬化樹脂を充填することで、電子部品と基板との接合
強度を増大させることが可能となる。
【００５５】他の発明によれば、基板上に搭載された電
子部品の接続端子であるバンプと配線パターンとが電気
的な接続を維持している電子回路装置において、少なく
とも電子部品の所定面の面積に等しい基板上の範囲に熱
硬化樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化によって、バンプ
と配線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、
電子部品と基板とを接合することで、半導体チップと配
線基板との接着強度を増大させ、かつ、低コストで電子
回路装置を生産できる。
子部品の接続端子であるバンプと配線パターンとが電気
的な接続を維持している電子回路装置において、少なく
とも電子部品の所定面の面積に等しい基板上の範囲に熱
硬化樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化によって、バンプ
と配線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、
電子部品と基板とを接合することで、半導体チップと配
線基板との接着強度を増大させ、かつ、低コストで電子
回路装置を生産できる。
【００５６】また、他の発明によれば、基板上に搭載し
た電子部品の接続端子であるバンプと配線パターンとが
電気的な接続を維持している電子回路装置を製造する方
法において、バンプおよび配線パターン近傍の基板上に
ペースト状の異方性導電性樹脂を充填し、充填された異
方性導電性樹脂の熱硬化によって、バンプと配線パター
ンとの電気的な接続を維持し、電子部品と上記基板とを
接合することで、配線パターン間の隙間に封じ込まれる
ボイドを減少させ、リフロー時のクラック等の発生を抑
えた、信頼性の高い電子回路装置の製造方法を提供でき
る。
た電子部品の接続端子であるバンプと配線パターンとが
電気的な接続を維持している電子回路装置を製造する方
法において、バンプおよび配線パターン近傍の基板上に
ペースト状の異方性導電性樹脂を充填し、充填された異
方性導電性樹脂の熱硬化によって、バンプと配線パター
ンとの電気的な接続を維持し、電子部品と上記基板とを
接合することで、配線パターン間の隙間に封じ込まれる
ボイドを減少させ、リフロー時のクラック等の発生を抑
えた、信頼性の高い電子回路装置の製造方法を提供でき
る。
【００５７】好ましくは、他の発明に係る充填工程が、
バンプとの接続に係る配線パターン全体を覆うよう基板
上にペースト状の異方性導電性樹脂を滴下したり、バン
プとの接続に係る配線パターンの幅に合わせて、この配
線パターン上にペースト状の異方性導電性樹脂を所定厚
で積層させることで、電子回路装置の製造に要する樹脂
の材料コストを低減できる。
バンプとの接続に係る配線パターン全体を覆うよう基板
上にペースト状の異方性導電性樹脂を滴下したり、バン
プとの接続に係る配線パターンの幅に合わせて、この配
線パターン上にペースト状の異方性導電性樹脂を所定厚
で積層させることで、電子回路装置の製造に要する樹脂
の材料コストを低減できる。
【００５８】また、好ましくは、他の発明に係る電子回
路装置の製造方法は、さらに、バンプおよび配線パター
ン周辺以外の基板上の所定領域に、異方性導電性樹脂と
は異なる熱硬化樹脂を充填する工程を備えることで、電
子部品と基板との接合強度を増大できる。
路装置の製造方法は、さらに、バンプおよび配線パター
ン周辺以外の基板上の所定領域に、異方性導電性樹脂と
は異なる熱硬化樹脂を充填する工程を備えることで、電
子部品と基板との接合強度を増大できる。
【００５９】さらに他の発明によれば、基板上に搭載さ
れた電子部品の接続端子であるバンプと配線パターンと
が電気的な接続を維持している電子回路装置の製造方法
において、少なくとも電子部品の所定面の面積に等しい
基板上の範囲に熱硬化樹脂を充填する工程と、充填され
た熱硬化樹脂を熱硬化させる工程とを備え、この熱硬化
樹脂の熱硬化によって、バンプと配線パターンとの電気
的な接続を維持するとともに、電子部品と基板とを接合
することで、電子部品と配線基板との接着強度を増大さ
せ、低コストで電子回路装置を生産できる。
れた電子部品の接続端子であるバンプと配線パターンと
が電気的な接続を維持している電子回路装置の製造方法
において、少なくとも電子部品の所定面の面積に等しい
基板上の範囲に熱硬化樹脂を充填する工程と、充填され
た熱硬化樹脂を熱硬化させる工程とを備え、この熱硬化
樹脂の熱硬化によって、バンプと配線パターンとの電気
的な接続を維持するとともに、電子部品と基板とを接合
することで、電子部品と配線基板との接着強度を増大さ
せ、低コストで電子回路装置を生産できる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る電子回路装置の
断面構成を示す図である。
断面構成を示す図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る電子回路装置の
断面構成を示す図である。
断面構成を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態３に係る電子回路装置の
断面構成を示す図である
断面構成を示す図である
【図４】 実施の形態１に係る電子回路装置を製造する
第１の方法を示す図である。
第１の方法を示す図である。
【図５】 実施の形態１に係る電子回路装置を製造する
第２の方法を示す図である。
第２の方法を示す図である。
【図６】 実施の形態２に係る電子回路装置を製造する
第１の方法を示す図である。
第１の方法を示す図である。
【図７】 実施の形態２に係る電子回路装置を製造する
第２の方法を示す図である。
第２の方法を示す図である。
【図８】 実施の形態３に係る電子回路装置を製造する
第１の方法を示す図である。
第１の方法を示す図である。
【図９】 実施の形態３に係る電子回路装置を製造する
第２の方法を示す図である。
第２の方法を示す図である。
【図１０】 従来の電子回路装置の断面構成を示す図で
ある。
ある。
【図１１】 従来の電子回路装置における問題点を説明
するための図である。
するための図である。
２…半導体チップ、３…配線基板、４…配線パターン、
５…バンプ、６…熱硬化性樹脂、７…接合材、２０…フ
ィルム状の異方性導電性樹脂（ＡＣＦ）、３０…ペース
ト状の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）、４０…ボイド、５
０，５０ａ，５０ｂ，５２…ディスペンサ、５１，５４
…メタルマスク、５２…スキージ、５３ａ，５３ｂ，５
５…開口部
５…バンプ、６…熱硬化性樹脂、７…接合材、２０…フ
ィルム状の異方性導電性樹脂（ＡＣＦ）、３０…ペース
ト状の異方性導電性樹脂（ＡＣＰ）、４０…ボイド、５
０，５０ａ，５０ｂ，５２…ディスペンサ、５１，５４
…メタルマスク、５２…スキージ、５３ａ，５３ｂ，５
５…開口部
Claims (10)
- 【請求項１】 １あるいはそれ以上の電子部品が基板上
に搭載され、この基板上に設けた配線パターンと前記電
子部品の接続端子であるバンプとが電気的な接続を維持
している電子回路装置において、 前記バンプおよび配線パターンを包囲するよう異方性導
電性樹脂を充填し、この異方性導電性樹脂の熱硬化によ
って、前記バンプと配線パターンとの電気的な接続を維
持するとともに、前記電子部品と前記基板とを接合する
ことを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項２】 前記異方性導電性樹脂は、前記バンプと
の接続に係る前記配線パターン全体を覆うよう前記基板
上に滴下されるペースト状樹脂であることを特徴とする
請求項１記載の電子回路装置。 - 【請求項３】 前記異方性導電性樹脂は、前記バンプと
の接続に係る前記配線パターンの幅に合わせて、この配
線パターン上に積層された所定厚のペースト状樹脂であ
ることを特徴とする請求項１記載の電子回路装置。 - 【請求項４】 さらに、前記バンプおよび配線パターン
周辺以外の前記基板上の所定領域に、前記異方性導電性
樹脂とは異なる熱硬化樹脂を充填することを特徴とする
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子回路装置。 - 【請求項５】 １あるいはそれ以上の電子部品が基板上
に搭載され、この基板上に設けた配線パターンと前記電
子部品の接続端子であるバンプとが電気的な接続を維持
している電子回路装置において、 少なくとも前記電子部品の所定面の面積に等しい前記基
板上の範囲に熱硬化樹脂を充填し、この樹脂の熱硬化に
よって、前記バンプと配線パターンとの電気的な接続を
維持するとともに、前記電子部品と前記基板とを接合す
ることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項６】 １あるいはそれ以上の電子部品が基板上
に搭載され、この基板上に設けた配線パターンと前記電
子部品の接続端子であるバンプとが電気的な接続を維持
している電子回路装置の製造方法において、 前記バンプおよび配線パターン近傍の前記基板上にペー
スト状の異方性導電性樹脂を充填する充填工程と、 前記配線パターンと前記バンプとの位置を合わせて前記
基板上に前記電子部品を載置する工程と、 前記充填された異方性導電性樹脂を熱硬化させる工程と
を備え、 前記異方性導電性樹脂の熱硬化によって、前記バンプと
配線パターンとの電気的な接続を維持するとともに、前
記電子部品と前記基板とを接合することを特徴とする電
子回路装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記充填工程は、前記バンプとの接続に
係る前記配線パターン全体を覆うよう前記基板上に前記
異方性導電性樹脂を滴下することを特徴とする請求項６
記載の電子回路装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記充填工程は、前記バンプとの接続に
係る前記配線パターンの幅に合わせて、この配線パター
ン上に前記異方性導電性樹脂を所定厚で積層させること
を特徴とする請求項６記載の電子回路装置の製造方法。 - 【請求項９】 さらに、前記バンプおよび配線パターン
周辺以外の前記基板上の所定領域に、前記異方性導電性
樹脂とは異なる熱硬化樹脂を充填する工程を備えること
を特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の電子回
路装置の製造方法。 - 【請求項１０】 １あるいはそれ以上の電子部品が基板
上に搭載され、この基板上に設けた配線パターンと前記
電子部品の接続端子であるバンプとが電気的な接続を維
持している電子回路装置の製造方法において、 少なくとも前記電子部品の所定面の面積に等しい前記基
板上の範囲に熱硬化樹脂を充填する工程と、 前記配線パターンと前記バンプとの位置を合わせて前記
基板上に前記電子部品を載置する工程と、 前記充填された熱硬化樹脂を熱硬化させる工程とを備
え、 前記熱硬化樹脂の熱硬化によって、前記バンプと配線パ
ターンとの電気的な接続を維持するとともに、前記電子
部品と前記基板とを接合することを特徴とする電子回路
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32634898A JP2000150576A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | 電子回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32634898A JP2000150576A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | 電子回路装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150576A true JP2000150576A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18186795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32634898A Pending JP2000150576A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | 電子回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388321B1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Anisotropic conductive film and resin filling gap between a flip-chip and circuit board |
| JP2007294916A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Brother Ind Ltd | 接続構造、およびバンプの形成方法等 |
| KR100823699B1 (ko) | 2006-11-29 | 2008-04-21 | 삼성전자주식회사 | 플립칩 어셈블리 및 그 제조 방법 |
| US10008432B2 (en) | 2015-08-11 | 2018-06-26 | Socionext Inc. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
-
1998
- 1998-11-17 JP JP32634898A patent/JP2000150576A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388321B1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Anisotropic conductive film and resin filling gap between a flip-chip and circuit board |
| JP2007294916A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Brother Ind Ltd | 接続構造、およびバンプの形成方法等 |
| KR100823699B1 (ko) | 2006-11-29 | 2008-04-21 | 삼성전자주식회사 | 플립칩 어셈블리 및 그 제조 방법 |
| US7821139B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flip-chip assembly and method of manufacturing the same |
| US10008432B2 (en) | 2015-08-11 | 2018-06-26 | Socionext Inc. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |